JPH08293459A - ステージ駆動制御方法及びその装置 - Google Patents
ステージ駆動制御方法及びその装置Info
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- JPH08293459A JPH08293459A JP12082595A JP12082595A JPH08293459A JP H08293459 A JPH08293459 A JP H08293459A JP 12082595 A JP12082595 A JP 12082595A JP 12082595 A JP12082595 A JP 12082595A JP H08293459 A JPH08293459 A JP H08293459A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板ステージとマスクステージとの同期整定
時間を短縮する。 【構成】 露光のため、レチクル粗動ステージ２２とウ
エハステージ２０とを所定の走査方向に同時に走査する
に際し、レチクル微動ステージ用位置制御系４４では、
ウエハステージ２０とレチクル微動ステージ２４との間
の位置ずれ量を検出するとともに除振台１２の振動量を
算出し、検出された位置ずれ量と算出された振動量とに
基づいて位置ずれが補正されるように両ステージ２０、
２２を駆動制御する。このため、ステージ２０、２２の
走査のための加速時に除振台１２に振動が発生しても、
この振動の影響による誤差を考慮して所定時間間隔でス
テージ２０、２４の位置関係が所定の同期関係になるよ
うに補正される。
時間を短縮する。 【構成】 露光のため、レチクル粗動ステージ２２とウ
エハステージ２０とを所定の走査方向に同時に走査する
に際し、レチクル微動ステージ用位置制御系４４では、
ウエハステージ２０とレチクル微動ステージ２４との間
の位置ずれ量を検出するとともに除振台１２の振動量を
算出し、検出された位置ずれ量と算出された振動量とに
基づいて位置ずれが補正されるように両ステージ２０、
２２を駆動制御する。このため、ステージ２０、２２の
走査のための加速時に除振台１２に振動が発生しても、
この振動の影響による誤差を考慮して所定時間間隔でス
テージ２０、２４の位置関係が所定の同期関係になるよ
うに補正される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ステージの駆動制御方
法及びその装置に係り、特にマスクステージと基板ステ
ージとを同期してそれぞれ所定走査方向に移動させつつ
マスク上のパターンを感光基板に転写する、いわゆるス
キャン型露光装置用として好適なステージ駆動制御方法
及びその装置に関する。
法及びその装置に係り、特にマスクステージと基板ステ
ージとを同期してそれぞれ所定走査方向に移動させつつ
マスク上のパターンを感光基板に転写する、いわゆるス
キャン型露光装置用として好適なステージ駆動制御方法
及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スキャン型露光装置は、基板ステージと
マスクステージ（レチクルステージ）を逆方向又は同一
方向に同時に加速し、加速終了後の各ステージの速度を
同期させ、基板ステージ上の感光基板にレチクル上のパ
ターンを投影光学系を介して転写する露光装置である。
マスクステージ（レチクルステージ）を逆方向又は同一
方向に同時に加速し、加速終了後の各ステージの速度を
同期させ、基板ステージ上の感光基板にレチクル上のパ
ターンを投影光学系を介して転写する露光装置である。
【０００３】図４には、半導体製造工程で用いられる従
来のスキャン型投影露光装置のステージ駆動制御系の構
成例が概略的に示されている。
来のスキャン型投影露光装置のステージ駆動制御系の構
成例が概略的に示されている。
【０００４】このスキャン型露光装置では、ウエハ用レ
ーザ干渉計７０、レチクル用レーザ干渉計７２でそれぞ
れウエハステージ（基板ステージ）７４、レチクルステ
ージ（マスクステージ）７６の位置を検出し、これらの
ステージ７４、７６を同時に速度制御している。そし
て、この図４に示されるように、両干渉計７０、７２の
出力より得られる両ステージ７４、７６の位置誤差を、
いずれかのステージ、例えばレチクルステージ７６用の
速度指令部７８にフィードバックし、速度指令部７８が
この誤差分をキャンセルするような速度指令をレチクル
ステージ７６用の速度制御部８０に与えることにより、
速度制御部が８０がこの速度指令とレーザ干渉計７２の
出力より得られるレチクルステージ７６の速度（検出
値）とに基づいてレチクルステージ７６の速度制御を行
なうようになっていた。
ーザ干渉計７０、レチクル用レーザ干渉計７２でそれぞ
れウエハステージ（基板ステージ）７４、レチクルステ
ージ（マスクステージ）７６の位置を検出し、これらの
ステージ７４、７６を同時に速度制御している。そし
て、この図４に示されるように、両干渉計７０、７２の
出力より得られる両ステージ７４、７６の位置誤差を、
いずれかのステージ、例えばレチクルステージ７６用の
速度指令部７８にフィードバックし、速度指令部７８が
この誤差分をキャンセルするような速度指令をレチクル
ステージ７６用の速度制御部８０に与えることにより、
速度制御部が８０がこの速度指令とレーザ干渉計７２の
出力より得られるレチクルステージ７６の速度（検出
値）とに基づいてレチクルステージ７６の速度制御を行
なうようになっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のステージの駆動制御方法では、ウエハステージ
７４の位置にレチクルステージ７６の位置を追従させて
合わせるため、質量の大きなレチクルステージ７６を制
御しなければならなかったことから、応答が遅れてしま
うという不都合があった。
た従来のステージの駆動制御方法では、ウエハステージ
７４の位置にレチクルステージ７６の位置を追従させて
合わせるため、質量の大きなレチクルステージ７６を制
御しなければならなかったことから、応答が遅れてしま
うという不都合があった。
【０００６】また、質量の大きなステージ７４、７６を
走査させるために、ステージ７４、７６に加える推力の
反力の差（Ｍ1ａ1−Ｍ2ａ2）に起因してステージ７４、
７６が載置された除振台８２に振動が生じ、この振動に
起因してそれぞれのレーザ干渉計用の固定鏡８４、８６
が振動する。この場合において、固定鏡８４と固定鏡８
６とが同じように振動すれば問題はないが、実際には、
除振台８２から各固定鏡８４、８６への伝達関数が異な
るので振幅等が違う。このため、干渉計７０、７２の測
定値の差である位置誤差には、固定鏡８４と固定鏡８６
との振動に起因する誤差分が含まれるが、位置誤差が上
述の如くしてフィードバックされ、これに基づいてレチ
クルステージ７６の速度制御（位置制御）が行なわれる
ので、振動がおさまったときには、レチクルステージ７
６が本来の目標位置からずれていることになり、本来の
目標位置に移動して、両ステージが所望の同期状態とな
るまでに時間がかかるという不都合があった。
走査させるために、ステージ７４、７６に加える推力の
反力の差（Ｍ1ａ1−Ｍ2ａ2）に起因してステージ７４、
７６が載置された除振台８２に振動が生じ、この振動に
起因してそれぞれのレーザ干渉計用の固定鏡８４、８６
が振動する。この場合において、固定鏡８４と固定鏡８
６とが同じように振動すれば問題はないが、実際には、
除振台８２から各固定鏡８４、８６への伝達関数が異な
るので振幅等が違う。このため、干渉計７０、７２の測
定値の差である位置誤差には、固定鏡８４と固定鏡８６
との振動に起因する誤差分が含まれるが、位置誤差が上
述の如くしてフィードバックされ、これに基づいてレチ
クルステージ７６の速度制御（位置制御）が行なわれる
ので、振動がおさまったときには、レチクルステージ７
６が本来の目標位置からずれていることになり、本来の
目標位置に移動して、両ステージが所望の同期状態とな
るまでに時間がかかるという不都合があった。
【０００７】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたもので、その目的は、基板ステージと
マスクステージとの同期整定時間を短縮することができ
るステージの駆動制御方法及びその装置を提供すること
にある。
に鑑みてなされたもので、その目的は、基板ステージと
マスクステージとの同期整定時間を短縮することができ
るステージの駆動制御方法及びその装置を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
マスクを保持して所定の走査方向に移動可能なマスクス
テージと、感光基板を保持して前記走査方向に移動可能
な基板ステージとを備えた露光装置に用いられる、ステ
ージ駆動制御方法であって、露光のため、前記マスクス
テージと前記基板ステージとを所定の走査方向に同時に
走査するに際し、所定時間間隔で、前記両ステージ間の
位置ずれ量を検出するとともに前記基板ステージが載置
された除振台の振動量を算出し、前記検出された位置ず
れ量と前記算出された振動量とに基づいて前記両ステー
ジ間の位置ずれが補正されるように前記両ステージを駆
動制御する。
マスクを保持して所定の走査方向に移動可能なマスクス
テージと、感光基板を保持して前記走査方向に移動可能
な基板ステージとを備えた露光装置に用いられる、ステ
ージ駆動制御方法であって、露光のため、前記マスクス
テージと前記基板ステージとを所定の走査方向に同時に
走査するに際し、所定時間間隔で、前記両ステージ間の
位置ずれ量を検出するとともに前記基板ステージが載置
された除振台の振動量を算出し、前記検出された位置ず
れ量と前記算出された振動量とに基づいて前記両ステー
ジ間の位置ずれが補正されるように前記両ステージを駆
動制御する。
【０００９】請求項２記載の発明は、マスクを保持して
所定の走査方向に移動可能なマスクステージと、感光基
板を保持して前記走査方向に移動可能な基板ステージと
を備えた露光装置に用いられる、ステージ駆動制御装置
であって、前記マスクステージと前記基板ステージの内
の一方のステージの速度制御を行なう第１のステージ制
御系と；前記一方のステージと他方のステージとが所定
の位置関係になるように前記一方のステージの速度制御
に同期して前記他方のステージを駆動制御する第２のス
テージ制御系とを備えている。そして、前記第２のステ
ージ制御系が、前記両ステージの位置誤差を検出する位
置誤差検出手段と；前記基板ステージが載置された除振
台の振動量を所定時間間隔で演算する演算手段と；前記
検出された位置誤差と前記算出された振動量とに基づい
て前記他方のステージの速度制御を行なう制御手段とを
有する。
所定の走査方向に移動可能なマスクステージと、感光基
板を保持して前記走査方向に移動可能な基板ステージと
を備えた露光装置に用いられる、ステージ駆動制御装置
であって、前記マスクステージと前記基板ステージの内
の一方のステージの速度制御を行なう第１のステージ制
御系と；前記一方のステージと他方のステージとが所定
の位置関係になるように前記一方のステージの速度制御
に同期して前記他方のステージを駆動制御する第２のス
テージ制御系とを備えている。そして、前記第２のステ
ージ制御系が、前記両ステージの位置誤差を検出する位
置誤差検出手段と；前記基板ステージが載置された除振
台の振動量を所定時間間隔で演算する演算手段と；前記
検出された位置誤差と前記算出された振動量とに基づい
て前記他方のステージの速度制御を行なう制御手段とを
有する。
【００１０】請求項３記載の発明は、マスクを保持して
所定の走査方向に移動可能なマスクステージと、感光基
板を保持して前記走査方向に移動可能な基板ステージと
を備えた露光装置に用いられる、ステージ駆動制御装置
であって、前記走査方向に移動可能な第１ステージとこ
の第１ステージ上を前記走査方向に沿って相対移動可能
な第２ステージとを有する前記マスクステージと；前記
基板ステージの速度制御を行なう第１の速度制御系と；
前記第１ステージの速度制御を行なう第２の速度制御系
と；前記基板ステージと前記第２ステージとが所定の位
置関係になるように前記第１、第２の速度制御系による
速度制御に同期して前記第２ステージの位置を制御する
ステージ位置制御系とを備えている。そして、前記ステ
ージ位置制御系が、前記基板ステージと前記第２ステー
ジとの位置誤差を検出する位置誤差検出手段と；前記基
板ステージが載置された除振台を含む２次振動系の少な
くとも減衰係数とばね定数とが記憶された記憶部と；前
記減衰係数とばね定数と前記基板ステージ及び前記第１
ステージの推力と前記２次振動系の伝達関数とに基づい
て前記除振台の振動量を所定時間間隔で演算する演算手
段と；前記検出された位置誤差と前記算出された振動量
とに基づいて前記第２ステージの位置制御を行なう制御
手段とを有する。
所定の走査方向に移動可能なマスクステージと、感光基
板を保持して前記走査方向に移動可能な基板ステージと
を備えた露光装置に用いられる、ステージ駆動制御装置
であって、前記走査方向に移動可能な第１ステージとこ
の第１ステージ上を前記走査方向に沿って相対移動可能
な第２ステージとを有する前記マスクステージと；前記
基板ステージの速度制御を行なう第１の速度制御系と；
前記第１ステージの速度制御を行なう第２の速度制御系
と；前記基板ステージと前記第２ステージとが所定の位
置関係になるように前記第１、第２の速度制御系による
速度制御に同期して前記第２ステージの位置を制御する
ステージ位置制御系とを備えている。そして、前記ステ
ージ位置制御系が、前記基板ステージと前記第２ステー
ジとの位置誤差を検出する位置誤差検出手段と；前記基
板ステージが載置された除振台を含む２次振動系の少な
くとも減衰係数とばね定数とが記憶された記憶部と；前
記減衰係数とばね定数と前記基板ステージ及び前記第１
ステージの推力と前記２次振動系の伝達関数とに基づい
て前記除振台の振動量を所定時間間隔で演算する演算手
段と；前記検出された位置誤差と前記算出された振動量
とに基づいて前記第２ステージの位置制御を行なう制御
手段とを有する。
【００１１】
【作用】請求項１記載の発明によれば、露光のため、マ
スクステージと基板ステージとを所定の走査方向に同時
に走査するに際し、所定時間間隔で、両ステージ間の位
置ずれ量を検出するとともに基板ステージが載置された
除振台の振動量を算出し、検出された位置ずれ量と算出
された振動量とに基づいて両ステージ間の位置ずれが補
正されるように両ステージを駆動制御する。このため、
例えば、両ステージの位置をレーザ干渉計により検出す
るような場合、両ステージの走査のための加速時に除振
台に振動が発生しても、この振動の影響による誤差を考
慮して所定時間間隔で両ステージの位置関係が所定の同
期関係になるように補正されるので、振動が収束したと
きには両ステージは同期状態になっている。
スクステージと基板ステージとを所定の走査方向に同時
に走査するに際し、所定時間間隔で、両ステージ間の位
置ずれ量を検出するとともに基板ステージが載置された
除振台の振動量を算出し、検出された位置ずれ量と算出
された振動量とに基づいて両ステージ間の位置ずれが補
正されるように両ステージを駆動制御する。このため、
例えば、両ステージの位置をレーザ干渉計により検出す
るような場合、両ステージの走査のための加速時に除振
台に振動が発生しても、この振動の影響による誤差を考
慮して所定時間間隔で両ステージの位置関係が所定の同
期関係になるように補正されるので、振動が収束したと
きには両ステージは同期状態になっている。
【００１２】請求項２記載の発明によれば、第１のステ
ージ制御系ではマスクステージと基板ステージの内の一
方のステージ、例えば基板ステージの速度制御を行な
う。このとき、第２のステージ制御系では、両ステージ
が所定の位置関係になるように基板ステージの速度制御
に同期して他方のステージ、例えばマスクステージを駆
動制御する。この際、第２のステージ制御系を構成する
位置誤差検出手段では両ステージの位置誤差を検出し、
演算手段では基板ステージが載置された除振台の振動量
を所定時間間隔で演算する。そして、制御手段では検出
された位置誤差と算出された振動量とに基づいてマスク
ステージの速度制御を行なう。このため、例えば、両ス
テージの位置をレーザ干渉計により検出するような場
合、両ステージの走査のための加速時に除振台に振動が
発生しても、この振動の影響による誤差を考慮して所定
時間間隔で両ステージの位置関係が所定の同期関係にな
るように補正されるので、振動が収束したときには両ス
テージは同期状態になっている。
ージ制御系ではマスクステージと基板ステージの内の一
方のステージ、例えば基板ステージの速度制御を行な
う。このとき、第２のステージ制御系では、両ステージ
が所定の位置関係になるように基板ステージの速度制御
に同期して他方のステージ、例えばマスクステージを駆
動制御する。この際、第２のステージ制御系を構成する
位置誤差検出手段では両ステージの位置誤差を検出し、
演算手段では基板ステージが載置された除振台の振動量
を所定時間間隔で演算する。そして、制御手段では検出
された位置誤差と算出された振動量とに基づいてマスク
ステージの速度制御を行なう。このため、例えば、両ス
テージの位置をレーザ干渉計により検出するような場
合、両ステージの走査のための加速時に除振台に振動が
発生しても、この振動の影響による誤差を考慮して所定
時間間隔で両ステージの位置関係が所定の同期関係にな
るように補正されるので、振動が収束したときには両ス
テージは同期状態になっている。
【００１３】請求項３記載の発明によれば、第１の速度
制御系では基板ステージの速度制御を行ない、第２の速
度制御系では第１ステージの速度制御を行なう。このと
き、ステージ位置制御系では、基板ステージと第２ステ
ージとが所定の位置関係になるように第１、第２の速度
制御系による速度制御に同期して第２ステージの位置を
制御する。この際、ステージ位置制御系を構成する位置
誤差検出手段では基板ステージと第２ステージとの位置
誤差を検出し、演算手段では基板ステージが載置された
除振台を含む２次振動系の少なくとも減衰係数とばね定
数と基板ステージ及び第１ステージの推力と２次振動系
の伝達関数とに基づいて除振台の振動量を所定時間間隔
で演算する。そして、制御手段では、検出された位置誤
差と算出された振動量とに基づいて第２ステージの位置
制御を行なう。
制御系では基板ステージの速度制御を行ない、第２の速
度制御系では第１ステージの速度制御を行なう。このと
き、ステージ位置制御系では、基板ステージと第２ステ
ージとが所定の位置関係になるように第１、第２の速度
制御系による速度制御に同期して第２ステージの位置を
制御する。この際、ステージ位置制御系を構成する位置
誤差検出手段では基板ステージと第２ステージとの位置
誤差を検出し、演算手段では基板ステージが載置された
除振台を含む２次振動系の少なくとも減衰係数とばね定
数と基板ステージ及び第１ステージの推力と２次振動系
の伝達関数とに基づいて除振台の振動量を所定時間間隔
で演算する。そして、制御手段では、検出された位置誤
差と算出された振動量とに基づいて第２ステージの位置
制御を行なう。
【００１４】このため、例えば、基板ステージと第２ス
テージの位置をレーザ干渉計により検出するような場
合、基板ステージと第１ステージの走査のための加速時
に除振台に振動が発生しても、この振動の影響による誤
差を考慮して所定時間間隔で基板ステージと第２ステー
ジの位置関係が所定の同期関係になるように補正される
ので、振動が収束したときには基板ステージと第２ステ
ージは同期状態になっていることに加え、第２ステージ
の質量を小さくすれば、基板ステージに追従して応答性
良く第２ステージを位置制御することができる。
テージの位置をレーザ干渉計により検出するような場
合、基板ステージと第１ステージの走査のための加速時
に除振台に振動が発生しても、この振動の影響による誤
差を考慮して所定時間間隔で基板ステージと第２ステー
ジの位置関係が所定の同期関係になるように補正される
ので、振動が収束したときには基板ステージと第２ステ
ージは同期状態になっていることに加え、第２ステージ
の質量を小さくすれば、基板ステージに追従して応答性
良く第２ステージを位置制御することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし図３に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００１６】図１には、スキャン型露光装置に適用され
た一実施例に係るステージ駆動制御装置１０の構成が示
されている。
た一実施例に係るステージ駆動制御装置１０の構成が示
されている。
【００１７】図１において、除振台１２の上には、本体
コラム１４及びウエハ支持台１６が載置され、本体コラ
ム１４の上には、レチクル支持台１８が載置されてい
る。
コラム１４及びウエハ支持台１６が載置され、本体コラ
ム１４の上には、レチクル支持台１８が載置されてい
る。
【００１８】ウエハ支持台１６上には、基板ステージと
してのウエハステージ（ＷＳＴＧ）２０が走査方向（図
１における左右方向）及びこれに直交する方向（図１に
おける紙面直交方向）に移動可能に設けられている。ま
た、レチクル支持台１８上には質量の大きな第１のステ
ージとしてのレチクル粗動ステージ（ＲＣＳＴＧ）２２
が走査方向（図１における左右方向）に移動可能に設け
られ、このレチクル粗動ステージ２２上に質量の小さい
第２のステージとしてのレチクル微動ステージ（ＲＦＳ
ＴＧ）２４が走査方向に微動可能に設けられている。即
ち、本実施例では、レチクル粗動ステージ２２とレチク
ル微動ステージ２４とを含んでマスクステージが構成さ
れている。
してのウエハステージ（ＷＳＴＧ）２０が走査方向（図
１における左右方向）及びこれに直交する方向（図１に
おける紙面直交方向）に移動可能に設けられている。ま
た、レチクル支持台１８上には質量の大きな第１のステ
ージとしてのレチクル粗動ステージ（ＲＣＳＴＧ）２２
が走査方向（図１における左右方向）に移動可能に設け
られ、このレチクル粗動ステージ２２上に質量の小さい
第２のステージとしてのレチクル微動ステージ（ＲＦＳ
ＴＧ）２４が走査方向に微動可能に設けられている。即
ち、本実施例では、レチクル粗動ステージ２２とレチク
ル微動ステージ２４とを含んでマスクステージが構成さ
れている。
【００１９】ウエハステージ２０の上方には、投影光学
系ＰＬがその光軸を当該ウエハステージ２０の移動面に
直交する方向に向けて配置され、本体コラム１４に保持
されている。ウエハステージ２０上に感光基板としての
ウエハが載置され、レチクル微動ステージ２４上にマス
クとしてのレチクルが載置されると、レチクルのパター
ン面とウエハ表面とは、投影光学系ＰＬに関して共役と
なるようにされている。
系ＰＬがその光軸を当該ウエハステージ２０の移動面に
直交する方向に向けて配置され、本体コラム１４に保持
されている。ウエハステージ２０上に感光基板としての
ウエハが載置され、レチクル微動ステージ２４上にマス
クとしてのレチクルが載置されると、レチクルのパター
ン面とウエハ表面とは、投影光学系ＰＬに関して共役と
なるようにされている。
【００２０】ウエハ支持台１６上には、走査方向の一端
（図１における左端）にウエハ用レーザ干渉計２６用の
固定鏡２８が走査直交方向（図１における紙面直交方
向）に延設されており、これに対応してウエハステージ
２０の走査方向の一端にウエハ用レーザ干渉計２６用の
移動鏡３０が走査直交方向に延設されている。
（図１における左端）にウエハ用レーザ干渉計２６用の
固定鏡２８が走査直交方向（図１における紙面直交方
向）に延設されており、これに対応してウエハステージ
２０の走査方向の一端にウエハ用レーザ干渉計２６用の
移動鏡３０が走査直交方向に延設されている。
【００２１】同様に、レチクル支持台１８上には、走査
方向の他端（図１における右端）にレチクル用レーザ干
渉計３２用の固定鏡３４が走査直交方向（図１における
紙面直交方向）に延設され、これに対応してレチクル粗
動ステージ２２、レチクル微動ステージ２４の走査方向
の他端には、レチクル用レーザ干渉計３２用の第１、第
２の移動鏡３６、３８がそれぞれ走査直交方向に延設さ
れている。
方向の他端（図１における右端）にレチクル用レーザ干
渉計３２用の固定鏡３４が走査直交方向（図１における
紙面直交方向）に延設され、これに対応してレチクル粗
動ステージ２２、レチクル微動ステージ２４の走査方向
の他端には、レチクル用レーザ干渉計３２用の第１、第
２の移動鏡３６、３８がそれぞれ走査直交方向に延設さ
れている。
【００２２】ステージ駆動制御装置１０は、固定鏡２８
及び移動鏡３０に向けてレーザ光をそれぞれ照射すると
と共にそれぞれの反射光を受光してウエハステージ２０
の位置を検出するウエハ用レーザ干渉計２６と、固定鏡
３４及び第１、第２の移動鏡３６、３８に向けてレーザ
光をそれぞれ照射するとと共にそれぞれの反射光を受光
してレチクル粗動ステージ２２、レチクル微動ステージ
２４の位置をそれぞれ検出するレチクル用レーザ干渉計
３２と、第１の速度制御系としてのウエハステージ用速
度制御系４０と、第２の速度制御系としてのレチクル粗
動ステージ用速度制御系４２と、ステージ位置制御系と
してのレチクル微動ステージ用位置制御系４４とを備え
ている。
及び移動鏡３０に向けてレーザ光をそれぞれ照射すると
と共にそれぞれの反射光を受光してウエハステージ２０
の位置を検出するウエハ用レーザ干渉計２６と、固定鏡
３４及び第１、第２の移動鏡３６、３８に向けてレーザ
光をそれぞれ照射するとと共にそれぞれの反射光を受光
してレチクル粗動ステージ２２、レチクル微動ステージ
２４の位置をそれぞれ検出するレチクル用レーザ干渉計
３２と、第１の速度制御系としてのウエハステージ用速
度制御系４０と、第２の速度制御系としてのレチクル粗
動ステージ用速度制御系４２と、ステージ位置制御系と
してのレチクル微動ステージ用位置制御系４４とを備え
ている。
【００２３】ウエハステージ用速度制御系４０は、ウエ
ハステージ用速度指令部４６と、レーザ干渉計２６の出
力であるウエハステージ２０の位置情報を微分してウエ
ハステージ２０の速度を演算する微分回路４８と、ウエ
ハ速度指令部４６からの速度指令と微分回路４８で演算
された速度とに基づいて図示しない駆動系を介してウエ
ハステージ２０の速度制御を行なうウエハステージ用速
度制御部５０とを含んで構成されている。
ハステージ用速度指令部４６と、レーザ干渉計２６の出
力であるウエハステージ２０の位置情報を微分してウエ
ハステージ２０の速度を演算する微分回路４８と、ウエ
ハ速度指令部４６からの速度指令と微分回路４８で演算
された速度とに基づいて図示しない駆動系を介してウエ
ハステージ２０の速度制御を行なうウエハステージ用速
度制御部５０とを含んで構成されている。
【００２４】レチクル粗動ステージ用速度制御系４２
は、レチクル粗動ステージ用速度指令部５２と、レチク
ル用レーザ干渉計３２の一方の出力であるレチクル粗動
ステージ２２の位置情報を微分してレチクル粗動ステー
ジ２２の速度を演算する微分回路５４と、レチクル粗動
ステージ用速度指令部５２からの速度指令と微分回路５
４で演算された速度とに基づいて図示しない駆動系を介
してレチクル粗動ステージ２２の速度制御を行なうレチ
クル粗動ステージ用速度制御部５６とを含んで構成され
ている。
は、レチクル粗動ステージ用速度指令部５２と、レチク
ル用レーザ干渉計３２の一方の出力であるレチクル粗動
ステージ２２の位置情報を微分してレチクル粗動ステー
ジ２２の速度を演算する微分回路５４と、レチクル粗動
ステージ用速度指令部５２からの速度指令と微分回路５
４で演算された速度とに基づいて図示しない駆動系を介
してレチクル粗動ステージ２２の速度制御を行なうレチ
クル粗動ステージ用速度制御部５６とを含んで構成され
ている。
【００２５】更に、レチクル微動ステージ用位置制御系
４４は、除振台１２の振動量を算出するためのデータが
記憶された記憶部５８と、この記憶部５８に記憶された
データに基づいて後述する手法により除振台１２の振動
量を算出する演算手段としての振動算出部６０と、この
算出された振動量とウエハステージ２０とレチクル微動
ステージ２４との位置誤差に基づいてレチクル微動ステ
ージ２４の位置を制御する制御手段としてのレチクル微
動ステージ用位置制御部６２とを含んで構成されてい
る。ここで、ウエハステージ２０とレチクル微動ステー
ジ２４との位置誤差は、ウエハ用レーザ干渉計２６の出
力であるウエハステージ２０の位置情報とレチクル用レ
ーザ干渉計３２の他方の出力であるレチクル微動ステー
ジ２４の位置情報とに基づいて減算器６４により演算さ
れる。即ち、本実施例では、ウエハ用レーザ干渉計２６
と、レチクル用レーザ干渉計３２と、減算器６４とによ
って位置誤差検出手段が構成されている。また、レチク
ル微動ステージ用位置制御部６２によるレチクル微動ス
テージ２４の位置制御は図示しない駆動系を介して行な
われる。
４４は、除振台１２の振動量を算出するためのデータが
記憶された記憶部５８と、この記憶部５８に記憶された
データに基づいて後述する手法により除振台１２の振動
量を算出する演算手段としての振動算出部６０と、この
算出された振動量とウエハステージ２０とレチクル微動
ステージ２４との位置誤差に基づいてレチクル微動ステ
ージ２４の位置を制御する制御手段としてのレチクル微
動ステージ用位置制御部６２とを含んで構成されてい
る。ここで、ウエハステージ２０とレチクル微動ステー
ジ２４との位置誤差は、ウエハ用レーザ干渉計２６の出
力であるウエハステージ２０の位置情報とレチクル用レ
ーザ干渉計３２の他方の出力であるレチクル微動ステー
ジ２４の位置情報とに基づいて減算器６４により演算さ
れる。即ち、本実施例では、ウエハ用レーザ干渉計２６
と、レチクル用レーザ干渉計３２と、減算器６４とによ
って位置誤差検出手段が構成されている。また、レチク
ル微動ステージ用位置制御部６２によるレチクル微動ス
テージ２４の位置制御は図示しない駆動系を介して行な
われる。
【００２６】次に、振動算出部６０による除振台１２の
振動量の算出方法について、図２に基づいて説明する。
図２には、除振台１２をばね定数Ｋ、減衰係数Ｄを有す
る２次の振動系と考えた場合の上記振動系のブロック線
図が示されている。この系の運動方程式をすべての初期
条件が零としてラプラス変換すると、図２のブロック線
図で示される入力Ｆと出力Ｘとの関係式である次式
（１）が求まる。
振動量の算出方法について、図２に基づいて説明する。
図２には、除振台１２をばね定数Ｋ、減衰係数Ｄを有す
る２次の振動系と考えた場合の上記振動系のブロック線
図が示されている。この系の運動方程式をすべての初期
条件が零としてラプラス変換すると、図２のブロック線
図で示される入力Ｆと出力Ｘとの関係式である次式
（１）が求まる。
【００２７】
【数１】 Ｘ＝１／（Ｍｓ2 ＋Ｄｓ＋Ｋ）・Ｆ ………（１） ここに、１／（Ｍｓ2 ＋Ｄｓ＋Ｋ）：この振動系の伝達
関数 Ｍ：除振台１２及び本体コラム１４を含む装置の質量 Ｆ：この振動系の入力である外力 Ｘ：この系の出力である除振台位置（振動量）
関数 Ｍ：除振台１２及び本体コラム１４を含む装置の質量 Ｆ：この振動系の入力である外力 Ｘ：この系の出力である除振台位置（振動量）
【００２８】図３には、ばね定数Ｋ、減衰係数Ｄを実験
的に求め、これらの値を用いて露光時と同一条件でウエ
ハステージ２０とレチクル粗動ステージ２２とを走査し
た際に系に加わる外力Ｆを入力として行なったシミュレ
ーションデータの一例が示されている。この図３におい
て横軸は時間を示し、縦軸は除振台のゆれ（振動量）を
示す。
的に求め、これらの値を用いて露光時と同一条件でウエ
ハステージ２０とレチクル粗動ステージ２２とを走査し
た際に系に加わる外力Ｆを入力として行なったシミュレ
ーションデータの一例が示されている。この図３におい
て横軸は時間を示し、縦軸は除振台のゆれ（振動量）を
示す。
【００２９】本実施例では、予め記憶部５８にばね定数
Ｋ、減衰係数Ｄ、レチクル粗動ステージの質量Ｍ1 、ウ
エハステージの質量Ｍ2 の値を記憶しておき、スキャン
露光のため、レチクル粗動ステージ２２とウエハステー
ジ２０とが反対向きに同時に加速されるとき、振動算出
部６０では、レチクル粗動ステージ２２に加えられる推
力Ｍ1ａ1とウエハステージ２０に加えられる推力Ｍ2ａ2
との差（Ｍ1ａ1−Ｍ2ａ2）を外力Ｆとして上式（１）に
従って、所定時間間隔で振動量Ｘを算出し、図３で示さ
れるような除振台１２のゆれ（振動量）Ｘを求めるよう
になっている。
Ｋ、減衰係数Ｄ、レチクル粗動ステージの質量Ｍ1 、ウ
エハステージの質量Ｍ2 の値を記憶しておき、スキャン
露光のため、レチクル粗動ステージ２２とウエハステー
ジ２０とが反対向きに同時に加速されるとき、振動算出
部６０では、レチクル粗動ステージ２２に加えられる推
力Ｍ1ａ1とウエハステージ２０に加えられる推力Ｍ2ａ2
との差（Ｍ1ａ1−Ｍ2ａ2）を外力Ｆとして上式（１）に
従って、所定時間間隔で振動量Ｘを算出し、図３で示さ
れるような除振台１２のゆれ（振動量）Ｘを求めるよう
になっている。
【００３０】なお、レチクル微動ステージ２４の質量
は、レチクル粗動ステージ２２の質量に比べ十分小さい
ので、外力Ｆへの影響は考慮しなくてもよい。
は、レチクル粗動ステージ２２の質量に比べ十分小さい
ので、外力Ｆへの影響は考慮しなくてもよい。
【００３１】ここで、推力Ｍ1ａ1、推力Ｍ2ａ2は、レチ
クル粗動ステージ２２の加速度ａ1、ウエハステージ２
０の加速度ａ2 に各ステージの質量Ｍ1 、Ｍ2 をそれぞ
れ乗じて求める。
クル粗動ステージ２２の加速度ａ1、ウエハステージ２
０の加速度ａ2 に各ステージの質量Ｍ1 、Ｍ2 をそれぞ
れ乗じて求める。
【００３２】あるいは、別の手法として、露光時と同一
条件の下に上述したようなシミュレーションを行ない、
その結果をマップの形で記憶部５８内に記憶しておき、
スキャン露光時には、所定時間間隔でこのマップに基づ
いて振動量を算出するようにすることも可能である。
条件の下に上述したようなシミュレーションを行ない、
その結果をマップの形で記憶部５８内に記憶しておき、
スキャン露光時には、所定時間間隔でこのマップに基づ
いて振動量を算出するようにすることも可能である。
【００３３】上述のようにして構成された本実施例によ
れば、ステージの走査開始に際し、レチクル粗動ステー
ジ用速度指令部５２、ウエハステージ用速度指令部４６
は、各々の速度制御部５６、５０に対して速度指令を発
生する。
れば、ステージの走査開始に際し、レチクル粗動ステー
ジ用速度指令部５２、ウエハステージ用速度指令部４６
は、各々の速度制御部５６、５０に対して速度指令を発
生する。
【００３４】レチクル粗動ステージ用速度制御部５６、
ウエハステージ用速度制御部５０は、各々の速度指令に
応じてレチクル粗動ステージ２２、ウエハステージ２０
の速度制御を開始する。
ウエハステージ用速度制御部５０は、各々の速度指令に
応じてレチクル粗動ステージ２２、ウエハステージ２０
の速度制御を開始する。
【００３５】このようにしてステージの走査が開始され
ると、レチクル粗動ステージ用速度制御部５６とウエハ
ステージ用速度制御部５０は、速度指令と検出された速
度とに基づいて前述した手法により速度制御を続行す
る。
ると、レチクル粗動ステージ用速度制御部５６とウエハ
ステージ用速度制御部５０は、速度指令と検出された速
度とに基づいて前述した手法により速度制御を続行す
る。
【００３６】このとき、ウエハステージ２０とレチクル
微動ステージ２４の位置が干渉計２６、３２によってそ
れぞれモニタされており、これらの位置情報に基づいて
両ステージ２０、２４の位置誤差がレチクル微動ステー
ジ用位置制御系４４内で演算される。これと同時に、振
動算出部６０では、上述した手法により、質量の大きい
レチクル粗動ステージ２２とウエハステージ２０の加速
のための推力の反力の差（Ｍ1ａ1−Ｍ2ａ2）に起因する
除振台１２の振動量を所定時間間隔で算出する。レチク
ル微動ステージ用位置制御部６２では、両ステージ２
０、２４の位置誤差と算出された除振台１２の振動量と
に基づいてレチクル微動ステージ２４の位置を制御す
る。
微動ステージ２４の位置が干渉計２６、３２によってそ
れぞれモニタされており、これらの位置情報に基づいて
両ステージ２０、２４の位置誤差がレチクル微動ステー
ジ用位置制御系４４内で演算される。これと同時に、振
動算出部６０では、上述した手法により、質量の大きい
レチクル粗動ステージ２２とウエハステージ２０の加速
のための推力の反力の差（Ｍ1ａ1−Ｍ2ａ2）に起因する
除振台１２の振動量を所定時間間隔で算出する。レチク
ル微動ステージ用位置制御部６２では、両ステージ２
０、２４の位置誤差と算出された除振台１２の振動量と
に基づいてレチクル微動ステージ２４の位置を制御す
る。
【００３７】干渉計２６、３２の出力に基づく位置誤差
には、除振台１２の振動に起因する固定鏡２８、３４の
ゆれのための誤差が含まれているが、本実施例では、振
動算出部６０で振動量が算出され、レチクル微動ステー
ジ用位置制御部５８では干渉計２６、３２の出力に基づ
く位置誤差と算出された振動量とに基づいてレチクル微
動ステージ２４の位置を制御する。このため、振動の影
響がキャンセルされた状態で、レチクル微動ステージ２
４が位置制御されるので、振動が収束した時には、レチ
クル微動ステージ２４は目標位置へ位置しており、加速
終了時のウエハステージ２０とレチクル微動ステージ２
４との同期整定時間を短縮することができ、これによ
り、露光装置の処理速度を向上させることができ、ウエ
ハ生産量の増大が期待できる。また、ウエハステージ２
０とレチクル微動ステージ２４とが所望の同期状態とな
るまでの各ステージの助走距離を短くすることができる
ので、その分装置の小型化が可能になる。
には、除振台１２の振動に起因する固定鏡２８、３４の
ゆれのための誤差が含まれているが、本実施例では、振
動算出部６０で振動量が算出され、レチクル微動ステー
ジ用位置制御部５８では干渉計２６、３２の出力に基づ
く位置誤差と算出された振動量とに基づいてレチクル微
動ステージ２４の位置を制御する。このため、振動の影
響がキャンセルされた状態で、レチクル微動ステージ２
４が位置制御されるので、振動が収束した時には、レチ
クル微動ステージ２４は目標位置へ位置しており、加速
終了時のウエハステージ２０とレチクル微動ステージ２
４との同期整定時間を短縮することができ、これによ
り、露光装置の処理速度を向上させることができ、ウエ
ハ生産量の増大が期待できる。また、ウエハステージ２
０とレチクル微動ステージ２４とが所望の同期状態とな
るまでの各ステージの助走距離を短くすることができる
ので、その分装置の小型化が可能になる。
【００３８】なお、上記実施例では、レーザ干渉計２
６、３２の位置情報を微分して速度情報に変換する場合
を例示したが、タコジェネレータ等の速度検出手段を用
いてステージの移動速度を直接検出しても良い。
６、３２の位置情報を微分して速度情報に変換する場合
を例示したが、タコジェネレータ等の速度検出手段を用
いてステージの移動速度を直接検出しても良い。
【００３９】また、上記実施例では、ウエハステージ用
速度制御系４０、レチクル粗動ステージ用速度制御系４
２、レチクル微動ステージ用位置制御系４４等を構成す
る各部をそれぞれ別々の機能ブロックとして示したが、
これらのウエハステージ用速度制御系４０、レチクル粗
動ステージ用速度制御系４２、レチクル微動ステージ用
位置制御系４４のそれぞれは勿論、３つの系全てを単一
のプロセッサの機能により実現することも可能である。
速度制御系４０、レチクル粗動ステージ用速度制御系４
２、レチクル微動ステージ用位置制御系４４等を構成す
る各部をそれぞれ別々の機能ブロックとして示したが、
これらのウエハステージ用速度制御系４０、レチクル粗
動ステージ用速度制御系４２、レチクル微動ステージ用
位置制御系４４のそれぞれは勿論、３つの系全てを単一
のプロセッサの機能により実現することも可能である。
【００４０】なお、上記実施例では、速度制御のみが行
なわれるレチクル粗動ステージ２２と、位置ずれ誤差の
補正が行なわれるレチクル微動ステージ２４とを含んで
レチクルステージが構成され、ウエハステージ用速度制
御系４０により第１のステージ制御系が構成され、レチ
クル粗動ステージ用速度制御系４２とレチクル微動ステ
ージ用位置制御系４４とによって第２のステージ制御系
が構成された場合を例示したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、前述した図４の従来例のような装置
に適用しても有効である。かかる場合には、レチクルス
テージとウエハステージとを同時に速度制御し、両ステ
ージの位置誤差（又は速度誤差）をいずれかのステージ
の速度制御系にフィードバックする際に、この誤差に
は、除振台の振動に起因する干渉計検出値の誤差が含ま
れているので、振動算出部で算出した振動量により除振
台の振動に起因する干渉計検出値の誤差分をキャンセル
した状態でステージの速度制御を行なうことにより、両
ステージの同期整定時間を短縮することが可能になる。
なわれるレチクル粗動ステージ２２と、位置ずれ誤差の
補正が行なわれるレチクル微動ステージ２４とを含んで
レチクルステージが構成され、ウエハステージ用速度制
御系４０により第１のステージ制御系が構成され、レチ
クル粗動ステージ用速度制御系４２とレチクル微動ステ
ージ用位置制御系４４とによって第２のステージ制御系
が構成された場合を例示したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、前述した図４の従来例のような装置
に適用しても有効である。かかる場合には、レチクルス
テージとウエハステージとを同時に速度制御し、両ステ
ージの位置誤差（又は速度誤差）をいずれかのステージ
の速度制御系にフィードバックする際に、この誤差に
は、除振台の振動に起因する干渉計検出値の誤差が含ま
れているので、振動算出部で算出した振動量により除振
台の振動に起因する干渉計検出値の誤差分をキャンセル
した状態でステージの速度制御を行なうことにより、両
ステージの同期整定時間を短縮することが可能になる。
【００４１】また、上記実施例において、除振台１２の
振動を振動終了まで微動ステージ２４に加算するのでは
なく、除振台１２の振動を微動ステージ２４に加算する
時間（あるいは区間）を可変にするようにしてもよい。
これにより、微動ステージ２４に余分な動きをさせるこ
とがなくなり、同期整定時間を精度よく制御することが
できる。
振動を振動終了まで微動ステージ２４に加算するのでは
なく、除振台１２の振動を微動ステージ２４に加算する
時間（あるいは区間）を可変にするようにしてもよい。
これにより、微動ステージ２４に余分な動きをさせるこ
とがなくなり、同期整定時間を精度よく制御することが
できる。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスクステージと基板ステージの位置をレーザ干渉計に
より検出するような場合、両ステージの走査のための加
速時に除振台に振動が発生しても、振動が収束したとき
には両ステージは同期状態になっていることから、基板
ステージとマスクステージとの同期整定時間を短縮する
ことができるという従来にない優れた効果がある。
マスクステージと基板ステージの位置をレーザ干渉計に
より検出するような場合、両ステージの走査のための加
速時に除振台に振動が発生しても、振動が収束したとき
には両ステージは同期状態になっていることから、基板
ステージとマスクステージとの同期整定時間を短縮する
ことができるという従来にない優れた効果がある。
【００４３】特に、請求項３記載の発明によれば、第２
ステージの質量を小さくすることができるので、上記効
果に加えて感光基板に追従して応答性良くレチクルを位
置制御することができるという効果もある。
ステージの質量を小さくすることができるので、上記効
果に加えて感光基板に追従して応答性良くレチクルを位
置制御することができるという効果もある。
【図１】一実施例に係るステージ駆動制御装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１の除振台及び本体コラムを含む２次振動系
を示すブロック線図である。
を示すブロック線図である。
【図３】除振台の振動のシミュレーションデータの一例
を示す線図である。
を示す線図である。
【図４】従来例を示す説明図である。
１０ ステージ駆動制御装置 １２ 除振台 ２０ 基板ステージ ２２ レチクル粗動ステージ（第１ステージ） ２４ レチクル微動ステージ（第２ステージ） ２６ ウエハ用レーザ干渉計（位置誤差検出手段） ３２ レチクル用レーザ干渉計（位置誤差検出手段） ４０ 第１の速度制御系、第１のステージ制御系 ４２ 第２の速度制御系、第２のステージ制御系 ４４ ステージ位置制御系、第２のステージ制御系 ５８ 記憶部 ６０ 振動算出部（演算手段） ６２ レチクル微動ステージ用位置制御部（制御手段） ６４ 減算器（位置誤差検出手段）
Claims (3)
- 【請求項１】 マスクを保持して所定の走査方向に移動
可能なマスクステージと、感光基板を保持して前記走査
方向に移動可能な基板ステージとを備えた露光装置に用
いられる、ステージ駆動制御方法であって、 露光のため、前記マスクステージと前記基板ステージと
を所定の走査方向に同時に走査するに際し、 所定時間間隔で、前記両ステージ間の位置ずれ量を検出
するとともに前記基板ステージが載置された除振台の振
動量を算出し、 前記検出された位置ずれ量と前記算出された振動量とに
基づいて前記両ステージ間の位置ずれが補正されるよう
に前記両ステージを駆動制御するステージ駆動制御方
法。 - 【請求項２】 マスクを保持して所定の走査方向に移動
可能なマスクステージと、感光基板を保持して前記走査
方向に移動可能な基板ステージとを備えた露光装置に用
いられる、ステージ駆動制御装置であって、 前記マスクステージと前記基板ステージの内の一方のス
テージの速度制御を行なう第１のステージ制御系と；前
記一方のステージと他方のステージとが所定の位置関係
になるように前記一方のステージの速度制御に同期して
前記他方のステージを駆動制御する第２のステージ制御
系とを備え、 前記第２のステージ制御系が、 前記両ステージの位置誤差を検出する位置誤差検出手段
と；前記基板ステージが載置された除振台の振動量を所
定時間間隔で演算する演算手段と；前記検出された位置
誤差と前記算出された振動量とに基づいて前記他方のス
テージの速度制御を行なう制御手段とを有するステージ
駆動制御装置。 - 【請求項３】 マスクを保持して所定の走査方向に移動
可能なマスクステージと、感光基板を保持して前記走査
方向に移動可能な基板ステージとを備えた露光装置に用
いられる、ステージ駆動制御装置であって、 前記走査方向に移動可能な第１ステージとこの第１ステ
ージ上を前記走査方向に沿って相対移動可能な第２ステ
ージとを有する前記マスクステージと；前記基板ステー
ジの速度制御を行なう第１の速度制御系と；前記第１ス
テージの速度制御を行なう第２の速度制御系と；前記基
板ステージと前記第２ステージとが所定の位置関係にな
るように前記第１、第２の速度制御系による速度制御に
同期して前記第２ステージの位置を制御するステージ位
置制御系とを備え、 前記ステージ位置制御系が、 前記基板ステージと前記第２ステージとの位置誤差を検
出する位置誤差検出手段と；前記基板ステージが載置さ
れた除振台を含む２次振動系の少なくとも減衰係数とば
ね定数とが記憶された記憶部と；前記減衰係数とばね定
数と前記基板ステージ及び前記第１ステージの推力と前
記２次振動系の伝達関数とに基づいて前記除振台の振動
量を所定時間間隔で演算する演算手段と；前記検出され
た位置誤差と前記算出された振動量とに基づいて前記第
２ステージの位置制御を行なう制御手段とを有するステ
ージ駆動制御装置。
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|---|---|---|---|
| JP12082595A JPH08293459A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | ステージ駆動制御方法及びその装置 |
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP12082595A JPH08293459A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | ステージ駆動制御方法及びその装置 |
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| JPH08293459A true JPH08293459A (ja) | 1996-11-05 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744511B1 (en) * | 1998-08-11 | 2004-06-01 | Nikon Corporation | Stage device having drive mechanism for driving a movable stage, and exposure apparatus and method of detecting position of the stage |
| JP2013055256A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Canon Inc | リソグラフィシステム及び物品の製造方法 |
Families Citing this family (16)
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|---|---|---|---|---|
| EP0967525B1 (en) * | 1998-06-23 | 2005-11-16 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
| TW394862B (en) | 1998-06-23 | 2000-06-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus |
| US6690450B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-02-10 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, method for producing exposure apparatus, and method for producing device |
| EP1265104A1 (en) * | 2001-06-06 | 2002-12-11 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1265106A3 (en) * | 2001-06-06 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2004072076A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-03-04 | Nikon Corp | 露光装置及びステージ装置、並びにデバイス製造方法 |
| US7256866B2 (en) * | 2004-10-12 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006216852A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Fujitsu Ltd | 位置決め装置および位置決め装置の制御方法 |
| US7536233B1 (en) * | 2006-01-30 | 2009-05-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for adjusting processing speeds based on work-in-process levels |
| JP2008108906A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-05-08 | Canon Inc | 位置決め装置 |
| JP5693564B2 (ja) | 2009-04-23 | 2015-04-01 | ケンブリッジ テクノロジー インコーポレイテッド | 有限回転モータに連結された走査ミラーの性能向上をもたらすシステムおよび方法およびミラー |
| JP5574749B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2014-08-20 | キヤノン株式会社 | 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置 |
| CN102955368B (zh) * | 2011-08-22 | 2015-09-30 | 上海微电子装备有限公司 | 一种步进光刻设备及光刻曝光方法 |
| KR102357632B1 (ko) | 2016-06-27 | 2022-01-28 | 케이엘에이 코포레이션 | 패턴 배치 및 패턴의 크기의 측정을 위한 장치 및 방법 그리고 이들의 컴퓨터 프로그램 |
| KR20180029145A (ko) | 2016-09-09 | 2018-03-20 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US12085385B2 (en) | 2021-10-06 | 2024-09-10 | Kla Corporation | Design-assisted large field of view metrology |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5978533A (ja) * | 1982-10-27 | 1984-05-07 | Canon Inc | 露光装置 |
| US4748477A (en) * | 1985-04-30 | 1988-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US4719705A (en) * | 1986-06-24 | 1988-01-19 | The Perkin-Elmer Corporation | Reticle transporter |
| US4697087A (en) * | 1986-07-31 | 1987-09-29 | The Perkin-Elmer Corporation | Reverse dark field alignment system for scanning lithographic aligner |
| JPH01284793A (ja) | 1988-05-11 | 1989-11-16 | Canon Inc | 基板支持装置 |
| US5187519A (en) * | 1990-10-05 | 1993-02-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus having mount means to suppress vibrations |
| JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JPH05136023A (ja) | 1991-11-14 | 1993-06-01 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| DE69322983T2 (de) * | 1992-02-21 | 1999-07-15 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | System zum Steuern von Trägerplatten |
| US5477304A (en) | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| KR0139039B1 (ko) * | 1993-06-30 | 1998-06-01 | 미타라이 하지메 | 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 |
| US5699145A (en) | 1993-07-14 | 1997-12-16 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus |
| JP3282751B2 (ja) * | 1993-07-14 | 2002-05-20 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 |
| JP3101473B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
| JP3448991B2 (ja) | 1994-11-29 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | ステージ移動制御装置、投影型露光装置およびステージ駆動方法ならびに露光方法。 |
| JPH0927447A (ja) | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nikon Corp | ステージ駆動制御装置 |
-
1995
- 1995-04-21 JP JP12082595A patent/JPH08293459A/ja active Pending
-
1996
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-
1998
- 1998-12-28 US US09/220,608 patent/US6285437B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744511B1 (en) * | 1998-08-11 | 2004-06-01 | Nikon Corporation | Stage device having drive mechanism for driving a movable stage, and exposure apparatus and method of detecting position of the stage |
| JP2013055256A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Canon Inc | リソグラフィシステム及び物品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960039258A (ko) | 1996-11-21 |
| US6285437B1 (en) | 2001-09-04 |
| GB9608311D0 (en) | 1996-06-26 |
| GB2300275A (en) | 1996-10-30 |
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