JPH0828196B2 - 電子検出装置 - Google Patents

電子検出装置

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JPH0828196B2
JPH0828196B2 JP62212645A JP21264587A JPH0828196B2 JP H0828196 B2 JPH0828196 B2 JP H0828196B2 JP 62212645 A JP62212645 A JP 62212645A JP 21264587 A JP21264587 A JP 21264587A JP H0828196 B2 JPH0828196 B2 JP H0828196B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は検出すべき電子を平行にする磁界を発生し得
る測定スペース内に置かれた検査すべき物体の表面から
出る電子を検出する装置に関するものである。
斯かる装置は「Journal Vac.Sci en Techn.」B4,No.
1,1−２月、1986年,PP217−220に発表されているS.C.J.
Garth及びW.C.Nixonの論文“Magnetic field extractio
n of secondary electrons for accurate integrated c
ircuit voltage measurement"から既知である。
この論文に開示されているチップ検査用装置は、対物
レンズと検査すべきチップとの間に位置する減速電界エ
ネルギーアナライザと単ポール磁気レンズ（スノーケル
レンズ）とを有する走査電子顕微鏡を具え、その結果と
して測定を妨害するチップ表面の局部クロストーク効果
が減少し、チップ表面から出る電子が平行になるように
している。
この既知の装置の欠点は、スノーケルレンズは軸方向
に延在するビームに対して作用し得るのみでオフアクシ
スビームに対しては殆ど又は全く作用し得ないため、視
野が著しく制限されると共にオフアクシス測定が不正確
になる点にある。また、測定は選択した減速電界後に行
われるため、電子のエネルギースペクトルの縁の鋭さが
低下し、これにより測定精度又は測定速度が制限され
る。更に、既知の測定方法は全電流に対し正規化ができ
ず、その結果として一次電子ビーム、二次電子放出係数
等の変動が測定精度に悪影響を及ぼし得る。
斯かる装置においては、約1KeVの一次エネルギー及び
約10-8Aの一次電流でもって約0.1μｍの電子スポットを
検査すべき物体上に実現し得る必要がある。また、低静
電界のときに少なくとも1mm2の視野、最大で10meVのエ
ネルギー分解能、小さいトラッククロストーク及び電圧
走査中におけるチップ上のスポット運動の制限が望まれ
る。
本発明の目的は上記の欠点を除去し、課される要件を
最適に満足させることにある。この目的のために、本発
明は頭書に記載の装置において、検査すべき物体の表面
から出る戻り電子ビームのエネルギーレンジ内の可調整
エネルギーレンジ内に含まれる電子を選択的に検出する
ために、測定スペース内に空間分散作用を持つ複合静電
磁界を発生する電子光学系及びエネルギー感応検出系を
設けたことを特徴とする。
本発明装置によれば物体から出る電子の全スペクトル
を測定することができ、その結果として全電流に対しそ
のまま正規化することができ、エネルギー分布の最適な
急傾斜エッジをエネルギーシフトの測定に選択すること
ができると共に測定信号の信号対雑音比を著しく改善す
ることができる。
本発明の好適例においては、電子光学系は前記分散磁
界の区域に前記分散磁界の軸方向強度変化に比例する横
方向磁界を発生する手段を具えた構成にする。この結果
としてレンズ磁界の磁気光学軸をその機械軸に対しシフ
トさせることが可能になる。特にこの目的のためには可
変光軸レンズ系が使われており、例えば「Journ.Vac.Sc
i.Technol」19（４）,Nov.−Dec.1981に発表されている
H.C.Pfeiffir and G.O.Langerの論文“Advanced deflec
tion concept for lange area,high resolution e−bea
m lithography"に記載されているように、特に電子ビー
ム書込装置において物体を動かさないで垂直にランディ
ングする大きな区域を実現するのに使われている。斯か
るレンズ系においては例えば色収差の顕著な減少を実現
することができ、その結果として電子測定を比較的大き
な区域に亘って最適にできる。
本発明の好適例においては、所定のエネルギー以上の
電子に対してのみ透明な電子遅延用静電界を加える。こ
の結果としてスペクトルの高エネルギー側のエネルギー
レンジを依然としてエネルギー依存のままで測定するこ
とができる。その境界を適当に選択して所定のプロセス
で表面から釈放された特定の電子又は表面で反射された
特定の電子を測定することができる。本発明を電子顕微
鏡に使用する場合には、電式光学系をその磁気部が電子
顕微鏡の対物レンズとしても作用するように設計するの
が好適である。この場合、コンパクトで効率の良い装置
を設計することができる。
本発明の他の好適例においては、エネルギー感応検出
系は少なくとも２個の同時に動作するチャンネルを具
え、第１のチャンネルは所定値以上のエネルギーを有す
る電子を測定するよう設計し、第２のチャンネルは前記
所定値以下のエネルギーを有する電子を測定するよう説
明した構成にする。この結果として全スペクトルを複雑
な検出系を必要とすることなく測定することができる。
全スペクトルは多数のチャンネルを有する直線検出器ア
レーにより測定することもでき、この場合には各スペク
トルの直接測定が得られる。しかし、この場合検出が装
置の電子光学及び幾何光学的収差に一層敏感になり、信
号処理がかなり複雑になると共に時間がかかるようにな
る。多くの用途においては検出系は分散磁界中に置かれ
る点に留意されたい。例えば物体から放出されたオージ
ェ電子の測定に対しては位置感応検出器アレーが好適な
解決法である。オージェスペクトロメータに対しては電
子放出表面と検出系との間の静電界を用いて検出チャン
ネルの１つに、表面からオージェプロセスにより出る特
定のエネルギーレベルを有する電子のみが到達し得るよ
うにすることもできる。この場合、このエネルギーより
大きいエネルギーを有する電子は例えば第２チャンネル
により測定することができる。
図面につき本発明を説明する。
第１図に示す装置は、走査電子顕微鏡に従って、例え
ばLaB6又は半導体電子エミッタ２を有する電子源１と、
アノード３と、ビーム指向系４と、コンデンサレンズ５
と、ビーム走査系６と、磁極片８を有する最終レンズ７
とを具える。これら素子は検査すべき物９と一緒に真空
壁11を有するハウジング10内に組み込まれる。ハウジン
グは物体スペース12を具え、このスペース内には外部か
ら調整し得る物体移動機構（図示せず）を組み込むこと
ができる。主軸線13に沿って延在する電子ビーム14の照
射により物体表面から出る電子の方向に向け第１検出器
16と第２検出器17を測定スペース15内に収納する。走査
コイル、電子源、物体移動機構及び検出器を中央制御装
置18に接続する。この制御装置には更にイメージ又はス
ペクトル表示用にテレビジョンモニタ19を接続するが、
例えばディジタル信号処理装置、ハードコピー装置及び
書込装置を接続することもできる。検出器16,17を信号
処理装置に直接接続し、前記の各素子も同様にこの信号
処理装置に接続してもよい。
第２図は最終レンズ系の一例を示し、本例は特にチッ
プ検査装置用である。レンズコイル20は大部分がヨーク
21で囲まれ、このヨークは電子光学系の主光軸13の近く
で磁極片22で終端し、単ポールピースレンズ23の一部を
構成する。このレンズは必要に応じ強磁性板34でシール
ドすることができる。光軸を動かすためのコイル24を光
軸13の周囲に配置した磁極片22の近くに組み込むと共
に、ダイナミックフォーカス用コイル系25及びスチグマ
トール（図示せず）を組み込むことができる。更に、光
軸の周囲に、測定スペース15内に偏向磁界を発生する追
加のコイル26を配置する。コイル26がその一部を構成す
る電子光学系28によりエネルギー分離制動電磁界29を測
定スペース内に分散磁界と併合して発生させることがで
き、その結果として試料から出る電子ビーム30からの電
子をエネルギーに応じて扇状の電子経路31に分けること
ができる。ビーム30からの高速電子32は検出器16により
捕獲され、低速電子33は検出器17により捕獲される。こ
れら検出器はスクリーンキャップ36及び37により妨害電
子から遮蔽する。この場合、慣例の装置の場合のように
所定のエネルギーレベル以上の部分のみが測定されるの
ではなく、全戻りビーム30が測定され、検出効率が略々
100％になる。この利点は検出すべき電子のエネルギー
スペクトルを示す第３図につき説明することができる
（第３図において検出電子の数又は電流を縦軸にプロッ
トし、電子エネルギー（例えばeV単位）を横軸にプット
してある）。この図から、既存の装置では測定すべきチ
ップ表面上の電位偏移により生ずる距離εに亘るエネル
ギースペクトルのシフトが曲線40のエネルギー軸に沿う
偏移εの下側の比較的小数の電子の検出により測定さ
れ、この場合曲線40下側のそれより高エネルギーの全電
子が統計的ノイズに寄与し、検出信号の信号対雑音比が
かなり悪くなることが読み取れる。本発明装置では信号
対雑音比が著しくよくなる。その理由は、その下側に略
々等しい電子の数の検出時に曲線40の下側の少数の高エ
ネルギーの電子が統計的ノイズに寄与するだけであるた
めである。戻りビームからの略々全電子を測定し得るた
め、測定結果を全電流の変化に対し補正することができ
る。
試料の走査に対しては既知の走査方法を原理的に使用
し得るが、光軸から外れて放出された電子が発散レンズ
磁界により光軸から更に遠くに偏向され、走査磁界によ
り妨害され、その結果として特にエネルギー依存測定が
妨害されると共にオフアクシス電子を集束することが難
しく、その結果として測定信号に誤差が発生する欠点が
生ずる。この改善は既知の可動対物レンズ（MOLレン
ズ）又は可変アクシスイマージョンレンズ（VAIL）を用
いることにより得ることができる。斯かるレンズ、例え
ばVAILレンズは対物レンズ磁界がまだかなり強い勾配を
示す空間に偏向磁界を形成する。これがためレンズ系の
光軸が電子光学的に偏移される。これがため偏移された
光軸に平行に入射するビームは常にこの光軸上に集束さ
れる。VAILレンズの発生横方向磁界が前記空間において
レンズの横方向磁界に等しいとき、偏移された光軸に沿
って正確に延在する力線が形成される。この場合、表面
から出る電子は前記空間において表面から軸方向電子と
一致して前記局部力線に沿って進行する。斯かる構成に
おいて例えば像欠陥又はアクロマチック偏向エラーによ
り問題が生じる場合には、一次ビームも偏移光軸と一致
させることができる。この目的のためにはビーム偏向機
構を電子源と最終レンズとの間の電子光学系内に用いる
ことができる。必要に応じ、斯かる偏向システムはダイ
ナミックフォーカス素子及びスチグマトールと組合わせ
ることができる。
こうして測定すべき電子は最適な方向で測定スペース
に入るが、実際の光軸に対する電子の偏移がまだエネル
ギー依存測定に悪影響を与え得る。この悪影響は、偏向
磁界を一次ビームがこれを補償する角度で入射するよう
に強くすることにより解決し得ることが確かめられた。
この場合戻りビームは実際の光軸の方向に向けられ、前
記悪影響は避けられる。一次ビームを斜めに照射する場
合、２重構造の走査システムを用いて一種のビームアラ
イメントを実現することができる。戻りビームの再偏向
に対しては追加のコイルシステムを用いることもでき
る。この場合にはこの偏向に対して一次ビームを予め補
償しておく必要がある。
戻りビーム30から所定のエネルギーレンジ、例えばE0
−ΔＥとE0との間のエネルギーレンズ内の選択電子の電
子流を測定するために、本発明装置では測定スペース15
の検出側に遅延（減速）静電界を発生させることができ
る。この結果として前記エネルギーレンジ内の電子のみ
の信号を第１検出器16により記録することができる。
第4a図は可調整のエネルギーレンジ内の電子を複合検
出器50により捕獲し得ると共にこのエネルギーレンジに
より高いエネルギーを有する電子を検出器16により捕獲
し得るシステムを線図的に示すものである。電磁場29は
戻りビームからの電子のエネルギーに空間分散影響を与
えるため、この場合には位置感応検出器50がエネルギー
弁別検出器になる。図中の分散電磁界は磁界Bf、横方向
静電界Et及び遅延静電界ELで示してあり、電界ELは磁界
Bfに平行である。この場合、電子は磁力線の周囲をらせ
ん運動することを別にして、扇状の電子パスを通って検
出器の入力端に到達する。装置のスペース構成が選択的
に指向させた電子の検出に悪影響を与える制約を生ずる
場合には、この悪影響は磁界Bfの方向を調整することに
より少なくとも部分的に補償することができる。
例えば物体から出るオージェ電子を測定する他の実施
例を第4b図に、電磁界Et,Ef及びEL、第１検出器16及び
第２検出器17をもって示してある。この場合には戻りビ
ームは最初に静電レンズ系55を通過し、その結果として
E0−ΔＥとE0との間のエネルギーを有する電子のみが第
２検出器17に到達し得る。E0以上のエネルギーを有する
電子は検出器16により記録される。この方法の第4a図よ
りも有利な点はより簡単な信号が得られ、且つ複雑な複
合検出器50が省略される点にある。レンズ系55は実際に
は第１電位の２個の電極56及び58と、この電位と異なる
電位（本例ではこの電位より低い電位）の中間電極57と
を有するユニポテンシャルレンズとするが、グリッドを
有する標準の減速電界アナライザとして構成することも
できる。
第５図は対物レンズ系としても作用し得る本発明によ
るレンズ系の一例を線図的に示すものである。このレン
ズ系も同様にヨーク８を有するコイル20、磁極片22及び
追加のコイル26を具える。図には更に入射電子ビーム1
4、物体９及び強磁性シールド板34も示してある。レン
ズ内の曲線60は磁界強度を表しており、この目的のため
に水平軸62に磁界強度値（ガウス単位）を示してある。
前記Garthの論文に記載されている全ての利点をこのレ
ンズにより実現することができる。斯かるレンズの主な
利点は物体の局部的な電界変化による強い減衰、大電流
密度での小焦点距離の実現及び戻りビーム内の電子の平
行化作用にある。
レンズ系内の磁界の最適化は、断熱電子運動、妨害磁
界及びフォーカス調整のエネルギー決定に及ぼす影響の
軽減のために、検出器区域における磁界を強くする必要
がある条件と、検出に対するアパーチャ角が小さくなら
ないように且つ一次ビームのために∫Bdzを制限するた
めに磁界を強くしすぎてはならない条件との好適な兼合
いを取ることにより達成することができる。検出すべき
電子の入射点における磁界強度と検出器入力点における
磁界強度との比は1:10が好適な兼合いを示し、これは15
mmのポールピース及び7mmの焦点距離の場合、第５図に
示すように25ガウスおよび250ガウスの磁界強度値にな
る。発散磁界を物体表面まで延在せしめることにより一
層好適な比を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明装置の概略図、 第２図はそのレンズ光学系の一例を示す図、 第３図は検出すべき電子のエネルギースペクトルの一例
を示す図、 第4a及び4b図は例えばオージェ電子用のエネルギー分析
システムの２例を示す図、 第５図は対物レンズとしても用い得るレンズ系を示す図
である。 １……電子源、２……半導体電子エミッタ ３……アノード、４……ビーム指向系 ５……コンデンサレンズ、６……ビーム走査系 ７……最終レンズ系、８……磁極片 ９……検査すべき物体、10……ハウジング 11……真空壁、12……物体スペース 13……主軸線、14……電子ビーム 15……測定スペース、16,17……検出器 18……中央制御装置、19……モニタ 20……レンズコイル、21……ヨーク 22……磁極片、23……単ポールピースレンズ 24……光軸変化用コイル 25……ダイナミックフォーカス用コイル 26……偏向磁界用コイル 28……電子光学系 29……エネルギー分離制動電界 36,37……スクリーンキャップ 50……検出器アレー

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】検出すべき電子を平行にする磁界を発生し
    得る測定スペース内に置かれた検査すべき物体の表面か
    ら出る電子を検出する装置において、当該装置は、検査
    すべき物体から出る戻り電子ビームのエネルギーレンジ
    内の可調整のエネルギーレンジ内に含まれる電子を選択
    的に検出するために、測定スペース内に空間分散作用を
    有する複合電磁界を発生する電子光学系とエネルギー感
    応検出装置とを具えたことを特徴とする電子検出装置。
  2. 【請求項２】前記電子光学系内に分散磁界と少なくとも
    大部分が一致する横方向磁界を発生する磁気コイルを組
    込んであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    の電子検出装置。
  3. 【請求項３】前記測定スペース内の磁界は物体表面の区
    域において該表面から遠く離れたところより著しく強く
    してあることを特徴とする特許請求の範囲第１又は２項
    記載の電子検出装置。
  4. 【請求項４】前記磁界の少なくとも一部の物体と検出す
    べき電子の検出器との間に収納した単ポール磁気レンズ
    によっても発生するようにしてあることを特徴とする特
    許請求の範囲第１〜３項の何れかに記載の電子検出装
    置。
  5. 【請求項５】前記単ポール磁気レンズはこの区域に存在
    する他の検出磁界と相まって電子顕微鏡の対物レンズと
    して作用し得るようにしてあることを特徴とする特許請
    求の範囲第４項記載の電子検出装置。
  6. 【請求項６】電子光学系により前記測定スペース内に分
    散電磁界と併合してエネルギー分離用減速電界を発生し
    得るようにしてあることを特徴とする特許請求の範囲第
    １〜４項の何れかに記載の電子検出装置。
  7. 【請求項７】前記検出装置は可調整値以上のエネルギー
    を有する電子を検出する第１検出器とそれよ低いエネル
    ギーを有する電子を検出する第２検出器とを具えている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１〜６項の何れかに
    記載の電子検出装置。
  8. 【請求項８】前記検出装置は戻りビームからの略々全て
    の電子を検出するように設けてあることを特徴とする特
    許請求の範囲第７項記載の電子検出装置。
  9. 【請求項９】弱い磁界の区域に、磁界に平行に延在しE0
    −ΔＥ以上のエネルギーを有する電子のみを通す減速静
    電界を供給し得るようにしてあることを特徴とする特許
    請求の範囲第１〜４項の何れかに記載の電子検出装置。
  10. 【請求項１０】前記検出装置はE0−ΔＥとE0との間のエ
    ネルギーレンジ内の電子を選択的に検出するよう設けて
    あることを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の電子
    検出装置。
  11. 【請求項１１】分散された戻り電子ビームの少なくとも
    一部分を検出するために位置感応検出器アレーを組込ん
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項の何
    れかに記載の電子検出装置。
  12. 【請求項１２】分散磁界は検査すべき物体の表面から初
    めはゆっくり中間値に減少し、次いで急速に零値に減少
    し、その結果として電子が測定スペースを横切る際の光
    軸方向に対する角度が減少するようにしてあることを特
    徴とする特許請求の範囲第１〜６項の何れかに記載の電
    子検出装置。
  13. 【請求項１３】磁界は電子顕微鏡の対物レンズ磁界用の
    レンズ磁界としても作用し得るようにしてあることを特
    徴とする特許請求の範囲第12項記載の電子検出装置。
  14. 【請求項１４】戻り電子ビームからオージェ電子を検出
    するように設計した、ビーム走査機構を有する透過電子
    顕微鏡として構成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第1,2,12又は13項の何れかに記載の電子検出装置。
JP62212645A 1986-08-27 1987-08-26 電子検出装置 Expired - Lifetime JPH0828196B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8602177A NL8602177A (nl) 1986-08-27 1986-08-27 Electronen detectie met energie discriminatie.
NL8602177 1986-08-27

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Publication Number Publication Date
JPS6369135A JPS6369135A (ja) 1988-03-29
JPH0828196B2 true JPH0828196B2 (ja) 1996-03-21

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62212645A Expired - Lifetime JPH0828196B2 (ja) 1986-08-27 1987-08-26 電子検出装置

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US (1) US4882486A (ja)
EP (1) EP0259907B1 (ja)
JP (1) JPH0828196B2 (ja)
DE (1) DE3767252D1 (ja)
NL (1) NL8602177A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005043227A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Kobe Steel Ltd 分析装置用磁場発生装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8801163A (nl) * 1988-05-04 1989-12-01 Philips Nv Auger spectrometrie.
NL8801208A (nl) * 1988-05-09 1989-12-01 Philips Nv Geladen deeltjes bundel apparaat.
JP2739485B2 (ja) * 1988-11-05 1998-04-15 セイコーインスツルメンツ株式会社 走査型電子線装置
US4983833A (en) * 1988-11-21 1991-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Device for the detecting of charged secondary particles
JP2772821B2 (ja) * 1989-05-30 1998-07-09 セイコーインスツルメンツ株式会社 電子線装置
US5063296A (en) * 1990-05-31 1991-11-05 Shimadzu Corporation Electron-optical system for making a pseudoparallel micro electron-beam
JPH07120516B2 (ja) * 1990-07-26 1995-12-20 株式会社東芝 低エネルギ−電子の照射方法および照射装置
JP4179390B2 (ja) * 1995-10-19 2008-11-12 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
DE19605855A1 (de) * 1996-02-16 1997-08-21 Act Advanced Circuit Testing Detektorobjektiv für Korpuskularstrahlgeräte
EP0821393B1 (en) * 1996-07-25 1999-06-16 ACT Advanced Circuit Testing Gesellschaft für Testsystementwicklung mbH Detector objective lens
US5798524A (en) * 1996-08-07 1998-08-25 Gatan, Inc. Automated adjustment of an energy filtering transmission electron microscope
US6184524B1 (en) 1996-08-07 2001-02-06 Gatan, Inc. Automated set up of an energy filtering transmission electron microscope
KR20000034962A (ko) * 1998-11-19 2000-06-26 하이든 마틴 하전입자의 이중-모드 검출 장치 및 방법
DE69903439T2 (de) * 1999-11-12 2003-07-03 Advantest Corp., Tokio/Tokyo Ablenkeinheit zur Separation zweier Teilchenstrahlen
US6847038B2 (en) 2002-07-15 2005-01-25 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope
JP4069624B2 (ja) 2000-03-31 2008-04-02 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
DE10044199B9 (de) 2000-09-07 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Ablenkanordnung und Projektionssystem für geladene Teilchen
DE10109965A1 (de) 2001-03-01 2002-09-12 Zeiss Carl Teilchenoptische Linsenanordnung und Verfahren unter Einsatz einer solchen Linsenanordnung
EP1703537B9 (en) * 2005-03-17 2008-10-22 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Analysing system and charged particle beam device
US20070090288A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Dror Shemesh Method and system for enhancing resolution of a scanning electron microscope
EP2105944A1 (en) 2008-03-28 2009-09-30 FEI Company Environmental cell for a particle-optical apparatus
US7755042B1 (en) * 2008-04-18 2010-07-13 Kla-Tencor Corporation Auger electron spectrometer with applied magnetic field at target surface
US8283631B2 (en) * 2008-05-08 2012-10-09 Kla-Tencor Corporation In-situ differential spectroscopy
JP2014127224A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 Hitachi Ltd 分析装置
DE102013006535B4 (de) * 2013-04-15 2025-11-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Raster-Partikelstrahlmikroskop mit energiefilterndem Detektorsystem
DE102017205231B3 (de) 2017-03-28 2018-08-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptische Vorrichtung und Teilchenstrahlsystem

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1128107A (en) * 1965-06-23 1968-09-25 Hitachi Ltd Scanning electron microscope
US3628014A (en) * 1969-12-22 1971-12-14 Boeing Co Scanning electron microscope with color display means
DE3138901A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verbessertes gegenfeld-spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik
DE3236273A1 (de) * 1982-09-30 1984-04-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Spektrometerobjektiv mit parallelen objektiv- und spektrometerfeldern fuer die potentialmesstechnik
GB8327737D0 (en) * 1983-10-17 1983-11-16 Texas Instruments Ltd Electron detector
JPS60212953A (ja) * 1984-04-06 1985-10-25 Hitachi Ltd 電子線装置
JPH0736321B2 (ja) * 1985-06-14 1995-04-19 イーツエーテー、インテグレイテツド、サーキツト、テスチング、ゲゼルシヤフト、フユア、ハルプライタープリユーフテヒニク、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置
GB2183898A (en) * 1985-11-05 1987-06-10 Texas Instruments Ltd Checking voltages in integrated circuit by means of an electron detector

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005043227A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Kobe Steel Ltd 分析装置用磁場発生装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0259907A1 (en) 1988-03-16
EP0259907B1 (en) 1991-01-09
DE3767252D1 (de) 1991-02-14
NL8602177A (nl) 1988-03-16
US4882486A (en) 1989-11-21
JPS6369135A (ja) 1988-03-29

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