JPH0829632A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JPH0829632A JPH0829632A JP16249394A JP16249394A JPH0829632A JP H0829632 A JPH0829632 A JP H0829632A JP 16249394 A JP16249394 A JP 16249394A JP 16249394 A JP16249394 A JP 16249394A JP H0829632 A JPH0829632 A JP H0829632A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 70
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コア部の内部応力が低減された光導波路を提
供する。 【構成】 コア部（３０）の両側においてクラッド層
（２０）の一部がコア部（３０）に沿って除去されてお
り、クラッド層（２０）のうちコア部（３０）を被覆す
るクラッド部（２５）およびコア部には、このコア部お
よびクラッド部を分断する溝（５０）が形成されてい
る。コア部およびクラッド部が周囲のクラッド層から分
離されているので、コア部およびクラッド部の内部応力
のうち光軸方向に交差する方向のものが低減されてい
る。コア部およびクラッド部を分断する溝により、コア
部の一部およびこれを被覆するクラッド部の一部が他の
部分から分離されているので、この分離された部分の内
部応力のうち光軸方向に沿った方向のものも低減されて
いる。
供する。 【構成】 コア部（３０）の両側においてクラッド層
（２０）の一部がコア部（３０）に沿って除去されてお
り、クラッド層（２０）のうちコア部（３０）を被覆す
るクラッド部（２５）およびコア部には、このコア部お
よびクラッド部を分断する溝（５０）が形成されてい
る。コア部およびクラッド部が周囲のクラッド層から分
離されているので、コア部およびクラッド部の内部応力
のうち光軸方向に交差する方向のものが低減されてい
る。コア部およびクラッド部を分断する溝により、コア
部の一部およびこれを被覆するクラッド部の一部が他の
部分から分離されているので、この分離された部分の内
部応力のうち光軸方向に沿った方向のものも低減されて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信情報処理分野にお
いて用いられる光導波路の構造に関するものである。
いて用いられる光導波路の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光導波路としては、シリコン基板
上に石英ガラスからなる下部クラッド層を積層し、この
上に高屈折率の石英ガラス層を積層してから反応性イオ
ンエッチングでパターニング加工を施してコア部を形成
し、次いで、この上に石英ガラスからなる上部クラッド
層を積層したものが知られている。
上に石英ガラスからなる下部クラッド層を積層し、この
上に高屈折率の石英ガラス層を積層してから反応性イオ
ンエッチングでパターニング加工を施してコア部を形成
し、次いで、この上に石英ガラスからなる上部クラッド
層を積層したものが知られている。
【０００３】コア部やクラッド層を形成するには、火炎
堆積法を用いてガラス微粒子をシリコン基板上に吹き付
け、ガラス微粒子層を堆積させてから、これを焼結し、
その後、除冷して、透明ガラス化することにより形成す
る。
堆積法を用いてガラス微粒子をシリコン基板上に吹き付
け、ガラス微粒子層を堆積させてから、これを焼結し、
その後、除冷して、透明ガラス化することにより形成す
る。
【０００４】しかし、シリコン基板とこの上に形成され
たガラス導波層とでは熱膨脹率が異なるため、焼結後の
除冷の際に、導波層の内部に応力が発生する。特に、コ
ア部は、基板表面と接するクラッド層に埋め込まれてい
るため、上部クラッド層および下部クラッド層から膜応
力を受けており、これによりコア部に内部応力が発生し
ていた。この結果、従来の光導波路では、光弾性効果に
よりコア部の屈折率に大きな異方性が生じており、その
結果、偏光特性（ＰＤＬ）が大きいという問題点が生じ
ていた。
たガラス導波層とでは熱膨脹率が異なるため、焼結後の
除冷の際に、導波層の内部に応力が発生する。特に、コ
ア部は、基板表面と接するクラッド層に埋め込まれてい
るため、上部クラッド層および下部クラッド層から膜応
力を受けており、これによりコア部に内部応力が発生し
ていた。この結果、従来の光導波路では、光弾性効果に
よりコア部の屈折率に大きな異方性が生じており、その
結果、偏光特性（ＰＤＬ）が大きいという問題点が生じ
ていた。
【０００５】この問題点を解決するために作製された光
導波路が特開昭６３−４３１０５に開示されている。こ
れは、クラッド層の一部をコア部に沿って除去すること
により、クラッド層の一部にコア部に沿って応力解放用
の溝が形成されたものである。
導波路が特開昭６３−４３１０５に開示されている。こ
れは、クラッド層の一部をコア部に沿って除去すること
により、クラッド層の一部にコア部に沿って応力解放用
の溝が形成されたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コア部
に沿ってクラッド層の一部を除去するだけでは、光軸と
交差する方向の内部応力は低減されるものの、光軸に沿
った方向の内部応力は低減されないため、全体としてコ
ア部の内部応力は十分に低減されていない。
に沿ってクラッド層の一部を除去するだけでは、光軸と
交差する方向の内部応力は低減されるものの、光軸に沿
った方向の内部応力は低減されないため、全体としてコ
ア部の内部応力は十分に低減されていない。
【０００７】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、コア部の内部応力が十分に低減された
偏光特性の小さい光導波路を提供することを目的とす
る。
なされたもので、コア部の内部応力が十分に低減された
偏光特性の小さい光導波路を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明の光導波路は、基板の上面に積層された
クラッド層と、このクラッド層に埋設された、このクラ
ッド層よりも高屈折率のコア部とを備える光導波路であ
って、コア部の両側においてクラッド層の一部がコア部
に沿って除去されており、クラッド層のうちコア部を被
覆するクラッド部およびコア部には、このコア部および
クラッド部を分断する溝が形成されていることを特徴と
している。
ために、本発明の光導波路は、基板の上面に積層された
クラッド層と、このクラッド層に埋設された、このクラ
ッド層よりも高屈折率のコア部とを備える光導波路であ
って、コア部の両側においてクラッド層の一部がコア部
に沿って除去されており、クラッド層のうちコア部を被
覆するクラッド部およびコア部には、このコア部および
クラッド部を分断する溝が形成されていることを特徴と
している。
【０００９】ここで、コア部およびクラッド部を分断す
る溝により他の部分から分離されたコア部の一部および
これを被覆するクラッド部の一部は、光機能部分を含ん
でいると良い。
る溝により他の部分から分離されたコア部の一部および
これを被覆するクラッド部の一部は、光機能部分を含ん
でいると良い。
【００１０】また、コア部およびクラッド部を分断する
溝を挟んで対向するコア部の二つの部分の間に屈折率整
合剤が介在していると良い。
溝を挟んで対向するコア部の二つの部分の間に屈折率整
合剤が介在していると良い。
【００１１】
【作用】本発明の光導波路では、クラッド層のうち、コ
ア部を被覆するクラッド部の両側の部分が除去されてい
るので、コア部およびクラッド部が周囲のクラッド層か
ら分離され、コア部およびクラッド部の内部応力のうち
光軸に交差する方向のものが低減される。また、コア部
およびクラッド部を分断する溝により、コア部の一部お
よびこれを被覆するクラッド部の一部が他の部分から分
離されているので、この分離された部分の内部応力のう
ち光軸に沿った方向のものが低減される。
ア部を被覆するクラッド部の両側の部分が除去されてい
るので、コア部およびクラッド部が周囲のクラッド層か
ら分離され、コア部およびクラッド部の内部応力のうち
光軸に交差する方向のものが低減される。また、コア部
およびクラッド部を分断する溝により、コア部の一部お
よびこれを被覆するクラッド部の一部が他の部分から分
離されているので、この分離された部分の内部応力のう
ち光軸に沿った方向のものが低減される。
【００１２】ここで、他の部分から分離されたコア部お
よびクラッド部が、光導波路のうち光分岐や光結合等を
行う光機能部分を含んでいると、内部応力が光機能に及
ぼす影響が低減される。
よびクラッド部が、光導波路のうち光分岐や光結合等を
行う光機能部分を含んでいると、内部応力が光機能に及
ぼす影響が低減される。
【００１３】また、コア部およびクラッド部を分断する
溝を挟んで対向する二つの部分の間に屈折率整合剤が介
在していると、双方の間の間隙からの光放射が抑えら
れ、導波光の放射損失が低減される。
溝を挟んで対向する二つの部分の間に屈折率整合剤が介
在していると、双方の間の間隙からの光放射が抑えら
れ、導波光の放射損失が低減される。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の実施
例を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
例を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】図１は、本実施例の光導波路１００を示す
全体斜視図である。本実施例の光導波路１００は、厚さ
１ｍｍのシリコン基板１０の上面にクラッド層２０が積
層され、このクラッド層２０にコア部３０が埋設されて
なる通常の埋込み型光導波路において、コア部３０に沿
ってクラッド層２０の一部が除去されているとともに、
コア部３０およびこれを被覆するクラッド部２５を分断
する溝（分断溝）５０が形成されたものである。
全体斜視図である。本実施例の光導波路１００は、厚さ
１ｍｍのシリコン基板１０の上面にクラッド層２０が積
層され、このクラッド層２０にコア部３０が埋設されて
なる通常の埋込み型光導波路において、コア部３０に沿
ってクラッド層２０の一部が除去されているとともに、
コア部３０およびこれを被覆するクラッド部２５を分断
する溝（分断溝）５０が形成されたものである。
【００１６】コア部３０は、Ｙ分岐部により１本から順
次に分岐した１×８分岐型のもので、８×８μｍの断面
を有している。クラッド層２０のうちクラッド部２５の
両側に位置する部分は除去されている。なお、クラッド
部２５とは、クラッド層２０の一部であってコア部３０
を被覆し、他のクラッド層２０から分離された部分をい
う。
次に分岐した１×８分岐型のもので、８×８μｍの断面
を有している。クラッド層２０のうちクラッド部２５の
両側に位置する部分は除去されている。なお、クラッド
部２５とは、クラッド層２０の一部であってコア部３０
を被覆し、他のクラッド層２０から分離された部分をい
う。
【００１７】クラッド層２０およびコア部３０はともに
石英ガラスからなる。クラッド層２０にはＢ2 Ｏ3 およ
びＰ2 Ｏ5 がドープされ、コア部３０には、クラッド層
２０より屈折率を高めるべく、さらにＧｅＯ2 がドープ
されている。
石英ガラスからなる。クラッド層２０にはＢ2 Ｏ3 およ
びＰ2 Ｏ5 がドープされ、コア部３０には、クラッド層
２０より屈折率を高めるべく、さらにＧｅＯ2 がドープ
されている。
【００１８】以下では、説明の便宜のため、コア部３０
とこれを被覆するクラッド部２５からなる構造を導波路
部４０と呼ぶことにする。分断溝５０はＹ分岐部の前後
に位置しており、これによりＹ分岐部を含む導波路部４
１は他の導波路部から分離される。図１のように、本実
施例では、７個あるＹ分岐部全てについてその前後に分
断溝５０が形成されており、それぞれを含む導波路部４
１は互いに他の導波路部４１から分離されている。
とこれを被覆するクラッド部２５からなる構造を導波路
部４０と呼ぶことにする。分断溝５０はＹ分岐部の前後
に位置しており、これによりＹ分岐部を含む導波路部４
１は他の導波路部から分離される。図１のように、本実
施例では、７個あるＹ分岐部全てについてその前後に分
断溝５０が形成されており、それぞれを含む導波路部４
１は互いに他の導波路部４１から分離されている。
【００１９】以下、この光導波路１００の作製方法を説
明する。図２および図３は、この作製方法を説明する工
程図である。まず、図２のように、光導波路１００の作
製の土台となる通常の埋込み型光導波路１１０を用意す
る。これは、厚さ１ｍｍのシリコン基板１０の上面に層
厚約７０μｍの導波層６０が形成されたものである。こ
こで、導波層６０は、シリコン基板１０上に積層された
石英ガラスからなるクラッド層２０と、このクラッド層
２０に埋設され、クラッド層２０よりも高屈折率の１×
８分岐型のコア部３０（断面寸法は８×８μｍ。）とか
ら構成されている。クラッド層２０は、基板１０の上面
に積層された下部クラッド層２１とこの上に積層された
上部クラッド層２２とから構成されている。
明する。図２および図３は、この作製方法を説明する工
程図である。まず、図２のように、光導波路１００の作
製の土台となる通常の埋込み型光導波路１１０を用意す
る。これは、厚さ１ｍｍのシリコン基板１０の上面に層
厚約７０μｍの導波層６０が形成されたものである。こ
こで、導波層６０は、シリコン基板１０上に積層された
石英ガラスからなるクラッド層２０と、このクラッド層
２０に埋設され、クラッド層２０よりも高屈折率の１×
８分岐型のコア部３０（断面寸法は８×８μｍ。）とか
ら構成されている。クラッド層２０は、基板１０の上面
に積層された下部クラッド層２１とこの上に積層された
上部クラッド層２２とから構成されている。
【００２０】この光導波路１１０は、シリコン基板１０
上に層厚３０μｍの下部クラッド層２１となるべき石英
ガラス層を積層し、次いでこれより高屈折率の石英ガラ
ス層を積層してから反応性イオンエッチングでパターニ
ング加工を施してコア部３０を形成し、さらに層厚３０
μｍの上部クラッド層２２となる石英ガラス層を積層す
ることにより作製することができる。各ガラス層は、火
炎堆積法を用いてガラス微粒子層を堆積させた後、この
微粒子層を焼結炉で加熱してから除冷して透明ガラス化
することにより形成することができる。
上に層厚３０μｍの下部クラッド層２１となるべき石英
ガラス層を積層し、次いでこれより高屈折率の石英ガラ
ス層を積層してから反応性イオンエッチングでパターニ
ング加工を施してコア部３０を形成し、さらに層厚３０
μｍの上部クラッド層２２となる石英ガラス層を積層す
ることにより作製することができる。各ガラス層は、火
炎堆積法を用いてガラス微粒子層を堆積させた後、この
微粒子層を焼結炉で加熱してから除冷して透明ガラス化
することにより形成することができる。
【００２１】次に、後に行うエッチングによりクラッド
層２０の一部を除去するとともにコア部３０をクラッド
部２５とともに分断する溝５０を形成すべく、図３のよ
うに、クラッド層２０の上面に感光性レジスト膜を塗付
してフォトリソグラフィによりレジストパターン７０を
形成する。このレジストパターン７０には、コア部３０
およびクラッド部２５の両側のクラッド層２０を除去す
るための開口７５が設けられている。コア部３０の上方
に位置するパターン７０は、コア部３０の近傍のクラッ
ド層２０をエッチングから保護してクラッド部２５を形
成するために、コア部３０の幅（８μｍ）よりも幅広の
帯状パターン７１となっている。この帯状パターン７１
の幅は約５０μｍである。また、帯状パターン７１の途
中には、このパターンを分断する小さな開口７６が形成
されている。これは、導波路部４０に分断溝５０を形成
するためのものである。
層２０の一部を除去するとともにコア部３０をクラッド
部２５とともに分断する溝５０を形成すべく、図３のよ
うに、クラッド層２０の上面に感光性レジスト膜を塗付
してフォトリソグラフィによりレジストパターン７０を
形成する。このレジストパターン７０には、コア部３０
およびクラッド部２５の両側のクラッド層２０を除去す
るための開口７５が設けられている。コア部３０の上方
に位置するパターン７０は、コア部３０の近傍のクラッ
ド層２０をエッチングから保護してクラッド部２５を形
成するために、コア部３０の幅（８μｍ）よりも幅広の
帯状パターン７１となっている。この帯状パターン７１
の幅は約５０μｍである。また、帯状パターン７１の途
中には、このパターンを分断する小さな開口７６が形成
されている。これは、導波路部４０に分断溝５０を形成
するためのものである。
【００２２】次いで、レジストパターン７０をマスクと
して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、開口７
５および７６の下のクラッド層２０およびコア部３０を
除去してシリコン基板１０の表面を露出させる。エッチ
ングガスはＣ2 Ｆ6 、その流量は５０ｓｃｃｍ、雰囲気
圧は５Ｐａとする。このＲＩＥは異方性エッチングであ
るので、クラッド層２０およびコア部３０の除去はシリ
コン基板１０の表面にほぼ垂直に進行する。
して反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、開口７
５および７６の下のクラッド層２０およびコア部３０を
除去してシリコン基板１０の表面を露出させる。エッチ
ングガスはＣ2 Ｆ6 、その流量は５０ｓｃｃｍ、雰囲気
圧は５Ｐａとする。このＲＩＥは異方性エッチングであ
るので、クラッド層２０およびコア部３０の除去はシリ
コン基板１０の表面にほぼ垂直に進行する。
【００２３】これにより、図１のように、コア部３０の
両側においてクラッド層２０の一部がコア部３０に沿っ
て除去され、コア部３０およびこれを被覆するクラッド
部２５からなる導波路部４０が形成される。これと同時
に、開口７６の下方のクラッド部２５およびコア部３０
が除去されて、この導波路部４０を分断する溝５０が形
成される。これにより、Ｙ分岐部を含む導波路部４１が
他の導波路部から分離される。こうして、本実施例の光
導波路１００が完成する。
両側においてクラッド層２０の一部がコア部３０に沿っ
て除去され、コア部３０およびこれを被覆するクラッド
部２５からなる導波路部４０が形成される。これと同時
に、開口７６の下方のクラッド部２５およびコア部３０
が除去されて、この導波路部４０を分断する溝５０が形
成される。これにより、Ｙ分岐部を含む導波路部４１が
他の導波路部から分離される。こうして、本実施例の光
導波路１００が完成する。
【００２４】なお、上記の作製方法では、導波路部４０
を分断する溝５０をＲＩＥで形成しているが、この代わ
りに、ダイシングによる研削加工により形成することも
できる。
を分断する溝５０をＲＩＥで形成しているが、この代わ
りに、ダイシングによる研削加工により形成することも
できる。
【００２５】図４は、図１のＡ−Ａ′線に沿った断面図
である。この図のように、導波路部４０はその両側のク
ラッド層２０から分離されており、これにより、コア部
３０の内部応力が解放される。
である。この図のように、導波路部４０はその両側のク
ラッド層２０から分離されており、これにより、コア部
３０の内部応力が解放される。
【００２６】図５および図６は、これを説明するための
模式図である。図５のように、クラッド層２０の一部が
コア部３０に沿って除去されていない場合は、コア部３
０を取り囲む上部クラッド層２２および下部クラッド層
２１からコア部３０に光軸と交差する方向に沿った膜応
力が付与されており、コア部３０に内部応力が発生して
いる。これにより、光導波路は湾曲する。これらの応力
は、コア部３０やクラッド層２０を透明ガラス化する際
の除冷時に、シリコン基板１０を構成するシリコンとコ
ア部３０やクラッド層２０を構成する石英ガラスとの熱
膨張率の差に起因して生じる。
模式図である。図５のように、クラッド層２０の一部が
コア部３０に沿って除去されていない場合は、コア部３
０を取り囲む上部クラッド層２２および下部クラッド層
２１からコア部３０に光軸と交差する方向に沿った膜応
力が付与されており、コア部３０に内部応力が発生して
いる。これにより、光導波路は湾曲する。これらの応力
は、コア部３０やクラッド層２０を透明ガラス化する際
の除冷時に、シリコン基板１０を構成するシリコンとコ
ア部３０やクラッド層２０を構成する石英ガラスとの熱
膨張率の差に起因して生じる。
【００２７】一方、図６のように、コア部３０に沿って
クラッド層２０の一部を除去することにより、両側のク
ラッド層２０から分離された導波路部４０が形成されて
いると、両側のクラッド層２０から膜応力を付与されず
にすむので、コア部３０の内部応力のうち光軸と交差す
る方向のものが低減される。また、基板１０の湾曲量も
低減される。
クラッド層２０の一部を除去することにより、両側のク
ラッド層２０から分離された導波路部４０が形成されて
いると、両側のクラッド層２０から膜応力を付与されず
にすむので、コア部３０の内部応力のうち光軸と交差す
る方向のものが低減される。また、基板１０の湾曲量も
低減される。
【００２８】次に、図７は、図１のＡ−Ａ′線に直交す
る方向に沿った光導波路１００の断面図であり、特に導
波路部４０の断面構造を示すものである。この図のよう
に、光導波路１００ではコア部３０を分断する溝５０が
形成されて、導波路部４０の一部が他の部分から分離さ
れており、これによってもコア部３０の応力が低減され
る。
る方向に沿った光導波路１００の断面図であり、特に導
波路部４０の断面構造を示すものである。この図のよう
に、光導波路１００ではコア部３０を分断する溝５０が
形成されて、導波路部４０の一部が他の部分から分離さ
れており、これによってもコア部３０の応力が低減され
る。
【００２９】図８および図９は、これを説明するための
模式図である。図８のように、導波路部４０を分断する
溝５０が形成されていない場合は、上部クラッド層２２
および下部クラッド層２１からコア部３０に光軸に沿っ
た方向の膜応力が付与されており、コア部３０に内部応
力が発生している。
模式図である。図８のように、導波路部４０を分断する
溝５０が形成されていない場合は、上部クラッド層２２
および下部クラッド層２１からコア部３０に光軸に沿っ
た方向の膜応力が付与されており、コア部３０に内部応
力が発生している。
【００３０】一方、図９のように、導波路部４０の一部
に溝５０が形成されて導波路部４０の一部が他の部分か
ら分離されていると、両側の導波路部４０から膜応力を
うけないですむので、これによってコア部３０の内部応
力のうち光軸方向に沿ったものが低減され、基板１０の
湾曲量も低減される。
に溝５０が形成されて導波路部４０の一部が他の部分か
ら分離されていると、両側の導波路部４０から膜応力を
うけないですむので、これによってコア部３０の内部応
力のうち光軸方向に沿ったものが低減され、基板１０の
湾曲量も低減される。
【００３１】このように、本実施例の光導波路１００で
は、コア部３０の内部応力のうち、光軸と交差する方向
のものだけでなく、光軸に沿った方向のものも低減され
ているので、コア部３０の内部応力は著しく低減されて
いる。これにより光弾性効果による屈折率の異方性が低
減する結果、光導波路１００の偏光特性（ＰＤＬ）は極
めて小さくなるので、光導波路１００は光ファイバ通信
線路において好適な使用が可能である。
は、コア部３０の内部応力のうち、光軸と交差する方向
のものだけでなく、光軸に沿った方向のものも低減され
ているので、コア部３０の内部応力は著しく低減されて
いる。これにより光弾性効果による屈折率の異方性が低
減する結果、光導波路１００の偏光特性（ＰＤＬ）は極
めて小さくなるので、光導波路１００は光ファイバ通信
線路において好適な使用が可能である。
【００３２】さらに、本実施例では、光機能部分である
Ｙ分岐部を含む導波路部４１が互いに他の導波路部４１
から分離されており、内部応力が光機能に及ぼす影響が
著しく低減されている。
Ｙ分岐部を含む導波路部４１が互いに他の導波路部４１
から分離されており、内部応力が光機能に及ぼす影響が
著しく低減されている。
【００３３】なお、本発明は上記実施例に限られるもの
でなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施例
の光導波路１００の分断溝５０に屈折率整合剤を流入し
て、これを分断溝５０を挟んで対向するコア部３０の二
つの部分の間に介在させると、双方の間の間隙から光が
放射するのを抑えて、導波光の放射損失を低減すること
ができる。
でなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施例
の光導波路１００の分断溝５０に屈折率整合剤を流入し
て、これを分断溝５０を挟んで対向するコア部３０の二
つの部分の間に介在させると、双方の間の間隙から光が
放射するのを抑えて、導波光の放射損失を低減すること
ができる。
【００３４】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明の光
導波路では、コア部およびクラッド部が周囲のクラッド
層から分離され、さらにこのコア部の一部およびこれを
被覆するクラッド部の一部が他の部分から分離されてい
るので、この分離されたコア部およびクラッド部の内部
応力は著しく低減される。これにより、偏光特性の極め
て小さい光導波路を実現することができる。
導波路では、コア部およびクラッド部が周囲のクラッド
層から分離され、さらにこのコア部の一部およびこれを
被覆するクラッド部の一部が他の部分から分離されてい
るので、この分離されたコア部およびクラッド部の内部
応力は著しく低減される。これにより、偏光特性の極め
て小さい光導波路を実現することができる。
【００３５】他の部分から分離されたコア部およびクラ
ッド部が、光導波路のうち光機能部分を含んでいると、
内部応力が光機能に及ぼす影響が低減されるので、本発
明の光導波路は優れた光機能素子となる。
ッド部が、光導波路のうち光機能部分を含んでいると、
内部応力が光機能に及ぼす影響が低減されるので、本発
明の光導波路は優れた光機能素子となる。
【００３６】コア部およびクラッド部を分断する溝を挟
んで対向する二つの部分の間に屈折率整合剤が介在して
いると、導波光の放射損失が低減されるので、本発明の
光導波路はさらに好適なものとなる。
んで対向する二つの部分の間に屈折率整合剤が介在して
いると、導波光の放射損失が低減されるので、本発明の
光導波路はさらに好適なものとなる。
【００３７】このように、本発明の光導波路は優れた性
能を有するので、これを通信用の光ファイバと接続して
使用すれば光ファイバ通信線路の信頼性を高めることが
できる。
能を有するので、これを通信用の光ファイバと接続して
使用すれば光ファイバ通信線路の信頼性を高めることが
できる。
【図１】実施例の光導波路を示す全体斜視図である。
【図２】実施例の光導波路の作製方法を示す第１の工程
図である。
図である。
【図３】実施例の光導波路の作製方法を示す第２の工程
図である。
図である。
【図４】実施例の光導波路を示す第１の断面図である。
【図５】光導波路の光軸に交差する方向に沿った応力を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図６】光導波路部の応力の低減を示す図である。
【図７】実施例の光導波路を示す第２の断面図である。
【図８】光導波路の光軸に沿った方向の内部応力を示す
模式図である。
模式図である。
【図９】光導波路部の応力の低減を示す図である。
１０…シリコン基板、２０…クラッド層、２１…下部ク
ラッド層、２２…上部クラッド層、３０…コア部、４０
…導波路部、４１…Ｙ分岐部を含む導波路部、５０…
溝、６０…導波層、７０…レジストパターン、７５およ
び７６…開口、１００…実施例の光導波路。
ラッド層、２２…上部クラッド層、３０…コア部、４０
…導波路部、４１…Ｙ分岐部を含む導波路部、５０…
溝、６０…導波層、７０…レジストパターン、７５およ
び７６…開口、１００…実施例の光導波路。
Claims (3)
- 【請求項１】基板の上面に積層されたクラッド層と、こ
のクラッド層に埋設された、このクラッド層よりも高屈
折率のコア部とを備える光導波路において、 前記コア部の両側において前記クラッド層の一部が前記
コア部に沿って除去されており、 前記クラッド層のうち前記コア部を被覆するクラッド部
および前記コア部には、このコア部および前記クラッド
部を分断する溝が形成されていることを特徴とする光導
波路。 - 【請求項２】 前記コア部および前記クラッド部を分断
する溝により他の部分から分離された前記コア部の一部
およびこれを被覆する前記クラッド部の一部は、光機能
部分を含むことを特徴とする請求項１記載の光導波路。 - 【請求項３】 前記コア部および前記クラッド部を分断
する溝を挟んで対向する前記コア部の二つの部分の間に
屈折率整合剤が介在していることを特徴とする請求項１
記載の光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16249394A JP3617853B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16249394A JP3617853B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0829632A true JPH0829632A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3617853B2 JP3617853B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=15755673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16249394A Expired - Fee Related JP3617853B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3617853B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6810160B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-10-26 | Fujitsu Limited | Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring |
-
1994
- 1994-07-14 JP JP16249394A patent/JP3617853B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6810160B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-10-26 | Fujitsu Limited | Optical wiring substrate, method of manufacturing optical wiring substrate and multilayer optical wiring |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3617853B2 (ja) | 2005-02-09 |
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