JPH0828548B2 - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0828548B2 JPH0828548B2 JP62264030A JP26403087A JPH0828548B2 JP H0828548 B2 JPH0828548 B2 JP H0828548B2 JP 62264030 A JP62264030 A JP 62264030A JP 26403087 A JP26403087 A JP 26403087A JP H0828548 B2 JPH0828548 B2 JP H0828548B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inactive
- active
- type
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2224—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semi-insulating semiconductors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は第１導電型の基板領域およびその上に配置さ
れた層構造を具える半導体本体からなり、前記層構造は
第１導電型の少くとも１個の第１不活性層、第２反対導
電型の第２不活性層、および前記第１および第２の不活
性層の間に介挿された活性層を具え、かつpn接合を有
し、該pn接合は順方向の十分に高い電流強度において可
干渉性電磁放射を２個の反射器の間に位置する共振空胴
内に配置された前記活性層の活性領域内で前記活性層の
方向に対して直角な方向に発生することができ、前記層
構造はさらに第２導電型の電流制限阻止層を具え、該阻
止層は前記活性領域の区域において中断区域を有し、前
記第１および第２の不活性層および前記阻止層はすべて
前記活性層より大きいバンドギャップを有しかつ放出さ
れる放射に対して前記活性層より小さい屈折率を有し、
前記第１および第２の不活性層は接続導体に電気的に連
結され、前記活性領域は前記阻止層によって横方向で区
切られている半導体レーザに関するものである。
れた層構造を具える半導体本体からなり、前記層構造は
第１導電型の少くとも１個の第１不活性層、第２反対導
電型の第２不活性層、および前記第１および第２の不活
性層の間に介挿された活性層を具え、かつpn接合を有
し、該pn接合は順方向の十分に高い電流強度において可
干渉性電磁放射を２個の反射器の間に位置する共振空胴
内に配置された前記活性層の活性領域内で前記活性層の
方向に対して直角な方向に発生することができ、前記層
構造はさらに第２導電型の電流制限阻止層を具え、該阻
止層は前記活性領域の区域において中断区域を有し、前
記第１および第２の不活性層および前記阻止層はすべて
前記活性層より大きいバンドギャップを有しかつ放出さ
れる放射に対して前記活性層より小さい屈折率を有し、
前記第１および第２の不活性層は接続導体に電気的に連
結され、前記活性領域は前記阻止層によって横方向で区
切られている半導体レーザに関するものである。
このような半導体レーザは米国特許第4309670号明細
書から既知である。この米国特許明細書は、均一な厚さ
を有する活性層において放射が発生され、この放射が活
性層に対して直角方向に放出されること、および隣接半
導体材料と逆バイアスされたpn接合を形成する埋設され
た阻止層によって電流制限が達成されることを開示して
いる。この米国特許明細書に示されている実施例の１つ
では、活性領域は比較的大きいバンドギャップを有しか
つ放射される放射に対して比較的小さい屈折率を有する
エピタキシャル成長させた半導体領域によって横方向で
区切られている。
書から既知である。この米国特許明細書は、均一な厚さ
を有する活性層において放射が発生され、この放射が活
性層に対して直角方向に放出されること、および隣接半
導体材料と逆バイアスされたpn接合を形成する埋設され
た阻止層によって電流制限が達成されることを開示して
いる。この米国特許明細書に示されている実施例の１つ
では、活性領域は比較的大きいバンドギャップを有しか
つ放射される放射に対して比較的小さい屈折率を有する
エピタキシャル成長させた半導体領域によって横方向で
区切られている。
このタイプの半導体レーザでは、発生する放射は活性
層に対して直角方向に放出される。このような半導体レ
ーザは光ファイバに容易に連結することができ、放出さ
れるビームは余り開拡せず、結晶の正確な位置決めが不
必要であるという利点を有する。
層に対して直角方向に放出される。このような半導体レ
ーザは光ファイバに容易に連結することができ、放出さ
れるビームは余り開拡せず、結晶の正確な位置決めが不
必要であるという利点を有する。
既知レーザでは増幅が行われる活性領域の長さは活性
層の厚さに相当し、従って極めて短いので、レーザ作用
に必要な増幅を達成するには高い電流密度が必要であ
る。限界電流を受入れることのできる値に維持するため
には、可成り複雑なエピタキシャル構造が必要であり、
上述の米国特許第4309670号におけるように、活性層の
ほかに追加のエピタキシャル不活性層および／または局
部拡散阻止層が使用されている。なかんずくこのため
に、前記の既知レーザ構造はその実現に大きな困難を伴
う。
層の厚さに相当し、従って極めて短いので、レーザ作用
に必要な増幅を達成するには高い電流密度が必要であ
る。限界電流を受入れることのできる値に維持するため
には、可成り複雑なエピタキシャル構造が必要であり、
上述の米国特許第4309670号におけるように、活性層の
ほかに追加のエピタキシャル不活性層および／または局
部拡散阻止層が使用されている。なかんずくこのため
に、前記の既知レーザ構造はその実現に大きな困難を伴
う。
本発明の目的は、このタイプの既知半導体レーザに固
有の上述の欠点を回避するか、あるいは上述の欠点を少
くとも可成りの程度まで軽減することにある。本発明は
なかんずく、活性領域の電気的および光学的の両方の制
限が満足に実現されていて、比較的短い波長および比較
的小さい限界電流を有し、最近の技術によって比較的簡
単に製造することができる新規なレーザ構造を提供する
ことにある。
有の上述の欠点を回避するか、あるいは上述の欠点を少
くとも可成りの程度まで軽減することにある。本発明は
なかんずく、活性領域の電気的および光学的の両方の制
限が満足に実現されていて、比較的短い波長および比較
的小さい限界電流を有し、最近の技術によって比較的簡
単に製造することができる新規なレーザ構造を提供する
ことにある。
本発明はなかんずく、活性領域において厚さの異なる
活性層を使用することによって本発明の目的が達成され
ることを見出したことに基づく。
活性層を使用することによって本発明の目的が達成され
ることを見出したことに基づく。
本発明は、冒頭に記載した半導体レーザにおいて、前
記活性領域は前記活性層の残りの部分より大きい厚さを
有し、かつ前記中断区域において前記阻止層を貫通して
少くとも前記第１不活性層まで延在し、前記活性層は第
１導電型であり、前記阻止層は前記活性層と前記基板領
域との間に配置されていることを特徴とする。
記活性領域は前記活性層の残りの部分より大きい厚さを
有し、かつ前記中断区域において前記阻止層を貫通して
少くとも前記第１不活性層まで延在し、前記活性層は第
１導電型であり、前記阻止層は前記活性層と前記基板領
域との間に配置されていることを特徴とする。
本発明の半導体レーザにおいては、上述の既知半導体
レーザとは異なり、活性領域の厚さは阻止層の厚さより
大きく、これにより電気的および光学的制限が達成され
る。この結果、活性層自体が電流制限層構造の一部分を
形成する。従って、層構造は著しく簡単に構成され、簡
単に実現することができる。さらに、極めて有効な電気
的および光学的制限のために、限界電流を小さくするこ
とができるので、室温における作動が可能になる。
レーザとは異なり、活性領域の厚さは阻止層の厚さより
大きく、これにより電気的および光学的制限が達成され
る。この結果、活性層自体が電流制限層構造の一部分を
形成する。従って、層構造は著しく簡単に構成され、簡
単に実現することができる。さらに、極めて有効な電気
的および光学的制限のために、限界電流を小さくするこ
とができるので、室温における作動が可能になる。
活性層は阻止層上に直接設けることができる。しか
し、与えられた環境では、活性層より大きいバンドギャ
ップを有し、放出される放射に対して活性層より小さい
屈折率を有する第１導電型の追加の半導体層を活性層と
阻止層との間に設けるのが好ましい。製造中に、電気的
制限に悪影響を与えることがある漏洩電流が生じにくく
なる。
し、与えられた環境では、活性層より大きいバンドギャ
ップを有し、放出される放射に対して活性層より小さい
屈折率を有する第１導電型の追加の半導体層を活性層と
阻止層との間に設けるのが好ましい。製造中に、電気的
制限に悪影響を与えることがある漏洩電流が生じにくく
なる。
共振空胴は種々の方法で形成することができる。例え
ば、DBRまたはDFBレーザとして知られている装置の原理
に従って、放出される放射の方向における実効屈折率の
周期的変動によって、反射器の一方または両方を形成す
ることができる。本発明の他の好適例では、反射器は、
層構造の光学的に平坦な端面によって構成され、基板領
域には平坦な底を有する空所が設けられ、放射はこの空
所を通って放出され、この空所は基板の厚さを貫通して
第１不活性層まで延在する。
ば、DBRまたはDFBレーザとして知られている装置の原理
に従って、放出される放射の方向における実効屈折率の
周期的変動によって、反射器の一方または両方を形成す
ることができる。本発明の他の好適例では、反射器は、
層構造の光学的に平坦な端面によって構成され、基板領
域には平坦な底を有する空所が設けられ、放射はこの空
所を通って放出され、この空所は基板の厚さを貫通して
第１不活性層まで延在する。
さらに、本発明は半導体レーザを製造する特に適当な
方法に関するものである。
方法に関するものである。
本発明は第１導電型の単結晶基板領域上に、第１導電
型の第１不活性半導体層および第２反対導電型の阻止層
を、この順序に逐次エピタキシャル成長させ、次いで前
記阻止層を貫通して前記第１不活性層まで延在する空所
を形成し、しかる後に第１導電型の活性層を液相からエ
ピタキシャル成長させることにより形成し、この活性層
の活性領域で前記空所を充填し、最後に前記活性層上に
第２導電型の第２不活性層をエピタキシャル成長により
形成し、該不活性層上に第２導電型の接点層を形成し、
この際前記活性領域とは反対の側の接点層に前記第２不
活性層まで延在する開口部をエッチングし、放出される
放射の1/4波長の整数倍の光路長に等しい厚さを有する
誘電層を前記開口部内に設け、かつ最後に前記基板領域
および前記接点領域に接続導体を設けることを特徴とす
る。
型の第１不活性半導体層および第２反対導電型の阻止層
を、この順序に逐次エピタキシャル成長させ、次いで前
記阻止層を貫通して前記第１不活性層まで延在する空所
を形成し、しかる後に第１導電型の活性層を液相からエ
ピタキシャル成長させることにより形成し、この活性層
の活性領域で前記空所を充填し、最後に前記活性層上に
第２導電型の第２不活性層をエピタキシャル成長により
形成し、該不活性層上に第２導電型の接点層を形成し、
この際前記活性領域とは反対の側の接点層に前記第２不
活性層まで延在する開口部をエッチングし、放出される
放射の1/4波長の整数倍の光路長に等しい厚さを有する
誘電層を前記開口部内に設け、かつ最後に前記基板領域
および前記接点領域に接続導体を設けることを特徴とす
る。
次に本発明を図面を参照して例について説明する。図
面は略線図であって、一定の比に拡大して描かれている
わけではなく、特に厚さ方向の寸法は明瞭にするために
拡大してある。
面は略線図であって、一定の比に拡大して描かれている
わけではなく、特に厚さ方向の寸法は明瞭にするために
拡大してある。
以下に説明する種々の例において対応する部分には同
じ符号を付けた。同じ導電型の半導体領域には同じ方向
に平行な斜線を引いた。
じ符号を付けた。同じ導電型の半導体領域には同じ方向
に平行な斜線を引いた。
第１図は本発明の半導体レーザの断面略図である。簡
単のために、半導体レーザは線MMの回りに回転対称であ
ると仮定するが、これは絶対的に必要なことではない。
単のために、半導体レーザは線MMの回りに回転対称であ
ると仮定するが、これは絶対的に必要なことではない。
半導体レーザは基板領域１を有する半導体本体を具
え、この例では基板領域１は第１導電型、この場合には
ｐ導電型のヒ化ガリウム単結晶領域からなる。この基板
領域１の上には第１（ｐ）導電型である第１不活性層
２、第２反対（この場合にはｎ）導電型の第２不活性層
３、および第１不活性層２と第２不活性層３との間に位
置する活性層４を具える層構造が配置されている。活性
層４はpn接合５を有する。pn接合５は順方向の十分に高
い電流強度において可干渉性電磁放射を矢６の方向、従
って活性層４の方向に対して直角に発生することができ
る。この放射は活性層４の活性領域4Aで発生し、この活
性領域は２個の反射器の間の共振空胴内に位置し、この
例ではこれらの反射器は層構造の反射性端面７および８
によって構成されている。さらに、この層構造は、第２
（この場合にはｎ）導電型の電流制限阻止層９を具え、
阻止層９は活性領域4Aの区域において中断区域を有す
る。活性層４、第１および第２の不活性層２および３、
および阻止層９は、この例ではすべてヒ化アルミニウム
ガリウムからなり、アルミニウム含有量は層2,3および
９がすべて活性層４より大きいバンドギッャプ、従って
発生する放射に対して活性層４より小さい屈折率を有す
るように選定されている。第１および第２の不活性層
（２および３）はそれぞれ電極層10および11によって構
成されている接続導体に電気的に連結されている。ただ
し、層２は高ドープ基板領域１を介して電極層10に連結
され、層３はｎ型ヒ化ガリウムの高ドープ接点層12を介
して電極層12に連結されている。活性領域4Aは阻止層９
によって横方向で区切られている。
え、この例では基板領域１は第１導電型、この場合には
ｐ導電型のヒ化ガリウム単結晶領域からなる。この基板
領域１の上には第１（ｐ）導電型である第１不活性層
２、第２反対（この場合にはｎ）導電型の第２不活性層
３、および第１不活性層２と第２不活性層３との間に位
置する活性層４を具える層構造が配置されている。活性
層４はpn接合５を有する。pn接合５は順方向の十分に高
い電流強度において可干渉性電磁放射を矢６の方向、従
って活性層４の方向に対して直角に発生することができ
る。この放射は活性層４の活性領域4Aで発生し、この活
性領域は２個の反射器の間の共振空胴内に位置し、この
例ではこれらの反射器は層構造の反射性端面７および８
によって構成されている。さらに、この層構造は、第２
（この場合にはｎ）導電型の電流制限阻止層９を具え、
阻止層９は活性領域4Aの区域において中断区域を有す
る。活性層４、第１および第２の不活性層２および３、
および阻止層９は、この例ではすべてヒ化アルミニウム
ガリウムからなり、アルミニウム含有量は層2,3および
９がすべて活性層４より大きいバンドギッャプ、従って
発生する放射に対して活性層４より小さい屈折率を有す
るように選定されている。第１および第２の不活性層
（２および３）はそれぞれ電極層10および11によって構
成されている接続導体に電気的に連結されている。ただ
し、層２は高ドープ基板領域１を介して電極層10に連結
され、層３はｎ型ヒ化ガリウムの高ドープ接点層12を介
して電極層12に連結されている。活性領域4Aは阻止層９
によって横方向で区切られている。
本発明においては、活性領域4Aは活性層４の残りの部
分より大きい厚さを有し、阻止層９を貫通する中断区域
において少くとも第１活性層２まで延在している。さら
に、本発明においては、不活性層２は第１（この場合に
はｐ）導電型であるので、pn接合５は第２不活性層３と
活性層４との間に位置し、他方阻止層９は活性層４と基
板領域１との間に位置する。
分より大きい厚さを有し、阻止層９を貫通する中断区域
において少くとも第１活性層２まで延在している。さら
に、本発明においては、不活性層２は第１（この場合に
はｐ）導電型であるので、pn接合５は第２不活性層３と
活性層４との間に位置し、他方阻止層９は活性層４と基
板領域１との間に位置する。
本発明の半導体レーザの層構造では、活性領域4Aは活
性層４の残りの部分より厚く、阻止層９を貫通して少く
とも不活性層２まで延在しているので、発生する放射は
比較的簡単に電気的かつ光学的に極めて有効に制限され
る。この結果、比較的小さい限界電流を得ることができ
る。
性層４の残りの部分より厚く、阻止層９を貫通して少く
とも不活性層２まで延在しているので、発生する放射は
比較的簡単に電気的かつ光学的に極めて有効に制限され
る。この結果、比較的小さい限界電流を得ることができ
る。
この例の半導体レーザでは、活性層４と阻止層９との
間に第１（この場合にはｐ）導電型と半導体層13が設け
られ、半導体層13はヒ化アルミニウムガリウムからな
り、活性層４より大きいバンドギャップおよび発生する
放射に対して活性層４より小さい屈折率を有する。この
層は、生ずることのある漏洩電流が活性層４を通って流
れる場合に、ｎ型阻止層９と隣接ｐ型材料との間の逆バ
イアスされたpn接合の電流制限特性が悪影響を受けるの
を防止する作用をする。
間に第１（この場合にはｐ）導電型と半導体層13が設け
られ、半導体層13はヒ化アルミニウムガリウムからな
り、活性層４より大きいバンドギャップおよび発生する
放射に対して活性層４より小さい屈折率を有する。この
層は、生ずることのある漏洩電流が活性層４を通って流
れる場合に、ｎ型阻止層９と隣接ｐ型材料との間の逆バ
イアスされたpn接合の電流制限特性が悪影響を受けるの
を防止する作用をする。
さらに、この例では、基板領域１には平坦な底を有す
る空所14が設けられており、この空所を通って放射が放
出される。この空所は基板領域１の全厚さを貫通して第
１不活性層２まで延在し、レーザに連結されるガラスフ
ァイバを受取ることができるように形成されている。こ
の結果、連結が極めて簡単になる。
る空所14が設けられており、この空所を通って放射が放
出される。この空所は基板領域１の全厚さを貫通して第
１不活性層２まで延在し、レーザに連結されるガラスフ
ァイバを受取ることができるように形成されている。こ
の結果、連結が極めて簡単になる。
この例では、種々の層について下記の組成、ドーピン
グ濃度および厚さを使用している。
グ濃度および厚さを使用している。
このレーザから放出される放射は750nmの波長を有す
る。活性領域の直径（ａ）は約３μm;基板開口14の直径
（ｂ）は底８の区域において約20μｍである。基板１の
上の電極層10は、例えば、白金−モリブデン−金属また
は白金−タンタル−金属である。高ドープヒ化ガリウム
接点層12の上の電極層11は、例えば、金−ゲルマニウム
−ニッケル層からなる。この層は開口部14の反対側で酸
化ケイ素層15の上の接点層12の開口部内に位置し、0.15
μｍの厚さを有する。この厚さは放出される放射の1/4
波長の整数倍の光路長に相当しているので、レーザ構造
のこの側における放射は実質的に完全に反射される。こ
のレーザの限界電流は30℃で10mAであった。
る。活性領域の直径（ａ）は約３μm;基板開口14の直径
（ｂ）は底８の区域において約20μｍである。基板１の
上の電極層10は、例えば、白金−モリブデン−金属また
は白金−タンタル−金属である。高ドープヒ化ガリウム
接点層12の上の電極層11は、例えば、金−ゲルマニウム
−ニッケル層からなる。この層は開口部14の反対側で酸
化ケイ素層15の上の接点層12の開口部内に位置し、0.15
μｍの厚さを有する。この厚さは放出される放射の1/4
波長の整数倍の光路長に相当しているので、レーザ構造
のこの側における放射は実質的に完全に反射される。こ
のレーザの限界電流は30℃で10mAであった。
本発明の半導体レーザは本発明方法により次のように
して製造することができる。出発材料は２×1019原子／
cm3のドーピング濃度および例えば350μｍの厚さを有す
る単結晶のｐ型ヒ化ガリウムからなる基板１である。こ
の単結晶は（100）配向を有するのが好ましく、この表
面に研摩およびエッチングした後に、この表面の上に、
例えば液相（LPE＝液相エピタキシャル成長と呼ばれ
る）からドーピング濃度1018原子／cm3で厚さ３μｍの
ｐ型Ga0.50Al0.50As層２、ドーピング濃度２×1017原子
／cm3で厚さ１μｍのｎ型Ga0.8Al0.2As層９、およびド
ーピング濃度1018原子／cm3で厚さ0.5μｍのｐ型Ga0.8A
l0.2As層13を逐次成長させる。この成長も、有機金属化
合物の化学的分解によって、MOCVDまたはOMVPE（有機金
属気相エピタキシャル成長）という名称で知られている
気相からの有機金属エピタキシャル成長によって達成す
ることができてる。LPE技術の詳細については、ディ
ー．エルウエル（D.Elwell）およびエッチ．ジェー．シ
ェール（H.J.Scheel）の著書「高温溶液からの結晶成長
（Crystal Growth from High-Temperature Solution
s）」（アカデミック・プレス社）（1975）第433〜467
頁を参照することができる。OMVPE技術の詳細について
は、「ジャーナル・オブ・アプライド・フィジークス」
第58巻（1985年10月15日）第R31〜R55の頁中の報分「II
I-IV半導体の有機金属化学気相堆積法（Metal-organic
Chemical Vapour Deposition of III-IV Semiconductor
s）」を参照することができる。次いで、このようにし
て得た層構造をに阻止層９を丁度貫通し、好ましくは平
坦な底を有する１個の孔、この例では直径約３μｍの孔
をエッチングして、第２図の配置を得る。エッチング技
術としては、例れば、「反応性イオンエッチング」（RI
E）を使用することができる。
して製造することができる。出発材料は２×1019原子／
cm3のドーピング濃度および例えば350μｍの厚さを有す
る単結晶のｐ型ヒ化ガリウムからなる基板１である。こ
の単結晶は（100）配向を有するのが好ましく、この表
面に研摩およびエッチングした後に、この表面の上に、
例えば液相（LPE＝液相エピタキシャル成長と呼ばれ
る）からドーピング濃度1018原子／cm3で厚さ３μｍの
ｐ型Ga0.50Al0.50As層２、ドーピング濃度２×1017原子
／cm3で厚さ１μｍのｎ型Ga0.8Al0.2As層９、およびド
ーピング濃度1018原子／cm3で厚さ0.5μｍのｐ型Ga0.8A
l0.2As層13を逐次成長させる。この成長も、有機金属化
合物の化学的分解によって、MOCVDまたはOMVPE（有機金
属気相エピタキシャル成長）という名称で知られている
気相からの有機金属エピタキシャル成長によって達成す
ることができてる。LPE技術の詳細については、ディ
ー．エルウエル（D.Elwell）およびエッチ．ジェー．シ
ェール（H.J.Scheel）の著書「高温溶液からの結晶成長
（Crystal Growth from High-Temperature Solution
s）」（アカデミック・プレス社）（1975）第433〜467
頁を参照することができる。OMVPE技術の詳細について
は、「ジャーナル・オブ・アプライド・フィジークス」
第58巻（1985年10月15日）第R31〜R55の頁中の報分「II
I-IV半導体の有機金属化学気相堆積法（Metal-organic
Chemical Vapour Deposition of III-IV Semiconductor
s）」を参照することができる。次いで、このようにし
て得た層構造をに阻止層９を丁度貫通し、好ましくは平
坦な底を有する１個の孔、この例では直径約３μｍの孔
をエッチングして、第２図の配置を得る。エッチング技
術としては、例れば、「反応性イオンエッチング」（RI
E）を使用することができる。
次に、OMVPEにより極めて薄い（5nmの）ヒ化ガリウム
層を成長させる（図示せず）。これは次のエピタキシャ
ル成長を行うことができるようにするために必要であ
る。その理由はヒ化アルミニウムガリウム上におけるエ
ピタキシャル成長が極めて困難であるからである。
層を成長させる（図示せず）。これは次のエピタキシャ
ル成長を行うことができるようにするために必要であ
る。その理由はヒ化アルミニウムガリウム上におけるエ
ピタキシャル成長が極めて困難であるからである。
次に、エッチングされた孔を、LPE技術によって液相
からヒ化アルミニウムガリウムをエピタキシャル成長さ
せることにより充填する。この場合には、孔は成長によ
って極めて迅速に閉鎖される。その後得られた実際上平
坦な表面上にさらにいくつかの層を形成する。すなわ
ち、それぞれ0.5μｍ、３μｍおよび１μｍの厚さを有
し、上述の組成を有する活性層４、不活性層３および高
トープ接点層12（GaAs層）を、この順序で逐次成長させ
る（第３図参照）。
からヒ化アルミニウムガリウムをエピタキシャル成長さ
せることにより充填する。この場合には、孔は成長によ
って極めて迅速に閉鎖される。その後得られた実際上平
坦な表面上にさらにいくつかの層を形成する。すなわ
ち、それぞれ0.5μｍ、３μｍおよび１μｍの厚さを有
し、上述の組成を有する活性層４、不活性層３および高
トープ接点層12（GaAs層）を、この順序で逐次成長させ
る（第３図参照）。
次に、選択的エッチング液により活性領域4Aの表面と
は反対の側の接点層12に直径15〜20μｍの孔をエッチン
グする。このエッチング液は例えば過酸化水素とアンモ
ニアとの混合物で、実際上GaAsのみを腐食し、GaxAl1-x
Asを腐食しない。この際、このエッチング処理はGaAsと
GaxAl1-xAsとの光学的に平坦な界面において終了する。
次いで、例えば、濃硫酸と過酸化水素（30％）と水との
混合物（容積比3:1:1）中でエッチングすることにより
基板１を約90μｍの厚さまで薄くし、しかる後にH2O2お
よびNH4OHの水溶液によって直径約20μｍの開口部を活
性領域4Aとは反対の側の基板１に層２との光学的に平坦
な界面まで選択的にエッチングする。この界面は第２反
射器として作用する。接点層12における開口部に厚さ0.
15μｍの酸化ケイ素層15を設け、電極層10および11を形
成した後に、第１図の構造が得られる。
は反対の側の接点層12に直径15〜20μｍの孔をエッチン
グする。このエッチング液は例えば過酸化水素とアンモ
ニアとの混合物で、実際上GaAsのみを腐食し、GaxAl1-x
Asを腐食しない。この際、このエッチング処理はGaAsと
GaxAl1-xAsとの光学的に平坦な界面において終了する。
次いで、例えば、濃硫酸と過酸化水素（30％）と水との
混合物（容積比3:1:1）中でエッチングすることにより
基板１を約90μｍの厚さまで薄くし、しかる後にH2O2お
よびNH4OHの水溶液によって直径約20μｍの開口部を活
性領域4Aとは反対の側の基板１に層２との光学的に平坦
な界面まで選択的にエッチングする。この界面は第２反
射器として作用する。接点層12における開口部に厚さ0.
15μｍの酸化ケイ素層15を設け、電極層10および11を形
成した後に、第１図の構造が得られる。
次に、本発明の半導体レーザの他の例を第４〜６図に
ついて説明する。この場合においても、レーザは線Ｍ−
Ｍの回りに回転対称であると仮定するが、これは本発明
にとって必須要件ではない。この半導体レーザは光通信
の目的に屡々使用されるような比較的長い1.3μｍの波
長を有する放射を発生させるのに適している。
ついて説明する。この場合においても、レーザは線Ｍ−
Ｍの回りに回転対称であると仮定するが、これは本発明
にとって必須要件ではない。この半導体レーザは光通信
の目的に屡々使用されるような比較的長い1.3μｍの波
長を有する放射を発生させるのに適している。
出発材料はｐ導電型であって、350μｍの厚さおよび
２×1018原子／cm3のドーピング濃度を有するリン化イ
ンジウムの基板である。この場合には基板領域および第
１不活性層が同じ材料から構成されているので、基板上
に先ず中間層20を形成する必要がある。この例では、こ
の層は0.3μｍの厚さを有し、ｐ型In0.72Ga0.28As0.60P
0.40からなる。中間層20はリン化インジウムに関して選
択的にエッチングすることができる。次いで、中間層20
の上に液相から６μｍの厚さおよび1018原子／cm3のド
ーピング濃度を有するｐ型リン化インジウムの第１不活
性層２を成長させ、次いでまた液相から約１μｍの厚さ
および1018原子／cm3のドーピング濃度を有するｎ型リ
ン化インジウムの阻止層９を成長させる。次いで、孔、
例えば直径２μｍの孔を表面にエッチングし、この孔を
層９の厚さを貫通して層２中に延在させる。この結果、
第４図に示す構造が得られる。
２×1018原子／cm3のドーピング濃度を有するリン化イ
ンジウムの基板である。この場合には基板領域および第
１不活性層が同じ材料から構成されているので、基板上
に先ず中間層20を形成する必要がある。この例では、こ
の層は0.3μｍの厚さを有し、ｐ型In0.72Ga0.28As0.60P
0.40からなる。中間層20はリン化インジウムに関して選
択的にエッチングすることができる。次いで、中間層20
の上に液相から６μｍの厚さおよび1018原子／cm3のド
ーピング濃度を有するｐ型リン化インジウムの第１不活
性層２を成長させ、次いでまた液相から約１μｍの厚さ
および1018原子／cm3のドーピング濃度を有するｎ型リ
ン化インジウムの阻止層９を成長させる。次いで、孔、
例えば直径２μｍの孔を表面にエッチングし、この孔を
層９の厚さを貫通して層２中に延在させる。この結果、
第４図に示す構造が得られる。
この後、第１の例におけると同様に、エッチングされ
た空所を液相からエピタキシャル成長により極めて迅速
に充填し、その後このようにして得た実際上平坦な表面
上に活性層４の残りの厚さ約２μｍの部分を設ける。こ
の場合にはこの部分はｐ型In0.72Ga0.28As0.60P0.40か
らなる。次いで、２μｍの厚さおよび1018原子／cm3の
ドーピング濃度を有するｎ型リン化インジウムの第２不
活性層３、および約0.5μｍの厚さおよび５×1018原子
／cm3のドーピング濃度を有するｎ型In0.72Ga0.28As
0.60P0.40の接点層12を、この順序で液相から逐次成長
させる。
た空所を液相からエピタキシャル成長により極めて迅速
に充填し、その後このようにして得た実際上平坦な表面
上に活性層４の残りの厚さ約２μｍの部分を設ける。こ
の場合にはこの部分はｐ型In0.72Ga0.28As0.60P0.40か
らなる。次いで、２μｍの厚さおよび1018原子／cm3の
ドーピング濃度を有するｎ型リン化インジウムの第２不
活性層３、および約0.5μｍの厚さおよび５×1018原子
／cm3のドーピング濃度を有するｎ型In0.72Ga0.28As
0.60P0.40の接点層12を、この順序で液相から逐次成長
させる。
次いで、第１の例におけると同様に、選択的エッチン
グ液により活性領域4Aとは反対の側で接点層12に直径約
20μｍの開口部をエッチングする。このエッチング液は
層３を腐食しないので、光学的に平坦な表面７が得られ
る。この開口部に誘電体層15、例えば酸化ケイ素からな
る誘電体層を設ける。層15は放出される放射の1/4波長
の整数倍の光学的厚さを有する。基板領域１を約50μｍ
の厚さまでエッチングした後に、中間層20を全くまたは
ほとんど腐食しない選択的エッチング液、例えば、塩化
水素酸により活性領域4Aとは反対の側の基板１に開口部
14をエッチングする。次いで、中間層20のみを腐食し、
リン化インジウム層２を腐食しない他の選択的エッチン
グ液、例えば、１cm3の濃硫酸および50cm3の水に5gの過
マンガン酸カリウムを溶解した溶液により、層20を層２
と層20との間の光学的に平坦な界面８までエッチングす
る。界面８は第２反射器の作用をする。電極層10および
11を形成した後に、第６図に示す半導体レーザが得られ
る。この半導体レーザは、例えば、空所14内に取付けた
ファイバ中に、波長約1.3μｍの可干渉性電磁放射を矢
６の方向に放出することができる。
グ液により活性領域4Aとは反対の側で接点層12に直径約
20μｍの開口部をエッチングする。このエッチング液は
層３を腐食しないので、光学的に平坦な表面７が得られ
る。この開口部に誘電体層15、例えば酸化ケイ素からな
る誘電体層を設ける。層15は放出される放射の1/4波長
の整数倍の光学的厚さを有する。基板領域１を約50μｍ
の厚さまでエッチングした後に、中間層20を全くまたは
ほとんど腐食しない選択的エッチング液、例えば、塩化
水素酸により活性領域4Aとは反対の側の基板１に開口部
14をエッチングする。次いで、中間層20のみを腐食し、
リン化インジウム層２を腐食しない他の選択的エッチン
グ液、例えば、１cm3の濃硫酸および50cm3の水に5gの過
マンガン酸カリウムを溶解した溶液により、層20を層２
と層20との間の光学的に平坦な界面８までエッチングす
る。界面８は第２反射器の作用をする。電極層10および
11を形成した後に、第６図に示す半導体レーザが得られ
る。この半導体レーザは、例えば、空所14内に取付けた
ファイバ中に、波長約1.3μｍの可干渉性電磁放射を矢
６の方向に放出することができる。
反射器はレーザの反射性端面から構成する必要はな
い。他の解決、例えば第７図に示すような解決も可能で
ある。第７図では、上述の２つの例における反射性単面
８の代りに、いわゆるDBR（Distributed Bragg Reflect
ion:ブラッグ反射型）反射器を使用する。この反射器は
交互にGa1-wAlwAsおよびGa1-yAlyAs（ただし、０ｗ
1,0ｙ1,w＞ｙ）からなる多数の薄層30からなる。こ
の結果、上述の米国特許第4309670号明細書に記載され
ているように、放出される放射の方向６で実効屈折率の
周期的変動が達成される。薄層30はGaAsのｐ型基板１の
表面上に成長させる。半導体レーザは第１図の例と同様
に構成することができる。層構造30は、例えば、MBE
（分子ビームエピタキシャル成長）またはOMVPE（有機
金属気相エピタキシャル成長）の技術によってエピタキ
シャル成長させることにより得ることができる。これら
の層は例えば交互にGaAsおよびAlAsから構成され、すべ
ての層が約80μｍの厚さを有する。層構造30における全
層数は例えば20個である。
い。他の解決、例えば第７図に示すような解決も可能で
ある。第７図では、上述の２つの例における反射性単面
８の代りに、いわゆるDBR（Distributed Bragg Reflect
ion:ブラッグ反射型）反射器を使用する。この反射器は
交互にGa1-wAlwAsおよびGa1-yAlyAs（ただし、０ｗ
1,0ｙ1,w＞ｙ）からなる多数の薄層30からなる。こ
の結果、上述の米国特許第4309670号明細書に記載され
ているように、放出される放射の方向６で実効屈折率の
周期的変動が達成される。薄層30はGaAsのｐ型基板１の
表面上に成長させる。半導体レーザは第１図の例と同様
に構成することができる。層構造30は、例えば、MBE
（分子ビームエピタキシャル成長）またはOMVPE（有機
金属気相エピタキシャル成長）の技術によってエピタキ
シャル成長させることにより得ることができる。これら
の層は例えば交互にGaAsおよびAlAsから構成され、すべ
ての層が約80μｍの厚さを有する。層構造30における全
層数は例えば20個である。
本発明の範囲を逸脱することなく多くの変更を行うこ
とができるので、本発明は上述の例に限定されるもので
はない。例えば、上述の例で使用した材料以外の半導体
材料を使用することができる。また、導電型はすべて
（同時に）反対導電型に換えることができる。所望の用
途に応じて他の層厚を使用することができる。しかも、
レーザ構造は回転対称であることは全く必要ではない。
例えば、長方形構造も使用することができる。さらに、
１個の反射器ではなく２個の反射器を（第７図に（30）
で示したようなタイプの）「ブラッグ反射器」から構成
することもできる。
とができるので、本発明は上述の例に限定されるもので
はない。例えば、上述の例で使用した材料以外の半導体
材料を使用することができる。また、導電型はすべて
（同時に）反対導電型に換えることができる。所望の用
途に応じて他の層厚を使用することができる。しかも、
レーザ構造は回転対称であることは全く必要ではない。
例えば、長方形構造も使用することができる。さらに、
１個の反射器ではなく２個の反射器を（第７図に（30）
で示したようなタイプの）「ブラッグ反射器」から構成
することもできる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の半導体レーザの１例の断面略図、 第２図および第３図は第１図に示す半導体レーザの逐次
の製造段階を示す断面略図、 第４図，第５図および第６図は本発明の半導体レーザの
他の例の逐次の製造段階を示す断面略図、 第７図は本発明の半導体レーザのさらに他の例の断面略
図である。 １……基板領域（基板、ｐ型基板）、２……第１不活性
層（ｐ型層）、３……第２不活性層（ｎ型層）、４……
活性層、4A……活性領域、５……pn接合、６……放射方
向を示す矢、7,8……層構造の端面（反射性端面、光学
的に平坦な表面または界面）、９……阻止層（ｎ型
層）、10,11……電極層、12……接点層（ｎ型層）、13
……半導体層（ｐ型層）、14……空所、開口部、15……
誘導体層（酸化ケイ素層）、20……中間層、30……薄層
（層構造）
の製造段階を示す断面略図、 第４図，第５図および第６図は本発明の半導体レーザの
他の例の逐次の製造段階を示す断面略図、 第７図は本発明の半導体レーザのさらに他の例の断面略
図である。 １……基板領域（基板、ｐ型基板）、２……第１不活性
層（ｐ型層）、３……第２不活性層（ｎ型層）、４……
活性層、4A……活性領域、５……pn接合、６……放射方
向を示す矢、7,8……層構造の端面（反射性端面、光学
的に平坦な表面または界面）、９……阻止層（ｎ型
層）、10,11……電極層、12……接点層（ｎ型層）、13
……半導体層（ｐ型層）、14……空所、開口部、15……
誘導体層（酸化ケイ素層）、20……中間層、30……薄層
（層構造）
Claims (12)
- 【請求項１】第１導電型の基板領域およびその上に配置
された層構造を具える半導体本体からなり、前記層構造
は第１導電型の少くとも１個の第１不活性層、第２反対
導電型の第２不活性層、および前記第１および第２の不
活性層の間に介挿された活性層を具え、かつpn接合を有
し、該pn接合は順方向の十分に高い電流強度において可
干渉性電磁放射を２個の反射器の間に位置する共振空胴
内に配置された前記活性層の活性領域内で前記活性層の
方向に対して直角な方向に発生することができ、前記層
構造はさらに第２導電型の電流制限阻止層を具え、該阻
止層は前記活性領域の区域において中断区域を有し、前
記第１および第２の不活性層および前記阻止層はすべて
前記活性層より大きいバンドギャップを有しかつ放出さ
れる放射に対して前記活性層より小さい屈折率を有し、
前記第１および第２の不活性層は接続導体に電気的に連
結され、前記活性領域は前記阻止層によって横方向で区
切られている半導体レーザにおいて、 前記活性領域は前記活性層の残りの部分より大きい厚さ
を有し、かつ前記中断区域において前記阻止層を貫通し
て少くとも前記第１不活性層まで延在し、 前記活性層は第１導電型であり、 前記阻止層は前記活性層と前記基板領域との間に配置さ
れている ことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】活性層より大きいバンドギャップを有し、
放出される放射に対して活性層より小さい屈折率を有す
る第１導電型半導体層が活性層と阻止層との間に設けら
れている特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ。 - 【請求項３】反射器は層構造の光学的に平坦な端面によ
って構成され、基板領域には平坦な底を有する空所が設
けられ、この空所を通って放射が放出され、前記空所は
基板領域の厚さを貫通して不活性層まで延在している特
許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】基板領域および第１不活性層は同じ半導体
材料からなり、基板領域および第１エピタキシャル層の
材料に関して選択的にエッチングすることができる材料
からなる薄い中間層が基板領域と第１不活性層との間に
設けられている特許請求の範囲第３項記載の半導体レー
ザ。 - 【請求項５】基板領域はｐ型リン化インジウムからな
り、第１不活性層はｐ型リン化インジウムからなり、活
性層はｐ型リン化ヒ素ガリウムインジウムからなり、第
２不活性層はｎ型リン化インジウムからなり、中間層は
ｐ型リン化ヒ素ガリウムインジウムからなり、阻止層は
ｎ型リン化インジウムからなる特許請求の範囲第４項記
載の半導体レーザ。 - 【請求項６】基板領域はｐ型ヒ化ガリウムからなり、第
１不活性層はｐ型ヒ化アルミニウムガリウムからなり、
活性層はｐ型ヒ化アルミニウムガリウムからなり、第２
不活性層はｎ型ヒ化アルミニウムガリウムからなり、阻
止層はｎ型ヒ化アルミニウムガリウムからなる特許請求
の範囲第１〜５項のいずれか一つの項に記載の半導体レ
ーザ。 - 【請求項７】反射器の少くとも１個が放出された放射の
方向の実効屈折率の周期的変動によって構成されている
特許請求の範囲第１項または第２項記載の記載の半導体
レーザ。 - 【請求項８】第１導電型の基板領域およびその上に配置
された層構造を具える半導体本体からなり、前記層構造
は第１導電型の少くとも１個の第１不活性層、第２反対
導電型の第２不活性層、および前記第１および第２の不
活性層の間に介挿された活性層を具え、かつpn接合を有
し、該pn接合は順方向の十分に高い電流強度において可
干渉性電磁放射を２個の反射器の間に位置する共振空胴
内に配置された前記活性層の活性領域内で前記活性層の
方向に対して直角な方向に発生することができ、前記層
構造はさらに第２導電型の電流制限阻止層を具え、該阻
止層は前記活性領域の区域において中断区域を有し、前
記第１および第２の不活性層および前記阻止層はすべて
前記活性層より大きいバンドギャップを有しかつ放出さ
れる放射に対して前記活性層より小さい屈折率を有し、
前記第１および第２の不活性層は接続導体に電気的に連
結され、前記活性領域は前記阻止層によって横方向で区
切られている半導体レーザを製造するに当り、 第１導電型の単結晶基板領域上に、第１導電型の第１不
活性半導体層および第２反対導電型の阻止層を、の順序
に逐次エピタキシャル成長させ、 次いで前記阻止層を貫通して前記第１不活性層まで延在
する空所を形成し、 しかる後に第１導電型の活性層を液相からエピタキシャ
ル成長させることにより形成し、この活性層の活性領域
で前記空所を充填し、 最後に前記活性層上に第２導電型の第２不活性層をエピ
タキシャル成長により形成し、該不活性層上に第２導電
型の接点層を形成し、この際前記活性領域とは反対の側
の接点層に前記第２不活性層まで延在する開口部をエッ
チングし、放出される放射の1/4波長の整数倍の光路長
に等しい厚さを有する誘電層を前記開口部内に設け、か
つ最後に前記基板領域および前記接点領域に接続導体を
設ける ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項９】第１不活性層はヒ化アルミニウムガリウム
からなり、空所を充填する前にヒ化ガリウムの薄層を気
相から有機金属エピタキシャル成長によって堆積させる
特許請求の範囲第８項記載の方法。 - 【請求項１０】空所をエッチングする前に活性層より小
さい屈折率を有する第１導電型の層を阻止層上に成長さ
せる特許請求の範囲第８項記載の方法。 - 【請求項１１】エピタキシャル成長処理を達成した後
に、活性領域とは反対の側の基板領域に、実際上第１不
活性層を腐食しない選択的エッチング処理により、第１
不活性層の表面によって構成される光学的に平坦な底が
得られるまで、空所をエッチングする特許請求の範囲第
８〜10項のいずれか１つの項に記載の方法。 - 【請求項１２】基板領域および第１不活性層を同じ材料
から構成し、第１不活性層を成長させる前に、前記材料
に関して選択的にエッチングすることができる中間層を
形成し、かつ前記空所のエッチング中に先ず基板領域の
材料を除去し、次いで別個の選択的エッチング工程で前
記中間層を除去する特許請求の範囲第10項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8602653A NL8602653A (nl) | 1986-10-23 | 1986-10-23 | Halfgeleiderlaser en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| NL8602653 | 1986-10-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111690A JPS63111690A (ja) | 1988-05-16 |
| JPH0828548B2 true JPH0828548B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=19848701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62264030A Expired - Lifetime JPH0828548B2 (ja) | 1986-10-23 | 1987-10-21 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4819243A (ja) |
| EP (1) | EP0266826B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0828548B2 (ja) |
| CA (1) | CA1280498C (ja) |
| DE (1) | DE3778486D1 (ja) |
| NL (1) | NL8602653A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278280A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
| US4991179A (en) * | 1989-04-26 | 1991-02-05 | At&T Bell Laboratories | Electrically pumped vertical cavity laser |
| JPH0812616B2 (ja) * | 1991-09-11 | 1996-02-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | オペレーティングシステムカーネル用受動回復方法およびシステム |
| US5253263A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-12 | Trw Inc. | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors |
| US5212701A (en) * | 1992-03-25 | 1993-05-18 | At&T Bell Laboratories | Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement |
| US5244749A (en) * | 1992-08-03 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Article comprising an epitaxial multilayer mirror |
| US5311533A (en) * | 1992-10-23 | 1994-05-10 | Polaroid Corporation | Index-guided laser array with select current paths defined by migration-enhanced dopant incorporation and dopant diffusion |
| US5351257A (en) * | 1993-03-08 | 1994-09-27 | Motorola, Inc. | VCSEL with vertical offset operating region providing a lateral waveguide and current limiting and method of fabrication |
| JPH0722646A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Mitsubishi Chem Corp | 電流ブロック層を有するｌｅｄ |
| US7646797B1 (en) | 2008-07-23 | 2010-01-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Use of current channeling in multiple node laser systems and methods thereof |
| CN113258442B (zh) * | 2021-07-14 | 2021-11-09 | 华芯半导体研究院(北京)有限公司 | 垂直腔面发射激光器及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7901122A (nl) * | 1979-02-13 | 1980-08-15 | Philips Nv | Halfgeleiderlaser en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| US4309670A (en) * | 1979-09-13 | 1982-01-05 | Xerox Corporation | Transverse light emitting electroluminescent devices |
| US4335461A (en) * | 1980-08-25 | 1982-06-15 | Xerox Corporation | Injection lasers with lateral spatial thickness variations (LSTV) in the active layer |
| JPS58180080A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS60100489A (ja) * | 1983-08-02 | 1985-06-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レ−ザ |
| JPS6042890A (ja) * | 1983-08-18 | 1985-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 面発光形半導体レ−ザ及びその製造方法 |
| US4706101A (en) * | 1984-10-27 | 1987-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting diode formed of a compound semiconductor material |
| US4675876A (en) * | 1985-02-14 | 1987-06-23 | Northern Telecom Limited | Bragg distributed feedback surface emitting laser |
-
1986
- 1986-10-23 NL NL8602653A patent/NL8602653A/nl not_active Application Discontinuation
-
1987
- 1987-10-06 US US07/104,896 patent/US4819243A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-20 EP EP87202014A patent/EP0266826B1/en not_active Expired
- 1987-10-20 DE DE8787202014T patent/DE3778486D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-20 CA CA000549714A patent/CA1280498C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-21 JP JP62264030A patent/JPH0828548B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0266826A1 (en) | 1988-05-11 |
| CA1280498C (en) | 1991-02-19 |
| JPS63111690A (ja) | 1988-05-16 |
| EP0266826B1 (en) | 1992-04-22 |
| US4819243A (en) | 1989-04-04 |
| DE3778486D1 (de) | 1992-05-27 |
| NL8602653A (nl) | 1988-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4860024B2 (ja) | ＩｎＸＡｌＹＧａＺＮ発光素子及びその製造方法 | |
| US4309670A (en) | Transverse light emitting electroluminescent devices | |
| KR100708107B1 (ko) | 전기 광학적 특성이 개선된 반도체 광 방출 장치 및 그제조방법 | |
| US6222866B1 (en) | Surface emitting semiconductor laser, its producing method and surface emitting semiconductor laser array | |
| JP2534444B2 (ja) | 集積化短キャビティ・レ―ザ | |
| US5345462A (en) | Semiconductor surface emitting laser having enhanced polarization control and transverse mode selectivity | |
| JPS61127192A (ja) | 表面放射発光装置 | |
| US5253263A (en) | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors | |
| CN111082314B (zh) | 一种半导体激光器及其制备方法 | |
| JP2001237497A (ja) | 受動半導体構造およびその製造方法 | |
| JP2863773B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置 | |
| JPH06314854A (ja) | 面型発光素子とその製造方法 | |
| JPH0828548B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US6859476B2 (en) | Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same | |
| US5478774A (en) | Method of fabricating patterned-mirror VCSELs using selective growth | |
| US6737290B2 (en) | Surface-emitting semiconductor laser device and method for fabricating the same, and surface-emitting semiconductor laser array employing the laser device | |
| JP4443094B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10233558A (ja) | ダイヤモンド層を含む多層膜構造、それを有する光デバイス、およびその作製方法 | |
| JP3145769B2 (ja) | 半導体面発光素子 | |
| KR100574441B1 (ko) | 저손실 표면방출 레이저 소자 및 제조 방법 | |
| JP3685541B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| US6770915B2 (en) | Light emitting element with multiple multi-layer reflectors and a barrier layers | |
| CN119765014B (zh) | 一种半导体激光器及其制备方法 | |
| KR950002208B1 (ko) | 레이저다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP3358197B2 (ja) | 半導体レーザ |