JPH08278421A - 石英系光導波路 - Google Patents
石英系光導波路Info
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- JPH08278421A JPH08278421A JP7083686A JP8368695A JPH08278421A JP H08278421 A JPH08278421 A JP H08278421A JP 7083686 A JP7083686 A JP 7083686A JP 8368695 A JP8368695 A JP 8368695A JP H08278421 A JPH08278421 A JP H08278421A
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- JP
- Japan
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- optical waveguide
- layer
- core
- core layer
- silica
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 コアパターンにクラックの発生がなく、基板
面内の膜厚分布が均一で、散乱や光の不透過部分のない
石英系光導波路を提供する。 【構成】 アンダークラッド層と、該アンダークラッド
層より屈折率の大きいコア層を加工したコアパターン
と、その上にコア層より屈折率の小さいオーバークラッ
ド層を有してなる石英系光導波路において、該コア層が
ＳｉＯ2 を主成分とし、その赤外吸収によるＳｉ−Ｏス
トレッチングモードのピーク波数が1077cm-1以上である
ことを特徴とする石英系光導波路。
面内の膜厚分布が均一で、散乱や光の不透過部分のない
石英系光導波路を提供する。 【構成】 アンダークラッド層と、該アンダークラッド
層より屈折率の大きいコア層を加工したコアパターン
と、その上にコア層より屈折率の小さいオーバークラッ
ド層を有してなる石英系光導波路において、該コア層が
ＳｉＯ2 を主成分とし、その赤外吸収によるＳｉ−Ｏス
トレッチングモードのピーク波数が1077cm-1以上である
ことを特徴とする石英系光導波路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信に使用される光導
波路のうち、特に石英系光導波路に関するものである。
波路のうち、特に石英系光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光導波路の中で特に石英系光導波路は、
低損失で、光ファイバとの接続損失も非常に小さいた
め、低損失、低価格の光部品として有望視されている。
基板上に石英系光導波路を形成する方法として、火炎堆
積法と反応性イオンエッチングによる方法が提案されて
いる（河内、オプトロニクス、８号、85頁、1988）。こ
の方法で石英系光導波路を形成するには、まずシリコン
基板上に火炎堆積法によりアンダークラッド層及びコア
層のガラス微粒子をこの順に堆積させて多孔質膜を形成
し、電気炉などで高温に加熱して透明ガラス化し、次に
ガラス化したコア層を反応性イオンエッチングにより矩
形のコアパターンに形成し、この矩形のコアパターンの
上に、オーバークラッド層を形成するために火炎堆積法
によりガラス微粒子を堆積し、高温に加熱してガラス化
して光導波路が形成される。
低損失で、光ファイバとの接続損失も非常に小さいた
め、低損失、低価格の光部品として有望視されている。
基板上に石英系光導波路を形成する方法として、火炎堆
積法と反応性イオンエッチングによる方法が提案されて
いる（河内、オプトロニクス、８号、85頁、1988）。こ
の方法で石英系光導波路を形成するには、まずシリコン
基板上に火炎堆積法によりアンダークラッド層及びコア
層のガラス微粒子をこの順に堆積させて多孔質膜を形成
し、電気炉などで高温に加熱して透明ガラス化し、次に
ガラス化したコア層を反応性イオンエッチングにより矩
形のコアパターンに形成し、この矩形のコアパターンの
上に、オーバークラッド層を形成するために火炎堆積法
によりガラス微粒子を堆積し、高温に加熱してガラス化
して光導波路が形成される。
【０００３】また、基板上に石英系光導波路を形成する
別の方法として、低圧化学気相成長法（以後、ＬＰ−Ｃ
ＶＤ法と略記する）と反応性イオンエッチングと火炎堆
積法による方法が提案されている（生西ら、信学技報、
93(129)、 37 頁、1993）。この方法で石英系光導波路を
作製する場合、まずアンダークラッド層を兼ねた石英ガ
ラス基板上にＬＰ−ＣＶＤ法によりコア層を形成し、次
にコア層を反応性イオンエッチングにより矩形のコアパ
ターンに形成した後、この上にオーバークラッド層を形
成するために火炎堆積法によりガラス微粒子を堆積し、
高温に加熱してガラス化する。
別の方法として、低圧化学気相成長法（以後、ＬＰ−Ｃ
ＶＤ法と略記する）と反応性イオンエッチングと火炎堆
積法による方法が提案されている（生西ら、信学技報、
93(129)、 37 頁、1993）。この方法で石英系光導波路を
作製する場合、まずアンダークラッド層を兼ねた石英ガ
ラス基板上にＬＰ−ＣＶＤ法によりコア層を形成し、次
にコア層を反応性イオンエッチングにより矩形のコアパ
ターンに形成した後、この上にオーバークラッド層を形
成するために火炎堆積法によりガラス微粒子を堆積し、
高温に加熱してガラス化する。
【０００４】基板上に石英系光導波路を形成する更に別
の方法として、電子ビーム蒸着法と反応性イオンエッチ
ングと火炎堆積法による方法が提案されている（井本
ら、日立評論、72（４）、51頁、1990）。この方法で石
英系光導波路を作製する場合、まずアンダークラッド層
を兼ねた石英ガラス基板上に電子ビーム蒸着法によりコ
ア層を形成し、次にコア層を反応性イオンエッチングに
より矩形のコアパターンに形成した後、この上にオーバ
ークラッド層を形成するために火炎堆積法によりガラス
微粒子を堆積し、高温に加熱してガラス化する。
の方法として、電子ビーム蒸着法と反応性イオンエッチ
ングと火炎堆積法による方法が提案されている（井本
ら、日立評論、72（４）、51頁、1990）。この方法で石
英系光導波路を作製する場合、まずアンダークラッド層
を兼ねた石英ガラス基板上に電子ビーム蒸着法によりコ
ア層を形成し、次にコア層を反応性イオンエッチングに
より矩形のコアパターンに形成した後、この上にオーバ
ークラッド層を形成するために火炎堆積法によりガラス
微粒子を堆積し、高温に加熱してガラス化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら火炎堆積
法、ＬＰ−ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法による石英系光
導波路の製造方法で製造された石英系光導波路は、各々
以下のような課題を有している。火炎堆積法は、膜厚制
御性、基板面内の膜厚分布均一性に難を持つことから、
ガラス微粒子堆積後、高温加熱によりガラス化したアン
ダークラッド層、コア層、オーバークラッド層の各層
は、面内の膜厚分布を均一にしようとするとポリッシュ
を行わなければならないという欠点を有している。
法、ＬＰ−ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法による石英系光
導波路の製造方法で製造された石英系光導波路は、各々
以下のような課題を有している。火炎堆積法は、膜厚制
御性、基板面内の膜厚分布均一性に難を持つことから、
ガラス微粒子堆積後、高温加熱によりガラス化したアン
ダークラッド層、コア層、オーバークラッド層の各層
は、面内の膜厚分布を均一にしようとするとポリッシュ
を行わなければならないという欠点を有している。
【０００６】ＬＰ−ＣＶＤ法は、成膜時に膜厚制御が可
能であり、面内の膜厚分布も非常に均一であるため、ポ
リッシュを行う必要はなく、非常に有効な方法である。
しかしながら、ＬＰ−ＣＶＤ法により形成したコア層中
には直径１μｍ以上の散乱体が20〜100 個／mm2 存在す
るため、この製造方法による光導波路は、伝搬損失が大
きくなるという欠点を有している。
能であり、面内の膜厚分布も非常に均一であるため、ポ
リッシュを行う必要はなく、非常に有効な方法である。
しかしながら、ＬＰ−ＣＶＤ法により形成したコア層中
には直径１μｍ以上の散乱体が20〜100 個／mm2 存在す
るため、この製造方法による光導波路は、伝搬損失が大
きくなるという欠点を有している。
【０００７】電子ビーム蒸着法は、成膜時に膜厚制御が
可能であり、面内の膜厚分布も非常に均一であるため、
ポリッシュを行う必要はなく、更にコア層中の散乱体も
非常に少ない。しかしながら、電子ビーム蒸着法により
石英ガラス基板上に３μｍ以上のコア層を形成し、この
コア層を反応性イオンエッチングにより矩形のコアパタ
ーンとした後、ガラス微粒子を堆積し、その後1100〜14
00℃の熱処理でガラス化して、オーバークラッド層を形
成した場合、コアパターンにクラックが発生してしまう
ため、作製した石英系光導波路に光散乱が生じたり、光
が透過しない部分が生じたりするという問題を有してい
る。
可能であり、面内の膜厚分布も非常に均一であるため、
ポリッシュを行う必要はなく、更にコア層中の散乱体も
非常に少ない。しかしながら、電子ビーム蒸着法により
石英ガラス基板上に３μｍ以上のコア層を形成し、この
コア層を反応性イオンエッチングにより矩形のコアパタ
ーンとした後、ガラス微粒子を堆積し、その後1100〜14
00℃の熱処理でガラス化して、オーバークラッド層を形
成した場合、コアパターンにクラックが発生してしまう
ため、作製した石英系光導波路に光散乱が生じたり、光
が透過しない部分が生じたりするという問題を有してい
る。
【０００８】そこで本発明は上記の問題を解決するため
に案出されたものであり、その目的は、コアパターンに
クラックの発生がなく、基板面内の膜厚分布が均一で、
光散乱や光の不透過部分のない石英系光導波路を提供す
ることにある。
に案出されたものであり、その目的は、コアパターンに
クラックの発生がなく、基板面内の膜厚分布が均一で、
光散乱や光の不透過部分のない石英系光導波路を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、上記
目的を達成するため、アンダークラッド層と、該アンダ
ークラッド層より屈折率の大きいコア層を加工したコア
パターンと、その上にコア層より屈折率の小さいオーバ
ークラッド層を有してなる石英系光導波路において、該
コア層がＳｉＯ2 を主成分とし、その赤外吸収によるＳ
ｉ−Ｏストレッチングモードのピーク波数が1077cm-1以
上であることを特徴とする石英系光導波路を要旨とする
ものである。以下にこれをさらに詳述する。
目的を達成するため、アンダークラッド層と、該アンダ
ークラッド層より屈折率の大きいコア層を加工したコア
パターンと、その上にコア層より屈折率の小さいオーバ
ークラッド層を有してなる石英系光導波路において、該
コア層がＳｉＯ2 を主成分とし、その赤外吸収によるＳ
ｉ−Ｏストレッチングモードのピーク波数が1077cm-1以
上であることを特徴とする石英系光導波路を要旨とする
ものである。以下にこれをさらに詳述する。
【００１０】前記Ｓｉ−Ｏストレッチングモードのピー
ク波数とは、赤外吸収スペクトルの波数1050〜1150cm-1
で見られ、図２に示すＳｉ原子とＯ原子の格子振動の三
つの振動モードのうち（ａ）であるＳｉ−Ｏストレッチ
ングモードに起因するピークの波数のことである。Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とするガラスの赤外吸収測定を行うと、図
３に示すようなピークを持つスペクトルが得られる。こ
れらのピークのうち、Ｓｉ−Ｏストレッチングモードに
起因するピークは、コア層を熱処理すると、高波数側へ
変動することより、本発明者等はこの点に着目して本発
明を完成させた。
ク波数とは、赤外吸収スペクトルの波数1050〜1150cm-1
で見られ、図２に示すＳｉ原子とＯ原子の格子振動の三
つの振動モードのうち（ａ）であるＳｉ−Ｏストレッチ
ングモードに起因するピークの波数のことである。Ｓｉ
Ｏ2 を主成分とするガラスの赤外吸収測定を行うと、図
３に示すようなピークを持つスペクトルが得られる。こ
れらのピークのうち、Ｓｉ−Ｏストレッチングモードに
起因するピークは、コア層を熱処理すると、高波数側へ
変動することより、本発明者等はこの点に着目して本発
明を完成させた。
【００１１】すなわち、本発明者等は電子ビーム蒸着法
により形成した光導波路のコアパターンのクラックの発
生と、赤外吸収によるＳｉ−Ｏストレッチングモードの
ピーク波数との関係を見たところ、このピーク波数が10
77cm-1以上となると該コアパターンにクラックが発生し
ないことがわかった。ここで、電子ビーム蒸着法による
コア層の形成において、基板表面の温度を高温に保つ、
例えばこれを 500℃以上の高温度とするか、または酸素
イオンや酸素プラズマの雰囲気中で行うことにより、赤
外吸収によるＳｉ−Ｏストレッチングモードのピーク波
数を1077cm-1以上にすることができる。なお、電子ビー
ム蒸着法は本発明者等が既に出願している特願平6-8969
2 号による方法で行えばよいが、この電子ビーム蒸着法
は膜厚制御が容易で、基板面内の膜厚分布が均一であ
り、散乱体が非常に少ない形成方法であるため、非常に
伝搬損失の小さい光導波路を形成することができる。従
って、電子ビーム蒸着法によるコア層を上記の条件で形
成し、これを加工してコアパターンを形成し、その上に
オーバークラッド層を形成するために火炎堆積法により
ガラス微粒子を堆積し、1100〜1400℃の熱処理を行って
ガラス化してもコアパターンにクラックが発生せず、従
ってクラックのない、光散乱や光の不透過部分のない光
導波路が得られる。
により形成した光導波路のコアパターンのクラックの発
生と、赤外吸収によるＳｉ−Ｏストレッチングモードの
ピーク波数との関係を見たところ、このピーク波数が10
77cm-1以上となると該コアパターンにクラックが発生し
ないことがわかった。ここで、電子ビーム蒸着法による
コア層の形成において、基板表面の温度を高温に保つ、
例えばこれを 500℃以上の高温度とするか、または酸素
イオンや酸素プラズマの雰囲気中で行うことにより、赤
外吸収によるＳｉ−Ｏストレッチングモードのピーク波
数を1077cm-1以上にすることができる。なお、電子ビー
ム蒸着法は本発明者等が既に出願している特願平6-8969
2 号による方法で行えばよいが、この電子ビーム蒸着法
は膜厚制御が容易で、基板面内の膜厚分布が均一であ
り、散乱体が非常に少ない形成方法であるため、非常に
伝搬損失の小さい光導波路を形成することができる。従
って、電子ビーム蒸着法によるコア層を上記の条件で形
成し、これを加工してコアパターンを形成し、その上に
オーバークラッド層を形成するために火炎堆積法により
ガラス微粒子を堆積し、1100〜1400℃の熱処理を行って
ガラス化してもコアパターンにクラックが発生せず、従
ってクラックのない、光散乱や光の不透過部分のない光
導波路が得られる。
【００１２】
【作用】以上に述べたように、アンダークラッド層と該
アンダークラッド層より屈折率の大きいコア層を加工し
たコアパターンとその上にコア層より屈折率の小さいオ
ーバークラッド層を有してなる石英系光導波路におい
て、該コア層がＳｉＯ2 を主成分とし、その赤外吸収に
よるＳｉ−Ｏストレッチングモードのピーク波数が1077
cm-1以上とすることにより、このコアパターンにクラッ
クが発生せず、光散乱や光の不透過部分のない光導波路
とすることができる。
アンダークラッド層より屈折率の大きいコア層を加工し
たコアパターンとその上にコア層より屈折率の小さいオ
ーバークラッド層を有してなる石英系光導波路におい
て、該コア層がＳｉＯ2 を主成分とし、その赤外吸収に
よるＳｉ−Ｏストレッチングモードのピーク波数が1077
cm-1以上とすることにより、このコアパターンにクラッ
クが発生せず、光散乱や光の不透過部分のない光導波路
とすることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基いて説
明するが、これは本発明を限定するものではない。 実施例 図１は、電子ビーム蒸着法によりアンダークラッド層表
面にコア層を形成する、本発明の光導波路を製造するた
めの装置の一例を示したものである。図１に示すよう
に、チャンバー２１内部にはコア層組成の原料であるＳ
ｉＯ2９５ｇと、屈折率制御用添加物ＧｅＯ2 ５ｇより
なる焼結体の蒸発材料２２がルツボ２６内に収容され、
蒸発材料２２を蒸発させるための電子銃２３が配置され
ている。またチャンバー２１内の電子銃の上方部には窒
化ホウ素基材上にヒーター抵抗部がグラファイトよりな
る加熱装置（以後ＰＧヒータと略記する）２５にアンダ
ークラッド層を兼ねたＳｉＯ2 よりなる直径100mm 、厚
さ１mmの石英ガラス基板２４が配置されている。ＰＧヒ
ータ２５は、加熱される石英ガラス基板２４表面が表１
に記載された成膜温度になるよう、電流を調節すること
ができる。 また、チャンバー２１には真空排気系２７
が接続されている。
明するが、これは本発明を限定するものではない。 実施例 図１は、電子ビーム蒸着法によりアンダークラッド層表
面にコア層を形成する、本発明の光導波路を製造するた
めの装置の一例を示したものである。図１に示すよう
に、チャンバー２１内部にはコア層組成の原料であるＳ
ｉＯ2９５ｇと、屈折率制御用添加物ＧｅＯ2 ５ｇより
なる焼結体の蒸発材料２２がルツボ２６内に収容され、
蒸発材料２２を蒸発させるための電子銃２３が配置され
ている。またチャンバー２１内の電子銃の上方部には窒
化ホウ素基材上にヒーター抵抗部がグラファイトよりな
る加熱装置（以後ＰＧヒータと略記する）２５にアンダ
ークラッド層を兼ねたＳｉＯ2 よりなる直径100mm 、厚
さ１mmの石英ガラス基板２４が配置されている。ＰＧヒ
ータ２５は、加熱される石英ガラス基板２４表面が表１
に記載された成膜温度になるよう、電流を調節すること
ができる。 また、チャンバー２１には真空排気系２７
が接続されている。
【００１４】上記状態において、ＰＧヒータ２５に電流
を流して、石英ガラス基板２４の表面温度が表１内の実
施例欄に記載された各々の成膜温度になるように加熱を
行った。屈折率制御用添加物としてＧｅＯ2 を混合した
ＳｉＯ2 ガラスの蒸発材料２２を、電子銃２３から電子
ビームを照射して蒸発させ、石英ガラス基板２４の表面
温度を表１の成膜温度に保ちながら、石英ガラス基板２
４上に厚さ８μｍのコア層を形成した。ここで、コア層
の組成はアンダークラッド層を兼ねた石英ガラス基板２
４とのコア層の屈折率差Δn が０ .３％となるように、
屈折率制御用添加物であるＧｅＯ2 含有量を調節した。
この厚さ８μｍのコア層を用いて常法の反応性イオンエ
ッチング法により、８μｍ×８μｍの矩形回路コアパタ
ーンを形成後、その上にSiCl4 、POCl3 、BBr3を用いた
酸水素火炎による火炎堆積法によりオーバークラッド層
用多孔質シリカ層を形成し、1200℃×１時間熱処理を行
い、厚さ５０μｍのオーバークラッド層を形成し、光導
波路とした。その結果、表１に併記したように、成膜温
度 500℃以上である本実施例ではいずれもコアパターン
にクラックは発生しなかった。
を流して、石英ガラス基板２４の表面温度が表１内の実
施例欄に記載された各々の成膜温度になるように加熱を
行った。屈折率制御用添加物としてＧｅＯ2 を混合した
ＳｉＯ2 ガラスの蒸発材料２２を、電子銃２３から電子
ビームを照射して蒸発させ、石英ガラス基板２４の表面
温度を表１の成膜温度に保ちながら、石英ガラス基板２
４上に厚さ８μｍのコア層を形成した。ここで、コア層
の組成はアンダークラッド層を兼ねた石英ガラス基板２
４とのコア層の屈折率差Δn が０ .３％となるように、
屈折率制御用添加物であるＧｅＯ2 含有量を調節した。
この厚さ８μｍのコア層を用いて常法の反応性イオンエ
ッチング法により、８μｍ×８μｍの矩形回路コアパタ
ーンを形成後、その上にSiCl4 、POCl3 、BBr3を用いた
酸水素火炎による火炎堆積法によりオーバークラッド層
用多孔質シリカ層を形成し、1200℃×１時間熱処理を行
い、厚さ５０μｍのオーバークラッド層を形成し、光導
波路とした。その結果、表１に併記したように、成膜温
度 500℃以上である本実施例ではいずれもコアパターン
にクラックは発生しなかった。
【００１５】次に、本実施例で作製したコア層の赤外吸
収を測定するが、石英ガラス基板を用いているため、測
定波長域である1050〜1150cm-1でのＳｉ−Ｏストレッチ
ングモードの吸収が大き過ぎ、ピークを検出することが
できないため、シリコン基板を用いこの上にコア層を膜
厚１μｍで形成して、その他の条件は前述と同様にし
て、赤外吸収測定用サンプルを下記により作製した。す
なわち、図１に記載の装置により、ＧｅＯ2 を混合した
ＳｉＯ2 ガラスの蒸発材料２２を電子銃２３から電子ビ
ームを照射して蒸発させ、表１の実施例の成膜温度に保
たれた、結晶方位＜１００＞、体積抵抗率１０Ω・cm の
Ｐ型シリコン基板上に、厚さ１μｍのコア層を形成し
た。コア層を形成後、基板表面に対して垂直方向に赤外
光を透過させて赤外吸収の測定を行った。測定結果を表
１に併記した。1200℃×１時間の熱処理を施してもクラ
ックが発生しない、成膜温度 500℃のコア層のＳｉ−Ｏ
ストレッチングモードのピーク波数は1077cm-1であり、
成膜温度が高くなるにしたがって、ピーク波数も大きく
なった。
収を測定するが、石英ガラス基板を用いているため、測
定波長域である1050〜1150cm-1でのＳｉ−Ｏストレッチ
ングモードの吸収が大き過ぎ、ピークを検出することが
できないため、シリコン基板を用いこの上にコア層を膜
厚１μｍで形成して、その他の条件は前述と同様にし
て、赤外吸収測定用サンプルを下記により作製した。す
なわち、図１に記載の装置により、ＧｅＯ2 を混合した
ＳｉＯ2 ガラスの蒸発材料２２を電子銃２３から電子ビ
ームを照射して蒸発させ、表１の実施例の成膜温度に保
たれた、結晶方位＜１００＞、体積抵抗率１０Ω・cm の
Ｐ型シリコン基板上に、厚さ１μｍのコア層を形成し
た。コア層を形成後、基板表面に対して垂直方向に赤外
光を透過させて赤外吸収の測定を行った。測定結果を表
１に併記した。1200℃×１時間の熱処理を施してもクラ
ックが発生しない、成膜温度 500℃のコア層のＳｉ−Ｏ
ストレッチングモードのピーク波数は1077cm-1であり、
成膜温度が高くなるにしたがって、ピーク波数も大きく
なった。
【００１６】
【表１】
【００１７】比較例 コア層の成膜温度を、表１内の比較例に記載された成膜
温度とする以外は、実施例と同様に行った。クラックの
発生の有無と赤外吸収のピーク波数の測定結果を表１に
併記した。成膜温度300 ℃、400 ℃のいずれのコアパタ
ーンにも、1200℃×１時間の熱処理でクラックが発生し
た。また赤外吸収のＳｉ−Ｏストレッチングモードのピ
ーク波数は、成膜温度300℃のコア層では1066cm-1、400
℃のコア層では1072cm-1であった。
温度とする以外は、実施例と同様に行った。クラックの
発生の有無と赤外吸収のピーク波数の測定結果を表１に
併記した。成膜温度300 ℃、400 ℃のいずれのコアパタ
ーンにも、1200℃×１時間の熱処理でクラックが発生し
た。また赤外吸収のＳｉ−Ｏストレッチングモードのピ
ーク波数は、成膜温度300℃のコア層では1066cm-1、400
℃のコア層では1072cm-1であった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、コアパターンにクラッ
クがなく、光散乱や光の不透過部分のない石英系光導波
路が得られた。
クがなく、光散乱や光の不透過部分のない石英系光導波
路が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における実施例の装置構成図。
【図２】Ｓｉ原子とＯ原子の格子振動の振動モードの模
式図。 （ａ） Ｓｉ−Ｏのストレッチングモード （ｂ） Ｓｉ−Ｏのベンディングモード （ｃ） Ｓｉ−Ｏのロッキングモード
式図。 （ａ） Ｓｉ−Ｏのストレッチングモード （ｂ） Ｓｉ−Ｏのベンディングモード （ｃ） Ｓｉ−Ｏのロッキングモード
【図３】ＳｉＯ2 を主成分とするガラスの赤外吸収スペ
クトルの一例。
クトルの一例。
２１ チャンバー ２２ 蒸発材
料 ２３ 電子銃 ２４ 基板 ２５ ＰＧヒータ ２６ ルツボ ２７ 真空排気系
料 ２３ 電子銃 ２４ 基板 ２５ ＰＧヒータ ２６ ルツボ ２７ 真空排気系
Claims (1)
- 【請求項１】 アンダークラッド層と、該アンダークラ
ッド層より屈折率の大きいコア層を加工したコアパター
ンと、その上にコア層より屈折率の小さいオーバークラ
ッド層を有してなる石英系光導波路において、該コア層
がＳｉＯ2 を主成分とし、その赤外吸収によるＳｉ−Ｏ
ストレッチングモードのピーク波数が1077cm-1以上であ
ることを特徴とする石英系光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7083686A JPH08278421A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 石英系光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7083686A JPH08278421A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 石英系光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08278421A true JPH08278421A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13809383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7083686A Pending JPH08278421A (ja) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 石英系光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08278421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006243228A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Toyota Gakuen | 光導波路形成方法 |
-
1995
- 1995-04-10 JP JP7083686A patent/JPH08278421A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006243228A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Toyota Gakuen | 光導波路形成方法 |
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