JPH08298251A

JPH08298251A - 薄板の製造方法

Info

Publication number: JPH08298251A
Application number: JP18787295A
Authority: JP
Inventors: Fumihiko Hasegawa; 文彦長谷川; Hitoshi Misaka; 仁三阪; Toshihiro Tsuchiya; 敏弘土屋
Original assignee: Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin-Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 1995-02-28
Filing date: 1995-06-30
Publication date: 1996-11-12
Also published as: EP0729815A1; US5918587A

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】ロッド状インゴットから半導体ウエーハ等の
薄板を製造するに際し、薄板切り出しのための余分な切
断代を必要とせず、材料の消耗量が少なく、切断後の反
りや加工変質層の発生がなく高品質で、かつ作業環境の
悪化を来さない薄板の切断方法を提供する。【構成】ロッド状インゴットの外周に切削あるいは研
削加工を施して円柱体インゴットを得、これに所定ピッ
チでその長手方向に複数個の環状溝を刻設して環状溝付
円柱体を形成し、各溝に薄板材の破断強さ以上の応力を
附与して溝底の横断面毎に切断する。また、環状溝付円
柱体を加熱後、噴出ノズルからの冷却水により、加工側
端面の外周部から中心部へ向かって一挙に冷却する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、内周刃スライサーやワ
イヤソー等の切断装置を用いずに、半導体材料からなる
ロッド状インゴットを切断して半導体ウエーハ等の薄板
を製造する薄板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、ロッド状のシリコン単結晶イ
ンゴットから半導体ウエーハのような薄板を切り出す方
法として、内周に固定砥粒を有するドーナツ状の薄肉内
周刃によりウエーハを切り出す、例えば、特開平３−１
４２９２８号（第１従来技術）に示される方法や、ワイ
ヤソーによる切断方法等が提供されている。

【０００３】ワイヤソーによる切断方法は、現在まで種
々の手法に係るものが多数提供され汎用化されている
が、そのうちの１つとして特開平３−２３９５０７号
（第２従来技術）の方法がある。

【０００４】これは、ワイヤソーによる切断の際に、砥
粒を切削液に加えて遊離砥粒として用い、加工液のｐＨ
を７．５〜９．０の範囲とし、インゴットからウエーハ
の切り出しを行う方法である。

【０００５】また前記第１、第２従来技術のような切断
装置を用いた切断方法とは別に、液圧を利用してガラス
やセラミックスに代表される硬脆性材料を切断しようと
する側圧切断法（第３従来技術）が近年開示されている
（精密工学会誌Ｖｏｌ．６０，Ｎｏ．２，１９９４）。
この側圧切断法とは、ワークの側面に圧力を加える事に
より、ワークに発生する内部応力を利用した切断方法で
あり、その加工原理を図５に基づいて説明するに、５０
は切断しようとする円筒状のインゴット（ワーク）、５
１はインゴット５０を支持する内周側に介装したＯリン
グ５２によりインゴット５０を軸方向に移動可能に支持
する圧力容器で、その外部よりインゴット５０を配設し
た容器内の中央部に向け注油口５１ａを設けている。

【０００６】かかる装置によれば、前記２個のＯリング
５２により圧油の漏れを防止した状態で、注油口５１ａ
より圧力容器５１内に、内圧Ｐをかければインゴット５
０は両端が自由の状態で２個のＯリング間で側圧Ｐを受
け、側圧Ｐがある値に達すればインゴットの一つの横断
面で切断が瞬時に起きる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記第
１、第２従来技術のような切断方法にあっては、切断代
が必要であるため、インゴットからのウエーハ切り出し
の際において、切断代の分が無駄となって、材料（イン
ゴット）の消耗量が多くなり、コスト高の原因となる。

【０００８】特に第１従来技術に係る内周刃スライサー
では、切断された後のウエーハに、大きな反りや加工変
質層が存在し、それを改良した第２従来技術に係るワイ
ヤソーの場合でも反りの発生は避けられず、また砥粒を
用いて切断するので、切断後のウエーハに加工変質層が
存在する。しかるに製品は、高度の平坦度と無歪状態が
要求されるので、後工程でその分の除去が必要である。

【０００９】また、第１従来技術のような内周刃による
切断方法においては、切断作業時に使用する冷却液の飛
散による作業環境の悪化という問題があり、このことは
第２従来技術のワイヤソーの場合でも、遊離砥粒を含む
切削液を使用するので、その飛散による同様の問題が存
在する。

【００１０】さらに第３従来技術に係る側圧切断法にお
いては、前記第１、第２従来技術に係る切断装置による
切断法のような問題点はほぼ解消されるが、Ｏリング５
２間の圧力容器５１内のインゴット５０の内部応力の最
も弱い値で切断され、いずれの位置で切断されるか不明
であり、しかも均一な厚さを有する薄板の製造には不向
きである。

【００１１】即ち、本発明の目的は、薄板切り出しのた
めの余分な切断代を必要とせず、材料の消耗量が少な
く、切断後の反り、加工変質層や残留歪の発生がなく、
かつ作業環境の悪化をもたらさない薄板の製造方法を提
供することである。また、本発明の他の目的は、所定厚
みの薄板、特に半導体ウエーハを精度よく確実に非接触
で切断が可能な薄板の製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、内部応力を破
断強さ以上に上昇せしめることによって切断を行う薄板
の製造方法であり、次の点を特徴とするものである。即
ち本発明は、ロッド状インゴットの外周に切削あるいは
研削加工を施し軸方向に等径に形成した後、所定ピッチ
でその長手方向に複数個の環状溝を刻設して環状溝付円
柱体を形成し、前記各環状溝にインゴット溝底直径の破
断強さ以上の応力を附与して溝底の横断面毎に薄板（ウ
エーハ）を切断製造することにある。

【００１３】そして前記破断強さ以上の応力を附与する
手法として、熱衝撃を溝部に加える手法、前記環状溝部
にせん断力を加える手法、前記インゴットの長手方向に
引張力を加える手法、及びこれらの手法を組合せて応力
を附与することが出来る。

【００１４】また、前記破断強さ以上の応力を附与する
具体的手法として、前記インゴットに環状溝を刻設した
環状溝付円柱体の外周部を加熱し、前記円柱体の加工側
端面の外周部から中心部へと順に冷却水を吹き付けて急
冷し、薄板を切断する手法を用いる。

【００１５】さらに前記具体的手法として、好ましく
は、前記環状溝付円柱体の加工側端面から一定距離を存
し、かつ該円柱体中心線の延長線上近傍に冷却水の噴出
ノズルを配置し、前記円柱体の加熱後、前記噴出ノズル
を該円柱体の中心線方向に移動させながら、該円柱体の
加工側端面の外周部から中心部へと順に冷却水を吹き付
けて急冷し、薄板を切断する手法を用いる。

【００１６】

【作用】半導体材料からなるロッド状インゴットの外周
を円筒研削盤による研削等により仕上げ、外周が軸方向
に等径の円柱状インゴットを形成する。これによりイン
ゴット断面方向に生じる破断強さの一定化がなされる。
次に円柱体インゴットの長手方向に沿って一定ピッチで
複数個の環状溝を刻設し、その部分の破断強さを低下さ
せるための環状溝付円柱体を形成する。

【００１７】次いで、この環状溝付円柱体を熱衝撃附与
設備、せん断力または引張力付与設備、若しくはこれら
の付与設備を組合せた設備に装着し、（１）環状溝部に熱衝撃を附与する。（２）環状溝部にせん断力を加える。（３）環状溝付円柱体の長手方向に引張力を加える。等の手法により該円柱体の環状溝部に溝底直径の破断強
さ以上の応力を附与して環状溝付円柱体を溝部断面方向
に一気に切断する。

【００１８】また、円柱体インゴットの外周に環状溝を
刻設してなる環状溝付円柱体に破断強さ以上の応力を附
与する前記具体的手法によれば、該円柱体の外周を電熱
コイル等の加熱手段により加熱し、前記円柱体の中心延
長線上に配置した噴出ノズルにより、該ノズルを軸方向
に移動させながら冷却水をコーン状に噴出せしめ、円柱
体の加工側端面の外周部から中心部へと順に冷却水を吹
き付けて全断面を一気に急冷し、大応力を発生させ迅速
に薄板を切断せしめる。

【００１９】以上の切断方法によれば、従来の内周刃や
ワイヤ等の工具切り込み用の切断代が不要であり、か
つ、工具による切り込みが不要であるので、切断や切削
による反り、加工変質層や残留歪の発生が無く、さらに
冷却液や切削液の使用がないので、作業環境も良好であ
る。また、従来の側圧切断法と異なり、インゴットに環
状溝を刻設して、その部分の破断強さを低下させている
ために、所定厚みのウエーハが精度よく製造できる。ま
た、前記環状溝を刻設する前のインゴット外径は等径に
形成されているために、前記環状溝以外の箇所より破断
が生じる恐れを完全に解消し得る。

【００２０】また、本発明は第３従来技術（図５）に示
すような流体圧を用いた側圧切断ではなく、熱衝撃若し
くはせん断力または引張力である為に、簡単な構成で破
断応力の付与が可能である。特に熱衝撃の場合、環状溝
部のみに局部的に応力付与が可能であるために、一層精
度よい破断切断が可能となる。また、熱衝撃の場合はイ
ンゴットに熱付与が行われるために、アニール処理も兼
用することができる。

【００２１】さらに前記破断強さ以上の応力を附与する
具体的手法によれば、環状溝付円柱体の薄板採取側（加
工側）端面の外周の溝部に集中的に加熱冷却の繰り返し
熱負荷を附与し、噴出ノズルを移動させることにより、
この熱負荷を前記円柱体の外周部から中心部寄りに移す
ことができるので、該円柱体の外周溝底に大応力が発生
してこの部位に亀裂が生じ、これが外周部から、一挙に
中心部へと移って、速やかに全面破断となり、速い加工
速度で以て薄板の製造が可能になる。

【００２２】また、前記のように形成された薄板は、予
め前記環状溝により表裏両面を面取り状に形成させるこ
とによって、後工程で面取りを行う必要をなくすか、面
取り工程を簡略化することが出来る。尚、本発明は、特
に半導体材料からなるロッド状インゴットより半導体ウ
エーハを製造する場合に有効であるが、このインゴット
は単結晶若しくは多結晶のいずれであってもよい。

【００２３】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されてい
る構成部品の寸法、材質、形状、その相対位置などは特
に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれの
みに限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。

【００２４】図１は本発明の実施例に係る半導体材料か
らなるロッド状インゴットから半導体ウエーハのような
薄板の切り出し工程を示す構成図、図２は第１実施例に
係る薄板の切断装置を示す要部断面図である。図１に
は、たとえば、ロッド状のシリコン単結晶インゴットか
ら、外周に溝加工を施した中間加工体を得るまでの工程
を示す。図１（Ａ）はシリコンの溶融体から引き上げた
シリコン単結晶のロッド状インゴット１を示す。

【００２５】次いで、図１（Ｂ）に示すように、このロ
ッド状インゴット１の外周面２ａ及び両端面２ｂに、円
筒研削盤等の研削盤にて研削仕上げを施し、表面が平滑
面に仕上げられた軸方向に等径の円柱体インゴット２を
得る。

【００２６】次いで、図１（Ｃ）に示すように、前記円
柱体インゴット２の外周に、該円柱体インゴット２の長
手方向に沿って多数の環状溝３を総形バイト、砥石等に
より刻設し、環状溝付円柱体４を得る。該環状溝３のピ
ッチｔは最終的に切り出される薄板の厚さを基準にして
定める。

【００２７】前記環状溝３は、溝底周辺に応力集中を生
起する程度の大きさであれば充分であり、幅広に採り過
ぎると該環状溝３を除去するための後加工を要する。前
記環状溝３は、図１（Ｃ）に示されるように後工程の面
取り機能をもたせるために、また精度よくその部分より
切断が可能になるようにＶ字形状とすることが好まし
い。

【００２８】図２は、次工程の切断工程の１つである熱
衝撃、及びせん断力または引張力付与による切断装置１
００の第１実施例の構成図を示す。図２において１０は
保持ケース、１１は該保持ケース１０内にしまり嵌めさ
れた円筒状の加熱体であり、該加熱体１１の内周には図
１（Ｃ）に示される溝加工工程で得られた環状溝付円柱
体４が滑合される。１６は加熱体１１の外周部に嵌装さ
れたシール用の金属Ｏリングである。前記加熱体１１は
導線１７を介して通電されており、通電により高温に昇
温せしめられるようになっている。

【００２９】１２は切断具であり、これの端部に穿設さ
れた支持穴１２ａ内に前記環状溝付円柱体４の端部が溝
１つ分嵌合される。尚環状溝付円柱体４は前記支持穴１
２ａに嵌合後、脱落を防止するため、その端部と支持穴
の底面１２ｂとを接着剤により仮接着せしめる。この接
着剤は、後記する加熱工程により、最終的には分離除去
されてしまい、後工程において切断された薄板を支持穴
１２ａ内から取り出す際に何の障害となる事もないよう
な材料を使用する。

【００３０】前記切断具１２は図示しないが加熱手段に
より支持ヘッド部１２ｄが加熱可能とされるとともに、
図２に示すせん断力Ｆを附与するべく、その軸直角方向
（環状溝付円柱体４の軸心線４１に直角な方向）に往復
動可能に構成されている。

【００３１】１５は移送スピンドルであり、内部ケース
１８内に往復動可能に嵌合され、図２のＸ矢方向に変位
して環状溝付円柱体４を切断具１２側へと送り出すよう
に構成される。１３は熱衝撃付与用の水供給ダクトであ
り、環状の水室を有し、水パイプ１７より冷却用の水が
導入される。１４は前記水供給ダクト１３の円周方向に
スリット状若しくは等間隔に複数箇所設けられた水噴出
用のノズルであり、前記保持ケース１０及び加熱体１１
の端面と切断具１２の端面との間に形成される間隙部１
９に向けて開口されている。

【００３２】前記のように構成された切断装置１００は
複数台並置されており、該切断装置１００により図１
（Ｃ）に示す前工程にて加工された環状溝付円筒体４は
次の手順により切断加工を施される。環状溝付円柱体４
を加熱体１１内に嵌合し、移送スピンドル１５によりそ
の先端部の環状溝３が図２に示すように間隙部１９の中
心に位置するようセットする。

【００３３】次いで、加熱体１１に通電してこれを昇温
せしめるとともに、支持ヘッド部１２ｄも図示しない加
熱手段により加熱して、環状溝付円柱体４を所望の高
温、例えばアニール温度と対応する５００〜１０００℃
前後に昇温せしめる。

【００３４】次いで、水供給ダクト１３への開閉弁２０
を開き、水をノズル１４から前記環状溝部３に向けて噴
出せしめその部分を急冷する。この高温加熱→急冷によ
る熱衝撃を受けると、前記円柱体４の環状溝部３の底部
は応力集中係数が大きいことから該部に環状溝付円柱体
４の材料であるシリコンの破断強さを超える内部応力が
発生し、この円柱体４は水で冷却された部位の溝底をノ
ッチとして、軸心線４１に直角な断面で一挙に切断せし
められる。

【００３５】さらに、上記熱衝撃と同時に単独に切断具
１２を軸心線４１に直角方向に移動せしめてせん断力Ｆ
を附与すれば、環状溝付円柱体４は環状溝３の断面から
容易にかつ一挙に切断される。切断された薄板は、切断
具１２を例えば図２のＷ方向に移動せしめた後、接着部
を剥ぎ取り、切断具１２から取り外す。

【００３６】前記切断の際において、加熱体１１により
加熱後切断して切り出された薄板は、その取り外し工程
が完了するまでに放冷せしめられるので、その過程でド
ナー消去のような熱処理を行なうことができる。

【００３７】前記の切断法に好適な半導体材料は、切断
時に一挙に切断される性質を有することが要求され、本
実施例のような単結晶シリコンのみならず多結晶シリコ
ンインゴットにも応用が可能である。

【００３８】前記のような、環状溝付円柱体４の切断か
ら薄板の取り外しまでの動作を複数組の切断装置１００
について、一定時間差を置いて、途切れることなく施行
する。尚、環状溝付円柱体４の切断方法としては、前記
熱衝撃及びせん断力による切断の他に、環状溝付円柱体
の一端を固定し、他端から軸心線４１のＷ方向に引張力
を附与して環状溝部３に円柱体材料（シリコン）の破断
強さを超える引張応力を発生せしめ、環状溝部３の断面
から一挙に切断せしめる方法も採用できる。

【００３９】前記の工程により環状溝付円柱体４から切
り出された薄板は、ラッピングやエッチングを施した
後、公知のバフによる面取り部研磨、裏面処理、表面研
磨等の所定の仕上げ加工を施されて最終製品となる。
尚、Ｖ字形状の環状溝３の面を予め面取り部形状とする
ことにより、面取り加工工程を省略することも出来る。

【００４０】図３及び図４は、第２実施例に係るインゴ
ットの切断装置２００の構成図を示す。図３、図４にお
いて、４は図１（Ｃ）に示されるインゴットの外周に環
状溝３が刻設された環状溝付円柱体、２１は切断装置本
体、２４はワーク繰出機構、２５は該繰出機構２４のワ
ーク固定用チャックであり、該円柱体４は上記本体２１
内の所定加工位置に、繰出機構２４のチャック２５の下
面に吸着されて取付けられる。

【００４１】２７は前記環状溝付円柱体４の外周を、そ
の全長に亘って囲むように設けられた加熱コイル（電熱
コイル）、２６は切断後の薄板（ウエーハ）を取出すた
めのウエーハキャリアである。また２２は前記環状溝付
円柱体４の下部に設置された冷却水の噴出ノズル、２３
は該噴出ノズル２２を昇降駆動せしめるノズル昇降機構
である。

【００４２】前記噴出ノズル２２は、その中心を前記環
状溝付円柱体４の軸心線４１の延長線上に配置され（軸
心線４１と若干ずれても可）、前記のようにノズル昇降
機構２３により環状溝付円柱体４の軸方向（上下方向）
に移動自在に構成され、その中心部に冷却水Ｚの噴出口
２２ａを備えている。この噴出口２２ａは図３、図４に
示されるように、冷却水Ｚがコーン状に噴出するように
形成されている。

【００４３】次に図２、図３に示される切断装置２００
を用いた環状溝付円柱体４の切断方法につき説明する。
ワーク繰出機構２４により前記環状溝付円柱体４を切断
装置本体２１内の所定の加工位置に取付け、チャック２
５にて固定する。

【００４４】次いで、加熱コイル２７に通電して環状溝
付円柱体４をこれの外周から、円柱体のアニール温度に
対応する温度程度まで加熱昇温（例えばシリコンウエー
ハ用としての円柱体４の場合５００〜１０００℃程度
に）せしめる。

【００４５】次いで噴出ノズル２２から冷却水Ｚを環状
溝付円柱体４の下方、即ちその加工側端面からコーン状
に噴出させ、該円柱体４に吹き付ける。この場合、噴出
ノズル２２は、ノズル昇降機構２３により、最初冷却水
Ｚが環状溝付円柱体４の加工側端面の外円部（環状溝部
３）に吹き付けられるように、該円柱体４から離れた位
置に設定され、この位置から冷却水Ｚを噴出しながら上
昇せしめられ、冷却水Ｚの環状溝付円柱体４への吹き付
け点を中心側に移行せしめる。

【００４６】上記のような加熱、冷却を繰り返すことに
より、先ず環状溝付円柱体４の環状溝部３に亀裂が生ず
る。そして、噴出ノズル２２を図４の２２ａ→２２ｂの
ように、環状溝付円柱体４に近づけていくに従い、コー
ン状に噴出される冷却水Ｚの環状溝付円柱体端面４ｂへ
の吹き付け点が外周の環状溝部３から中心側へと移り、
高応力発生部もこれに従い外周から中心部へと移ってい
き、環状溝部３を含む断面全体の応力が破断強さを超
え、環状溝付円柱体４の加工側端面より一挙に薄板が切
断される。

【００４７】即ち、この実施例においては冷却水Ｚの環
状溝付円柱体４への吹き付け点を、噴出ノズル２２を、
環状溝付円柱体４の軸方向に移動させながら該円柱体４
の外周から中心部へと移動せしめるので、断面全体を迅
速に高応力状態とならしめることができ、速い加工速度
で以て、薄板の製造が可能になる。

【００４８】

【発明の効果】以上記載のごとく本発明によれば、円柱
体インゴットの外周の長手方向に沿って複数個の環状溝
を所定ピッチで刻設し、インゴット溝底直径の破断強さ
以上の内部応力を溝部に附与して溝底の横断面にて切断
するので、従来の内周刃やワイヤ等の工具切込用の切断
代が不要となり、材料の消耗量が低減され低コスト化が
図れる。また、工具による切り込みが不要であるので、
従来の方法のように切削、研削による反りや加工変質層
の発生が無いか、あってもわずかで、均質な薄板を切り
出すことができる。

【００４９】さらに冷却液や、砥粒を懸濁させる切削液
の使用が不要であるので、これら液体の飛散による作業
環境の悪化が無く、良好な作業環境のもとでウエーハ等
の薄板製造を行うことができる。

【００５０】また、請求項２の発明によれば、前記破断
強さ以上の内部応力を附与する手法として環状溝付きイ
ンゴットに熱衝撃を附与するので、加熱操作を施したイ
ンゴットを水冷後、最終的に空気で徐冷することなり、
インゴットから切り出したウエーハ等の薄板にアニール
効果を与えることができ、後工程でのウエーハ熱処理が
省略できる。

【００５１】また、本発明は図５に示すような流体圧を
用いた側圧切断ではなく、熱衝撃若しくはせん断力又は
引張力である為に、簡単な構成で破断応力の付与が可能
である。特に熱衝撃の場合溝部のみに局部的に応力付与
が可能であるために、一層精度よい破断切断が可能とな
る。また、熱衝撃の場合インゴットに熱付与が行われる
ために、アニール処理も兼用することができる。

【００５２】さらに請求項３及び４の発明によれば、噴
出ノズルを軸方向に移動させて環状溝付円柱体の加工側
端面の外周溝部から中心部へと冷却水到達点を移すこと
により、熱衝撃による破断が迅速に行われ、かつ局部冷
却でないので平滑な破断面が得られる。これにより、速
い加工速度で以て薄板の製造が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１、第２実施例に係る半導体ウエー
ハの切り出し工程を示す構成図。

【図２】本発明の第１実施例に係る切断装置の要部断面
図。

【図３】本発明の第２実施例に係る切断装置の全体構造
図。

【図４】前記第２実施例におけるインゴット切断部の拡
大断面図。

【図５】従来技術に係る側圧切断法の原理図を示す。

【符号の説明】

１、２インゴット３環状溝４環状溝付円柱体１１加熱体１２切断具１３水供給ダクト１４ノズル２１切断装置本体２２噴出ノズル２３ノズル昇降機構２４ワーク繰出機構２５チャック２７加熱コイル 100、200 切断装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者土屋敏弘福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地信越半導体株式会社半導体白河研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ロッド状インゴットを切断して薄板を製
造する方法であって、前記ロッド状インゴットの外周を
機械加工により軸方向に等径に形成した後、所定ピッチ
でその長手方向に複数個の環状溝を刻設して環状溝付円
柱体を形成し、前記環状溝にインゴット溝底直径の破断
強さ以上の応力を附与して溝底の横断面毎に薄板を切断
することを特徴とする薄板の製造方法。
【請求項２】前記破断強さ以上の応力を附与する手法
として、熱衝撃を前記環状溝部に加える手法、該環状溝
部にせん断力を加える手法、前記インゴットの長手方向
に引張力を加える手法、及びこれらの手法を組合せて応
力を附与することを特徴とする請求項１記載の薄板の製
造方法。
【請求項３】前記破断強さ以上の応力を附与する手法
として、前記インゴットに環状溝を刻設した環状溝付円
柱体の外周部を加熱し、前記円柱体の加工側端面の外周
部から中心部へと順に冷却水を吹き付けて急冷し、薄板
を切断することを特徴とする請求項１記載の薄板の製造
方法。
【請求項４】前記破断強さ以上の応力を附与する手法
として、前記環状溝付円柱体の加工側端面から一定距離
を存し、かつ該円柱体中心線の延長線上近傍に冷却水の
噴出ノズルを配置し、前記円柱体の加熱後、前記噴出ノ
ズルを該円柱体の中心線方向に移動させながら、該円柱
体の加工側端面の外周部から中心部へと順に冷却水を吹
き付けて急冷し、薄板を切断することを特徴とする請求
項１記載の薄板の製造方法。