JPH08304589A

JPH08304589A - プラントの水処理制御システム

Info

Publication number: JPH08304589A
Application number: JP7116087A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Yamauchi; 清山内
Original assignee: Babcock Hitachi KK
Current assignee: Mitsubishi Power Ltd
Priority date: 1995-05-15
Filing date: 1995-05-15
Publication date: 1996-11-22

Abstract

(57)【要約】【目的】伝熱管の腐食を充分に抑制することができる
プラントの水処理制御システムを提供すること【構成】原子炉圧力容器１で加熱された一次冷却水は
蒸気発生器３の伝熱管４に供給される。蒸気発生器３内
の二次冷却水Ｗ₂ は伝熱管４の外面と接触して加熱さ
れ、その蒸気でタービン系１１が駆動される。一次冷却
水の一部が腐食電位測定系３１に、二次冷却水の一部が
腐食電位測定系３２に導入され、それらに浸漬された材
料（伝熱管４と同一又は同等の材料）の腐食電位が測定
される。コンピュータ３３は両腐食電位の電位差（腐食
の駆動力）を演算し、この電位差が所定値を超えると水
処理制御系３４、３５を駆動して当該電位差を所定値以
内に抑える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、加圧水型原子炉等のプ
ラントの熱交換器における媒体の処理を制御するための
プラントの水処理制御システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】加圧水型原子炉等のプラントの熱交換器
は伝熱管で構成され、通常は水を媒体とする熱交換が行
なわれる。これを図により説明する。図４は従来の加圧
水型原子力発電プラントの概略構成図である。この図
で、１は原子炉圧力容器、２は加圧器、３は熱交換器
（蒸気発生器）、３ａは一次冷却水入口水壁、３ｂは一
次冷却水出口水壁である。４は蒸気発生器３内に配設さ
れた伝熱管であり、一次冷却水入口水壁３ａと一次冷却
水出口水壁３ｂに連結されている。５は一次冷却水ポン
プ、６は一次冷却水を浄化する浄化装置、７は一次冷却
水配管、８は一次冷却水戻り配管である。１０は蒸気発
生器３に接続された二次冷却水蒸気配管、１１はタービ
ン系、１２は復水器、１３は給水ポンプ、１４は二次冷
却水配管を示す。

【０００３】原子炉圧力容器１で加熱された一次冷却水
は蒸気発生器３に導かれ、一次冷却水入口水壁３ａから
伝熱管４へ入り、一次冷却水出口水壁３ｂから一次冷却
水ポンプ５を経て原子炉圧力容器１へ戻される。一次冷
却水が伝熱管４内を通過する間にその熱が伝熱管４の外
部の２次冷却水Ｗ₂ に伝達され、熱交換が行なわれる。
このように伝熱管４の外部で受熱した二次冷却水は蒸発
し、二次冷却水配管１０を通ってタービン系１１に導入
され、タービンを駆動して発電を行なう。その後復水器
１２で水となり、給水ポンプ１３で再び蒸気発生器３に
導入される。

【０００４】このようなプラントにおいて、一次冷却水
および二次冷却水により伝熱管４には腐食が生じ、この
腐食障害には、減肉、くぼみ（Ｄｅｎｔｉｎｇ）、応力
腐食割れ、粒界腐食等があるといわれている。このよう
な伝熱管４の腐食を防止するため、両冷却水に対しては
厳密な水処理（水質管理）が行なわれるが、両冷却水の
水処理条件は異なっている。これら水処理条件の代表例
を図５および図６に示す。図５は一次冷却水の水処理条
件、図６は二次冷却水の水処理条件である。これらの水
処理条件は、例えば「三菱重工技報」１６（１）、７９
−１、ｐ．１５〜２１、又は、「ＭａｔｅｒｉａｌＰ
ｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ」７６−３、ｐ．２５〜３３等に
記載されていて一般に知られている。

【０００５】上記の水処理条件において、従来は二次冷
却水のｐＨを調整するために燐酸ソーダが使用されてい
たが、伝熱管４での燐酸塩の濃縮により腐食が生じるこ
とが判明し、これはボラタイル処理に変更された。又、
近年、二次冷却水へのほう酸注入も行なわれているが、
これはほう酸の緩衝作用による伝熱管４のサポート部の
隙間腐食損傷の軽減に効果的だとされている。なお、図
５において、一次冷却水中のほう酸は原子炉炉内での核
反応速度を制御するための中性子吸収剤として添加され
ているものである。又、一次冷却水への水酸化リチュー
ムの添加は、腐食防止のためのｐＨを調整するために行
なわれる。

【０００６】以上のような水処理条件は、一次冷却水模
擬の水溶液中に浸漬した試験片の腐食特性評価、および
２次冷却水模擬の水溶液中に浸漬した試験片の腐食特性
評価に基づいて決定される。そして、上記腐食特性は腐
食電位を測定することにより得られる。以下、腐食電位
の測定について図により説明する。

【０００７】図７は高温水中での材料の腐食電位の測定
方法の説明図である。この図で、２０は高温水Ｗ_H 中に
浸漬された測定対象の材料（試験片）、２１は外部照合
電極（比較電極）、２２は試験片２０と外部照合電極２
１とを液絡させるキャピラリー、２３は電圧計である。
電圧計２３で測定される試験片２０と外部照合電極２１
との間の電圧が腐食電位となる。

【０００８】図８は図７に示す方法で測定した腐食電位
を示す図である。外部照合電極２１には種々のものが使
用されるが、図示の場合は、塩化銀電極を使用した測定
結果である。図中、Ｖ_SHE は水素標準電極電位、Ｖ_KC1
は外部照合電極２１の電位を示す。Ｖ_obs が水素標準電
極電位Ｖ_SHE と外部照合電極２１の電位Ｖ_KC1 との差の
電位、即ち腐食電位となる。なお、Ａは水素標準電極電
位Ｖ_SHE が外部照合電極２１に対して正電位にある場
合、Ｂは水素標準電極電位Ｖ_SHE が外部照合電極２１に
対して負電位にある場合の腐食電位を示す。

【０００９】図９は同じく図７に示す方法で腐食電位を
測定した実験結果を示す図である。この場合、試験片２
０としてニッケル基合金ＮＣＦ６００（ＪＩＳ）の材
料、高温水として酸素又は過酸化水素を含む２８８℃の
高温水が用いられている。図で、横軸には酸素と過酸化
水素の量（ｐｐｂ）が、縦軸には腐食電位（ｍＶ_SHE ）
がとってある。Ｃは試験片２０の応力腐食割れのポテン
シャルの度合いを示し、腐食電位が大きいほど当該ポテ
ンシャルも大きくなる。この実験結果から、酸素と過酸
化水素の量により腐食電位が変化することが判る。この
理由を図１０および図１１により説明する。

【００１０】図１０は金属と高温水の接触部分の拡大図
および当該部分の電荷密度を示す図、図１１は金属と高
温水の接触により生じる電荷密度、電場、電位を説明す
る図である。図１０に示すように、金属（Ｍ）と高温水
（Ｈ₂ Ｏ）とが接触すると、金属イオンが溶解し、水と
の酸化反応（Ｍ₂Ｏ₃）に伴い電荷（ｅ^- ）が発生し、
又、水分子の分解によるイオン（Ｈ⁺ 、Ｍ²⁺）が発生す
るので、接触部近辺には図に示す電荷密度ρの電荷密度
分布を生じる。

【００１１】図１１はこの現象を単純化したものであ
り、横軸に距離、縦軸に電荷密度ρ、電場Ｅおよび電位
Ｖがとってある。この図は接触部近辺の高温水側のある
位置を基準にしてみたそれらの特性を示している。電荷
密度ρが局在化しているので、これにより電場Ｅが発生
し、高温水側からみた金属材料はこれに応じた電位Ｖを
示すことになる。この電位Ｖが腐食電位である。図９に
示すように、高温水中に酸素や過酸化水素が存在する
と、電荷の局在化に変化を生じ、それが電位の変化とな
って現われる。したがって、図７に示すように、単一の
環境水中にある材料の腐食は、その材料の均一性と不動
態化により達成される。このことは、図６を模擬した条
件下で、インコロイ８００やインコネル６００の材料の
Ｃリング試験による１０００〜２０００時間の試験によ
り裏付けられた。即ち、図７に示すような系では、材料
のミクロ的均一性を達成するために、結晶粒界の鋭敏化
の低減は粒界腐食や粒界型応力腐食割れの防止に有効で
ある。なお、鋭敏化とは、結晶粒界へのクロム炭化物の
成長に伴う結晶粒界域のクロム欠乏現象をいう。

【００１２】又、単一の環境水中にある材料の腐食は、
局部的な不均一性を除くことも必要であり、これについ
て従来技術では、蒸気発生器の伝熱管サポート部の燐酸
塩濃縮の低減処理、即ち、ヒドラジンによる水処理方法
が実施されている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】以上、腐食電位および
それに関連する事項について説明し、高温水中の金属の
腐食を防止するためには適切な水処理が必要であり、従
来、熱交換器の伝熱管の腐食防止も、図５および図６に
示すように一次冷却水と二次冷却水の厳密な水処理によ
り抑えていたことを説明した。しかしながら、熱交換器
の伝熱管の腐食防止は、このような厳密な水処理だけで
は不充分であり、満足すべき腐食防止を達成することは
できなかった。

【００１４】本発明の目的は、上記従来技術における課
題を解決し、伝熱管の腐食を充分に抑制することができ
るプラントの水処理制御システムを提供することにあ
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、伝熱管の腐
食防止が従来の技術のみでは不充分である理由について
種々研究した結果、これが伝熱管の特殊性に起因するこ
とに想到した。これを図１２〜図１７により説明する。
図１２は伝熱管の一部の断面図である。この図で、４は
図４に示す伝熱管であり、伝熱管４の断面の左側は伝熱
管の管内で、その面には一次冷却水が接し、右側は伝熱
管の外部で、その面には二次冷却水が接する。したがっ
て、伝熱管４には一次冷却水側からみた電位と二次冷却
水からみた電位が同時に発生する。これを図１３により
さらに詳細に説明する。

【００１６】図１３は伝熱管の電位発生の説明図であ
る。伝熱管４の電位は水との接触面で発生するので、図
のように、伝熱管４を、その肉厚の中央から一次冷却水
に接する側４ａと二次冷却水に接する側４ｂとに分離
し、両側が絶縁されている形態として考えてみる。Ｓは
伝熱管４の両側４ａ、４ｂに接続されたスイッチである
とする。このスイッチＳを閉じて両側４ａ、４ｂを短絡
した状態が、電気化学的にみて図１２に示す状態と等価
である。図示のように、スイッチＳを開放したとき、両
側４ａ、４ｂにはそれぞれ腐食電位が発生する。そし
て、一次冷却水と二次冷却水の水処理条件が異なるの
で、これら腐食電位は異なる電位となる。これを図１４
によりさらに判り易く説明する。

【００１７】図１４は図１３に示す伝熱管両側を図７に
示す装置に適応させた説明図である。この図で、４ａ、
４ｂは伝熱管４の両側、Ｓはスイッチで図１３に示すも
のと同じである。２０ａ、２０ｂは外部照合電極、２２
ａ、２２ｂはキャピラリ、２３ａ、２３ｂはディジタル
電圧計であり、これらは図７に示すものと同一又は等価
のものである。図示のようにスイッチＳが開放状態のと
き、ディジタル電圧計２３ａ、２３ｂでは腐食電位が測
定されるが、これら腐食電位は一次冷却水と二次冷却水
の水処理条件が異なるので異なる電位となる。そして、
スイッチＳの両端子間（伝熱管４の４ａ側と４ｂ側との
間）には両腐食電位の差である電位差が発生する。発明
者は、この電位差が腐食の駆動力となり、腐食を促進さ
せる原因となっていることを見出した。

【００１８】図１５、図１６および図１７は上記電位差
を説明する図である。各図で４ａ、４ｂは図１４に示す
ものと同じ伝熱管４の両側、Ｖ_a は４ａ側の腐食電位、
Ｖ_bは４ｂ側の腐食電位、Ｖ_abは両腐食電位の電位差で
ある。電位差Ｖ_abは４ａ側からみて、図１５では「＋」
の場合、図１６では「−」の場合を示し、図１７に示す
場合は「０」（両側が同電位の場合）である。

【００１９】以上のように、伝熱管４がその内外面で材
質がほぼ同一である場合において、一次冷却水の水質と
二次冷却水の水質とが、図５および図６に示すように異
なると、伝熱管４で電位差を生じ、腐食の駆動力が発生
し、腐食が促進されることが判明した。このことは、高
温水中での鋭敏化した金属ＳＵＳ３０４の応力腐食割れ
の実験中に気付いたものである。即ち、上記実験におい
ては、材料が同一であっても隙間がある個所と隙間がな
い個所とを共有している場合のように、環境に差が生じ
ると、応力腐食割れや腐食が隙間の個所に集中し易いと
いう実験結果が得られたが、この実験結果についてさら
に考察を進めた結果、伝熱管も材料は同一であっても２
種類の異なる環境に接している、つまり環境に差がある
ことから、この差により腐食が促進するのではないかと
考えたところから、上記のような腐食の駆動力に想到し
たものである。

【００２０】そこで、上述した腐食の駆動力を小さくし
て伝熱管の腐食を充分に抑制するために、本発明は、伝
熱管で構成される熱交換器を備えたプラントの水処理制
御システムにおいて、前記伝熱管の外側の媒体の一部を
導入する第１の容器と、この第１の容器に導入された媒
体に浸漬された前記伝熱管と同一又は同等の部材と、こ
の部材の腐食電位を測定する第１の電位測定手段と、前
記伝熱管の内側の媒体の一部を導入する第２の容器と、
この第２の容器に導入された媒体に浸漬された前記伝熱
管と同一又は同等の部材と、この部材の腐食電位を測定
する第２の電位測定手段と、前記第１の電位測定手段で
測定された電位と前記第２の電位測定手段で測定された
電位とを比較し両者の電位の差の絶対値が所定の許容値
を超えたとき信号を出力する比較手段とを設けたことを
特徴とする。

【００２１】又、本発明は、上記の構成において、前記
信号が出力されたとき、この信号により作動して前記差
の絶対値が前記許容値以内となるように水処理を行なう
制御装置を設けたことも特徴とする。

【００２２】又、本発明は、伝熱管で構成される熱交換
器を備えたプラントの水処理制御システムにおいて、前
記伝熱管の外側の媒体および内側の媒体の少なくとも一
方について、前記外側の媒体による前記伝熱管の腐食電
位と前記内側の媒体による前記伝熱管の腐食電位との差
の絶対値が所定の許容値以内になるような水質条件範囲
を予め求めておき、この水質条件範囲内になるように水
処理を行なうことも特徴とする。

【００２３】

【作用】伝熱管の外部に接触する媒体の一部を第１の容
器に、伝熱管の内部に接触する媒体の一部を第２の容器
にそれぞれ導入し、これら各媒体に、伝熱管と同一又は
同等の部材を浸漬して各部材の腐食電位を個別に測定
し、各腐食電位の差の絶対値が所定の許容値以内になる
か否かを判断し、当該許容値を超えた場合にはこれを報
せる信号を出力する。又、この信号により水処理を行な
う制御装置を作動させ、腐食電位の差の絶対値が許容値
の範囲内にあるように制御する。

【００２４】又、伝熱管の外側の媒体による伝熱管の腐
食電位と、内側の媒体による伝熱管の腐食電位との差の
絶対値を求め、それが所定の許容値以内になるような水
質条件範囲を予め求めておき、この水質条件範囲内にな
るように水処理を行なう。

【００２５】

【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明
する。図１は本発明の実施例に係る加圧水型原子力発電
プラントの水処理制御システムのブロック図である。こ
の図で、図４に示す部分と同一又は等価な部分には同一
符号を付して説明を省略する。３１は伝熱管４の外部に
接触する一次冷却水に対する腐食電位測定系、３２は伝
熱管４の内部に接触する二次冷却水に対する腐食電位測
定系である。これら腐食電位測定系の構成については後
述する。３３は各腐食電位測定系３１、３２の測定値に
基づいて所要の処理を行なうコンピュータである。３
４、３５はそれぞれ一次冷却水および二次冷却水に所要
の薬液又はガスを注入する水処理制御系である。

【００２６】図２は図１に示す腐食電位測定系３１、３
２の構成を示す図である。腐食電位測定系３１は、一次
冷却水出口水壁３ｂから一次冷却水の一部を導入する容
器３１０、導入配管３１１、容器３１０内の一次冷却水
Ｗ₁ を一次冷却水戻り配管８に戻す排出配管３１２、容
器３１０内の一次冷却水Ｗ₁ に浸漬された伝熱管材料３
１３、外部照合電極３１４、キャピラリ３１５、および
容器３１０の外部のディジタル電圧計３１６で構成され
ている。同様に、腐食電位測定系３２は、給水ポンプ１
３から二次冷却水の一部を導入する容器３２０、導入配
管３２１、容器３２０内の二次冷却水Ｗ₂ を二次冷却水
配管１４に戻す排出配管３２２、容器３２０内の二次冷
却水Ｗ₂ に浸漬された伝熱管材料３２３、外部照合電極
３２４、キャピラリ３２５、および容器３２０の外部の
ディジタル電圧計３２６で構成されている。

【００２７】伝熱管材料３１３、３２３は、伝熱管４を
構成する材料と同一か又は同等の部材が用いられる。
又、外部照合電極３１４、３２４、キャピラリ３１５、
３２５、およびディジタル電圧計３１６、３２６は図７
に示す外部照合電極２１、キャピラリ２２、およびディ
ジタル電圧計２３と同一又は等価のものが用いられる。
各ディジタル電圧計３１６、３１７はコンピュータ３３
に接続されている。

【００２８】次に、本実施例の動作を説明する。加圧水
型原子炉の運転中、容器３１０には一次冷却水の一部
が、又、容器３２０には二次冷却水の一部がそれぞれ導
入され、循環している。ディジタル電圧計３１６は伝熱
管材料３１３の腐食電位を常時測定してその測定値に比
例したディジタル信号をコンピュータ３３に出力し、同
じく、ディジタル電圧計３２６は伝熱管材料３２３の腐
食電位を常時測定してその測定値に比例したディジタル
信号をコンピュータ３３に出力する。

【００２９】コンピュータ３３は入力された各腐食電位
を比較し、両者の差の絶対値が予め定められた値を超え
ると、水処理制御系３４、３５の両方又はいずれか一方
に指令信号を出力して、各腐食電位の電位差の絶対値が
所定値以内になるように、予め定められた薬液又はガ
ス、或は、例えば図５、図６に示すような水質条件にお
ける所要の物質を、予め定められた量だけ一次冷却水系
および二次冷却水系の両方又はいずれか一方に注入させ
る。

【００３０】上記薬液としては、ほう酸、水酸化リチュ
ーム、ヒドラジン等が適宜使用され、又、上記ガスとし
ては、水素、酸素、窒素等のガスが適宜使用される。さ
らに、上記電位差の絶対値の所定値としては、図９に示
す実験結果を参照すると、試験片が水素標準電極電位−
５００〜−６００ｍＶ_SHE に対して数百ｍＶ以上の高い
腐食電位を示すとき応力腐食割れのポテンシャルが大き
く、このことから腐食電位が２００〜３００ｍＶ以下で
あれば許容できると考えられるので、３００ｍＶ以下、
好ましくは２００ｍＶ以下に設定する。なお、応力腐食
割れのポテンシャルは、応力腐食割れの試験や亀裂進展
試験片の亀裂先端と試験片表面との電位差と亀裂進展と
の関係で決定する。

【００３１】図３は加圧水型原子力発電プラントの運転
中に測定した上記腐食電位の電位差の変化を示す図であ
る。この図で、横軸には運転中の経過時間が、縦軸には
当該電位差がとってある。ΔＶ_U は＋側の許容電位差
（例えば２００ｍＶ）、ΔＶ_Lは−側の許容電位差（例
えば−２００ｍＶ）を示す。図示の場合、腐食電位の電
位差は許容範囲内にある。

【００３２】このように、本実施例では、伝熱管材料３
１３、３２３の各腐食電位を比較し、その電位差が所定
値を超えたとき、当該電位差が所定値以内になるように
一次冷却水および二次冷却水の両方又はいずれか一方の
水処理を行なうようにしたので、伝熱管４に生じる腐食
の駆動力を抑えることができ、ひいては伝熱管４の腐食
を充分に抑制することができる。又、このように、伝熱
管４の腐食を充分に抑制できるので、プラントの信頼性
を向上させることができ、ひいてはプラントの稼働率も
向上させることができる。さらに、水処理を自動的に行
なうようにしたので、水処理に要する時間と手間を省く
ことができる。

【００３３】なお、上記実施例の説明では、コンピュー
タ３３が、上記電位差が所定値を超えたと判断したとき
水処理制御系３４、３５の一方又は両方を作動させる例
について説明したが、これに限ることはなく、単に所定
値を超えたことを外部に報せる信号を出力し、以後の水
処理は係員が行なうようにしてもよい。

【００３４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明では、伝熱管
の内側の媒体による腐食電位と外側の媒体による腐食電
位を比較し、両者の電位差が所定値以内になるように各
媒体の一方又は両方の水処理を行なうようにしたので、
伝熱管に生じる腐食の駆動力を抑えることができ、ひい
ては伝熱管の腐食を充分に抑制することができる。又、
このように、伝熱管の腐食を充分に抑制できるので、プ
ラントの信頼性を向上させることができ、ひいてはプラ
ントの稼働率も向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る加圧水型原子力発電プラ
ントの水処理制御システムのブロック図である。

【図２】図１に示す腐食電位測定系の構成を示す図で
る。

【図３】腐食電位の電位差の変化を示す図である。

【図４】従来の加圧水型原子力発電プラントの水処理制
御システムのブロック図である。

【図５】１次冷却水の水処理条件を示す図である。

【図６】２次冷却水の水処理条件を示す図である。

【図７】高温水中での材料の腐食電位の測定方法の説明
図である。

【図８】図７に示す方法で測定した腐食電位を示す図で
ある。

【図９】図７に示す方法で腐食電位を測定した実験結果
を示す図である。

【図１０】金属と高温水の接触部分の拡大図および当該
部分の電荷密度を示す図である。

【図１１】金属と高温水の接触により生じる電荷密度、
電場、電位を説明する図である。

【図１２】伝熱管の一部の断面図である。

【図１３】伝熱管の電位発生の説明図である。

【図１４】図１３に示す伝熱管両側を図７に示す装置に
適応させた説明図である。

【図１５】電位差を説明する図である。

【図１６】電位差を説明する図である。

【図１７】電位差を説明する図である。

【符号の説明】１原子炉圧力容器３蒸気発生器４伝熱管７一次冷却水配管１０二次冷却水上記配管１１タービン系３１、３２腐食電位測定系３３コンピュータ３４、３５水処理系

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】伝熱管で構成される熱交換器を備えたプ
ラントの水処理制御システムにおいて、前記伝熱管の外
側の媒体の一部を導入する第１の容器と、この第１の容
器に導入された媒体に浸漬された前記伝熱管と同一又は
同等の部材と、この部材の腐食電位を測定する第１の電
位測定手段と、前記伝熱管の内側の媒体の一部を導入す
る第２の容器と、この第２の容器に導入された媒体に浸
漬された前記伝熱管と同一又は同等の部材と、この部材
の腐食電位を測定する第２の電位測定手段と、前記第１
の電位測定手段で測定された電位と前記第２の電位測定
手段で測定された電位とを比較し両者の電位の差の絶対
値が所定の許容値を超えたとき信号を出力する比較手段
とを設けたことを特徴とするプラントの水処理制御シス
テム。
【請求項２】請求項１記載のプラントの水処理制御シ
ステムにおいて、前記信号が出力されたとき、この信号
により作動して前記さの絶対値が前記許容値以内となる
ように水処理を行なう制御装置を設けたことを特徴とす
るプラントの水処理制御システム。
【請求項３】伝熱管で構成される熱交換器を備えたプ
ラントの水処理制御システムにおいて、前記伝熱管の外
側の媒体および内側の媒体の少なくとも一方について、
前記外側の媒体による前記伝熱管の腐食電位と前記内側
の媒体による前記伝熱管の腐食電位との差の絶対値が所
定の許容値以内になるような水質条件範囲を予め求めて
おき、この水質条件範囲内になるように水処理を行なう
ことを特徴とするプラントの水処理制御システム。
【請求項４】請求項３記載のプラントの水処理制御プ
ラントにおいて、前記各腐食電位の差の絶対値が所定の
許容値以内か否かを常時監視することを特徴とするプラ
ントの水処理制御システム。
【請求項５】請求項１又は請求項２又は請求項３にお
いて、前記プラントは、加圧水型原子炉であることを特
徴とするプラントの水処理制御システム。
【請求項６】請求項１又は請求項２又は請求項３にお
いて、前記許容値は、３００ｍＶ以内であることを特徴
とするプラントの水処理制御システム。