JPH08304372A - ガスクロマトグラフ装置 - Google Patents
ガスクロマトグラフ装置Info
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- JPH08304372A JPH08304372A JP7129656A JP12965695A JPH08304372A JP H08304372 A JPH08304372 A JP H08304372A JP 7129656 A JP7129656 A JP 7129656A JP 12965695 A JP12965695 A JP 12965695A JP H08304372 A JPH08304372 A JP H08304372A
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- Japan
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- gas
- flow rate
- sample
- flow path
- measurement cell
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N30/00—Investigating or analysing materials by separation into components using adsorption, absorption or similar phenomena or using ion-exchange, e.g. chromatography or field flow fractionation
- G01N30/02—Column chromatography
- G01N30/62—Detectors specially adapted therefor
- G01N30/64—Electrical detectors
- G01N30/66—Thermal conductivity detectors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガスクロマトグラフ装置の精度を向上させ
る。 【構成】 制御部14は、圧力センサ12による検出信
号に基づき、TCD20に導入される測定ガスの流量F
1と対照ガスの流量F2とが等しくなるような対照ガス流
路におけるガス圧の目標値を算出し、圧力センサ16が
この目標値となるように流量制御弁15を制御する。こ
のため、試料注入時にガス圧が上昇した結果流量F1が
増加しても、TCD20の検出出力は変動しない。
る。 【構成】 制御部14は、圧力センサ12による検出信
号に基づき、TCD20に導入される測定ガスの流量F
1と対照ガスの流量F2とが等しくなるような対照ガス流
路におけるガス圧の目標値を算出し、圧力センサ16が
この目標値となるように流量制御弁15を制御する。こ
のため、試料注入時にガス圧が上昇した結果流量F1が
増加しても、TCD20の検出出力は変動しない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガスクロマトグラフ装置
に関する。
に関する。
【0002】
【従来の技術】熱伝導度型検出器(TCD:Thermal Co
nductivity Detector)は、ガスクロマトグラフ装置の
検出器として、一般的に使用されているものの一つであ
る。図2は、このTCDの構造を示す図である。ステン
レススチール等の金属ブロック23の中に形成された2
つの測定セル21a、21bの内部には、それぞれ白金
等の金属製のフィラメント22a、22bが挿入されて
おり、このフィラメント22a、22bは外部から電流
が供給されることにより加熱されている。サンプル側測
定セル21aには、カラムを通過してきた測定ガスすな
わちキャリアガスと試料との混合ガスが導入され、一
方、リファレンス側測定セル21bには、対照ガスとし
てキャリアガスのみがリファレンス流路を通して導入さ
れる。
nductivity Detector)は、ガスクロマトグラフ装置の
検出器として、一般的に使用されているものの一つであ
る。図2は、このTCDの構造を示す図である。ステン
レススチール等の金属ブロック23の中に形成された2
つの測定セル21a、21bの内部には、それぞれ白金
等の金属製のフィラメント22a、22bが挿入されて
おり、このフィラメント22a、22bは外部から電流
が供給されることにより加熱されている。サンプル側測
定セル21aには、カラムを通過してきた測定ガスすな
わちキャリアガスと試料との混合ガスが導入され、一
方、リファレンス側測定セル21bには、対照ガスとし
てキャリアガスのみがリファレンス流路を通して導入さ
れる。
【0003】測定ガス中に試料が含まれていないときに
は、測定ガスはキャリアガスのみであるため、キャリア
ガスの熱伝導によってフィラメント22aから一定の割
合で熱が奪われる。フィラメント22aは、加熱により
供給される熱量と放散される熱量とが等しくなる温度で
平衡し、その温度に応じた電気抵抗を有する。
は、測定ガスはキャリアガスのみであるため、キャリア
ガスの熱伝導によってフィラメント22aから一定の割
合で熱が奪われる。フィラメント22aは、加熱により
供給される熱量と放散される熱量とが等しくなる温度で
平衡し、その温度に応じた電気抵抗を有する。
【0004】測定ガス中に試料の成分が含まれていると
きには、その成分に応じて測定ガスの熱伝導度が変化
し、フィラメント22aから放散される熱量が変化する
ため、フィラメント22aの温度すなわち電気抵抗が変
化する。この抵抗変化が、リファレンス側測定セル21
b内のフィラメント22bを含んで構成されるホイート
ストーンブリッジ回路にて検出され、クロマトグラムと
して記録される。
きには、その成分に応じて測定ガスの熱伝導度が変化
し、フィラメント22aから放散される熱量が変化する
ため、フィラメント22aの温度すなわち電気抵抗が変
化する。この抵抗変化が、リファレンス側測定セル21
b内のフィラメント22bを含んで構成されるホイート
ストーンブリッジ回路にて検出され、クロマトグラムと
して記録される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記構成のようなTC
Dを用いた従来のガスクロマトグラフ装置では、リファ
レンス側測定セル21bに導入されるキャリアガスの流
量を一定に保つように、リファレンス流路には例えば定
圧弁が設けられている。そして、定圧弁はリファレンス
側測定セル21bに導入されるキャリアガスの流量が、
サンプル側測定セル21aに導入される測定ガスの流量
と等しくなるように調節されている。
Dを用いた従来のガスクロマトグラフ装置では、リファ
レンス側測定セル21bに導入されるキャリアガスの流
量を一定に保つように、リファレンス流路には例えば定
圧弁が設けられている。そして、定圧弁はリファレンス
側測定セル21bに導入されるキャリアガスの流量が、
サンプル側測定セル21aに導入される測定ガスの流量
と等しくなるように調節されている。
【0006】ところが、カラム入口の試料気化室内に液
体試料を注入した直後には、試料が気化して体積が急激
に膨張するため、試料気化室内のガス圧は急激に上昇す
る。これにより、カラムの出口すなわちTCDのサンプ
ル側測定セル21aの入口でのガス圧も上昇する。この
とき、サンプル側測定セル21aに流れ込む測定ガスに
は試料は含まれていないが、その流量が増加するため、
フィラメント22aの近傍では測定ガスの体積当たりの
分子数が増加し熱拡散率が変化する。この結果、気化し
た試料はカラムの中を通過中でありサンプル側測定セル
21aまでは到達していないにも拘らず、フィラメント
22aの温度が変化し、TCDの検出出力が変化する。
この変化はノイズの一種であって、クロマトグラムのベ
ースラインの変動を生じさせ、分析の精度を低下させる
ことになる。この現象は、内径の小さなキャピラリーカ
ラムを使用し、しかも試料気化室内のガスのすべて又は
殆どをカラムへ送り込む非スプリット型の装置におい
て、特に顕著であり影響が大きい。
体試料を注入した直後には、試料が気化して体積が急激
に膨張するため、試料気化室内のガス圧は急激に上昇す
る。これにより、カラムの出口すなわちTCDのサンプ
ル側測定セル21aの入口でのガス圧も上昇する。この
とき、サンプル側測定セル21aに流れ込む測定ガスに
は試料は含まれていないが、その流量が増加するため、
フィラメント22aの近傍では測定ガスの体積当たりの
分子数が増加し熱拡散率が変化する。この結果、気化し
た試料はカラムの中を通過中でありサンプル側測定セル
21aまでは到達していないにも拘らず、フィラメント
22aの温度が変化し、TCDの検出出力が変化する。
この変化はノイズの一種であって、クロマトグラムのベ
ースラインの変動を生じさせ、分析の精度を低下させる
ことになる。この現象は、内径の小さなキャピラリーカ
ラムを使用し、しかも試料気化室内のガスのすべて又は
殆どをカラムへ送り込む非スプリット型の装置におい
て、特に顕著であり影響が大きい。
【0007】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、試料注
入に起因するクロマトグラムのベースラインの変動を防
止することにより分析精度を向上させたガスクロマトグ
ラフ装置を提供することにある。
成されたものであり、その目的とするところは、試料注
入に起因するクロマトグラムのベースラインの変動を防
止することにより分析精度を向上させたガスクロマトグ
ラフ装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された本発明は、カラムから導かれる測定ガスのた
めの第1の測定セル、及び純粋な対照ガスのための第2
の測定セルの二つの測定セルから成る熱伝導度型検出器
を備えるガスクロマトグラフ装置において、 a)前記カラムの入口のガス圧を検出する第1の検出手段
と、 b)前記第2の測定セルに導入される対照ガスの流路のガ
ス圧を検出する第2の検出手段と、 c)前記流路において対照ガスの流量を調節する流量調節
手段と、 d)前記第1の検出手段による検出値に基づき、前記第1
の測定セルに導入される測定ガスの流量と前記第2の測
定セルに導入される対照ガスの流量とが等しくなるよう
な前記流路でのガス圧の目標値を算出し、前記第2の検
出手段の検出値が該目標値となるように前記流量調節手
段を制御する制御手段と、を備えることを特徴としてい
る。
に成された本発明は、カラムから導かれる測定ガスのた
めの第1の測定セル、及び純粋な対照ガスのための第2
の測定セルの二つの測定セルから成る熱伝導度型検出器
を備えるガスクロマトグラフ装置において、 a)前記カラムの入口のガス圧を検出する第1の検出手段
と、 b)前記第2の測定セルに導入される対照ガスの流路のガ
ス圧を検出する第2の検出手段と、 c)前記流路において対照ガスの流量を調節する流量調節
手段と、 d)前記第1の検出手段による検出値に基づき、前記第1
の測定セルに導入される測定ガスの流量と前記第2の測
定セルに導入される対照ガスの流量とが等しくなるよう
な前記流路でのガス圧の目標値を算出し、前記第2の検
出手段の検出値が該目標値となるように前記流量調節手
段を制御する制御手段と、を備えることを特徴としてい
る。
【0009】
【作用】本発明では、カラムの入口にある試料気化室内
のガス圧の変化に応じて、第2の測定セル(リファレン
ス側測定セル)に導入される対照ガスの流量を変化させ
る。すなわち、本発明における制御手段は、第1の検出
手段により検出されるガス圧に基づき、カラム及び対照
ガスの流路の流れ抵抗等を勘案して、第1の測定セル
(サンプル側測定セル)に導入される測定ガスの流量と
第2の測定セル(リファレンス側測定セル)に導入され
る対照ガスの流量とが等しくなるような対照ガスの流路
でのガス圧の目標値を算出する。そして、該流路に設け
られた流量調節手段を制御して、該流路に設けられた第
2の検出手段の検出値が算出された目標値となるように
する。
のガス圧の変化に応じて、第2の測定セル(リファレン
ス側測定セル)に導入される対照ガスの流量を変化させ
る。すなわち、本発明における制御手段は、第1の検出
手段により検出されるガス圧に基づき、カラム及び対照
ガスの流路の流れ抵抗等を勘案して、第1の測定セル
(サンプル側測定セル)に導入される測定ガスの流量と
第2の測定セル(リファレンス側測定セル)に導入され
る対照ガスの流量とが等しくなるような対照ガスの流路
でのガス圧の目標値を算出する。そして、該流路に設け
られた流量調節手段を制御して、該流路に設けられた第
2の検出手段の検出値が算出された目標値となるように
する。
【0010】
【発明の効果】この結果、本発明によれば、試料注入時
にカラム入口のガス圧が急激に上昇してサンプル側測定
セル内のフィラメント近傍を通過する測定ガスの流量が
増加したときには、リファレンス側測定セル内のフィラ
メント近傍を通過する対照ガスの流量も増加されるた
め、両フィラメントから放散される熱量の変化は等しく
なり、TCDの検出出力は変化しない。従って、クロマ
トグラムのベースラインは変動せず、精度の高い分析が
行なえる。
にカラム入口のガス圧が急激に上昇してサンプル側測定
セル内のフィラメント近傍を通過する測定ガスの流量が
増加したときには、リファレンス側測定セル内のフィラ
メント近傍を通過する対照ガスの流量も増加されるた
め、両フィラメントから放散される熱量の変化は等しく
なり、TCDの検出出力は変化しない。従って、クロマ
トグラムのベースラインは変動せず、精度の高い分析が
行なえる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例について図1を参照し
つつ説明する。
つつ説明する。
【0012】試料気化室10には、キャリアガス流路を
通してHeガス等のキャリアガスが供給される。キャリ
アガス流路には流量制御弁11が設けられ、ガス流量が
制御される。またキャリアガス流路上の試料気化室10
の近傍には、圧力センサ12が設けられている。この圧
力センサ12と試料気化室10との間にはガス抵抗が殆
ど無いため、圧力センサ12によって検出されるガス圧
は、試料気化室10内部のガス圧と同一と看做せる。
通してHeガス等のキャリアガスが供給される。キャリ
アガス流路には流量制御弁11が設けられ、ガス流量が
制御される。またキャリアガス流路上の試料気化室10
の近傍には、圧力センサ12が設けられている。この圧
力センサ12と試料気化室10との間にはガス抵抗が殆
ど無いため、圧力センサ12によって検出されるガス圧
は、試料気化室10内部のガス圧と同一と看做せる。
【0013】試料気化室10は高温に加熱されており、
液体試料が注入されると即座に気化し、キャリアガスと
ともにカラム13へ送られる。圧力センサ12による検
出信号は制御部14へ入力されている。カラム13中を
通過した測定ガスは、TCD20のサンプル側測定セル
21aに供給され、フィラメント22aの近傍を通過し
た後に大気中に排出される。一方、TCD20のリファ
レンス側測定セル21bに供給されるガスのリファレン
ス流路には、流量制御弁15、圧力センサ16及びスロ
ットルバルブ等の抵抗17が設けられている。流量制御
弁15は、制御部14により制御される。また、TCD
20の検出出力は増幅器18で増幅された後、記録計1
9にて記録される。
液体試料が注入されると即座に気化し、キャリアガスと
ともにカラム13へ送られる。圧力センサ12による検
出信号は制御部14へ入力されている。カラム13中を
通過した測定ガスは、TCD20のサンプル側測定セル
21aに供給され、フィラメント22aの近傍を通過し
た後に大気中に排出される。一方、TCD20のリファ
レンス側測定セル21bに供給されるガスのリファレン
ス流路には、流量制御弁15、圧力センサ16及びスロ
ットルバルブ等の抵抗17が設けられている。流量制御
弁15は、制御部14により制御される。また、TCD
20の検出出力は増幅器18で増幅された後、記録計1
9にて記録される。
【0014】上記構成において、制御部14は圧力セン
サ12の検出信号に基づき、流量制御弁15を以下のよ
うに制御する。
サ12の検出信号に基づき、流量制御弁15を以下のよ
うに制御する。
【0015】すなわち、キャリアガス流路の圧力センサ
12におけるガス圧をP1i、リファレンス流路の圧力セ
ンサ16におけるガス圧をP2i、TCD20のガス出口
の圧力すなわち大気圧をPoとすると、サンプル側測定
セル21a及びリファレンス側測定セル21bのガス入
口におけるガスの流量F1及びF2は次の式で表わされ
る。 F1=a1[(P1i 2−Po 2)/Po] F2=a2[(P2i 2−Po 2)/Po] ここで、a1、a2は、カラム13や抵抗17の流れ抵
抗、ガスの粘性係数、ガスの温度などに基づきそれぞれ
決まる定数である。
12におけるガス圧をP1i、リファレンス流路の圧力セ
ンサ16におけるガス圧をP2i、TCD20のガス出口
の圧力すなわち大気圧をPoとすると、サンプル側測定
セル21a及びリファレンス側測定セル21bのガス入
口におけるガスの流量F1及びF2は次の式で表わされ
る。 F1=a1[(P1i 2−Po 2)/Po] F2=a2[(P2i 2−Po 2)/Po] ここで、a1、a2は、カラム13や抵抗17の流れ抵
抗、ガスの粘性係数、ガスの温度などに基づきそれぞれ
決まる定数である。
【0016】いま、試料が試料気化室10内に注入され
ることによって、キャリアガス流路の圧力センサ12の
ガス圧がP1iからP1i+△P1iに変化したとすると、流
量F1の変化分△F1は次式となる。 △F1=a1{[(P1i+△P1i)2−P1i 2]/Po} =a1[(△P1i 2+2P1i△P1i)/Po] この△F1と流量F2の変化分である△F2とを等しくす
るため、圧力センサ16にて検出されるガス圧がP2i+
△P2iとなるべく流量制御弁15を制御する。すなわ
ち、既知であるP1i、△P1i及びP2iに基づき、 a1[(△P1i 2+2P1i△P1i)/Po] =a2[(△P2i 2+2P2i△P2i)/Po] を満たす△P2iを算出し、P2i+△P2iを圧力センサ1
6のガス圧の目標値とする。
ることによって、キャリアガス流路の圧力センサ12の
ガス圧がP1iからP1i+△P1iに変化したとすると、流
量F1の変化分△F1は次式となる。 △F1=a1{[(P1i+△P1i)2−P1i 2]/Po} =a1[(△P1i 2+2P1i△P1i)/Po] この△F1と流量F2の変化分である△F2とを等しくす
るため、圧力センサ16にて検出されるガス圧がP2i+
△P2iとなるべく流量制御弁15を制御する。すなわ
ち、既知であるP1i、△P1i及びP2iに基づき、 a1[(△P1i 2+2P1i△P1i)/Po] =a2[(△P2i 2+2P2i△P2i)/Po] を満たす△P2iを算出し、P2i+△P2iを圧力センサ1
6のガス圧の目標値とする。
【0017】具体的には、制御部14は、圧力センサ1
2の検出値を入力することによりP2i+△P2iを導出す
る演算回路、或いは演算プログラムを有するCPUを備
えている。そして、常に、圧力センサ12の検出信号か
らリファレンス流路のガス圧の目標値を算出し、圧力セ
ンサ16の検出信号がその目標値になるように流量制御
弁15を制御する。このため、試料気化室10内部のガ
ス圧が上昇したときには、リファレンス流路からリファ
レンス側測定セル21bに導入されるキャリアガスの流
量も増加する。この結果、試料を含んだ測定ガスがサン
プル側測定セル21aに到達するまでは、2つのフィラ
メント22a、22bの温度変化すなわち電気抵抗の変
化は等しくなるため、ホイートストーンブリッジ回路の
平衡状態は保たれ、TCD検出出力は変動しない。そし
て、試料を含んだ測定ガスがサンプル側測定セル21a
に導入されたときに、その熱伝導度の変化によってフィ
ラメント21aの抵抗が変化し、試料中の成分に対応す
るTCD検出出力が得られる。
2の検出値を入力することによりP2i+△P2iを導出す
る演算回路、或いは演算プログラムを有するCPUを備
えている。そして、常に、圧力センサ12の検出信号か
らリファレンス流路のガス圧の目標値を算出し、圧力セ
ンサ16の検出信号がその目標値になるように流量制御
弁15を制御する。このため、試料気化室10内部のガ
ス圧が上昇したときには、リファレンス流路からリファ
レンス側測定セル21bに導入されるキャリアガスの流
量も増加する。この結果、試料を含んだ測定ガスがサン
プル側測定セル21aに到達するまでは、2つのフィラ
メント22a、22bの温度変化すなわち電気抵抗の変
化は等しくなるため、ホイートストーンブリッジ回路の
平衡状態は保たれ、TCD検出出力は変動しない。そし
て、試料を含んだ測定ガスがサンプル側測定セル21a
に導入されたときに、その熱伝導度の変化によってフィ
ラメント21aの抵抗が変化し、試料中の成分に対応す
るTCD検出出力が得られる。
【0018】なお、上記構成において、リファレンス流
路側の抵抗17としてカラム13と同一特性のものを使
用し、温度等の条件を同一に保つようにすれば、a1=
a2となるため、流量の制御が容易かつ正確に行なえ
る。
路側の抵抗17としてカラム13と同一特性のものを使
用し、温度等の条件を同一に保つようにすれば、a1=
a2となるため、流量の制御が容易かつ正確に行なえ
る。
【0019】また、リファレンス流路のガス圧の目標値
を算出するときに用いられる定数a1、a2は予め計算さ
れた固定値であっても良いが、より好ましくは、カラム
の温度等をモニタした結果、或いは、使用するキャリア
ガスの種類等に関する外部からの指定等に対応し修正さ
れた値が用いられる。
を算出するときに用いられる定数a1、a2は予め計算さ
れた固定値であっても良いが、より好ましくは、カラム
の温度等をモニタした結果、或いは、使用するキャリア
ガスの種類等に関する外部からの指定等に対応し修正さ
れた値が用いられる。
【0020】更に、上記実施例は非スプリット型のクロ
マトグラフ装置について説明したが、試料気化室からキ
ャリアガスの一部を排出するようなスプリット型ガスク
ロマトグラフ装置においても、本発明の構成を用いるこ
とにより分析精度の一層の向上が期待できる。
マトグラフ装置について説明したが、試料気化室からキ
ャリアガスの一部を排出するようなスプリット型ガスク
ロマトグラフ装置においても、本発明の構成を用いるこ
とにより分析精度の一層の向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例であるガスクロマトグラフ装
置の構成図。
置の構成図。
【図2】 ガスクロマトグラフ装置の熱伝導度型検出器
の構造を示す図。
の構造を示す図。
10…試料気化室 12…圧力センサ(第1の検出手段) 13…カラム 14…制御部(制御手段) 15…流量制御部(流量調節手段) 16…圧力センサ(第2の検出手段) 20…TCD(熱伝導度型検出器) 21a…サンプル側測定セル(第1の測定セル) 21b…リファレンス側測定セル(第2の測定セル)
Claims (1)
- 【請求項1】 カラムから導かれる測定ガスのための第
1の測定セル、及び純粋な対照ガスのための第2の測定
セルの二つの測定セルから成る熱伝導度型検出器を備え
るガスクロマトグラフ装置において、 a)前記カラムの入口のガス圧を検出する第1の検出手段
と、 b)前記第2の測定セルに導入される対照ガスの流路のガ
ス圧を検出する第2の検出手段と、 c)前記流路において対照ガスの流量を調節する流量調節
手段と、 d)前記第1の検出手段による検出値に基づき、前記第1
の測定セルに導入される測定ガスの流量と前記第2の測
定セルに導入される対照ガスの流量とが等しくなるよう
な前記流路でのガス圧の目標値を算出し、前記第2の検
出手段の検出値が該目標値となるように前記流量調節手
段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とするガ
スクロマトグラフ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7129656A JPH08304372A (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | ガスクロマトグラフ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7129656A JPH08304372A (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | ガスクロマトグラフ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304372A true JPH08304372A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15014909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7129656A Pending JPH08304372A (ja) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | ガスクロマトグラフ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304372A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6654742B1 (en) | 1999-02-12 | 2003-11-25 | International Business Machines Corporation | Method and system for document collection final search result by arithmetical operations between search results sorted by multiple ranking metrics |
| JP2014108395A (ja) * | 2012-12-03 | 2014-06-12 | Air Liquide Japan Ltd | 固体材料の気化量モニタリングシステムおよびモニタリング方法 |
| CN105510493A (zh) * | 2014-10-10 | 2016-04-20 | 株式会社岛津制作所 | 导热系数检测器和气相色谱仪 |
| JP2016142688A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 株式会社島津製作所 | ガスクロマトグラフ |
-
1995
- 1995-04-27 JP JP7129656A patent/JPH08304372A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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