JPH083014Y2 - ガラス封止型半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
ガラス封止型半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JPH083014Y2 JPH083014Y2 JP13946589U JP13946589U JPH083014Y2 JP H083014 Y2 JPH083014 Y2 JP H083014Y2 JP 13946589 U JP13946589 U JP 13946589U JP 13946589 U JP13946589 U JP 13946589U JP H083014 Y2 JPH083014 Y2 JP H083014Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- glass
- insulating
- insulating base
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Glass Compositions (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は半導体素子を収容するための半導体素子収納
用パッケージに関し、より詳細にはガラスによってパッ
ケージの封止を行うガラス封止型半導体素子収納用パッ
ケージの改良に関するものである。
用パッケージに関し、より詳細にはガラスによってパッ
ケージの封止を行うガラス封止型半導体素子収納用パッ
ケージの改良に関するものである。
（従来の技術） 従来、半導体素子を収容するためのガラス封止型半導
体素子収納用パッケージはアルミナ質焼結体から成り、
上面中央部に半導体素子を載置するための載置部を有
し、且つ上面外周部に封止用のガラス部材が被着された
絶縁基体と、下面に封止用のガラス部材が被着された蓋
体と、内部に収容する半導体素子を外部の電気回路に電
気的に接続するための外部リード端子とにより構成され
ており、絶縁基体の半導体素子載置部に半導体素子を接
着材を介し取着固定するとともに該半導体素子の各電極
をボンディングワイヤを介して絶縁基体の上面に仮止め
されている外部リード端子に接続し、しかる後、絶縁基
体と蓋体とをその相対向する主面に予め被着させておい
た封止用のガラス部材を溶融一体化させ、絶縁基体と蓋
体とから成る絶縁容器を気密に封止することによって半
導体装置となる。
体素子収納用パッケージはアルミナ質焼結体から成り、
上面中央部に半導体素子を載置するための載置部を有
し、且つ上面外周部に封止用のガラス部材が被着された
絶縁基体と、下面に封止用のガラス部材が被着された蓋
体と、内部に収容する半導体素子を外部の電気回路に電
気的に接続するための外部リード端子とにより構成され
ており、絶縁基体の半導体素子載置部に半導体素子を接
着材を介し取着固定するとともに該半導体素子の各電極
をボンディングワイヤを介して絶縁基体の上面に仮止め
されている外部リード端子に接続し、しかる後、絶縁基
体と蓋体とをその相対向する主面に予め被着させておい
た封止用のガラス部材を溶融一体化させ、絶縁基体と蓋
体とから成る絶縁容器を気密に封止することによって半
導体装置となる。
尚、前記ガラス封止型半導体素子収納用パッケージは
通常、絶縁基体がアルミナ質焼結体等の電気絶縁材より
成り、アルミナ（Al2O3）、シリカ（SiO2）、マグネシ
ア（MgO）、カルシア（CaO）等の原料粉末を従来周知の
乾式プレス成形法を採用することによって所定形状に成
形し、しかる後、これを約1500℃の温度で焼成すること
によって製作される。
通常、絶縁基体がアルミナ質焼結体等の電気絶縁材より
成り、アルミナ（Al2O3）、シリカ（SiO2）、マグネシ
ア（MgO）、カルシア（CaO）等の原料粉末を従来周知の
乾式プレス成形法を採用することによって所定形状に成
形し、しかる後、これを約1500℃の温度で焼成すること
によって製作される。
（考案が解決しようとする課題） しかし乍ら、この従来のガラス封止型半導体素子収納
用パッケージは絶縁基体を構成するアルミナ質焼結体の
アルミナ（AL2O3）含有量が一般に85.0Wt％前後であ
り、臨界応力拡大係数が約 と低く、且つ抗折強度もJIS R 1601に規定する３点曲げ
抗折強度で30乃至35Kg/cm2と弱い。そのためこのアルミ
ナ質焼結体から成る絶縁基体の厚みを0.5mm程度の薄い
厚さとし、ICカードやメモリーカード等の厚みが薄い電
子装置に組み込まれるガラス封止型半導体素子収納用パ
ッケージとした場合、絶縁基体は曲げ応力に対する強度
が極めて弱く、耐衝撃性に劣るものとなり、絶縁基体に
曲げ応力や衝撃力等の外力が印加されると該外力によっ
て容易にクラックや割れが発生してしまい、その結果、
絶縁容器の気密封止が容易に破れ、内部に収容する半導
体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができないという欠点を有していた。
用パッケージは絶縁基体を構成するアルミナ質焼結体の
アルミナ（AL2O3）含有量が一般に85.0Wt％前後であ
り、臨界応力拡大係数が約 と低く、且つ抗折強度もJIS R 1601に規定する３点曲げ
抗折強度で30乃至35Kg/cm2と弱い。そのためこのアルミ
ナ質焼結体から成る絶縁基体の厚みを0.5mm程度の薄い
厚さとし、ICカードやメモリーカード等の厚みが薄い電
子装置に組み込まれるガラス封止型半導体素子収納用パ
ッケージとした場合、絶縁基体は曲げ応力に対する強度
が極めて弱く、耐衝撃性に劣るものとなり、絶縁基体に
曲げ応力や衝撃力等の外力が印加されると該外力によっ
て容易にクラックや割れが発生してしまい、その結果、
絶縁容器の気密封止が容易に破れ、内部に収容する半導
体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させるこ
とができないという欠点を有していた。
（考案の目的） 本考案は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的
は絶縁基体の厚みを薄くしたとしても絶縁容器の気密封
止の信頼性を高いものとなし、内部に収容する半導体素
子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
できるガラス封止型半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
は絶縁基体の厚みを薄くしたとしても絶縁容器の気密封
止の信頼性を高いものとなし、内部に収容する半導体素
子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることが
できるガラス封止型半導体素子収納用パッケージを提供
することにある。
（課題を解決するための手段） 本考案は相対向する主面にガラス部材を被着させた絶
縁基体と蓋体とで外部リード端子を挟持し、前記ガラス
部材を溶融一体化することにより半導体素子を内部に気
密封止するガラス封止型半導体素子収納用パッケージに
おいて、前記絶縁基体を臨界応力拡大係数が 以上、抗折強度がJIS R 1601に規定する３点曲げ抗折強
度で45Kg/mm2以上の電気絶縁材により形成したことを特
徴とするものである。
縁基体と蓋体とで外部リード端子を挟持し、前記ガラス
部材を溶融一体化することにより半導体素子を内部に気
密封止するガラス封止型半導体素子収納用パッケージに
おいて、前記絶縁基体を臨界応力拡大係数が 以上、抗折強度がJIS R 1601に規定する３点曲げ抗折強
度で45Kg/mm2以上の電気絶縁材により形成したことを特
徴とするものである。
（実施例） 次に本考案を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説
明する。
明する。
第１図及び第２図は本考案のガラス封止型半導体素子
収納用パッケージの一実施例を示し、１は電気絶縁材よ
り成る絶縁基体、２は同じく電気絶縁材より成る蓋体で
ある。この絶縁基体１と蓋体２とで絶縁容器３が構成さ
れる。
収納用パッケージの一実施例を示し、１は電気絶縁材よ
り成る絶縁基体、２は同じく電気絶縁材より成る蓋体で
ある。この絶縁基体１と蓋体２とで絶縁容器３が構成さ
れる。
前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体素子を載置
固定するための載置部1aを有しており、該載置部1aには
半導体素子４がガラス、樹脂等の接着材を介し取着固定
される。
固定するための載置部1aを有しており、該載置部1aには
半導体素子４がガラス、樹脂等の接着材を介し取着固定
される。
前記絶縁基体１は臨界応力拡大係数が 以上、抗折強度がJIS R 1601に規定の３点曲げ抗折強度
で45Kg/mm2以上の電気絶縁材、具体的にはアルミナ（Al
2O3）の含有量が95.0Wt％以上のアルミナ質焼結体、或
いはジルコニア（ZrO2）質焼結体等が好適に使用され
る。
で45Kg/mm2以上の電気絶縁材、具体的にはアルミナ（Al
2O3）の含有量が95.0Wt％以上のアルミナ質焼結体、或
いはジルコニア（ZrO2）質焼結体等が好適に使用され
る。
尚、前記絶縁体基体１は例えばアルミナ（Al2O3）の
含有量が95.Wt％以上のアルミナ質焼結体から成る場
合、主原料としてのアルミナ（Al2O3）に焼結助剤とし
てのシリカ（SiO2）、マグネシア（MgO）等を若干量添
加して原料粉末を得、次に前記原料粉末を従来周知の乾
式プレス成形法により所定形状に成形し、最後に成形品
を約1700℃の高温で焼成することによって製作され、ま
たジルコニア質焼結体から成る場合は、主原料としての
ジルコニア（ZrO2）に焼結助剤としてのイットリア（Y2
O3）、カルシア（CaO）、マグネシア（MgO）等を添加し
た原料粉末を乾式プレス成形法により所定形状に成形
し、しかる後、これを約1400乃至1500℃の温度で焼成す
ることによって製作される。
含有量が95.Wt％以上のアルミナ質焼結体から成る場
合、主原料としてのアルミナ（Al2O3）に焼結助剤とし
てのシリカ（SiO2）、マグネシア（MgO）等を若干量添
加して原料粉末を得、次に前記原料粉末を従来周知の乾
式プレス成形法により所定形状に成形し、最後に成形品
を約1700℃の高温で焼成することによって製作され、ま
たジルコニア質焼結体から成る場合は、主原料としての
ジルコニア（ZrO2）に焼結助剤としてのイットリア（Y2
O3）、カルシア（CaO）、マグネシア（MgO）等を添加し
た原料粉末を乾式プレス成形法により所定形状に成形
し、しかる後、これを約1400乃至1500℃の温度で焼成す
ることによって製作される。
前記絶縁基体１はその臨界応力拡大係数が 以上、抗折強度が45Kg/mm2以上の電気絶縁材で構成され
ていることから本考案のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージをICカードやメモリーカード等の厚みが薄い
装置に使用する際、絶縁基体１の厚みを0.2乃至0.7mmの
薄いものに成したとしても絶縁基体１の曲げ応力に対す
る強度及び耐衝撃性を極めて強く、優れたものとなすこ
とができ、その結果、絶縁基体１に曲げ応力や衝撃力等
の外力が印加されたとしても該外力によって絶縁基体１
にクラックや割れ等が発生することは殆ど無く、内部に
収容する半導体素子４の気密封止を完全として半導体素
子４を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させること
が可能となる。
ていることから本考案のガラス封止型半導体素子収納用
パッケージをICカードやメモリーカード等の厚みが薄い
装置に使用する際、絶縁基体１の厚みを0.2乃至0.7mmの
薄いものに成したとしても絶縁基体１の曲げ応力に対す
る強度及び耐衝撃性を極めて強く、優れたものとなすこ
とができ、その結果、絶縁基体１に曲げ応力や衝撃力等
の外力が印加されたとしても該外力によって絶縁基体１
にクラックや割れ等が発生することは殆ど無く、内部に
収容する半導体素子４の気密封止を完全として半導体素
子４を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させること
が可能となる。
尚、前記絶縁基体１を構成する電気絶縁材はその臨界
応力拡大係数が 未満であると絶縁基体１の耐衝撃性が劣化し、絶縁基体
１に外力（衝撃力）が印加されると該外力によって容易
に破損してしまう。従って絶縁基体１を構成する電気絶
縁材はその臨界応力拡大係数を 以上とする必要がある。
応力拡大係数が 未満であると絶縁基体１の耐衝撃性が劣化し、絶縁基体
１に外力（衝撃力）が印加されると該外力によって容易
に破損してしまう。従って絶縁基体１を構成する電気絶
縁材はその臨界応力拡大係数を 以上とする必要がある。
また同時に前記絶縁基体１を構成する電気絶縁材はそ
の抗折強度が45Kg/mm2未満であると絶縁基体１の厚みを
薄くした際の曲げ応力に対する機械的強度が不足し、絶
縁基体１に外力（曲げ応力）が印加されると該外力によ
って容易に破損してしまう。従って絶縁基体１を構成す
る電気絶縁材はその抗折強度をJIS R 1601に規定する３
点曲げ抗折強度で45Kg/mm2以上とする必要がある。
の抗折強度が45Kg/mm2未満であると絶縁基体１の厚みを
薄くした際の曲げ応力に対する機械的強度が不足し、絶
縁基体１に外力（曲げ応力）が印加されると該外力によ
って容易に破損してしまう。従って絶縁基体１を構成す
る電気絶縁材はその抗折強度をJIS R 1601に規定する３
点曲げ抗折強度で45Kg/mm2以上とする必要がある。
また前記蓋体２は絶縁基体１と同様のアルミナ質焼結
体やジルコニウム質焼結体、或いはサファイアや透光性
アルミナ等の電気絶縁材よりなり、絶縁基体１の上面に
封止用ガラス５を介して取着固定される。
体やジルコニウム質焼結体、或いはサファイアや透光性
アルミナ等の電気絶縁材よりなり、絶縁基体１の上面に
封止用ガラス５を介して取着固定される。
前記絶縁基体１及び蓋体２にはその相対向する主面に
封止用のガラス部材５が予め被着形成されており、該絶
縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガラ
ス部材５を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁容
器３内の半導体素子４を気密に封止する。
封止用のガラス部材５が予め被着形成されており、該絶
縁基体１及び蓋体２の各々に被着されている封止用ガラ
ス部材５を加熱溶融させ一体化させることにより絶縁容
器３内の半導体素子４を気密に封止する。
前記絶縁体１及び蓋体２の相対向する主面に被着され
る封止用ガラス部材５は、例えば酸化鉛（PbO）75.0Wt
％、酸化チタン（TiO2）9.0Wt％、酸化ホウ素（B2O3）
7.5Wt％、酸化亜鉛（ZnO）2.0Wt％等のガラスから成
り、該ガラス粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て得たガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷等の
厚膜手法を採用することにより絶縁基体１及び蓋体２の
相対向する各々の主面に被着される。
る封止用ガラス部材５は、例えば酸化鉛（PbO）75.0Wt
％、酸化チタン（TiO2）9.0Wt％、酸化ホウ素（B2O3）
7.5Wt％、酸化亜鉛（ZnO）2.0Wt％等のガラスから成
り、該ガラス粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合し
て得たガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷等の
厚膜手法を採用することにより絶縁基体１及び蓋体２の
相対向する各々の主面に被着される。
尚、前記封止用ガラス部材５はその熱膨張係数を絶縁
基体１及び蓋体２の熱膨張係数に近似した値にしておく
と絶縁基体１と蓋体２とを封止用ガラス部材５を介して
接合し、絶縁容器３を気密に封止する際、絶縁基体１及
び蓋体２と封止用ガラス部材５との間には両者の熱膨張
係数の相違に起因する熱応力が発生することは殆どな
く、絶縁基体１と蓋体２とを封止用ガラス部材５を介し
強固に接合することが可能となる。従って、封止用ガラ
ス部材５はその熱膨張係数を絶縁基体１及び蓋体２の熱
膨張係数に合わせておくことが望ましい。
基体１及び蓋体２の熱膨張係数に近似した値にしておく
と絶縁基体１と蓋体２とを封止用ガラス部材５を介して
接合し、絶縁容器３を気密に封止する際、絶縁基体１及
び蓋体２と封止用ガラス部材５との間には両者の熱膨張
係数の相違に起因する熱応力が発生することは殆どな
く、絶縁基体１と蓋体２とを封止用ガラス部材５を介し
強固に接合することが可能となる。従って、封止用ガラ
ス部材５はその熱膨張係数を絶縁基体１及び蓋体２の熱
膨張係数に合わせておくことが望ましい。
また前記絶縁基体１と蓋体２との間には導電性材料、
例えばコバール（Fe-Ni-Co合金）や42Alloy（Fe-Ni合
金）等の金属から成る外部リード端子６が配されてお
り、該外部リード端子６は半導体素子４の各電極がボン
ディングワイヤ７を介して電気的に接続され、外部リー
ド端子６を外部回路に接続することによって半導体素子
４が外部回路と接続されることとなる。
例えばコバール（Fe-Ni-Co合金）や42Alloy（Fe-Ni合
金）等の金属から成る外部リード端子６が配されてお
り、該外部リード端子６は半導体素子４の各電極がボン
ディングワイヤ７を介して電気的に接続され、外部リー
ド端子６を外部回路に接続することによって半導体素子
４が外部回路と接続されることとなる。
前記外部リード端子６は、絶縁容器３を封止用ガラス
部材５を溶融一体化させて気密封止する際に同時に絶縁
基体１と蓋体２の間に取着固定される。
部材５を溶融一体化させて気密封止する際に同時に絶縁
基体１と蓋体２の間に取着固定される。
尚、前記外部リード端子６は外部回路との電気的導通
を良好とするために、また酸化腐蝕するのを有効に防止
するためにその外表面にニッケル（Ni）、金（Au）等の
良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属をメッキにより層
着させておく好ましい。
を良好とするために、また酸化腐蝕するのを有効に防止
するためにその外表面にニッケル（Ni）、金（Au）等の
良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属をメッキにより層
着させておく好ましい。
かくしてこのガラス封止型半導体素子収納用パッケー
ジによれば、絶縁基体１の半導体素子載置部1aに半導体
素子４を取着固定するとともに該半導体素子４の各電極
をボンディングワイヤ７により外部リード端子６に接続
させた後、絶縁基体１と蓋体２に予め被着させておいた
封止用ガラス部材５を加熱溶融させ、一体化させること
によってその内部に半導体素子４を気密に封止する。
ジによれば、絶縁基体１の半導体素子載置部1aに半導体
素子４を取着固定するとともに該半導体素子４の各電極
をボンディングワイヤ７により外部リード端子６に接続
させた後、絶縁基体１と蓋体２に予め被着させておいた
封止用ガラス部材５を加熱溶融させ、一体化させること
によってその内部に半導体素子４を気密に封止する。
（考案の効果） 本考案のガラス封止型半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体を臨界応力拡大係数が 以上、抗折強度がJIS R 1601に規定する３点曲げ抗折強
度で45Kg/mm2以上の電気絶縁材により形成したことから
絶縁基体の厚さを0.2乃至0.7mm程度の薄いものになした
としても絶縁基体の曲げ応力に対する強度及び耐衝撃性
を極めて強く優れたものとなすことができ、その結果、
絶縁基体に曲げ応力や衝撃力等の外力が印加されても該
外力によって絶縁基体にクラックや割れ等を発生するこ
とは殆どなく、絶縁容器の気密封止を完全として内部に
収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に
作動させることが可能となる。
よれば、絶縁基体を臨界応力拡大係数が 以上、抗折強度がJIS R 1601に規定する３点曲げ抗折強
度で45Kg/mm2以上の電気絶縁材により形成したことから
絶縁基体の厚さを0.2乃至0.7mm程度の薄いものになした
としても絶縁基体の曲げ応力に対する強度及び耐衝撃性
を極めて強く優れたものとなすことができ、その結果、
絶縁基体に曲げ応力や衝撃力等の外力が印加されても該
外力によって絶縁基体にクラックや割れ等を発生するこ
とは殆どなく、絶縁容器の気密封止を完全として内部に
収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に
作動させることが可能となる。
また本考案によれば絶縁基体の厚みを薄くできること
から本考案のパッケージを使用した半導体装置の厚みも
極めて薄いものとなすことができ、これによってICカー
ドやメモリーカード等、厚みが薄い電子装置にも充分に
組み込むことが可能となる。
から本考案のパッケージを使用した半導体装置の厚みも
極めて薄いものとなすことができ、これによってICカー
ドやメモリーカード等、厚みが薄い電子装置にも充分に
組み込むことが可能となる。
第１図は本考案のガラス封止型半導体素子収納用パッケ
ージの分解斜視図、第２図は第１図のパッケージを使用
して形成された半導体装置の断面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器、５……ガラス部材 ６……外部リード端子
ージの分解斜視図、第２図は第１図のパッケージを使用
して形成された半導体装置の断面図である。 １……絶縁基体、２……蓋体 ３……絶縁容器、５……ガラス部材 ６……外部リード端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−154647（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−165147（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−71251（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−25398（ＪＰ，Ｂ１) 特表 平２−501967（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】相対向する主面にガラス部材を被着させた
絶縁基体と蓋体とで外部リード端子を挟持し、前記ガラ
ス部材を溶融一体化することにより半導体素子を内部に
気密封止するガス封止型半導体素子収納用パッケージに
おいて、前記絶縁基体を臨界応力拡大係数が 以上、抗折強度がJIS R 1601に規定する３点曲げ抗折強
度で45Kg/mm2以上の電気絶縁材により形成したことを特
徴とするガラス封止型半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13946589U JPH083014Y2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | ガラス封止型半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13946589U JPH083014Y2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | ガラス封止型半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0379438U JPH0379438U (ja) | 1991-08-13 |
| JPH083014Y2 true JPH083014Y2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=31686507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13946589U Expired - Lifetime JPH083014Y2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | ガラス封止型半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH083014Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP13946589U patent/JPH083014Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379438U (ja) | 1991-08-13 |
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