JPH08288535A - 赤外線検出素子及びその製造方法 - Google Patents
赤外線検出素子及びその製造方法Info
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- JPH08288535A JPH08288535A JP7089525A JP8952595A JPH08288535A JP H08288535 A JPH08288535 A JP H08288535A JP 7089525 A JP7089525 A JP 7089525A JP 8952595 A JP8952595 A JP 8952595A JP H08288535 A JPH08288535 A JP H08288535A
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハイブリッド型赤外線検出素子を動作温度に
冷却する時に発生する、ホトダイオード部及びエピ界面
の熱応力を低減し、かつバンプ接合強度を向上させる。 【構成】 バンプ接合に高濃度にドープされたポリＳｉ
バンプ１０及びＩｎ薄膜１１を用いるため、接合強度及
び電気伝導度が大きい。またポリＳｉバンプ１０の柔軟
性が低く、ＳｉＩＣ９とＳｉ基板１４の厚みが等しいた
め冷却時に反りが発生しない。この時、熱応力最大部４
の熱応力はＣｄＴｅの弾性限界力であり、ホトダイオー
ド５の熱応力はＨｇＣｄＴｅの弾性限界の半分程度であ
る。補強用ポリＳｉバンプ１２とＨｇＣｄＴｅ層７の最
端部に形成されたＣｄＴｅバンプ８はアレイ最端のホト
ダイオード１６の局部的な結晶破壊を回避する。 【効果】 冷却サイクルに対し、信頼性の高い赤外線検
出素子を歩留りよく製造できる。
冷却する時に発生する、ホトダイオード部及びエピ界面
の熱応力を低減し、かつバンプ接合強度を向上させる。 【構成】 バンプ接合に高濃度にドープされたポリＳｉ
バンプ１０及びＩｎ薄膜１１を用いるため、接合強度及
び電気伝導度が大きい。またポリＳｉバンプ１０の柔軟
性が低く、ＳｉＩＣ９とＳｉ基板１４の厚みが等しいた
め冷却時に反りが発生しない。この時、熱応力最大部４
の熱応力はＣｄＴｅの弾性限界力であり、ホトダイオー
ド５の熱応力はＨｇＣｄＴｅの弾性限界の半分程度であ
る。補強用ポリＳｉバンプ１２とＨｇＣｄＴｅ層７の最
端部に形成されたＣｄＴｅバンプ８はアレイ最端のホト
ダイオード１６の局部的な結晶破壊を回避する。 【効果】 冷却サイクルに対し、信頼性の高い赤外線検
出素子を歩留りよく製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッド型赤外線
検出素子及びその製造方法に関する。
検出素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線検出素子は、大気中の透過率の高
い３〜５μｍ及び８〜１４μｍで検出感度を持つものが
実用に供される。この波長に相当するバンドキャップを
持つ半導体結晶としては、ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，ＨｇＣ
ｄＴｅ，ＰｂＳｎＴｅ等が知られており、量子型赤外線
検出素子に使用されている。特にＨｇＣｄＴｅホトダイ
オードアレイを用いた赤外線検出素子は、数μｍから１
０μｍ域までをカバーできる高感度検出素子として優れ
ており、２次元配列赤外線検出素子の開発が進められて
いる。
い３〜５μｍ及び８〜１４μｍで検出感度を持つものが
実用に供される。この波長に相当するバンドキャップを
持つ半導体結晶としては、ＩｎＡｓ，ＩｎＳｂ，ＨｇＣ
ｄＴｅ，ＰｂＳｎＴｅ等が知られており、量子型赤外線
検出素子に使用されている。特にＨｇＣｄＴｅホトダイ
オードアレイを用いた赤外線検出素子は、数μｍから１
０μｍ域までをカバーできる高感度検出素子として優れ
ており、２次元配列赤外線検出素子の開発が進められて
いる。
【０００３】ＨｇＣｄＴｅホトダイオードとしては、Ｃ
ｄＴｅ，ＧａＡｓ，Ｓｉなどの基板上にエピ成長された
結晶が広く用いられており、以下これらをＨｇＣｄＴｅ
／エピ基板と表記し、ＨｇＣｄＴｅ／エピ基板を用いた
場合について述べる。また信号読み出し用ＩＣの材料と
しては、Ｓｉが広く用いられており、以下ＳｉＩＣと表
記する。
ｄＴｅ，ＧａＡｓ，Ｓｉなどの基板上にエピ成長された
結晶が広く用いられており、以下これらをＨｇＣｄＴｅ
／エピ基板と表記し、ＨｇＣｄＴｅ／エピ基板を用いた
場合について述べる。また信号読み出し用ＩＣの材料と
しては、Ｓｉが広く用いられており、以下ＳｉＩＣと表
記する。
【０００４】上述した２次元配列型赤外線検出素子の構
造としては、ＳｉＩＣとＨｇＣｄＴｅ／エピ基板とを互
いに向き合わせ、それぞれの素子に形成されたバンプを
介してこれらを圧着し、電気的及び機械的に接続させた
ハイブリッド型赤外線検出素子が一般的である。以下で
はハイブリッド型赤外線検出素子の構造をハイブリッド
構造と表記する。
造としては、ＳｉＩＣとＨｇＣｄＴｅ／エピ基板とを互
いに向き合わせ、それぞれの素子に形成されたバンプを
介してこれらを圧着し、電気的及び機械的に接続させた
ハイブリッド型赤外線検出素子が一般的である。以下で
はハイブリッド型赤外線検出素子の構造をハイブリッド
構造と表記する。
【０００５】ハイブリッド型赤外線検出素子は、液体窒
素温度である７７Ｋ程度に冷却して使用されるが、Ｓｉ
ＩＣとＨｇＣｄＴｅ／エピ基板、あるいはＨｇＣｄＴｅ
とエピ基板の熱膨張係数の相違によってハイブリッド構
造に熱応力が発生し、赤外線検出素子の機能劣化をもた
らすことが予想される。この熱応力を回避するために従
来考えられてきたハイブリッド構造の例を図５，図６を
用いて説明する。
素温度である７７Ｋ程度に冷却して使用されるが、Ｓｉ
ＩＣとＨｇＣｄＴｅ／エピ基板、あるいはＨｇＣｄＴｅ
とエピ基板の熱膨張係数の相違によってハイブリッド構
造に熱応力が発生し、赤外線検出素子の機能劣化をもた
らすことが予想される。この熱応力を回避するために従
来考えられてきたハイブリッド構造の例を図５，図６を
用いて説明する。
【０００６】図５に示したハイブリッド構造は、ハイブ
リッド構造を冷却した場合に発生する熱応力負荷を、接
合に用いられるＩｎバンプの熱歪によって回避する構造
例である。すなわちＣｄＴｅ基板１７上にＨｇＣｄＴｅ
層７をエピ成長させ、ホトダイオード５を形成した後、
高アスペクト比のＩｎバンプ１８を用いて、ＣｄＴｅ基
板１７とＳｉＩＣ９とを接合したハイブリッド構造であ
る。このハイブリッド構造を冷却した場合、ＳｉＩＣ９
とＨｇＣｄＴｅ層７／ＣｄＴｅ基板１７との冷却収縮量
の差を柔軟性の高いＩｎバンプ１８の歪が緩和している
ため、発生する熱応力は全体的に低いという利点があ
る。
リッド構造を冷却した場合に発生する熱応力負荷を、接
合に用いられるＩｎバンプの熱歪によって回避する構造
例である。すなわちＣｄＴｅ基板１７上にＨｇＣｄＴｅ
層７をエピ成長させ、ホトダイオード５を形成した後、
高アスペクト比のＩｎバンプ１８を用いて、ＣｄＴｅ基
板１７とＳｉＩＣ９とを接合したハイブリッド構造であ
る。このハイブリッド構造を冷却した場合、ＳｉＩＣ９
とＨｇＣｄＴｅ層７／ＣｄＴｅ基板１７との冷却収縮量
の差を柔軟性の高いＩｎバンプ１８の歪が緩和している
ため、発生する熱応力は全体的に低いという利点があ
る。
【０００７】図６に示したハイブリッド構造は、ハイブ
リッド構造を冷却した場合に発生する熱応力負荷をエピ
基板をＳｉとし、ＳｉＩＣとＨｇＣｄＴｅ／エピ基板と
の冷却収縮量を揃えることによって回避する構造例であ
る。図５と同様に動作温度に冷却した場合にハイブリッ
ド構造に発生する熱歪の様子を示している。Ｓｉ基板１
４上にＣｄＴｅバッファー層１９及びＨｇＣｄＴｅ層７
を両者同程度の厚みでエピ成長させ、ホトダイオード５
を形成した後、高アスペクト比のＩｎバンプ１８を用い
てＳｉＩＣ９と接合したハイブリッド構造である。この
ハイブリッド構造を冷却した場合、ＳｉＩＣ９とＨｇＣ
ｄＴｅ層７／ＣｄＴｅバッファー層１９／Ｓｉ基板１４
と収縮量の差が小さいため、Ｉｎバンプ１８に発生する
熱歪が小さいという利点がある。
リッド構造を冷却した場合に発生する熱応力負荷をエピ
基板をＳｉとし、ＳｉＩＣとＨｇＣｄＴｅ／エピ基板と
の冷却収縮量を揃えることによって回避する構造例であ
る。図５と同様に動作温度に冷却した場合にハイブリッ
ド構造に発生する熱歪の様子を示している。Ｓｉ基板１
４上にＣｄＴｅバッファー層１９及びＨｇＣｄＴｅ層７
を両者同程度の厚みでエピ成長させ、ホトダイオード５
を形成した後、高アスペクト比のＩｎバンプ１８を用い
てＳｉＩＣ９と接合したハイブリッド構造である。この
ハイブリッド構造を冷却した場合、ＳｉＩＣ９とＨｇＣ
ｄＴｅ層７／ＣｄＴｅバッファー層１９／Ｓｉ基板１４
と収縮量の差が小さいため、Ｉｎバンプ１８に発生する
熱歪が小さいという利点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】赤外線画像の高画質化
の要請によるホトダイオードアレイ面積の増大化を背景
としてホトダイオードアレイの大面積化を図５のハイブ
リッド構造で行った場合、冷却時にアレイの外側ほどＩ
ｎバンプ１８にかかる熱歪が大きくなり、熱応力による
破壊を防ぐためにＩｎバンプ１８のアスペクト比を大き
くせざるを得ない。
の要請によるホトダイオードアレイ面積の増大化を背景
としてホトダイオードアレイの大面積化を図５のハイブ
リッド構造で行った場合、冷却時にアレイの外側ほどＩ
ｎバンプ１８にかかる熱歪が大きくなり、熱応力による
破壊を防ぐためにＩｎバンプ１８のアスペクト比を大き
くせざるを得ない。
【０００９】しかし接合工程で決定されるＩｎ／Ｉｎ界
面における接合強度の向上とアスペクト比の向上は、互
いに相反する要素であり、高アスペクト比を実現するた
めには、機械的接合強度を犠牲にする必要があるという
矛盾が発生する。すなわち、接合工程では、ＳｉＩＣ９
とＨｇＣｄＴｅ層７の両側にＩｎバンプを形成し圧力印
加により両Ｉｎバンプを圧着し、接合後のＩｎバンプ１
８を形成しているが、アスペクト比を高くするために
は、接合温度及び接合圧力を低く抑えなければならず、
Ｉｎ／Ｉｎ接合面における接合強度を十分に得ることが
できないのである。
面における接合強度の向上とアスペクト比の向上は、互
いに相反する要素であり、高アスペクト比を実現するた
めには、機械的接合強度を犠牲にする必要があるという
矛盾が発生する。すなわち、接合工程では、ＳｉＩＣ９
とＨｇＣｄＴｅ層７の両側にＩｎバンプを形成し圧力印
加により両Ｉｎバンプを圧着し、接合後のＩｎバンプ１
８を形成しているが、アスペクト比を高くするために
は、接合温度及び接合圧力を低く抑えなければならず、
Ｉｎ／Ｉｎ接合面における接合強度を十分に得ることが
できないのである。
【００１０】また図６のハイブリッド構造では、冷却時
にＳｉ基板１４とＨｇＣｄＴｅ層７／ＣｄＴｅバッファ
ー層１９の熱膨張係数の差により、ＨｇＣｄＴｅ層７／
ＣｄＴｅバッファー層１９／Ｓｉ基板１４全体に内部応
力が発生する。Ｓｉ基板１４の厚さをプロセスを行いや
すい５００μｍ程度にしたときの内部応力は、ＨｇＣｄ
Ｔｅ層７の上面に集中し、ホトダイオード５への前記熱
応力集中を避けるためにＳｉ基板１４の厚さを薄層化の
限界に近い２５μｍ程度にしたときには、内部応力がＣ
ｄＴｅバッファー層１９／Ｓｉ基板１４の界面に集中
し、界面剥離が発生する。
にＳｉ基板１４とＨｇＣｄＴｅ層７／ＣｄＴｅバッファ
ー層１９の熱膨張係数の差により、ＨｇＣｄＴｅ層７／
ＣｄＴｅバッファー層１９／Ｓｉ基板１４全体に内部応
力が発生する。Ｓｉ基板１４の厚さをプロセスを行いや
すい５００μｍ程度にしたときの内部応力は、ＨｇＣｄ
Ｔｅ層７の上面に集中し、ホトダイオード５への前記熱
応力集中を避けるためにＳｉ基板１４の厚さを薄層化の
限界に近い２５μｍ程度にしたときには、内部応力がＣ
ｄＴｅバッファー層１９／Ｓｉ基板１４の界面に集中
し、界面剥離が発生する。
【００１１】以上のように図５及び図６に示すいずれの
ハイブリッド構造の場合でも、熱冷却サイクルに耐え得
るハイブリッド型赤外線検出素子の実現が困難であると
いう問題が発生していた。
ハイブリッド構造の場合でも、熱冷却サイクルに耐え得
るハイブリッド型赤外線検出素子の実現が困難であると
いう問題が発生していた。
【００１２】本発明の目的は、ホトダイオ−ド部及びエ
ピ界面の熱応力を低減する赤外線検出素子及びその製造
方法を提供することにある。
ピ界面の熱応力を低減する赤外線検出素子及びその製造
方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る赤外線検出素子は、エピ成長用基板
と、ＩＣ用基板と、バンプとを有する赤外線検出素子で
あって、エピ成長用基板は、ホトダイオードを形成する
化合物半導体層が積層されたものであり、ＩＣ用基板
は、ホトダイオードからの信号を読み出す能動素子が形
成されたものであり、前記両基板は、Ｓｉから構成さ
れ、前記化合物半導体層を除くエピ成長用基板の厚み
は、前記ＩＣ用基板とほぼ等しいものであり、バンプ
は、低柔軟性を有し、前記ＩＣ用基板に設けられて前記
ホトダイオ−ドに突き合わされ、基板の反りを抑制する
ものである。
め、本発明に係る赤外線検出素子は、エピ成長用基板
と、ＩＣ用基板と、バンプとを有する赤外線検出素子で
あって、エピ成長用基板は、ホトダイオードを形成する
化合物半導体層が積層されたものであり、ＩＣ用基板
は、ホトダイオードからの信号を読み出す能動素子が形
成されたものであり、前記両基板は、Ｓｉから構成さ
れ、前記化合物半導体層を除くエピ成長用基板の厚み
は、前記ＩＣ用基板とほぼ等しいものであり、バンプ
は、低柔軟性を有し、前記ＩＣ用基板に設けられて前記
ホトダイオ−ドに突き合わされ、基板の反りを抑制する
ものである。
【００１４】またバッファー層を有し、バッファー層
は、前記エピ成長用基板と前記化合物半導体層との間の
格子不整合を補正するものであり、前記バッファー層の
厚みは、前記化合物半導体層の厚みよりも大きいもので
ある。
は、前記エピ成長用基板と前記化合物半導体層との間の
格子不整合を補正するものであり、前記バッファー層の
厚みは、前記化合物半導体層の厚みよりも大きいもので
ある。
【００１５】また補強用バンプを有し、補強用バンプ
は、前記化合物半導体層の結晶最端部に設けられたもの
である。
は、前記化合物半導体層の結晶最端部に設けられたもの
である。
【００１６】また前記補強用バンプは、熱膨張係数及び
ヤング率が前記ＭＯＳＩＣ用基板とほぼ等しい材質であ
り、電気的導通を持たず、引っ張り応力に対する耐性を
必要としないものである。
ヤング率が前記ＭＯＳＩＣ用基板とほぼ等しい材質であ
り、電気的導通を持たず、引っ張り応力に対する耐性を
必要としないものである。
【００１７】また本発明に係る赤外線検出素子の製造方
法は、バンプ形成工程と、薄膜蒸着工程と、接合工程と
を有し、エピ成長用基板とＩＣ用基板とを接合してハイ
ブリッド化する赤外線検出素子の製造方法であって、エ
ピ成長用基板は、ホートダイオードを形成する化合物半
導体層が積層されたものであり、ＩＣ用基板は、ホート
ダイオードからの信号を読み出す能動素子が形成された
ものであり、予め前記化合物半導体層を除くエピ成長用
基板の厚みを前記ＩＣ用基板とほぼ等しく設定してお
き、バンプ形成工程において、ＩＣ用基板に高濃度ドー
プされた低柔軟性バンプを形成し、薄膜蒸着工程におい
て、前記バンプの表面にＩｎ薄膜を蒸着形成し、接合工
程において、前記バンプと前記ホートダイオードとを突
き合わせて圧力を印加し、前記エピ成長用基板とＩＣ用
基板とを接合する。
法は、バンプ形成工程と、薄膜蒸着工程と、接合工程と
を有し、エピ成長用基板とＩＣ用基板とを接合してハイ
ブリッド化する赤外線検出素子の製造方法であって、エ
ピ成長用基板は、ホートダイオードを形成する化合物半
導体層が積層されたものであり、ＩＣ用基板は、ホート
ダイオードからの信号を読み出す能動素子が形成された
ものであり、予め前記化合物半導体層を除くエピ成長用
基板の厚みを前記ＩＣ用基板とほぼ等しく設定してお
き、バンプ形成工程において、ＩＣ用基板に高濃度ドー
プされた低柔軟性バンプを形成し、薄膜蒸着工程におい
て、前記バンプの表面にＩｎ薄膜を蒸着形成し、接合工
程において、前記バンプと前記ホートダイオードとを突
き合わせて圧力を印加し、前記エピ成長用基板とＩＣ用
基板とを接合する。
【００１８】
【作用】本発明に係る赤外線検出素子は基本的構成とし
て、エピ成長用基板と、ＩＣ用基板と、バンプとを有し
ている。エピ成長用基板は、ホトダイオードを形成する
化合物半導体層が積層されたものであり、ＩＣ用基板
は、ホトダイオードからの信号を読み出す能動素子が形
成されたものであって、前記両基板は、Ｓｉから構成さ
れ、前記化合物半導体層を除くエピ成長用基板の厚み
は、前記ＩＣ用基板とほぼ等しい厚みになっている。バ
ンプは、低柔軟性を有し、前記ＩＣ用基板に設けられて
前記ホトダイオ−ドに突き合わされ、基板の反りを抑制
するものである。以下、本発明について説明する。
て、エピ成長用基板と、ＩＣ用基板と、バンプとを有し
ている。エピ成長用基板は、ホトダイオードを形成する
化合物半導体層が積層されたものであり、ＩＣ用基板
は、ホトダイオードからの信号を読み出す能動素子が形
成されたものであって、前記両基板は、Ｓｉから構成さ
れ、前記化合物半導体層を除くエピ成長用基板の厚み
は、前記ＩＣ用基板とほぼ等しい厚みになっている。バ
ンプは、低柔軟性を有し、前記ＩＣ用基板に設けられて
前記ホトダイオ−ドに突き合わされ、基板の反りを抑制
するものである。以下、本発明について説明する。
【００１９】図１に示すようなＳｉ層１／ＣｄＴｅ層２
／Ｓｉ層３の３層構造では、Ｓｉ層１とＳｉ層３の厚み
が同程度の場合、冷却時に構造全体に反りが発生せず、
熱応力はａａ’軸においてＣｄＴｅ層２の中心に位置す
る熱応力最大部４からの距離が増えるに従って減少する
分布となる。Ｓｉ層１とＳｉ層３との厚みが大きいほ
ど、熱応力最大部４への熱応力の集中度が大きいという
性質がある。Ｓｉ層１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層３の各層
の厚みをそれぞれ５００μｍ，２０μｍ，５００μｍと
した場合の熱応力分布を図２に示す。ここでは、応力と
してミーゼスの相当応力を用いる。
／Ｓｉ層３の３層構造では、Ｓｉ層１とＳｉ層３の厚み
が同程度の場合、冷却時に構造全体に反りが発生せず、
熱応力はａａ’軸においてＣｄＴｅ層２の中心に位置す
る熱応力最大部４からの距離が増えるに従って減少する
分布となる。Ｓｉ層１とＳｉ層３との厚みが大きいほ
ど、熱応力最大部４への熱応力の集中度が大きいという
性質がある。Ｓｉ層１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層３の各層
の厚みをそれぞれ５００μｍ，２０μｍ，５００μｍと
した場合の熱応力分布を図２に示す。ここでは、応力と
してミーゼスの相当応力を用いる。
【００２０】上述した本発明のハイブリッド構造は、図
１に示すＳｉ層１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層３の３層構造
に可能な限り近いＳｉ層／ポリＳｉバンプ／ＨｇＣｄＴ
ｅ層／ＣｄＴｅ層／Ｓｉ層の積層構造となっている。こ
こで上層のＳｉ層は図４のＩＣ用基板９、ポリＳｉバン
プは図４のポリＳｉバンプ１０、ＨｇＣｄＴｅ層は図４
のＨｇＣｄＴｅ層（化合物半導体層）７、ＣｄＴｅ層は
図４のＳｉ基板（エピ成長用基板）１４とＨｇＣｄＴｅ
層（化合物半導体層）７との格子不整合を補正するＣｄ
Ｔｅバッファー層１３，下層のＳｉ層は図４のＳｉ基板
（エピ成長用基板）１４に相当する。
１に示すＳｉ層１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層３の３層構造
に可能な限り近いＳｉ層／ポリＳｉバンプ／ＨｇＣｄＴ
ｅ層／ＣｄＴｅ層／Ｓｉ層の積層構造となっている。こ
こで上層のＳｉ層は図４のＩＣ用基板９、ポリＳｉバン
プは図４のポリＳｉバンプ１０、ＨｇＣｄＴｅ層は図４
のＨｇＣｄＴｅ層（化合物半導体層）７、ＣｄＴｅ層は
図４のＳｉ基板（エピ成長用基板）１４とＨｇＣｄＴｅ
層（化合物半導体層）７との格子不整合を補正するＣｄ
Ｔｅバッファー層１３，下層のＳｉ層は図４のＳｉ基板
（エピ成長用基板）１４に相当する。
【００２１】上述した本発明のハイブリッド構造を冷却
した場合も図１のＳｉ層１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層３の
３層構造と同様に反りは、ほとんど発生しない。ＨｇＣ
ｄＴｅとＣｄＴｅとを比較すると、ヤング率はほとんど
変わらないこと、熱膨張係数はＣｄＴｅの方が大きいこ
と、本発明においてＨｇＣｄＴｅ層よりもＣｄＴｅ層の
厚みを大きくするという前提に立って、後述するように
本発明のハイブリッド構造における熱応力最大部４は、
ＣｄＴｅバッファ−層１３の内部に位置させている。Ｃ
ｄＴｅバッファ−層１３は、格子不整合に対するバッフ
ァー層であり光電変換機能を持たず、また弾性限界を比
較すると、ＣｄＴｅはＨｇＣｄＴｅよりも大きい。これ
らの性質の結果、本発明のハイブリッド構造では、各層
における熱応力がそれぞれ弾性限界の範囲内であり、ホ
トダイオードを形成するＨｇＣｄＴｅ層上面及び界面剥
離の危険があるＣｄＴｅ／Ｓｉ界面では、応力が低い構
造となっている。
した場合も図１のＳｉ層１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層３の
３層構造と同様に反りは、ほとんど発生しない。ＨｇＣ
ｄＴｅとＣｄＴｅとを比較すると、ヤング率はほとんど
変わらないこと、熱膨張係数はＣｄＴｅの方が大きいこ
と、本発明においてＨｇＣｄＴｅ層よりもＣｄＴｅ層の
厚みを大きくするという前提に立って、後述するように
本発明のハイブリッド構造における熱応力最大部４は、
ＣｄＴｅバッファ−層１３の内部に位置させている。Ｃ
ｄＴｅバッファ−層１３は、格子不整合に対するバッフ
ァー層であり光電変換機能を持たず、また弾性限界を比
較すると、ＣｄＴｅはＨｇＣｄＴｅよりも大きい。これ
らの性質の結果、本発明のハイブリッド構造では、各層
における熱応力がそれぞれ弾性限界の範囲内であり、ホ
トダイオードを形成するＨｇＣｄＴｅ層上面及び界面剥
離の危険があるＣｄＴｅ／Ｓｉ界面では、応力が低い構
造となっている。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図３及び図４を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２３】図３（ａ）は、本発明の実施例に係る赤外
線検出素子におけるハイブリッド化前のバンプ接合部の
拡大図である。図３（ａ）に示すようにＨｇＣｄＴｅ層
（化合物半導体層）７によるホトダイオード５上には、
厚さ２μｍのＩｎバンプ６を形成する。またＨｇＣｄＴ
ｅ層７の上面端部には、高さ１μｍのＣｄＴｅバンプ８
を蒸着形成する。またＳｉＩＣ（上層のＳｉ層）９の下
面には、高濃度にドープされ比抵抗の小さいポリＳｉを
材質とした高さ３μｍのポリＳｉバンプ（低柔軟性バン
プ）１０を形成し、その表面に厚さ５０００ÅのＩｎ薄
膜１１を蒸着する。
線検出素子におけるハイブリッド化前のバンプ接合部の
拡大図である。図３（ａ）に示すようにＨｇＣｄＴｅ層
（化合物半導体層）７によるホトダイオード５上には、
厚さ２μｍのＩｎバンプ６を形成する。またＨｇＣｄＴ
ｅ層７の上面端部には、高さ１μｍのＣｄＴｅバンプ８
を蒸着形成する。またＳｉＩＣ（上層のＳｉ層）９の下
面には、高濃度にドープされ比抵抗の小さいポリＳｉを
材質とした高さ３μｍのポリＳｉバンプ（低柔軟性バン
プ）１０を形成し、その表面に厚さ５０００ÅのＩｎ薄
膜１１を蒸着する。
【００２４】またＣｄＴｅバンプ８に対応するＳｉＩＣ
９の下面には、ポリＳｉバンプ１０と同様の厚みのポリ
Ｓｉバンプ（補強用バンプ）１２及びＩｎ薄膜１１を形
成する。補強用ポリＳｉバンプ１２の面積は、ポリＳｉ
バンプ１０の４倍以上である。
９の下面には、ポリＳｉバンプ１０と同様の厚みのポリ
Ｓｉバンプ（補強用バンプ）１２及びＩｎ薄膜１１を形
成する。補強用ポリＳｉバンプ１２の面積は、ポリＳｉ
バンプ１０の４倍以上である。
【００２５】図３（ｂ）は、本発明の実施例に係る赤外
線検出素子におけるハイブリッド化後のバンプ接合部の
拡大図である。印加圧力によりＩｎバンプ６及びＩｎ薄
膜１１は変形し、その表面酸化膜が破られて接合され
る。前記変形によりＩｎバンプ６の一部がポリＳｉバン
プ１０の側部に滲み出すが、滲み出したＩｎバンプ６の
一部は、高さ３μｍのポリＳｉバンプ１０により確保さ
れるＨｇＣｄＴｅ層７とＳｉＩＣ９との間隙にためら
れ、ホトダイオード５のｐｎ接合部に到達することはな
い。
線検出素子におけるハイブリッド化後のバンプ接合部の
拡大図である。印加圧力によりＩｎバンプ６及びＩｎ薄
膜１１は変形し、その表面酸化膜が破られて接合され
る。前記変形によりＩｎバンプ６の一部がポリＳｉバン
プ１０の側部に滲み出すが、滲み出したＩｎバンプ６の
一部は、高さ３μｍのポリＳｉバンプ１０により確保さ
れるＨｇＣｄＴｅ層７とＳｉＩＣ９との間隙にためら
れ、ホトダイオード５のｐｎ接合部に到達することはな
い。
【００２６】このＩｎバンプ６及びＩｎ薄膜１１による
接合では、高アスペクト比のＩｎバンプの接合の場合に
見られるような印加圧力の横方向への分散が発生せずに
垂直成分が損失なくＩｎバンプ６に伝わるため、Ｉｎ／
Ｉｎ界面における接合強度及び電気導通度が大きい。ま
た補強用ポリＳｉバンプ１２及びＣｄＴｅバンプ８の接
合は、Ｉｎ同士の接合ではないため、機械的接合強度は
小さいが、後述するようにこの部分は圧縮応力を緩和す
る働きを持つ。
接合では、高アスペクト比のＩｎバンプの接合の場合に
見られるような印加圧力の横方向への分散が発生せずに
垂直成分が損失なくＩｎバンプ６に伝わるため、Ｉｎ／
Ｉｎ界面における接合強度及び電気導通度が大きい。ま
た補強用ポリＳｉバンプ１２及びＣｄＴｅバンプ８の接
合は、Ｉｎ同士の接合ではないため、機械的接合強度は
小さいが、後述するようにこの部分は圧縮応力を緩和す
る働きを持つ。
【００２７】図４は、本発明の実施例に係る赤外線検出
素子におけるハイブリッド構造全体の断面を示す。図４
に示す本発明のハイブリット構造は、図１に示すＳｉ層
１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層の３層構造に可能な限り近い
ＳｉＩＣ（Ｓｉ層１）９／ポリＳｉバンプ１０，１２／
ＨｇＣｄＴｅ層７／ＣｄＴｅバッファー層１３／Ｓｉ基
板１４の積層構造となっている。また６はＩｎバンプ、
１５はポリＳｉバンプ１０のうち最外部に位置するポリ
Ｓｉバンプ、１６はホトダイオード５のうち最外部に位
置するホトダイオードである。
素子におけるハイブリッド構造全体の断面を示す。図４
に示す本発明のハイブリット構造は、図１に示すＳｉ層
１／ＣｄＴｅ層２／Ｓｉ層の３層構造に可能な限り近い
ＳｉＩＣ（Ｓｉ層１）９／ポリＳｉバンプ１０，１２／
ＨｇＣｄＴｅ層７／ＣｄＴｅバッファー層１３／Ｓｉ基
板１４の積層構造となっている。また６はＩｎバンプ、
１５はポリＳｉバンプ１０のうち最外部に位置するポリ
Ｓｉバンプ、１６はホトダイオード５のうち最外部に位
置するホトダイオードである。
【００２８】各層の厚みはＳｉＩＣ９が５００μｍ，Ｈ
ｇＣｄＴｅ層７が１０μｍ，ＣｄＴｅバッファー層１３
が２０μｍ，Ｓｉ基板１４が５００μｍである。実際の
ハイブリッド構造ではホトダイオード５が２５６×２５
６個のアレイ上に配列され、Ｓｉ基板１４とＳｉＩＣ９
の大きさは１×１ｃｍ程度であるが、図４ではホトダイ
オード５の数を省略して減らして示してある。
ｇＣｄＴｅ層７が１０μｍ，ＣｄＴｅバッファー層１３
が２０μｍ，Ｓｉ基板１４が５００μｍである。実際の
ハイブリッド構造ではホトダイオード５が２５６×２５
６個のアレイ上に配列され、Ｓｉ基板１４とＳｉＩＣ９
の大きさは１×１ｃｍ程度であるが、図４ではホトダイ
オード５の数を省略して減らして示してある。
【００２９】図４に示すハイブリッド構造を７７Ｋに冷
却した場合でも前述した低柔軟性バンプであるポリＳｉ
バンプ１０，１２を用いてハイブリッド化を行うことに
より、反りは発生しない。ＣｄＴｅバッファー層１３内
に位置する熱応力最大部４には、２４×１０6Ｎ／ｍ2の
熱応力が発生するが、この値はＣｄＴｅの弾性限界内で
あり、結晶破壊は起こらない。
却した場合でも前述した低柔軟性バンプであるポリＳｉ
バンプ１０，１２を用いてハイブリッド化を行うことに
より、反りは発生しない。ＣｄＴｅバッファー層１３内
に位置する熱応力最大部４には、２４×１０6Ｎ／ｍ2の
熱応力が発生するが、この値はＣｄＴｅの弾性限界内で
あり、結晶破壊は起こらない。
【００３０】ホトダイオード５には１２×１０6Ｎ／ｍ2
の熱応力が発生するが、この値はＨｇＣｄＴｅの弾性限
界の半分程度の大きさであるため、冷却による熱応力が
ダイオード特性に影響を与えることはない。また補強用
ポリＳｉバンプ１２とＣｄＴｅバンプ８がない場合に
は、最外部に位置するポリＳｉバンプ１５による圧縮応
力が、対応するホトダイオード１６に局部的に発生し、
その大きさは４０×１０6Ｎ／ｍ2となる。この値はＨｇ
ＣｄＴｅの弾性限界を越えているため、結晶破壊が生じ
る。補強用ポリＳｉバンプ１２とＨｇＣｄＴｅ層７の最
端部に形成されたＣｄＴｅバンプ８は、上述の結晶破壊
を回避する働きを持ち、この結果アレイの最端部に位置
するホトダイオード１６の熱応力は１２×１０6Ｎ／ｍ2
程度に低減し、ダイオード劣化が発生せず、また補強用
ポリＳｉバンプ１２とＣｄＴｅバンプ８の界面の熱応力
も１４〜１５×１０6Ｎ／ｍ2であるため、結晶端部にお
けるＨｇＣｄＴｅの結晶破壊が発生しない。
の熱応力が発生するが、この値はＨｇＣｄＴｅの弾性限
界の半分程度の大きさであるため、冷却による熱応力が
ダイオード特性に影響を与えることはない。また補強用
ポリＳｉバンプ１２とＣｄＴｅバンプ８がない場合に
は、最外部に位置するポリＳｉバンプ１５による圧縮応
力が、対応するホトダイオード１６に局部的に発生し、
その大きさは４０×１０6Ｎ／ｍ2となる。この値はＨｇ
ＣｄＴｅの弾性限界を越えているため、結晶破壊が生じ
る。補強用ポリＳｉバンプ１２とＨｇＣｄＴｅ層７の最
端部に形成されたＣｄＴｅバンプ８は、上述の結晶破壊
を回避する働きを持ち、この結果アレイの最端部に位置
するホトダイオード１６の熱応力は１２×１０6Ｎ／ｍ2
程度に低減し、ダイオード劣化が発生せず、また補強用
ポリＳｉバンプ１２とＣｄＴｅバンプ８の界面の熱応力
も１４〜１５×１０6Ｎ／ｍ2であるため、結晶端部にお
けるＨｇＣｄＴｅの結晶破壊が発生しない。
【００３１】なお、本実施例ではＳｉ基板１４とＳｉＩ
Ｃ９の大きさは１×１ｃｍ程度の場合について詳細に述
べたが、本発明はＳｉ基板１４とＳｉＩＣ９のサイズに
よらず有効である。また本発明においては、化合物半導
体層としてＨｇＣｄＴｅ層７を用いた赤外線検出素子に
ついて述べたが、他の化合物半導体層を用いた場合でも
同様な効果の得られることは言うまでもない。
Ｃ９の大きさは１×１ｃｍ程度の場合について詳細に述
べたが、本発明はＳｉ基板１４とＳｉＩＣ９のサイズに
よらず有効である。また本発明においては、化合物半導
体層としてＨｇＣｄＴｅ層７を用いた赤外線検出素子に
ついて述べたが、他の化合物半導体層を用いた場合でも
同様な効果の得られることは言うまでもない。
【００３２】次に本発明に係る赤外線検出素子の製造方
法について説明する。予め前記化合物半導体層を除くエ
ピ成長用基板の厚みを前記ＩＣ用基板とほぼ等しく設定
しておき、まずバンプ形成工程において、Ｓｉ基板９の
下面に高濃度ドープされたポリＳｉバンプ１０を形成す
る。その際、ポリＳｉバンプ１２をも形成する。一方ホ
トダイオ−ド５上にＩｎバンプ６を形成し、ＨｇＣｄＴ
ｅ層７上にＣｄＴｅバンプ８を形成する。
法について説明する。予め前記化合物半導体層を除くエ
ピ成長用基板の厚みを前記ＩＣ用基板とほぼ等しく設定
しておき、まずバンプ形成工程において、Ｓｉ基板９の
下面に高濃度ドープされたポリＳｉバンプ１０を形成す
る。その際、ポリＳｉバンプ１２をも形成する。一方ホ
トダイオ−ド５上にＩｎバンプ６を形成し、ＨｇＣｄＴ
ｅ層７上にＣｄＴｅバンプ８を形成する。
【００３３】次いで薄膜蒸着工程において、バンプ１
０、１２の表面にＩｎ薄膜１１を蒸着形成し、接合工程
において、バンプ１０とホートダイオード５とを突き合
わせて圧力を印加し、Ｓｉ基板１４とＳｉＩＣ９とを接
合する。
０、１２の表面にＩｎ薄膜１１を蒸着形成し、接合工程
において、バンプ１０とホートダイオード５とを突き合
わせて圧力を印加し、Ｓｉ基板１４とＳｉＩＣ９とを接
合する。
【００３４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明のハイ
ブリッド構造では、容易に高い強度のバンプ接合が実現
でき、同時に冷却時に発生する熱応力が低く、結晶破壊
及びダイオード劣化を防止できる。このため高信頼性の
赤外線検出素子を高い歩留りで生産することができる。
ブリッド構造では、容易に高い強度のバンプ接合が実現
でき、同時に冷却時に発生する熱応力が低く、結晶破壊
及びダイオード劣化を防止できる。このため高信頼性の
赤外線検出素子を高い歩留りで生産することができる。
【００３４】またバンプの柔軟性が低く、ハイブリッド
化される基板の厚みが等しいため、冷却時の反りを防止
できる。また補強用バンプによりアレイ最端のホトダイ
オード１６の局部的な結晶破壊を回避できる。
化される基板の厚みが等しいため、冷却時の反りを防止
できる。また補強用バンプによりアレイ最端のホトダイ
オード１６の局部的な結晶破壊を回避できる。
【図１】本発明の構造原理を示す図である。
【図２】図１における熱応力分布を示す図である。
【図３】（ａ）は、本発明の接合前のバンプ接合部の拡
大図、（ｂ）は本発明の接合後のバンプ接合部の拡大図
である。
大図、（ｂ）は本発明の接合後のバンプ接合部の拡大図
である。
【図４】本発明の全体構造を示す図である。
【図５】従来の構造例を示す図である。
【図６】従来の構造例を示す図である。
１ Ｓｉ層 ２ ＣｄＴｅ層 ３ Ｓｉ層 ４ 熱応力最大部 ５ ホトダイオード ６ Ｉｎバンプ ７ ＨｇＣｄＴｅ層 ８ ＣｄＴｅバンプ ９ ＳｉＩＣ １０ ポリＳｉバンプ １１ Ｉｎ薄膜 １２ 補強用ポリＳｉバンプ １３ ＣｄＴｅバッファー層 １４ Ｓｉ基板 １５ 最外部に位置するポリＳｉバンプ １６ 最外部に位置するホトダイオード １７ ＣｄＴｅ基板 １８ 高アスペクト比Ｉｎバンプ １９ ＣｄＴｅバッファー層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｅ 31/10 Ｈ
Claims (5)
- 【請求項１】 エピ成長用基板と、ＩＣ用基板と、バン
プとを有する赤外線検出素子であって、 エピ成長用基板は、ホトダイオードを形成する化合物半
導体層が積層されたものであり、 ＩＣ用基板は、ホトダイオードからの信号を読み出す能
動素子が形成されたものであり、 前記両基板は、Ｓｉから構成され、前記化合物半導体層
を除くエピ成長用基板の厚みは、前記ＩＣ用基板とほぼ
等しいものであり、 バンプは、低柔軟性を有し、前記ＩＣ用基板に設けられ
て前記ホトダイオ−ドに突き合わされ、基板の反りを抑
制するものであることを特徴とする赤外線検出素子。 - 【請求項２】 バッファー層を有し、 バッファー層は、前記エピ成長用基板と前記化合物半導
体層との間の格子不整合を補正するものであり、 前記バッファー層の厚みは、前記化合物半導体層の厚み
よりも大きいものであることを特徴とする請求項１に記
載の赤外線検出素子。 - 【請求項３】 補強用バンプを有し、 補強用バンプは、前記化合物半導体層の結晶最端部に設
けられたものであることを特徴とする請求項１に記載の
赤外線検出素子。 - 【請求項４】 前記補強用バンプは、熱膨張係数及びヤ
ング率が前記ＩＣ用基板とほぼ等しい材質であり、電気
的導通を持たず、引っ張り応力に対する耐性を必要とし
ないものであることを特徴とする請求項３に記載の赤外
線検出素子。 - 【請求項５】 バンプ形成工程と、薄膜蒸着工程と、接
合工程とを有し、エピ成長用基板とＩＣ用基板とを接合
してハイブリッド化する赤外線検出素子の製造方法であ
って、 エピ成長用基板は、ホートダイオードを形成する化合物
半導体層が積層されたものであり、ＩＣ用基板は、ホー
トダイオードからの信号を読み出す能動素子が形成され
たものであり、 予め前記化合物半導体層を除くエピ成長用基板の厚みを
前記ＩＣ用基板とほぼ等しく設定しておき、 バンプ形成工程において、ＩＣ用基板に高濃度ドープさ
れた低柔軟性バンプを形成し、 薄膜蒸着工程において、前記バンプの表面にＩｎ薄膜を
蒸着形成し、 接合工程において、前記バンプと前記ホートダイオード
とを突き合わせて圧力を印加し、前記エピ成長用基板と
ＩＣ用基板とを接合するであることを特徴とする赤外線
検出素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7089525A JP2671859B2 (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
| FR9604660A FR2733088B1 (fr) | 1995-04-14 | 1996-04-15 | Detecteur hybride de rayons imfrarouges et procede pour sa fabrication |
| US08/631,966 US5696377A (en) | 1995-04-14 | 1996-04-15 | Hybrid infrared ray detector with an improved bonding structure between an Si-substrate having integrated circuits and an HgCdTe layer having two-dimensional photodiode arrays and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7089525A JP2671859B2 (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288535A true JPH08288535A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2671859B2 JP2671859B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=13973231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7089525A Expired - Lifetime JP2671859B2 (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5696377A (ja) |
| JP (1) | JP2671859B2 (ja) |
| FR (1) | FR2733088B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781720B2 (en) | 2002-10-25 | 2010-08-24 | Gennum Corporation | Direct attach optical receiver module and method of testing |
| KR20190124273A (ko) * | 2017-03-01 | 2019-11-04 | 쥐-레이 스위츨란드 에스에이 | 웨이퍼 본딩에 기초한 전자기 방사선 검출기 |
| JP2023516429A (ja) * | 2020-03-06 | 2023-04-19 | レイセオン カンパニー | 窒化アルミニウム撓み防止層を有する半導体デバイス |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2810454B1 (fr) * | 2000-06-15 | 2003-07-18 | Sofradir | Detecteur de rayonnements electromagnetiques, et notamment de rayonnements infrarouges, et procede pour la realisation d'un tel detecteur |
| FR2810453B1 (fr) * | 2000-06-15 | 2002-11-15 | Sofradir | Detecteur de rayonnements electromagnetiques, et notamment de rayonnements infrarouges, et procede pour la realisation d'un tel detecteur |
| FR2820242B1 (fr) * | 2001-01-31 | 2003-06-13 | Sagem | Detecteur infrarouge hybride |
| US6884645B2 (en) * | 2003-04-18 | 2005-04-26 | Raytheon Company | Method for preparing a device structure having a wafer structure deposited on a composite substrate having a matched coefficient of thermal expansion |
| DE10339939B4 (de) * | 2003-08-29 | 2010-02-11 | Infineon Technologies Ag | Intergierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung und Beurteilung derselben |
| US7180077B1 (en) * | 2004-02-20 | 2007-02-20 | Techoscience Corporation | Far infrared photoconductor array |
| US6988899B2 (en) * | 2004-04-19 | 2006-01-24 | General Electric Company | Electronic assembly, and apparatus and method for the assembly thereof |
| US7547886B2 (en) * | 2005-07-07 | 2009-06-16 | The Regents Of The University Of California | Infrared sensor systems and devices |
| CN100479174C (zh) * | 2007-03-29 | 2009-04-15 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片 |
| FR2938973B1 (fr) * | 2008-11-27 | 2011-03-04 | Sagem Defense Securite | Cellules matricielles photosensibles dans l'infrarouge a base d'antimoniure sur substrat optiquement transparent et procede de fabrication associe |
| RU2402104C1 (ru) * | 2009-09-23 | 2010-10-20 | Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) | Укрепляющий элемент для гибридной микросхемы |
| CN113013279B (zh) * | 2021-01-27 | 2022-03-29 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 碲镉汞-黑磷范德华异质结红外偏振探测器及制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4039833A (en) * | 1976-08-17 | 1977-08-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High density infrared detector array |
| US5365088A (en) * | 1988-08-02 | 1994-11-15 | Santa Barbara Research Center | Thermal/mechanical buffer for HgCdTe/Si direct hybridization |
| US4943491A (en) * | 1989-11-20 | 1990-07-24 | Honeywell Inc. | Structure for improving interconnect reliability of focal plane arrays |
| JPH03291947A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッド型デバイス |
| US5095216A (en) * | 1990-09-24 | 1992-03-10 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating infrared detectors and the detector |
| US5264699A (en) * | 1991-02-20 | 1993-11-23 | Amber Engineering, Inc. | Infrared detector hybrid array with improved thermal cycle reliability and method for making same |
| US5308980A (en) * | 1991-02-20 | 1994-05-03 | Amber Engineering, Inc. | Thermal mismatch accommodated infrared detector hybrid array |
-
1995
- 1995-04-14 JP JP7089525A patent/JP2671859B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-15 US US08/631,966 patent/US5696377A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-15 FR FR9604660A patent/FR2733088B1/fr not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7781720B2 (en) | 2002-10-25 | 2010-08-24 | Gennum Corporation | Direct attach optical receiver module and method of testing |
| KR20190124273A (ko) * | 2017-03-01 | 2019-11-04 | 쥐-레이 스위츨란드 에스에이 | 웨이퍼 본딩에 기초한 전자기 방사선 검출기 |
| JP2023516429A (ja) * | 2020-03-06 | 2023-04-19 | レイセオン カンパニー | 窒化アルミニウム撓み防止層を有する半導体デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2671859B2 (ja) | 1997-11-05 |
| FR2733088B1 (fr) | 1998-02-13 |
| FR2733088A1 (fr) | 1996-10-18 |
| US5696377A (en) | 1997-12-09 |
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