JPH08293752A

JPH08293752A - 表面実装型電子部品およびその製造方法

Info

Publication number: JPH08293752A
Application number: JP12093195A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Tatsumi; 哲夫巽; Michinobu Maesaka; 通伸前阪; Masato Higuchi; 真人日口
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1995-04-21
Filing date: 1995-04-21
Publication date: 1996-11-05
Anticipated expiration: 2017-03-04
Also published as: JP3261926B2

Abstract

(57)【要約】【目的】実装時の半田付け性を改善し、小型化できる表
面実装型電子部品およびその製造方法を提供する。【構成】アルミナ基板１０の表裏面に複数の取付電極１
３，１４が形成され、表裏いずれかの取付電極上に電子
部品素子２０が搭載され、アルミナ基板１０の側縁部に
厚み方向に連続する複数の凹溝１１，１２が形成され
る。凹溝１１，１２の内面には表裏の取付電極１３，１
４を互いに導通させる端面電極１５，１６が形成され、
これら端面電極上に溶融半田層１７，１８が形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表面実装型電子部品およ
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、表面実装型の圧電発振子として、
図１に示すものが知られている。この圧電発振子は、取
付電極２，３を形成したアルミナ基板１に圧電素子４を
搭載し、その上からアルミナ製キャップ５を被せ、接着
剤６で封止する構造となっている。上記取付電極２，３
は表裏面に帯状に形成されており、表裏の取付電極２，
３は側縁部に形成された端面電極７，８によって互いに
接続されている。端面電極７，８はアルミナ基板１の側
縁部に形成された凹溝１ａ，１ｂの内面に形成されてい
る。上記凹溝１ａ，１ｂは、表裏の取付電極２，３を接
続するための端面電極７，８の形成、および回路基板へ
の半田付け時のフィレット確保という２つの目的のため
に設けられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に印刷
による電極形成には銀（Ａｇ）が使用されるが、従来で
はアルミナ基板１の表裏面の取付電極２，３および端面
電極７，８の材料として、実装半田付け時の銀食われを
防ぐために、ＡｇＰｄ（Ｐｄ含有量０．５〜２０％）を
用いていた。

【０００４】しかしながら、銀にパラジウム（Ｐｄ）を
加えることで半田付き性が悪くなり、フィレットの高さ
が目標値を満足できない場合があった。また、半田付け
性の向上と銀食われ防止のために、銀の上にメッキを施
す方法もあるが、この方法ではコスト上昇を招くという
問題があった。また、キャップ５をアルミナ基板１へ接
着するための接着剤６が凹溝１ａ，１ｂへ流れ込むと、
半田付き性が低下する。これを防止するため、アルミナ
基板１のサイズをキャップ５よりかなり大きくする必要
があり、製品の小型化が困難であった。

【０００５】そこで、本発明の目的は、安価でかつ実装
時の半田付け性を改善できる表面実装型電子部品および
その製造方法を提供することにある。他の目的は、基板
サイズを小さくでき、小型化を図ることができる表面実
装型電子部品およびその製造方法を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、絶縁基板の表裏面に複数
の取付電極が形成され、表裏いずれかの取付電極上に電
子部品素子が搭載され、絶縁基板の側縁部に厚み方向に
のびる複数の凹溝が形成され、これら凹溝の内面に表裏
の取付電極を互いに導通させる端面電極が形成され、こ
れら端面電極上に溶融半田層が形成された表面実装型電
子部品である。上記電子部品において、電子部品素子と
して圧電素子を用い、絶縁基板としてアルミナ基板を用
い、アルミナ基板の上に圧電素子を覆うキャップを接着
してもよい。また、電子部品素子として圧電素子を用
い、絶縁基板として両側縁に凹溝を形成した方形のアル
ミナ基板を用いた場合、このアルミナ基板に第１と第２
の取付電極とその間に第３の電極とを形成し、第１の取
付電極と第３の電極との間、および第２の取付電極と第
３の電極との間に容量部を形成してもよい。さらに、こ
れら３個の電極を凹溝の内面に形成された端面電極とそ
れぞれ導通するようにアルミナ基板の側縁部へ引き延ば
し、さらにアルミナ基板の上に圧電素子を覆うキャップ
を接着してもよい。請求項４に記載の発明は、絶縁基板
に電子部品素子を搭載した表面実装型電子部品の製造方
法において、絶縁性のマザー基板に、複数のスルーホー
ルを形成する工程、上記マザー基板の表裏面に複数の取
付電極を形成する工程、上記スルーホールの内面に表裏
の取付電極を導通させる端面電極を形成する工程、上記
マザー基板の表裏いずれかの取付電極上に電子部品素子
を搭載する工程、上記スルーホールに半田ペーストを埋
め込む工程、上記スルーホールに埋め込まれた半田ペー
ストを溶融させる工程、および上記マザー基板を溶融半
田が付着したスルーホールの部位で分断し、絶縁基板と
する工程とを含む。なお、スルーホールに埋め込まれた
半田ペーストを溶融させた後、マザー基板の分断前に、
マザー基板にエアーを吹きつけて溶融半田に穴を開け、
溶融半田をスルーホールの内周面に寄せる工程を追加し
てもよい。

【０００７】

【作用】本発明の電子部品によれば、絶縁基板の側縁部
に形成された凹溝の内面に端面電極が形成され、この端
面電極上に溶融半田層が形成されているので、実装時に
半田が溶融半田層と良好に密着し、十分なフィレットの
高さを確保できる。そのため、半田付け性が良好とな
る。また、本発明の製造方法によれば、マザー基板の段
階のスルーホール内に半田ペーストを埋め込み、この半
田を溶融させた後、マザー基板を分割するようにしたの
で、凹溝の内面に効率よく溶融半田層を形成できる。

【０００８】本発明は圧電部品に限らず、表面実装型で
あれば、他の電子部品（例えば抵抗ネットワーク、コン
デンサネットワークなど）にも適用できる。本発明にお
いて、圧電素子としては圧電発振子、水晶発振子、圧電
フィルタ、ＬＴフィルタ、セラミックディスクリミネー
タ、トラップ素子、ＳＡＷ素子などを含む。また、絶縁
基板としては、アルミナ基板のほか、ガラス基板、ガラ
スエポキシ基板などを含む。さらに、キャップとしては
アルミナ製キャップや金属キャップを用いることができ
る。

【０００９】

【実施例】図２は本発明の第１実施例である表面実装型
圧電発振子を示す。この圧電発振子は、絶縁基板１０
と、発振子素子２０と、キャップ３０とで構成されてい
る。基板１０はアルミナセラミックスをシート成形ある
いはタブレット成形した厚み０．３〜０．７ｍｍの長方
形状の薄板であり、その長辺の両側縁部には厚み方向に
のびる４個の凹溝１１，１２が形成されている。基板１
０の表裏面には２本の帯状の取付電極１３，１４が形成
されており、凹溝１１，１２の内面には端面電極１５，
１６が形成されている。基板１０の表裏面に形成された
取付電極１３，１４は端面電極１５，１６を介して接続
されている。凹溝１１，１２の内面に形成された端面電
極１５，１６上には、図３のように、溶融半田層１７，
１８（符号１８は図示せず）が形成されている。

【００１０】取付電極１３，１４の上には、発振子素子
２０が導電性接着剤や半田のような導電性と接着性とを
併せ持つ材料１９によって接着固定されている。この実
施例の発振子素子２０は公知の厚みすべり振動モード発
振子であり、図４のように、圧電セラミックスまたは圧
電単結晶からなる圧電基板２１の表面の一端側から約２
／３の領域に渡って電極２２が形成され、裏面の他端側
から約２／３の領域に渡って電極２３が形成されてい
る。両電極２２，２３の一端部は圧電基板２１を間にし
てその中間部位で対向し、振動部を構成している。この
振動部は基板１０と接触しないように、導電性接着剤１
９の厚みによって一定の空間が確保されている。上記電
極２２，２３の他端部２２ａ，２３ａは圧電基板２１の
端面を経て他面側まで回り込んでいる。上記のように導
電性接着剤１９で接着することにより、発振子素子２０
の電極２２，２３はそれぞれ取付電極１３，１４と電気
的に導通する。なお、発振子素子２０の電極パターンは
上記のものに限らず、図５のようなパターンであっても
よい。図５において、図４と同一部分には同一符号を付
して説明を省略する。

【００１１】キャップ３０は、発振子素子２０を覆うよ
うに基板１０上に接着剤２５によって接着されている。
キャップ３０は金属板を縦断面Ｕ字形に深絞り形成した
ものであるが、圧印加工やダイキャスト加工を用いても
よい。キャップ３０の材質としては、アルミニウム，ア
ルミニウム合金（Ａ−５０００系），洋白（Ｎｉ・Ｃｕ
合金），４２Ｎｉ−Ｆｅ合金が用いられるが、他の材料
を用いてもよい。接着剤２５としては、耐熱性や耐薬品
性からエポキシ系，エポキシ−アクリレート系，シリコ
ーン系の接着剤が考えられるが、金属製キャップ３０と
の接着性とコスト面からエポキシ系接着剤が望ましい。
なお、圧電セラミック材料よりなる発振子素子２０の場
合、高温下でディポールする性質があるが、エポキシ系
接着剤は通常２００℃以下で硬化するため、発振子素子
２０がディポールする恐れはない。

【００１２】次に、上記実施例の圧電発振子の製造方法
を説明する。まず、図６に示すようなマザー基板１０Ａ
を準備する。マザー基板１０Ａには予めスルーホール１
１Ａ，１２Ａが一列に並ぶように形成されている。この
マザー基板１０Ａの表裏面の互いに対向する位置に、帯
状の取付電極１３，１４を形成し、スルーホール１１
Ａ，１２Ａの内面にも、表裏の取付電極１３，１４を接
続する端面電極１５，１６を形成する。これら電極１１
〜１４の形成には、スパッタリング、蒸着、印刷、溶射
など公知の方法を用いることができるが、この実施例で
は、Ａｇ／Ｐｄ系の電極材料（Ｐｄ含有量：０．５〜２
０％）を５〜２０μｍの厚みに印刷し、８００〜９００
℃／１時間で焼成した。

【００１３】次に、スルーホール１１Ａ，１２Ａ内に半
田ペースト１７Ａを埋め込む（図７（Ａ）参照）。この
半田ペースト１７Ａは、半田とフラックスとの混合物で
あり、メタル印刷、スクリーン印刷、ディスペンス等の
方法で埋め込まれる。次に、図８のように、マザー基板
１０Ａ上に発振子素子２０を搭載するとともに、キャッ
プ３０を接着する。なお、図８では１個のキャップ３０
のみを示したが、マザー基板１０Ａ上には破線ＣＬで囲
まれた各素子部分に発振子素子２０およびキャップ３０
がそれぞれ接着される。

【００１４】次に、このマザー基板１０Ａをリフロー半
田付け装置に挿入し、スルーホール１１Ａ，１２Ａに埋
め込まれた半田ペースト１７Ａを溶融させる。この時、
溶融半田１７は、図７（Ｂ）のように表面張力によりス
ルーホール１１Ａ，１２Ａを膜状に閉じ、溶融半田１７
がスルーホール１１Ａ，１２Ａから流れ落ちる恐れがな
い。次に、半田が溶融した状態のマザー基板１０Ａの上
からエアーを吹きつけ、溶融半田１７に穴を開ける（図
７（Ｃ）参照）。これにより、溶融半田１７は表面張力
によりスルーホール１１Ａ，１２Ａの内面に引き寄せら
れ、端面電極１５，１６上に環状にかつ均等な厚みで密
着する。

【００１５】半田が固化した後、図８の破線ＣＬに従っ
てマザー基板１０Ａを分断し、図２に示す圧電発振子を
得る。即ち、マザー基板１０Ａがスルーホール１１Ａ，
１２Ａの位置で分断されるため、スルーホール１１Ａ，
１２Ａは凹溝１１，１２となる。分断時において、半田
層１７，１８は、図７（Ｂ）のような膜状ではなく図７
（Ｃ）のようにスルーホール１１Ａ，１２Ａの内面に引
き寄せられた状態となっているので、分断時に半田が欠
落したりせず、マザー基板１０Ａとともに半田も精度よ
く分断される（図７（Ｄ）参照）。

【００１６】上記製造方法では、スルーホール１１，１
２に半田ペースト１７Ａを埋め込んだ後、マザー基板１
０Ａに発振子素子２０およびキャップ３０を接着し、そ
の後で半田ペースト１７Ａを溶融するようにしたが、こ
れに代えて、マザー基板１０Ａに発振子素子２０および
キャップ３０を接着した後、スルーホール１１，１２に
半田ペースト１７Ａを埋め込み、その後、半田ペースト
１７Ａを溶融してもよい。さらに、スルーホール１１，
１２に半田ペースト１７Ａを埋め込み、この半田ペース
ト１７Ａを溶融した後で、マザー基板１０Ａに発振子素
子２０およびキャップ３０を接着してもよい。

【００１７】図９は上記実施例の圧電発振子を回路基板
Ｐに実装した状態を示す。図から明らかなように、基板
１０の端面電極１５上に予め半田層１７が形成されてい
るので、この半田層１７と実装時の半田Ｓとの密着性が
よく、十分な高さｈを持つフィレットを確保することが
できる。なお、図９では半田層１７が半田Ｓと溶融しな
い例を示したが、一体に溶融してもよい。また、キャッ
プ３０の接着剤２５が凹溝１１内に多少流れ込んでも、
凹溝１１の内面には既に半田層１７が形成されているの
で、半田付け性が低下する恐れがない。その結果、基板
１０を必要以上に大きくする必要がなく、製品の小型化
が容易となる。

【００１８】図１０は本発明にかかる電子部品の第２実
施例を示す。この実施例は、コルピッツ型発振回路に用
いられる１個の発振子素子Ｏと２個のコンデンサＣ₁，
Ｃ₂とを備えた容量内蔵型発振子であり、その電気回路
は図１１のようになる。

【００１９】基板４０は、第１実施例と同様に、アルミ
ナセラミックスよりなり、基板４０の表面中央部には第
１容量電極４１が形成され、表面両端部には２個の取付
電極４２，４３が形成されている。基板４０の裏面にも
同様の形状の電極４１〜４３が形成されている。上記電
極４１〜４３の両端部は、基板４０の両側縁部に形成さ
れた凹溝４０ａ〜４０ｃまで引き出され、凹溝４０ａの
内面に形成された端面電極４４〜４６を介して表裏の電
極４１〜４３が互いに導通している。なお、図１０には
図示しないが、凹溝４０ａ〜４０ｃの内面、つまり端面
電極４４〜４６上には図３と同様の溶融半田層が形成さ
れている。

【００２０】上記基板４０の第１容量電極４１上、およ
びキャップ接着部に相当する部位上には、誘電体層４７
が一定厚みにかつ同時に形成されている。誘電体層４７
の厚みは、目的とする容量値によって異なるが、電極４
１〜４３による凹凸を緩和し、かつ後述するキャップ５
５と電極４１〜４３との間の十分な絶縁性が確保される
ような厚みに設定される。この実施例の誘電体層４７
は、第１容量電極４１を覆う容量部４７ａとキャップ接
着部に対応する枠状の接着部４７ｂとを連続的に形成し
たものであるが、容量部４７ａと接着部４７ｂとを分離
してもよい。

【００２１】上記誘電体層４７の上には、２個の第２容
量電極４８，４９がスパッタリング、蒸着、印刷、溶射
など公知の方法で形成される。これら容量電極４８，４
９は、その主要部が容量部４７ａを間にして第１容量電
極４１と対向しており、一部が窓穴４７ｃを介してそれ
ぞれ取付電極４２，４３と導通する。

【００２２】第２容量電極４８，４９の上には、導電性
接着剤のような導電性と接着性の機能を併せ持つ材料５
７によって発振子素子５０が接着固定されている。この
実施例の発振子素子５０も、第１実施例と同様の厚みす
べり振動モードの発振子素子である。即ち、圧電基板５
１の表面の一端側から約２／３の領域に渡って電極５２
が形成され、裏面の他端側から約２／３の領域に渡って
電極５３が形成されている。両電極５２，５３の一端部
は圧電基板５１を間にしてその中間部位で対向し、振動
部を構成しており、この振動部は導電性接着剤５７の厚
みによって第２容量電極４８，４９と接触しないように
一定の空間が確保されている。上記電極５２，５３の他
端部５２ａ，５３ａは圧電基板５１の端面を経て他面側
まで回り込んでいる。上記のように導電性接着剤５７で
接着することにより、発振子素子５０の電極５２，５３
はそれぞれ第２容量電極４８，４９と電気的に導通す
る。

【００２３】キャップ５５は、上記発振子素子５０を覆
うように基板４０上に接着剤５６によって接着される。
キャップ５５の材料としては、第１実施例と同様の材料
を用いた。接着剤５６も、第１実施例と同様の材料を用
い、キャップ５５の開口部底面に塗布した後、誘電体層
４７の上に接着し、硬化させた。

【００２４】この実施例の場合も、製造に際し、図１２
のような多数のスルーホール５８を有するマザー基板４
０Ａを使用する。このマザー基板４０Ａの表裏面に容量
電極４１、取付電極４２，４３を印刷などの公知の方法
で形成するとともに、スルーホール５８の内面に端面電
極４４〜４６を形成する。電極材料としては第１実施例
と同様のものを使用する。その後、スルーホール５８の
中に半田ペースト５９を埋め込み、マザー基板４０Ａ上
への誘電体層４７の形成、第２容量電極４８，４９の形
成、発振子素子５０の搭載、キャップ５５の接着などを
順次行う。図１３はこの状態を示す。その後、半田ペー
スト５９をリフローさせるとともに、この溶融した半田
に図７（Ｂ）と同様にエアーを吹きつけ、穴を開ける。
これにより、溶融半田がスルーホール５８の内面に環状
に付着する。その後、マザー基板４０Ａをスルーホール
５８上の破線ＣＬで分断することにより、図１０のよう
な容量内蔵型発振子を得る。

【００２５】図１４は本発明にかかる圧電部品の第３実
施例を示す。この実施例も、第２実施例と同様の容量内
蔵型発振子である。第２実施例では、容量部を形成する
ために基板４０上に誘電体層４７および第２容量電極４
８，４９を形成したが、この実施例では別体のコンデン
サ素子を用いている。

【００２６】基板６０は、第１実施例と同様に、アルミ
ナセラミックスよりなり、基板６０の中央部と両端部の
表裏面には３個の取付電極６１〜６３が形成されてい
る。取付電極６１〜６３の端部は、基板６０の両側縁部
に形成された凹溝６０ａ〜６０ｃまで引き出され、凹溝
６０ａ〜６０ｃの内面に形成された端面電極６４〜６６
を介して表裏の取付電極６１〜６３が互いに導通してい
る。凹溝６０ａ〜６０ｃの内面、つまり端面電極６４〜
６６上には図３と同様の溶融半田層（図示せず）が形成
されている。上記基板６０の上面でかつ上記電極６１〜
６３の上側には、キャップ接着部に相当する枠形の絶縁
体層６７が一定厚みに形成されている。

【００２７】上記基板６０上には、導電性接着剤のよう
な導電性と接着性の機能を併せ持つ材料９０〜９２によ
って、発振子素子７０とコンデンサ素子６０とを積層一
体化したものが接着固定されている。この実施例の発振
子素子７０も、第１実施例と同様の厚みすべり振動モー
ドの発振子素子である。即ち、図１５に示すように、圧
電基板７１の表面の一端側から約２／３の領域に渡って
電極７２が形成され、裏面の他端側から約２／３の領域
に渡って電極７３が形成されている。電極７２，７３の
一端部は圧電基板７１を間にしてその中間部位で対向
し、振動部を構成している。上記電極７２，７３の他端
部７２ａ，７３ａは圧電基板７１の両端面を経て他面側
まで回り込んでいる。

【００２８】また、コンデンサ素子８０は、図１６に示
すように、発振子素子７０と同長，同幅の誘電体基板
（例えばセラミックス基板）８１の表面に、両端から中
央に向かって延びる２個の個別電極８２，８３を形成
し、裏面には上記個別電極８２，８３と対向する１個の
共通電極８４を形成したものであり、個別電極８２，８
３と共通電極８４との対向部で２個の容量部が形成され
る。なお、個別電極８２，８３の端部８２ａ，８３ａ
は、誘電体基板８１の両端面を経て裏面側まで回り込ん
でいる。

【００２９】発振子素子７０の裏面とコンデンサ素子８
０の表面は、その両端部で導電性接着剤のような導電性
と接着性の機能を併せ持つ材料９３，９４によって、接
着固定されている。この時、発振子素子７０の振動部と
コンデンサ素子８０との間には、材料９３，９４の厚み
によって所定の振動空間が形成される。このようにし
て、発振子素子７０の一方の電極７３とコンデンサ素子
８０の一方の個別電極８２とが接続され、他方の電極７
２と他方の個別電極８３とが接続される。なお、発振子
素子７０の表面の両端部上には、樹脂などからなる周波
数調整用のダンピング材９５，９６が塗布されている。

【００３０】発振子素子７０とコンデンサ素子８０とを
接着一体化した後、コンデンサ素子８０の裏面側を材料
９０〜９２によって基板６０に接着すると、コンデンサ
素子８０の一方の個別電極８２の端部８２ａが取付電極
６１に、他方の個別電極８３の端部８３ａが取付電極６
３に、共通電極８４が取付電極６２にそれぞれ接続され
る。

【００３１】キャップ１００は、上記発振子素子７０お
よびコンデンサ素子８０を覆うように基板６０上に接着
剤１０１によって接着される。キャップ１００の材料と
しては、第１実施例と同様の材料を用いた。接着剤１０
１も、第１実施例と同様の材料を用い、キャップ１００
の開口部底面に塗布した後、絶縁体層６７の上に接着
し、硬化させた。

【００３２】この実施例の場合も、製造方法は図１２，
１３とほぼ同様である。即ち、図１７のような多数のス
ルーホール６８を有するマザー基板６０Ａを準備し、こ
のマザー基板６０Ａの表裏面に取付電極６１〜６３を印
刷などの公知の方法で形成するとともに、スルーホール
６８の内面に端面電極６４〜６６を形成する。その後、
スルーホール６８の中に半田ペースト６９を埋め込み、
マザー基板６０Ａ上への絶縁体層６７の形成、発振子素
子７０およびコンデンサ素子８０の搭載、キャップ１０
０の接着などを順次行う。図１８はこの状態を示す。そ
の後、半田ペースト６９をリフローさせるとともに、こ
の溶融した半田にエアーを吹きつけ、穴を開ける。これ
により、溶融半田がスルーホール６８の内面に環状に付
着する。その後、マザー基板６０Ａをスルーホール６８
に沿って分断することにより、図１４のような容量内蔵
型発振子を得る。

【００３３】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、絶縁基板の側縁部に形成された凹溝の内面に端
面電極が形成され、この端面電極上に半田層が形成され
ているので、実装時の半田付け性が良好となり、十分な
高さのフィレットを形成できる。特に、半田層は半田ペ
ーストではなく溶融半田であるから、端面電極への密着
性がよく、半田食われを防ぐため端面電極の材料として
ＡｇＰｄを用いても、半田付き性が悪化しない。しか
も、端面電極上にメッキを施す必要もなく、安価に構成
できる。また、キャップを基板へ接着する場合、その接
着剤が凹溝へ流れ込むと、半田付き性が低下するが、本
発明では凹溝の内面に半田層が形成されているので、多
少の接着剤が凹溝へ流れ込んでも半田付け性を低下させ
ない。そのため、基板のサイズを大きくする必要がな
く、製品の小型化が容易となる。また、本発明の製造方
法によれば、マザー基板の段階のスルーホール内に半田
ペーストを埋め込み、この半田を溶融させた後、マザー
基板を分割するようにしたので、凹溝の内面に簡単に溶
融半田層を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の表面実装型圧電発振子の分解斜視図であ
る。

【図２】本発明の第１実施例である表面実装型圧電発振
子の分解斜視図である。

【図３】図２のIII-III 線断面図である。

【図４】図２の圧電発振子に用いられる発振子素子の表
裏面図である。

【図５】発振子素子の他の例の表裏面図である。

【図６】図２の圧電発振子を製造するためのマザー基板
の斜視図である。

【図７】図２の圧電発振子における溶融半田層を形成す
る方法を示す説明図である。

【図８】図６のマザー基板のスルーホールに半田ペース
トを埋め込み、かつマザー基板にキャップを接着した状
態の斜視図である。

【図９】図２の圧電発振子を回路基板に実装した時の断
面図である。

【図１０】本発明の第２実施例である容量内蔵型圧電発
振子の分解斜視図である。

【図１１】図１０に示された圧電発振子の回路図であ
る。

【図１２】図１２の圧電発振子を製造するためのマザー
基板の斜視図である。

【図１３】図１２のマザー基板のスルーホールに半田ペ
ーストを埋め込み、かつマザー基板にキャップを接着し
た状態の斜視図である。

【図１４】本発明の第３実施例である容量内蔵型圧電発
振子の分解斜視図である。

【図１５】図１４の圧電発振子に用いられる発振子素子
の表裏面図である。

【図１６】図１４の圧電発振子に用いられるコンデンサ
素子の表裏面図である。

【図１７】図１４の圧電発振子を製造するためのマザー
基板の斜視図である。

【図１８】図１７のマザー基板のスルーホールに半田ペ
ーストを埋め込み、かつマザー基板にキャップを接着し
た状態の斜視図である。

【符号の説明】

１０基板１１，１２凹溝１３，１４取付電極１５，１６端面電極１７，１８溶融半田層２０圧電素子３０キャップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板の表裏面に複数の取付電極が形成
され、表裏いずれかの取付電極上に電子部品素子が搭載
され、絶縁基板の側縁部に厚み方向にのびる複数の凹溝
が形成され、これら凹溝の内面に表裏の取付電極を互い
に導通させる端面電極が形成され、これら端面電極上に
溶融半田層が形成されていることを特徴とする表面実装
型電子部品。
【請求項２】請求項１に記載の表面実装型電子部品にお
いて、上記電子部品素子は圧電素子であり、上記絶縁基板はアルミナ基板であり、このアルミナ基板の上には、圧電素子を覆うキャップが
接着されていることを特徴とする表面実装型電子部品。
【請求項３】請求項１に記載の表面実装型電子部品にお
いて、上記電子部品素子は圧電発振子素子であり、上記絶縁基板は両側縁に凹溝を形成した方形のアルミナ
基板であり、このアルミナ基板には第１と第２の取付電極とその間に
第３の電極が形成されるとともに、第１の取付電極と第
３の電極との間、および第２の取付電極と第３の電極と
の間に容量部が形成され、上記３個の電極は上記凹溝の内面に形成された端面電極
とそれぞれ導通するようにアルミナ基板の側縁部へ引き
延ばされ、アルミナ基板の上には、圧電素子を覆うキャップが接着
されていることを特徴とする表面実装型電子部品。
【請求項４】絶縁基板に電子部品素子を搭載した表面実
装型電子部品の製造方法において、絶縁性のマザー基板に、複数のスルーホールを形成する
工程、上記マザー基板の表裏面に複数の取付電極を形成する工
程、上記スルーホールの内面に表裏の取付電極を導通させる
端面電極を形成する工程、上記マザー基板の表裏いずれかの取付電極上に電子部品
素子を搭載する工程、上記スルーホールに半田ペーストを埋め込む工程、上記スルーホールに埋め込まれた半田ペーストを溶融さ
せる工程、および上記マザー基板を溶融半田が付着した
スルーホールの部位で分断し、絶縁基板とする工程とを
含む表面実装型電子部品の製造方法。
【請求項５】請求項４に記載の製造方法において、上記スルーホールに埋め込まれた半田ペーストを溶融さ
せた後、マザー基板の分断前に、マザー基板にエアーを
吹きつけて溶融半田に穴を開け、溶融半田をスルーホー
ルの内周面に寄せる工程を含むことを特徴とする表面実
装型電子部品の製造方法。