JPH082932A - 石英ガラスルツボとその製造方法 - Google Patents
石英ガラスルツボとその製造方法Info
- Publication number
- JPH082932A JPH082932A JP15960294A JP15960294A JPH082932A JP H082932 A JPH082932 A JP H082932A JP 15960294 A JP15960294 A JP 15960294A JP 15960294 A JP15960294 A JP 15960294A JP H082932 A JPH082932 A JP H082932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- group
- glass crucible
- crucible
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】石英ガラスルツボ内表面の深さ１ｍｍ以内に結
晶化促進剤の塗布膜または固溶層が存在することを特徴
とする石英ガラスルツボおよび前記石英ガラスルツボの
製造方法。 【効果】本発明の石英ガラスルツボを用いてシリコン単
結晶の引上げを行うと、ルツボ内表面に結晶層が形成さ
れ、耐熱性が向上し、例えば減圧下でシリコン単結晶の
引上げを行っても、内表面が荒れず、平滑さが維持さ
れ、結晶化率よく長時間の引上げができる。しかも前記
本発明の石英ガラスルツボの製造方法はその内表面に２
ａ族元素の塗布膜または３ｂ族元素の固溶層を形成すと
いう簡便な方法であり工業的に有利な製造方法である。
晶化促進剤の塗布膜または固溶層が存在することを特徴
とする石英ガラスルツボおよび前記石英ガラスルツボの
製造方法。 【効果】本発明の石英ガラスルツボを用いてシリコン単
結晶の引上げを行うと、ルツボ内表面に結晶層が形成さ
れ、耐熱性が向上し、例えば減圧下でシリコン単結晶の
引上げを行っても、内表面が荒れず、平滑さが維持さ
れ、結晶化率よく長時間の引上げができる。しかも前記
本発明の石英ガラスルツボの製造方法はその内表面に２
ａ族元素の塗布膜または３ｂ族元素の固溶層を形成すと
いう簡便な方法であり工業的に有利な製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン単結晶を長時
間引上げることができる石英ガラスルツボとその製造方
法、さらに詳しくはマルチ引上げ法や連続充填引上げ法
等でシリコン単結晶を長時間に亘って引上げることがで
きる大口径石英ガラスルツボおよびその製造方法に関す
る。
間引上げることができる石英ガラスルツボとその製造方
法、さらに詳しくはマルチ引上げ法や連続充填引上げ法
等でシリコン単結晶を長時間に亘って引上げることがで
きる大口径石英ガラスルツボおよびその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、シリコンウエーハの大口径化に伴
い、単結晶引上用石英ガラスルツボの口径も１８インチ
（４５７．２ｍｍ）から２２〜２４インチ（５５８．８
〜６０９．６ｍｍ）と大きくなりそれが今日では主流と
なりつつある。前記単結晶引上用石英ガラスルツボの内
表面は、シリコン溶融液に接し、シリコンと反応し溶解
したり、あるいは外部のカーボンヒーターからの熱をシ
リコン融液に伝熱する機能を有している。この単結晶引
上用石英ガラスルツボの大口径化に伴い、ルツボの内壁
が単結晶から離れその熱負荷が大きくなり、例えば８イ
ンチ結晶の引上げには６インチ結晶の時より接湯面の温
度が５℃以上高くなり、ルツボ内表面の溶損速度は５割
増し以上となる等、溶損量が増え、ルツボ内表面が荒
れ、ルツボの長期使用が困難となり、単結晶のコスト高
を招いていた。こうした問題点を解決するため、ルツボ
の内表面を炭化物やチッ化物のセラミックスで被覆する
方法が特開平１ー１４１７０号公報で、また石英ガラス
にクリストバライトを混入したいわゆるガラスセラミッ
クスルツボが特開平５ー２４８７０号公報で提案され
た。しかしながら、前者のルツボは単結晶の引き上げ時
に被覆セラミックスが剥離し、満足のいく溶損量の低減
を図ることができなかった。また後者のルツボにおいて
は溶損量が従来のルツボとほとんど変わるところがない
という欠点があった。
い、単結晶引上用石英ガラスルツボの口径も１８インチ
（４５７．２ｍｍ）から２２〜２４インチ（５５８．８
〜６０９．６ｍｍ）と大きくなりそれが今日では主流と
なりつつある。前記単結晶引上用石英ガラスルツボの内
表面は、シリコン溶融液に接し、シリコンと反応し溶解
したり、あるいは外部のカーボンヒーターからの熱をシ
リコン融液に伝熱する機能を有している。この単結晶引
上用石英ガラスルツボの大口径化に伴い、ルツボの内壁
が単結晶から離れその熱負荷が大きくなり、例えば８イ
ンチ結晶の引上げには６インチ結晶の時より接湯面の温
度が５℃以上高くなり、ルツボ内表面の溶損速度は５割
増し以上となる等、溶損量が増え、ルツボ内表面が荒
れ、ルツボの長期使用が困難となり、単結晶のコスト高
を招いていた。こうした問題点を解決するため、ルツボ
の内表面を炭化物やチッ化物のセラミックスで被覆する
方法が特開平１ー１４１７０号公報で、また石英ガラス
にクリストバライトを混入したいわゆるガラスセラミッ
クスルツボが特開平５ー２４８７０号公報で提案され
た。しかしながら、前者のルツボは単結晶の引き上げ時
に被覆セラミックスが剥離し、満足のいく溶損量の低減
を図ることができなかった。また後者のルツボにおいて
は溶損量が従来のルツボとほとんど変わるところがない
という欠点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ルツボ内表面をそ
の使用時に結晶化させることにより石英ガラスルツボの
溶損量を少なくできることを見出し、本発明を完成した
ものである。すなわち、
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ルツボ内表面をそ
の使用時に結晶化させることにより石英ガラスルツボの
溶損量を少なくできることを見出し、本発明を完成した
ものである。すなわち、
【０００４】本発明は、溶損量が少なく長時間の使用に
耐える石英ガラスルツボを提供することを目的とする。
耐える石英ガラスルツボを提供することを目的とする。
【０００５】また、本発明は、ルツボの使用時に内表面
が結晶化する耐熱性の高い石英ガラスルツボを提供する
ことを目的とする。
が結晶化する耐熱性の高い石英ガラスルツボを提供する
ことを目的とする。
【０００６】さらに、本発明は、耐熱性の高い石英ガラ
スルツボの製造方法を提供することを目的とする。
スルツボの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、石英ガラスルツボ内表面の厚さ１ｍｍ以内に結晶
化促進剤含有塗布膜または固溶層が形成されていること
を特徴とする石英ガラスルツボおよび該ルツボの製造方
法に係る。
明は、石英ガラスルツボ内表面の厚さ１ｍｍ以内に結晶
化促進剤含有塗布膜または固溶層が形成されていること
を特徴とする石英ガラスルツボおよび該ルツボの製造方
法に係る。
【０００８】上記結晶化促進剤とは、ルツボがシリコン
融液と接触した時ルツボ内表面に結晶を生成させる結晶
化剤をいい、２ａ族元素または３ｂ族元素からなる。前
記２ａ族元素としては、マグネシウム、ストロンチウ
ム、カルシウムまたはバリウムが挙げられ、また３ｂ族
元素としてはアルミニウムが挙げられる。前記結晶化促
進剤はルツボ内表面に塗布膜または固溶層として存在す
る。
融液と接触した時ルツボ内表面に結晶を生成させる結晶
化剤をいい、２ａ族元素または３ｂ族元素からなる。前
記２ａ族元素としては、マグネシウム、ストロンチウ
ム、カルシウムまたはバリウムが挙げられ、また３ｂ族
元素としてはアルミニウムが挙げられる。前記結晶化促
進剤はルツボ内表面に塗布膜または固溶層として存在す
る。
【０００９】上記結晶化促進剤が２ａ族元素の場合に
は、その化合物の溶液をルツボ内表面に２ａ族元素濃度
が塗布膜１ｃｍ2当り１〜１００μｇ、好ましくは１０
〜５０μｇの範囲となるように塗布して塗布膜を形成す
る。これにより単結晶引上げの加熱時に前記２ａ族元素
がルツボ内部に拡散浸透し深さ０．５〜１ｍｍの範囲に
結晶層を形成し、ルツボ内壁の溶損量を少なくし、ルツ
ボの長時間の使用を可能とする。２ａ族元素の存在量が
前記範囲未満では結晶の生成が少なく効果がなく、また
前記範囲以上では結晶が多過ぎ、シリコン単結晶の引上
げ中に該結晶が剥離し、単結晶の結晶化率を低下させ
る。
は、その化合物の溶液をルツボ内表面に２ａ族元素濃度
が塗布膜１ｃｍ2当り１〜１００μｇ、好ましくは１０
〜５０μｇの範囲となるように塗布して塗布膜を形成す
る。これにより単結晶引上げの加熱時に前記２ａ族元素
がルツボ内部に拡散浸透し深さ０．５〜１ｍｍの範囲に
結晶層を形成し、ルツボ内壁の溶損量を少なくし、ルツ
ボの長時間の使用を可能とする。２ａ族元素の存在量が
前記範囲未満では結晶の生成が少なく効果がなく、また
前記範囲以上では結晶が多過ぎ、シリコン単結晶の引上
げ中に該結晶が剥離し、単結晶の結晶化率を低下させ
る。
【００１０】上記２ａ族元素化合物としては水に溶ける
硝酸塩または炭酸塩がよく、これを水、好ましくはアル
コールを２０重量％以上含む水に溶解した塗布液が好適
である。前記アルコールとしては、メチルアルコールま
たはエチルアルコールを挙げることができる。
硝酸塩または炭酸塩がよく、これを水、好ましくはアル
コールを２０重量％以上含む水に溶解した塗布液が好適
である。前記アルコールとしては、メチルアルコールま
たはエチルアルコールを挙げることができる。
【００１１】また、結晶化促進剤が３ｂ族元素の場合に
は、前記元素を含む塗布液で塗布しても加熱による拡散
浸透が起こらないため、固溶状態で層中に存在させるの
がよい。固溶層としては、例えば特開平１ー１４８７１
８号公報に記載するように、回転する型内にシリカ粉末
をルツボ状に充填しそれを溶融すると同時に、ゾルゲル
法で得られた高純度のゾルゲルシリカ粉にドープした３
ｂ族元素ドープトシリカ粉をルツボ内に供給し、それを
ルツボ内表面上に溶融・飛散させ形成した０．５〜１ｍ
ｍの厚さの透明層とするのがよい。前記透明層に０．１
〜２重量％の範囲で３ｂ族元素が存在するとシリコン単
結晶の引上げ等の加熱時に結晶層が形成されルツボ内壁
の溶損量が少なくなる。３ｂ族元素としてはアルミニウ
ムが好適である。前記固溶層中の３ｂ族元素が前記範囲
以下では結晶の形成が少なく効果がなく、また前記範囲
を超える量であると、結晶が多過ぎルツボとの熱膨張率
の差による剥離が起こり、シリコン単結晶の結晶化率を
阻害する。
は、前記元素を含む塗布液で塗布しても加熱による拡散
浸透が起こらないため、固溶状態で層中に存在させるの
がよい。固溶層としては、例えば特開平１ー１４８７１
８号公報に記載するように、回転する型内にシリカ粉末
をルツボ状に充填しそれを溶融すると同時に、ゾルゲル
法で得られた高純度のゾルゲルシリカ粉にドープした３
ｂ族元素ドープトシリカ粉をルツボ内に供給し、それを
ルツボ内表面上に溶融・飛散させ形成した０．５〜１ｍ
ｍの厚さの透明層とするのがよい。前記透明層に０．１
〜２重量％の範囲で３ｂ族元素が存在するとシリコン単
結晶の引上げ等の加熱時に結晶層が形成されルツボ内壁
の溶損量が少なくなる。３ｂ族元素としてはアルミニウ
ムが好適である。前記固溶層中の３ｂ族元素が前記範囲
以下では結晶の形成が少なく効果がなく、また前記範囲
を超える量であると、結晶が多過ぎルツボとの熱膨張率
の差による剥離が起こり、シリコン単結晶の結晶化率を
阻害する。
【００１２】本発明の石英ガラスルツボを用いてシリコ
ン単結晶の引上げを行うと、約１４００℃でルツボ内表
面に結晶層が形成され、その耐熱性によりルツボ内壁の
平滑さが維持され例えばマルチ引上げ法や連続充填法等
の長時間の引上げによっても溶損することが少なくてす
む。
ン単結晶の引上げを行うと、約１４００℃でルツボ内表
面に結晶層が形成され、その耐熱性によりルツボ内壁の
平滑さが維持され例えばマルチ引上げ法や連続充填法等
の長時間の引上げによっても溶損することが少なくてす
む。
【００１３】
【実施例】以下に実施例に基づいて具体的に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。
が、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１４】実施例１ シリコンテトラエトキシドを主原料として塩化アルミニ
ウムの水溶液を加え、濃度とＰＨを調節しながら、シリ
カゾルを作った。これを１，０００℃で焼成後、粉砕整
粒して平均粒径１２５μｍの、重量濃度で１％のアルミ
ニウム元素を含む二酸化珪素粉を得た。高純度天然水晶
粉を垂直軸の周りに回転するモールド中に成型し、内面
から電気アークで加熱して口径が１８インチの石英ガラ
スルツボ基体を製造し、引き続いてアーク火炎中に、前
記アルミニウムドープ二酸化珪素粉を徐々に供給してル
ツボ基体の内側に１ｍｍの厚さの石英ガラス層を形成し
た。該ガラス層はわずかに白濁しているが強固に基体に
融着した石英ガラス層であった。このルツボを用いてシ
リコン単結晶を引上げたところ、アルミニウム元素がド
ープされている厚さ（１ｍｍ）だけ結晶化し、このため
溶融シリコンに殆ど溶けなかった。多結晶シリコンを追
加し再び結晶を引上げる操作を繰り返す、いわゆるマル
チ引上げ法を用いて１０回の引上げが実施できた。
ウムの水溶液を加え、濃度とＰＨを調節しながら、シリ
カゾルを作った。これを１，０００℃で焼成後、粉砕整
粒して平均粒径１２５μｍの、重量濃度で１％のアルミ
ニウム元素を含む二酸化珪素粉を得た。高純度天然水晶
粉を垂直軸の周りに回転するモールド中に成型し、内面
から電気アークで加熱して口径が１８インチの石英ガラ
スルツボ基体を製造し、引き続いてアーク火炎中に、前
記アルミニウムドープ二酸化珪素粉を徐々に供給してル
ツボ基体の内側に１ｍｍの厚さの石英ガラス層を形成し
た。該ガラス層はわずかに白濁しているが強固に基体に
融着した石英ガラス層であった。このルツボを用いてシ
リコン単結晶を引上げたところ、アルミニウム元素がド
ープされている厚さ（１ｍｍ）だけ結晶化し、このため
溶融シリコンに殆ど溶けなかった。多結晶シリコンを追
加し再び結晶を引上げる操作を繰り返す、いわゆるマル
チ引上げ法を用いて１０回の引上げが実施できた。
【００１５】実施例２ 口径が１８インチの高純度石英ガラスルツボに、表１に
示した配合の溶液を徐々に注ぎ入れた。この時、ルツボ
を回転軸の傾きを変えながら回転して、いわゆるごます
り運動させて、内表面全体に溶液を塗布した。溶液は始
めは透明であるが乾燥する前にわずかに濁っていた。空
気中の炭酸ガスと反応して炭酸バリウムに一部変化する
ためと思われる。このまま温風を送り込みながら石英ガ
ラスルツボのごますり運動を続けて完全に乾燥させ、バ
リウム元素を内表面にもつ石英ガラスルツボを作成し
た。塗布量は１ｃｍ2当り５０μｇであった。このルツ
ボに多結晶シリコン塊を入れた後加熱してシリコンを溶
融し、融液からシリコン単結晶を引上げた。１０回のマ
ルチ引上げ法を実施することができた。後にルツボの内
表面を観察したところ、０．８ｍｍの厚さの厚い結晶層
が内面全体を覆っており、ルツボ全体の厚みも殆ど減少
していなかった。
示した配合の溶液を徐々に注ぎ入れた。この時、ルツボ
を回転軸の傾きを変えながら回転して、いわゆるごます
り運動させて、内表面全体に溶液を塗布した。溶液は始
めは透明であるが乾燥する前にわずかに濁っていた。空
気中の炭酸ガスと反応して炭酸バリウムに一部変化する
ためと思われる。このまま温風を送り込みながら石英ガ
ラスルツボのごますり運動を続けて完全に乾燥させ、バ
リウム元素を内表面にもつ石英ガラスルツボを作成し
た。塗布量は１ｃｍ2当り５０μｇであった。このルツ
ボに多結晶シリコン塊を入れた後加熱してシリコンを溶
融し、融液からシリコン単結晶を引上げた。１０回のマ
ルチ引上げ法を実施することができた。後にルツボの内
表面を観察したところ、０．８ｍｍの厚さの厚い結晶層
が内面全体を覆っており、ルツボ全体の厚みも殆ど減少
していなかった。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明の石英ガラスルツボは、その使用
時にルツボの内側に結晶層が形成され、耐熱性が向上
し、例えば減圧下でシリコン単結晶の引上げを行って
も、内表面が荒れず、平滑さが維持される。前記本発明
の石英ガラスルツボはその内表面に２ａ族元素含有塗布
膜または３ｂ族元素含有固溶層を形成するという簡便な
方法で製造でき、工業的に有利な製造方法である。
時にルツボの内側に結晶層が形成され、耐熱性が向上
し、例えば減圧下でシリコン単結晶の引上げを行って
も、内表面が荒れず、平滑さが維持される。前記本発明
の石英ガラスルツボはその内表面に２ａ族元素含有塗布
膜または３ｂ族元素含有固溶層を形成するという簡便な
方法で製造でき、工業的に有利な製造方法である。
Claims (9)
- 【請求項１】石英ガラスルツボ内表面の厚さ１ｍｍ以内
に結晶化促進剤含有塗布膜または固溶層が形成されてい
ることを特徴とする石英ガラスルツボ。 - 【請求項２】結晶化促進剤が２ａ族元素または３ｂ族元
素であることを特徴とする請求項１記載の石英ガラスル
ツボ。 - 【請求項３】２ａ族元素がマグネシウム、ストロンチウ
ム、カルシウムまたはバリウムであることを特徴とする
請求項２記載の石英ガラスルツボ。 - 【請求項４】３ｂ族元素がアルミニウム元素であること
を特徴とする請求項２記載の石英ガラスルツボ。 - 【請求項５】ルツボの内表面に形成された塗布膜が１ｃ
ｍ2当り２ａ族元素を１〜１００μｇの範囲で含有する
ことを特徴とする請求項１記載の石英ガラスルツボ。 - 【請求項６】ルツボ内表面に形成された厚さ０．５〜１
ｍｍの固溶層中の３ｂ族元素濃度が０．１〜２重量％の
範囲であることを特徴とする請求項２記載の石英ガラス
ルツボ。 - 【請求項７】２ａ族元素化合物の溶液をルツボ内表面に
塗布し、乾燥することを特徴とする石英ガラスルツボの
製造方法。 - 【請求項８】２ａ族元素化合物の溶液が２ａ族元素化合
物をアルコール２０重量％以上を含む水に溶解した溶液
であることを特徴とする請求項７記載の石英ガラスルツ
ボの製造方法。 - 【請求項９】高純度シリカ粉を回転する型内に供給しシ
リカ粉充填層を形成し、それをアーク加熱で溶融すると
共に、３ｂ族元素ドープトシリカ粉を供給し溶融・散布
させ厚さ０．５〜１ｍｍの層に３ｂ族元素を固溶させる
ことを特徴とする石英ガラスルツボの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06159602A JP3100836B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06159602A JP3100836B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH082932A true JPH082932A (ja) | 1996-01-09 |
| JP3100836B2 JP3100836B2 (ja) | 2000-10-23 |
Family
ID=15697295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06159602A Expired - Lifetime JP3100836B2 (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3100836B2 (ja) |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2746092A1 (fr) * | 1996-03-18 | 1997-09-19 | Heraeus Quarzglas | Procede pour produire un creuset en verre de quartz pour tirer un monocristal de silicium et creuset ainsi obtenu |
| US5976247A (en) * | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
| US5980629A (en) * | 1995-06-14 | 1999-11-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for improving zero dislocation yield of single crystals |
| WO2000006811A1 (en) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and process for producing the same |
| WO2000055395A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Strontium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| WO2000055394A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| KR20030007210A (ko) * | 2001-07-16 | 2003-01-23 | 헤래우스 신에쓰, 아메리카 | 실리콘 잉곳을 제조하기 위한 도프된 실리카 글래스 도가니 |
| EP1319736A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Silica crucible with inner layer crystallizer and method for its manufacturing |
| US6916370B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-07-12 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same |
| JP2005289751A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Sumco Corp | シリコン単結晶の引上方法 |
| DE10231865B4 (de) * | 2001-07-16 | 2006-03-30 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Quarzglastiegels |
| JP2006213556A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Japan Siper Quarts Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボとその製造方法、および取り出し方法 |
| JP2007001793A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2007055871A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 金属元素ドープ大型石英ガラス部材の製造方法及び該製造方法で得られた金属元素ドープ大型石英ガラス部材 |
| WO2007063996A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Japan Super Quartz Corporation | 石英ガラスルツボとその製造方法および用途 |
| EP1348782A3 (en) * | 2002-03-29 | 2007-08-15 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modified quartz glass crucible, and its modification process |
| CN100349814C (zh) * | 2002-10-09 | 2007-11-21 | 日本超精石英株式会社 | 石英玻璃物质的增强方法及增强的石英玻璃坩锅 |
| KR100835292B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-09 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 제조용 도가니 및 이를 포함하는 실리콘단결정 제조장치 |
| US7383696B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-06-10 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall |
| US7427327B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-09-23 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with barium-doped inner wall |
| WO2008149781A1 (ja) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
| EP2163529A1 (en) | 2008-08-30 | 2010-03-17 | Japan Super Quartz Corporation | Apparatus for the production of silica crucible |
| US7776155B2 (en) | 2002-03-29 | 2010-08-17 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modified quartz glass crucible and its modification process |
| WO2011045888A1 (ja) | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 信越石英株式会社 | シリカ粉及びシリカ容器並びにそれらの製造方法 |
| WO2011070703A1 (ja) | 2009-12-10 | 2011-06-16 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
| WO2011074568A1 (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボおよびその製造方法 |
| JP2013056798A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
| JP2013056799A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
| JP2013056800A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
| KR101395785B1 (ko) * | 2010-07-20 | 2014-05-15 | 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤 | 실리카 유리 도가니 및 실리콘 잉곳의 제조 방법 |
| US8871026B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-10-28 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible for pulling single-crystal silicon and method of manufacturing the same |
| US9139932B2 (en) | 2006-10-18 | 2015-09-22 | Richard Lee Hansen | Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible |
| KR20190116525A (ko) | 2017-04-27 | 2019-10-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 인상 방법 |
| KR20200106528A (ko) | 2018-02-23 | 2020-09-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 석영 유리 도가니 |
| US11162186B2 (en) | 2016-09-23 | 2021-11-02 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible, manufacturing method thereof, and manufacturing method of silicon single crystal using quartz glass crucible |
| JPWO2022131047A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | ||
| US11473209B2 (en) | 2017-05-02 | 2022-10-18 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible and manufacturing method thereof |
| DE112020006496T5 (de) | 2020-01-10 | 2022-11-17 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel |
| JP2023092226A (ja) * | 2021-12-21 | 2023-07-03 | モメンティブ・テクノロジーズ・山形株式会社 | 石英ガラスルツボ |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5118007B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2013-01-16 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
| WO2010125739A1 (ja) | 2009-04-28 | 2010-11-04 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
| CN102395535B (zh) * | 2009-05-26 | 2014-07-02 | 信越石英株式会社 | 二氧化硅容器及其制造方法 |
| JP4922355B2 (ja) | 2009-07-15 | 2012-04-25 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
| JP4951040B2 (ja) | 2009-08-05 | 2012-06-13 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
| EP2712946A4 (en) | 2012-05-15 | 2015-03-25 | Shinetsu Quartz Prod | QUARTZ GLASS LEAD FOR BREEDING CRYSTALLINE SILICON AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE |
| KR20140058678A (ko) | 2012-05-16 | 2014-05-14 | 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 | 단결정 실리콘 인상용 실리카용기 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP06159602A patent/JP3100836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (70)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976247A (en) * | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
| US5980629A (en) * | 1995-06-14 | 1999-11-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Methods for improving zero dislocation yield of single crystals |
| FR2746092A1 (fr) * | 1996-03-18 | 1997-09-19 | Heraeus Quarzglas | Procede pour produire un creuset en verre de quartz pour tirer un monocristal de silicium et creuset ainsi obtenu |
| WO2000006811A1 (en) * | 1998-07-31 | 2000-02-10 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and process for producing the same |
| US6280522B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-08-28 | Shin-Etsu Quartz Products Co. Ltd. | Quartz glass crucible for pulling silicon single crystal and production process for such crucible |
| EP1026289A4 (en) * | 1998-07-31 | 2008-12-24 | Shinetsu Quartz Prod | QUARTZ GLASS LEVER FOR PULLING SILICONE INK CRYSTALS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| WO2000055395A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Strontium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| WO2000055394A1 (en) * | 1999-03-15 | 2000-09-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| US6319313B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-11-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| US6350312B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-02-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Strontium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| US6461427B2 (en) | 1999-03-15 | 2002-10-08 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| KR20030007210A (ko) * | 2001-07-16 | 2003-01-23 | 헤래우스 신에쓰, 아메리카 | 실리콘 잉곳을 제조하기 위한 도프된 실리카 글래스 도가니 |
| DE10231865B4 (de) * | 2001-07-16 | 2006-03-30 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quarzglastiegel und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Quarzglastiegels |
| US7118789B2 (en) * | 2001-07-16 | 2006-10-10 | Heraeus Shin-Etsu America | Silica glass crucible |
| US6641663B2 (en) | 2001-12-12 | 2003-11-04 | Heracus Shin-Estu America | Silica crucible with inner layer crystallizer and method |
| EP1319736A1 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-18 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Silica crucible with inner layer crystallizer and method for its manufacturing |
| US6916370B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-07-12 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for producing the same |
| US7993454B2 (en) | 2002-03-29 | 2011-08-09 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modified quartz glass crucible, and its modification process |
| US7776155B2 (en) | 2002-03-29 | 2010-08-17 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modified quartz glass crucible and its modification process |
| KR100893136B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2009-04-15 | 재팬수퍼쿼츠 가부시키가이샤 | 석영 유리 도가니의 표면개질 방법 |
| EP1348782A3 (en) * | 2002-03-29 | 2007-08-15 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modified quartz glass crucible, and its modification process |
| CN100349814C (zh) * | 2002-10-09 | 2007-11-21 | 日本超精石英株式会社 | 石英玻璃物质的增强方法及增强的石英玻璃坩锅 |
| JP2005289751A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Sumco Corp | シリコン単結晶の引上方法 |
| JP2006213556A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Japan Siper Quarts Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボとその製造方法、および取り出し方法 |
| JP2007001793A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JP2007055871A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 金属元素ドープ大型石英ガラス部材の製造方法及び該製造方法で得られた金属元素ドープ大型石英ガラス部材 |
| US7383696B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-06-10 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall |
| US7427327B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-09-23 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with barium-doped inner wall |
| WO2007063996A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Japan Super Quartz Corporation | 石英ガラスルツボとその製造方法および用途 |
| JP5022230B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2012-09-12 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法および用途 |
| US9139932B2 (en) | 2006-10-18 | 2015-09-22 | Richard Lee Hansen | Quartz glass crucible and method for treating surface of quartz glass crucible |
| KR100835292B1 (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-09 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 제조용 도가니 및 이를 포함하는 실리콘단결정 제조장치 |
| WO2008149781A1 (ja) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
| US8555674B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-10-15 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quartz glass crucible for silicon single crystal pulling operation and process for manufacturing the same |
| US8871026B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-10-28 | Japan Super Quartz Corporation | Vitreous silica crucible for pulling single-crystal silicon and method of manufacturing the same |
| US8075689B2 (en) | 2008-08-30 | 2011-12-13 | Japan Super Quartz Corporation | Apparatus for the production of silica crucible |
| EP2163529A1 (en) | 2008-08-30 | 2010-03-17 | Japan Super Quartz Corporation | Apparatus for the production of silica crucible |
| US8460769B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-06-11 | Shin-Estu Quartz Products Co., Ltd. | Powdered silica, silica container, and method for producing them |
| WO2011045888A1 (ja) | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 信越石英株式会社 | シリカ粉及びシリカ容器並びにそれらの製造方法 |
| US9403620B2 (en) | 2009-12-10 | 2016-08-02 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Silica container and method for producing the same |
| WO2011070703A1 (ja) | 2009-12-10 | 2011-06-16 | 信越石英株式会社 | シリカ容器及びその製造方法 |
| KR101398993B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2014-05-27 | 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤 | 실리카 유리 도가니 및 그 제조 방법 |
| JP5292526B2 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-09-18 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリカガラスルツボおよびその製造方法 |
| CN102762781A (zh) * | 2009-12-14 | 2012-10-31 | 日本超精石英株式会社 | 氧化硅玻璃坩埚及其制造方法 |
| US9115019B2 (en) | 2009-12-14 | 2015-08-25 | Sumco Corporation | Vitreous silica crucible and method of manufacturing the same |
| WO2011074568A1 (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリカガラスルツボおよびその製造方法 |
| CN102762781B (zh) * | 2009-12-14 | 2016-03-16 | 日本超精石英株式会社 | 氧化硅玻璃坩埚及其制造方法 |
| EP2410081A4 (en) * | 2009-12-14 | 2012-06-20 | Japan Super Quartz Corp | SILICONE GLASS BAR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| KR101395785B1 (ko) * | 2010-07-20 | 2014-05-15 | 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤 | 실리카 유리 도가니 및 실리콘 잉곳의 제조 방법 |
| US9109300B2 (en) | 2010-07-20 | 2015-08-18 | Sumco Corporation | Vitreous silica crucible provided with mineralizer on its inner surface and method of manufacturing silicon ingot using same |
| JP2013056798A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
| JP2013056800A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
| JP2013056799A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンインゴット鋳造用積層ルツボ及びその製造方法 |
| US11162186B2 (en) | 2016-09-23 | 2021-11-02 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible, manufacturing method thereof, and manufacturing method of silicon single crystal using quartz glass crucible |
| DE112017004764B4 (de) | 2016-09-23 | 2026-03-05 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel, Herstellungsverfahren dafür und Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls unter Verwendung eines Quarzglastiegels |
| US11319643B2 (en) | 2017-04-27 | 2022-05-03 | Sumco Corporation | Method for pulling up silicon monocrystal |
| KR20190116525A (ko) | 2017-04-27 | 2019-10-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 단결정의 인상 방법 |
| DE112018002215B4 (de) | 2017-04-27 | 2024-10-17 | Sumco Corporation | Verfahren zum Ziehen eines Siliciumeinkristalls |
| US11473209B2 (en) | 2017-05-02 | 2022-10-18 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible and manufacturing method thereof |
| DE112018002317B4 (de) | 2017-05-02 | 2024-08-22 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel und herstellungsverfahren dafür |
| KR20200106528A (ko) | 2018-02-23 | 2020-09-14 | 가부시키가이샤 사무코 | 석영 유리 도가니 |
| US11466381B2 (en) | 2018-02-23 | 2022-10-11 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible |
| US12252804B2 (en) | 2018-02-23 | 2025-03-18 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible |
| DE112020006496B4 (de) | 2020-01-10 | 2025-02-13 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel |
| DE112020006496T5 (de) | 2020-01-10 | 2022-11-17 | Sumco Corporation | Quarzglastiegel |
| US12043916B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-07-23 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible with crystallization-accelerator-containing layer having gradient concentration |
| WO2022131047A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 株式会社Sumco | 石英ガラスルツボ及びその製造方法並びにシリコン単結晶の製造方法 |
| US12509793B2 (en) | 2020-12-18 | 2025-12-30 | Sumco Corporation | Quartz glass crucible, manufacturing method therefor, and method for manufacturing silicon single crystal |
| JPWO2022131047A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | ||
| JP2023092226A (ja) * | 2021-12-21 | 2023-07-03 | モメンティブ・テクノロジーズ・山形株式会社 | 石英ガラスルツボ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3100836B2 (ja) | 2000-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3100836B2 (ja) | 石英ガラスルツボとその製造方法 | |
| US7118789B2 (en) | Silica glass crucible | |
| EP1286925B1 (en) | Method for producing quartz glass crucible | |
| US6106610A (en) | Quartz glass crucible for producing silicone single crystal and method for producing the crucible | |
| KR100818679B1 (ko) | 석영유리 도가니 및 그 제조방법 | |
| US6841210B2 (en) | Multilayer structured quartz glass crucible and method for producing the same | |
| JP4526034B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボ | |
| US20040115440A1 (en) | Quartz glass component and method for the production thereof | |
| JP2003095678A (ja) | シリコン単結晶製造用ドープ石英ガラスルツボ及びその製造方法 | |
| US20190062943A1 (en) | Devitrification agent for quartz glass crucible crystal growing process | |
| JPH0729871B2 (ja) | 単結晶引き上げ用石英るつぼ | |
| KR20030040167A (ko) | 다공성 실리카글라스소지에서 결정영역을 가진실리카글라스도가니의 제조방법 | |
| KR100681744B1 (ko) | 결정성장 공정용 스트론튬 도핑 용융실리콘 | |
| JP2004521851A (ja) | 石英ガラス坩堝の製造方法 | |
| WO1987005286A1 (fr) | Procede de fabrication de verre | |
| JP2936392B2 (ja) | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ | |
| JP2840195B2 (ja) | 単結晶引上用石英ガラスルツボの製造方法 | |
| JP3667515B2 (ja) | 石英ガラスルツボの製造方法 | |
| KR102723363B1 (ko) | 석영 유리 도가니 | |
| JP2005145731A (ja) | 結晶化石英ルツボ | |
| JP3798907B2 (ja) | シリコン単結晶製造用石英ガラスるつぼおよび その製造方法 | |
| JP2004352580A (ja) | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボとその引上方法 | |
| JP5806941B2 (ja) | シリカ焼結体ルツボの製造方法 | |
| JP2007091562A (ja) | 結晶化促進コーティング用シリカガラスルツボ | |
| JP2736863B2 (ja) | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080818 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080818 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090818 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100818 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110818 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120818 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130818 Year of fee payment: 13 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |