JPH08279112A

JPH08279112A - 磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH08279112A
Application number: JP7922395A
Authority: JP
Inventors: Mikio Kinoshita; 幹夫木下
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1995-04-05
Filing date: 1995-04-05
Publication date: 1996-10-22

Abstract

(57)【要約】【目的】微小な領域の検知磁場を検知することのでき
る磁気ヘッドを提供することである。【構成】検知磁束が導入される第一の磁路２と、この
第一の磁路２と交差する第二の磁路５と、前記第一の磁
路２と前記第二の磁路５とが交差する部分に設けられた
磁界変調部６と、前記第二の磁路５に高周波磁界を印加
して高周波磁束を生じさせる高周波磁界印加部１２と、
前記検知磁束に起因する前記第二の磁路５内の高周波磁
束の変化を検知する高周波磁束検知部９と、前記磁界変
調部６と並列に前記第二の磁路５に設けられたバイパス
磁路１３とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、超高密度磁気記録媒体
やメカ系の位置センサ等の微小領域の磁場を検知する磁
気センサに用いられる磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ヘッドは、磁気記録媒体に記録され
た情報を読み取るものであり、磁性体の高周波透磁率の
外部磁界依存性を利用したものである。このような磁気
ヘッドとして、特開昭５８−６８２０５号公報に示され
ているものがある。この磁気ヘッドは、磁気記録媒体に
近接させて磁性体を設け、この磁性体に第一のコイルを
巻き付けて第一のインダクタンス素子を形成して、この
第一のインダクタンス素子に高周波電源を接続し、さら
に、前述の磁性体に第二のコイルを巻き付けて第二のイ
ンダクタンス素子を形成して、この第二のインダクタン
ス素子に検波回路を接続したものである。

【０００３】このような構成によれば、高周波電源によ
り第一のインダクタンス素子に高周波磁界が印加されて
高周波磁束が生じ、第二のインダクタンス素子に高周波
電圧が誘起される。そして、磁気記録媒体に起因する検
知磁界が磁性体に印加される。このとき、検知磁界によ
り磁性体の高周波透磁率が変化して、第二のインダクタ
ンス素子に誘起される高周波電圧が変化する。この高周
波電圧の変化を検波回路で検知することにより、磁気記
録媒体の検知磁場が検知されて、磁気記録媒体に記録さ
れた情報が読み取られるとともに、高出力が得られる。

【０００４】しかし、このような磁気ヘッドは、磁性体
全体に対する検知磁界の強度を十分に強くして、磁性体
の高周波透磁率の変化を大きくしなければならない。そ
のため、微小な領域の検知磁場を検知して、超高密度磁
気記録媒体に記録された情報を読み取る場合には、磁性
体を微小にして、磁性体全体に対する検知磁界の強度を
十分に強くする必要がある。ところが、第一のインダク
タンス素子及び第二のインダクタンス素子の微小化には
限界があるため、磁性体の高度な微小化が困難である。
従って、微小な領域の検知磁場を検知して、超高密度磁
気記録媒体に記録された情報を読み取ることが極めて困
難である。

【０００５】それに対して特公平３−４４３６１号公報
に示されている磁気ヘッドがある。この磁気ヘッドは、
磁気記録媒体に近接させて第二の磁性体を設け、この第
二の磁性体と別体に第一の磁性体を設けたものであり、
前述の第一の磁性体に第一のコイルを巻き付けて第一の
インダクタンス素子を形成して、この第一のインダクタ
ンス素子に高周波電源を接続し、さらに、前述の第二の
磁性体に第二のコイルを巻き付けて第二のインダクタン
ス素子を形成して、この第二のインダクタンス素子に検
波回路を接続したものである。ただし、第一のインダク
タンス素子と第二のインダクタンス素子とは、磁気的に
接続されている。

【０００６】このような構成において、高周波電源によ
り第一のインダクタンス素子に高周波磁界が印加されて
高周波磁束が生じ、第二のインダクタンス素子に高周波
電圧が誘起される。そして、磁気記録媒体に起因する検
知磁界が磁気記録媒体から離れるにしたがって急速に減
速するため、その検知磁界は主として第二の磁性体に印
加される。このとき、検知磁界により第二の磁性体の高
周波透磁率が変化して、第二のインダクタンス素子に誘
起される高周波電圧が変化する。この高周波電圧の変化
を検波回路で検知することにより、磁気記録媒体の検知
磁場が検知されて、磁気記録媒体に記録された情報が読
み取られる。

【０００７】このように、第一の磁性体と第二の磁性体
とを別体に設け、第二の磁性体に第二のコイルのみを巻
き付けて第二のインダクタンス素子を形成することによ
り、第二の磁性体を小型化することができる。そのた
め、特開昭５８−６８２０５号公報に示されている磁気
ヘッドに比べてより小さな検知磁場を検知することがで
きる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、数μｍ以下
の小さなサイズのコイルを実用に耐えうる性能を持つよ
うに形成することが困難であるため、前述の特開平３−
４４３６１号公報に示されている磁気ヘッドは、数μｍ
以下の微小な領域の検知磁場を検知することが極めて困
難である。

【０００９】また、第二の磁性体を微小にした場合に
は、磁区構造が乱れやすいため、高周波電圧が低下しや
すいとともに、バルクハウゼンノイズ等が増加しやす
い。従って、Ｓ／Ｎ比が低下しやすいという問題点があ
る。

【００１０】さらに、第一の磁性体と第二の磁性体との
間の磁気ギャップによる磁気抵抗の増加、及び、反磁界
の作用により、感度が下がるという問題点がある。それ
は、第一のインダクタンス素子と第二のインダクタンス
素子とが接続された高周波磁気回路において、第二の磁
性体以外の部分の磁気抵抗が無視できない大きさである
場合に、第二の磁性体の高周波透磁率が低下すると、第
二の磁性体に印加される高周波磁界が増加し、また、第
二の磁性体の高周波透磁率が増加すると、第二の磁性体
に印加される高周波磁界が低下することにより、高周波
透磁率と高周波磁界との積に比例する高周波磁束の変化
が小さくなるために生じるものである。

【００１１】また、磁気記録媒体に記録された情報を読
み取る場合には、高周波磁界が磁極から漏洩することが
ある。この高周波磁界の漏洩は、ノイズの原因や磁気記
録媒体の交流消去の原因となる恐れがある。そのため、
高周波磁界の強度を上げることによる検出信号強度の上
昇には一定の限界がある。

【００１２】本発明は、このような問題点に鑑みなされ
たものであり、微小な領域の検知磁場を検知することの
できる磁気ヘッドを提供することが目的である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
検知磁束が導入される第一の磁路と、この第一の磁路と
交差する第二の磁路と、前記第一の磁路と前記第二の磁
路とが交差する部分に設けられた磁界変調部と、前記第
二の磁路に高周波磁界を印加して高周波磁束を生じさせ
る高周波磁界印加部と、前記検知磁束に起因する前記第
二の磁路内の高周波磁束の変化を検知する高周波磁束検
知部と、前記磁界変調部と並列に前記第二の磁路に設け
られたバイパス磁路とを備えた。

【００１４】ここで、第一の磁路及び第二の磁路は、強
磁性金属、合金、これらの元素を含む窒化物、又はフェ
ライトやイットリウム鉄ガーネット（ＹＩＧ）等の化合
物の磁性体、又は、それらの組合せであり、公知の磁性
体で形成したものである。そして、第二の磁路は、閉磁
路又は開磁路である。さらに、第一の磁路と第二の磁路
とは、基本的に直交させて形成したものであるが、斜交
させて形成したものでも良い。

【００１５】さらに、磁界変調部も、強磁性金属、合
金、これらの元素を含む窒化物、又はフェライトやＹＩ
Ｇ等の化合物の磁性体、又は、それらの組合せであり、
公知の磁性体で形成したものである。この磁性体の磁性
は、強磁性、フェリ磁性、寄生強磁性、超常磁性、螺旋
磁性、ミクト磁性等の何れかである。しかし、異なる磁
性を示す磁性体を組み合わせて磁界変調部を形成しても
良い。また、磁区の制御を行なうため、反強磁性体を下
地層、上部磁性層又は中間層として磁界変調部に付随さ
せても良い。さらに、磁界変調部の磁気特性は、必要に
応じて第二の磁路の磁気特性と異なるものとする。とこ
ろで、磁界変調部は、第一の磁路及び第二の磁路とそれ
ぞれの境界において磁気的に接続されたものである。従
って、磁界変調部と第一の磁路とを形成する磁性体が同
種の場合には必ずしもその境界が明白でない場合もあ
る。しかし、第一の磁路と磁界変調部との境界に単数又
は複数の微小ギャップを形成しても良い。また、第二の
磁路と磁界変調部との境界にも単数又は複数の微小ギャ
ップを形成しても良い。

【００１６】また、バイパス磁路は、第二の磁路と同様
に高周波領域での透磁率が高い磁性体で形成したもので
ある。

【００１７】さらに、高周波磁界印加部は、第二の磁路
と電磁的に接続されたものである。この高周波磁界印加
部は、導電部材に高周波電源を接続したもの、又は、導
波路をとおして高周波電磁場を導入するもの等である。
ただし、第二の磁路が導電性を有する場合には、必要に
応じて電気的絶縁部材を付加する。さらに、この高周波
磁界印加部で印加される高周波磁界の周波数は、第二の
磁路の強磁性共鳴周波数の近く又は強磁性共鳴周波数未
満の周波数領域内の数ｋＨｚから数１０ＧＨｚの範囲で
ある。

【００１８】また、高周波磁束検知部は、第二の磁路と
電磁的に接続されたものである。この高周波磁束検知部
は、コイルなどの導電部材に誘起される誘導起電力を利
用するもの、又は、導電性を有する磁性体の低効率の磁
界依存性を利用する磁気抵抗効果を利用するもの等であ
る。さらに、必要に応じて検波回路、共振回路、フィル
タ等の電子部品・回路を付加する。

【００１９】さらに、この磁気ヘッドにおいては、第二
の磁路の高周波透磁率の実部を高くし、磁界変調部の高
周波透磁率の外部磁界による変化率を高くして、磁界変
調部の高周波透磁率の実部を第二の磁路の高周波透磁率
の実部より低くするか、又は、高周波透磁率の虚部の外
部磁場による変化率を高くすることが好ましい。また、
磁気変調部の高周波透磁率は、実部が増加する場合に、
虚部が低下するか又は変化しないようにすることが好ま
しい。さらに、バイパス磁路の高周波透磁率の実部は高
くすることが好ましい。

【００２０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の磁
気ヘッドにおいて、バイパス磁路にギャップを設けた。

【００２１】ここで、バイパス磁路のリアクタンスを低
く維持するため、ギャップの断面積を十分に大きくし
た。

【００２２】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の磁気ヘッドにおける磁界変調部の飽和磁束密度が第
二の磁路の飽和磁束密度よりも低い。

【００２３】請求項４記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の磁気ヘッドにおいて、磁界変調部にバイアス磁
界を印加するバイアス磁界印加部を設けた。

【００２４】ここで、バイアス磁界印加部は、永久磁石
又は電磁石の何れか一方又は両方により形成したもので
ある。ただし、バイアス磁界印加部を電磁石により形成
した場合は、第一の磁路又は第二の磁路の何れか一方又
は両方に巻き付けたコイルに直流電流を印加するように
しても良い。また、この場合は、導電部材に高周波電源
を接続した高周波磁界印加部を用いて、その導電部材に
直流電流を印加するようにしても良い。

【００２５】請求項５記載の発明は、請求項４記載の磁
気ヘッドにおけるバイアス磁界が磁界変調部の高周波磁
界に対して平行である。

【００２６】請求項６記載の発明は、請求項４記載の磁
気ヘッドにおけるバイアス磁界が磁界変調部の高周波磁
界に対して垂直である。

【００２７】

【作用】請求項１記載の発明においては、高周波磁界印
加部で高周波磁界を印加して、第二の磁路及びバイパス
磁路内に高周波磁束を生じさせるとともに、第一の磁路
に検知磁束が導入され、この検知磁束で磁界変調部の高
周波透磁率を変化させて高周波磁束を変化させ、この高
周波磁束の変化を高周波磁束検知部で検知することによ
り、高周波磁束検知部に検知磁束がほとんど侵入せず、
かつ、バイパス磁路に磁界変調部を通過しない高周波磁
束を生じさせることができ、さらに、磁界変調部を微小
なものとすることができるため、高周波磁束検知部にお
ける高周波磁束の変化が大きくなり、かつ、バルクハウ
ゼンノイズ等の外部磁場に起因するノイズの影響が小さ
くなり、さらに、感度が向上して、微小な領域の検知磁
束が容易に検知される。

【００２８】請求項２記載の発明においては、バイパス
磁路にギャップを設けることにより、高周波磁束を生じ
させた場合のバイパス磁路の磁気モーメントの角度変化
を小さくすることができるため、バイパス磁路における
バルクハウゼンノイズが低減して、Ｓ／Ｎ比が向上す
る。

【００２９】請求項３記載の発明においては、磁界変調
部の飽和磁束密度を第二の磁路の飽和磁束密度よりも低
くすることにより、検知磁束の磁束密度が低くても、磁
界変調部の磁気モーメントの角度変化を大きくすること
ができ、高周波磁束と磁界変調部の磁気モーメントとの
間の角度が大きくなるにつれて磁界変調部の高周波透磁
率の変化を大きくすることができるため、感度が向上す
る。

【００３０】請求項４記載の発明においては、バイアス
磁界印加部で第二の磁路の高周波磁界にバイアス磁界を
印加することにより、磁界変調部を単磁区構造とするこ
とができ、かつ、磁界変調部の磁区構造を安定させるこ
とができるため、バルクハウゼンノイズが低減して、Ｓ
／Ｎ比が向上する。

【００３１】請求項５記載の発明においては、バイアス
磁界印加部で磁界変調部の高周波磁界と平行にバイアス
磁界を印加することにより、磁界変調部の高周波透磁率
を低くすることができるため、低周波領域の検知磁束に
対する感度が向上する。

【００３２】請求項６記載の発明においては、バイアス
印加部材で磁界変調部の高周波磁界に垂直にバイアス磁
界を印加することにより、強磁性共鳴周波数を高くする
ことができるため、検知可能な検知磁束の周波数の上限
が高くなる。

【００３３】

【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１に基づ
いて説明する。磁気記録媒体（図示せず）に近接する直
方体の基板１が設けられている。この基板１上の前記磁
気記録媒体に対向する位置には、上下に重なった磁路を
有する略コの字状の第一の磁路２が形成されている。こ
の第一の磁路２の先端には、それぞれに前記磁気記録媒
体に対向する電極３が形成されている。これらの電極３
の間及び前記第一の磁路２の上下に重なった磁路の間に
は、ギャップ層４が形成されている。また、前記基板１
上には、基板１の各辺に沿って前記第一の磁路２と交差
する第二の磁路５が形成されている。そして、前記第一
の磁路２と前記第二の磁路５との交差する部分には、磁
界変調部６が設けられている。この磁界変調部６の近く
の前記第二の磁路５には、絶縁層７が形成されている。
この絶縁層７の周りには、コイル８が形成されている。
このコイル８には、検波回路（図示せず）が接続されて
いる。この検波回路、前記絶縁層７及び前記コイル８に
より高周波磁束検知部９が形成されている。また、前記
第二の磁路５には、一部に絶縁層１０が形成されてい
る。この絶縁層１０の周りには、コイル１１が形成され
ている。このコイル１１には、高周波電源（図示せず）
が接続されている。この高周波電源、前記絶縁層１０及
び前記コイル１１により高周波磁界印加部１２が形成さ
れている。さらに、前記第二の磁路５には、前記磁界変
調部６及び前記高周波磁束検知部９と磁気回路的に並列
にバイパス磁路１３が形成されている。

【００３４】ここで、前記第一の磁路２，前記第二の磁
路５及び前記磁界変調部６は、パーマロイにより形成さ
れたものである。さらに、前記第一の磁路２及び前記第
二の磁路５には、１軸磁気異方性が付与されている。そ
れらの磁化容易軸は、前記第一の磁路２及び前記第二の
磁路５のそれぞれに対して垂直である。また、前記第一
の磁路２の断面積は、磁気記録媒体に起因する検知磁束
の漏洩を防止するように適切に設定されている。さら
に、前記第二の磁路５は、異方性磁界が第一の磁路２よ
りも大きく設定され、かつ、その磁路長が可能な範囲で
短く設定され、磁界変調部６の近く以外の断面積が適宜
大きく設定されている。また、前記磁界変調部６は、前
記第一の磁路２に垂直な面での断面積が検知磁束の量に
応じて適切に設定され、前記第一の磁路２に沿う方向の
長さが検知磁束による起磁力に適合するように設定され
ている。さらに、前記高周波磁界印加部１２において印
加される高周波磁界の周波数は、検知磁束の周波数を上
回り、前記第二の磁路５の強磁性共鳴周波数未満の領域
内に設定されている。また、前記バイパス磁路１３の磁
気抵抗は、前記磁界変調部６や前記第二の磁路５の磁気
抵抗と比べて同程度か又はそれ以下に設定されている。
さらに、高周波磁界印加部１２と磁界変調部６との間の
距離は小さく設定され、かつ、高周波磁束検知部９と磁
界変調部６との間の距離も小さく設定されている。

【００３５】このような構成において、高周波電源から
コイル１１に高周波電流を流すことにより、高周波磁界
印加部１２で第二の磁路５に高周波磁界を印加して、第
二の磁路５及びバイパス磁路１３に高周波磁束を生じさ
せる。また、電極３から第一の磁路２に磁気記録媒体に
起因する検知磁束が導入される。この検知磁束で磁界変
調部６の高周波透磁率を変化させ、磁界変調部６におい
て高周波磁束を変化させる。この高周波磁束でコイル８
に誘起される高周波電圧を検波回路で検波することによ
り、高周波磁束検知部９で検知磁束に起因する高周波磁
束の変化を検知する。

【００３６】このように、検知磁束に起因する高周波磁
束の変化を高周波磁束検知部９で検知することにより、
高周波磁束検知部９に検知磁束がほとんど侵入せず、か
つ、バイパス磁路１３に磁界変調部６を通過しない高周
波磁束を生じさせることができ、さらに、磁界変調部６
を微小なものとすることができる。そのため、高周波磁
束検知部９における高周波磁束の変化が大きくなり、か
つ、バルクハウゼンノイズ等の外部磁場に起因するノイ
ズの影響が小さくなり、さらに、感度が向上して、微小
な領域の検知磁束が容易に検知される。

【００３７】なお、高周波磁界印加部１２で第二の磁路
５に印加される高周波磁界の周波数は、第二の磁路５の
強磁性共鳴周波数未満の範囲に存在するが、特に、第一
の磁路２の強磁性共鳴周波数を第二の磁路５の強磁性共
鳴周波数未満とし、かつ、高周波磁界印加部１２で第二
の磁路５に印加される高周波磁界の周波数を第一の磁路
２の強磁性共鳴周波数を上回る周波数とすれば、電極３
から漏洩する高周波磁界の強度は微弱なものとなる。こ
れにより、高周波磁界の強度を上げることができる。そ
のため、高周波磁束検知部９から出力される高周波電圧
の上昇の限界が高まる。

【００３８】ところで、前述の磁気ヘッドにおいて、バ
イパス磁路１３にギャップを設けることにより、バイパ
ス磁路１３の磁気モーメントの角度変化を小さくするこ
とができる。そのため、バルクハウゼンノイズが低減し
て、Ｓ／Ｎ比が向上する。ただし、このときのギャップ
は、バイパス磁路１３のリアクタンスを低く維持するた
め、ギャップ長がバイパス磁路１３の横幅の最大値より
も短く、断面積が十分に大きいものである。

【００３９】また、前述の磁気ヘッドにおいて、磁界変
調部６をパーマロイにより形成し、第二の磁路５をＦｅ
−Ｎにより形成して、第一の磁路２をセンダストにより
形成する。そのＦｅ−Ｎは、パーマロイの約３倍の飽和
磁束密度がある。従って、磁界変調部６の飽和磁束密度
は、第二の磁路５の飽和磁束密度よりも低い。これによ
り、同一の検知磁束に対する磁界変調部６の磁気モーメ
ントの角度変化を大きくすることができ、高周波磁束と
磁界変調部６の磁気モーメントとの間の角度が大きくな
るにつれて磁界変調部６の高周波透磁率の変化を大きく
することができる。そのため、感度が向上する。ただ
し、この高い周波数特性を維持するためには、第二の磁
路の飽和磁束密度を大きくする必要がある。そのための
第二の磁路の材質としては、飽和磁束密度の高いＦｅ−
Ｎ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎが特に適している。

【００４０】請求項４記載の発明の一実施例を図２に基
づいて説明する。前述の実施例において説明した部分と
同一部分については、同一符号を用いて表し、その説明
を省略する（以下、同様とする）。バイパス磁路１３に
は、磁気回路的に並列にバイアス磁界印加部１４が形成
されている。このバイアス磁界印加部１４は、永久磁石
である。その材質は、Ｃｏ−Ｎｉ／Ｃｒ薄膜である。こ
のバイアス磁界印加部１４でバイアス磁界を磁界変調部
６に印加することにより、磁界変調部６を単磁区構造と
することができ、かつ、この磁界変調部６の単磁区構造
を安定させることができる。そのため、バルクハウゼン
ノイズが低減して、Ｓ／Ｎ比が向上する。

【００４１】請求項５記載の発明の一実施例を図３に基
づいて説明する。第二の磁路５には、一部に絶縁層１５
が形成されている。この絶縁層１５の周りには、コイル
１６が形成されている。このコイル１６、前記絶縁層１
５及び第二の磁路５によりバイアス磁界印加部１７が形
成されている。このバイアス磁界印加部１７には、電源
（図示せず）が接続されている。このようなバイアス磁
界印加部１７により第二の磁路５に平行にバイアス磁界
を印加する。これにより、磁界変調部６に高周波磁束と
平行にバイアス磁界を印加することができる。さらに、
バイアス磁界を静磁界から高周波磁界までの幅広い周波
数領域において、磁界変調部６の初透磁率を大幅に低下
させることができる。そのため、感度が向上する。

【００４２】なお、磁界変調部６の飽和磁束密度が第二
の磁路５の飽和磁束密度より低い場合には、磁界変調部
６の近くの第二の磁路５がバイアス磁界により飽和する
ことがないため、良好な磁気特性が維持されて、バイア
ス磁界印加部１７により感度が向上するという効果がよ
り顕著に現れる。

【００４３】請求項６記載の発明の一実施例を図４に基
づいて説明する。基板１には、第一の磁路２２とバイパ
ス磁路１３との間にバイアス磁界印加部１８が形成され
ている。このバイアス磁界印加部１８は、永久磁石であ
る。このバイアス磁界印加部１８の磁気モーメントは、
磁界変調部６の高周波磁束に垂直であり、第一の磁路２
２の検知磁束と平行である。このようなバイアス磁界印
加部１８により磁界変調部の高周波磁束に垂直で、検知
磁束に平行なバイアス磁界が印加される。ただし、高周
波磁界印加部１２で印加される高周波磁界の周波数は、
強磁性共鳴周波数に近い値であり、磁界変調部の透磁率
の実部が極小となる周波数に近い値である。これによ
り、強磁性共鳴周波数を高くすることができる。そのた
め、検知可能な検知磁束の周波数の上限がより高くな
る。

【００４４】なお、前述の実施例において、基板１上の
各部材は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ（化学的
気相成長）法など、公知の薄膜形成方法により形成し、
フォトリソグラフィ等、公知の微細加工技術により加工
したものである。また、それぞれの磁路を構成する薄膜
磁性体の磁気特性の改質のための磁界中薄膜形成や、熱
処理、微量元素の添加、薄膜形成時のイオン照射、多層
膜化、イオン照射による周期的組成変調、微細化のため
の磁界中熱処理、又は、薄膜磁性体を絶縁体との多層膜
とする等、公知の手法を用いた。

【００４５】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、高周波磁界印加
部で高周波磁界を印加して、第二の磁路及びバイパス磁
路内に高周波磁束を生じさせるとともに、第一の磁路に
検知磁束が導入され、この検知磁束で磁界変調部の高周
波透磁率を変化させて高周波磁束を変化させ、この高周
波磁束の変化を高周波磁束検知部で検知することによ
り、高周波磁束検知部に検知磁束がほとんど侵入せず、
かつ、バイパス磁路に磁界変調部を通過しない高周波磁
束を生じさせることができ、さらに、磁界変調部を微小
なものとすることができるため、高周波磁束検知部にお
ける高周波磁束の変化を大きくすることができ、かつ、
バルクハウゼンノイズ等の外部磁場に起因するノイズの
影響を小さくすることができ、さらに、感度を向上させ
ることができて、微小な領域の検知磁束を容易に検知す
ることができる。

【００４６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明の効果に加えて、バイパス磁路にギャップを設けるこ
とにより、高周波磁束を生じさせた場合のバイパス磁路
の磁気モーメントの角度変化を小さくすることができる
ため、バイパス磁路におけるバルクハウゼンノイズを低
減することができて、Ｓ／Ｎ比を向上させることができ
る。

【００４７】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の発明の効果に加えて、磁界変調部の飽和磁束密度を
第二の磁路の飽和磁束密度よりも低くすることにより、
検知磁束の磁束密度が低くても、磁界変調部の磁気モー
メントの角度変化を大きくすることができ、高周波磁束
と磁界変調部の磁気モーメントとの間の角度が大きくな
るにつれて磁界変調部の高周波透磁率の変化を大きくす
ることができるため、感度を向上させることができる。

【００４８】請求項４記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の発明の効果に加えて、バイアス磁界印加部で第
二の磁路の高周波磁界にバイアス磁界を印加することに
より、磁界変調部を単磁区構造とすることができ、か
つ、磁界変調部の磁区構造を安定させることができるた
め、バルクハウゼンノイズを低減することができて、Ｓ
／Ｎ比を向上させることができる。

【００４９】請求項５記載の発明は、請求項４記載の発
明の効果に加えて、バイアス磁界印加部で磁界変調部の
高周波磁界と平行にバイアス磁界を印加することによ
り、磁界変調部の高周波透磁率を低くすることができる
ため、低周波領域の検知磁束に対する感度を向上させる
ことができる。

【００５０】請求項６記載の発明は、請求項４記載の発
明の効果に加えて、バイアス印加部材で磁界変調部の高
周波磁界に垂直にバイアス磁界を印加することにより、
強磁性共鳴周波数を高くすることができるため、検知可
能な検知磁束の周波数の上限を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１記載の一実施例の磁気ヘッドを示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａにおける端面図であ
る。

【図２】請求項４記載の一実施例の磁気ヘッドを示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂにおける端面図であ
る。

【図３】請求項５記載の一実施例の磁気ヘッドを示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃにおける端面図であ
る。

【図４】請求項６記載の一実施例の磁気ヘッドを示し、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＤ−Ｄにおける端面図であ
る。

【符号の説明】

２第一の磁路５第二の磁路６磁界変調部９高周波磁束検知部１２高周波磁界印加部１３バイパス磁路１４バイアス磁界印加部１７バイアス磁界印加部１８バイアス磁界印加部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】検知磁束が導入される第一の磁路と、こ
の第一の磁路と交差する第二の磁路と、前記第一の磁路
と前記第二の磁路とが交差する部分に設けられた磁界変
調部と、前記第二の磁路に高周波磁界を印加して高周波
磁束を生じさせる高周波磁界印加部と、前記検知磁束に
起因する前記第二の磁路内の前記高周波磁束の変化を検
知する高周波磁束検知部と、前記磁界変調部と並列に前
記第二の磁路に設けられたバイパス磁路とを備えたこと
を特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】バイパス磁路にギャップを設けたことを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】磁界変調部の飽和磁束密度が第二の磁路
の飽和磁束密度よりも低いことを特徴とする請求項１又
は２記載の磁気ヘッド。
【請求項４】磁界変調部にバイアス磁界を印加するバ
イアス磁界印加部を設けたことを特徴とする請求項１，
２又は３記載の磁気ヘッド。
【請求項５】バイアス磁界が磁界変調部の高周波磁界
に対して平行であることを特徴とする請求項４記載の磁
気ヘッド。
【請求項６】バイアス磁界が磁界変調部の高周波磁界
に対して垂直であることを特徴とする請求項４記載の磁
気ヘッド。