JPH08304490A - 電界センサ - Google Patents
電界センサInfo
- Publication number
- JPH08304490A JPH08304490A JP7138475A JP13847595A JPH08304490A JP H08304490 A JPH08304490 A JP H08304490A JP 7138475 A JP7138475 A JP 7138475A JP 13847595 A JP13847595 A JP 13847595A JP H08304490 A JPH08304490 A JP H08304490A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric field
- optical modulator
- optical fiber
- package
- conductor rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐衝撃性に富み、機械的衝撃に対して破損し
にくく、又、機能低下もおこさない電界センサを供す
る。 【構成】 外部電界を検出するための導体棒７を、コイ
ルばねのような弾性体１１によって光変調器１を収納す
るパッケージ２に固定して電界センサを構成する。
にくく、又、機能低下もおこさない電界センサを供す
る。 【構成】 外部電界を検出するための導体棒７を、コイ
ルばねのような弾性体１１によって光変調器１を収納す
るパッケージ２に固定して電界センサを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、空間の電界強度を検出
する電界センサに関する。
する電界センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、普及が著しいインバーターエアコ
ン等から発生する電磁妨害波により、コンピューターシ
ステム等が誤動作を起こす現象が問題となってきてい
る。これらのＥＭＣ試験、及び対策を行うためには、装
置から放射する、又は装置に進入する電磁妨害波を正確
に測定する必要がある。特に、最近では、電磁パルスの
時間領域における測定、放射電磁界を理論的に求める測
定が必要となっている。
ン等から発生する電磁妨害波により、コンピューターシ
ステム等が誤動作を起こす現象が問題となってきてい
る。これらのＥＭＣ試験、及び対策を行うためには、装
置から放射する、又は装置に進入する電磁妨害波を正確
に測定する必要がある。特に、最近では、電磁パルスの
時間領域における測定、放射電磁界を理論的に求める測
定が必要となっている。
【０００３】このような必要性から、センサヘッドとレ
ベル測定装置との間を光ファイバで結ぶ電界センサが種
々検討されている。このような電界センサでは、センサ
ヘッドに外部から光ファイバにより無変調の光信号を入
力し、この光信号をセンサ内部の光変調器により、セン
サに接続した導体棒で検出した電界レベルで変調し、こ
の変調した光信号を光ファイバによりレベル測定装置に
伝送する。この電界センサは、センサヘッドと信号線が
すべて非金属であるため、電界分布の乱れを生ずること
がなく、空間の電界強度を高精度に測定することができ
る。
ベル測定装置との間を光ファイバで結ぶ電界センサが種
々検討されている。このような電界センサでは、センサ
ヘッドに外部から光ファイバにより無変調の光信号を入
力し、この光信号をセンサ内部の光変調器により、セン
サに接続した導体棒で検出した電界レベルで変調し、こ
の変調した光信号を光ファイバによりレベル測定装置に
伝送する。この電界センサは、センサヘッドと信号線が
すべて非金属であるため、電界分布の乱れを生ずること
がなく、空間の電界強度を高精度に測定することができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光変調
器を収納するパッケージに固定された導体棒の形状は、
光変調器に対して相対的に大きいこともあり、取り扱い
に注意を払わねばならない。従来の電界センサでは、特
に導体棒は、パッケージに機械的に強固に取り付けら
れ、それ故に、過度の機械的衝撃が加わると、その取り
付け部分、あるいはその周辺が破損しやすく、又、電界
センサに機能低下を招く等、取り扱いが煩わしいもので
あった。その対策として、導体棒を変形しやすい材料で
構成する等、いろいろ試みられてきたが、かかる操作性
の改善にはいたっていない。
器を収納するパッケージに固定された導体棒の形状は、
光変調器に対して相対的に大きいこともあり、取り扱い
に注意を払わねばならない。従来の電界センサでは、特
に導体棒は、パッケージに機械的に強固に取り付けら
れ、それ故に、過度の機械的衝撃が加わると、その取り
付け部分、あるいはその周辺が破損しやすく、又、電界
センサに機能低下を招く等、取り扱いが煩わしいもので
あった。その対策として、導体棒を変形しやすい材料で
構成する等、いろいろ試みられてきたが、かかる操作性
の改善にはいたっていない。
【０００５】本発明は、機械的衝撃を受けても、前述し
たような破損、あるいは機能低下を招くことを防止した
電界センサを提供する。
たような破損、あるいは機能低下を招くことを防止した
電界センサを提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明によれば、導体棒と、印加した電圧に依存
して入射した光の強度が変化して出射する光変調器とか
ら構成し、外部電界により導体棒に誘起した電圧に依存
して変化する前記光変調器からの出射光強度によって、
外部電界の強度を測定する電界センサにおいて、導体棒
を弾性体によって前記光変調器のパッケージに固定して
構成した電界センサが得られる。
めに、本発明によれば、導体棒と、印加した電圧に依存
して入射した光の強度が変化して出射する光変調器とか
ら構成し、外部電界により導体棒に誘起した電圧に依存
して変化する前記光変調器からの出射光強度によって、
外部電界の強度を測定する電界センサにおいて、導体棒
を弾性体によって前記光変調器のパッケージに固定して
構成した電界センサが得られる。
【０００７】
【作用】光変調器を収納するパッケージに固定して外部
電界を検出する導体棒を、コイルばね、シリコーン樹脂
等の弾性体を使用して固定することにより、外部から機
械的衝撃が加わっても、前記の弾性体の復元力によって
機械的衝撃を吸収して破損せず、又、衝撃が加わった前
後の検出感度に差が生じない。
電界を検出する導体棒を、コイルばね、シリコーン樹脂
等の弾性体を使用して固定することにより、外部から機
械的衝撃が加わっても、前記の弾性体の復元力によって
機械的衝撃を吸収して破損せず、又、衝撃が加わった前
後の検出感度に差が生じない。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明を更に実施例によって説明す
る。
る。
【０００９】（実施例１）図１は、本発明の電界センサ
の一実施例の構成を断面図で示したものである。図１に
おいて、パッケージ２に収納された光変調器１には、入
力光ファイバ３及び出力光ファイバ４が接続されてい
る。入力光ファイバ３の他の一端には、光源として、半
導体レーザー（図示せず）を、又、出力光ファイバ４の
他の一端には、光検出器を介してレベル測定装置（いず
れも図示せず）に接続した。パッケージ２の対向する２
面に、それぞれ金属製のコイルばね１１を介して、長さ
１００ｍｍ、直径１ｍｍの真鍮製の導体棒７を固定し
た。外部電界によって導体棒７に誘起された電圧は、リ
ード線９を通じて光変調器１の変調電極（図示せず）に
接続されている。なお、光変調器１には、ニオブ酸リチ
ウム結晶の基板表面に光導波路を構築した導波路干渉型
光変調器を用いた。
の一実施例の構成を断面図で示したものである。図１に
おいて、パッケージ２に収納された光変調器１には、入
力光ファイバ３及び出力光ファイバ４が接続されてい
る。入力光ファイバ３の他の一端には、光源として、半
導体レーザー（図示せず）を、又、出力光ファイバ４の
他の一端には、光検出器を介してレベル測定装置（いず
れも図示せず）に接続した。パッケージ２の対向する２
面に、それぞれ金属製のコイルばね１１を介して、長さ
１００ｍｍ、直径１ｍｍの真鍮製の導体棒７を固定し
た。外部電界によって導体棒７に誘起された電圧は、リ
ード線９を通じて光変調器１の変調電極（図示せず）に
接続されている。なお、光変調器１には、ニオブ酸リチ
ウム結晶の基板表面に光導波路を構築した導波路干渉型
光変調器を用いた。
【００１０】導体棒７に機械的衝撃が加えられた時、コ
イルばね１１が弾性領域で変形して機械的衝撃を吸収
し、導体棒７、導体棒固定部、及びその周辺は、破損が
生じにくい。
イルばね１１が弾性領域で変形して機械的衝撃を吸収
し、導体棒７、導体棒固定部、及びその周辺は、破損が
生じにくい。
【００１１】この電界センサを用いて、周波数１００Ｍ
Ｈｚでの電界の最小検出感度は、９５ｄＢμＶ／ｍであ
った。更に、導体棒に横方向の変位を与えた後、これを
除いて、コイルばねの弾性によって導体棒の構成形状が
復元した後の測定においても、同一の最小検出感度を示
した。
Ｈｚでの電界の最小検出感度は、９５ｄＢμＶ／ｍであ
った。更に、導体棒に横方向の変位を与えた後、これを
除いて、コイルばねの弾性によって導体棒の構成形状が
復元した後の測定においても、同一の最小検出感度を示
した。
【００１２】更に、コイルばねの代わりに、板ばねを用
いても同様に有効であることが認められた。
いても同様に有効であることが認められた。
【００１３】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
を示す構成図である。図２において、前記実施例１と同
様に、パッケージ２に収納された導波路干渉型の光変調
器１に、入力光ファイバ３及び出力光ファイバ４が接続
されている。入力光ファイバ３の他の一端には、光源と
して、半導体レーザー（図示せず）を、又、出力光ファ
イバ４の他の一端には、光検出器を介してレベル測定装
置（いずれも図示せず）に接続した。パッケージ２の対
向する２面に、それぞれ弾性を示すシリコーン樹脂１３
を介して、長さ１００ｍｍ、直径１ｍｍの真鍮製の導体
棒７を固定した。電界によって導体棒７に誘起された電
圧は、リード線９を通じて光変調器１の変調電極（図示
せず）に接続されている。
を示す構成図である。図２において、前記実施例１と同
様に、パッケージ２に収納された導波路干渉型の光変調
器１に、入力光ファイバ３及び出力光ファイバ４が接続
されている。入力光ファイバ３の他の一端には、光源と
して、半導体レーザー（図示せず）を、又、出力光ファ
イバ４の他の一端には、光検出器を介してレベル測定装
置（いずれも図示せず）に接続した。パッケージ２の対
向する２面に、それぞれ弾性を示すシリコーン樹脂１３
を介して、長さ１００ｍｍ、直径１ｍｍの真鍮製の導体
棒７を固定した。電界によって導体棒７に誘起された電
圧は、リード線９を通じて光変調器１の変調電極（図示
せず）に接続されている。
【００１４】導体棒７に機械的衝撃が加えられた時、シ
リコーン樹脂１３が弾性領域で変形して機械的衝撃を吸
収し、導体棒７、導体棒固定部、及びその周辺は、破損
が生じにくい。
リコーン樹脂１３が弾性領域で変形して機械的衝撃を吸
収し、導体棒７、導体棒固定部、及びその周辺は、破損
が生じにくい。
【００１５】この電界センサを用いて、周波数１００Ｍ
Ｈｚでの電界の最小検出感度は、９５ｄＢμＶ／ｍであ
った。更に、導体棒に横方向の変位を与えた後、これを
除いて、シリコーン樹脂の弾性によって導体棒の構成形
状が復元した後の測定においても、同一の最小検出感度
を示した。
Ｈｚでの電界の最小検出感度は、９５ｄＢμＶ／ｍであ
った。更に、導体棒に横方向の変位を与えた後、これを
除いて、シリコーン樹脂の弾性によって導体棒の構成形
状が復元した後の測定においても、同一の最小検出感度
を示した。
【００１６】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の電界セ
ンサは、耐衝撃性に富み、機械的衝撃に対して破損しに
くく、又、機能低下を招きにくい。
ンサは、耐衝撃性に富み、機械的衝撃に対して破損しに
くく、又、機能低下を招きにくい。
【００１７】なお、本発明は、前記実施例とは異なる方
式の光変調器を用いた電界センサに対しても、有効性を
損なうことはない。又、１本の導体棒による、いわゆる
モノポールタイプの構成の電界センサにおいても、前記
実施例と同様の効果が得られることは、いうまでもな
い。
式の光変調器を用いた電界センサに対しても、有効性を
損なうことはない。又、１本の導体棒による、いわゆる
モノポールタイプの構成の電界センサにおいても、前記
実施例と同様の効果が得られることは、いうまでもな
い。
【図１】本発明の一実施例の構成を示す断面図。
【図２】本発明の他の実施例を示す構成を断面図。
１ 光変調器 ２ パッケージ ３ 入力光ファイバ ４ 出力光ファイバ ７ 導体棒 ９ リード線 １１ コイルばね １３ シリコーン樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 導体棒と光変調器とから構成し、外部電
界により前記導体棒に誘起した電圧に依存して変化する
前記光変調器からの出射光強度によって、外部電界の強
度を測定する電界センサにおいて、前記導体棒を弾性体
によって前記光変調器のパッケージに固定して構成した
ことを特徴とする電界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7138475A JPH08304490A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 電界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7138475A JPH08304490A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 電界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304490A true JPH08304490A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15222940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7138475A Pending JPH08304490A (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 電界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304490A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103633036A (zh) * | 2013-08-07 | 2014-03-12 | 中国科学院电子学研究所 | 基于高阻材料的电场传感器封装元件 |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP7138475A patent/JPH08304490A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103633036A (zh) * | 2013-08-07 | 2014-03-12 | 中国科学院电子学研究所 | 基于高阻材料的电场传感器封装元件 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |