JPH08281184A - Processing device and processing method - Google Patents
Processing device and processing methodInfo
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- JPH08281184A JPH08281184A JP7111330A JP11133095A JPH08281184A JP H08281184 A JPH08281184 A JP H08281184A JP 7111330 A JP7111330 A JP 7111330A JP 11133095 A JP11133095 A JP 11133095A JP H08281184 A JPH08281184 A JP H08281184A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理基板の塗布・現像処理のスループット
の向上及び製品歩留まりの向上を図り、かつ、装置の小
型化を図る。
【構成】 角形状の基板Gの表面にレジスト液を塗布す
る塗布機構1と、レジスト液が塗布された基板Gの縁部
両面に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構
2とを隣接して配設し、塗布機構1への基板Gの搬入と
縁部除去機構2からの基板Gの搬出を行う第1の搬送機
構3と、塗布機構1から縁部除去機構2へ基板Gを搬送
する第2の搬送機構4を設ける。これにより、第1の搬
送機構3によって基板Gを塗布機構1に搬入した後、基
板Gの表面にレジスト液を塗布し、その後、第2の搬送
機構4によって基板Gを縁部除去機構2に搬送した後、
基板Gの対向する2辺の縁部両面の不要なレジスト膜を
除去することができ、第1の搬送機構3によって基板G
を縁部除去機構2から搬出することができる。
(57) [Summary] [Purpose] To improve the throughput of coating / development processing of a substrate to be processed, improve the product yield, and downsize the device. [Structure] A coating mechanism 1 for coating a resist solution on the surface of a rectangular substrate G, and an edge removing mechanism 2 for spraying a removing solution on both sides of the edge of the substrate G coated with the resist solution to remove a coating film. Are arranged adjacent to each other, and a first transport mechanism 3 that carries in the substrate G to the coating mechanism 1 and carries out the substrate G from the edge removal mechanism 2; and the coating mechanism 1 to the edge removal mechanism 2 A second transfer mechanism 4 that transfers the substrate G is provided. As a result, after the substrate G is carried into the coating mechanism 1 by the first transport mechanism 3, the resist liquid is coated on the surface of the substrate G, and then the substrate G is transferred to the edge removal mechanism 2 by the second transport mechanism 4. After transporting
Unnecessary resist films on both edges of the two opposite sides of the substrate G can be removed, and the substrate G can be removed by the first transfer mechanism 3.
Can be carried out from the edge removing mechanism 2.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、角形状の被処理基板
に塗布液を塗布する処理装置及び処理方法に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a processing method for applying a coating liquid onto a rectangular substrate to be processed.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては、LCD基板(ガラス基
板)上に例えばITO(Indium Tin Oxi
de)の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
される。2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal display (LC
D) In the manufacturing process of the device, for example, ITO (Indium Tin Oxi) is formed on the LCD substrate (glass substrate).
In order to form a thin film, electrode pattern, etc. of de), a circuit pattern etc. is reduced using a photolithography technique similar to that used in the semiconductor manufacturing process, transferred to a photoresist, and then developed. Processing is performed.
【0003】例えば、被処理基板である矩形状のLCD
基板を、洗浄装置にて洗浄した後、LCD基板にアドヒ
ージョン処理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置
にて冷却した後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト
膜すなわち感光膜を塗布形成する。その後、フォトレジ
ストを加熱処理装置にて加熱してベーキング処理を施し
た後、露光装置にて所定のパターンを露光する。そし
て、露光後のLCD基板を現像装置にて現像液を塗布し
て現像した後にリンス液により現像液を洗い流し、現像
処理を完了する。For example, a rectangular LCD which is a substrate to be processed
After the substrate is washed by the washing device, the LCD substrate is subjected to the hydrophobic treatment by the adhesion treatment device and cooled by the cooling treatment device, and then the photoresist coating film, that is, the photosensitive film is formed by the resist coating device. After that, the photoresist is heated by a heat treatment device to be subjected to a baking treatment, and then a predetermined pattern is exposed by an exposure device. Then, the exposed LCD substrate is coated with a developing solution by the developing device and developed, and then the developing solution is washed away with the rinse solution to complete the developing process.
【0004】上記のような処理を行う場合、例えば、レ
ジスト膜の形成方法として、角形のLCD基板(以下に
基板という)を、処理容器内に配設される保持手段例え
ばスピンチャック上に載置固定した状態で、処理容器の
開口部を蓋体で閉止して、処理容器とスピンチャックを
回転させ、例えば、この基板上面の中心部に溶剤と感光
性樹脂とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液
を基板の回転力と遠心力とにより基板中心部から周縁部
に向けて放射状に拡散させて塗布する回転カップ式の塗
布膜形成方法が知られている。When performing the above-mentioned processing, for example, as a method of forming a resist film, a rectangular LCD substrate (hereinafter referred to as a substrate) is placed on a holding means such as a spin chuck provided in a processing container. In the fixed state, the opening of the processing container is closed with a lid, the processing container and the spin chuck are rotated, and for example, a resist solution composed of a solvent and a photosensitive resin is dropped on the center of the upper surface of the substrate, A rotary cup type coating film forming method is known in which the resist solution is radially diffused from the central portion of the substrate toward the peripheral portion by the rotational force and centrifugal force of the substrate to apply the resist liquid.
【0005】この塗布処理の際、塗布直後における膜厚
は均一であっても、回転が停止して遠心力が働かなくな
った後や時間が経つに従い表面張力の影響で基板周縁部
でレジスト液が盛り上がるように厚くなる。また、レジ
スト液が基板の下面周縁部にまで回り込んで不要な膜が
形成される現象が発生する。このように基板の周縁部に
不均一な厚い膜が形成されていると、集積回路パターン
等の現像時に周縁部のレジスト膜が完全には除去されず
に残存することになり、その後の基板の搬送工程中にそ
の残存したレジストが剥がれ、パーティクル発生の原因
となる。In this coating process, even if the film thickness is uniform immediately after coating, after the rotation is stopped and the centrifugal force stops working, or after a lapse of time, due to the influence of the surface tension, the resist solution is removed at the peripheral portion of the substrate. It becomes thicker as it rises. Further, the phenomenon that the resist liquid flows around to the peripheral portion of the lower surface of the substrate to form an unnecessary film occurs. When a nonuniform thick film is formed on the peripheral portion of the substrate in this manner, the resist film on the peripheral portion is not completely removed during development of an integrated circuit pattern or the like, and remains after that. The remaining resist is peeled off during the carrying process, which causes the generation of particles.
【0006】そこで、従来では、基板の表面にレジスト
液等を塗布した後、基板の周縁部の不要な塗布膜を除去
する処理が行われている。この塗布膜除去工程によって
塗布膜形成工程の後の基板の周縁部に溶剤等の除去液を
噴射して基板の周縁部の不要な塗布膜を除去することが
できる。Therefore, conventionally, after applying a resist solution or the like on the surface of the substrate, a process of removing an unnecessary coating film on the peripheral portion of the substrate is performed. By this coating film removing step, a removing liquid such as a solvent can be sprayed onto the peripheral portion of the substrate after the coating film forming step to remove the unnecessary coating film on the peripheral portion of the substrate.
【0007】また、塗布・現像処理システムに専用の塗
布膜除去装置を組込むことによって、基板の塗布処理と
基板の周縁部の不要塗布膜除去を連続的に行うことがで
きる。Further, by incorporating a dedicated coating film removing device into the coating / developing processing system, the coating processing of the substrate and the unnecessary coating film removal on the peripheral portion of the substrate can be continuously performed.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、塗布・
現像処理システムに専用の塗布膜除去装置を組込むこと
によって設備が大型となるばかりか、塗布処理及び不要
塗布膜除去処理の他に、基板の塗布機構への搬入、塗布
機構から塗布膜除去機構への搬送及び塗布膜除去機構か
らの搬出するなどの工程を要するために、スループット
の低下を招くという問題があった。[Problems to be Solved by the Invention]
Not only does the equipment become larger by incorporating a dedicated coating film removal device into the development processing system, but also in addition to the coating processing and unnecessary coating film removal processing, the substrate is carried into the coating mechanism, and the coating mechanism to the coating film removal mechanism. Therefore, there is a problem in that the throughput is lowered because of the steps such as the transport of the film and the removal from the coating film removing mechanism.
【0009】また、従来の回転カップ式の塗布膜形成方
法においては、レジスト液が基板の中心位置から周縁部
に向けて拡散していく過程において、レジスト液中の溶
剤が蒸発するため、拡散する方向でレジスト液の粘度が
異なり、中心部と周辺部とでは形成されたレジスト膜の
厚さが異なる。また、基板は、中心位置よりも外周部で
周速がはるかに増加するので、飛散する量も多い。すな
わち、均一な塗布に限界があった。これを解決するため
に、例えば、レジスト液の温度調整あるいはレジスト
膜形成雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ
溶剤を充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する
方法や、レジスト液塗布前にレジスト液の溶剤を基板
表面にて滴下する方法が考えられる。In the conventional rotary cup type coating film forming method, the solvent in the resist solution evaporates during the process of diffusing the resist solution from the central position of the substrate toward the peripheral portion, so that it diffuses. The viscosity of the resist solution differs depending on the direction, and the thickness of the formed resist film differs between the central part and the peripheral part. Further, since the peripheral speed of the substrate is much higher at the outer peripheral portion than at the center position, the amount of scattering is large. That is, there was a limit to uniform coating. In order to solve this, for example, a method of suppressing the evaporation of the solvent in the resist solution by filling the same solvent used in the resist solution in the resist solution temperature adjustment or the resist film forming atmosphere and suppressing the evaporation of the solvent in the resist solution, A method of dropping the solvent of the resist solution on the surface of the substrate before applying the solution is conceivable.
【0010】しかし、前者すなわちレジスト液の温度
調整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使
用されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の
溶剤の蒸発を抑制する方法では、レジスト液の使用量が
多くなり、例えば、レジスト液の塗布量の、数%しか実
際のレジスト膜の形成に寄与していない。しかも、レジ
スト液の量が多いため、基板角部裏面への廻り込みが生
じ、基板角部裏面に付着したレジスト液が乾燥し、パー
ティクルの発生原因となるという問題もあった。However, in the former method, in which the temperature of the resist solution is adjusted or the same solvent as that used for the resist solution is filled in the atmosphere for forming the resist film to suppress the evaporation of the solvent in the resist solution, The amount used increases, and for example, only a few% of the amount of the resist solution applied contributes to the actual formation of the resist film. Moreover, since the amount of the resist solution is large, the resist solution spills over to the back surface of the corner portion of the substrate, and the resist solution adhering to the back surface of the substrate corner portion is dried, which causes the generation of particles.
【0011】また、後者すなわちレジスト液塗布前に
レジスト液の溶剤を基板表面にて滴下する方法でも、基
板上の溶剤そのものの均一性や、乾燥状態の違いによ
り、均一な塗布が困難で上記問題を充分に解決すること
はできない。また、この方法においても、特に基板が矩
形状の角形の場合には、基板全面にレジスト膜を形成す
るには余分にレジスト液を使用しなければならないとい
う不都合があり、上記の方法と同様に基板角部裏面へ
の塗布液の廻り込みが生じ、その後乾燥してパーティク
ルが発生し、歩留まりの低下を招くという問題があっ
た。Also, in the latter case, that is, in the method of dropping the solvent of the resist solution on the surface of the substrate before the application of the resist solution, it is difficult to apply the solution uniformly due to the uniformity of the solvent itself on the substrate and the difference in the dry state, and the above problems occur. Can not be fully resolved. In addition, this method also has a disadvantage that an extra resist solution must be used to form a resist film on the entire surface of the substrate, especially when the substrate is a rectangular prism, and similar to the above method. There is a problem in that the coating liquid spills over to the back surface of the corner portion of the substrate and then is dried to generate particles, resulting in a decrease in yield.
【0012】また、基板が矩形状等の方形状をなしてい
るため、レジスト液等の塗布液を塗布した後に基板を高
速回転して塗布液を振り切る際に、遠心力によって基板
の周辺から外方へ飛散する塗布液が回転する基板の角部
裏面に再付着することがあり、この付着した塗布液が乾
燥して、パーティクルの発生原因となるという問題もあ
った。Further, since the substrate has a rectangular shape such as a rectangular shape, when the substrate is rotated at a high speed and the coating liquid is shaken off after applying the coating liquid such as the resist liquid, the substrate is removed from the periphery of the substrate by centrifugal force. There is also a problem that the coating liquid that is scattered toward one side may redeposit on the back surface of the corner portion of the rotating substrate, and the coating liquid that has adhered may dry and cause particles to be generated.
【0013】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理基板の塗布・現像処理のスループットの向上
及び基板周縁部の不要塗布膜の除去による製品歩留まり
の向上を図り、かつ、装置の小型化を図れるようにした
処理装置及び処理方法を提供することを目的とするもの
である。The present invention has been made in view of the above circumstances, and is intended to improve the throughput of coating / development processing on a substrate to be processed and to improve the product yield by removing an unnecessary coating film on the peripheral portion of the substrate, and to improve the apparatus. An object of the present invention is to provide a processing device and a processing method that can be downsized.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理装置は、角形の被処理基板の
一面を上に向けて保持する水平回転及び垂直移動可能な
保持手段と、この保持手段を包囲するカップ状をなし保
持手段と共に回転する処理容器及びこの処理容器の開口
部を閉止する蓋体とを有する塗布機構と、 上記被処理
基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、 上記塗布
液の塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部に除去液
を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と、 上記塗
布機構への被処理基板の搬入と上記縁部除去機構からの
被処理基板の搬出を行う第1の搬送機構と、 上記塗布
機構から縁部除去機構へ被処理基板を搬送する第2の搬
送機構と、を具備することを特徴とするものである(請
求項1)。In order to achieve the above object, a first processing apparatus of the present invention is a holding means capable of horizontally rotating and vertically moving, holding one surface of a square substrate to be processed facing upward. And a coating mechanism having a cup-shaped processing container that surrounds the holding means and rotates together with the holding means, and a lid that closes the opening of the processing container, and a coating liquid that supplies the coating liquid to the substrate to be processed. A supply unit, an edge removing mechanism that removes the coating film by spraying a removing liquid onto the edge of the substrate to be processed on which the coating film of the coating liquid is formed, and the loading of the substrate to be processed into the coating mechanism. A first transport mechanism for unloading the substrate to be processed from the edge removing mechanism; and a second transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism. (Claim 1).
【0015】この発明の第2の処理装置は、角形の被処
理基板の一面を上に向けて保持する水平回転及び垂直移
動可能な保持手段と、この保持手段を包囲するカップ状
をなし保持手段と共に回転する処理容器及びこの処理容
器の開口部を閉止する蓋体とを有する塗布機構と、 上
記被処理基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段
と、 上記被処理基板に塗布液を供給する塗布液供給手
段と、 上記塗布液の塗布膜が形成された上記被処理基
板の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去
機構と、 上記塗布機構への被処理基板の搬入と上記縁
部除去機構からの被処理基板の搬出を行う第1の搬送機
構と、 上記塗布機構から縁部除去機構へ被処理基板を
搬送する第2の搬送機構と、を具備することを特徴とす
るものである(請求項2)。A second processing apparatus of the present invention is a holding means capable of horizontally rotating and vertically moving, holding one surface of a square substrate to be processed upward, and a cup-shaped holding means surrounding this holding means. A coating mechanism having a processing container that rotates together with the processing container and a lid that closes the opening of the processing container, a solvent supply unit that supplies a solvent for the coating liquid to the substrate to be processed, and a coating liquid to the substrate to be processed. A coating liquid supply unit for removing the coating film by spraying a removing liquid onto the edge of the substrate on which the coating film of the coating liquid is formed, and the substrate to be coated on the coating mechanism. And a second transport mechanism for transporting the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removal mechanism. (Claim 2)
【0016】この発明の処理装置において、上記縁部除
去機構を、被処理基板を水平回転可能に保持する載置手
段と、被処理基板の辺に沿って移動すると共に、被処理
基板の縁部に除去液を噴射するノズルとで構成する方が
好ましい(請求項3)。また、上記縁部除去機構を、被
処理基板を水平回転可能に保持する載置手段と、被処理
基板の辺に沿って移動すると共に、被処理基板の縁部に
除去液を噴射するノズルと、被処理基板の角部裏面に除
去液を噴射する補助洗浄ノズルとで構成することも可能
である(請求項4)。In the processing apparatus of the present invention, the edge removing mechanism is moved along a side of the substrate to be placed, which holds the substrate to be horizontally rotated, and the edge portion of the substrate to be processed. It is preferable that the nozzle is configured with a nozzle for ejecting the removing liquid. Further, a mounting means for holding the substrate to be processed horizontally rotatably, the nozzle for moving the edge removing mechanism along a side of the substrate to be processed and spraying a removing liquid to an edge of the substrate to be processed. It is also possible to configure with an auxiliary cleaning nozzle that sprays a removing liquid on the back surface of the corner of the substrate to be processed (claim 4).
【0017】また、上記第1の搬送機構又は第2の搬送
機構のうちの少なくとも第2の搬送機構を被処理基板の
辺部を真空吸着により保持するアームにて形成し、この
アームの基板保持面に、真空吸引手段に接続する吸引孔
を設けると共に、この吸引孔に連通しアームに対して垂
直方向に変位可能なパッド部材を設ける方が好ましい
(請求項5)。Further, at least a second transfer mechanism of the first transfer mechanism or the second transfer mechanism is formed by an arm that holds a side portion of the substrate to be processed by vacuum suction, and the arm holds the substrate. It is preferable to provide a suction hole connected to the vacuum suction means on the surface, and to provide a pad member which is connected to the suction hole and is displaceable in the vertical direction with respect to the arm (claim 5).
【0018】一方、この発明の第1の処理方法は、処理
容器内の保持手段上に保持させるべく被処理基板を搬入
する工程と、 上記被処理基板に塗布液を供給し、回転
させて被処理基板の一面に拡散させる工程と、 上記処
理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容器内に封
入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び被
処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整える工程と、
塗布膜が形成された上記被処理基板を縁部除去機構へ
搬送する工程と、 上記被処理基板の縁部に除去液を噴
射して縁部の塗布膜を除去する工程と、 上記縁部除去
機構から被処理基板を搬出する工程と、を有することを
特徴とするものである(請求項6)。On the other hand, the first processing method of the present invention comprises the step of loading the substrate to be processed so as to hold it on the holding means in the processing container, and supplying the coating liquid to the substrate to be processed and rotating it for rotation. A step of diffusing the processed substrate on one surface, a step of closing the lid of the processing container to seal the substrate to be treated in the processing container, and a step of rotating the processing container and the substrate to be treated with the lid closed. And adjusting the thickness of the coating film,
A step of transporting the substrate to be processed on which the coating film is formed to an edge removing mechanism, a step of spraying a removing liquid to the edge of the substrate to remove the coating film on the edge part, and the edge removal And a step of unloading the substrate to be processed from the mechanism (claim 6).
【0019】また、この発明の第2の処理方法は、処理
容器内の保持手段上に保持させるべく被処理基板を搬入
する工程と、 上記被処理基板の一面上に塗布液の溶剤
を供給する工程と、 上記被処理基板に塗布液を供給
し、回転させて被処理基板の一面に拡散させる工程と、
上記処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容
器内に封入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容
器及び被処理基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整える
工程と、 塗布膜が形成された上記被処理基板を縁部除
去機構へ搬送する工程と、 上記被処理基板の縁部に除
去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する工程と、 上記
縁部除去機構から被処理基板を搬出する工程と、を有す
ることを特徴とするものである(請求項7)。The second processing method of the present invention comprises the step of loading the substrate to be processed so that it is held on the holding means in the processing container, and the solvent of the coating liquid is supplied onto one surface of the substrate to be processed. A step of supplying a coating liquid to the substrate to be processed, rotating the substrate to diffuse it on one surface of the substrate to be processed,
A step of closing the lid of the processing container and sealing the substrate to be treated in the treatment container, and a step of rotating the treatment container and the substrate of which the lid is closed to adjust the film thickness of the coating film. And a step of transporting the substrate to be processed on which the coating film is formed to an edge removing mechanism, a step of spraying a removing liquid onto the edge of the substrate to be processed to remove the coating film on the edge, And a step of unloading the substrate to be processed from the part removing mechanism (claim 7).
【0020】この発明の処理方法において、上記塗布膜
を除去する工程は、塗布膜が形成された被処理基板の縁
部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する方法であ
れば、その除去方法は任意でよいが、好ましくは塗布膜
を除去する工程は、塗布膜が形成された被処理基板の第
1の辺の縁部に除去液を噴射して塗布膜を除去する第1
の除去工程と、被処理基板の第2の辺の縁部に除去液を
噴射して縁部の塗布膜を除去する第2の除去工程とを有
する方法である方がよい(請求項8)。In the processing method of the present invention, the step of removing the coating film is a method of spraying a removing liquid onto the edge portion of the substrate on which the coating film is formed to remove the coating film on the edge portion. The removing method may be arbitrary, but preferably, the step of removing the coating film is performed by spraying a removing liquid to the edge portion of the first side of the substrate on which the coating film is formed to remove the coating film. 1
And a second removing step of spraying a removing liquid on the edge of the second side of the substrate to be processed to remove the coating film on the edge (claim 8). .
【0021】また、塗布膜を除去する工程は、塗布膜が
形成された被処理基板の第1の辺の縁部に除去液を噴射
して塗布膜を除去する第1の除去工程と、被処理基板の
第2の辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去
する第2の除去工程と、被処理基板の角部裏面に除去液
を噴射して角部裏面に付着する塗布膜を除去する補助除
去工程とを有することも可能である(請求項9)。Further, the step of removing the coating film includes a first removing step of spraying a removing liquid to the edge portion of the first side of the substrate having the coating film formed thereon to remove the coating film. A second removing step of spraying a removing liquid onto the edge of the second side of the substrate to remove the coating film on the edge, and a removing liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed to the back surface of the corner. It is also possible to have an auxiliary removal step of removing the coating film that adheres (claim 9).
【0022】[0022]
【作用】請求項1及び6記載の発明によれば、塗布機構
に搬入された被処理基板の一面上に処理液を供給し、回
転させて、被処理基板の一面に拡散させ、そして、処理
容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容器内に封入
した後、蓋体が閉止された処理容器及び被処理基板を回
転させて、塗布膜の膜厚を整える。次いで、縁部除去機
構に搬送された被処理基板の第1,第2の2辺の縁部に
同時に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去した後、縁
部除去機構から被処理基板を搬出することができる。According to the first and sixth aspects of the present invention, the processing liquid is supplied onto one surface of the substrate to be processed carried into the coating mechanism, rotated, and diffused to the one surface of the substrate to be processed. After closing the lid of the container and sealing the substrate to be processed in the processing container, the processing container and the substrate of which the lid is closed are rotated to adjust the film thickness of the coating film. Then, the removal liquid is simultaneously sprayed onto the edges of the first and second sides of the substrate to be processed that have been conveyed to the edge removal mechanism to remove the coating film on the edge, and then the edge removal mechanism performs processing. The substrate can be unloaded.
【0023】請求項2及び7記載の発明によれば、塗布
機構に搬入された被処理基板の一面上に処理液の溶剤を
塗布して拡散させた後、被処理基板上に処理液を供給
し、回転させて、被処理基板の一面に拡散させ、そし
て、処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容器
内に封入した後、蓋体が閉止された処理容器及び被処理
基板を回転させて、塗布膜の膜厚を整える。これによ
り、塗布液の少量化を図ることができる。次いで、縁部
除去機構に搬送された被処理基板の第1,第2の2辺の
縁部に同時に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去した
後、縁部除去機構から被処理基板を搬出することができ
る。According to the second and seventh aspects of the present invention, the solvent of the processing liquid is applied onto one surface of the substrate to be processed carried into the coating mechanism to diffuse the solvent, and then the processing liquid is supplied onto the substrate to be processed. Then, the substrate is rotated to be diffused on one surface of the substrate to be processed, and the lid is closed on the processing container, and the substrate to be processed is sealed in the processing container. The substrate is rotated to adjust the thickness of the coating film. This makes it possible to reduce the amount of the coating liquid. Then, the removal liquid is simultaneously sprayed onto the edges of the first and second sides of the substrate to be processed that have been conveyed to the edge removal mechanism to remove the coating film on the edge, and then the edge removal mechanism performs processing. The substrate can be unloaded.
【0024】また、請求項3及び8記載の発明によれ
ば、載置手段によって保持された被処理基板の一辺の縁
部の塗布膜を除去した後、載置手段を回転させて被処理
基板の他の辺の縁部の塗布膜を除去することができる。According to the third and eighth aspects of the invention, after removing the coating film on the edge of one side of the substrate to be processed held by the mounting means, the mounting means is rotated to rotate the substrate to be processed. The coating film on the edge of the other side can be removed.
【0025】また、請求項4及び9記載の発明によれ
ば、縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去液を
噴射する補助洗浄ノズルを設けることにより、被処理基
板の角部裏面に付着した塗布膜を除去することができ
る。According to the invention of claims 4 and 9, the edge removing mechanism is provided with an auxiliary cleaning nozzle for ejecting a removing liquid to the back surface of the corner of the substrate to be processed, whereby the corner of the substrate to be processed is provided. The coating film attached to the back surface can be removed.
【0026】また、請求項5記載の発明によれば、第1
の搬送機構又は第2の搬送機構のうちの少なくとも第2
の搬送機構を被処理基板の辺部を真空吸着により保持す
るアームにて形成し、このアームの基板保持面に、真空
吸引手段に接続する吸引孔を設けると共に、この吸引孔
に連通しアームに対して垂直方向に変位可能なパッド部
材を設けることにより、被処理基板の搬送を確実に行う
ことができると共に、搬送時における被処理基板の接触
部のパーティクルの発生や損傷等を抑制することができ
る。According to the invention of claim 5, the first
Of at least the second transport mechanism or the second transport mechanism
The transfer mechanism is formed by an arm that holds the side portion of the substrate to be processed by vacuum suction, and the substrate holding surface of this arm is provided with a suction hole connected to the vacuum suction means. By providing a vertically displaceable pad member, it is possible to reliably transfer the substrate to be processed, and to suppress generation or damage of particles in the contact portion of the substrate to be processed during transfer. it can.
【0027】[0027]
【実施例】以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細
に説明する。ここでは、この発明の処理装置を、LCD
基板のレジスト塗布装置に適用した場合について説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. Here, the processing device of the present invention is used as an LCD.
A case where the present invention is applied to a substrate resist coating apparatus will be described.
【0028】この発明に係る処理装置は、図1に示すよ
うに、角形状の被処理基板例えば矩形状のLCD基板G
(以下に基板という)の表面に塗布液供給ノズル42か
ら塗布液例えばレジスト液を供給してレジスト液を塗布
する塗布機構1と、基板Gの周縁部に塗布形成された不
要な塗布膜を除去する縁部除去機構2とを隣接して例え
ば一体的に同一雰囲気内に配設してなり、塗布機構1へ
の基板Gの搬入及び縁部除去機構2からの基板Gの搬出
を行う第1の搬送機構3と、塗布機構1によって塗布さ
れた基板Gを縁部除去機構2に搬送する第2の搬送機構
4とを具備してなる。The processing apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 1, has a rectangular substrate to be processed, for example, a rectangular LCD substrate G.
A coating mechanism 1 that coats the resist liquid by supplying a coating liquid, for example, a resist liquid from a coating liquid supply nozzle 42 to the surface of the substrate (hereinafter referred to as a substrate), and removes an unnecessary coating film formed on the peripheral portion of the substrate G. The first part configured to adjoin the edge removing mechanism 2 adjacent to, for example, integrally in the same atmosphere, and carry in the substrate G to the coating mechanism 1 and carry out the substrate G from the edge removing mechanism 2. And the second transport mechanism 4 for transporting the substrate G coated by the coating mechanism 1 to the edge removing mechanism 2.
【0029】上記塗布機構1は、図2に示すように、基
板Gを水平状態に真空によって吸着保持する保持手段例
えばスピンチャック10と、このスピンチャック10の
上部及び外周部を包囲する処理室11を有する上方部が
開口したカップ状の処理容器12(以下に回転カップと
いう)と、回転カップ12の開口部12aに閉止可能に
被着(着脱)される蓋体16と、この蓋体16の下方に
水平状に垂設され基板Gの外周縁より外方へ突出する平
板状の整流板13と、処理容器12の外周側を包囲する
上方が開口したカップ状の固定容器14(以下にドレン
カップという)と、このドレンカップ14の開口部に閉
止可能に被着(着脱)される固定蓋体15と、蓋体16
と固定蓋体15を閉止位置と待機位置に移動するロボッ
トアーム20と、スピンチャック10と回転カップ12
を回転する駆動モータ21と、上記スピンチャック10
の上方位置に移動可能に構成される溶剤例えば塗布液の
溶剤(溶媒)Aの供給ノズル40(溶剤供給手段)と塗
布液例えばレジスト液Bの供給ノズル42(塗布液供給
手段)とを近接させて一体に取り付けた噴頭39と、こ
の噴頭39を把持して噴頭待機位置と基板上方位置間で
移動させる移動手段であるノズル移動機構37とを有す
る。As shown in FIG. 2, the coating mechanism 1 has a holding means, for example, a spin chuck 10 for holding the substrate G in a horizontal state by a vacuum, and a processing chamber 11 surrounding the upper and outer peripheral portions of the spin chuck 10. A cup-shaped processing container 12 (hereinafter referred to as a rotating cup) having an open upper portion, a lid 16 that is removably attached to (removable from) the opening 12a of the rotating cup 12, and a lid 16 of the lid 16. A flat plate-shaped straightening plate 13 vertically extending downward and projecting outward from the outer peripheral edge of the substrate G, and a cup-shaped fixed container 14 that surrounds the outer peripheral side of the processing container 12 (hereinafter referred to as a drain) A cup), a fixed lid 15 that is removably attached (attached) to the opening of the drain cup 14, and a lid 16
And a robot arm 20 for moving the fixed lid 15 to a closed position and a standby position, a spin chuck 10 and a rotating cup 12.
Drive motor 21 for rotating the spin chuck 10 and the spin chuck 10 described above.
A supply nozzle 40 (solvent supply means) for a solvent (solvent) A of a coating solution and a supply nozzle 42 (coating solution supply means) for a coating solution, for example, a resist solution B are arranged close to each other. And a nozzle moving mechanism 37 which is a moving means for holding the jet head 39 and moving it between the jet head standby position and the substrate upper position.
【0030】この場合、ノズル40,42からの溶剤供
給路及びレジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる
溶剤A及びレジスト液Bを予め設定された温度(例えば
23℃)に設定するための温度調整液Cを循環供給する
温度調整機構45が設けられている。また、上記スピン
チャック10の下方近傍位置にはスピンチャック10と
の間にベアリング34aを介してスピンチャック10と
共に昇降可能な取付部材34が取り付けられており、こ
の取付部材34に、回転カップ12の洗浄ノズル35
(容器洗浄手段)と、不活性ガス例えば窒素(N2)ガ
スの供給ノズル36(不活性ガス供給手段)が取り付け
られている。In this case, the solvent A and the resist solution B flowing in the solvent supply path and the resist solution supply path from the nozzles 40 and 42 are set to preset temperatures (for example, 23 ° C.). A temperature adjusting mechanism 45 that circulates and supplies the temperature adjusting liquid C is provided. Further, a mounting member 34 capable of moving up and down together with the spin chuck 10 is mounted at a position near the spin chuck 10 below the spin chuck 10 via a bearing 34a between the spin chuck 10 and the spin chuck 10. Cleaning nozzle 35
(Container cleaning means) and a supply nozzle 36 (inert gas supply means) for supplying an inert gas such as nitrogen (N 2 ) gas are attached.
【0031】上記スピンチャック10は例えばポリエー
テル・エーテル・ケトン(PEEK)製の耐熱性合成樹
脂性部材にて形成され、予め設定されたプログラムに基
いて駆動し、回転速度を可変できる駆動モータ21の駆
動によって回転される回転軸22を介して水平方向に回
転(自転)可能になっており、また回転軸22に連結さ
れる昇降シリンダ23の駆動によって上下(垂直)方向
に移動し得るようになっている。この場合、回転軸22
は、固定カラー24の内周面にベアリング25aを介し
て回転可能に装着される回転内筒26aの内周面に嵌着
されるスプライン軸受27に摺動可能に連結されてい
る。スプライン軸受27には従動プーリ28aが装着さ
れており、従動プーリ28aには駆動モータ21の駆動
軸21aに装着された駆動プーリ21bとの間にベルト
29aが掛け渡されている。したがって、駆動モータ2
1の駆動によってベルト29aを介して回転軸22が回
転してスピンチャック10が回転される。また、回転軸
22の下部側は図示しない筒体内に配設されており、筒
体内において回転軸22はバキュームシール部30を介
して昇降シリンダ23に連結され、昇降シリンダ23の
駆動によって回転軸22が上下方向に移動し得るように
構成されている。The spin chuck 10 is formed of a heat-resistant synthetic resin member made of, for example, polyether ether ketone (PEEK), and is driven based on a preset program, and a drive motor 21 capable of varying the rotation speed. It can be rotated (rotated) in the horizontal direction via a rotating shaft 22 that is rotated by the drive of the drive shaft, and can be moved in the vertical (vertical) direction by driving an elevating cylinder 23 connected to the rotating shaft 22. Has become. In this case, the rotary shaft 22
Is slidably connected to a spline bearing 27 fitted to the inner peripheral surface of a rotating inner cylinder 26a rotatably mounted on the inner peripheral surface of the fixed collar 24 via a bearing 25a. A driven pulley 28a is mounted on the spline bearing 27, and a belt 29a is stretched between the driven pulley 28a and the drive pulley 21b mounted on the drive shaft 21a of the drive motor 21. Therefore, the drive motor 2
The drive of No. 1 causes the rotation shaft 22 to rotate via the belt 29a, so that the spin chuck 10 is rotated. The lower side of the rotary shaft 22 is arranged in a cylinder body (not shown), and the rotary shaft 22 is connected to the lifting cylinder 23 via the vacuum seal portion 30 in the cylinder body. Is configured to be movable in the vertical direction.
【0032】上記回転カップ12は例えばステンレス鋼
製部材にて形成され、上記固定カラー24の外周面にベ
アリング25bを介して装着される回転外筒26bの上
端部に固定される連結筒31を介して取付けられてお
り、回転カップ12の底部12bとスピンチャック10
の下面との間にはシール用のOリング32が介在されて
スピンチャック10が下降してOリング32と当接した
状態で気密が保持されるようになっている。また、回転
外筒26bに装着される従動プーリ28bと上記駆動モ
ータ21に装着される駆動プーリ21bに掛け渡される
ベルト29bによって駆動モータ21からの駆動が回転
カップ12に伝達されて回転カップ12が回転されるよ
うに構成されている。この場合、従動プーリ28bの直
径は上記回転軸22に装着された従動プーリ28aの直
径と同一に形成され、同一の駆動モータ21にベルト2
9a,29bが掛け渡されているので、回転カップ12
とスピンチャック10は同一回転する。なお、固定カラ
ー24と回転内筒26a及び回転外筒26bとの対向面
にはラビリンスシール部33が形成されて回転処理時に
下部の駆動系から回転カップ12内にごみが進入するの
を防止している(図3参照)。The rotary cup 12 is formed of, for example, a stainless steel member, and has a connecting cylinder 31 fixed to the upper end of a rotating outer cylinder 26b mounted on the outer peripheral surface of the fixed collar 24 via a bearing 25b. Attached to the bottom 12b of the rotary cup 12 and the spin chuck 10.
An O-ring 32 for sealing is interposed between the lower surface of the spin chuck 10 and the lower surface of the spin chuck 10, and the airtightness is maintained in a state where the spin chuck 10 descends and contacts the O-ring 32. Further, the drive from the drive motor 21 is transmitted to the rotary cup 12 by the driven pulley 28b attached to the rotary outer cylinder 26b and the belt 29b which is stretched around the drive pulley 21b attached to the drive motor 21, so that the rotary cup 12 is rotated. It is configured to be rotated. In this case, the diameter of the driven pulley 28b is formed to be the same as the diameter of the driven pulley 28a mounted on the rotating shaft 22, and the same drive motor 21 and belt 2 are used.
Since 9a and 29b are hung, the rotating cup 12
And the spin chuck 10 rotates the same. A labyrinth seal portion 33 is formed on the facing surface of the fixed collar 24 and the rotating inner cylinder 26a and the rotating outer cylinder 26b to prevent dust from entering the rotary cup 12 from the lower drive system during rotation processing. (See FIG. 3).
【0033】また、回転カップ12は、側壁12cの内
面が上側に向って縮径されたテーパ面12eを形成して
なり、下部周辺部すなわち側壁12cの下部側の周方向
の適宜位置には複数の排気孔12dが穿設されている。Further, the rotary cup 12 is formed by forming a tapered surface 12e in which the inner surface of the side wall 12c is reduced in diameter toward the upper side, and a plurality of peripheral portions are formed at appropriate positions in the circumferential direction on the lower peripheral portion, that is, on the lower side of the side wall 12c. The exhaust hole 12d is formed.
【0034】回転カップ12の開口12aを閉止する蓋
体16の周辺下面には、回転カップ12との金属同士の
接触を避けるために例えばデルリン(商品名)製の当接
リング16aが固着されており、また、蓋体16の中央
部にはベアリング16bを介して上記ロボットアーム2
0にて支持される支持円柱19が取り付けられ、支持円
柱16の中央に空気導入口16cが設けられている。A contact ring 16a made of Delrin (trade name), for example, is fixed to the lower surface of the periphery of the lid body 16 that closes the opening 12a of the rotary cup 12 in order to avoid metal contact with the rotary cup 12. In addition, the robot arm 2 is provided at the center of the lid body 16 via a bearing 16b.
A support cylinder 19 supported at 0 is attached, and an air inlet 16c is provided at the center of the support cylinder 16.
【0035】このように蓋体16に空気導入口16cを
設け、回転カップ12に排気孔12dを設けて排気する
ことにより、回転カップ12の回転時に処理室11内が
負圧となって空気導入口16cから回転カップ12内に
空気が流れ、この空気が整流板13によって回転カップ
12の内側壁に沿って排気孔12dから排出されるの
で、飛散したレジスト液のミストがこの空気の流れによ
って排出されるため基板Gに再付着するのを防止するこ
とができ、かつ、回転カップ12の回転時に処理室11
内が過剰な負圧になるのを防止することができる。As described above, the air introduction port 16c is provided in the lid body 16 and the exhaust hole 12d is provided in the rotary cup 12, so that the inside of the processing chamber 11 becomes a negative pressure when the rotary cup 12 rotates to introduce the air. Air flows from the opening 16c into the rotary cup 12, and the air is discharged from the exhaust hole 12d along the inner wall of the rotary cup 12 by the flow straightening plate 13. Therefore, the mist of the resist liquid that has scattered is discharged by this air flow. Therefore, reattachment to the substrate G can be prevented, and the processing chamber 11 can be rotated when the rotary cup 12 rotates.
It is possible to prevent an excessive negative pressure in the inside.
【0036】一方、上記ドレンカップ14の底部の外周
側には複数の排液口14aが同心円上に設けられ、この
排液口14aの内周側の適宜箇所(例えば周方向の4箇
所)には図示しない排気装置に接続する排気口14bが
設けられている。この場合、排液口14aは基板G及び
回転カップ12の回転方向(例えば時計方向)の接線方
向に開口されている。例えば、底部12bに対して排液
口14a内部の空間部の中心軸線が直角より小さい角度
で傾斜しているように形成されている。このように排液
口14aを基板G及び回転カップ12の回転方向の接線
方向に設けた理由は、基板G及び回転カップ12の回転
に伴って飛散されるレジスト液のミストを速やかに外部
に排出するようにしたためである。On the other hand, a plurality of drainage ports 14a are concentrically provided on the outer peripheral side of the bottom of the drain cup 14, and the drainage ports 14a are provided at appropriate positions (for example, four positions in the circumferential direction) on the inner peripheral side. Is provided with an exhaust port 14b connected to an exhaust device (not shown). In this case, the drainage port 14a is opened in the tangential direction of the rotation direction (eg, clockwise direction) of the substrate G and the rotary cup 12. For example, the central axis of the space inside the drainage port 14a is formed to be inclined at an angle smaller than a right angle with respect to the bottom 12b. The reason why the drainage port 14a is provided in the tangential direction of the rotation direction of the substrate G and the rotary cup 12 is that the mist of the resist solution scattered with the rotation of the substrate G and the rotary cup 12 is quickly discharged to the outside. This is because I decided to do so.
【0037】また、固定蓋体15は支持円柱19に支持
されるステンレス鋼製部材にて形成されており、この固
定蓋体15の外周下面には、ドレンカップ14との金属
同士の接触を避けるためにデルリン(商品名)製のリン
グ状の当接部材15aが固着されている。また、固定蓋
体15の中心側の同心円上には複数の空気供給孔15b
が設けられている。Further, the fixed lid 15 is formed of a stainless steel member supported by the supporting column 19, and the lower surface of the outer periphery of the fixed lid 15 avoids the metal contact with the drain cup 14. Therefore, a ring-shaped contact member 15a made of Delrin (trade name) is fixed. Also, a plurality of air supply holes 15b are provided on the concentric circle on the center side of the fixed lid body 15.
Is provided.
【0038】このように、固定蓋体15の中心側の同心
円上に複数の空気供給孔15aを設け、ドレンカップ1
4の底部に排気口14bを設けることにより、回転カッ
プ12の回転時に空気供給孔15aからドレンカップ1
4内に流れた空気が回転カップ12の外側壁に沿って流
れるので、回転処理時に処理室11内で遠心力により飛
散し排気孔12dを通ってドレンカップ14内に流れ込
んだミストが回転カップ12の上部側へ舞い上がるのを
防止して、排気口14bから外部に排出することができ
る。In this way, a plurality of air supply holes 15a are provided on the concentric circle on the center side of the fixed lid body 15, and the drain cup 1
By providing the exhaust port 14b at the bottom of the drain cup 4, the drain cup 1 is supplied from the air supply hole 15a when the rotary cup 12 rotates.
Since the air flowing into the inside of the rotating cup 4 flows along the outer wall of the rotating cup 12, the mist scattered by the centrifugal force in the processing chamber 11 during the rotating process and flowing into the drain cup 14 through the exhaust hole 12d is rotated. Can be discharged to the outside through the exhaust port 14b by preventing it from rising to the upper side.
【0039】上記蓋体16は回転処理時には回転カップ
12の開口部12aに固定されて一体に回転される必要
がある。そこで、図4に示すように当接リング16aの
下面に嵌合凹所17bを設け、この嵌合凹所17bを回
転カップ12の上部に突出する固定ピン17aに嵌合さ
せて蓋体16を回転カップ12に固定している。この場
合、固定ピン17aの頂部を球面状に形成することによ
り、嵌合凹所17bとの接触によって発生するごみを少
なくしている。なお、固定ピン17aは必ずしも回転カ
ップ側に突出する必要はなく、蓋体側に固定ピン17a
を突出させ、回転カップ側に嵌合凹所17bを設けても
よい。また、嵌合凹所17b内、固定ピン17aの周辺
を図示しない吸引手段に接続させて固定ピン17aと嵌
合凹所17bとの接触によって発生するごみを外部に排
出させるようにしてもよい。The lid 16 needs to be fixed to the opening 12a of the rotary cup 12 and rotated integrally during the rotation process. Therefore, as shown in FIG. 4, a fitting recess 17b is provided on the lower surface of the abutment ring 16a, and the fitting recess 17b is fitted to the fixing pin 17a protruding above the rotary cup 12, so that the lid body 16 is removed. It is fixed to the rotating cup 12. In this case, the top of the fixing pin 17a is formed into a spherical shape to reduce dust generated by contact with the fitting recess 17b. The fixing pin 17a does not necessarily have to project to the rotating cup side, and the fixing pin 17a does not have to protrude to the lid side.
May be projected, and the fitting recess 17b may be provided on the rotary cup side. Further, inside the fitting recess 17b, the periphery of the fixing pin 17a may be connected to a suction means (not shown) so that dust generated by contact between the fixing pin 17a and the fitting recess 17b is discharged to the outside.
【0040】上記蓋体16を開閉する場合には、図2に
想像線で示すように、蓋体16の上面に突設された膨隆
頭部18の下にロボットアーム20を挿入し、膨隆頭部
18に設けられた係止溝18aにロボットアーム20か
ら突出する係止ピン20aを係合させた後、ロボットア
ーム20を上下動させることによって行うことができ
る。なお、蓋体16を開放するときの膨隆頭部18の係
止溝18aとロボットアーム20の係止ピン20aとの
位置合せ、及び蓋体16を閉じるときの固定ピン17a
と嵌合凹所17bの位置合せは、サーボモータ等にて形
成される駆動モータ21の回転角を制御することによっ
て行うことができる。When the lid 16 is opened and closed, as shown in phantom in FIG. 2, the robot arm 20 is inserted under the bulging head 18 projecting from the upper surface of the lid 16, and the bulging head is bulged. This can be performed by engaging the locking pin 20a protruding from the robot arm 20 with the locking groove 18a provided in the portion 18 and then moving the robot arm 20 up and down. The locking groove 18a of the bulging head 18 and the locking pin 20a of the robot arm 20 are aligned when the lid 16 is opened, and the fixing pin 17a when the lid 16 is closed.
The position of the fitting recess 17b can be adjusted by controlling the rotation angle of the drive motor 21 formed by a servomotor or the like.
【0041】上記実施例では、蓋体16と回転カップ1
2との固定を固定ピン17aと嵌合凹所17bの嵌合に
より行う場合について説明したが、必ずしもこのような
構造とする必要はなく、別途押圧機構を用いて蓋体16
を回転カップ12に固定すれば、蓋体16の開放時のご
みの発生や回転処理時の蓋体16のガタツキ等を防止す
ることができる。なお、上記固定蓋体15は蓋体16を
回転自在に支持する支持円柱19に固定されているの
で、蓋体16の開閉移動に伴って上下移動してドレンカ
ップ14の開口部を開閉することができる。In the above embodiment, the lid 16 and the rotating cup 1
The case where the fixing pin 17a and the fitting recess 17b are fixed to each other has been described, but it is not always necessary to have such a structure, and the lid body 16 is separately provided by using a pressing mechanism.
If is fixed to the rotating cup 12, it is possible to prevent dust from being generated when the lid 16 is opened and rattling of the lid 16 during rotation processing. Since the fixed lid 15 is fixed to the support column 19 that rotatably supports the lid 16, the fixed lid 15 may move up and down as the lid 16 opens and closes to open and close the opening of the drain cup 14. You can
【0042】また、上記N2ガス供給ノズル36は、ド
ーナツ状の中空円環状のパイプの外周面に適宜間隔をお
いて多数の小孔を穿設してなる環状ノズルにて形成され
ている。このように構成されるN2ガス供給ノズル36
は、上記スピンチャツク10と共に昇降する取付部材3
4に取り付けられ、固定カラー24を貫通するN2ガス
供給チューブ36cを介して図示しないN2ガス供給源
に接続されている。そして、回転処理後のスピンチャッ
ク10の上昇と共に上昇して回転カップ12の処理室1
1内に位置(露呈)した際に、N2ガス供給源から供給
されるN2ガスを処理室11内に放射状に噴射して、処
理室11内をN2パージすると共に、処理室11内の負
圧(減圧)状態を解除して、以後の蓋体16の開放を容
易に行えるようにしてある。The N 2 gas supply nozzle 36 is an annular nozzle formed by forming a large number of small holes at appropriate intervals on the outer peripheral surface of a donut-shaped hollow annular pipe. The N 2 gas supply nozzle 36 configured as described above
Is a mounting member 3 that moves up and down together with the spin chuck 10.
4 and is connected to an N 2 gas supply source (not shown) via an N 2 gas supply tube 36c penetrating the fixed collar 24. Then, as the spin chuck 10 is raised after the rotation process, the spin chuck 10 rises and the process chamber 1 of the rotary cup 12 rises.
When located (exposed) in 1, by injecting radially a N 2 gas supplied from N 2 gas supply source into the processing chamber 11, the processing chamber 11 while N 2 purge, the processing chamber 11 The negative pressure (reduced pressure) state is released so that the lid 16 can be easily opened thereafter.
【0043】また、上記N2ガス供給ノズル36と共に
取付部材34に取り付けられる洗浄ノズル35は、図3
に示すように、回転カップ12の底面に向って傾斜する
底面洗浄ノズル体35aと、回転カップ12の内側面に
向って水平状に突出する側面洗浄ノズル体35bと、蓋
体16の下面に向って傾斜する蓋体洗浄ノズル体35c
とで構成されている。これら、ノズル体35a〜35c
は、固定カラー24を貫通する洗浄液供給チューブ36
dを介して図示しない洗浄液供給源に接続されている。
この洗浄ノズル35によって回転カップ12の洗浄を行
う場合には、まず、回転処理後にスピンチャック10の
上昇と共に上昇して各ノズル体35a〜35cを回転カ
ップ12の処理室11内に位置(露呈)させ、次に、洗
浄液供給源から供給される洗浄液を各ノズル体35a〜
35cから回転する回転カップ12の底面、内側面及び
蓋体16の下面(具体的には、蓋体16と回転カップ1
2の当接部及びその付近の蓋体下面)に向って噴射させ
て、回転カップ12及び蓋体16に付着するレジスト液
やパーティクル等を洗浄し除去することができる。この
洗浄処理は所定枚数の基板Gの処理を行った後、定期的
に行えばよい。The cleaning nozzle 35 attached to the attachment member 34 together with the N 2 gas supply nozzle 36 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, a bottom surface cleaning nozzle body 35 a inclined toward the bottom surface of the rotary cup 12, a side surface cleaning nozzle body 35 b horizontally protruding toward the inner side surface of the rotary cup 12, and a bottom surface of the lid body 16 are provided. Lid cleaning nozzle body 35c
It consists of and. These nozzle bodies 35a to 35c
Is a cleaning liquid supply tube 36 penetrating the fixed collar 24.
It is connected to a cleaning liquid supply source (not shown) via d.
When the rotary cup 12 is cleaned by the cleaning nozzle 35, first, after the rotation process, the spin chuck 10 is lifted and the nozzle bodies 35 a to 35 c are positioned (exposed) in the processing chamber 11 of the rotary cup 12. Next, the cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply source is supplied to each nozzle body 35a ...
The bottom surface, the inner side surface of the rotary cup 12 and the lower surface of the lid body 16 that rotate from 35c (specifically, the lid body 16 and the rotary cup 1).
It is possible to wash and remove the resist liquid, particles and the like adhering to the rotating cup 12 and the lid 16 by spraying the liquid toward the abutting portion of 2 and the lower surface of the lid in the vicinity thereof. This cleaning process may be performed periodically after processing a predetermined number of substrates G.
【0044】一方、上記溶剤供給ノズル40は溶剤供給
路である溶剤供給チューブ41aと開閉バルブ41bを
介して溶剤タンク41cに接続されており、溶剤タンク
41c内に供給される窒素(N2 )ガスの加圧を制御す
ることによって溶剤タンク41c内の溶剤Aが基板G上
に所定時間中所定量の溶剤Aの供給が可能となってい
る。On the other hand, the solvent supply nozzle 40 is connected to a solvent tank 41c via a solvent supply tube 41a which is a solvent supply path and an opening / closing valve 41b, and the nitrogen (N 2 ) gas supplied into the solvent tank 41c is supplied. By controlling the pressurization of the solvent A in the solvent tank 41c, a predetermined amount of the solvent A can be supplied onto the substrate G for a predetermined time.
【0045】レジスト液供給ノズル42は、レジスト液
供給路であるレジスト液供給チューブ44aを介してレ
ジスト液Bを収容するレジスト液タンク44bに連通さ
れている。このチューブ44aには、サックバックバル
ブ44c、エアーオペレーションバルブ44d、レジス
ト液B中の気泡を分離除去するための気泡除去機構44
e、フィルタ44f及びベローズポンプ44gが順次設
けられている。このベローズポンプ44gは、駆動部に
より制御された状態で伸縮可能となっており、所定量の
レジスト液Bをレジスト液供給ノズル42を介して基板
Gの中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来の
レジスト液Bの供給量より少量のレジスト液Bの供給量
制御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズ
ポンプの一端に吸着されたねじと、このねじにボールを
介して螺合されるナットとからなるボールねじ44h
と、このナットを回転させることによりねじを直線動さ
せるステッピングモータ44iとにより構成されてい
る。The resist solution supply nozzle 42 is in communication with a resist solution tank 44b containing the resist solution B via a resist solution supply tube 44a which is a resist solution supply passage. The tube 44a includes a suck back valve 44c, an air operation valve 44d, and a bubble removing mechanism 44 for separating and removing bubbles in the resist solution B.
e, a filter 44f, and a bellows pump 44g are sequentially provided. The bellows pump 44g is capable of expanding and contracting under the control of the drive unit, and is capable of supplying, for example, dropping a predetermined amount of the resist liquid B to the central portion of the substrate G via the resist liquid supply nozzle 42. . It is possible to control the supply amount of the resist liquid B which is smaller than the conventional supply amount of the resist liquid B. This drive unit has a ball screw 44h having a screw whose one end is attracted to one end of the bellows pump and a nut screwed to the screw through a ball.
And a stepping motor 44i that linearly moves the screw by rotating the nut.
【0046】レジスト液供給ノズル42の口径は、具体
的には、500×600mmの基板用の場合には、内径
がφ0.5〜φ5mm、好ましくはφ3mmに設定され
ている。このように、ノズルの径を基板の寸法に応じて
設定することにより、なるべく少量のレジスト液Bをな
るべく長い時間をかけて供給できるようになっている。
供給時間が短いと膜厚の均一性が良くなく、また長すぎ
るとレジスト液が基板の周縁部までいかなくなる。ここ
でなるべく少量とは、上記ノズルの口径そしてレジスト
液供給圧力に依存する。The diameter of the resist solution supply nozzle 42 is specifically set to have an inner diameter of φ0.5 to φ5 mm, preferably φ3 mm for a substrate of 500 × 600 mm. In this way, by setting the diameter of the nozzle according to the size of the substrate, it is possible to supply a small amount of the resist solution B as long as possible.
If the supply time is short, the film thickness is not uniform, and if it is too long, the resist solution does not reach the peripheral portion of the substrate. Here, the smallest possible amount depends on the diameter of the nozzle and the resist solution supply pressure.
【0047】上記のように構成されるレジスト液供給系
において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ44
gのステッピングモータ44iの駆動時間によって制御
(制御精度:±2msec)されるようになっている。
また、レジスト液の吐出量はベローズポンプ44gの駆
動動作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液
供給路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ4
4dの開閉動作(ON−OFF動作)によって設定され
るようになっている。上記ベローズポンプ44gの駆動
時間の設定及びエアーオペレーションバルブ44dのO
N−OFF動作は、予め設定されたプログラムに基いて
コンピュータの作用で自動的に制御される。In the resist solution supply system constructed as described above, the discharge time of the resist solution is determined by the bellows pump 44.
The stepping motor 44i of g is controlled by the driving time (control accuracy: ± 2 msec).
Further, the discharge amount of the resist liquid is the driving operation of the bellows pump 44g, for example, the driving time and the driving speed, and the air operation valve 4 for opening and closing the resist liquid supply passage.
It is set by the opening / closing operation (ON-OFF operation) of 4d. Setting the drive time of the bellows pump 44g and O of the air operation valve 44d
The N-OFF operation is automatically controlled by the action of the computer based on a preset program.
【0048】レジスト液Bの吐出時間の制御はレジスト
液供給ノズル42に設けた可変オリフィス(図示せず)
の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベロ
ーズポンプ44gを用いずにレジスト液タンク44bへ
のN2 ガスの加圧によってレジスト液Bの供給を行うこ
とも可能であり、この場合のレジスト液Bの吐出時間制
御はN2 ガスの加圧量の調整によって行うことができ
る。The discharge time of the resist solution B is controlled by a variable orifice (not shown) provided in the resist solution supply nozzle 42.
It is also possible to perform the opening and closing operation of. Further, the resist solution B can be supplied by pressurizing the resist solution tank 44b with N 2 gas without using the bellows pump 44g. In this case, the discharge time of the resist solution B can be controlled with the N 2 gas. It can be performed by adjusting the amount of pressurization.
【0049】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ44cは、レジスト液供給ノズル42から
のレジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル42先端内
壁部に表面張力によって残留しているレジスト液Bをレ
ジスト液供給ノズル42内に引き戻すためのバルブであ
り、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するため
のものである。この場合、少量のレジスト液Bを吐出す
るレジスト液供給ノズル42において、通常通りサック
バックバルブ44cの負圧作用によってレジスト液Bを
レジスト液供給ノズル42内に引き戻すと、ノズル42
先端付近の空気も一緒にノズル42内に巻き込まれてし
まい、ノズル42先端に付着したレジスト液Bの残滓が
ノズル42内に入り、ノズル42の目詰まりを起こすば
かりか、乾燥したレジストがパーティクルとなり基板G
が汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞
れがある。The suck back valve 44c provided in the resist solution supply system collects the resist solution B remaining on the inner wall of the tip of the resist solution supply nozzle 42 due to surface tension after the resist solution is discharged from the resist solution supply nozzle 42. This is a valve for returning the resist liquid to the inside of the resist liquid supply nozzle 42, thereby preventing solidification of the residual resist liquid. In this case, in the resist solution supply nozzle 42 that discharges a small amount of the resist solution B, when the resist solution B is pulled back into the resist solution supply nozzle 42 by the negative pressure action of the suck back valve 44c as usual, the nozzle 42 is discharged.
The air near the tip is also entrained in the nozzle 42, the residue of the resist liquid B adhering to the tip of the nozzle 42 enters the nozzle 42, and the nozzle 42 is clogged, and the dried resist becomes particles. Board G
Is contaminated, and the yield may be reduced.
【0050】この問題を解決するために、図5(a)に
示すように、レジスト液供給ノズル42のノズル孔42
aに比較して、開口部近くの部分の肉厚42bを厚くし
ている。すなわち、このノズル42は、筒状の先端部
と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有す
る。代わって、図5(b)に示すように、レジスト液供
給ノズル42の筒状の先端部又は開口部に外フランジ4
2cを設けることにより、サックバックの際にノズル4
2先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。
また、図5(c)に示すように、レジスト液供給ノズル
42の垂直に延びた円筒状の先端に横S字状に延びた細
径の屈曲部42dを形成し、この屈曲部42dの中央付
近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先
端部の空気の巻き込みを防止することができる。In order to solve this problem, as shown in FIG. 5A, the nozzle hole 42 of the resist solution supply nozzle 42 is used.
The wall thickness 42b near the opening is made thicker than that of a. That is, the nozzle 42 has a tubular tip portion and an inverted frustoconical portion that follows the tubular tip portion. Instead, as shown in FIG. 5B, the outer flange 4 is attached to the cylindrical tip portion or opening of the resist solution supply nozzle 42.
By providing 2c, the nozzle 4 can be used when sucking back.
(2) It is possible to prevent the inclusion of air near the tip.
Further, as shown in FIG. 5C, a bent portion 42d having a small diameter and extending in a lateral S shape is formed at a vertically extending cylindrical end of the resist solution supply nozzle 42, and the center of the bent portion 42d is formed. By sucking back to the vicinity, it is possible to prevent air from being entrained in the nozzle tip portion in the same manner.
【0051】上記温度調整機構45(温度調整手段)
は、図6に示すように、溶剤供給チューブ41a及びレ
ジスト供給チューブ44aの外周をそれぞれ包囲するよ
うに設けられる温度調整液供給路46aと、この温度調
整液供給路46aの両側の端部に両端がそれぞれ接続さ
れた循環路46bと、循環路46bのそれぞれに設けら
れた循環ポンプ46cと、循環路46bの途中に接続さ
れた温度調整液C(例えば恒温水)を一定温度に維持す
るサーモモジュール46dとにより構成されている。こ
のように構成された温度調整機構45により、溶剤供給
チューブ41a内を流れる溶剤Aとレジスト供給チュー
ブ44a内を流れるレジスト液Bを所定温度(例えば、
約23℃)に維持することができる。The temperature adjusting mechanism 45 (temperature adjusting means)
As shown in FIG. 6, the temperature control liquid supply path 46a is provided so as to surround the outer peripheries of the solvent supply tube 41a and the resist supply tube 44a, and both ends of the temperature control liquid supply path 46a are provided at both ends. A circulation module 46b connected to each other, a circulation pump 46c provided in each circulation module 46b, and a thermo module that maintains the temperature adjustment liquid C (for example, constant temperature water) connected in the middle of the circulation module 46b at a constant temperature. And 46d. With the temperature adjusting mechanism 45 configured in this way, the solvent A flowing in the solvent supply tube 41a and the resist solution B flowing in the resist supply tube 44a are heated to a predetermined temperature (for example,
Can be maintained at about 23 ° C.
【0052】図6上では、溶剤供給ノズル40と溶剤供
給チューブ41aとが、また、レジスト液供給ノズル4
2とレジスト液供給チューブ44aとが、それぞれ一体
に形成されているが、図7を参照して以下に詳述するよ
うに、別体として形成することも好ましい。In FIG. 6, the solvent supply nozzle 40 and the solvent supply tube 41a are shown as the resist solution supply nozzle 4 again.
2 and the resist liquid supply tube 44a are integrally formed, respectively, but it is also preferable to form them separately as described in detail below with reference to FIG.
【0053】上記噴頭39は例えばステンレス鋼あるい
はアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴
頭39の上面には迂回通路47aの一部をなすU字状の
孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭39の下
面まで延出した垂直貫通孔47bが形成されている。各
貫通孔47bは、下方に向かうに従って大径となる傾斜
中部47cと、大径の下部47dとを有し、この下部4
7dの内周面には雌ねじが形成されている。このような
構成の噴頭39に、ノズル40,42を装着する場合に
は、貫通孔47b中に、円筒状のノズル40,42をそ
れぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル
40,42が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形
の合成樹脂でできたシール部材47fを傾斜中部47c
に詰め、ノズル40,42が貫通可能な垂直貫通孔を有
する取付けねじ部材47gをねじ付け下部47d中に捩
じ込むことにより、シール部材47fを中部47cの傾
斜内周面に押圧させている。このようにして、ノズル4
0,42は噴頭39に液密に装着されている。この場
合、中間部5bの上面とシール部材47fとの上面との
間に図示のようにOリング47hを介在させることによ
り、迂回通路15とノズル40,42との間の水密維持
を更に確実にすることができる。The nozzle head 39 is made of, for example, a stainless steel or aluminum alloy member. U-shaped holes forming a part of the bypass passage 47a are formed on the upper surface of the jet nozzle 39, and a vertical through hole 47b extending to the lower surface of the nozzle nozzle 39 is formed at the bottom of the hole. Each through hole 47b has an inclined middle portion 47c having a larger diameter as it goes downward, and a lower portion 47d having a larger diameter.
A female screw is formed on the inner peripheral surface of 7d. When the nozzles 40 and 42 are mounted on the nozzle head 39 having such a configuration, the cylindrical nozzles 40 and 42 are inserted into the through hole 47b so that the upper and lower portions thereof extend, and the nozzles 40 and 42 are inserted. A sealing member 47f made of a synthetic resin having a substantially conical shape having a vertical through hole through which the 42 can penetrate is provided with an inclined middle portion 47c.
, And a screw member 47g having a vertical through hole through which the nozzles 40 and 42 can penetrate is screwed into the screwing lower portion 47d to press the seal member 47f against the inclined inner peripheral surface of the middle portion 47c. In this way, the nozzle 4
The nozzles 0 and 42 are mounted on the nozzle 39 in a liquid-tight manner. In this case, the O-ring 47h is interposed between the upper surface of the intermediate portion 5b and the upper surface of the seal member 47f as shown in the figure, so that the watertightness between the bypass passage 15 and the nozzles 40 and 42 is more reliably maintained. can do.
【0054】上記噴頭39は、水平方向(X,Y方向)
の回転及び垂直方向(Z方向)に移動可能な移動アーム
37aの先端に装着されている。移動アーム37aは、
図1に示すように、ドレンカップ14の外側方に配設さ
れ、図示しないステッピングモータ等の駆動手段によっ
て溶剤供給ノズル40及びレジスト液供給ノズル42を
それぞれ基板Gの中心部上方の作動位置とノズル待機部
38上方の待機位置との間に選択的に移動されるように
なっている。すなわち、待機位置から溶剤供給ノズル4
0が基板Gの中心位置へ移動され、所定時間経過後、次
にレジスト液供給ノズル42が基板Gの中心位置へ移動
された後、両ノズル40,42は待機部38へ移動され
るようになっている。上記噴頭39すなわち溶剤供給ノ
ズル40及びレジスト液供給ノズル42の移動機構は必
しも上述の回転する移動アーム37aによる必要はな
く、例えばリニア式のスキャン機構を用いてもよい。The spout 39 is horizontal (in the X and Y directions).
Is attached to the tip of a moving arm 37a that can rotate and move in the vertical direction (Z direction). The moving arm 37a is
As shown in FIG. 1, the solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 42 are disposed outside the drain cup 14 and are driven by a driving means such as a stepping motor (not shown) so as to move the solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 42 above the center of the substrate G and the nozzle. It is adapted to be selectively moved to a standby position above the standby unit 38. That is, from the standby position to the solvent supply nozzle 4
0 is moved to the central position of the substrate G, and after a predetermined time has passed, the resist solution supply nozzle 42 is moved to the central position of the substrate G, and then both nozzles 40 and 42 are moved to the standby portion 38. Has become. The spray head 39, that is, the moving mechanism of the solvent supply nozzle 40 and the resist solution supply nozzle 42 does not necessarily need to be the above-described rotating moving arm 37a, and for example, a linear scanning mechanism may be used.
【0055】なお、上記実施例においては、溶剤供給ノ
ズル40を噴頭39にレジスト液供給ノズル42と一体
的に備えた構成について説明したが、これに限定される
ものではなく、リンス液供給ノズルを有する噴頭と一体
的に設けて溶剤を供給してもよい。あるいは、例えばレ
ジスト液供給ノズル42の外周にこれと同軸的に溶剤供
給ノズル40を配置するなど適宜変更することができ
る。In addition, in the above-mentioned embodiment, the structure in which the solvent supply nozzle 40 is integrally provided with the resist solution supply nozzle 42 at the nozzle head 39 has been described, but the present invention is not limited to this, and the rinse solution supply nozzle is used. The solvent may be supplied by being provided integrally with the jet nozzle. Alternatively, for example, the solvent supply nozzle 40 may be arranged on the outer periphery of the resist liquid supply nozzle 42 coaxially with the resist solution supply nozzle 42, so that the solvent liquid supply nozzle 40 can be appropriately changed.
【0056】なお、上記実施例では、回転カップ12の
蓋体16をロボットアーム20で移動させて開放し、溶
剤Aの供給ノズル40,レジスト液Bの供給ノズル42
などを、移動機構37で基板Gの中心部上方に移動し
て、溶剤A,レジスト液Bを滴下する構成について説明
したが、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で閉
止した状態で滴下するように構成してもよい。例えば、
図8に示すように、蓋体16の膨隆頭部18部分を中空
状に形成し、また、この上端部を蓋18Aで閉止可能に
構成する。そして、蓋18Aを開け、移動機構37によ
り上記ノズルを膨隆頭部18の中空上方すなわち基板G
の中心部上方に移動させ、溶剤A,レジスト液Bを滴下
するようにしてもよい。また、図9に示すように、膨隆
頭部18の内側にノズル取付部材18Bをベアリング1
8Cなどにより、蓋体16を回転可能に取付ける。そし
て、回転カップ12の開口部12aを蓋体16で閉止し
た状態で、ノズル取付部材18Bに取着したノズル4
0,42から溶剤A,レジスト液Bを基板Gの中心部に
滴下するように構成してもよい。In the above embodiment, the lid 16 of the rotary cup 12 is moved by the robot arm 20 and opened to supply the solvent A supply nozzle 40 and the resist solution B supply nozzle 42.
In the above description, the moving mechanism 37 moves the substrate G above the center of the substrate G to drop the solvent A and the resist solution B. However, the opening 12a of the rotary cup 12 is dropped with the lid 16 closed. It may be configured to do so. For example,
As shown in FIG. 8, the bulging head portion 18 of the lid body 16 is formed in a hollow shape, and the upper end portion thereof can be closed by the lid 18A. Then, the lid 18A is opened, and the nozzle is moved above the bulge head 18 by the moving mechanism 37, that is, the substrate G.
Alternatively, the solvent A and the resist solution B may be dropped above the central portion of the above. Further, as shown in FIG. 9, the nozzle mounting member 18B is installed inside the bulging head portion 18 in the bearing 1.
The lid 16 is rotatably attached by 8C or the like. The nozzle 4 attached to the nozzle mounting member 18B with the opening 12a of the rotary cup 12 closed by the lid 16.
The solvent A and the resist solution B may be dropped onto the central part of the substrate G from 0 and 42.
【0057】上記したように、蓋体16で開口部12a
を閉止した状態で溶剤A,レジスト液Bを滴下すること
により、移動機構37による移動式に比べて処理スルー
プットの短縮化、密閉状態下での溶剤Aの滴下から塗布
処理終了までの処理プロセスを実現することが可能とな
る。例えば、溶剤Aの供給後、レジスト液Bを供給しな
がら回転カップ12を回転し、次にレジスト液Bの供給
を停止して、回転カップ12を回転するというようなプ
ロセスも実現できる。As described above, the opening 16a is formed in the lid 16.
By dropping the solvent A and the resist solution B in the closed state, the processing throughput is shortened as compared with the moving type by the moving mechanism 37, and the processing process from the dropping of the solvent A in the sealed state to the end of the coating process is performed. It can be realized. For example, a process of rotating the rotary cup 12 while supplying the resist solution B after supplying the solvent A, then stopping the supply of the resist solution B, and rotating the rotary cup 12 can be realized.
【0058】また、上記実施例では、溶剤供給ノズル4
0から基板Gの中心に溶剤Aを滴下した後、レジスト液
Bを基板G上に滴下してレジスト膜を形成する場合につ
いて説明したが、溶剤とフォトレジストとからなるレジ
スト液を使用する場合には、溶剤供給ノズルを用いずに
レジスト液供給ノズルからレジスト液Bを基板G上に滴
下させてレジスト液B自身の溶剤を利用してレジスト膜
を形成する塗布機構1を用いることも可能である。Further, in the above embodiment, the solvent supply nozzle 4
The case where the solvent A is dropped from 0 to the center of the substrate G and then the resist solution B is dropped onto the substrate G to form a resist film has been described. However, when the resist solution including the solvent and the photoresist is used, It is also possible to use the coating mechanism 1 in which the resist solution B is dropped from the resist solution supply nozzle onto the substrate G without using the solvent supply nozzle and the resist film is formed using the solvent of the resist solution B itself. .
【0059】一方、上記縁部除去機構2は、図1及び図
12示すように、図示しない真空装置によって基板Gを
吸着保持すると共に水平方向に90度以上回転可能な載
置手段である載置台50と、この載置台50によって保
持される基板Gの対向する2辺の縁部の上下面にレジス
トの除去液例えばレジストの溶剤を噴射する一対の除去
ノズル51とで主要部が構成されている。On the other hand, the edge removing mechanism 2 is, as shown in FIGS. 1 and 12, a mounting table which is a mounting means capable of adsorbing and holding the substrate G by a vacuum device (not shown) and rotating 90 degrees or more in the horizontal direction. 50, and a pair of removal nozzles 51 for injecting a resist removing liquid, for example, a resist solvent, on the upper and lower surfaces of the edge portions of the two opposite sides of the substrate G held by the mounting table 50. .
【0060】上記載置台50は、図示しないモータ等の
回転機構と昇降シリンダやボールねじ等の昇降機構を具
備する駆動装置52によって水平方向に90度以上回転
すると共に、昇降可能に構成されている。このように構
成される載置台50は、昇降によって基板Gの受渡し位
置及び塗布膜の除去処理位置と、待機位置とに切換えら
れ、水平方向に90度回転することによって基板Gの2
組の対向する2辺を除去ノズル51側に切換え移動する
ことができる。The table 50 is horizontally rotated by 90 degrees or more by a driving device 52 having a rotating mechanism such as a motor and an elevating mechanism such as an elevating cylinder and a ball screw, and is movable up and down. . The mounting table 50 configured in this way is switched between a delivery position of the substrate G and a coating film removal processing position by raising and lowering, and a standby position.
Two opposing sides of the set can be switched and moved to the removal nozzle 51 side.
【0061】上記除去ノズル51は、図13及び図14
に示すように、基板Gの縁部の上下両面及び側面を覆う
断面略コ字状の噴頭53の上部水平片53aと下部水平
片53bにそれぞれ設けられた表面のレジスト除去用の
溶剤供給路53cと裏面のレジスト除去用の溶剤供給路
53dに接続する注射針のように細い針状の表面洗浄用
のノズル51aと裏面洗浄用のノズル51bにて形成さ
れている。この場合、ノズル51aは噴口を下方に向け
て垂下され、ノズル51bは噴口を上部に向けて垂設さ
れ、そして、ノズル51aの噴口とノズル51bの噴口
は噴射された除去液が各ノズルの近傍で互いに干渉しな
い位置にずらして配設されている。このようにノズル5
1aの噴口とノズル51bの噴口をずらして設ける理由
は、ノズル51a,51bから噴射される溶剤がノズル
近傍で衝突すると、この衝突によって飛散される溶剤が
基板Gの表面部のレジスト膜に付着してレジスト膜の膜
厚を不均一にするなどの悪影響を及ぼすのを防止するた
めである。The removing nozzle 51 is shown in FIG. 13 and FIG.
As shown in FIG. 5, a solvent supply passage 53c for removing the resist on the surface provided on each of the upper horizontal piece 53a and the lower horizontal piece 53b of the nozzle head 53 having a substantially U-shaped cross section that covers the upper and lower surfaces and the side surface of the edge of the substrate G. And a nozzle 51a for cleaning the front surface and a nozzle 51b for cleaning the rear surface, which are thin needle-like needles connected to the solvent supply passage 53d for removing the resist on the rear surface. In this case, the nozzle 51a is hung so that the nozzle is directed downward, the nozzle 51b is hung so that the nozzle is directed upward, and the nozzle 51a and the nozzle 51b are arranged so that the ejected removal liquid is in the vicinity of each nozzle. Are arranged so that they do not interfere with each other. Nozzle 5
1a and the nozzle 51b are provided so as to be offset from each other, when the solvent ejected from the nozzles 51a and 51b collides in the vicinity of the nozzle, the solvent scattered by the collision adheres to the resist film on the surface portion of the substrate G. This is to prevent adverse effects such as making the resist film non-uniform in thickness.
【0062】なお、除去ノズル51の噴頭53内部のノ
ズル側の垂直部53eには排気口53fが設けられ、こ
の排気口53fに図示しない排気装置に接続する排気管
54が接続されており、除去ノズル51から噴射されて
レジスト膜の除去に供された溶剤が排気管54を介して
外部に排出されるようになっている。An exhaust port 53f is provided in the vertical portion 53e on the nozzle side inside the injection nozzle 53 of the removal nozzle 51, and an exhaust pipe 54 connected to an exhaust device (not shown) is connected to the exhaust port 53f for removal. The solvent sprayed from the nozzle 51 and used for removing the resist film is discharged to the outside through the exhaust pipe 54.
【0063】上記実施例では、ノズル51aを直状に垂
下した場合について説明したが、必ずしもこのような形
状とする必要はなく、図13に想像線で示すように、ノ
ズル51aの噴口を基板Gの内方から外方側に向けて傾
斜状に折曲してもよい。このように折曲させることによ
り、ノズル51aから噴射された除去液は基板Gの周辺
方向に向うので、中心側のレジスト膜に付着するのを防
止することもできる。また、同様にノズル51bの噴口
を基板Gの内方から外方側に向けて傾斜状に折曲しても
よい。In the above embodiment, the case where the nozzle 51a is drooped straight has been described, but it is not always necessary to have such a shape, and as shown by the imaginary line in FIG. It may be bent in a slanted manner from the inner side to the outer side. By bending in this manner, the removing liquid ejected from the nozzle 51a is directed to the peripheral direction of the substrate G, and therefore it is possible to prevent the removing liquid from adhering to the resist film on the center side. Further, similarly, the injection port of the nozzle 51b may be bent in an inclined manner from the inside of the substrate G toward the outside thereof.
【0064】また、上記のように構成される一対の除去
ノズル51は、図12に示すように、位置調整機構55
によって基板Gの対向する第1の辺例えば長辺側及び第
2の辺例えば短辺側の2辺に位置調整可能に配置され、
上下移動機構56によって基板Gの縁部のレジスト膜除
去位置と待機位置とに上下移動されると共に、左右移動
機構57によって基板Gの縁部に沿って移動し得るよう
に構成されている。この場合、除去ノズル51を移動方
向に複数対適宜間隔を開けて設けることも可能であり、
更に除去性能の向上を図ることができる。Further, as shown in FIG. 12, the pair of removing nozzles 51 having the above-described structure are provided with a position adjusting mechanism 55.
Is arranged on the first side, for example, the long side and the second side, for example, the short side, facing each other of the substrate G so that their positions can be adjusted.
The vertical movement mechanism 56 moves up and down to the resist film removal position and the standby position on the edge of the substrate G, and the left and right movement mechanism 57 moves along the edge of the substrate G. In this case, it is also possible to provide a plurality of removal nozzles 51 at appropriate intervals in the moving direction,
Further, the removal performance can be improved.
【0065】この場合、上記位置調整機構55は、対向
する一方の除去ノズル51の噴頭に取付部材58aを介
して連結するシリンダ体59aと、このシリンダ体59
aに摺動自在に装着され、他方の除去ノズル51の噴頭
53に取付部材58bを介して連結される伸縮ロッド5
9bとからなるエアーシリンダ59と、このエアーシリ
ンダ59の伸縮ロッド59bが伸長した際に両取付部材
58a,58bが衝突して除去ノズル51の基板G長辺
側の除去位置を位置決めする外側ストッパ60aと、エ
アーシリンダ59の伸縮ロッド59bが収縮した際に両
取付部材58a,58bが衝突して除去ノズル51の基
板G短辺側の除去位置を位置決めする内側ストッパ60
bとで構成されている。なお、両除去ノズル51はエア
ーシリンダ59のシリンダ体59aを取付ける支持部材
61によって支持されている。In this case, the position adjusting mechanism 55 includes a cylinder body 59a connected to the nozzle head of one of the opposing removal nozzles 51 via a mounting member 58a, and this cylinder body 59.
Telescopic rod 5 slidably mounted on a and connected to the nozzle head 53 of the other removal nozzle 51 via a mounting member 58b.
When the telescopic rod 59b of the air cylinder 59 extends, the mounting members 58a and 58b collide with each other and the outer stopper 60a that positions the removal position of the removal nozzle 51 on the long side of the substrate G side. When the telescopic rod 59b of the air cylinder 59 contracts, the two mounting members 58a and 58b collide with each other to position the removal position of the removal nozzle 51 on the short side of the substrate G on the inside stopper 60.
and b. Both removing nozzles 51 are supported by a supporting member 61 to which a cylinder body 59a of an air cylinder 59 is attached.
【0066】また、上下移動機構56は、支持部材61
の一端の下面側に取付けられ、後述する水平方向(Y方
向)に移動可能な走行板62に設けられた昇降用ガイド
レール63に沿って昇降可能な昇降部材64と、この昇
降部材64に取付けられるシリンダ体65aと、このシ
リンダ体65aに摺動可能に装着され、走行板62に取
付けられる伸縮ロッド65bとで構成されている。ま
た、ベース板66から起立された起立壁67の側面に水
平に配設された互いに平行な上下2本の走行用ガイドレ
ール68に上記走行板62を走行可能に取付け、起立壁
67に装着されたプーリ69と図示しない駆動モータの
駆動軸に装着される駆動プーリ(図示せず)に掛け渡さ
れるタイミングベルト69aを走行板62に締結して上
記左右移動機構57が構成されている。Further, the vertical movement mechanism 56 includes a support member 61.
And an elevating member 64 that is attached to the lower surface of one end of the elevating member and that can elevate and lower along an elevating guide rail 63 provided on a traveling plate 62 that can be moved in the horizontal direction (Y direction) described later. And a telescopic rod 65b slidably mounted on the cylinder body 65a and attached to the traveling plate 62. Further, the traveling plate 62 is movably mounted on the standing wall 67, which is horizontally arranged on the side surface of the standing wall 67 standing upright from the base plate 66, and is mounted on the standing wall 67. The left and right moving mechanism 57 is configured by fastening a timing belt 69a, which is wound around a pulley 69 and a drive pulley (not shown) mounted on the drive shaft of a drive motor (not shown), to the traveling plate 62.
【0067】また、載置台50の下部には、基板Gの角
部裏面に付着するレジスト膜を除去するための補助洗浄
ノズル51Aが配設されている(図12参照)。この補
助洗浄ノズル51Aは、図15に示すように、載置台5
0の対角線位置に1個ずつ支持部材4aによって噴射方
向が調節可能に取付けられており、この補助洗浄ノズル
51Aと溶剤としてのシンナーTを収容するタンク4b
が溶剤供給チューブ4cを介して接続されている。な
お、補助洗浄ノズル51Aから基板Gの角部裏面に付着
したレジスト膜を除去するには、例えば窒素(N2)ガ
ス供給源4dからタンク4b内に圧送用ガスを供給する
と共に、溶剤供給チューブ4cに介設されたバルブ4e
を開放して、補助洗浄ノズル51AからシンナーTを基
板Gの角部裏面に向って噴射する。なおこの場合、図1
5に想像線で示すように、溶剤供給チューブ4cに三方
切換バルブ4fを介してタンク4bとN2ガス供給源4
dとを接続することにより、補助洗浄ノズル51Aから
溶剤を噴射して基板Gの角部裏面に付着するレジスト膜
を除去した後、三方切換バルブ4fを切り換えて補助洗
浄ノズル51AからN2ガスを噴射(供給)して角部裏
面の乾燥を促進させることができる。An auxiliary cleaning nozzle 51A for removing the resist film adhering to the back surface of the corner of the substrate G is arranged below the mounting table 50 (see FIG. 12). As shown in FIG. 15, the auxiliary cleaning nozzle 51A is mounted on the mounting table 5
The auxiliary cleaning nozzle 51A and a tank 4b for accommodating a thinner T as a solvent are attached to the auxiliary cleaning nozzle 51A and the auxiliary cleaning nozzle 51A one by one at a diagonal position of 0 by a supporting member 4a.
Are connected via a solvent supply tube 4c. In addition, in order to remove the resist film attached to the back surface of the corner of the substrate G from the auxiliary cleaning nozzle 51A, for example, a nitrogen (N 2 ) gas supply source 4d supplies a pressure-feeding gas into the tank 4b and a solvent supply tube. Valve 4e interposed in 4c
Is opened, and the thinner T is sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51A toward the rear surface of the corner of the substrate G. In this case,
As indicated by phantom lines in FIG. 5, the tank 4b and the N 2 gas supply source 4 are connected to the solvent supply tube 4c via the three-way switching valve 4f.
By connecting with d, the solvent is sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51A to remove the resist film adhering to the back surface of the corner of the substrate G, and then the three-way switching valve 4f is switched to discharge the N 2 gas from the auxiliary cleaning nozzle 51A. It can be sprayed (supplied) to accelerate the drying of the back surface of the corner portion.
【0068】この場合、基板Gが矩形状(例えば長方
形)のときは、図16(a)に示すように、スピンチャ
ック10の回転によって基板Gの表面に塗布されたレジ
スト液を振り切る際、遠心力によって基板Gの長辺側に
付着したレジスト液は基板Gの外方に飛散されるが、基
板Gの短辺側に付着したレジスト液は基板Gの辺部から
外方に飛散された後、隣接する角部に衝突して、基板G
の対角位置の角部裏面に再付着する。この付着量は基板
Gの回転速度が速い程、また基板Gの寸法が大きい程、
短辺と長辺の比率が大きい程、また、塗布されたレジス
ト液の量が多い程多くなる。したがって、レジスト液が
付着する基板Gの対角位置の角部に対応する載置台50
の対角位置の下部側に補助洗浄ノズル51Aを配設して
おけば、補助洗浄ノズル51Aから噴射されるシンナー
によって基板Gの角部裏面に付着したレジスト膜を容易
に除去することができる。In this case, when the substrate G has a rectangular shape (for example, a rectangular shape), as shown in FIG. 16A, when the spin chuck 10 is rotated, the resist solution coated on the surface of the substrate G is spun off. The resist liquid adhered to the long side of the substrate G is scattered to the outside of the substrate G by the force, but the resist liquid adhered to the short side of the substrate G is scattered to the outside of the side of the substrate G. , The substrate G colliding with the adjacent corners
Reattach to the back surface of the corner at the diagonal position of. The larger the rotation speed of the substrate G and the larger the dimension of the substrate G,
The larger the ratio of the short side to the longer side, and the larger the amount of the applied resist liquid, the larger the ratio. Therefore, the mounting table 50 corresponding to the diagonal corners of the substrate G to which the resist solution adheres
By disposing the auxiliary cleaning nozzle 51A on the lower side of the diagonal position of, the resist film adhered to the back surface of the corner of the substrate G can be easily removed by the thinner sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51A.
【0069】なお、基板Gの形状が正方形の場合には、
長方形の場合と比較して、もともと再付着量は減少する
が、図16(b)に示すように、スピンチャック10の
回転によって基板Gの表面に塗布されたレジスト液を振
り切る際、基板Gの各辺部から飛散されるレジスト液が
隣接する各角部裏面に再付着し除去が必要とされる場合
には、載置台50の各角部下部側にそれぞれ補助洗浄ノ
ズル51Aを合計4個配設しておけばよい。When the substrate G has a square shape,
Although the redeposition amount is originally reduced as compared with the case of a rectangle, as shown in FIG. 16B, when the resist solution applied to the surface of the substrate G is shaken off by the rotation of the spin chuck 10, When the resist solution scattered from each side reattaches to the back surface of each adjacent corner and needs to be removed, a total of four auxiliary cleaning nozzles 51A are provided on the lower side of each corner of the mounting table 50. Just set it up.
【0070】上記補助洗浄ノズル51Aを設ける代わり
に、上述した除去ノズル51を改良した構造のものを用
いることもできる。すなわち、図17(a)に示すよう
に、除去ノズル51の噴頭53の下部水平辺53bを外
方(基板G側)に延長させ、そして、裏面洗浄ノズル5
1bの外側に適宜間隔をおいて針状の第1ないし第4の
補助洗浄ノズル51c,51d,51e,51fを起立
状に延在させて、除去ノズル51が基板Gの角部に位置
したときに、表面洗浄ノズル51a及び裏面洗浄ノズル
51bと第1ないし第4の補助洗浄ノズル51c〜51
fから溶剤例えばシンナーを噴射して基板Gの角部の表
裏面に付着したレジスト膜を除去する。除去ノズル51
が基板Gの各辺の角部を外れた中央部を移動するとき
は、第1ないし第4の補助ノズル51c〜51fからの
シンナーの噴射を停止して、ノズル51aと51bから
のみシンナーを噴射して基板Gの縁部両面に付着するレ
ジスト膜を除去する。Instead of providing the auxiliary cleaning nozzle 51A, it is also possible to use an improved structure of the above-mentioned removal nozzle 51. That is, as shown in FIG. 17A, the lower horizontal side 53 b of the jet nozzle 53 of the removal nozzle 51 is extended outward (to the side of the substrate G), and the back surface cleaning nozzle 5
When the needle-shaped first to fourth auxiliary cleaning nozzles 51c, 51d, 51e, and 51f extend upright in an upright manner at appropriate intervals outside 1b, and the removal nozzle 51 is located at a corner of the substrate G. In addition, the front surface cleaning nozzle 51a, the back surface cleaning nozzle 51b, and the first to fourth auxiliary cleaning nozzles 51c to 51
A solvent such as thinner is sprayed from f to remove the resist film attached to the front and back surfaces of the corners of the substrate G. Removal nozzle 51
When the substrate G moves in the central portion of each side of the substrate G that is out of the corners, the injection of the thinner from the first to fourth auxiliary nozzles 51c to 51f is stopped and the thinner is ejected only from the nozzles 51a and 51b. Then, the resist film attached to both sides of the edge of the substrate G is removed.
【0071】なお、裏面洗浄ノズル51bの溶剤供給路
53bとは別に補助洗浄ノズル51c〜51fの溶剤供
給路53cが設けられている。また、溶剤供給路53c
の各補助洗浄ノズル間にそれぞれバルブ(図示せず)を
介設して、補助洗浄ノズル51c〜51fを順次開放あ
るいは閉鎖させて補助洗浄ノズル51c〜51fから噴
射される溶剤を徐々に増加あるいは減少させることもで
きる。In addition to the solvent supply passage 53b of the back surface cleaning nozzle 51b, solvent supply passages 53c of auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f are provided. Also, the solvent supply path 53c
A valve (not shown) is provided between the auxiliary cleaning nozzles to sequentially open or close the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f to gradually increase or decrease the solvent sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f. You can also let it.
【0072】上記のように構成される補助洗浄ノズル5
1c〜51fは裏面洗浄ノズル51bの外方側(基板G
側)に配設されていれば、その配設位置は任意でよい
が、補助洗浄ノズル51c〜51fから噴射された溶剤
が噴水状に噴射されて周囲に飛散する虞れがあるので、
図18に示すように、上記噴頭53を、表面洗浄ノズル
51aと裏面洗浄ノズル51bを配設した断面略コ字状
の噴頭本体53Aと、この噴頭本体53Aの側面に連な
りかつ噴頭本体53Aより外方側へ突出する断面略コ字
状の補助噴頭53Bとで構成し、補助噴頭53Bの下部
水平片53gに補助洗浄ノズル51c〜51fを配設し
て、補助洗浄ノズル51c〜51fから噴射された溶剤
を補助噴頭53Bの上部水平片53hで受け止めるよう
にする方が好ましい。なお、補助噴頭53Bの上部及び
下部水平片53g,53hの対向面を断面円弧状面とす
ることにより、噴射された溶剤の周囲の飛散を更に確実
に防止することができる。Auxiliary cleaning nozzle 5 constructed as described above
1c to 51f are on the outer side of the back surface cleaning nozzle 51b (substrate G).
However, since the solvent sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f may be sprayed in the form of a fountain and scattered around,
As shown in FIG. 18, the nozzle head 53 is connected to a side surface of the nozzle head body 53A having a front surface cleaning nozzle 51a and a back surface cleaning nozzle 51b and having a substantially U-shaped cross section, and is outside the nozzle head body 53A. The auxiliary jet nozzle 53B having a substantially U-shaped cross section protruding toward one side is provided. The auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f are provided on the lower horizontal piece 53g of the auxiliary jet nozzle 53B, and sprayed from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f. It is preferable that the upper horizontal piece 53h of the auxiliary jet 53B receives the solvent. The upper surface of the auxiliary jet head 53B and the lower horizontal pieces 53g and 53h facing each other have arcuate cross-sectional surfaces, so that the sprayed solvent can be more reliably prevented from splashing around.
【0073】一方、上記塗布機構1から縁部除去機構2
へ基板Gを搬送する第2の搬送機構4は、図10に示す
ように、基板Gの対向する2辺の周辺部下面を吸着保持
する一対の搬送アーム70を具備し、これら搬送アーム
70は、リニアガイド71によってガイドされ、タンミ
ングベルト72、プーリ73、シャフト74によって伝
達されるアーム駆動モータ75の駆動力によって図示矢
印X方向に移動可能に構成されている。この場合、搬送
アーム70とタイミングベルト72とは、締結部材76
によって締結されている。また、アーム駆動モータ75
は、中央演算処理装置(CPU)等にて形成された制御
装置77によって制御され、所望により搬送方向に往復
運動を繰り返して、所定時間基板Gの塗布処理、塗布膜
除去処理を実施することができるように構成されてい
る。On the other hand, from the coating mechanism 1 to the edge removing mechanism 2
As shown in FIG. 10, the second transfer mechanism 4 that transfers the substrate G to the substrate G includes a pair of transfer arms 70 that suction-holds the lower surfaces of the peripheral portions of the two opposite sides of the substrate G. The arm guide motor 75 is guided by the linear guide 71 and is movable by the driving force of the arm drive motor 75 transmitted by the tamming belt 72, the pulley 73, and the shaft 74 in the direction of arrow X in the figure. In this case, the transport arm 70 and the timing belt 72 are connected by the fastening member 76.
Has been concluded by. Also, the arm drive motor 75
Is controlled by a controller 77 formed by a central processing unit (CPU) or the like, and if desired, the reciprocating motion is repeated in the carrying direction to carry out a coating process and a coating film removing process on the substrate G for a predetermined time. It is configured to be able to.
【0074】また、上記搬送アーム70の基板保持面に
は、図11に示すように、吸引通路70bを介して図示
しない真空吸引手段に接続する吸引孔70aが設けられ
ており、この吸引孔70aに連通する吸引孔を有するパ
ッド部材70cが搬送アーム70に対して垂直方向に変
位可能に設けられている。この場合、パッド部材70c
は、内向きフランジ70dを有する逆冠形の耐蝕性を有
する例えばデルリン(商品名)製の部材にて形成されて
いる。そして、搬送アーム70の吸引孔70aの周囲に
押えねじ70eによって立設固定される可撓性を有する
合成ゴム製の筒状のリップシール70fの上端に拡開状
に突出する係止部70gに内向きフランジ70dを係合
して垂直方向に変位可能に取付けられる。このように取
付けられるパッド部材70cは各搬送アーム70にそれ
ぞれ2個ずつ設けられており、基板Gを搬送する際、リ
ップシール70fが弾性変形することによりパッド部材
70cが垂直方向に変形すなわち基板Gの平面に追従し
て基板Gの姿勢を水平状態に保持したまま搬送すること
ができるようになっている。また、基板Gを受取る際の
衝撃をリップシール70fの弾性変形によって吸収する
ことができるので、基板Gの損傷等を防止することがで
きる。なお、この場合、パッド部材70cを2個設けて
いるが、1個あるいは3個等任意の数設けてもよい。As shown in FIG. 11, the substrate holding surface of the transfer arm 70 is provided with a suction hole 70a which is connected to a vacuum suction means (not shown) through a suction passage 70b. A pad member 70c having a suction hole communicating with is provided so as to be vertically displaceable with respect to the transfer arm 70. In this case, the pad member 70c
Is formed of, for example, a Delrin (trade name) member having an inverted crown shape and having an inward flange 70d and having corrosion resistance. Then, a locking portion 70g is formed on the upper end of a flexible synthetic rubber cylindrical lip seal 70f, which is vertically fixed around the suction hole 70a of the transfer arm 70 by a cap screw 70e, so as to expand. The inward flange 70d is engaged so that it can be displaced in the vertical direction. Two pieces of the pad members 70c thus mounted are provided on each of the transfer arms 70. When the substrate G is transferred, the lip seal 70f is elastically deformed so that the pad member 70c is deformed in the vertical direction, that is, the substrate G. It is possible to convey the substrate G while keeping the posture of the substrate G in a horizontal state by following the plane. Further, since the impact of receiving the substrate G can be absorbed by the elastic deformation of the lip seal 70f, it is possible to prevent the substrate G from being damaged. In this case, two pad members 70c are provided, but any number such as one or three may be provided.
【0075】また、上記塗布機構1への基板Gの搬入、
縁部除去機構2からの基板Gの搬出を行う第1の搬送機
構3は、図21及び図22に示すように、メインアーム
80にて形成されている。この場合、メインアーム80
は、上下2段のコ字状アーム体81a,81bがそれぞ
れ独立して水平方向に進退移動可能な二重構造となっい
てる。すなわち、対向して配置される外側リニアガイド
82に沿って摺動可能な一対の外側フレーム83によっ
て上部アーム体81aの両側を支持し、第1の駆動モー
タ84に伝達プーリ85aを介して駆動される外側プー
リ85に掛け渡されるタイミングベルト(図示せず)と
外側フレーム83とを締結して、第1の駆動モータ84
の正逆回転によって上部アーム体81aを進退移動可能
に構成し、また、外側リニアガイド82の内側に配設さ
れる一対の内側リニアガイド86に沿って移動可能な内
側フレーム87にて下部アーム体81bを支持し、第2
の駆動モータ88に伝達プーリ89aを介して駆動され
る内側プーリ89に掛け渡されるタイミングベルト(図
示せず)と内側フレーム87とを締結して、第2の駆動
モータ88の正逆回転によって下部アーム体81bを進
退移動可能に構成してある。Further, the substrate G is carried into the coating mechanism 1,
The first transfer mechanism 3 that carries out the substrate G from the edge removal mechanism 2 is formed by a main arm 80 as shown in FIGS. 21 and 22. In this case, the main arm 80
Has a double structure in which upper and lower U-shaped arm bodies 81a and 81b are independently movable in the horizontal direction. That is, both sides of the upper arm body 81a are supported by the pair of outer frames 83 which are slidable along the outer linear guides 82 arranged to face each other, and are driven by the first drive motor 84 via the transmission pulley 85a. The first drive motor 84 is fastened by fastening a timing belt (not shown) that is hung around the outer pulley 85 and the outer frame 83.
The upper arm body 81a is configured to be movable forward and backward by the forward and reverse rotations of the lower arm body 81a by the inner frame 87 that is movable along the pair of inner linear guides 86 arranged inside the outer linear guide 82. 81b, second
A timing belt (not shown), which is hung on an inner pulley 89 driven by a transmission pulley 89a, is fastened to an inner frame 87, and the second drive motor 88 is rotated forward and backward to lower The arm body 81b is configured to be movable back and forth.
【0076】このように構成されるメインアーム80
は、図1に示すように水平のX,Y方向及び回転(θ)
可能に形成されると共に、垂直方向(Z方向)に移動可
能に形成されている。なお、上記アーム体81a,81
bには基板Gを保持する保持爪81cが立設されてい
る。また、メインアーム80のアーム体81a,81b
上に載置される基板Gの有無はセンサ150によって検
出できるように構成されている(図22参照)。なお、
この場合、アーム体81a,81bに保持爪81cを設
ける代わりに、上記搬送アーム70と同様に吸引孔70
aを設けると共に、パッド部材70cを設けて真空吸着
によって基板Gを保持するようにしてもよい。Main arm 80 having such a configuration
Is the horizontal X, Y direction and rotation (θ) as shown in FIG.
It is formed so that it can be moved in the vertical direction (Z direction). In addition, the arm bodies 81a, 81
A holding claw 81c for holding the substrate G is erected on b. In addition, arm bodies 81a and 81b of the main arm 80
The presence or absence of the substrate G placed thereon is configured to be detected by the sensor 150 (see FIG. 22). In addition,
In this case, instead of providing the holding claws 81c on the arm bodies 81a and 81b, the suction holes 70 are formed in the same manner as the transfer arm 70.
A may be provided and the pad member 70c may be provided to hold the substrate G by vacuum suction.
【0077】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置を用いて基板G上へのレジスト塗布及び辺部の
不要なレジスト膜の除去手順の一例について図23及び
図24を参照して説明する。Next, with reference to FIGS. 23 and 24, an example of a procedure for applying the resist on the substrate G and removing the unnecessary resist film on the sides using the processing apparatus of the present invention configured as described above will be described. Explain.
【0078】まず、回転カップ12の蓋体16及びドレ
ンカップ14の固定蓋体15を開放し、そして、基板G
をメインアーム80によって保持して静止したスピンチ
ャック10上に移動させ、基板Gを真空吸着によってス
ピンチャック10が保持し基板Gを支持する(ステップ
[A])。次に、スピンチャック10の回転駆動により
基板Gを処理時の定常回転より低速に回転(回転数:例
えば200〜800rpm,加速度:300〜500r
pm/sec)させると共に、回転カップ12を同じ速
度で回転させる。この回転中に、移動機構37の移動ア
ーム37aが待機位置38から回転して基板Gの中心部
上方に移動させられ、噴頭39の溶剤供給ノズル40か
ら基板表面に処理液の溶剤Aとして例えばエチルセロソ
ルブアセテート(ECA)を例えば20秒(sec)間
で例えば26.7cc供給例えば滴下する(ステップ
[B])。また、基板Gを回転させずに静止した状態で
溶剤Aを滴下し、その後回転してもよい。このようにし
て溶剤Aを20sec間供給した後、スピンチャック1
0及び回転カップ12の回転数を上記低速回転数による
回転状態で溶剤Aの供給を停止する(ステツプ
[C])。このとき、溶剤Aは基板Gの全面に拡散され
塗布される。First, the lid 16 of the rotary cup 12 and the fixed lid 15 of the drain cup 14 are opened, and the substrate G
Is held by the main arm 80 and moved onto the stationary spin chuck 10, and the substrate G is held by the spin chuck 10 by vacuum suction to support the substrate G (step [A]). Next, by rotating the spin chuck 10, the substrate G is rotated at a lower speed than the steady rotation during processing (rotation speed: for example, 200 to 800 rpm, acceleration: 300 to 500 r).
(pm / sec) and the rotating cup 12 is rotated at the same speed. During this rotation, the moving arm 37a of the moving mechanism 37 is rotated from the standby position 38 to be moved above the central portion of the substrate G, and the solvent supply nozzle 40 of the jet nozzle 39 is applied to the surface of the substrate as the solvent A of the processing liquid, for example, ethyl. Cellosolve acetate (ECA) is supplied for, for example, 26.7 cc for 20 seconds (sec), for example, and dropped (step [B]). Alternatively, the solvent A may be dropped while the substrate G is stationary without being rotated, and then the substrate G may be rotated. After supplying the solvent A for 20 seconds in this manner, the spin chuck 1
The supply of the solvent A is stopped while the rotational speed is 0 and the rotational speed of the rotary cup 12 is the low rotational speed (step [C]). At this time, the solvent A is diffused and applied on the entire surface of the substrate G.
【0079】次に、スピンチャック10を、高速回転
(第1の回転数:500から1500rpm程度の範囲
例えば1000rpm,加速度:300〜600rpm
/sec)させると同時に、基板表面上の溶剤膜上の中
心部上方に移動されたレジスト液供給ノズル50aから
処理液例えばレジスト液Bを例えば5sec間供給例え
ば8cc滴下する(ステップ[D])。このときの溶剤
Aが乾燥する時期は、予め実験により求めることができ
る。例えば、基板Gの表面を目視し、光の干渉縞が見え
ている間は乾燥しておらず、乾燥したら干渉縞が見えな
くなるので、その時期を知ることができる。この場合5
sec間の供給時期には、上記したベローズポンプ57
の駆動時間を制御でき、レジスト液の供給量を正確にか
つ微妙に制御できるように構成されている。このように
してレジスト液Bを5sec供給(滴下)した後、レジ
スト液Bの供給を停止すると同時に、スピンチャック1
0及び回転カップ12の回転を停止する(ステップ
[E])。この状態では、レジスト液Bは基板Gの角部
Gaを残した略同心円内に塗布される。このとき、レジ
スト液Bを基板Gの角部Gaを含む全域に供給すると、
レジスト液Bの無駄が生じるばかりでなく、レジスト液
Bのミストが飛散して回転カップ12及び基板Gの裏面
に付着する虞れが生じるという問題がある。したがっ
て、レジスト液Bの量は、所定の膜厚で基板Gの全域に
供給される必要最小限の量に設定されることが望まし
い。Next, the spin chuck 10 is rotated at high speed (first rotation speed: in the range of about 500 to 1500 rpm, for example, 1000 rpm, acceleration: 300 to 600 rpm).
/ Sec), and at the same time, the processing liquid, for example, the resist liquid B is supplied from the resist liquid supply nozzle 50a moved above the central portion on the solvent film on the surface of the substrate for, for example, 5 sec, for example, 8 cc is dropped (step [D]). The time at which the solvent A is dried can be determined in advance by experiments. For example, by visually observing the surface of the substrate G, it is not dried while the interference fringes of light are visible, and the interference fringes are not visible when dried, so the time can be known. In this case 5
The bellows pump 57 described above is supplied during the supply period for sec.
The driving time can be controlled, and the supply amount of the resist solution can be accurately and delicately controlled. After the resist solution B is supplied (dropped) for 5 seconds in this way, the supply of the resist solution B is stopped and at the same time, the spin chuck 1
0 and the rotation of the rotary cup 12 are stopped (step [E]). In this state, the resist solution B is applied within the substantially concentric circles of the substrate G where the corner portions Ga are left. At this time, if the resist solution B is supplied to the entire area of the substrate G including the corner portion Ga,
Not only is the resist liquid B wasted, but the mist of the resist liquid B may scatter and adhere to the rotation cup 12 and the back surface of the substrate G. Therefore, it is desirable that the amount of the resist liquid B is set to a necessary minimum amount that is supplied to the entire area of the substrate G with a predetermined film thickness.
【0080】次に、レジスト液Bの供給を停止し、レジ
スト液供給ノズル50を待機位置に移動した後、ロボッ
トアーム20によって固定蓋体15及び蓋体16をドレ
ンカップ14及び回転カップ12の上方開口部12aに
閉止し、回転カップ12内に基板Gを封入する(ステッ
プ[F])。Next, after stopping the supply of the resist solution B and moving the resist solution supply nozzle 50 to the standby position, the robot arm 20 moves the fixed lid body 15 and the lid body 16 above the drain cup 14 and the rotary cup 12. The substrate G is closed in the opening 12a and the substrate G is enclosed in the rotary cup 12 (step [F]).
【0081】このようにしてドレンカップ14の開口部
を固定蓋体15で閉止すると共に、回転カップ12の開
口部12aを蓋体16で閉止し密閉した状態で、スピン
チャック10及び回転カップ12を例えば15sec
間、上記第1の回転数より高速に回転(第2の回転数:
1000〜3000rpm程度の範囲例えば1400r
pm,加速度:500rpm/sec)させると、レジ
スト液Bは基板Gの全面に行き渡りレジスト膜の膜厚が
整えられる(ステップ[G],図24(a)参照)。こ
の時のレジスト液Bの吐出量と時間でレジスト膜の膜厚
が決定する。なお、この状態では溶剤A及びレジスト膜
は乾燥されていないウエットな状態である。In this way, the spin chuck 10 and the rotary cup 12 are closed while the opening of the drain cup 14 is closed by the fixed lid 15 and the opening 12a of the rotary cup 12 is closed and closed by the lid 16. For example, 15 sec
During this period, the rotation speed is higher than the first rotation speed (second rotation speed:
Range of about 1000 to 3000 rpm, for example, 1400r
(pm, acceleration: 500 rpm / sec), the resist solution B spreads over the entire surface of the substrate G and the film thickness of the resist film is adjusted (step [G], see FIG. 24A). The thickness of the resist film is determined by the discharge amount and time of the resist liquid B at this time. In this state, the solvent A and the resist film are not dried and are in a wet state.
【0082】次に、第2の搬送機構4の搬送アーム70
によって基板Gを縁部除去機構2の載置台50上に搬送
し、載置台50にて基板を吸着保持する(ステップ
[H],図24(b)参照)。基板Gを搬送した第2の
搬送機構4の搬送アーム70は待機位置へ後退した後、
縁部除去機構2の除去ノズル51が基板Gの長辺側の両
縁部にセットされ、長辺に沿って移動しながら除去液例
えばレジストの溶剤(例:シンナー)を基板Gの縁部両
面に噴射して基板Gの長辺の不要なレジスト膜を端部か
ら幅約5mm程度、溶解して除去する(ステップ
[I],第1の除去工程;図24(c)参照)。なお、
基板Gの縁部側面に付着しているレジストも同時に除去
される。この際、塗布機構1に次の基板Gを搬入して塗
布処理を行う。基板Gの長辺の不要なレジスト膜を除去
した後、載置台50を例えば時計回りに90度回転させ
て基板Gの短辺側を除去ノズル51側に位置させる。な
お、90度回転の他に、90度の奇数倍例えば270
度,450度,…,また、反時計回りに、回転させても
よい。このとき、位置調整機構55のエアーシリンダ5
9を伸長して除去ノズル51を基板Gの短辺側にセット
する(図24(d)参照)。そして、除去ノズル51を
基板Gの短辺に沿って移動しながら溶剤を基板Gの短辺
の縁部両面に噴射して基板Gの短辺の不要なレジスト膜
を除去して、基板Gのレジスト塗布及び短辺の不要なレ
ジスト膜の除去作業は完了する(第2の除去工程;図2
4(e)参照)。この後、基板Gを搬出し、次の工程へ
搬送する(ステップ[J])。上記のように、レジスト
膜を塗布形成後、直ちに基板Gを搬送して周縁部レジス
トを除去できる。Next, the transfer arm 70 of the second transfer mechanism 4
The substrate G is transferred onto the mounting table 50 of the edge removing mechanism 2 by the suction, and the substrate is sucked and held by the mounting table 50 (step [H], see FIG. 24B). After the transfer arm 70 of the second transfer mechanism 4 that has transferred the substrate G is retracted to the standby position,
The removal nozzles 51 of the edge removal mechanism 2 are set on both edges of the long side of the substrate G, and a removal liquid such as a resist solvent (eg thinner) is moved along both sides of the long edge of the substrate G so that both sides of the edge of the substrate G are removed. And the unnecessary resist film on the long side of the substrate G is melted and removed from the end by about 5 mm in width (step [I], first removing step; see FIG. 24C). In addition,
The resist attached to the side surface of the edge portion of the substrate G is also removed at the same time. At this time, the next substrate G is carried into the coating mechanism 1 and the coating process is performed. After removing the unnecessary resist film on the long side of the substrate G, the mounting table 50 is rotated, for example, 90 degrees clockwise to position the short side of the substrate G on the removal nozzle 51 side. In addition to the 90-degree rotation, an odd multiple of 90 degrees, for example, 270
Degrees, 450 degrees, ..., or may be rotated counterclockwise. At this time, the air cylinder 5 of the position adjusting mechanism 55
9 is extended to set the removal nozzle 51 on the short side of the substrate G (see FIG. 24D). Then, while moving the removal nozzle 51 along the short side of the substrate G, the solvent is sprayed on both edges of the short side of the substrate G to remove the unnecessary resist film on the short side of the substrate G. The resist application and the work of removing the unnecessary resist film on the short side are completed (second removing step; FIG. 2).
4 (e)). After that, the substrate G is carried out and carried to the next step (step [J]). As described above, immediately after the resist film is applied and formed, the substrate G can be transported to remove the peripheral edge resist.
【0083】なお、第1又は第2の除去工程中、あるい
はこれらの除去工程の前後のいずれかの時点で、補助洗
浄ノズル51A;51c〜51fからシンナーを噴射さ
せることによって基板Gの角部裏面に付着したレジスト
膜を容易に除去することができる(ステップ[I])。
例えば図17(b)に示すように、基板Gの各部裏面に
付着したレジスト液R1,R2を除去する場合、次のよう
に補助洗浄ノズル51c〜51fの噴射を制御する。The corner back surface of the substrate G is sprayed by ejecting thinner from the auxiliary cleaning nozzles 51A; 51c to 51f either during the first or second removing step or before or after these removing steps. The resist film attached to can be easily removed (step [I]).
For example, as shown in FIG. 17B, when removing the resist liquids R1 and R2 attached to the back surface of each portion of the substrate G, the ejection of the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f is controlled as follows.
【0084】左右の除去ノズル51を最初に矢印で示す
方向に移動させると仮定し、まず、右の除去ノズル51
について説明する。Assuming that the left and right removal nozzles 51 are first moved in the direction indicated by the arrow, first, the right removal nozzle 51
Will be described.
【0085】レジスト液R1が、短辺Gs側に距離LS1ま
で、長辺GL側に距離LL1までと三角形状の領域に付着
している場合、ノズルが短辺GSの縁付近に位置する時
には距離LS1まで十分洗浄可能なように表面洗浄ノズル
51a、裏面洗浄ノズル51bと共に補助洗浄ノズル5
1c〜51f全部から溶剤を噴射させる。When the resist solution R1 adheres to the triangular region such that the short side Gs side is up to the distance LS1 and the long side GL side is up to the distance LL1, the nozzle is located near the edge of the short side GS. Auxiliary cleaning nozzle 5 together with the front surface cleaning nozzle 51a and the back surface cleaning nozzle 51b so as to be sufficiently cleaned up to LS
The solvent is sprayed from all 1c to 51f.
【0086】そして、除去ノズル51が矢印方向に移動
するのに連れレジスト液R1の付着幅はLS1より狭くな
るので、順次、補助洗浄ノズル51f,51e,51d
の溶剤噴射を停止させる。ノズルが長辺GLに沿って距
離LL1付近まで移動すると、レジスト液R1の裏面付着
はなくなるので、補助洗浄ノズル51cの溶剤噴射も停
止させ、この後、裏面側は裏面洗浄ノズル51bのみ溶
剤を噴射させた状態で、除去ノズル51は長辺GLに沿
って移動する。As the removal nozzle 51 moves in the direction of the arrow, the width of the resist solution R1 attached becomes smaller than LS1. Therefore, the auxiliary cleaning nozzles 51f, 51e, 51d are successively inserted.
Stop the solvent injection of. When the nozzle moves to the vicinity of the distance LL1 along the long side GL, the back surface of the auxiliary cleaning nozzle 51c is stopped because the resist solution R1 does not adhere to the back surface. After that, only the back surface cleaning nozzle 51b sprays the solvent on the back surface side. In this state, the removal nozzle 51 moves along the long side GL.
【0087】一方、左の除去ノズル51は、図17
(b)に示すように、移動し始めの時、角部裏面にはレ
ジスト液は付着していないので、表面洗浄ノズル51a
と裏面洗浄ノズル51bとから溶剤を噴射させ、補助洗
浄ノズル51c〜51fからの溶剤噴射は停止してお
く。On the other hand, the removal nozzle 51 on the left side is shown in FIG.
As shown in (b), since the resist solution does not adhere to the back surface of the corner at the beginning of movement, the front surface cleaning nozzle 51a
Then, the solvent is sprayed from the back surface cleaning nozzle 51b and the solvent spray from the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f is stopped.
【0088】除去ノズル51が更に移動して角部裏面に
付着したレジスト液R2に近づき、短辺GSより距離LL2
付近になると、補助洗浄ノズル51cからまず溶剤を噴
射させる。レジスト液R1同様、レジスト液R2も三角形
状の領域に付着している場合、順次、補助洗浄ノズル5
1d,51e,51fから溶剤を噴射させ距離LS2の部
分まで溶解除去する。The removal nozzle 51 further moves to approach the resist liquid R2 attached to the back surface of the corner, and the distance LL2 from the short side GS.
When it is near, the solvent is first sprayed from the auxiliary cleaning nozzle 51c. Similar to the resist solution R1, when the resist solution R2 adheres to the triangular area, the auxiliary cleaning nozzle 5
The solvent is sprayed from 1d, 51e, and 51f to dissolve and remove the portion up to the distance LS2.
【0089】そして、左右の除去ノズル51により長辺
GL側のレジスト除去が終了すると、各ノズルからの溶
剤噴射を停止して、左右の除去ノズル51を基板Gの回
転に支障を与えないように退避させる。次に、基板Gを
左又は右廻りに90°回転させ、短辺GS側のレジスト
液除去に移る。この場合、角部裏面に付着したレジスト
液R1,R2は既に除去されているため、表面洗浄ノズル
51a及び裏面洗浄ノズル51bから溶剤を噴射させる
だけでよい。When the removal of the resist on the long side GL side by the left and right removal nozzles 51 is completed, the solvent injection from each nozzle is stopped so that the left and right removal nozzles 51 do not interfere with the rotation of the substrate G. Evacuate. Next, the substrate G is rotated 90 ° counterclockwise or rightward, and the resist solution on the short side GS side is removed. In this case, since the resist solutions R1 and R2 attached to the back surface of the corner have already been removed, it is only necessary to spray the solvent from the front surface cleaning nozzle 51a and the back surface cleaning nozzle 51b.
【0090】このように、裏面側に付着したレジスト液
の付着場所・領域に対応して予め決められた範囲で補助
洗浄ノズル51c〜51fの溶剤噴射を制御することに
より、必要最小限の溶剤使用量により、不要レジストを
溶解除去することが可能となる。また、溶剤の温度や蒸
発により基板Gの温度が大きく変化し、表面のレジスト
膜の膜厚が必要以上に変動しないようにするためでもあ
る。As described above, by controlling the solvent injection of the auxiliary cleaning nozzles 51c to 51f within a predetermined range corresponding to the place / area where the resist solution adhered to the back surface side, the minimum required amount of solvent is used. Depending on the amount, unnecessary resist can be dissolved and removed. It is also for preventing the temperature of the substrate G from being greatly changed by the temperature of the solvent or evaporation, so that the thickness of the resist film on the surface does not change more than necessary.
【0091】上記のように構成されるこの発明の処理装
置は単独の装置として使用できることは勿論であるが、
以下に説明するLCD基板の塗布・現像処理システムに
組込んで使用することができる。It goes without saying that the processing apparatus of the present invention configured as described above can be used as an independent apparatus.
It can be incorporated and used in the coating / developing processing system for LCD substrates described below.
【0092】上記塗布・現像処理システムは、図25に
示すように、基板Gを搬入・搬出するローダ部90と、
基板Gの第1処理部91と、中継部93を介して第1処
理部91に連設される第2処理部92とで主に構成され
ている。なお、第2処理部92には受渡し部94を介し
てレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露
光装置95が連設可能になっている。The coating / development processing system, as shown in FIG. 25, includes a loader section 90 for loading / unloading the substrate G,
The substrate G is mainly configured by a first processing unit 91 and a second processing unit 92 connected to the first processing unit 91 via a relay unit 93. An exposure device 95 for exposing a predetermined fine pattern on the resist film can be connected to the second processing section 92 via a transfer section 94.
【0093】上記ローダ部90は、未処理の基板Gを収
容するカセット96と、処理済みの基板Gを収容するカ
セット97を載置するカセット載置台98と、このカセ
ット載置台98上のカセット96,97との間で基板G
の搬出入を行うべく水平(X,Y)方向と垂直(Z)方
向の移動及び回転(θ)可能な基板搬出入ピンセット9
9とで構成されている。The loader section 90 has a cassette 96 for accommodating an unprocessed substrate G, a cassette mounting table 98 for mounting a cassette 97 for accommodating the processed substrate G, and a cassette 96 on the cassette mounting table 98. , 97 to substrate G
Substrate loading / unloading tweezers 9 capable of moving and rotating (θ) in horizontal (X, Y) and vertical (Z) directions for loading / unloading
It is composed of 9 and 9.
【0094】上記第1処理部91は、X,Y、Z方向の
移動及びθ回転可能な上記メインアーム80の搬送路1
02の一方の側に、基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄
装置120と、基板Gを高圧ジェット水で洗浄するジェ
ット水洗浄装置130と、基板Gの表面を疎水化処理す
るアドヒージョン処理装置105と、基板Gを所定温度
に冷却する冷却処理装置106とを配置し、搬送路10
2の他方の側に、この発明の処理装置を構成するレジス
ト塗布機構1と縁部除去機構2を具備する塗布処理装置
107及び塗布膜除去装置108を配置してなる。The first processing section 91 is a transport path 1 for the main arm 80 which is movable in X, Y and Z directions and is rotatable by θ.
On one side of 02, a brush cleaning device 120 for brush cleaning the substrate G, a jet water cleaning device 130 for cleaning the substrate G with high pressure jet water, and an adhesion treatment device 105 for hydrophobicizing the surface of the substrate G, A cooling processing device 106 for cooling the substrate G to a predetermined temperature is arranged, and the transfer path 10 is provided.
On the other side of 2, the coating processing apparatus 107 and the coating film removing apparatus 108 each including the resist coating mechanism 1 and the edge removing mechanism 2 which constitute the processing apparatus of the present invention are arranged.
【0095】一方、上記第2処理部92は、第1処理部
91と同様に、X,Y、Z方向の移動及びθ回転可能な
メインアーム80aを有し、このメインアーム80aの
搬送路102aの一方の側に、レジスト液塗布の前後で
基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行う加
熱処理装置109を配置し、搬送路102aの他方の側
に、現像装置110を配置している。On the other hand, the second processing section 92, like the first processing section 91, has a main arm 80a which is movable in the X, Y and Z directions and can be rotated by θ, and the transfer path 102a of the main arm 80a. A heat treatment device 109 that heats the substrate G before and after applying the resist solution to perform pre-baking or post-baking is arranged on one side, and a developing device 110 is arranged on the other side of the transport path 102a.
【0096】上記のように構成される第1処理部91及
び第2処理部92の上方はカバーによって覆われてお
り、処理部内に清浄化された空気が供給されるようにな
っている。The upper parts of the first processing part 91 and the second processing part 92 configured as described above are covered with a cover so that purified air is supplied into the processing part.
【0097】上記のように構成される塗布・現像処理シ
ステムにおいて、カセット96内に収容された未処理の
基板Gはローダ部90の搬出入ピンセット99によって
取出された後、第1処理部91のメインアーム80に受
け渡され、そして、ブラシ洗浄装置120内に搬送され
る。このブラシ洗浄装置120内にてブラシ洗浄された
基板Gは引続いてジェット水洗浄装置130内にて高圧
ジェット水により洗浄される。この後、基板Gは、アド
ヒージョン処理装置105にて疎水化処理が施され、冷
却処理装置106にて冷却された後、この発明に係るレ
ジスト塗布装置107の塗布機構1に搬入されて上述し
た手順でフォトレジストすなわち感光膜が塗布形成さ
れ、第2の搬送機構4の搬送アーム70によってこの発
明に係る塗布膜除去装置108の縁部除去機構2に搬送
されて基板Gの辺部の不要なレジスト膜が除去される。
そして、メインアーム80によって縁部除去機構2から
搬出される。この際、縁部のレジスト膜は除去されてい
るので、メインアーム80にレジストが付着することも
ない。In the coating / development processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 96 is taken out by the carry-in / take-out tweezers 99 of the loader section 90, and then the first processing section 91 is processed. It is delivered to the main arm 80 and then conveyed into the brush cleaning device 120. The substrate G brush-cleaned in the brush cleaning device 120 is subsequently cleaned in the jet water cleaning device 130 with high-pressure jet water. After that, the substrate G is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion processing device 105, cooled by the cooling processing device 106, and then carried into the coating mechanism 1 of the resist coating device 107 according to the present invention to carry out the procedure described above. Then, a photoresist, that is, a photosensitive film is coated and formed, and is transferred to the edge removing mechanism 2 of the coating film removing apparatus 108 according to the present invention by the transfer arm 70 of the second transfer mechanism 4 to remove unnecessary resist on the side of the substrate G. The film is removed.
Then, it is carried out from the edge removing mechanism 2 by the main arm 80. At this time, since the resist film on the edge is removed, the resist does not adhere to the main arm 80.
【0098】その後、フォトレジストが加熱処理装置1
09にて加熱されてベーキング処理が施された後、露光
装置95にて所定のパターンが露光される。そして、露
光後の基板Gは現像装置110内へ搬送され、現像液に
より現像された後にリンス液により現像液を洗い流し、
現像処理を完了する。After that, the photoresist is processed by the heat treatment apparatus 1
After being heated at 09 and subjected to a baking process, a predetermined pattern is exposed at the exposure device 95. Then, the exposed substrate G is conveyed into the developing device 110, developed with the developing solution, and then rinsed with the rinse solution.
The development process is completed.
【0099】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部90のカセット97内に収容された後に、搬出されて
次の処理工程に向けて移送される。The developed and processed substrate G is accommodated in the cassette 97 of the loader section 90, then carried out and transferred to the next processing step.
【0100】上記実施例では、この発明に係る塗布機構
1を具備する塗布処理装置107と、この発明に係る縁
部除去機構2を具備する塗布膜除去装置108とを1組
設けたLCD基板の塗布・現像システムについて説明し
たが、塗布処理装置107と塗布膜除去装置108を2
組以上設けることも可能である。この場合、塗布処理装
置107と塗布膜除去装置108とを並設してもよい
が、設置スペースを少なくるためには、塗布処理装置1
07と塗布膜除去装置108とを積層させた構造として
もよい。このように塗布処理装置107と塗布膜除去装
置108を積層させる構造においては、メインアーム8
0,80aを上段の各装置107,108まで上昇可能
にする以外は、上記実施例と同じにすればよい。In the above-described embodiment, the LCD substrate provided with one set of the coating processing apparatus 107 having the coating mechanism 1 according to the present invention and the coating film removing apparatus 108 having the edge removing mechanism 2 according to the present invention. The coating / developing system has been described.
It is also possible to provide more than one set. In this case, the coating processing apparatus 107 and the coating film removing apparatus 108 may be installed in parallel, but in order to reduce the installation space, the coating processing apparatus 1
07 and the coating film removing device 108 may be laminated. In the structure in which the coating processing apparatus 107 and the coating film removing apparatus 108 are stacked in this manner, the main arm 8
It may be the same as the above-mentioned embodiment except that 0, 80a can be moved up to the respective devices 107, 108 in the upper stage.
【0101】なお、上記実施例では、左右一対の除去ノ
ズル51により、最初に基板Gの長辺側の不要な端部の
レジスト膜を溶解して除去し、次に、基板Gを90°回
転させて短辺側の不要なレジスト膜を溶解して除去する
例について説明したが、除去ノズルを例えば4個設け、
基板Gの四辺の不要なレジスト膜を、同時に溶解して除
去するように構成してもよい。In the above embodiment, the pair of left and right removal nozzles 51 first dissolves and removes the resist film at the unnecessary end portion on the long side of the substrate G, and then rotates the substrate G by 90 °. Although an example of dissolving and removing the unnecessary resist film on the short side has been described above, for example, four removal nozzles are provided,
The unnecessary resist films on the four sides of the substrate G may be simultaneously dissolved and removed.
【0102】例えば、図19に示すように、除去ノズル
151A,151B,151C,151Dを設ける。な
お、この4個の除去ノズルの構成、移動機構等は同一構
成のため、ここでは除去ノズル151A部分についての
み説明し、他の詳細な説明は省略する。For example, as shown in FIG. 19, removal nozzles 151A, 151B, 151C and 151D are provided. Since the four removing nozzles have the same configuration, moving mechanism, and the like, only the removing nozzle 151A will be described here, and the other detailed description will be omitted.
【0103】除去ノズル151Aは、図のY方向に延在
するごとく設けられたガイドレール152Aに摺動可能
に取付けられたスライド部材153Aに取着されてい
る。このスライド部材153Aは、ワイヤー,チェー
ン,ベルト,ボールねじやステッピングモータ,エアー
シリンダー,超音波モーター,超電導リニアモーター等
を使用した移動機構(図示せず)により、Y方向に往復
移動可能に構成されている。The removal nozzle 151A is attached to a slide member 153A slidably attached to a guide rail 152A provided so as to extend in the Y direction in the figure. The slide member 153A is reciprocally movable in the Y direction by a moving mechanism (not shown) using a wire, a chain, a belt, a ball screw, a stepping motor, an air cylinder, an ultrasonic motor, a superconducting linear motor, or the like. ing.
【0104】また、除去ノズル151Aは、図20に示
すように、図13に示した除去ノズル51と概ね同じ構
成であるので、ここでは異なる部分を主として説明す
る。表面洗浄用のノズル151a、裏面洗浄用のノズル
151bの他に、基板Gの端面(側面)部を洗浄するた
めの端面洗浄用のノズル151gが内部に設けられてお
り、各ノズルは溶剤の各供給路に挿入された開閉バルブ
(図示せず)により、独立して溶剤供給の断続、供給量
が制御可能に構成されている。Further, as shown in FIG. 20, the removing nozzle 151A has substantially the same structure as the removing nozzle 51 shown in FIG. 13, and therefore the different parts will be mainly described here. In addition to the front surface cleaning nozzle 151a and the back surface cleaning nozzle 151b, an end surface cleaning nozzle 151g for cleaning the end surface (side surface) of the substrate G is provided inside, and each nozzle is provided with a solvent An open / close valve (not shown) inserted in the supply path is configured to independently control the on / off of the solvent supply and the supply amount.
【0105】更に、噴頭153の基板G側端部の前方位
置には、基板G上面側にガス噴射ノズル154が、基板
G下面側にはガス噴射ノズル155が、その噴射方向が
噴頭153方向、すなわち基板Gの周辺外側方向になる
ように配置されている。そして、噴射されたガスは、噴
頭153内を通り、排気管156から排気される。Further, a gas injection nozzle 154 is provided on the upper surface side of the substrate G, a gas injection nozzle 155 is provided on the lower surface side of the substrate G, and the injection direction thereof is the direction of the injection head 153, in front of the end portion of the injection head 153 on the substrate G side. That is, they are arranged so as to be in the outer peripheral direction of the substrate G. Then, the injected gas passes through the inside of the injection head 153 and is exhausted from the exhaust pipe 156.
【0106】更に、図19に示すように、除去ノズル1
51Aの両側方には、基板Gの長辺Aの基板G中心方向
から上面周辺部に向ってガスを噴射する乾燥用ガス噴射
ノズル157A,158Aが、例えば除去ノズル151
Aと共にY方向に移動可能なように取付部材(図示せ
ず)により設けられている。なお、図19では上記乾燥
用ガスノズル157A,158Aは基板Gの外側に示さ
れているが、基板Gの搬入・搬出に支障をきたさない任
意の位置に配置する。Further, as shown in FIG. 19, the removal nozzle 1
On both sides of 51A, drying gas injection nozzles 157A and 158A for injecting gas from the central direction of the substrate G of the long side A of the substrate G toward the peripheral portion of the upper surface are provided, for example, the removal nozzle 151.
It is provided by a mounting member (not shown) so as to be movable in the Y direction together with A. Although the drying gas nozzles 157A and 158A are shown on the outside of the substrate G in FIG. 19, the drying gas nozzles 157A and 158A are arranged at arbitrary positions that do not hinder the loading and unloading of the substrate G.
【0107】他の除去ノズル151B,151C,15
1Dについては、除去ノズル151Aと構成は同じであ
り、除去ノズル151Aの各部に対応させて符号を付し
ている。なお、上記各ノズルは、それぞれ基板Gの短辺
B,長辺C,短辺Dの縁部の不要なレジストを溶解して
除去するためのノズルである。Other removal nozzles 151B, 151C, 15
1D has the same configuration as the removal nozzle 151A, and the reference numeral is assigned to each part of the removal nozzle 151A. The nozzles are nozzles for dissolving and removing unnecessary resist on the edges of the short side B, the long side C, and the short side D of the substrate G, respectively.
【0108】次に、上記のように構成された縁部除去機
構2Aの不要レジストの除去手順等について説明する。
図1に示す塗布機構1によって上面にレジスト膜が塗布
形成された基板Gを搬送アーム70によって上記縁部除
去機構2Aの載置台159に、長辺がY方向、短辺がX
方向と平行となるように載置し、吸着保持する。Next, a procedure for removing unnecessary resist by the edge removing mechanism 2A having the above-described structure will be described.
The substrate G having a resist film formed on the upper surface by the coating mechanism 1 shown in FIG. 1 is transferred to the mounting table 159 of the edge removing mechanism 2A by the transfer arm 70, with the long side in the Y direction and the short side in the X direction.
Place it so that it is parallel to the direction, and hold it by suction.
【0109】搬送アーム70が待機位置へ後退した後、
縁部除去機構2Aの各除去ノズル151A,151B,
151C,151Dが四辺の縁部にセットされ、各辺に
沿って同時に移動しながらレジスト溶剤を縁部に噴射し
て不要なレジスト膜を溶解して除去する。After the transfer arm 70 retracts to the standby position,
Each removal nozzle 151A, 151B of the edge removal mechanism 2A,
151C and 151D are set at the edges of the four sides, and the resist solvent is sprayed to the edges while simultaneously moving along the edges to dissolve and remove the unnecessary resist film.
【0110】この除去に際し、洗浄用の各ノズルからの
溶剤の噴射は、基板Gの端部のレジスト付着状況に対応
して制御してもよい。例えば、基板Gの端面及び裏面周
辺部にレジストの付着が無く、溶解除去する必要がない
場合には、表面洗浄用のノズル151aのみ溶剤を噴射
させる。At the time of this removal, the injection of the solvent from each cleaning nozzle may be controlled in accordance with the resist adhesion state at the edge of the substrate G. For example, when the resist does not adhere to the end surface and the peripheral portion of the back surface of the substrate G and there is no need to dissolve and remove the resist, the solvent is sprayed only from the front surface cleaning nozzle 151a.
【0111】端面にもレジストが付着している場合に
は、端面洗浄用のノズル151gからも溶剤を噴射さ
せ、更に、裏面周辺部にもレジストが付着している場合
には、裏面洗浄用のノズル151bからも溶剤を噴射さ
せる。When the resist is also attached to the end face, the solvent is jetted from the end face cleaning nozzle 151g, and when the resist is also attached to the periphery of the back face, the back face cleaning nozzle is used. The solvent is also jetted from the nozzle 151b.
【0112】また、基板Gの端面、裏面周辺部に付着し
ているレジスト膜の付着場所が予め分っている場合に
は、除去ノズル151Aがこの場所付近を移動する際
に、端面洗浄用ノズル151gや裏面洗浄用のノズル1
51bから溶剤を噴射するように制御してもよい。これ
により、溶剤の消費量を低減させることが可能となる。
また、上述したように、表面のレジスト膜厚の変動を防
止することも可能となる。In addition, when the attachment position of the resist film attached to the peripheral portion of the end surface and the back surface of the substrate G is known in advance, when the removal nozzle 151A moves near this location, the end surface cleaning nozzle is used. 151g and backside cleaning nozzle 1
You may control so that a solvent may be sprayed from 51b. This makes it possible to reduce the consumption of the solvent.
Further, as described above, it is possible to prevent the fluctuation of the resist film thickness on the surface.
【0113】更に、上記溶解除去中に、ガス噴射ノズル
154,155から例えば窒素(N2)ガスを噴射させ
ると、基板G周辺に向い噴頭153内に吸引されるN2
ガスの流れが存在するため、表面洗浄用のノズル151
a、端面洗浄用のノズル151g、裏面洗浄用のノズル
151bから噴射された溶剤や発生した気泡等が基板G
の中心側に飛散しようとしても、上記N2ガスの流れに
よって噴頭側に向って排出され、基板G面に飛来付着す
るのを防止することができる。Further, when nitrogen (N 2 ) gas, for example, is jetted from the gas jet nozzles 154 and 155 during the above-mentioned dissolution and removal, N 2 which is sucked into the jet head 153 toward the periphery of the substrate G.
Since there is a gas flow, the nozzle 151 for surface cleaning
a, the solvent 151 ejected from the end surface cleaning nozzle 151g, and the back surface cleaning nozzle 151b, bubbles generated, etc.
Even if it is attempted to scatter toward the center of the substrate, it is possible to prevent the N 2 gas from discharging toward the jet head side and flying and adhering to the surface of the substrate G.
【0114】また、乾燥用ガスノズル157Aから例え
ば加熱したN2ガスを、除去ノズル151Aでの溶剤に
よる溶解除去に先立って、基板G周辺部のレジスト膜に
向って噴射し、乾燥させておくことにより、溶解除去後
のレジスト膜のエッジ部分でのレジストの盛り上りの発
生を抑制することも可能となる。Further, for example, heated N 2 gas is sprayed from the drying gas nozzle 157A toward the resist film on the peripheral portion of the substrate G and dried before being dissolved and removed by the solvent in the removal nozzle 151A. It is also possible to suppress the rise of the resist at the edge portion of the resist film after dissolution and removal.
【0115】更に、乾燥用ガスノズル158Aから例え
ば加熱したN2ガスを、レジスト膜が溶解除去された後
の基板Gの周辺部分に噴射させることにより、基板G及
びレジスト膜を乾燥する。この乾燥により、溶剤は直ち
に蒸発し、レジスト膜のエッジ部分が乾燥するため、不
必要な溶解もなく、エッジ部分のレジスト膜も安定す
る。Further, the substrate G and the resist film are dried by injecting, for example, heated N 2 gas from the drying gas nozzle 158A onto the peripheral portion of the substrate G after the resist film is dissolved and removed. By this drying, the solvent immediately evaporates and the edge portion of the resist film is dried, so that there is no unnecessary dissolution and the resist film on the edge portion is also stable.
【0116】上記説明では、除去ノズル151Aについ
てのみ説明したが、他の除去ノズル151B,151
C,151Dについても同様のことが言えるので、説明
を省略する。In the above description, only the removing nozzle 151A has been described, but the other removing nozzles 151B and 151B.
Since the same can be said for C and 151D, description thereof will be omitted.
【0117】また、各除去ノズル151A,151B,
151C,151Dの移動機構として、独立した移動機
構を設けた例について説明したが、四辺を同時に溶解除
去できるものであれば他の機構でもよく、例えば除去ノ
ズル151Aと151C,151Bと151Dとをそれ
ぞれ共通の機構に取着し、2つの移動機構で移動可能に
構成してもよい。更に、除去ノズル151A,151
B,151C,151Dの全部を共通の1つの移動機構
で移動可能に構成してもよい。Further, the removal nozzles 151A, 151B,
Although an example in which an independent moving mechanism is provided as the moving mechanism of 151C and 151D has been described, other mechanisms may be used as long as they can simultaneously dissolve and remove four sides, for example, the removing nozzles 151A and 151C, 151B and 151D, respectively. It may be attached to a common mechanism and configured to be movable by two moving mechanisms. Further, the removal nozzles 151A, 151
All of B, 151C and 151D may be configured to be movable by one common moving mechanism.
【0118】なお、上記独立した移動機構の場合、各移
動速度は各辺のレジストの付着状況等により、独立して
設定制御してもよい。In the case of the above-mentioned independent moving mechanism, each moving speed may be set and controlled independently depending on the adhesion state of the resist on each side.
【0119】更に、図19では、基板Gの長辺をY方向
と平行になるように保持しているが、短辺をY方向と平
行になるように保持し、各除去ノズル151A,151
B,151C,151Dをそれに対応して配置してもよ
い。例えば、各除去ノズルをエアーシリンダー等を使用
あるいはストローク調整可能な構造にすることにより、
伸縮させて対応する。Further, in FIG. 19, the long side of the substrate G is held so as to be parallel to the Y direction, but the short side is held so as to be parallel to the Y direction, and the removal nozzles 151A and 151A are held.
B, 151C and 151D may be arranged correspondingly. For example, by using an air cylinder etc. for each removal nozzle or making the stroke adjustable structure,
Stretch to accommodate.
【0120】更に、基板G、溶剤、N2ガスを溶解に最
適な温度に温調して、レジスト膜の溶解除去を促進させ
てもよい。基板Gの温調としては、例えば、基板Gの周
囲を温調した雰囲気にしたり、基板G上面に温調したク
リーンエアーやN2ガスを供給したり、基板G裏面に温
調したクリーンエアーやN2ガスを供給したり、載置台
159により温調したり、赤外線、マイクロ波等により
温調する。Further, the temperature of the substrate G, the solvent and the N 2 gas may be adjusted to the optimum temperature to dissolve and remove the resist film. As the temperature control of the substrate G, for example, a temperature controlled atmosphere is provided around the substrate G, temperature controlled clean air or N 2 gas is supplied to the upper surface of the substrate G, temperature controlled clean air on the back surface of the substrate G, or the like. N 2 gas is supplied, the temperature is adjusted by the mounting table 159, or the temperature is adjusted by infrared rays, microwaves, or the like.
【0121】更に、上記実施例では、基板Gの一辺に対
して1個の除去ノズルを設けた例について説明したが、
複数個例えば2個設けて移動距離を短くしたり、2回溶
解除去するように構成してもよい。この場合、溶剤の種
類を異ならせてもよい。また、溶解除去位置を異ならせ
てもよい。Further, in the above embodiment, an example in which one removal nozzle is provided on one side of the substrate G has been described.
A plurality of, for example, two may be provided to shorten the moving distance, or may be dissolved and removed twice. In this case, the type of solvent may be different. Further, the melting and removing position may be different.
【0122】更に、上記実施例では、基板Gは固定して
各除去ノズルを移動させる構成の例について説明した
が、基板Gを回転させ、それに対応して各除去ノズルを
伸縮、X,Y方向に移動させつつ四辺同時に溶解除去す
るように構成してもよい。Further, in the above-mentioned embodiment, the example in which the substrate G is fixed and the respective removal nozzles are moved has been described. However, the substrate G is rotated, and the respective removal nozzles are expanded / contracted in the X and Y directions. It may be configured such that the four sides are simultaneously melted and removed while being moved to.
【0123】また、上記実施例では、この発明の処理装
置及び処理方法をLCD基板の塗布処理に適用した場合
について説明したが、LCD基板以外の角形状被処理基
板に塗布液を塗布し、塗布された被処理基板の縁部の不
要な塗布膜を除去する方法及び装置にも適用できること
は勿論である。Further, in the above embodiment, the case where the processing apparatus and the processing method of the present invention are applied to the coating processing of the LCD substrate has been described. However, the coating liquid is applied to the rectangular substrate other than the LCD substrate to apply the coating liquid. Of course, it can be applied to a method and apparatus for removing an unnecessary coating film on the edge of the processed substrate.
【0124】[0124]
1)請求項1及び6記載の発明によれば、塗布機構に搬
入された角形基板の一面上に処理液を供給し拡散させ、
処理容器に蓋体を閉止して基板を処理容器内に封入した
後、蓋体が閉止された処理容器及び基板を回転させて、
塗布膜を形成し、その後、縁部除去機構に搬送して基板
の2辺の縁部の塗布膜を除去することができるので、塗
布膜の均一処理を行うことができると共に、製品歩留ま
りの向上を図ることができる。また、第1の搬送機構に
よって基板を塗布機構へ搬送すると共に縁部除去機構か
ら搬出し、塗布機構から縁部除去機構への搬送を第2の
搬送機構にて行うので、構成部材の削減が図れると共
に、装置の小型化が図れ、かつ、スループットの向上を
図ることができる。1) According to the inventions of claims 1 and 6, the treatment liquid is supplied and diffused on one surface of the rectangular substrate carried into the coating mechanism,
After closing the lid in the processing container and sealing the substrate in the processing container, the processing container and the substrate in which the lid is closed are rotated,
Since the coating film can be formed and then conveyed to the edge removing mechanism to remove the coating film on the edges of the two sides of the substrate, the coating film can be uniformly processed and the product yield can be improved. Can be achieved. Further, since the substrate is transported to the coating mechanism by the first transport mechanism, is carried out from the edge removing mechanism, and is transported from the coating mechanism to the edge removing mechanism by the second transport mechanism, the number of constituent members can be reduced. It is possible to reduce the size of the device and improve the throughput.
【0125】2)請求項2及び7記載の発明によれば、
塗布機構に搬入された基板の一面上に処理液の溶剤を塗
布して拡散させた後、基板上に処理液を供給し拡散さ
せ、処理容器に蓋体を閉止して、基板を処理容器内に封
入した後、蓋体が閉止された処理容器及び基板を回転さ
せて、塗布膜の膜厚を整えるので、上記1)に加えて塗
布液の少量化を図ることができる。2) According to the invention described in claims 2 and 7,
After the solvent of the processing liquid is applied and spread on one surface of the substrate carried into the coating mechanism, the processing liquid is supplied and diffused onto the substrate, the lid of the processing container is closed, and the substrate is placed inside the processing container. After sealing in, the processing container and the substrate with the lid closed are rotated to adjust the film thickness of the coating film. Therefore, in addition to the above 1), the amount of the coating liquid can be reduced.
【0126】3)請求項3及び8記載の発明によれば、
載置手段によって保持された基板の一辺の縁部の塗布膜
を除去した後、載置手段を回転させて基板の他の辺の縁
部の塗布膜を除去することができるので、基板の縁部の
不要な塗布膜を迅速かつ確実に除去することができ、製
品歩留まりの向上を図ることができる。3) According to the invention described in claims 3 and 8,
After removing the coating film on the edge portion of one side of the substrate held by the mounting means, the mounting film can be rotated to remove the coating film on the edge portion of the other side of the substrate. Unnecessary coating film can be removed quickly and surely, and the product yield can be improved.
【0127】4)請求項4及び9記載の発明によれば、
縁部除去機構に、被処理基板の角部裏面に除去液を噴射
する補助洗浄ノズルを設けることにより、被処理基板の
角部裏面に付着した塗布膜を除去することができるの
で、上記3)に加えて基板の角部裏面に付着した塗布膜
を除去することができ、塗布膜の除去を更に確実にする
ことができる。4) According to the inventions of claims 4 and 9,
By providing the edge removal mechanism with an auxiliary cleaning nozzle that sprays a removal liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed, the coating film attached to the back surface of the corner of the substrate to be processed can be removed. In addition to that, the coating film attached to the back surface of the corner portion of the substrate can be removed, and the removal of the coating film can be further ensured.
【0128】5)請求項5記載の発明によれば、第1の
搬送機構又は第2の搬送機構のうちの少なくとも第2の
搬送機構を基板の辺部を真空吸着により保持するアーム
にて形成し、このアームの基板保持面に、真空吸引手段
に接続する吸引孔を設けると共に、この吸引孔に連通し
アームに対して垂直方向に変位可能な耐蝕性を有するパ
ッド部材を設けるので、基板の搬送を確実に行うことが
できると共に、搬送時における基板の接触部のパーティ
クルの発生や損傷等を抑制することができる。5) According to the invention described in claim 5, at least the second transfer mechanism of the first transfer mechanism or the second transfer mechanism is formed by an arm for holding the side portion of the substrate by vacuum suction. However, since a suction hole connected to the vacuum suction means is provided on the substrate holding surface of this arm, and a pad member which is in communication with this suction hole and is displaceable in the vertical direction with respect to the arm and having corrosion resistance is provided, It is possible to reliably perform the transfer, and it is possible to suppress the generation or damage of particles in the contact portion of the substrate during the transfer.
【図1】この発明の処理装置の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a processing apparatus of the present invention.
【図2】この発明における塗布機構の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a coating mechanism according to the present invention.
【図3】図2の要部拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a main part of FIG.
【図4】この発明における処理容器と蓋体を示す一部断
面斜視図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional perspective view showing a processing container and a lid according to the present invention.
【図5】この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端
部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing different modified examples of the tip portion of the resist liquid supply nozzle according to the present invention.
【図6】処理装置に使用されている噴頭を拡大して示す
斜視図である。FIG. 6 is an enlarged perspective view showing a jet nozzle used in the processing apparatus.
【図7】噴頭の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a jet nozzle.
【図8】処理液の滴下方法の他の一例を示す概略断面図
である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing another example of the dropping method of the treatment liquid.
【図9】処理液の滴下方法の更に他の一例を示す概略断
面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing still another example of the dropping method of the treatment liquid.
【図10】この発明における第2の搬送機構を示す概略
斜視図である。FIG. 10 is a schematic perspective view showing a second transport mechanism according to the present invention.
【図11】第2の搬送機構の要部平面図及びその断面図
である。11A and 11B are a plan view and a cross-sectional view of a main part of a second transport mechanism.
【図12】この発明における縁部除去機構を示す側面図
である。FIG. 12 is a side view showing an edge removing mechanism according to the present invention.
【図13】この発明における除去ノズルの一部を断面で
示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing a cross section of a part of the removal nozzle according to the present invention.
【図14】除去ノズルの概略斜視図である。FIG. 14 is a schematic perspective view of a removal nozzle.
【図15】この発明における補助洗浄ノズルの取付状態
を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing a mounting state of an auxiliary cleaning nozzle according to the present invention.
【図16】補助洗浄ノズルの異なる取付状態を示す概略
平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view showing a different mounting state of the auxiliary cleaning nozzle.
【図17】補助洗浄ノズルの別の形態の一部を断面で示
す側面図及び洗浄の具体例の説明図である。FIG. 17 is a side view showing a part of another form of the auxiliary cleaning nozzle in cross section and an explanatory view of a specific example of cleaning.
【図18】補助洗浄ノズルの更に別の形態を示す斜視図
である。FIG. 18 is a perspective view showing still another form of the auxiliary cleaning nozzle.
【図19】縁部除去機構の別の実施例を示す概略平面図
である。FIG. 19 is a schematic plan view showing another embodiment of the edge removing mechanism.
【図20】除去ノズルの別の形態を断面で示す側面図で
ある。FIG. 20 is a side view showing in cross section another form of the removal nozzle.
【図21】この発明における第1の搬送機構のメインア
ームの要部を示す斜視図である。FIG. 21 is a perspective view showing the main part of the main arm of the first transport mechanism according to the present invention.
【図22】メインアームの駆動機構を示す側面図であ
る。FIG. 22 is a side view showing a drive mechanism of the main arm.
【図23】この発明の処理方法の手順を示すフローチャ
ートである。FIG. 23 is a flowchart showing the procedure of the processing method of the present invention.
【図24】この発明の縁部塗布膜の除去方法の手順を示
す説明図である。FIG. 24 is an explanatory view showing a procedure of a method for removing an edge coating film of the present invention.
【図25】この発明の処理装置を適用したLCD基板の
塗布・現像システムの一例を示す斜視図である。FIG. 25 is a perspective view showing an example of an LCD substrate coating / developing system to which the processing apparatus of the present invention is applied.
G LCD基板(被処理基板) 1 塗布機構 2,2A 縁部除去機構 3 第1の搬送機構 4 第2の搬送機構 10 スピンチャック(保持手段) 12 回転カップ(処理容器) 16 蓋体 40 溶剤供給ノズル(溶剤供給手段) 42 レジスト液供給ノズル(塗布液供給手段) 50 載置台(載置手段) 51 除去ノズル 51a ノズル(表面洗浄ノズル) 51b ノズル(裏面洗浄ノズル) 51A,51c〜51f 補助洗浄ノズル 70 搬送アーム 70a 吸引孔 70c パッド部材 80 メインアーム G LCD substrate (substrate to be treated) 1 coating mechanism 2, 2A edge removal mechanism 3 first transport mechanism 4 second transport mechanism 10 spin chuck (holding means) 12 rotating cup (treatment container) 16 lid 40 solvent supply Nozzle (solvent supply means) 42 Resist liquid supply nozzle (coating liquid supply means) 50 Mounting table (mounting means) 51 Removal nozzle 51a Nozzle (front surface cleaning nozzle) 51b Nozzle (back surface cleaning nozzle) 51A, 51c to 51f Auxiliary cleaning nozzle 70 Transfer Arm 70a Suction Hole 70c Pad Member 80 Main Arm
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/30 564D (72)発明者 立山 清久 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 の4 東京エレクトロン九州株式会社大津 事業所内 (72)発明者 大森 伝 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 の4 東京エレクトロン九州株式会社大津 事業所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication location H01L 21/30 564D (72) Inventor Kiyohisa Tateyama Otsu-machi, Kikuchi-gun, Kumamoto 4 of Takaheoji 272 Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Otsu Office (72) Inventor Omori Den Otsu Town, Kumamoto Prefecture Otsu-machi Takao-no 4 Heisei 272 4 Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Otsu Office
Claims (9)
持する水平回転及び垂直移動可能な保持手段と、この保
持手段を包囲するカップ状をなし保持手段と共に回転す
る処理容器及びこの処理容器の開口部を閉止する蓋体と
を有する塗布機構と、 上記被処理基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、 上記塗布液の塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部
に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と、 上記塗布機構への被処理基板の搬入と上記縁部除去機構
からの被処理基板の搬出を行う第1の搬送機構と、 上記塗布機構から縁部除去機構へ被処理基板を搬送する
第2の搬送機構と、を具備することを特徴とする処理装
置。1. A holding means capable of horizontally rotating and vertically moving, holding one surface of a square substrate to be treated facing upward, a processing container having a cup shape surrounding the holding means and rotating together with the holding means, and this processing. A coating mechanism having a lid that closes the opening of the container, a coating liquid supply unit that supplies a coating liquid to the substrate to be processed, and an edge portion of the substrate to be processed on which a coating film of the coating liquid is formed. An edge removing mechanism that sprays a removing liquid to remove the coating film; a first transport mechanism that carries in the substrate to be processed into the coating mechanism and unloads the substrate to be processed from the edge removing mechanism; A second transport mechanism that transports the substrate to be processed from the coating mechanism to the edge removing mechanism, the processing apparatus.
持する水平回転及び垂直移動可能な保持手段と、この保
持手段を包囲するカップ状をなし保持手段と共に回転す
る処理容器及びこの処理容器の開口部を閉止する蓋体と
を有する塗布機構と、 上記被処理基板に塗布液の溶剤を供給する溶剤供給手段
と、 上記被処理基板に塗布液を供給する塗布液供給手段と、 上記塗布液の塗布膜が形成された上記被処理基板の縁部
に除去液を噴射して塗布膜を除去する縁部除去機構と、 上記塗布機構への被処理基板の搬入と上記縁部除去機構
からの被処理基板の搬出を行う第1の搬送機構と、 上記塗布機構から縁部除去機構へ被処理基板を搬送する
第2の搬送機構と、を具備することを特徴とする処理装
置。2. A horizontally rotating and vertically movable holding means for holding one surface of a square substrate to be treated facing upward, a processing container which has a cup shape surrounding the holding means and rotates together with the holding means, and the processing. A coating mechanism having a lid that closes the opening of the container; a solvent supply unit that supplies a solvent for the coating liquid to the substrate to be processed; a coating liquid supply unit that supplies the coating liquid to the substrate to be processed; An edge removal mechanism that removes the coating film by spraying a removal liquid onto the edge portion of the substrate to be processed on which the coating film of the coating liquid is formed, and the loading of the substrate to be processed into the coating mechanism and the edge removal mechanism. A processing apparatus comprising: a first transfer mechanism that carries out a substrate to be processed from the substrate; and a second transfer mechanism that transfers the substrate to be processed from the coating mechanism to an edge removing mechanism.
可能に保持する載置手段と、被処理基板の辺に沿って移
動すると共に、被処理基板の縁部に除去液を噴射するノ
ズルとで構成したことを特徴とする請求項1又は2記載
の処理装置。3. The edge removing mechanism is moved along a side of the substrate to be placed, which holds the substrate to be processed horizontally, and at the same time, the removing liquid is sprayed onto the edge of the substrate to be processed. The processing device according to claim 1 or 2, wherein the processing device comprises a nozzle.
可能に保持する載置手段と、被処理基板の辺に沿って移
動すると共に、被処理基板の縁部に除去液を噴射するノ
ズルと、被処理基板の角部裏面に除去液を噴射する補助
洗浄ノズルとで構成したことを特徴とする請求項1又は
2記載の処理装置。4. An edge removing mechanism is moved along a side of the substrate to be placed, which holds the substrate to be processed horizontally, and at the same time, a removing liquid is sprayed onto the edge of the substrate to be processed. 3. The processing apparatus according to claim 1, comprising a nozzle and an auxiliary cleaning nozzle that sprays a removing liquid onto the back surface of the corner of the substrate to be processed.
ちの少なくとも第2の搬送機構を被処理基板の辺部を真
空吸着により保持するアームにて形成し、このアームの
基板保持面に、真空吸引手段に接続する吸引孔を設ける
と共に、この吸引孔に連通しアームに対して垂直方向に
変位可能なパッド部材を設けたことを特徴とする請求項
1又は2記載の処理装置。5. At least a second transfer mechanism of the first transfer mechanism or the second transfer mechanism is formed by an arm that holds a side portion of a substrate to be processed by vacuum suction, and a substrate holding surface of this arm. 3. The processing apparatus according to claim 1, further comprising a suction hole connected to the vacuum suction means, and a pad member which is connected to the suction hole and which can be displaced in a vertical direction with respect to the arm.
く被処理基板を搬入する工程と、 上記被処理基板に塗布液を供給し、回転させて被処理基
板の一面に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容器
内に封入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び被処理基板を回転さ
せて、塗布膜の膜厚を整える工程と、 塗布膜が形成された上記被処理基板を縁部除去機構へ搬
送する工程と、 上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜
を除去する工程と、 上記縁部除去機構から被処理基板を搬出する工程と、を
有することを特徴とする処理方法。6. A step of loading a substrate to be processed to hold it on a holding means in a processing container; a step of supplying a coating liquid to the substrate to be processed and rotating it to diffuse it onto one surface of the substrate to be processed. A step of closing the lid of the processing container and sealing the substrate to be treated in the treatment container, and a step of rotating the treatment container and the substrate of which the lid is closed to adjust the film thickness of the coating film. And a step of transporting the substrate to be processed on which the coating film is formed to an edge removing mechanism, a step of spraying a removing liquid onto the edge of the substrate to be processed to remove the coating film on the edge, And a step of unloading the substrate to be processed from the part removing mechanism.
く被処理基板を搬入する工程と、 上記被処理基板の一面上に塗布液の溶剤を供給する工程
と、 上記被処理基板に塗布液を供給し、回転させて被処理基
板の一面に拡散させる工程と、 上記処理容器に蓋体を閉止して、被処理基板を処理容器
内に封入する工程と、 上記蓋体が閉止された処理容器及び被処理基板を回転さ
せて、塗布膜の膜厚を整える工程と、 塗布膜が形成された上記被処理基板を縁部除去機構へ搬
送する工程と、 上記被処理基板の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜
を除去する工程と、 上記縁部除去機構から被処理基板を搬出する工程と、を
有することを特徴とする処理方法。7. A step of loading a substrate to be processed to hold it on a holding means in a processing container, a step of supplying a solvent of a coating liquid onto one surface of the substrate to be processed, and a coating liquid to the substrate to be processed. The step of supplying and rotating the substrate to be diffused on one surface of the substrate to be processed, the step of closing the lid of the processing container to seal the substrate to be processed in the processing container, and the treatment in which the lid is closed. A process of rotating the container and the substrate to be processed to adjust the film thickness of the coating film, a process of transporting the substrate to be processed on which the coating film is formed to an edge removing mechanism, and a removal to the edge of the substrate to be processed. A processing method comprising: a step of spraying a liquid to remove a coating film on an edge portion; and a step of unloading a substrate to be processed from the edge portion removing mechanism.
された被処理基板の第1の辺の縁部に除去液を噴射して
塗布膜を除去する第1の除去工程と、被処理基板の第2
の辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する
第2の除去工程とを有することを特徴とする請求項6又
は7記載の処理方法。8. A first removing step of removing a coating film by injecting a removing liquid onto an edge portion of a first side of a substrate to be processed on which the coating film is formed, Second of processed substrate
The second removing step of spraying a removing liquid to the edge portion of the side to remove the coating film on the edge portion, the treatment method according to claim 6 or 7.
された被処理基板の第1の辺の縁部に除去液を噴射して
塗布膜を除去する第1の除去工程と、被処理基板の第2
の辺の縁部に除去液を噴射して縁部の塗布膜を除去する
第2の除去工程と、被処理基板の角部裏面に除去液を噴
射して角部裏面に付着する塗布膜を除去する補助除去工
程とを有することを特徴とする請求項6又は7記載の処
理方法。9. A first removing step of removing a coating film by spraying a removing liquid onto an edge portion of a first side of a substrate to be processed on which the coating film is formed, the step of removing the coating film, Second of processed substrate
The second removing step of spraying the removing liquid onto the edge of the side of the substrate to remove the coating film on the edge, and the removing film is sprayed on the back surface of the corner of the substrate to be processed to attach the coating film to the back surface of the corner. 8. The processing method according to claim 6, further comprising an auxiliary removing step of removing.
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- 1995-04-12 JP JP11133095A patent/JP3189087B2/en not_active Expired - Fee Related
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