JPH08306029A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH08306029A JPH08306029A JP12944395A JP12944395A JPH08306029A JP H08306029 A JPH08306029 A JP H08306029A JP 12944395 A JP12944395 A JP 12944395A JP 12944395 A JP12944395 A JP 12944395A JP H08306029 A JPH08306029 A JP H08306029A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 変調ノイズが低く、Ｓ／Ｎ比に優れた合金薄
膜を磁性層とした磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基体上に柱状のＣｒ等の下地層を介してＣｏ
合金等の磁性層を形成した磁気記録媒体である。下地層
を構成する柱状粒子の平均粒径Ｘに対する磁性層を構成
する磁性粒子の平均粒径Ｙの比Ｙ／Ｘが、０．４≦Ｙ／
Ｘ≦０．９の範囲にある。ＸはＸ≧１５ｎｍであること
が好ましい。
膜を磁性層とした磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基体上に柱状のＣｒ等の下地層を介してＣｏ
合金等の磁性層を形成した磁気記録媒体である。下地層
を構成する柱状粒子の平均粒径Ｘに対する磁性層を構成
する磁性粒子の平均粒径Ｙの比Ｙ／Ｘが、０．４≦Ｙ／
Ｘ≦０．９の範囲にある。ＸはＸ≧１５ｎｍであること
が好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に関し、
さらに詳細には合金薄膜を磁性層とする高密度磁気記録
媒体に関する。
さらに詳細には合金薄膜を磁性層とする高密度磁気記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の情報量の増加及び情報化機器の小
型化に伴ない、磁気記録の分野でも益々高記録密度記録
が可能な磁気記録媒体が求められている。このような要
望に応えるべく、合金薄膜を磁性層とした媒体が開発さ
れ、従来の塗布型媒体に代わって市場において主流とな
りつつある。合金薄膜媒体は、メッキ法またはスパッタ
法で作製することができるため、磁性層の厚さを塗布型
媒体の厚さの約１／２０〜１／１０にすることができ
る。これにより、微小磁区の反磁界が小さくなり、高記
録密度でも出力が劣化しないという利点を有する。
型化に伴ない、磁気記録の分野でも益々高記録密度記録
が可能な磁気記録媒体が求められている。このような要
望に応えるべく、合金薄膜を磁性層とした媒体が開発さ
れ、従来の塗布型媒体に代わって市場において主流とな
りつつある。合金薄膜媒体は、メッキ法またはスパッタ
法で作製することができるため、磁性層の厚さを塗布型
媒体の厚さの約１／２０〜１／１０にすることができ
る。これにより、微小磁区の反磁界が小さくなり、高記
録密度でも出力が劣化しないという利点を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、合金薄
膜媒体では、塗布型媒体とは異なり、微小磁区の分離が
十分でないため、書き込み周波数近傍でのノイズ（変調
ノイズ）が増大するという欠点がある。図１に従来の合
金薄膜媒体の微小磁区により形成された異なる磁化の境
界近傍の拡大図を示す。図１に示すように異なる磁化が
向かい合う磁化境界部は、媒体の幅方向に沿って鋸波状
となるために、再生時には変調ノイズとして現れる。こ
のため、現行の合金薄膜媒体をさらに高記録密度化する
場合には、不十分な磁化の区分に基づく変調ノイズを低
下することが要求される。
膜媒体では、塗布型媒体とは異なり、微小磁区の分離が
十分でないため、書き込み周波数近傍でのノイズ（変調
ノイズ）が増大するという欠点がある。図１に従来の合
金薄膜媒体の微小磁区により形成された異なる磁化の境
界近傍の拡大図を示す。図１に示すように異なる磁化が
向かい合う磁化境界部は、媒体の幅方向に沿って鋸波状
となるために、再生時には変調ノイズとして現れる。こ
のため、現行の合金薄膜媒体をさらに高記録密度化する
場合には、不十分な磁化の区分に基づく変調ノイズを低
下することが要求される。
【０００４】本発明は、上記従来技術の合金薄膜媒体が
持つ変調ノイズを低下し、高密度記録が可能な磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
持つ変調ノイズを低下し、高密度記録が可能な磁気記録
媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、粒若しくは
柱状構造を有する下地層上に磁性層を成長させる際に、
下地層の粒若しくは柱状晶を十分に大きく成長させその
上に微小な磁性粒からなる磁性層を形成するさせること
により、信号強度を損なうことなくノイズを低下するこ
とができることを見い出した。すなわち、本発明に従え
ば、基体上に下地層及び磁性層を積層した磁気記録媒体
において、上記下地層を構成する粒子の平均粒径Ｘに対
する上記磁性層を構成する磁性粒子の平均粒径Ｙの比Ｙ
／Ｘが、０．４≦Ｙ／Ｘ≦０．９であることを特徴とす
る上記磁気記録媒体が提供される。
柱状構造を有する下地層上に磁性層を成長させる際に、
下地層の粒若しくは柱状晶を十分に大きく成長させその
上に微小な磁性粒からなる磁性層を形成するさせること
により、信号強度を損なうことなくノイズを低下するこ
とができることを見い出した。すなわち、本発明に従え
ば、基体上に下地層及び磁性層を積層した磁気記録媒体
において、上記下地層を構成する粒子の平均粒径Ｘに対
する上記磁性層を構成する磁性粒子の平均粒径Ｙの比Ｙ
／Ｘが、０．４≦Ｙ／Ｘ≦０．９であることを特徴とす
る上記磁気記録媒体が提供される。
【０００６】かかる比Ｙ／Ｘに従って下地層の粒径より
も小さい粒径の磁性層を設けることによって、磁気記録
媒体の変調ノイズを有効に低減することができる。Ｙ／
Ｘが０．４未満である場合またはＹ／Ｘが０．９を超え
ると、Ｓ／Ｎ比が低下するため好ましくない。特に、Ｙ
／Ｘが０．４未満である場合には熱ゆらぎの問題が生じ
るため好ましくない。
も小さい粒径の磁性層を設けることによって、磁気記録
媒体の変調ノイズを有効に低減することができる。Ｙ／
Ｘが０．４未満である場合またはＹ／Ｘが０．９を超え
ると、Ｓ／Ｎ比が低下するため好ましくない。特に、Ｙ
／Ｘが０．４未満である場合には熱ゆらぎの問題が生じ
るため好ましくない。
【０００７】上記本発明の磁気記録媒体において、下地
層を構成する粒子は、一般に粒若しくは柱状晶の形態で
あり、その平均粒径ＸはＸ≧１５ｎｍであることが好ま
しい。下地層の平均粒径Ｘが１５ｎｍ未満であると、下
地層の粒若しくは柱状晶の結晶性が低下するため、その
上に磁性層が成長しにくくなるとともに、成長した磁性
層の結晶配向が悪化して信号強度が小さくなる。磁性層
の粒径Ｙの範囲としては、上記磁性層の粒径Ｙと下地層
の粒径ＸとのＹ／Ｘ比及び前記下地層Ｘの粒径範囲の下
限により定まる。
層を構成する粒子は、一般に粒若しくは柱状晶の形態で
あり、その平均粒径ＸはＸ≧１５ｎｍであることが好ま
しい。下地層の平均粒径Ｘが１５ｎｍ未満であると、下
地層の粒若しくは柱状晶の結晶性が低下するため、その
上に磁性層が成長しにくくなるとともに、成長した磁性
層の結晶配向が悪化して信号強度が小さくなる。磁性層
の粒径Ｙの範囲としては、上記磁性層の粒径Ｙと下地層
の粒径ＸとのＹ／Ｘ比及び前記下地層Ｘの粒径範囲の下
限により定まる。
【０００８】上記構造の磁気記録媒体は、スパッタ法に
より形成することができ、非磁性基板上に下地層を低ス
パッタガス圧及び高基板温度の条件下、上層の磁性層を
高スパッタガス圧及び下地層形成時より低い基板温度条
件下で形成することができ、負のバイアス電圧を印加し
たり、スパッタガスの酸素、窒素ガスを添加してもよ
い。これらの方法を単独または組み合わせて形成するこ
ともできる。上記磁性層と下地層の平均粒径の比Ｙ／Ｘ
は、スパッタガス流量及びガス圧等を適宜調整すること
によって本発明の範囲にすることができる。
より形成することができ、非磁性基板上に下地層を低ス
パッタガス圧及び高基板温度の条件下、上層の磁性層を
高スパッタガス圧及び下地層形成時より低い基板温度条
件下で形成することができ、負のバイアス電圧を印加し
たり、スパッタガスの酸素、窒素ガスを添加してもよ
い。これらの方法を単独または組み合わせて形成するこ
ともできる。上記磁性層と下地層の平均粒径の比Ｙ／Ｘ
は、スパッタガス流量及びガス圧等を適宜調整すること
によって本発明の範囲にすることができる。
【０００９】下地層に用いられる材料としては、例え
ば、Ｃｒ，ＣｒＴｉ，ＣｒＷ，ＣｒＴａ，ＣｒＡｌ，Ｃ
ｒＡｇ等のＣｒ系合金、Ｔｉ，Ｔｉ−Ｔａが挙げられる
が、特にこれらに限定されず磁気記録媒体の下地層に使
用できる種々の材料を用い得る。磁性材料として、例え
ば、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒ
ＰｔＴａ，ＣｏＰｔ，ＣｏＰｄ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，Ｃ
ｏＣｒＰｔＢ等のＣｏ系合金、ＣｏやＦｅをＳｉＯ2 と
同時にスパッタし、Ｃｏ，Ｆｅ粒子を分散させた複合材
料等が挙げられるが、特にこれらに限定されない。磁性
層はＣｏＮｉ系合金以外の材料から構成されていてもよ
い。これら下地層及び磁性層は、上記のようにスパッタ
法や真空蒸着法等で容易に形成することができる。
ば、Ｃｒ，ＣｒＴｉ，ＣｒＷ，ＣｒＴａ，ＣｒＡｌ，Ｃ
ｒＡｇ等のＣｒ系合金、Ｔｉ，Ｔｉ−Ｔａが挙げられる
が、特にこれらに限定されず磁気記録媒体の下地層に使
用できる種々の材料を用い得る。磁性材料として、例え
ば、ＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒ
ＰｔＴａ，ＣｏＰｔ，ＣｏＰｄ，ＣｏＣｒＰｔＳｉ，Ｃ
ｏＣｒＰｔＢ等のＣｏ系合金、ＣｏやＦｅをＳｉＯ2 と
同時にスパッタし、Ｃｏ，Ｆｅ粒子を分散させた複合材
料等が挙げられるが、特にこれらに限定されない。磁性
層はＣｏＮｉ系合金以外の材料から構成されていてもよ
い。これら下地層及び磁性層は、上記のようにスパッタ
法や真空蒸着法等で容易に形成することができる。
【００１０】本発明の磁気記録媒体に用いられる基体と
しては、例えば、Ａｌ，ＮｉＰメッキしたＡｌ、ガラ
ス、セラミックス、カーボン、高分子材料、例えば、ポ
リカーボネート、アモルファスポリオレフィン、エポキ
シ、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレ
ート、ナイロン等を用いることができる。
しては、例えば、Ａｌ，ＮｉＰメッキしたＡｌ、ガラ
ス、セラミックス、カーボン、高分子材料、例えば、ポ
リカーボネート、アモルファスポリオレフィン、エポキ
シ、ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレ
ート、ナイロン等を用いることができる。
【００１１】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
るが、本発明はそれらに限定されるものではない。
るが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【００１２】
実施例１ 本実施例では、連続スパッタ装置を用いて、ＳｉＯ2 ／
Ｃｒ／ＣｏＣｒＰｔ／カーボンの４層からなる記録層を
基体の両面に積層した磁気ディスクを作製する。図３に
示したような、基板の両面に同時スパッタできる連続ス
パッタ装置を用いてアモルファスポリオレフィン基板上
に４層記録膜を成膜した。このスパッタ装置は、予備排
気室７、ＳｉＯ2 成膜室８、Ｃｒ成膜室９、ＣｏＣｒＰ
ｔ成膜室１０及びカーボン成膜室１１がこの順序でゲー
トバルブ１３を通じて連結されている。成膜中はゲート
バルブ１３を閉めることにより、各成膜室は隣設する成
膜室から隔離される。各成膜室にはそれぞれクライオポ
ンプ１２が装着されており、スパッタ雰囲気ガスとして
アルゴンガス及びその混合ガスが流入される。アモルフ
ァスポリオレフィン基板は、専用のトレーで各成膜室に
順次搬送される。ＳｉＯ2 成膜室にはＳｉターゲット、
Ｃｒ成膜室にはＣｒターゲット、ＣｏＣｒＰｔ成膜室に
はＣｏ75Ｃｒ10Ｐｔ15合金ターゲット、カーボン成膜室
にはカーボンターゲットが、各２枚、基板通過位置を挟
んで互いに対向するように取り付けられており、この２
枚のターゲット間を基板を通過させることにより同時に
両面に成膜が行われる。このスパッタ装置に基板を入れ
る前、全成膜室を到達真空度が１×１０-5Ｐａとなるま
で排気しておいた。
Ｃｒ／ＣｏＣｒＰｔ／カーボンの４層からなる記録層を
基体の両面に積層した磁気ディスクを作製する。図３に
示したような、基板の両面に同時スパッタできる連続ス
パッタ装置を用いてアモルファスポリオレフィン基板上
に４層記録膜を成膜した。このスパッタ装置は、予備排
気室７、ＳｉＯ2 成膜室８、Ｃｒ成膜室９、ＣｏＣｒＰ
ｔ成膜室１０及びカーボン成膜室１１がこの順序でゲー
トバルブ１３を通じて連結されている。成膜中はゲート
バルブ１３を閉めることにより、各成膜室は隣設する成
膜室から隔離される。各成膜室にはそれぞれクライオポ
ンプ１２が装着されており、スパッタ雰囲気ガスとして
アルゴンガス及びその混合ガスが流入される。アモルフ
ァスポリオレフィン基板は、専用のトレーで各成膜室に
順次搬送される。ＳｉＯ2 成膜室にはＳｉターゲット、
Ｃｒ成膜室にはＣｒターゲット、ＣｏＣｒＰｔ成膜室に
はＣｏ75Ｃｒ10Ｐｔ15合金ターゲット、カーボン成膜室
にはカーボンターゲットが、各２枚、基板通過位置を挟
んで互いに対向するように取り付けられており、この２
枚のターゲット間を基板を通過させることにより同時に
両面に成膜が行われる。このスパッタ装置に基板を入れ
る前、全成膜室を到達真空度が１×１０-5Ｐａとなるま
で排気しておいた。
【００１３】予備排気室７内のトレーに基板を設置した
後、真空度が１×１０-4Ｐａとなるまで予備排気室７を
排気した。次に、トレーをＳｉＯ2 成膜室８に移しアモ
ルフォスポリオレフィン基板上に高周波反応性スパッタ
によりＳｉＯ2 を１００ｎｍ成膜した。このときの成膜
条件は、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量２０ｓｃｃ
ｍ、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力３Ｋｗとした。次い
で、次のＣｒ成膜室９にトレーを搬送し、Ｃｒ層を、直
流スパッタにより１００ｎｍ成膜した。このときの成膜
条件は、Ａｒ５０ｓｃｃｍ、ガス圧０．４Ｐａ、投入電
力を３Ｋｗ、基板設定温度を５０℃とした。この温度で
もスパッタ時の基板最高温度は１００℃であり、基板が
溶融するというような問題は起こらなかった。このトレ
ーを次のＣｏＣｒＰｔ成膜室１０に送り、ＣｏＣｒＰｔ
膜を３０ｎｍの膜厚で直流スパッタにより成膜した。こ
のときのスパッタ条件は、Ａｒガス流量１００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧０．８Ｐａ投入電力３Ｋｗとした。ＣｏＣｒ
Ｐｔ膜の成膜時には、基板加熱は行なわなかった。スパ
ッタ時の最高温度は、５０℃であった。最後に、カーボ
ン成膜室１１内にトレーを移し、カーボン保護膜を１０
ｎｍの膜厚で直流スパッタ法により成膜した。この時の
成膜条件は、Ａｒガス流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧０．４
Ｐａ、投入電力３Ｋｗとした。次いで、積層された基板
を装置から取り出し、最上層のカーボン保護膜の上にパ
ーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を両面にディプ法で
塗布した。
後、真空度が１×１０-4Ｐａとなるまで予備排気室７を
排気した。次に、トレーをＳｉＯ2 成膜室８に移しアモ
ルフォスポリオレフィン基板上に高周波反応性スパッタ
によりＳｉＯ2 を１００ｎｍ成膜した。このときの成膜
条件は、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、Ｏ2 流量２０ｓｃｃ
ｍ、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力３Ｋｗとした。次い
で、次のＣｒ成膜室９にトレーを搬送し、Ｃｒ層を、直
流スパッタにより１００ｎｍ成膜した。このときの成膜
条件は、Ａｒ５０ｓｃｃｍ、ガス圧０．４Ｐａ、投入電
力を３Ｋｗ、基板設定温度を５０℃とした。この温度で
もスパッタ時の基板最高温度は１００℃であり、基板が
溶融するというような問題は起こらなかった。このトレ
ーを次のＣｏＣｒＰｔ成膜室１０に送り、ＣｏＣｒＰｔ
膜を３０ｎｍの膜厚で直流スパッタにより成膜した。こ
のときのスパッタ条件は、Ａｒガス流量１００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧０．８Ｐａ投入電力３Ｋｗとした。ＣｏＣｒ
Ｐｔ膜の成膜時には、基板加熱は行なわなかった。スパ
ッタ時の最高温度は、５０℃であった。最後に、カーボ
ン成膜室１１内にトレーを移し、カーボン保護膜を１０
ｎｍの膜厚で直流スパッタ法により成膜した。この時の
成膜条件は、Ａｒガス流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧０．４
Ｐａ、投入電力３Ｋｗとした。次いで、積層された基板
を装置から取り出し、最上層のカーボン保護膜の上にパ
ーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を両面にディプ法で
塗布した。
【００１４】こうして得られた本実施例の４層構成の磁
気ディスクの概略断面図を図２に示す。この磁気ディス
クは、アモルファスポリオレフィン樹脂基体上１にＳｉ
Ｏ2層２，Ｃｒ層３，Ｃｏ75Ｃｒ10Ｐｔ15合金層４、非
晶質カーボン膜５及び潤滑材層６が形成されている。Ｓ
ｉＯ2 層２は、基板の表面の機械的強度を上げるための
層であり、その上に形成するＣｒ層３が本発明における
下地層に該当する。
気ディスクの概略断面図を図２に示す。この磁気ディス
クは、アモルファスポリオレフィン樹脂基体上１にＳｉ
Ｏ2層２，Ｃｒ層３，Ｃｏ75Ｃｒ10Ｐｔ15合金層４、非
晶質カーボン膜５及び潤滑材層６が形成されている。Ｓ
ｉＯ2 層２は、基板の表面の機械的強度を上げるための
層であり、その上に形成するＣｒ層３が本発明における
下地層に該当する。
【００１５】得られた磁気ディスクの断面を透過型顕微
鏡で観察したところ、図４に示すように、下地層３１は
柱状であり、ＣｏＣｒＰｔ層４１はＣｒ下地層の各柱状
結晶の上面を覆っていることがわかった。
鏡で観察したところ、図４に示すように、下地層３１は
柱状であり、ＣｏＣｒＰｔ層４１はＣｒ下地層の各柱状
結晶の上面を覆っていることがわかった。
【００１６】実施例２ ＣｏＣｒＰｔ膜の性膜条件をＡｒガス流量２００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧１．６Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作製した。
ｍ、ガス圧１．６Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作製した。
【００１７】実施例３ ＣｏＣｒＰｔ膜の性膜条件をＡｒガス流量３００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧２．４Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作製した。
ｍ、ガス圧２．４Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作製した。
【００１８】実施例４ ＣｏＣｒＰｔ膜の成膜条件をＡｒガス流量４００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧３．２Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作製した。
ｍ、ガス圧３．２Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作製した。
【００１９】比較例１ ＣｏＣｒＰｔ膜の成膜条件をＡｒガス流量５０ｓｃｃ
ｍ、ガス圧０．４Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
磁気ディスクを作製した。この比較例１の磁気ディスク
は従来使用されている磁気ディスクと同様のものであ
る。
ｍ、ガス圧０．４Ｐａとした以外は、実施例１と同様に
磁気ディスクを作製した。この比較例１の磁気ディスク
は従来使用されている磁気ディスクと同様のものであ
る。
【００２０】比較例２ ＣｏＣｒＰｔ膜の性膜条件をＡｒガス流量５００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧４Ｐａとした以外は、実施例１と同様にして
磁気ディスクを作製した。
ｍ、ガス圧４Ｐａとした以外は、実施例１と同様にして
磁気ディスクを作製した。
【００２１】実施例１〜４及び比較例１〜２で得られた
磁気ディスクについて、サンプル信号を記録した後、Ｓ
／Ｎ比を測定した。また、各磁気ディスクについて、下
地層及び磁性層の結晶粒の平均粒径を調べた。Ｓ／Ｎ比
は、トラック幅８μｍ、ギャップ長０．４μｍのＭＩＧ
ヘッドを用いて、線速７ｍ／Ｓ、ヘッドの浮上量０．１
μｍ、線記録密度５０ｋｆｃｉでサンプル信号の記録を
行ったあと、トラック幅５μｍ、ギャップ長０．２μｍ
の薄膜ヘッドを用いて、線速７ｍ／Ｓ、ヘッドの浮上量
０．１μｍで再生し、その再生信号をスペクトラムアナ
ライザに取り込んで調べた。下地層及び磁性膜の結晶粒
の平均粒径は、上記例で得られたディスクについてミク
ロトームを用いて断面の超薄切片を作製し、それらを透
過型顕微鏡で観察し、各１００個のサンプルから平均値
を求めた。結果を表１に示す。各ディスクの断面を顕微
鏡観察すると、下地層は、どの磁気ディスクも実施例１
で得られた磁気ディスクと同様に図４に示したような柱
状構造であり、その上に磁性粒子が成長する構造である
ことがわかった。
磁気ディスクについて、サンプル信号を記録した後、Ｓ
／Ｎ比を測定した。また、各磁気ディスクについて、下
地層及び磁性層の結晶粒の平均粒径を調べた。Ｓ／Ｎ比
は、トラック幅８μｍ、ギャップ長０．４μｍのＭＩＧ
ヘッドを用いて、線速７ｍ／Ｓ、ヘッドの浮上量０．１
μｍ、線記録密度５０ｋｆｃｉでサンプル信号の記録を
行ったあと、トラック幅５μｍ、ギャップ長０．２μｍ
の薄膜ヘッドを用いて、線速７ｍ／Ｓ、ヘッドの浮上量
０．１μｍで再生し、その再生信号をスペクトラムアナ
ライザに取り込んで調べた。下地層及び磁性膜の結晶粒
の平均粒径は、上記例で得られたディスクについてミク
ロトームを用いて断面の超薄切片を作製し、それらを透
過型顕微鏡で観察し、各１００個のサンプルから平均値
を求めた。結果を表１に示す。各ディスクの断面を顕微
鏡観察すると、下地層は、どの磁気ディスクも実施例１
で得られた磁気ディスクと同様に図４に示したような柱
状構造であり、その上に磁性粒子が成長する構造である
ことがわかった。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１からわかるように、本発明の実施例に
より得られた磁気ディスクは、下地層に対する磁性層の
平均粒径比Ｙ／Ｘが０．４〜０．９の範囲内であり、Ｙ
／Ｘがこの範囲外の比較例に比べてＳ／Ｎ比が優れてい
ることがわかる。このＳ／Ｎ比の改善は主に磁性粒の粒
径が小さくなり、磁性粒の分離が良くなるために変調ノ
イズが低下するためと考えられる。
より得られた磁気ディスクは、下地層に対する磁性層の
平均粒径比Ｙ／Ｘが０．４〜０．９の範囲内であり、Ｙ
／Ｘがこの範囲外の比較例に比べてＳ／Ｎ比が優れてい
ることがわかる。このＳ／Ｎ比の改善は主に磁性粒の粒
径が小さくなり、磁性粒の分離が良くなるために変調ノ
イズが低下するためと考えられる。
【００２４】下地層を構成する粒子の平均粒径のＳ／Ｎ
比への影響を調べるために、実施例１の条件においてＣ
ｒ層の成膜条件を、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ、ガス
圧０．８Ｐａとした場合及びＡｒガス流量１００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧０．８Ｐａ、基板温度２５℃とした場合につ
いて磁気ディスクを作製した。それぞれ得られた磁気デ
ィスクの下地層を構成粒子の平均粒径は、１３ｎｍ及び
１０ｎｍであり、各Ｓ／Ｎ比は実施例１の場合に比べて
低かった。従って、下地層粒子の平均粒径を１５ｎｍ以
上に維持するのが好ましい。
比への影響を調べるために、実施例１の条件においてＣ
ｒ層の成膜条件を、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍ、ガス
圧０．８Ｐａとした場合及びＡｒガス流量１００ｓｃｃ
ｍ、ガス圧０．８Ｐａ、基板温度２５℃とした場合につ
いて磁気ディスクを作製した。それぞれ得られた磁気デ
ィスクの下地層を構成粒子の平均粒径は、１３ｎｍ及び
１０ｎｍであり、各Ｓ／Ｎ比は実施例１の場合に比べて
低かった。従って、下地層粒子の平均粒径を１５ｎｍ以
上に維持するのが好ましい。
【００２５】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、変調ノイズが
低く、優れたＳ／Ｎ比を有する。本発明の磁気記録媒体
を用いることにより高密度記録が可能になる。
低く、優れたＳ／Ｎ比を有する。本発明の磁気記録媒体
を用いることにより高密度記録が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の合金薄膜記録媒体の部分拡大平面図であ
り、微小磁区により形成された異なる磁化の境界を概念
的に表している。
り、微小磁区により形成された異なる磁化の境界を概念
的に表している。
【図２】実施例１で得られた本発明の磁気ディスクの概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】実施例で用いた連続スパッタ装置の概略構成図
である。
である。
【図４】実施例１で得られた本発明の磁気ディスクの拡
大断面図である。
大断面図である。
１ 基板 ２ ＳｉＯ2 層 ３ Ｃｒ層 ４ ＣｏＣｒＰｔ合金層 ５ カーボン層 ６ 潤滑材層 ７ 予備排気室 ９ Ｃｒ成膜室 １２ クライオポンプ １３ ゲートバルブ ３１ 柱状構造の下地層 ４１ 磁性層の磁性粒
Claims (4)
- 【請求項１】 基体上に下地層及び磁性層を積層した磁
気記録媒体において、 上記下地層を構成する粒子の平均粒径Ｘに対する上記磁
性層を構成する磁性粒子の平均粒径Ｙの比Ｙ／Ｘが、
０．４≦Ｙ／Ｘ≦０．９であることを特徴とする上記磁
気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｘ≧１５ｎｍであることを特徴とする請
求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 下地層がＣｒ，ＣｒＴｉ，ＣｒＷ，Ｃｒ
Ｔａ、Ｔｉ，Ｔｉ−Ｔａからなる群から選ばれる一種か
ら構成され且つ磁性層がＣｏＣｒ，ＣｏＣｒＴａ，Ｃｏ
ＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＰｔ，ＣｏＰｄ，Ｃ
ｏＣｒＰｔＳｉ，ＣｏＣｒＰｔＢ，Ｃｏ粒分散複合材料
及びＦｉ粒分散複合材料からなる群から選ばれる一種か
ら構成されている請求項１または２の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 磁性層がＣｏＮｉ系合金を除く材料から
構成されている請求項１から３のいずれか一項の磁気記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12944395A JPH08306029A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12944395A JPH08306029A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306029A true JPH08306029A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15009603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12944395A Withdrawn JPH08306029A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6682833B1 (en) * | 1999-03-19 | 2004-01-27 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and production process thereof |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP12944395A patent/JPH08306029A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6682833B1 (en) * | 1999-03-19 | 2004-01-27 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and production process thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |