JPH08288701A - マイクロ波集積回路装置 - Google Patents

マイクロ波集積回路装置

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JPH08288701A
JPH08288701A JP7089106A JP8910695A JPH08288701A JP H08288701 A JPH08288701 A JP H08288701A JP 7089106 A JP7089106 A JP 7089106A JP 8910695 A JP8910695 A JP 8910695A JP H08288701 A JPH08288701 A JP H08288701A
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integrated circuit
microwave integrated
metal frame
package
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JP7089106A
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English (en)
Inventor
Koji Yamada
浩嗣 山田
Yoichi Kitamura
洋一 北村
Kiyoharu Kiyono
清春 清野
Tomohiko Ono
智彦 小野
Nobuo Watanabe
伸夫 渡辺
Takashi Takahama
隆 高浜
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波集積回路用パッケージの直流バイ
アス印加用フィードスルーからの不要波の漏洩あるいは
流入を防止することにより、マイクロ波集積回路装置の
高性能化を図ることを目的とする。 【構成】 直流バイアス印加用フィードスルーとして、
ＰＺＴ系などの高誘電率材料からなる誘電体基板と誘電
体ブロックとを用い、かつ、誘電体基板上には中央部の
幅が他の部分よりも広い配線パターンを設ける構成とし
た。 【効果】 配線パターンと金属フレーム間および配線パ
ターンと底板間に大容量のキャパシタが形成される。こ
のキャパシタにより、外部からの不要波の流入あるいは
マイクロ波集積回路からの不要波の漏洩を防ぐことがで
きるため、高性能なマイクロ波集積回路装置を得ること
ができるとともに他の機器への悪影響をなくすこともで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、衛星通信、地上マイ
クロ波通信、移動体通信等に使用する高周波信号を制御
するためのマイクロ波集積回路装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）
等の半導体の性能向上や微細加工技術の進歩に伴い、通
信用またはレーダー等に用いる増幅器、発振器あるいは
逓倍器等のマイクロ波集積回路装置では小形化、軽量化
のために、マイクロ波集積回路技術が用いられ、通常、
これらは信頼性向上のためにマイクロ波集積回路用パッ
ケージに収納されて用いられる。
【０００３】図１５は、例えば特開平１−１６４０５２
に示されている従来のマイクロ波集積回路装置の構造の
一例を示すもので、図１５（ａ）は上面図、図１５
（ｂ）は図１５（ａ）のＡ−Ａ´断面図である。図にお
いて、１はチップキャパシタ、２，３はＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏや４２Ａｌｌｏｙなどの合金材料からなる金属フレー
ムおよび底板、４はマイクロ波集積回路、５はリードフ
レーム、６はパッケージ・リッド、７はセラミック製の
フィードスルー、８は直流バイアス印加用配線パター
ン、９，１０は信号印加用の配線パターン、１１，１２
は金属細線、１３は誘電体基板、１４は誘電体ブロック
である。
【０００４】この装置は、ロの字型の金属フレーム２と
この金属フレーム２の底面を塞ぐように設けられた底板
３と金属フレーム２の一つの側面から対抗する面に向か
って金属フレーム２の側壁を貫通して設けられたフィー
ドスルー７と金属フレーム２の上面を塞ぐように設けら
れたパッケージ・リッド６とからなるマイクロ波集積回
路用パッケージとこのパッケージの底板３のほぼ中央部
に装着されたマイクロ波集積回路４およびマイクロ波集
積回路４の周りに装着されたチップキャパシタ１とから
なる。この装置の組立は、まず、マイクロ波集積回路用
パッケージの底板３にマイクロ波集積回路４とチップキ
ャパシタ１とを半田付等で装着し、次に、マイクロ波集
積回路４と信号を印加するための配線パターン９，１０
間を金属細線１１で、また、直流バイアス印加用の配線
パターン８とマイクロ波集積回路４とはチップキャパシ
タ１を介してそれぞれ金属細線１２で接続し、最後に、
気密封止するためのパッケージ・リッド６を取付ける手
順で行われており、各配線パターン８，９，１０には他
回路装置との接続を容易にせるためにリードフレーム５
が接続されている。なお、図では省略しているが、この
装置は金属フレーム２の外周に沿って、底板３に設けら
れた穴にネジ等を挿入することにより、シャーシに固定
されている。
【０００５】また、マイクロ波集積回路用パッケージの
フィードスルー７はアルミナセラミックなどの誘電体基
板１３上に直流バイアス印加用配線パターン８および信
号印加用配線パターン９，１０を設け、これらの配線パ
ターン８，９，１０を挟むようにアルミナセラミックな
どの誘電体ブロック１４を設けた構造のものであり、金
属フレーム２の側壁の切欠き部へ挿入されるように底板
３に銀ろう付等で固定されている。このフィードスルー
７は、例えばセラミックを薄いテープに成形（グリーン
シート）し、これに直接高融点金属（タングステン、モ
リブデンなど）で内部配線を印刷し、これを複数枚（こ
の場合は２枚）熱圧着して積層した後、同時焼成して内
部配線と外部配線を形成し、焼成した後金めっきで仕上
げた積層多層法によって作られている。
【０００６】通常、マイクロ波集積回路用パッケージの
電気的な影響をできるだけ小さくするために、信号が通
るフィードスルー７の特性インピーダンスは５０Ωとな
るように決められており、また、直流バイアスを印加す
るためのフィードスルー７はそこへ流れる電流を考慮し
て配線パターン８の幅が決められている。
【０００７】さらにフィードスルー７とマイクロ波集積
回路４との間に挿入したチップキャパシタ１は、配線パ
ターン８を通して電源等からマイクロ波集積回路４へ不
要波が入射するのを防ぐとともにマイクロ波集積回路４
から発生した不要波がパッケージ外部へ漏洩するのを防
ぐために設けている。
【０００８】次に動作について説明する。この装置にお
いて、配線パターン８に直流バイアスを印加することに
より、直流バイアスはマイクロ波集積回路４に供給さ
れ、マイクロ波集積回路４は動作状態となる。この状態
において、例えばマイクロ波集積回路４として増幅器で
あるような場合、配線パターン９から供給された信号は
マイクロ波集積回路４へ供給され、そこで増幅される。
さらに増幅された信号は配線パターン１０から取り出す
ことができる。
【０００９】このようにこの装置は電気的に悪影響を与
えることなくマイクロ波集積回路４へ直流バイアスおよ
び信号を印加するとともに、マイクロ波集積回路４から
の信号の取り出すことのできるマイクロ波集積回路用パ
ッケージ内に、マイクロ波集積回路４を装着する事によ
り、高性能で信頼性の高いマイクロ波集積回路装置を得
ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波集積
回路装置ではマイクロ波集積回路４の外周に沿ってマイ
クロ波集積回路４と同一平面上にチップキャパシタ１を
設ける構造になっているため、マイクロ波集積回路用パ
ッケージの内寸が大きくなる。このため、所要周波数帯
においてパッケージ内で共振が発生し、マイクロ波集積
回路装置の特性が著しく劣化する問題点があった。
【００１１】また、マイクロ波集積回路４とチップキャ
パシタ１とを同一半田ではんだ付するような場合、両者
を固定する必要があり作業性が悪くなる。また、異種半
田を用いる場合は、例えばマイクロ波集積回路４を取り
付けた半田がチップキャパシタ１の方へ流れ込み、チッ
プキャパシタ１を取り付けられなくなる問題点もある。
【００１２】また、図１５に示す直流バイアス印加用の
フィードスルー７では配線パターン８とチップキャパシ
タ１間およびチップキャパシタ１とマイクロ波集積回路
４間をそれぞれ接続する金属細線１２間で直接、不要波
の結合が生じる。このため、外部から配線パターン８を
介して流入した不要波がマイクロ波集積回路４へ入力
し、マイクロ波集積回路装置の特性が劣化するか、マイ
クロ波集積回路４で発生した不要波が配線パターン８を
通って外部へ漏洩し、他の機器へ悪影響をあたえてしま
う問題点もあった。
【００１３】また、例えば、マイクロ波集積回路４で不
要波が発生した場合、チップキャパシタ１で大部分反射
され、反射された不要波は再びマイクロ波集積回路４側
へ戻り、チップキャパシタ１とマイクロ波集積回路４間
で多重反射が生じる。この多重反射により、マイクロ波
集積回路装置が発振したり、著しく特性劣化を生じる問
題点もあった。
【００１４】さらに、マイクロ波集積回路装置ではパッ
ケージにマイクロ波集積回路４を装着し、その後、パッ
ケージ・リッド６で気密封止する。この気密封止するこ
とによってマイクロ波集積回路４の出力電力、消費電
力、利得平坦度、通過位相、スプリアス等の特性が変化
してしまうような場合、特性調整が不可能となり、マイ
クロ波集積回路装置の特性が劣化してしまう問題点もあ
った。
【００１５】この発明は上記に示すような問題点を解消
するためになされたもので、マイクロ波集積回路装置の
高性能化、低価格化および小形化を図ることを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるマイク
ロ波集積回路装置の実施例１では、マイクロ波集積回路
用パッケージ内の金属フレームの側壁に抵抗体を設けた
ものである。
【００１７】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例２では、パッケージ・リッドに、マイク
ロ波集積回路用パッケージ内に突き出るように凸部を設
け、この凸部には抵抗体を設けたものである。
【００１８】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例３では、マイクロ波集積回路用パッケー
ジの底板にマイクロ波集積回路を装着するための凹部を
設けたものである。
【００１９】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例４では、マイクロ波集積回路用パッケー
ジの底板に、装着されるマイクロ波集積回路の外周の一
部あるいは外周に沿って溝を設けたものである。
【００２０】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例５では、マイクロ波集積回路用パッケー
ジの直流バイアス印加用フィードスルーとして、高誘電
率材料からなる誘電体基板および誘電体ブロックで形成
し、且つ、誘電体基板上に形成された配線パターンの中
央部の幅を他の部分より広くしたものである。
【００２１】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例６では、実施例５で示した配線パターン
に接触するような抵抗体を誘電体基板上に設けたもので
ある。
【００２２】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例７では、実施例６で示した抵抗体の形状
をテーパ状にしたものである。
【００２３】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例８では、マイクロ波集積回路用パッケー
ジのバイアス印加用フィードスルーとして、金属フレー
ムの側壁を貫通する穴を設け、この貫通孔に高誘電率の
誘電体材料を充填するとともに、誘電体を貫通するリー
ドフレームを設けて構成したものである。
【００２４】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例９では、実施例８のリードフレームと金
属フレーム間にキャパシタを設けたものである。
【００２５】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例１０では、マイクロ波集積回路用パッケ
ージのバイアス印加用フィードスルーとして、金属フレ
ームの上面の外周に沿って高誘電率材料からなる誘電体
を設け、かつ、この誘電体を貫通するリードフレームを
設けて構成したものである。
【００２６】また、この発明に係わるマイクロ波集積回
路装置の実施例１１では、マイクロ波集積回路用パッケ
ージの金属フレームの外周に沿って底板に垂直に貫通コ
ンデンサを設けたものである。
【００２７】さらに、この発明に係わるマイクロ波集積
回路装置の実施例１２では、マイクロ波集積回路の信号
経路の途中を一旦、マイクロ波集積回路用パッケージ外
に取り出すようにし、そこに外部調整回路を接続したも
のである。
【００２８】
【作用】この発明におけるマイクロ波集積回路装置の実
施例１では、金属フレームの側壁に設けられた抵抗体で
パッケージ内の空間を伝搬する不要波を吸収させること
ができる。
【００２９】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例２では、凸部に抵抗体を塗布したパッケ
ージ・リッドを用いることにより、簡単な構成でパッケ
ージ内の空間を伝搬する不要波を吸収させることができ
る。
【００３０】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例３では、マイクロ波集積回路とその外周
に沿って設けられたチップキャパシタの装置面を別にす
ることができる。
【００３１】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例４では、マイクロ波集積回路とチップキ
ャパシタとの装着面間に溝を設け、半田の流れ込みを防
ぐことができる。
【００３２】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例５では、直流バイアス印加用のフィード
スルーの配線パターンと金属フレームとの間に大容量の
キャパシタを形成することができる。
【００３３】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例６では、直流バイアス印加用のフィード
スルーの配線パターンと金属フレームとの間に大容量の
キャパシタを形成することができるとともに、配線パタ
ーンを通る不要波を抵抗体で減衰させることができる。
【００３４】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例７では、直流バイアス印加用のフィード
スルーの配線パターンと金属フレームとの間に大容量の
キャパシタを形成することができるとともに、テーパ形
状の抵抗体を用いることにより、配線パターンを通る不
要波をより多く減衰させることができる。
【００３５】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例８では、簡単な構成で直流バイアス印加
用のリードフレームと金属フレームとの間に大容量のキ
ャパシタを形成させることができる。
【００３６】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例９では、リードフレームと金属フレーム
との間にキャパシタを外付けすることにより、リードフ
レームと金属フレームとの間の容量値を制御することが
できる。
【００３７】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例１０では、リードフレームと金属フレー
ム間およびリードフレームとパッケージ・リッド間に大
容量のキャパシタを形成することができる。
【００３８】また、この発明におけるマイクロ波集積回
路装置の実施例１１では、金属フレームの外周に沿って
底板に設けられたねじ付き貫通コンデンサによって、マ
イクロ波集積回路用パッケージをシャーシに取付けるこ
とができる。
【００３９】さらに、この発明のマイクロ波集積回路装
置の実施例１２では、気密封止後のマイクロ波集積回路
の特性を調整することができる。
【００４０】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。
【００４１】実施例１．図１は、この発明の実施例１を
示すマイクロ波集積回路装置の斜視図であり、１５は抵
抗体である。ここで用いているマイクロ波集積回路用パ
ッケージでは直流バイアス印加用と信号印加用のフィー
ドスルー７の誘電体基板１３がそれぞれ分離したものに
なっているが、抵抗体１５を設けている以外は基本的に
は従来の装置で用いているマイクロ波集積回路用パッケ
ージと同じである。なお、図中では気密封止するための
パッケージ・リッド６を省略して示している。
【００４２】この抵抗体１５は射出成型にて造られた金
属フレーム２の内壁に、例えばＲｕＯ2 （３．５×１０
-5Ω−ｃｍ）やＲｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 （２．０×１０-2Ω−
ｃｍ）などの高熱に耐える厚膜抵抗体１５を塗布したも
のである。このように高熱に耐える厚膜抵抗体１５を用
いることにより、マイクロ波集積回路用パッケージにマ
イクロ波集積回路４を半田付する際の熱による特性劣化
を防ぐことができる。
【００４３】このように金属フレーム２の内壁に抵抗体
１５を設けることにより、この抵抗体１５は電波吸収体
の役割を果たすため、パッケージの共振を防ぐことがで
きる。従って、マイクロ波集積回路４の外周に沿ってチ
ップキャパシタ１を配置することにより、パッケージの
内寸が大きくなることによる所要周波数帯でのパッケー
ジの共振を防ぐことができ、マイクロ波集積回路装置の
特性劣化を防ぐことができる利点がある。
【００４４】実施例２．図２は、また、この発明の実施
例２を示すマイクロ波集積回路装置の断面図であり、１
６は凸部である。
【００４５】この凸部１６はパッケージ・リッド６に、
かつ、マイクロ波集積回路４側に突き出るように設けら
れており、この凸部１６には例えばＲｕＯ2 （３．５×
１０-5Ω−ｃｍ）やＲｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 （２．０×１０-2
Ω−ｃｍ）などの高熱に耐える厚膜からなる抵抗体１５
が設けられている。このようにパッケージ・リッド６に
凸部１６を設け、さらに、この凸部１６には抵抗体１５
を設けることにより、マイクロ波集積回路４とチップキ
ャパシタ１間あるいはチップキャパシタ１と配線パター
ン８間を接続する金属細線１２に接近させて抵抗体１５
を固定することができる。この抵抗体１５は実施例１で
述べたように電波吸収体の役割を果たすため、マイクロ
波集積回路用パッケージの共振を防ぐとともに、マイク
ロ波集積回路４とチップキャパシタ１間およびチップキ
ャパシタ１と配線パターン８間をそれぞれ接続する金属
細線１２間で直接結合する不要波を著しく減衰させるこ
とができる。
【００４６】このように、この発明のマイクロ波集積回
路装置ではパッケージの共振を防ぐことができるととも
に、金属細線１２間で直接結合する不要波を著しく減衰
させることができるため、高性能なマイクロ波集積回路
装置を得ることができる。また、パッケージ・リッド６
に凸部１６を設け、さらに抵抗体１５を設ける構造にし
ているため、実施例１のように金属フレーム２の側壁に
抵抗体１５を設けるものに比べ、マイクロ波集積回路用
パッケージの構造が簡単であり、安価にできる利点もあ
る。
【００４７】なお、上記、実施例１，２では抵抗体１５
を用いてマイクロ波集積回路用パッケージの共振を防ぐ
場合について述べた。以下に半田の流れ込みを防ぎ、マ
イクロ波集積回路装置の製作性向上を図る場合について
述べる。
【００４８】実施例３．図３は、また、この発明の実施
例３を示すマイクロ波集積回路装置の断面図であり、１
７は凹部である。
【００４９】この凹部１７はマイクロ波集積回路用パッ
ケージの底板３のほぼ中央部に設けられており、この凹
部１７にはマイクロ波集積回路４が装着されている。こ
のようにマイクロ波集積回路４を凹部１７に装着するこ
とにより、マイクロ波集積回路４とチップキャパシタ１
との装着面を別にする事ができる。
【００５０】このように、この発明のマイクロ波集積回
路装置ではパッケージの底板３のほぼ中央部に凹部１７
を設けることにより、半田の流れ込みを防ぐことがで
き、マイクロ波集積回路４とチップキャパシタ１とをそ
れぞれ融点の異なる異種半田で半田付けすることができ
る。このため、従来のように同一半田を用いる場合のマ
イクロ波集積回路４とチップキャパシタ１とを固定する
作業がなくなるため、マイクロ波集積回路装置の製作が
容易になる利点がある。また、マイクロ波集積回路４と
チップキャパシタ１との装着面を別にできるため、異種
半田を用いる場合に生じる半田の流れ込みにより、他部
品が半田付けできなくなってしまうこともない。
【００５１】実施例４．図４は、また、この発明の実施
例４を示すマイクロ波集積回路装置の断面図であり、１
８は溝である。
【００５２】この溝１８はマイクロ波集積回路用パッケ
ージの底板３に、マイクロ波集積回路４の外周に沿って
設けられており、この溝１８によって、マイクロ波集積
回路４とチップキャパシタ１との装着面を分離する事が
できる。
【００５３】このように、マイクロ波集積回路４とチッ
プキャパシタ１との間に溝１８を設けることにより、例
えばマイクロ波集積回路４を装着した半田がチップキャ
パシタ１の装着面へ流れ込むのを防ぐことができる。従
って、異種半田の使用が可能となり、マイクロ波集積回
路装置の製作が容易になるとともに、実施例３で示した
底板３に凹部１７を設けるマイクロ波集積回路用パッケ
ージよりも構造が簡単であるため、マイクロ波集積回路
装置を安価にできる利点もある。
【００５４】なお、上記、実施例３，４ではパッケージ
の底板３に凹部１７あるいは溝１８を設けてマイクロ波
集積回路装置の製作性向上を図る場合について述べた。
以下、マイクロ波集積回路用パッケージの直流バイアス
印加用の配線パターン８からの不要波の漏れ込み、ある
いは漏れ出しを防ぐことのできるマイクロ波集積回路装
置について述べる。
【００５５】実施例５．図５は、また、この発明の実施
例５を示すマイクロ波集積回路装置の斜視図であり、１
９は誘電体基板、２０は誘電体ブロック、２１は配線パ
ターン、２２はフィードスルーである。また、図６にフ
ィードスルー２２部の斜視図を示す。
【００５６】このフィードスルー２２は図６に示すよう
に、例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等の高誘電
率材料からなる誘電体基板１９上に中央部が他の部分よ
りも広い配線パターン２１を設け、さらに、この配線パ
ターン２１の中央部に高誘電率材料からなる誘電体ブロ
ック２０を設けた構造のものであり、図５のように金属
フレーム２の側壁の切欠き部へ挿入されるように底板３
に銀ろう付等で固定されている。
【００５７】このように誘電率が１０００〜２０００の
ＰＺＴ系高誘電率材料からなる誘電体基板１９、誘電体
ブロック２０を用い、さらに配線パターン２１の中央部
の幅を広くすることにより、フィードスルー２２の中央
部に大容量のキャパシタを得ることができる。例えば、
配線パターン２１の導体幅（ｗ）を１ｍｍ、誘電体基板
１９および誘電体ブロック２０の厚さをそれぞれ０．１
ｍｍとした場合、約１８０ｐＦの静電容量が得られ、こ
の値はマイクロ波帯の不要波の漏洩を防ぐのに十分な値
である。
【００５８】このフィードスルー２２を図５のように、
直流バイアス印加用フィードスルーとして用いることに
より、配線パターン２１と金属フレーム２間、配線パタ
ーン２１と底板３間にそれぞれ大容量のキャパシタが形
成される。このため、フィードスルー２２の中央部で非
常に低いインピーダンスとなり、例えば、マイクロ波集
積回路４で不要波が発生した場合、フィードスルー２２
の中央部で大部分がマイクロ波集積回路４側へ反射され
るため、パッケージの外部へ不要波が漏れなくなる。即
ち、このキャパシタは従来のチップキャパシタ１と同じ
機能をもつ。
【００５９】従って、従来、用いていたチップキャパシ
タ１が不要となるため、マイクロ波集積回路用パッケー
ジの内寸を小さくでき、所要周波数帯でのパッケージの
共振を防ぐことができる。このため、マイクロ波集積回
路装置の高性能化を図ることができるとともに、安価に
できる利点もある。また、配線パターン８とチップキャ
パシタ１間、チップキャパシタ１とマイクロ波集積回路
４間とをそれぞれ接続する金属線１２間での不要波の結
合がなくなるため、外部から不要波が入力し、マイクロ
波集積回路４の特性が劣化する事もなく、マイクロ波集
積回路４で発生した不要波が外部へ漏洩し、他の機器へ
悪影響を与えてしまうこともない。なお、この実施例で
示したフィードスルー２２は実施例１〜実施例４のマイ
クロ波集積回路装置に用いてもよい。
【００６０】実施例６．図７は、また、この発明の実施
例６のマイクロ波集積回路装置に用いるフィードスルー
２２の斜視図である。このフィードスルー２２は図６の
ものに、さらに、配線パターン２１に接触するような抵
抗体１５を誘電体基板１９上に設けたものである。この
抵抗体１５は焼成した誘電体基板１９上に高抵抗率の被
膜として、例えばＲｕＯ2 （３．５×１０-5Ω−ｃｍ）
やＲｂ2 Ｒｕ2 Ｏ6 （２．０×１０-2Ω−ｃｍ）などの
厚膜抵抗体をスクリーン印刷し、製作したものである。
【００６１】このように高誘電率材料からなる誘電体基
板１９、誘電体ブロック２０を用い、さらに、配線パタ
ーン２１に接触するように抵抗体１５を誘電体基板１９
上に設けることにより、例えばマイクロ波集積回路４で
発生した不要波は配線パターン２１を電ぱんする間に減
衰されるため、フィードスルー２２の中央部で反射され
た不要波はマイクロ波集積回路４側へ戻らなくなる。一
方、リードフレーム５から印加された直流バイアスはこ
の抵抗体１５で減衰されることなく配線パターン２１を
通ってマイクロ波集積回路４へ供給される。
【００６２】従って、このフィードスルー２２を用いる
マイクロ波集積回路装置では不要波のパッケージ外への
漏洩あるいはパッケージ外からの入射を防ぐことができ
るとともに、マイクロ波集積回路４とフィードスルー２
２間での不要波の多重反射がなくなるため、この多重反
射によりマイクロ波集積回路４が発振したり、特性劣化
を防ぐことができ、高性能なマイクロ波集積回路装置を
得ることができる。
【００６３】実施例７．図８は、また、この発明の実施
例７を示すマイクロ波集積回路装置のフィードスルーの
斜視図である。このフィードスルー２２は実施例６で示
した抵抗体１５を図のように金属細線１２側から徐々に
広がるテーパ状にしたものである。
【００６４】このように抵抗体１５をテーパ状にするこ
とにより、マイクロ波集積回路４で発生した不要波を金
属細線１２側の抵抗体１５の端面で反射させることな
く、より、多くの不要波を減衰させることができる。従
って、この実施例で示すようなフィードスルー２２を有
するマイクロ波集積回路用パッケージを用いることによ
り、マイクロ波集積回路装置のより高性能化を図ること
ができる利点がある。
【００６５】実施例８．図９は、また、この発明の実施
例８を示すマイクロ波集積回路装置の斜視図であり、２
３はＴｉＯ2 あるいはＰＺＴ系の高誘電率材料からなる
誘電体である。
【００６６】このマイクロ波集積回路装置では直流バイ
アス印加用のフィードスルー２２として、金属フレーム
２の側壁に貫通穴を設け、この貫通穴に例えば誘電率が
８５〜１７０のＴｉＯ2 からなるなる誘電体２３を充填
するとともに、この誘電体２３を貫通し、パッケージの
内外を電気的に接続するリードフレーム５を設けたこと
構造のものである。
【００６７】この構造のフィードスルー２２では例えば
リードフレーム５の幅を２ｍｍ、誘電体２３の厚みを
０．１ｍｍとし、また、金属フレーム２の厚みを１ｍｍ
とした場合、金属フレーム２とリードフレーム５間には
約６０ｐＦのキャパシタンスが得られる。また、誘電体
２３として、ＰＺＴ系の高誘電率材料を用いることによ
り、それ以上のキャパシタンスを得ることも可能であ
る。
【００６８】従って、このような構造のフィードスルー
２２を用いたマイクロ波集積回路装置でも直流バイアス
ラインを通るマイクロ波帯の不要波を十分阻止できるキ
ャパシタンスを金属フレーム２とリードフレーム５間に
得ることができる。このため、外部から不要波が入力
し、マイクロ波集積回路４の特性が劣化する事もなく、
マイクロ波集積回路４で発生した不要波が外部へ漏洩
し、他の機器へ悪影響を与えてしまうこともない。ま
た、実施例５のように配線パターン２１を設けた誘電体
基板１９と誘電体ブロック２０およびリードフレーム５
とで構成したフィードスルー２２に比べ、この実施例の
ものでは誘電体２３にリードフレーム５を挿入するのみ
で構成できるためマイクロ波集積回路装置の低価格化を
図ることができる利点がある。
【００６９】実施例９．図１０は、また、この発明の実
施例９のマイクロ波集積回路装置の斜視図であり、２４
はキャパシタである。この装置では実施例８のリードフ
レーム５と金属フレーム２間にチップ状のキャパシタ２
４を導電性接着剤等で取付けたものである。
【００７０】このようにリードフレーム５と金属フレー
ム２間に新たにキャパシタ２４を接続することにより、
もともと誘電体２３を介してリードフレーム５と金属フ
レーム２間に形成されたキャパシタに、新たにキャパシ
タ２４が加わる構成となる。この構造のパッケージでは
任意のキャパシタ２４を接続することができるため、リ
ードフレーム５と金属フレーム２間のキャパシタを任意
に設定できる。実施例８のものではフィードスルー２２
の物理的な形状の制約からリードフレーム５と金属フレ
ーム２間のキャパシタに制約があったのに対し、この発
明のものでは制約がない。
【００７１】従って、より大容量のキャパシタをリード
フレーム５と金属フレーム２間に得ることができるた
め、フィードスルー２２を通る低周波数帯からマイクロ
波帯までの不要波を十分阻止することが可能となる。こ
のため、より高性能なマイクロ波集積回路装置を得るこ
とができる利点がある。
【００７２】実施例１０．図１１は、また、この発明の
実施例１０を示すマイクロ波集積回路装置の斜視図であ
り、２５は誘電体２３上に設けられたメタライズ部であ
る。このマイクロ波集積回路装置では直流バイアス印加
用のフィードスルー２２として、金属フレーム２の上面
の外周に沿ってＰＺＴ系等の高誘電率材料からなる誘電
体２３を設け、この誘電体２３にはパッケージの内外部
をつなぐリードフレーム５が挿入して形成したものであ
り、上面には半田付け等でパッケージ・リッド６の取付
けを容易にするためにメタライズ部２５が設けられてい
る。このメタライズ部２５は例えばＣｒとＡｕを蒸着
し、その後、約５μｍの金めっきを施して製作したもの
である。
【００７３】この構造のフィードスルー２２は基本的に
は実施例８で示したものと同じであり、この場合も実施
例８で説明したように、金属フレーム２とリードフレー
ム５間にマイクロ波帯の不要波を阻止するための十分な
キャパシタが得られる。従って、高性能なマイクロ波集
積回路装置を得ることができる。特に、この発明に用い
たマイクロ波集積回路用パッケージでは直流バイアス印
加用のフィードスルー２２をパッケージの外周に沿って
多数設けることができるため、マイクロ波集積回路４と
して、例えばバイアス端子が多数必要となる多段増幅器
などのマイクロ波集積回路装置に有効である。
【００７４】実施例１１．図１２は、また、この発明の
実施例１１を示すマイクロ波集積回路装置の斜視図であ
る。図において、２６は貫通コンデンサ、２７は貫通コ
ンデンサ２６の中心導体、２８は貫通穴、２９はマイク
ロ波回路用パッケージを装着するためのシャーシ、３０
はマイクロ波集積回路用パッケージをシャーシ２９に固
定するための取付ネジ穴である。
【００７５】この装置ではパッケージの金属フレーム２
の外周に沿って底板３に、垂直に貫通穴２８が設けられ
ており、この貫通穴２８の径は貫通コンデンサ２６の外
周部に設けたネジ部の径よりもやや大きくできている。
パッケージのシャーシ２９への取付は貫通穴２８を介し
て、貫通コンデンサ２６を取付ネジ穴３０に挿入する事
により行うことができる。即ち、従来のパッケージでは
シャーシ２９への取付はネジ等を用いていたのに対し、
この発明のものでは貫通コンデンサ２６を用いている。
【００７６】また、図では省略しているが、取付ネジ穴
３０に挿入され、垂直に固定された貫通コンデンサ２６
の中心導体２７と配線パターン８間は金属で電気的に接
続されている。一般に貫通コンデンサ２６の中心導体２
７と外周部には大容量のキャパシタが形成されている。
このように中心導体２７と配線パターン８間を接続する
ことにより、等価的に配線パターン８と金属フレーム２
間に大容量のキャパシタが装加されたものと見なすこと
ができる。このため、配線パターン８を介して漏洩する
不要波を抑圧することができる。
【００７７】以上のように、この発明ではパッケージの
シャーシ２９への取付を貫通コンデンサ２６を用い、且
つ、直流バイアスをこの貫通コンデンサ２６を介してマ
イクロ波集積回路４へ印加することにより、従来、必要
であったチップキャパシタ１を用いることなくフィード
スルー７からの不要波の漏洩を防ぐことができる。従っ
て、高性能なマイクロ波集積回路装置を得ることができ
る。特に、パッケージのシャーシ２９への取付、不要波
の漏洩防止を貫通コンデンサ２６のみで行うことによ
り、実装密度が向上し、マイクロ波集積回路装置の小形
化を図ることができる利点がある。
【００７８】実施例１２．図１３は、さらに、この発明
の実施例１２を示すマイクロ波集積回路装置の斜視図で
あり、図１４はそのブロック図である。図中、３１，３
２はそれぞれマイクロ波集積回路、３３は外部調整回路
である。
【００７９】この発明のマイクロ波集積回路装置ではマ
イクロ波集積回路用パッケージ内に２個のマイクロ波集
積回路３１，３２を入出力端子が互いに逆方向となるよ
うに底板３に装着されている。また、パッケージの底板
３には金属フレーム２を貫通するように、信号を印加す
るためのフィードスルー７、信号を取り出すためのフィ
ードスルー７´およびマイクロ波集積回路３１，３２に
所望の直流バイアスを印加するための高誘電率材料から
なるフィードスルー２２が設けられている。さらに、マ
イクロ波集積回路３１，３２の入力端子とフィードスル
ー７間、マイクロ波集積回路３１，３２の出力端子とフ
ィードスルー７´間およびマイクロ波集積回路３１，３
２のバイアス端子とフィードスルー２２間はそれぞれ金
属細線１１，１２で接続されている。
【００８０】この装置では手前のフィードスルー７から
印加され信号は、マイクロ波集積回路３１へ供給され、
その出力はフィードスルー７´を介してパッケージの外
に取り出すことができる。一方、マイクロ波集積回路３
２への信号は奥のフィードスルー７から供給され、手前
のフィードスルー７´から取り出すことができる。従っ
て、このような構成にすることにより、マイクロ波集積
回路３１とマイクロ波集積回路３２間の信号を一旦マイ
クロ波集積回路用パッケージの外に取り出すことができ
る。このように、信号はマイクロ波集積回路３１、外部
調整回路３２、マイクロ波調整回路３３の順に流れる。
このため、マイクロ波集積回路用パッケージの外に外部
調整回路３３接続することにより、図１４に示すように
マイクロ波集積回路３１と３２間に外部調整回路３１を
挿入することができ、この外部調整回路３３を調整する
ことにより、マイクロ波集積回路装置の特性調整が可能
となる。
【００８１】このように、マイクロ波集積回路用パッケ
ージ内に装着されたマイクロ波集積回路３１，３２の信
号経路の途中を一旦マイクロ波集積回路ようパッケージ
外に取り出すことにより、外部調整回路３３の接続が容
易になる。このため、従来のように気密封止のため、パ
ッケージ・リッド６を取付けた後、マイクロ波集積回路
３１，３２の特性が変化しても外部調整回路３３によ
り、電気的な調整が容易になるため高性能なマイクロ波
集積回路装置を得ることができる。
【００８２】
【発明の効果】この発明の実施例１によれば、マイクロ
波集積回路用パッケージの金属フレームの側壁に高熱に
耐え、高抵抗率の抵抗体を設けることにより、パッケー
ジ内で発生する共振を防ぐことができ、良好な特性のマ
イクロ波集積回路装置を得ることができる。
【００８３】また、この発明の実施例２によれば、気密
封止するためのパッケージ・リッドに凸部を設け、か
つ、この凸部に抵抗体を設けることにより、簡単な構造
でパッケージ内の共振を防ぐことができ、安価で良好な
特性のマイクロ波集積回路装置を得ることができる。
【００８４】また、この発明の実施例３によれば、パッ
ケージを構成する底板にマイクロ波集積回路を装着する
ための凹部を設けることにより、マイクロ波集積回路と
チップキャパシタとの装着面を別にでき、例えばマイク
ロ波集積回路を装着するための半田がチップキャパシタ
側へ流れ込むのを防ぐことができるため、マイクロ波集
積回路装置の組立作業性が著しく改善できる効果があ
る。
【００８５】また、この発明の実施例４によれば、パッ
ケージを構成する底板にマイクロ波集積回路とチップキ
ャパシタとの装着面間に溝を設けることにより、簡単な
構造で、例えばマイクロ波集積回路を装着するための半
田がチップキャパシタ側へ流れ込むのを防ぐことができ
るため、マイクロ波集積回路装置の組立作業性が著しく
改善でき、しかも、安価にできる効果がある。
【００８６】また、この発明の実施例５によれば、パタ
ーンを構成する直流バイアス印加用のフィードスルーを
高誘電率材料からなる誘電体基板および誘電体ブロック
で形成し、しかも誘電体基板上の配線パターンの中央部
の幅を他の部分よりも広くすることにより、チップキャ
パシタを用いなくとも直流バイアス印加用のフィードス
ルーからのマイクロ波帯の不要波の漏洩あるいは流入を
防ぐことができ、また、パッケージの内寸も小さくでき
るため小形で安価なマイクロ波集積回路装置を得ること
ができる効果がある。
【００８７】また、この発明の実施例６によれば、実施
例５のフィードスルーの配線パターンに接触する抵抗体
を誘電体基板上に設けたものであり、この抵抗体により
不要波を吸収でき、直流バイアス印加用のフィードスル
ーとマイクロ波集積回路間で生じる不要波の多重反射を
防ぐことができるため、高性能なマイクロ波集積回路装
置を得ることができる効果がある。
【００８８】また、この発明の実施例７によれば、実施
例６で示した抵抗体をテーパ状にすることにより、フィ
ードスルーを通る不要波をより吸収させることができ、
直流バイアス印加用のフィードスルーとマイクロ波集積
回路間で生じる不要波の多重反射を非常に小さく抑える
ことができるため、実施例６よりも高性能なマイクロ波
集積回路装置を得ることができる効果がある。
【００８９】また、この発明の実施例８によれば、パッ
ケージの直流バイアス印加用のフィードスルーとして、
金属フレームの側壁に貫通穴を設け、この貫通穴に高誘
電率の誘電体材料を充填するとともに、誘電体を貫通す
るリードフレームを設けた構造としているため、フィー
ドスルーの構造を簡単にでき、しかも不要波の流入ある
いは漏洩を防ぐことができる。このため安価で高性能な
マイクロ波集積回路装置を得ることができる効果があ
る。
【００９０】また、この発明の実施例９によれば、実施
例８のリードフレームと金属フレーム間にキャパシタを
設けたものであり、フィードスルーを通るマイクロ波帯
の不要波の抑圧はフィードスルーで、また、低周波帯の
不要波の抑圧はキャパシタで行うことができるため、広
帯域にわたって高安定なマイクロ波集積回路装置を得る
ことができる効果がある。
【００９１】また、この発明の実施例１０によれば、パ
ッケージの直流バイアス用のフィードスルーとして、金
属フレームの上面に沿って高誘電率材料からなる誘電体
を設け、かつ、この誘電体を貫通するリードフレームを
設けた構造としているため、金属フレームの上面に沿っ
て多数のフィードスルーを取付ができ、多数のバイアス
端子を有するマイクロ波集積回路を装着するためのパッ
ケージとして有効である。
【００９２】また、この発明の実施例１１によれば、パ
ッケージの金属フレームの外周に沿って底板に垂直に設
けた貫通コンデンサでパッケージをシャーシへ取付ける
ようにしたものでシャーシへのパッケージの取付をネジ
で、また、貫通コンデンサをシャーシへ取付ける従来の
ものに比べ、高密度実装が可能となり、装置の著しい小
形化が図れる。また、この貫通コンデンサを介してパッ
ケージの直流バイアス印加用のフィードスルーにバイア
スを印加する事により、フィードスルーを通る不要波の
他機器への漏洩あるいは他機器からの不要波の流入を防
ぐことができ、高性能なマイクロ波集積回路装置を得る
ことができる効果もある。
【００９３】また、この発明の実施例１２によれば、マ
イクロ波集積回路用パッケージ内に装着されたマイクロ
波集積回路の信号経路の途中を一旦パッケージ外に取り
出すようにしたので、気密封止後、マイクロ波集積回路
装置の特性が変化した場合であっても外部調整回路によ
り、調整が可能となるため高性能なマイクロ波集積回路
装置を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施例１を示すマイクロ波集積回
路装置の斜視図である。
【図２】 この発明の実施例２を示すマイクロ波集積回
路装置の断面図である。
【図３】 この発明の実施例３を示すマイクロ波集積回
路装置の断面図である。
【図４】 この発明の実施例４を示すマイクロ波集積回
路装置の断面図である。
【図５】 この発明の実施例５を示すマイクロ波集積回
路装置の斜視図である。
【図６】 図５を示す実施例５のフィードスルー部の斜
視図である。
【図７】 この発明の実施例６を示すフィードスルー部
の斜視図である。
【図８】 この発明の実施例７を示すフィードスルー部
の斜視図である。
【図９】 この発明の実施例８を示すマイクロ波集積回
路装置の斜視図である。
【図１０】 この発明の実施例９を示すマイクロ波集積
回路装置の斜視図である。
【図１１】 この発明の実施例１０を示すマイクロ波集
積回路装置の斜視図である。
【図１２】 この発明の実施例１１を示すマイクロ波集
積回路装置の斜視図である。
【図１３】 この発明の実施例１２を示すマイクロ波集
積回路装置の斜視図である。
【図１４】 図１３に示す実施例１２のマイクロ波集積
回路装置のブロック図である。
【図１５】 従来のマイクロ波集積回路装置の斜視図お
よび断面図である。
【符号の説明】
１ チップキャパシタ、２ パッケージ用金属フレー
ム、３ 底板、４ マイクロ波集積回路、５ リードフ
レーム、６ パッケージ・リッド、７，７´ フィード
スルー、８ 配線パターン、９ 配線パターン、１０
配線パターン、１１ 金属細線、１２ 金属細線、１３
誘電体基板、１４ 誘電体ブロック、１５ 抵抗体、
１６ 凸部、１７ 凹部、１８ 溝、１９ 誘電体基
板、２０ 誘電体ブロック、２１ 配線パターン、２２
フィードスルー、２３ 誘電体、２４ キャパシタ、
２５ メタライズ部、２６ 貫通コンデンサ、２７ 中
心導体、２８ 貫通穴、２９ シャーシ、３０ 取付ネ
ジ穴、３１ マイクロ波集積回路、３２ マイクロ波集
積回路、３３ 調整回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小野 智彦 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会社 鎌倉製作所内 (72)発明者 渡辺 伸夫 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会社 鎌倉製作所内 (72)発明者 高浜 隆 鎌倉市上町屋325番地 三菱電機株式会社 鎌倉製作所内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏや４２Ａｌｌｏｙなど
    の合金材料からなるロの字型の金属フレームと、上記金
    属フレームの一方の開口面を塞ぐように設けられ、合金
    材料からなる底板と、上記金属フレームの一つの側面か
    ら対抗する面に向かって、金属フレームの側壁を貫通す
    るように設けられ、且つ、マイクロ波集積回路にバイア
    スあるいは信号を印加するためのフィードスルーと、上
    記金属フレームの他方の開口面を塞ぐように設けられた
    パッケージ・リッドから成るマイクロ波集積回路用パッ
    ケージと、上記マイクロ波集積回路用パッケージ内の底
    板に装着されたマイクロ波集積回路と、上記マイクロ波
    集積回路用パッケージ内の金属フレームの側壁に設けら
    れたＲｕＯ2 などの抵抗体とからなることを特徴とする
    マイクロ波集積回路装置。
  2. 【請求項２】 上記マイクロ波集積回路用パッケージ内
    に突き出るように、パッケージ・リッドに凸部を設け、
    且つ、凸部にはＲｕＯ2 などの抵抗体を設けたことを特
    徴とするマイクロ波集積回路装置。
  3. 【請求項３】 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏや４２Ａｌｌｏｙなど
    の合金材料からなるロの字型の金属フレームと、上記金
    属フレームの一方の開口面を塞ぐように設けられ、合金
    材料からなる底板と、上記金属フレームの一つの側面か
    ら対抗する面に向かって、金属フレームの側壁を貫通す
    るように設けられ、且つ、マイクロ波集積回路にバイア
    スあるいは信号を印加するためのフィードスルーと、上
    記金属フレームの他方の開口面を塞ぐように設けられた
    パッケージ・リッドから成るマイクロ波集積回路用パッ
    ケージと、上記マイクロ波集積回路用パッケージ内の底
    板に設けられた凹部と、上記凹部に装着されたマイクロ
    波集積回路とからなることを特徴とするマイクロ波集積
    回路装置。
  4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏや４２Ａｌｌｏｙなど
    の合金材料からなるロの字型の金属フレームと、上記金
    属フレームの一方の開口面を塞ぐように設けられ、合金
    材料からなる底板と、上記金属フレームの一つの側面か
    ら対抗する面に向かって、金属フレームの側壁を貫通す
    るように設けられ、且つ、マイクロ波集積回路にバイア
    スあるいは信号を印加するためのフィードスルーと、上
    記金属フレームの他方の開口面を塞ぐように設けられた
    パッケージ・リッドから成るマイクロ波集積回路用パッ
    ケージと、上記マイクロ波集積回路用パッケージ内の底
    板に装着されたマイクロ波集積回路と、上記マイクロ波
    集積回路の外周の一部あるいは外周に沿って底板に設け
    られた溝とからなることを特徴とするマイクロ波集積回
    路装置。
  5. 【請求項５】 上記マイクロ波集積回路用パッケージの
    バイアス印加用フィードスルーとして、ＰＺＴ（チタン
    酸ジルコン酸鉛）系物質などの高誘電率材料からなる誘
    電体基板に中央部の幅が他の部分よりも広い配線パター
    ンを設け、上記配線パターンの幅広部上にはＰＺＴ系物
    質などの高誘電率材料からなる誘電体ブロックを設けた
    ことを特徴とするマイクロ波集積回路装置。
  6. 【請求項６】 上記配線パターンに接触するように誘電
    体基板上にＲｕＯ2などの厚膜抵抗体を設けたことを特
    徴とする請求項５記載のマイクロ波集積回路装置。
  7. 【請求項７】 上記ＲｕＯ2 などの厚膜抵抗体の形状を
    テーパ状にしたことを特徴とする請求項６記載のマイク
    ロ波集積回路装置。
  8. 【請求項８】 上記マイクロ波集積回路用パッケージの
    バイアス印加用フィードスルーとして、金属フレームの
    一つの側面から対抗する面に向かって、金属フレームの
    側壁を貫通するような穴を設け、この穴にＴｉＯ2 （二
    酸化チタン）などの高誘電率材料からなる誘電体を充填
    するとともに、誘電体を貫通するリードフレームを設け
    たことを特徴とするマイクロ波集積回路装置。
  9. 【請求項９】 上記リードフレームと金属フレーム間に
    チップキャパシタを接続したことを特徴とする請求項８
    記載のマイクロ波集積回路装置。
  10. 【請求項１０】 上記マイクロ波集積回路用パッケージ
    のバイアス印加用フィードスルーとして、ロの字型の金
    属フレームの上面に沿ってＰＺＴ系物質などの高誘電率
    材料からなる誘電体を設け、かつ、金属フレームの一つ
    の側面から対抗する面に向かって、誘電体を貫通するリ
    ードフレームを設けたことを特徴とするマイクロ波周積
    回路装置。
  11. 【請求項１１】 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏや４２Ａｌｌｏｙな
    どの合金材料からなるロの字型の金属フレームと、上記
    金属フレームの一方の開口面を塞ぐように設けられた合
    金材料からなる底板と、上記金属フレームの一つの側面
    から対抗する面に向かって、金属フレームの側壁を貫通
    するように設けられ、且つ、マイクロ波集積回路にバイ
    アスあるいは信号を印加するためのフィードスルーと、
    上記金属フレームの他方の開口面を塞ぐように設けられ
    たパッケージ・リッドから成るマイクロ波集積回路用パ
    ッケージと、上記マイクロ波集積回路用パッケージ内の
    底板に装着されたマイクロ波集積回路と、上記金属フレ
    ームの外周に沿って底板に垂直に設けられた貫通コンデ
    ンサとからなることを特徴とするマイクロ波集積回路装
    置。
  12. 【請求項１２】 Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏや４２Ａｌｌｏｙな
    どの合金材料からなるロの字型の金属フレームと、上記
    金属フレームの一方の開口面を塞ぐように設けられ、合
    金材料からなる底板と、上記金属フレームの一つの側面
    から対抗する面に向かって、金属フレームの側壁を貫通
    するように設けられ、且つ、マイクロ波集積回路にバイ
    アスあるいは信号を印加するためのフィードスルーと、
    上記金属フレームの他方の開口面を塞ぐように設けられ
    たパッケージ・リッドから成るマイクロ波集積回路用パ
    ッケージと、上記マイクロ波集積回路用パッケージ内の
    底板に装着されたマイクロ波集積回路と、上記マイクロ
    波集積回路用パッケージの外に設けられ、かつ、上記マ
    イクロ波集積回路の信号経路の途中に電気的に接続され
    た外部調整回路とからなることを特徴とするマイクロ波
    集積回路装置。
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