JPH08296042A - 複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法 - Google Patents
複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH08296042A JPH08296042A JP8091060A JP9106096A JPH08296042A JP H08296042 A JPH08296042 A JP H08296042A JP 8091060 A JP8091060 A JP 8091060A JP 9106096 A JP9106096 A JP 9106096A JP H08296042 A JPH08296042 A JP H08296042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- substrate
- insulating thin
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 38
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920013683 Celanese Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000447437 Gerreidae Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
- C23C14/0047—Activation or excitation of reactive gases outside the coating chamber
- C23C14/0052—Bombardment of substrates by reactive ion beams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】
【課題】 磁気記録ヘッドの製造において、絶縁薄膜を
形成するにあたり、大きな表面積にわたって厚みが均一
で、ピンホールが生じにくく、そして強い電界に耐える
ことができ、かつ化学エッチング剤に対して耐性のある
絶縁薄膜の堆積方法を提供する。 【解決手段】 絶縁薄膜の或る成分元素を含有する材料
からなるターゲットを使用し、好ましくは不活性ガスの
第一のイオンビームをターゲットに向けて当て、ターゲ
ット材料を分散させる。同時に、絶縁薄膜の他の成分元
素を含有する第二のイオンビームを基板に向けて当て
る。ターゲットからの材料と第二のイオンビーム内の元
素が化学量論的に適正に反応し、絶縁薄膜として基板上
に堆積する。
形成するにあたり、大きな表面積にわたって厚みが均一
で、ピンホールが生じにくく、そして強い電界に耐える
ことができ、かつ化学エッチング剤に対して耐性のある
絶縁薄膜の堆積方法を提供する。 【解決手段】 絶縁薄膜の或る成分元素を含有する材料
からなるターゲットを使用し、好ましくは不活性ガスの
第一のイオンビームをターゲットに向けて当て、ターゲ
ット材料を分散させる。同時に、絶縁薄膜の他の成分元
素を含有する第二のイオンビームを基板に向けて当て
る。ターゲットからの材料と第二のイオンビーム内の元
素が化学量論的に適正に反応し、絶縁薄膜として基板上
に堆積する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気録音ヘッド
の製造に関するもので、詳しくは磁気録音ヘッドに絶縁
薄膜を堆積させる方法に関するものである。
の製造に関するもので、詳しくは磁気録音ヘッドに絶縁
薄膜を堆積させる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在のプロセス技術は、磁気ヘッドを超
小型に製造することを可能にしている。このことを達成
するために、回路構成部品はより薄い介在層でもって面
積においても高さにおいても寸法的に小型化されてい
る。しかし、介在層の厚さには、維持しなければならな
い或る限界がある。その限界を越えると、信頼性の面で
種々の問題が起こる。例えば、磁気ヘッドでは、読み取
り書き込みギャップが二つの磁性層を隔てる絶縁層で形
成されている。このギャップが薄いほど、磁気ヘッドが
高密度のデータ信号を処理できるようになるという利点
が得られる。しかし、ギャップを形成する絶縁層が薄け
れば、それだけピンホールが生じ易く、そのため磁気層
が橋絡して磁気ヘッドが動作不能になることがある。例
えば、一つの絶縁層が二つの導電層を隔離する場合、薄
い絶縁層では二つの導電層から発する電界に耐えられな
いことがある。その結果、その絶縁層は誘電破壊を受け
て、壊滅的な故障を起こすことがある。したがって、磁
気録音ヘッド産業の要望を充すため、高品質の絶縁薄膜
を提供する必要がある。
小型に製造することを可能にしている。このことを達成
するために、回路構成部品はより薄い介在層でもって面
積においても高さにおいても寸法的に小型化されてい
る。しかし、介在層の厚さには、維持しなければならな
い或る限界がある。その限界を越えると、信頼性の面で
種々の問題が起こる。例えば、磁気ヘッドでは、読み取
り書き込みギャップが二つの磁性層を隔てる絶縁層で形
成されている。このギャップが薄いほど、磁気ヘッドが
高密度のデータ信号を処理できるようになるという利点
が得られる。しかし、ギャップを形成する絶縁層が薄け
れば、それだけピンホールが生じ易く、そのため磁気層
が橋絡して磁気ヘッドが動作不能になることがある。例
えば、一つの絶縁層が二つの導電層を隔離する場合、薄
い絶縁層では二つの導電層から発する電界に耐えられな
いことがある。その結果、その絶縁層は誘電破壊を受け
て、壊滅的な故障を起こすことがある。したがって、磁
気録音ヘッド産業の要望を充すため、高品質の絶縁薄膜
を提供する必要がある。
【０００３】磁気録音ヘッドの絶縁層として最も普通に
用いられる材料は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化珪素
（ＳｉＯ2）である。これら絶縁層の品質は、いくつも
のパラメータで測定することができる。優れた絶縁膜
は、大きな表面積にわたって厚みが均一なので、その被
覆層が良好なステップカバレージを達成できる。さら
に、その絶縁膜は、ピンホールのないものでなければな
らず、その上側の層と下側の層の磁気的短絡や電気的短
絡を防止しなければならない。さらに、優れた絶縁膜
は、高い絶縁破壊電圧に耐えることができ、かつ或る種
の化学エッチング液に対し耐性である。
用いられる材料は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）と二酸化珪素
（ＳｉＯ2）である。これら絶縁層の品質は、いくつも
のパラメータで測定することができる。優れた絶縁膜
は、大きな表面積にわたって厚みが均一なので、その被
覆層が良好なステップカバレージを達成できる。さら
に、その絶縁膜は、ピンホールのないものでなければな
らず、その上側の層と下側の層の磁気的短絡や電気的短
絡を防止しなければならない。さらに、優れた絶縁膜
は、高い絶縁破壊電圧に耐えることができ、かつ或る種
の化学エッチング液に対し耐性である。
【０００４】絶縁膜は、酸化または堆積（デポジット）
によって熱的に成長させることができる。例えば、Ｓｉ
Ｏ2は、酸化のプロセスによってシリコン基板から成長
させることができる。しかし、基板の材料が絶縁材料と
異なっている場合は、堆積法が好ましい。Ｂｌａｎｃｈ
ｅｔｔｅ他の米国特許第５，２５６，２６６号には、磁
気ヘッドの変換ギャップを形成する絶縁層として有用な
隠微晶質のアルミナをスパッタし堆積させるプロセスが
開示されている。
によって熱的に成長させることができる。例えば、Ｓｉ
Ｏ2は、酸化のプロセスによってシリコン基板から成長
させることができる。しかし、基板の材料が絶縁材料と
異なっている場合は、堆積法が好ましい。Ｂｌａｎｃｈ
ｅｔｔｅ他の米国特許第５，２５６，２６６号には、磁
気ヘッドの変換ギャップを形成する絶縁層として有用な
隠微晶質のアルミナをスパッタし堆積させるプロセスが
開示されている。
【０００５】薄膜の堆積は、スパッタ法、化学蒸着法
（ＣＶＤ）またはプラズマ増速（plasma enhanced）Ｃ
ＶＤ法（ＰＥＣＶＤ）によって実施することができる。
スパッタ法によって絶縁薄膜を堆積させる一例を、図２
を参照してここで説明する。磁気ヘッドの製造において
絶縁薄膜を堆積させる典型的な装置構成は、チャンバ４
内に入れたスパッタ装置２を採用するものである。チャ
ンバ４の中には、ターゲットプレート６と基板取付具８
が取り付けられている。基板取付具８の上には、加工さ
れる磁気記録ヘッドの基板１０が固定される。ターゲッ
トプレート６は、通常、基板１０上に堆積させる材料で
形成されている。例えば、図２に示すように、ターゲッ
トプレート６は、アルミナ製である。
（ＣＶＤ）またはプラズマ増速（plasma enhanced）Ｃ
ＶＤ法（ＰＥＣＶＤ）によって実施することができる。
スパッタ法によって絶縁薄膜を堆積させる一例を、図２
を参照してここで説明する。磁気ヘッドの製造において
絶縁薄膜を堆積させる典型的な装置構成は、チャンバ４
内に入れたスパッタ装置２を採用するものである。チャ
ンバ４の中には、ターゲットプレート６と基板取付具８
が取り付けられている。基板取付具８の上には、加工さ
れる磁気記録ヘッドの基板１０が固定される。ターゲッ
トプレート６は、通常、基板１０上に堆積させる材料で
形成されている。例えば、図２に示すように、ターゲッ
トプレート６は、アルミナ製である。
【０００６】堆積工程の前に、まず第一にガス出口１４
を通して矢印１２で示す方向にチャンバ４から空気をポ
ンプで排出する。チャンバ４内が満足すべき減圧レベル
に到達した後、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガス
を、ガス入口１８を通して矢印１６で示す方向にチャン
バ４の中に入れる。チャンバ４内の不活性ガスが充分に
高い圧力レベルに到達すると、スパッタ装置２が運転で
きる状態となる。
を通して矢印１２で示す方向にチャンバ４から空気をポ
ンプで排出する。チャンバ４内が満足すべき減圧レベル
に到達した後、アルゴン（Ａｒ）のような不活性ガス
を、ガス入口１８を通して矢印１６で示す方向にチャン
バ４の中に入れる。チャンバ４内の不活性ガスが充分に
高い圧力レベルに到達すると、スパッタ装置２が運転で
きる状態となる。
【０００７】ターゲット６と基板取付具８は、通常、電
圧源２０によって５００ボルト〜１０００ボルトの範囲
の急勾配電界によりバイアスされている。それにより、
ターゲット６と基板取付具８の間にある不活性ガスの原
子は、イオン化される。実際には、不活性ガスの原子の
電子が基板取付具８に向かって引き付けられ、一方正電
荷のイオン２２がターゲット６の方に向かって移動す
る。その工程で、ターゲットの分子２４がターゲット６
から追い出されて分散し、基板１０上に絶縁薄膜として
堆積する。なお、上記説明は、分子レベルで描写してい
るので、その点留意されたい。実際には、ガスイオン２
２がプラズマ２６を生成し、プラズマ２６がターゲット
６を定常的に叩いているのである。
圧源２０によって５００ボルト〜１０００ボルトの範囲
の急勾配電界によりバイアスされている。それにより、
ターゲット６と基板取付具８の間にある不活性ガスの原
子は、イオン化される。実際には、不活性ガスの原子の
電子が基板取付具８に向かって引き付けられ、一方正電
荷のイオン２２がターゲット６の方に向かって移動す
る。その工程で、ターゲットの分子２４がターゲット６
から追い出されて分散し、基板１０上に絶縁薄膜として
堆積する。なお、上記説明は、分子レベルで描写してい
るので、その点留意されたい。実際には、ガスイオン２
２がプラズマ２６を生成し、プラズマ２６がターゲット
６を定常的に叩いているのである。
【０００８】スパッタリング法は、上記のように、電子
回路のプロセスに広く使用されている。しかし、この方
法にはいくつかの欠点がある。第一に、チャンバ４内の
不活性ガスは、プラズマを維持するために比較的高圧で
なければならない。このような高圧レベルでは、不活性
ガス中の不純物が基板表面に容易に堆積し、その結果、
堆積した膜には多数のピンホールが生成することが非常
に多い。同様に望ましくないことであるが、スパッタ装
置２のターゲットプレート６も基板取付具８もともに高
い電位につながっている。その配置構成により、特にタ
ーゲットプレート６と基板取付具８は実際上いかなる機
械的な運動も行うことができない。その主な理由は、タ
ーゲットプレート６と基板取付具８の間の如何なる相対
的な運動も、維持されているプラズマ２６を妨害して、
スパッタリング工程に悪影響を与えるからである。しか
し、基板１０がターゲット６に対して固定されている
と、ターゲット分子２４は基板１０の表面上に均一に堆
積しないことがある。したがって、絶縁膜は不均一な厚
みで堆積することがある。
回路のプロセスに広く使用されている。しかし、この方
法にはいくつかの欠点がある。第一に、チャンバ４内の
不活性ガスは、プラズマを維持するために比較的高圧で
なければならない。このような高圧レベルでは、不活性
ガス中の不純物が基板表面に容易に堆積し、その結果、
堆積した膜には多数のピンホールが生成することが非常
に多い。同様に望ましくないことであるが、スパッタ装
置２のターゲットプレート６も基板取付具８もともに高
い電位につながっている。その配置構成により、特にタ
ーゲットプレート６と基板取付具８は実際上いかなる機
械的な運動も行うことができない。その主な理由は、タ
ーゲットプレート６と基板取付具８の間の如何なる相対
的な運動も、維持されているプラズマ２６を妨害して、
スパッタリング工程に悪影響を与えるからである。しか
し、基板１０がターゲット６に対して固定されている
と、ターゲット分子２４は基板１０の表面上に均一に堆
積しないことがある。したがって、絶縁膜は不均一な厚
みで堆積することがある。
【０００９】大きな幾何学的寸法の電気回路の場合は、
スパッタリング法で製造される絶縁薄膜はその目的とす
る機能を満たすことができるであろう。しかしながら、
回路の物理的寸法が小さくなってくると、従来法で堆積
させた絶縁膜は、上記の不足点を有するため、最終製品
の収率と信頼性に影響を与える可能性がある。
スパッタリング法で製造される絶縁薄膜はその目的とす
る機能を満たすことができるであろう。しかしながら、
回路の物理的寸法が小さくなってくると、従来法で堆積
させた絶縁膜は、上記の不足点を有するため、最終製品
の収率と信頼性に影響を与える可能性がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、大
きな表面積にわたって厚みが均一で、ピンホールが生じ
にくく、そして強い電界に耐えることができ、そしてあ
る種の化学エッチング剤に対して一層耐性である絶縁膜
の堆積方法を提供することである。
きな表面積にわたって厚みが均一で、ピンホールが生じ
にくく、そして強い電界に耐えることができ、そしてあ
る種の化学エッチング剤に対して一層耐性である絶縁膜
の堆積方法を提供することである。
【００１１】この発明のもう一つの目的は、一層均一な
物理的および化学的特性を有する薄膜を提供することで
ある。
物理的および化学的特性を有する薄膜を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】好ましい方法では、絶縁
薄膜の成分元素を含有する材料で形成されたターゲット
が容器内に設置されている。適当な減圧レベルで、好ま
しくは不活性ガスのイオンビームをターゲットに向けて
当てて（照射して）ターゲット材を分散させる。同時
に、絶縁薄膜の他の成分元素を含有する第二のイオンビ
ームも基板に向けて当てれる。ターゲットからの材料と
第二イオンビームの元素が化学量論的に適正に反応し
て、絶縁薄膜として基板上に堆積する。得られた膜の顕
微鏡的構造は結晶性であることが分かっているので、堆
積した膜は、より優れた物理的、電気的および化学的特
性を有しており、磁気録音ヘッドの絶縁変換ギャップに
利用することができる。
薄膜の成分元素を含有する材料で形成されたターゲット
が容器内に設置されている。適当な減圧レベルで、好ま
しくは不活性ガスのイオンビームをターゲットに向けて
当てて（照射して）ターゲット材を分散させる。同時
に、絶縁薄膜の他の成分元素を含有する第二のイオンビ
ームも基板に向けて当てれる。ターゲットからの材料と
第二イオンビームの元素が化学量論的に適正に反応し
て、絶縁薄膜として基板上に堆積する。得られた膜の顕
微鏡的構造は結晶性であることが分かっているので、堆
積した膜は、より優れた物理的、電気的および化学的特
性を有しており、磁気録音ヘッドの絶縁変換ギャップに
利用することができる。
【００１３】この発明のこれらおよび他の利点、特徴な
らびに目的は、添付の図面と併せて以下の詳細な説明に
より、当該技術分野の当業者にとって明らかになるであ
ろう。なお、図面中、同じ参照番号は同じ部分を指す。
らびに目的は、添付の図面と併せて以下の詳細な説明に
より、当該技術分野の当業者にとって明らかになるであ
ろう。なお、図面中、同じ参照番号は同じ部分を指す。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１にこの発明による堆積装置
（デポジット装置）を示す。堆積装置２８は、チャンバ
３０を備えて成り、チャンバ３０の中に主（第一）イオ
ンビームガン３２、副（第二）イオンビームガン３４、
ターゲットホルダ３６および基板支持体３８を収納して
いる。主および副のイオンビームガン３２と３４は、そ
れぞれターゲットホルダ３６と基板支持体３８に向けて
当てられている。基板支持体３８は、シャフト３８Ｂの
まわりを回転可能なターンテーブル３８Ａを備えてい
る。ターンテーブル３８Ａの上面には、複数の基板取付
台３８Ｃが配置されている。また、その基板取付台３８
Ｃは、ターンテーブル３８Ａの上面でそれぞれの軸線４
６のまわりを回転可能なように設置されている。ターン
テーブル３８Ａと取付台３８Ｃの機械的運動は、チャン
バ３０の外側に配置されている制御回路４８で制御され
る。空気出口４４もチャンバ３０の一部として組み込ま
れている。
（デポジット装置）を示す。堆積装置２８は、チャンバ
３０を備えて成り、チャンバ３０の中に主（第一）イオ
ンビームガン３２、副（第二）イオンビームガン３４、
ターゲットホルダ３６および基板支持体３８を収納して
いる。主および副のイオンビームガン３２と３４は、そ
れぞれターゲットホルダ３６と基板支持体３８に向けて
当てられている。基板支持体３８は、シャフト３８Ｂの
まわりを回転可能なターンテーブル３８Ａを備えてい
る。ターンテーブル３８Ａの上面には、複数の基板取付
台３８Ｃが配置されている。また、その基板取付台３８
Ｃは、ターンテーブル３８Ａの上面でそれぞれの軸線４
６のまわりを回転可能なように設置されている。ターン
テーブル３８Ａと取付台３８Ｃの機械的運動は、チャン
バ３０の外側に配置されている制御回路４８で制御され
る。空気出口４４もチャンバ３０の一部として組み込ま
れている。
【００１５】イオンガン３２と３４は、構造がほぼ同じ
である。ここでは、主イオンガン３２についてのみ説明
する。イオンガン３２は、接地シュラウド３２Ａを具備
し、そしてこのシュラウド３２Ａは、石英放電チャンバ
３２Ｂを囲んでいる。石英放電チャンバ３２Ｂのまわり
には、ＲＦ（無線周波）コイル３２Ｃが巻かれている。
スクリーングリッド３２Ｄと加速グリッド３２Ｅが、互
いに間隔をおいて、接地シュラウド３２Ａの開口の前部
に配置されている。また、一対の中和器５７と５８が、
それぞれイオンガン３２と３４に隣接して前方に配置さ
れている。
である。ここでは、主イオンガン３２についてのみ説明
する。イオンガン３２は、接地シュラウド３２Ａを具備
し、そしてこのシュラウド３２Ａは、石英放電チャンバ
３２Ｂを囲んでいる。石英放電チャンバ３２Ｂのまわり
には、ＲＦ（無線周波）コイル３２Ｃが巻かれている。
スクリーングリッド３２Ｄと加速グリッド３２Ｅが、互
いに間隔をおいて、接地シュラウド３２Ａの開口の前部
に配置されている。また、一対の中和器５７と５８が、
それぞれイオンガン３２と３４に隣接して前方に配置さ
れている。
【００１６】ターゲットホルダー３６は、ターゲット４
０が取り外し可能に取り付けられるターゲット取付台３
６Ｂを備えている。揺動駆動装置３６Ｃがピボタルシャ
フト３６Ｄを通してターゲット取付台３６Ｂと係合して
いる。駆動装置３６Ｃは、二方向矢印４２で示すように
ターゲット取付台３６Ｂを揺動させることができる。
０が取り外し可能に取り付けられるターゲット取付台３
６Ｂを備えている。揺動駆動装置３６Ｃがピボタルシャ
フト３６Ｄを通してターゲット取付台３６Ｂと係合して
いる。駆動装置３６Ｃは、二方向矢印４２で示すように
ターゲット取付台３６Ｂを揺動させることができる。
【００１７】堆積プロセスを実施する前に、まず第一
に、堆積のためのターゲット材を有するターゲット４０
をターゲット取付台３６Ｂの上に取り付ける。次に、タ
ーゲット材を堆積させる基板５０を回転可能な取付台３
８Ｃの上に配置する。その後、チャンバ３０を出口４４
を通してポンプで排出し減圧にする。充分に低い圧力レ
ベルになると、堆積プロセスの開始準備が整う。
に、堆積のためのターゲット材を有するターゲット４０
をターゲット取付台３６Ｂの上に取り付ける。次に、タ
ーゲット材を堆積させる基板５０を回転可能な取付台３
８Ｃの上に配置する。その後、チャンバ３０を出口４４
を通してポンプで排出し減圧にする。充分に低い圧力レ
ベルになると、堆積プロセスの開始準備が整う。
【００１８】絶縁膜を基板５０上に堆積させることがで
きるこの発明の範囲内には、二つの基本的なプロセスが
ある。すなわち、非反応性プロセスと反応性プロセスで
ある。非反応性プロセスでは、選択されるターゲット４
０は、堆積されるフィルムとほぼ同じ材料で構成されて
いる。例えば、アルミナ膜を堆積させる場合、ターゲッ
ト４０は、アルミナブロックであればよい。他方、反応
性プロセスの場合は、選択されるターゲット４０は、そ
の材料内容が堆積させる膜の材料内容と実質的に異なっ
ている。アルミナ膜を堆積させる場合、選択されるター
ゲット４０は、アルミニウム（Ａｌ）の金属ブッロクで
よい。いずれにせよ、ターゲット４０は、堆積させる絶
縁膜の成分元素を含有している。上記二例の場合、堆積
させる膜はＡｌ2Ｏ3 を含有し、いずれのターゲットに
おいても、ＡｌはＡｌ2Ｏ3の成分元素である。
きるこの発明の範囲内には、二つの基本的なプロセスが
ある。すなわち、非反応性プロセスと反応性プロセスで
ある。非反応性プロセスでは、選択されるターゲット４
０は、堆積されるフィルムとほぼ同じ材料で構成されて
いる。例えば、アルミナ膜を堆積させる場合、ターゲッ
ト４０は、アルミナブロックであればよい。他方、反応
性プロセスの場合は、選択されるターゲット４０は、そ
の材料内容が堆積させる膜の材料内容と実質的に異なっ
ている。アルミナ膜を堆積させる場合、選択されるター
ゲット４０は、アルミニウム（Ａｌ）の金属ブッロクで
よい。いずれにせよ、ターゲット４０は、堆積させる絶
縁膜の成分元素を含有している。上記二例の場合、堆積
させる膜はＡｌ2Ｏ3 を含有し、いずれのターゲットに
おいても、ＡｌはＡｌ2Ｏ3の成分元素である。
【００１９】非反応性プロセスを開始するには、第一
に、超高純度のアルゴン（Ａｒ）ガスを放電チャンバ３
２Ｂの入り口３２Ｆの中にいれる。同様の要領で、Ａｒ
ガスとＯ2ガスの混合物をチャンバ３４Ｂの中に入れ
る。次に、コイル３２Ｃと３４Ｃを必要なＲＦ電力で付
勢する。中和器５７と５８のそれぞれから発する電子
が、それぞれチャンバ３２Ｂ内のＡｒ原子とチャンバー
３４Ｂ内のＡｒ原子およびＯ2分子をイグナイト（点
弧）する。その結果、それぞれのイオンのプラズマが各
チャンバ３２Ｂと３４Ｂ内に生成する。次に、主ガン３
２内のスクリーングッリド３２Ｄと加速グッリド３２
Ｆ、および副ガン３４のスクリーングリッド３４Ｄと加
速グリッド３４を調整して、適切なビームエネルギーレ
ベルを設定する。基本的に、正に給電されたグリッド３
２Ｄと３４Ｄは、それぞれ負に給電されたグリッド３２
Ｅと３４Ｅと協同して、狭く限定されたグッリド空間３
２Ｓと３４Ｓ内に急勾配の電界を形成する。放電チャン
バ内のイオンは、急勾配の電界に引き寄せられその方向
に加速されて、グリッド３２Ｅおよび３４Ｅをそれぞれ
を越えてイオンビーム３５および３７として放出され
る。
に、超高純度のアルゴン（Ａｒ）ガスを放電チャンバ３
２Ｂの入り口３２Ｆの中にいれる。同様の要領で、Ａｒ
ガスとＯ2ガスの混合物をチャンバ３４Ｂの中に入れ
る。次に、コイル３２Ｃと３４Ｃを必要なＲＦ電力で付
勢する。中和器５７と５８のそれぞれから発する電子
が、それぞれチャンバ３２Ｂ内のＡｒ原子とチャンバー
３４Ｂ内のＡｒ原子およびＯ2分子をイグナイト（点
弧）する。その結果、それぞれのイオンのプラズマが各
チャンバ３２Ｂと３４Ｂ内に生成する。次に、主ガン３
２内のスクリーングッリド３２Ｄと加速グッリド３２
Ｆ、および副ガン３４のスクリーングリッド３４Ｄと加
速グリッド３４を調整して、適切なビームエネルギーレ
ベルを設定する。基本的に、正に給電されたグリッド３
２Ｄと３４Ｄは、それぞれ負に給電されたグリッド３２
Ｅと３４Ｅと協同して、狭く限定されたグッリド空間３
２Ｓと３４Ｓ内に急勾配の電界を形成する。放電チャン
バ内のイオンは、急勾配の電界に引き寄せられその方向
に加速されて、グリッド３２Ｅおよび３４Ｅをそれぞれ
を越えてイオンビーム３５および３７として放出され
る。
【００２０】なお、別個の放電チャンバ３２Ｂと３４Ｂ
内でプラズマを生成させることによって、全チャンバ３
０内のガス圧は、前記スパッタ法の場合に必要な圧力よ
りもはるかに低いレベルに設定できることに、注目され
たい。その結果得られる利点は、より清浄な周囲環境に
より、それに応じて汚染の可能性が減少し、堆積した膜
の物理的欠陥がより少なくなるということである。
内でプラズマを生成させることによって、全チャンバ３
０内のガス圧は、前記スパッタ法の場合に必要な圧力よ
りもはるかに低いレベルに設定できることに、注目され
たい。その結果得られる利点は、より清浄な周囲環境に
より、それに応じて汚染の可能性が減少し、堆積した膜
の物理的欠陥がより少なくなるということである。
【００２１】図１に示すように、主イオンガン３２は、
イオンビーム３５をターゲット４０の方に向けて注ぐ。
そして、そのビーム３５は、ターゲット４０からターゲ
ット材を分散させる。この明細書および前記の特許請求
の範囲において、「材料を分散させる」およびそれと等
価な語句は、ターゲットに関連して使用する場合、ター
ゲットからターゲット材を原子レベルまたは分子レベル
で追い出して解離させることを意味する。例えば、この
場合、アルゴンイオンは、ある程度ランダムな方向５４
に走行するアルミナ分子粒子５２の形態でターゲット４
０からターゲット材を分散させる。ターゲット粒子５２
は、イオンビーム３５から受け取ったイオンの運動量を
保有して、移動し、基板５０の表面上に堆積絶縁膜とし
て蓄積する。
イオンビーム３５をターゲット４０の方に向けて注ぐ。
そして、そのビーム３５は、ターゲット４０からターゲ
ット材を分散させる。この明細書および前記の特許請求
の範囲において、「材料を分散させる」およびそれと等
価な語句は、ターゲットに関連して使用する場合、ター
ゲットからターゲット材を原子レベルまたは分子レベル
で追い出して解離させることを意味する。例えば、この
場合、アルゴンイオンは、ある程度ランダムな方向５４
に走行するアルミナ分子粒子５２の形態でターゲット４
０からターゲット材を分散させる。ターゲット粒子５２
は、イオンビーム３５から受け取ったイオンの運動量を
保有して、移動し、基板５０の表面上に堆積絶縁膜とし
て蓄積する。
【００２２】また、副イオンガン３４は、堆積プロセス
中に、もう一つのイオンビーム３７を基板５０の方に向
けている。先に述べたように、イオンビーム３７は、Ｏ
2とアルゴンのイオンで構成されている。イオンビーム
３７で基板５０を叩く（ボンバードする）目的は、二つ
ある。この補助ビームによる適度のボンバード（叩き）
は、膜の接着性を改善するのに役立っており、この補助
ビームがない場合よりもより良好な密度を有する薄膜を
形成する。また、この補助ビーム中の酸素は、非反応性
モードにおいて、適切な化学量論性を維持するのに役立
っている。反応性モードにおいては、酸素が基板５０に
形成される膜の主成分になる。より高い電力を付与され
た酸素イオン含有補助ビームは、基板５０の表面でター
ゲット４０からのアルミニウムと直接反応する。そのた
め、結晶アルミナの生成が大きく促進される。
中に、もう一つのイオンビーム３７を基板５０の方に向
けている。先に述べたように、イオンビーム３７は、Ｏ
2とアルゴンのイオンで構成されている。イオンビーム
３７で基板５０を叩く（ボンバードする）目的は、二つ
ある。この補助ビームによる適度のボンバード（叩き）
は、膜の接着性を改善するのに役立っており、この補助
ビームがない場合よりもより良好な密度を有する薄膜を
形成する。また、この補助ビーム中の酸素は、非反応性
モードにおいて、適切な化学量論性を維持するのに役立
っている。反応性モードにおいては、酸素が基板５０に
形成される膜の主成分になる。より高い電力を付与され
た酸素イオン含有補助ビームは、基板５０の表面でター
ゲット４０からのアルミニウムと直接反応する。そのた
め、結晶アルミナの生成が大きく促進される。
【００２３】さらに、図２に示す従来技術のスパッタ機
構とは対照的に、ターゲットホルダ３６にも基板支持体
３８にも、高電圧の配線や接点が取り付けられていない
ことに、注目されたい。ターゲットホルダ３６は、二方
向矢印４２で示す揺動運動を行うように設計することも
できる。加えて、ターンテーブル３８Ａは、矢印５９で
示す回転運動で作動させることもできる。同様に、基板
取付台３８Ｃは、ターンテーブル３８Ａの上面で矢印５
６で示す回転運動を行うように設計することもできる。
随意であるが、基板支持体３８の全体を、二方向矢印６
０で示すような揺動運動で作動させることもできる。矢
印４２、５６、５９および６０の方向の運動は、すべ
て、基板５０上に均一な膜厚を達成するために設計され
ている。
構とは対照的に、ターゲットホルダ３６にも基板支持体
３８にも、高電圧の配線や接点が取り付けられていない
ことに、注目されたい。ターゲットホルダ３６は、二方
向矢印４２で示す揺動運動を行うように設計することも
できる。加えて、ターンテーブル３８Ａは、矢印５９で
示す回転運動で作動させることもできる。同様に、基板
取付台３８Ｃは、ターンテーブル３８Ａの上面で矢印５
６で示す回転運動を行うように設計することもできる。
随意であるが、基板支持体３８の全体を、二方向矢印６
０で示すような揺動運動で作動させることもできる。矢
印４２、５６、５９および６０の方向の運動は、すべ
て、基板５０上に均一な膜厚を達成するために設計され
ている。
【００２４】非反応性プロセスにおいては、堆積速度
は、約９ｎｍ／分（ナノメートル毎分）である。堆積プ
ロセスの中で、主イオンガン３２は、副イオンガン３４
よりも実質上高い電力レベルで作動さてもよい。典型的
な作動パラメータの設定は、約６５０ｍＡ（ミリアンペ
ア）に設定された主（第一）イオンビーム３５のビーム
電流と、約２００ｍＡに設定された副（第二）ビーム３
７のビーム電流である。主（第一）加速グリッド３２Ｅ
と副（第二）加速グリッド３４Ｅに印加されるグッリド
電圧は、それぞれ１５００ボルトと３００ボルトに固定
することができる。チャンバ３０内の気圧は、２×１０
-4Ｔｏｒｒ〜３×１０-4Ｔｏｒｒの間に維持することが
できる。
は、約９ｎｍ／分（ナノメートル毎分）である。堆積プ
ロセスの中で、主イオンガン３２は、副イオンガン３４
よりも実質上高い電力レベルで作動さてもよい。典型的
な作動パラメータの設定は、約６５０ｍＡ（ミリアンペ
ア）に設定された主（第一）イオンビーム３５のビーム
電流と、約２００ｍＡに設定された副（第二）ビーム３
７のビーム電流である。主（第一）加速グリッド３２Ｅ
と副（第二）加速グリッド３４Ｅに印加されるグッリド
電圧は、それぞれ１５００ボルトと３００ボルトに固定
することができる。チャンバ３０内の気圧は、２×１０
-4Ｔｏｒｒ〜３×１０-4Ｔｏｒｒの間に維持することが
できる。
【００２５】実証例として、上記条件下での非反応性プ
ロセスおよびスパッタリングプロセスによって、約２０
０ｎｍ（ナノメートル）のＡｌ2Ｏ3絶縁膜を堆積させ
た。スパッタリングプロセス中で、ターゲット・基板間
のバイアス電圧は、１０-2Ｔｏｒｒのオーダーのガス圧
下で、数百〜１０００ボルトに設定する。両者の方法で
得られた膜を比較し分析する。パラメータの測定値を下
記表１に示す。
ロセスおよびスパッタリングプロセスによって、約２０
０ｎｍ（ナノメートル）のＡｌ2Ｏ3絶縁膜を堆積させ
た。スパッタリングプロセス中で、ターゲット・基板間
のバイアス電圧は、１０-2Ｔｏｒｒのオーダーのガス圧
下で、数百〜１０００ボルトに設定する。両者の方法で
得られた膜を比較し分析する。パラメータの測定値を下
記表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】上記表から、機械的応力は、室温における
基板と堆積膜との間に存在する引張力と定義する。上記
表に示されるように、この発明の堆積法で堆積させた膜
は、比較において、機械的応力が有意に低い。絶縁破壊
電圧は、誘電破壊が起こる直前の膜の主要面間に印加さ
れた電圧と定義する。試験結果は、この発明の好ましい
方法で作成された膜の方が約５０％性能が優れているこ
とを示している。また、この発明の方法で堆積させた膜
は、米国カリフォルニア州サニーベール所在のＨｏｅｃ
ｈｓｔ Ｃｅｌａｎｅｓｅ Ｃｏｒｐ．社製造のＡＺ４
００Ｋのようなポジ形ホトレジスト現像剤に対する耐性
が優れていることも示している。ホトレジスト現像剤
は、プロセスの中で、他の層のパターンを定義する（形
成する）のに使われるエッチング剤である。この発明の
プロセスによって、堆積膜は、大きな表面積にわたって
よりー層均一に分布する。また、覆っている層のより優
れたステップカバレージ（段差部分の被覆性）が達成さ
れる。
基板と堆積膜との間に存在する引張力と定義する。上記
表に示されるように、この発明の堆積法で堆積させた膜
は、比較において、機械的応力が有意に低い。絶縁破壊
電圧は、誘電破壊が起こる直前の膜の主要面間に印加さ
れた電圧と定義する。試験結果は、この発明の好ましい
方法で作成された膜の方が約５０％性能が優れているこ
とを示している。また、この発明の方法で堆積させた膜
は、米国カリフォルニア州サニーベール所在のＨｏｅｃ
ｈｓｔ Ｃｅｌａｎｅｓｅ Ｃｏｒｐ．社製造のＡＺ４
００Ｋのようなポジ形ホトレジスト現像剤に対する耐性
が優れていることも示している。ホトレジスト現像剤
は、プロセスの中で、他の層のパターンを定義する（形
成する）のに使われるエッチング剤である。この発明の
プロセスによって、堆積膜は、大きな表面積にわたって
よりー層均一に分布する。また、覆っている層のより優
れたステップカバレージ（段差部分の被覆性）が達成さ
れる。
【００２８】反応性プロセスと非反応性プロセスの工程
運行上の詳細は、実質的に類似している。簡略にするた
め、ここではその差異だけに言及する。反応性プロセス
では、前述のように、選択されるターゲット４０は、材
料の内容が、堆積される膜のそれとは異なっている。堆
積工程中に、主イオンビーム３５によってターゲット４
０から分散された材料は、副イオンビーム３７（大部分
酸素イオンである）からの材料と反応して、絶縁薄膜と
して基板５０の上に堆積する。反応性堆積プロセスの場
合は、堆積過程において、非反応性プロセスの場合より
も、化学反応の活性度が高い。
運行上の詳細は、実質的に類似している。簡略にするた
め、ここではその差異だけに言及する。反応性プロセス
では、前述のように、選択されるターゲット４０は、材
料の内容が、堆積される膜のそれとは異なっている。堆
積工程中に、主イオンビーム３５によってターゲット４
０から分散された材料は、副イオンビーム３７（大部分
酸素イオンである）からの材料と反応して、絶縁薄膜と
して基板５０の上に堆積する。反応性堆積プロセスの場
合は、堆積過程において、非反応性プロセスの場合より
も、化学反応の活性度が高い。
【００２９】反応性プロセスを用いての堆積工程の中で
は、副イオンガン３４は、主イオンガン３２と同等の電
力レベルで作動させる。例えば、主イオンビーム３５は
４００ｍＡ（ミリアンペア）に設定し、副イオンビーム
３７は約３００ｍＡに設定することができる。第一加速
グリッド３２Ｅと第二加速グリッド３４Ｅに印加される
グリッド電圧は、それぞれ６５０ボルトと５５０ボルト
に固定することができる。さらに、放電チャンバには、
酸素含有量の高いガスが比例的に混合される。チャンバ
３０内のガス圧は、２×１０-4Ｔｏｒｒ〜３×１０-4Ｔ
ｏｒｒの間に維持できる。上記作動条件下での堆積速度
は、約１．５ｎｍ／分（ナノメートル毎分）ある。反応
性モードにおける補助イオンビームのエネルギーと電流
密度は、非反応性モードの場合よりも有意に高いので、
基板表面における局在化反応および衝突する原子の移動
度が大きく増強される。このようにして堆積させた絶縁
膜は、結晶性であり、このことは、透過型電子顕微鏡法
（ＴＥＭ）により平面図および断面図において実証され
ている。屈折率は、６２３．８ｎｍ（ナノメートル）で
測定して１．７５である。このような膜は、エッチング
に対して極めて高い耐性を有する。この膜の１０％フッ
化水素（ＨＦ）溶液中でのエッチングは、わずか３ｎｍ
未満にすぎない。
は、副イオンガン３４は、主イオンガン３２と同等の電
力レベルで作動させる。例えば、主イオンビーム３５は
４００ｍＡ（ミリアンペア）に設定し、副イオンビーム
３７は約３００ｍＡに設定することができる。第一加速
グリッド３２Ｅと第二加速グリッド３４Ｅに印加される
グリッド電圧は、それぞれ６５０ボルトと５５０ボルト
に固定することができる。さらに、放電チャンバには、
酸素含有量の高いガスが比例的に混合される。チャンバ
３０内のガス圧は、２×１０-4Ｔｏｒｒ〜３×１０-4Ｔ
ｏｒｒの間に維持できる。上記作動条件下での堆積速度
は、約１．５ｎｍ／分（ナノメートル毎分）ある。反応
性モードにおける補助イオンビームのエネルギーと電流
密度は、非反応性モードの場合よりも有意に高いので、
基板表面における局在化反応および衝突する原子の移動
度が大きく増強される。このようにして堆積させた絶縁
膜は、結晶性であり、このことは、透過型電子顕微鏡法
（ＴＥＭ）により平面図および断面図において実証され
ている。屈折率は、６２３．８ｎｍ（ナノメートル）で
測定して１．７５である。このような膜は、エッチング
に対して極めて高い耐性を有する。この膜の１０％フッ
化水素（ＨＦ）溶液中でのエッチングは、わずか３ｎｍ
未満にすぎない。
【００３０】この発明の範囲内において、他の変形も可
能である。例えば、膜の均一性が最優先に重要ではない
用途では、ターゲットホルダ３６と基板支持体３８は、
動かないように設計してもよい。使用される材料も、上
述のものに限定する必要はない。例えば、堆積させる膜
がＳｉＯ2で、ターゲット４０がケイ素（Ｓｉ）のブロ
ックであってもよい。さらに他の代替材料として、堆積
させる膜が窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）であって、反応性プ
ロセスまたは非反応性プロセスのどちらを選択するかに
応じて、選択されるターゲットがＳｉまたはＳｉ3Ｎ4で
もよい。
能である。例えば、膜の均一性が最優先に重要ではない
用途では、ターゲットホルダ３６と基板支持体３８は、
動かないように設計してもよい。使用される材料も、上
述のものに限定する必要はない。例えば、堆積させる膜
がＳｉＯ2で、ターゲット４０がケイ素（Ｓｉ）のブロ
ックであってもよい。さらに他の代替材料として、堆積
させる膜が窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）であって、反応性プ
ロセスまたは非反応性プロセスのどちらを選択するかに
応じて、選択されるターゲットがＳｉまたはＳｉ3Ｎ4で
もよい。
【図１】この発明の方法を実施するのに用いるスパッタ
装置の概略図である。
装置の概略図である。
【図２】絶縁膜を堆積させるための従来技術のスパッタ
装置の概略図である。
装置の概略図である。
２…スパッタ装置、４、３０…チャンバ、６…ターゲッ
トプレート、８…基板取付具、１０、５０…基板、１４
…ガス出口、１８…ガス入口、２０…電圧源、２２…正
電荷イオン、２４…ターゲット分子、２６…プラズマ、
２８…堆積装置、３２…主イオンビームガン、３４…副
イオンビームガン、３２Ａ、３４Ａ…接地シュラウド、
３２Ｂ、３４Ｂ…石英放電チャンバ、３２Ｃ、３４Ｃ…
ＲＦコイル、３２Ｄ、３４Ｄ…スクリーングリッド、３
２Ｅ、３４Ｅ…加速グリッド、３２Ｆ、３４Ｆ…放電チ
ャンバの入口、３２Ｓ、３４Ｓ…グリッド空間、３５…
第一イオンビーム、３６…ターゲットホルダ、３６Ｂ…
ターゲット取付台、３６Ｃ…揺動駆動装置、３６Ｄ…ピ
ボタルシャフト、３７…第二イオンビーム、３８…基板
支持体、３８Ａ…ターンテーブル、３８Ｂ…シャフト、
３８Ｃ…基板取付台、４０…ターゲット、４４…空気出
口、４６…基板取付台３８Ｃの軸線、４８…制御回路、
５２…ターゲットのアルミナ分子粒子、５７、５８…中
和器
トプレート、８…基板取付具、１０、５０…基板、１４
…ガス出口、１８…ガス入口、２０…電圧源、２２…正
電荷イオン、２４…ターゲット分子、２６…プラズマ、
２８…堆積装置、３２…主イオンビームガン、３４…副
イオンビームガン、３２Ａ、３４Ａ…接地シュラウド、
３２Ｂ、３４Ｂ…石英放電チャンバ、３２Ｃ、３４Ｃ…
ＲＦコイル、３２Ｄ、３４Ｄ…スクリーングリッド、３
２Ｅ、３４Ｅ…加速グリッド、３２Ｆ、３４Ｆ…放電チ
ャンバの入口、３２Ｓ、３４Ｓ…グリッド空間、３５…
第一イオンビーム、３６…ターゲットホルダ、３６Ｂ…
ターゲット取付台、３６Ｃ…揺動駆動装置、３６Ｄ…ピ
ボタルシャフト、３７…第二イオンビーム、３８…基板
支持体、３８Ａ…ターンテーブル、３８Ｂ…シャフト、
３８Ｃ…基板取付台、４０…ターゲット、４４…空気出
口、４６…基板取付台３８Ｃの軸線、４８…制御回路、
５２…ターゲットのアルミナ分子粒子、５７、５８…中
和器
フロントページの続き (72)発明者 スウィー イン タン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95120 サンノゼ グレイストーンレーン 19730
Claims (15)
- 【請求項１】 基板上に絶縁薄膜を形成する方法であっ
て、 絶縁薄膜の成分元素を含有する材料で形成されたターゲ
ットを設置するステップと、 前記ターゲットに向けて第一のイオンビームを注ぎ、前
記ターゲットからターゲット材を分散させるステップ
と、 絶縁薄膜の他の成分元素を含有する第二のイオンビーム
を前記基板に向けて注ぐステップを含んでなり、 前記ターゲットから分散されたターゲット材が前記第二
のイオンビームの成分元素と反応して、絶縁薄膜として
基板上に堆積するようにしたことを特徴とする方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の絶縁薄膜を形成する方
法であって、 さらに、基板の表面に垂直な軸線のまわりを基板を回転
させるステップを含んでなることを特徴とする方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の絶縁薄膜を形成する方
法であって、 さらに、前記基板を揺動させるステップを含んでなるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載の絶縁薄膜を形成する方
法であって、 さらに、ターンテーブルを設置するステップと、 前記ターンテーブルの上方に基板を配置するステップ
と、 基板の表面に対して実質的に垂直な第一の軸線のまわり
を基板を回転させるステップと、 前記ターンテーブルの表面に実施的に垂直でかつ前記第
一の軸線から間隔をおいて位置している第二の軸線のま
わりをターンテーブルを回転させるステップを含んでな
ることを特徴とする方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の絶縁薄膜を形成する方
法であって、 さらに、前記ターゲットを揺動させるステップを含んで
なることを特徴とする方法。 - 【請求項６】 請求項１に記載の絶縁薄膜を形成する方
法であって、 前記第一のイオンビームがアルゴンを含有していること
を特徴とする方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載の絶縁薄膜を形成する方
法であって、 前記第二のイオンビームが酸素を含有していることを特
徴とする方法。 - 【請求項８】 請求項１に記載の絶縁薄膜を形成する方
法であって、 前記ターゲットがアルミニウムを含有していることを特
徴とする方法。 - 【請求項９】 基板上に絶縁薄膜を形成する方法であっ
て絶縁薄膜の成分元素を含有する材料で形成されたター
ゲットを設置するステップと、 前記ターゲットに隣接して基板を設置するステップと、 前記ターゲットに向けて第一のイオンビームを当てるこ
とにより前記ターゲットの材料を分散させて、前記ター
ゲットから分散された材料を実質的に基板上に堆積させ
るステップと、 前記基板に向けて絶縁薄膜の他の成分を含有する第二の
イオンビームを当てるステップを含んでなり、 前記ターゲットからの材料を基板上に所望の特性で堆積
させることを特徴とする方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の絶縁薄膜を形成する
方法であって、 さらに、第一の軸線のまわりを回転可能な基板載せ台が
取り付けられているターンテーブルを設置するステップ
と、 前記基板載せ台に基板を配置するステップと、 前記基板載せ台を基板とともに前記第一の軸線のまわり
を回転させるステップと、 前記ターンテーブルを第二の軸線のまわりに回転させる
ステップを含んでなり、 前記第一と第二の軸線が互いに間隔を置いて配置され、
かつ前記ターンテーブルの表面に対して垂直であること
を特徴とする方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の絶縁薄膜を形成す
る方法であって、 さらに、前記ターンテーブルを揺動させるステップを含
んでなる方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の絶縁薄膜を形成す
る方法であって、 さらに、前記ターゲットを揺動させるステップを含んで
なる方法。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の絶縁薄膜を形成す
る方法であって、 前記第一のイオンビームがアルゴンを含有し、そして前
記第二のイオンビームが酸素を含有することを特徴とす
る方法。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の絶縁薄膜を形成す
る方法であって、 前記ターゲットがアルミニウムを含有していることを特
徴とする方法。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載の絶縁薄膜を形成す
る方法であって、 前記ターゲットがアルミナを含有していることを特徴と
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US42322795A | 1995-04-17 | 1995-04-17 | |
| US08/423,227 | 1995-04-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08296042A true JPH08296042A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=23678099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8091060A Pending JPH08296042A (ja) | 1995-04-17 | 1996-04-12 | 複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5962080A (ja) |
| EP (1) | EP0739001B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08296042A (ja) |
| DE (1) | DE69611804D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028055A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Canon Anelva Corporation | スパッタリングによる成膜方法とその装置 |
| WO2009081953A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置 |
| US7955480B2 (en) | 2008-12-22 | 2011-06-07 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film deposition method |
| US8999121B2 (en) | 2008-12-25 | 2015-04-07 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2321063A (en) * | 1997-01-08 | 1998-07-15 | Oxford Plasma Technology Ltd | Reactive particle beam sputtering |
| US6086727A (en) * | 1998-06-05 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to improve the properties of ion beam deposited films in an ion beam sputtering system |
| US6214183B1 (en) * | 1999-01-30 | 2001-04-10 | Advanced Ion Technology, Inc. | Combined ion-source and target-sputtering magnetron and a method for sputtering conductive and nonconductive materials |
| US6296741B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-10-02 | International Business Machines Corporation | Method of making oxide barrier layer for a spin tunnel junction |
| US6783635B2 (en) * | 1999-12-09 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor free layer structure with a cobalt based layer that promotes magnetic stability and high magnetoresistance |
| US6853520B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-02-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistance effect element |
| US6707647B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic head with thin gap layers |
| US6402900B1 (en) * | 2001-03-16 | 2002-06-11 | 4 Wave, Inc. | System and method for performing sputter deposition using ion sources, targets and a substrate arranged about the faces of a cube |
| US6679976B2 (en) | 2001-03-16 | 2004-01-20 | 4Wave, Inc. | System and method for performing sputter deposition with multiple targets using independent ion and electron sources and independent target biasing with DC pulse signals |
| FR2856677B1 (fr) * | 2003-06-27 | 2006-12-01 | Saint Gobain | Substrat revetu d'une couche dielectrique et procede pour sa fabrication |
| FR2857467B1 (fr) * | 2003-07-09 | 2005-08-19 | Saint Gobain | Dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables |
| US7374642B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-05-20 | Deutchman Arnold H | Treatment process for improving the mechanical, catalytic, chemical, and biological activity of surfaces and articles treated therewith |
| JP4786331B2 (ja) | 2005-12-21 | 2011-10-05 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| JP4514721B2 (ja) | 2006-02-09 | 2010-07-28 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶装置 |
| JP2007299880A (ja) | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子，および磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| JP4550777B2 (ja) | 2006-07-07 | 2010-09-22 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気メモリ |
| JP4388093B2 (ja) | 2007-03-27 | 2009-12-24 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置 |
| US20090020415A1 (en) * | 2007-07-16 | 2009-01-22 | Michael Gutkin | "Iontron" ion beam deposition source and a method for sputter deposition of different layers using this source |
| JP5036501B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2012-09-26 | 小島プレス工業株式会社 | 基材の支持装置及びスパッタリング装置 |
| JP5039006B2 (ja) | 2008-09-26 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 |
| JP5039007B2 (ja) | 2008-09-26 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置 |
| JP2010080839A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置 |
| CN107723675A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 东莞颠覆产品设计有限公司 | 物理气相沉积设备和物理气相沉积方法 |
| DE102019132526B4 (de) * | 2019-01-15 | 2025-10-02 | Asus Resources Pte. Ltd. | Beschichtungsmaschine |
| US20210080380A1 (en) * | 2019-09-16 | 2021-03-18 | Halliburton Energy Services, Inc. | Customized Thin Film Optical Element Fabrication System and Method |
| CN113621929B (zh) * | 2020-05-08 | 2023-04-11 | 武汉光谷创元电子有限公司 | 微波器件的制造设备和制造方法 |
| GB2599393B (en) * | 2020-09-30 | 2024-12-18 | Dyson Technology Ltd | Method and apparatus for sputter deposition |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3889632A (en) * | 1974-05-31 | 1975-06-17 | Ibm | Variable incidence drive for deposition tooling |
| JPS6115967A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面処理方法 |
| JPS61189669A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US4652954A (en) * | 1985-10-24 | 1987-03-24 | International Business Machines | Method for making a thin film magnetic head |
| US4793908A (en) * | 1986-12-29 | 1988-12-27 | Rockwell International Corporation | Multiple ion source method and apparatus for fabricating multilayer optical films |
| US4886681A (en) * | 1987-01-20 | 1989-12-12 | International Business Machines Corporation | Metal-polymer adhesion by low energy bombardment |
| US4816133A (en) * | 1987-05-14 | 1989-03-28 | Northrop Corporation | Apparatus for preparing thin film optical coatings on substrates |
| JPH01149474A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2629223B2 (ja) * | 1988-01-07 | 1997-07-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US4874493A (en) * | 1988-03-28 | 1989-10-17 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of deposition of metal into cavities on a substrate |
| US4992298A (en) * | 1988-10-11 | 1991-02-12 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
| US4951604A (en) * | 1989-02-17 | 1990-08-28 | Optical Coating Laboratory, Inc. | System and method for vacuum deposition of thin films |
| FR2644180B1 (fr) * | 1989-03-08 | 1991-05-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif pour recouvrir une surface plane d'une couche d'epaisseur uniforme |
| JP2713481B2 (ja) * | 1989-12-04 | 1998-02-16 | 株式会社日立製作所 | イオンビームスパッタによる多元系薄膜形成方法および多元系薄膜形成装置 |
| US5301418A (en) * | 1991-04-12 | 1994-04-12 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
| US5240583A (en) * | 1992-01-14 | 1993-08-31 | Honeywell Inc. | Apparatus to deposit multilayer films |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP8091060A patent/JPH08296042A/ja active Pending
- 1996-04-12 DE DE69611804T patent/DE69611804D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-12 EP EP96105811A patent/EP0739001B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-10 US US08/795,161 patent/US5962080A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028055A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Canon Anelva Corporation | スパッタリングによる成膜方法とその装置 |
| JP4503098B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2010-07-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリングによる成膜方法とその装置 |
| JPWO2009028055A1 (ja) * | 2007-08-29 | 2010-11-25 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリングによる成膜方法とその装置 |
| US8043483B2 (en) | 2007-08-29 | 2011-10-25 | Canon Anelva Corporation | Film forming method by sputtering and sputtering apparatus thereof |
| WO2009081953A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置、スパッタ成膜方法及び分析装置 |
| JP5259626B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-08-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置、スパッタ成膜方法 |
| JP2013174020A (ja) * | 2007-12-26 | 2013-09-05 | Canon Anelva Corp | スパッタ装置 |
| US8877019B2 (en) | 2007-12-26 | 2014-11-04 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus, sputter deposition method, and analysis apparatus |
| US7955480B2 (en) | 2008-12-22 | 2011-06-07 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film deposition method |
| US8999121B2 (en) | 2008-12-25 | 2015-04-07 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0739001B1 (en) | 2001-02-21 |
| US5962080A (en) | 1999-10-05 |
| DE69611804D1 (de) | 2001-03-29 |
| EP0739001A3 (en) | 1998-05-13 |
| EP0739001A2 (en) | 1996-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08296042A (ja) | 複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法 | |
| US5064520A (en) | Method and apparatus for forming a film | |
| EP1630849B1 (en) | Localized plasma processing | |
| US6033741A (en) | Thin film forming apparatus using laser | |
| JP4814986B2 (ja) | カーボンナノチューブ成長方法 | |
| JP4344019B2 (ja) | イオン化スパッタ方法 | |
| JP2001023959A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20090178920A1 (en) | Multi-cathode ionized physical vapor deposition system | |
| JP3868925B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20250290195A1 (en) | Magnetron sputtering device and method for amorphous carbon film and amorphous carbon film for photoresist deposited using the same | |
| JP2000303166A (ja) | 蒸着源、蒸着装置及び蒸着方法 | |
| JP4783953B2 (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH04331795A (ja) | 多結晶薄膜の製造方法 | |
| JP2001059165A (ja) | アーク式イオンプレーティング装置 | |
| JPH04329867A (ja) | 多結晶薄膜の製造装置 | |
| JPH1087397A (ja) | 硬質炭素被膜、及び該被膜を用いた電気シェーバー刃 | |
| JPH11172419A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JPH1136063A (ja) | アーク式蒸発源 | |
| JPH07292474A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| US6432730B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP3937272B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
| JPH0559985B2 (ja) | ||
| JP3208931B2 (ja) | プラズマ処理装置とこれを用いたプラズマ処理方法 | |
| JP2002252213A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH0585633B2 (ja) |