JPH0830721B2 - 電圧検出装置 - Google Patents

電圧検出装置

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JPH0830721B2
JPH0830721B2 JP62174536A JP17453687A JPH0830721B2 JP H0830721 B2 JPH0830721 B2 JP H0830721B2 JP 62174536 A JP62174536 A JP 62174536A JP 17453687 A JP17453687 A JP 17453687A JP H0830721 B2 JPH0830721 B2 JP H0830721B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定物、例えば集積回路等の所定部分の
電圧を検出するための電圧検出装置に関し、特に被測定
物の所定部分の電圧によって光ビームの偏光状態が変化
することを利用して電圧を検出する型式の電圧検出装置
に関する。
〔従来の技術〕
従来、集積回路などの被測定物の所定部分の電圧を検
出するのに、種々の電圧検出装置が用いられている。
この種の電圧検出装置のうちで、光ビームの偏光状態
が被測定物の所定部分の電圧によって変化することを利
用して被測定物の電圧を検出する型式の電圧検出装置が
近年開発されている。
例えば本願の出願人により「電圧検出装置」の名称で
昭和62年５月30日に出願された特許出願に記載の電圧検
出装置では、被測定物の電圧によって屈折率が変化する
電気光学材料を微小断面形状の光プローブ内に収納し、
この光プローブの電気光学材料に所定の偏光成分をもつ
光ビームを入射させ、電気光学材料の屈折率変化に伴な
う光ビームの偏光状態の変化量を検出することで、被測
定物の１つの測定位置の電圧を検出するようになってい
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、使用者にとって集積回路などの被測定物の
二次元的な各位置における電圧を同時に測定することを
望む場合がある。しかしながら、上述のような電圧検出
装置では、被測定物の二次元的な各位置における電圧を
同時には検出することができないという問題があった。
本発明は、被測定物の二次元的な各位置における電圧
を同時に検出することの可能な電圧検出装置を提供する
ことを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、電圧が加わることによって屈折率が変化す
る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置を改良する
ものである。第１の発明では、前記電気光学材料は、電
圧の検出されるべき被測定物の複数の二次元的位置を覆
うように位置決めされ、被測定物の前記複数の二次元的
位置に対応した前記電気光学材料の各二次元的部分に
は、光源からの光ビームが平行光となって一様に入射
し、前記電気光学材料の前記複数の二次元的部分からの
出射光の偏光状態の変化を検出器により検出するように
なっている。
第２の発明ではさらに、被測定物の配線形状を観測す
るために前記光源（パルス光源）とは異なる波長の光ビ
ームを出力する観測用光源と、該観測用光源からの光ビ
ームと前記パルス光源からの光ビームとを切換えて前記
電気光学材料に入射させる切換手段と、被測定物の配線
形状を観測する際には、前記偏光状態の変化を検出する
際と異なる位相に出射光の位相を調整する位相補償手段
と、前記出射光の偏光状態の変化に基づいて観測される
被測定物の二次元的位置の電圧を前記検出器により観測
された被測定物の配線形状に重畳させて表示する表示手
段と、被測定物の二次元的位置の電圧変化をサンプリン
グ測定するために前記パルス光源からの光ビームの電気
光学材料への入射タイミングをずらす可変遅延手段とを
備えていることを特徴とするものである。
〔作用〕
本発明では、電圧の検出されるべき被測定物の複数の
二次元的位置を覆うように電気光学材料を位置決めし、
被測定物の複数の二次元的位置に対応した電気光学材料
の各二次元的部分に光源からの光ビームを一様に入射さ
せる。電気光学材料の各二次元的部分の屈折率は、各二
次元的部分に対応した被測定物の各二次元的位置の電圧
によって変化しているので、電気光学材料の各二次元的
部分に入射した光ビームは各々の偏光状態が電気光学材
料の各二次元的部分の屈折率変化に伴なって変化し電気
光学材料から出射光として出力され検出器、例えば二次
元の光検出器アレイあるいはストリークカメラに入射す
る。これにより、検出器において被測定物の二次元的位
置の電圧を同時に検出することができる。
さらに第２の発明では、被測定物の配線形状に重畳さ
せて被測定物の二次元的位置の電圧分布を表示するよう
になっている。これには先づ被測定物の配線形状を観測
するために、切換手段によって観測用光源からの光ビー
ムが電気光学材料に入射するよう切換え、位相補償手段
によって出射光の位相を観測用に調整する。このような
切換え、調整がなされると、観測用光源からの光ビーム
は平行光として電気光学材料に入射し、電気光学材料を
透過して被測定物の表面に入射する。なお、電気光学材
料の底面には、観測用光源からの光ビームを透過させる
が、電圧検出用の光源からの光ビームを反射する誘電体
多層膜鏡が設けられているものとする。被測定物の表面
に入射した観測用光源からの光ビームは被測定物の表面
の配線形状により一部が反射されて電気光学材料から出
射光として出力される。電気光学材料から出力された出
射光は、位相補償手段を介して二次元の検出器に加わ
り、検出器において被測定物の配線形状の可視像データ
として検出される。このようにして配線形状の可視像デ
ータを検出した後、被測定物の二次元的位置の電圧を検
出するために、切換手段によりパルス光源からの光ビー
ムが電気光学材料に入射するよう切換え、位相補償手段
によって出射光の位相を電圧検出用に調整する。このと
き被測定物の動作はパルス光と同期している必要があ
る。このような切換え、調整がなされると、第１の発明
と同様にして検出器において１つのサンプリングタイミ
ングにおける被測定物の二次元的位置の電圧が検出され
る。次いで表示手段は、検出器において調整された被測
定物の配線形状の可視像データをディスプレイなどに表
示するとともにこれに重畳させて１つのサンプリングタ
イミングにおける被測定物の電圧分布を表示する。次い
で可変遅延手段によってパルス光源からの光ビームを少
し遅延させて前のサンプリングタイミングとは少しずれ
たタイミングで被測定物の二次元的位置の電圧を検出
し、表示手段により表示する。これにより表示画面上で
は、被測定物の配線形状に重畳させて、被測定物の二次
元的位置の電圧分布の時間的変化を目視によって観察で
きることになる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る電圧検出装置の第１の実施例の
構成図である。
第１図の電圧検出装置１では、電気光学材料２は、集
積回路などの被測定物３に接近させてあるいは被測定物
３に接触させて固定されている。この電気光学材料２
は、その断面が被測定物３の複数の二次元的位置を覆う
大きさに切出されている。なお電気光学材料２の底面に
は、金属あるいは誘電体多層膜の反射鏡８が形成されて
いる。
また電圧検出装置１は、非常に短かいパルス幅の光ビ
ームを出力するパルス光源４と、パルス光源４からの光
ビームを可変的に遅延させる可変遅延手段５と、可変遅
延手段５によって遅延された光ビームを二次元的な広が
りに拡大し平行光とする拡大光学系６と、拡大光学系６
により平行光とされた光ビームから所定の偏光成分を抽
出する偏光子７と、偏光子７により抽出された所定の偏
光成分をもつ平行光すなわち光ビームを電気光学材料２
に入射させるとともに、電気光学材料２の底面に形成さ
れた反射鏡８で反射され電気光学材料２から出力される
出射光を電圧検出のために分割して結像光学系９に向か
わせるビームスプリッタ10と、結像光学系９からの出射
光の位相を調節する位相補償器11と、位相補償器11によ
り位相の調節された出射光のうち所定の偏光成分の光ビ
ームだけを通過させる検光子12と、検光子12を通過した
出射光が入射する検出器13とを備えている。
電気光学材料２に入射する平行光は、拡大光学系６に
より二次元的な広がりをもっており、所定の広がりをも
って電気光学材料２に一様に入射するようになってい
る。また電気光学材料２に一様に入射した平行光は、電
気光学材料２の断面が被測定物３の複数の二次元的位置
を覆う大きさに切出されているので、被測定物３の複数
の二次元的位置の電圧による電気光学材料２のこれら二
次元的位置に対応した二次元的部分の屈折率変化によっ
て偏光状態が変化し、電気光学材料２から出射光として
出力されるようになっている。すなわち電気光学材料２
から出力される出射光は、平行光と同じ広がりをもって
おり、その各部分の偏光状態の変化が被測定物３の各二
次元的位置の電圧を反映している。
位相補償器11は、出射光の位相を調節し、検光子12に
よって抽出される出射光の偏光成分を偏光子７によって
抽出される平行光の偏光成分と所定の角度に設定するも
のであり、検光子12によって抽出される出射光の偏光成
分を偏光子７によって抽出される平行光の偏光成分と同
じにしたりあるいは直交させたりすることができる。
検出器13は、CCDカメラ、フォトダイオードアレイ、
ビジコンカメラなどの二次元検出器であって、検光子12
の出射光強度を検出して電気光学材料２の屈折率変化か
ら被測定物３の二次元的位置の電圧を同時に検出するよ
うになっている。
パルス光源４と二次元の検出器13とを組合せて用いる
場合には、被測定物３の各二次元的位置の電圧は光パル
スに同期して周期的に変化するものでなければならな
い。すなわちパルス光源４からの光ビームをビームスプ
リッタ17で２つに分割し、一方をサンプリング測定のた
めに可変遅延手段５に入射させ、他方を検出器18に入射
して光電変換する。光電変換された信号はトリガ回路19
を介して駆動回路29に達して被測定物３を光パルスに同
期して周期的に動作させる。このように繰返して変化す
る電圧をサンプリングを行なうことにより検出する。こ
のサンプリングは、パルス光源４からの光ビームを可変
遅延手段５によって徐々に遅延させることによってなさ
れ、このような可変遅延手段５の制御は、コンピュータ
14によってなされる。すなわち、検出器13によって被測
定物３の各二次元的位置の電圧をあるタイミングで検出
した後、コンピュータ14はこのときの各二次元的位置の
電圧をデータ処理し、メモリ（図示せず）に記憶すると
ともに駆動回路15を制御し、駆動回路15により可変遅延
手段５を駆動して、パルス光源４からの光ビームを遅延
させて、サンプリングのタイミングを少しずらすように
なっている。これにより、被測定物３の各二次元的位置
の電圧の時間的変化を検出することができる。
このような構成の電圧検出装置１では、先づ位相補償
器11を調整して、検光子12によって抽出される出射光の
偏光成分を偏光子７によって抽出される平行光の偏光成
分と直交させる。これにより、電気光学材料２からの出
射光の偏光状態が電気光学材料２に入射する平行光と同
じであるとき（電気光学材料２に電圧が加わっていない
とき）、出射光が検光子12を通過しないようにする。こ
のように位相補償器11を設定した後、被測定物３の二次
元的位置の電圧測定を開始する。
電気光学材料２は、その断面が被測定物３の各二次元
的位置を覆う大きさに切出されているので、被測定物３
の各二次元的位置の電圧により、これらの二次元的位置
に対応した電気光学材料２の局所的部分の屈折率が変化
する。従って電気光学材料２に一様に入射した平行光
は、被測定物３の各二次元的位置に対応した電気光学材
料２の二次元的部分の屈折率変化によって偏光状態が変
化し、電気光学材料２から出射光として出力される。こ
れらの出射光はさらに、ビームスプリッタ10,結像光学
系９を介して位相補償手段11に加わり、位相補償器11で
位相が調整されて検光子12に入射する。位相補償器11
は、検光子12が偏光子７の偏光成分と直交する偏光成分
の光ビームだけを通過させるよう調整されているので、
検光子12に入射した各出射光の強度は、検光子12により
sin2〔（π/2）・Vij/V0〕に比例したものとなり検出器
13に加わることになる。ここでVijは被測定物３の各二
次元的位置（i,j）の電圧、V0は半波長電圧である。
このように各出射光は、被測定物３の各二次元的位置
の電圧変化に伴なう電気光学材料２の局所的部分の屈折
率変化によって変わるので、これに基づき検出器13にお
いて集積回路などの被測定物の二次元的位置の電圧を同
時に検出することができる。
検出器13においてあるタイミングでの被測定物３の二
次元的位置の電圧を検出したときにその結果はコンピュ
ータ14のメモリに記憶され、さらに次のタイミングでの
電圧を検出するため、コンピュータ14は駆動回路15を制
御して可変遅延手段５を駆動し、パルス光源４からの光
ビームを所定量遅延させサンプリングのタイミングを少
しずらして、同様の電圧検出処理を繰返す。このように
して、被測定物３の二次元的位置の電圧を時間的変化を
サンプリング測定する。サンプリング測定された結果
は、コンピュータ14のメモリに記憶されているので、所
定時間内のサンプリング測定が終了した時点でコンピュ
ータ14はディスプレイ16にこれらの電圧検出結果を表示
し、全ての処理を終了する。
第１図の電圧検出装置１では、パルス光源４と、CCD
カメラ、フォトダイオードアレイ、ビジコンカメラなど
の二次元の検出器13とを組合せて被測定物３の二次元的
位置の周期的に繰返して変化する電圧をサンプリングを
行なうことにより検出したが、被測定物の二次元的位置
の電圧変化が周期的なものでない場合には、第１図の電
圧検出装置１を用いることはできない。
第２図は被測定物の二次元的位置の電圧をストリーク
カメラを用いて検出する電圧検出装置の部分概略構成図
である。
第２図の電圧検出装置20では、第１図の二次元の検出
器13のかわりに、位相補償器11,検光子12を通過した出
射光を案内する光ファイバの束21と、光ファイバの束21
によって案内された出射光が入射するストリークカメラ
22とが設けられている。またこのときに光源としてはパ
ルス光源４を用いても良いし、直流光源を用いても良
い。
第２図からもわかるように光ファイバの束は、出射光
の二次元的配列を一次元的配列に変換してストリークカ
メラ22のスリット23に入射させるようになっている。
このような構成の電圧検出装置20では、第１図の電圧
検出装置１と同様にして位相補償器11を調節した後、電
気光学材料２にパルス光源４あるいは直流光源から平行
光を入射させ、電気光学材料２から出力され位相補償器
11,検光子12を通過した出射光を二次元的配列の光ファ
イバの束21に入射させる。光ファイバの束21は、ストリ
ークカメラ22のスリット23のところで一次元的配列にな
っているので、被測定物３の二次元的位置の電圧情報
は、一次元情報に変換されてストリークカメラ22に入射
し、ストリークカメラ22において高時間分解能で検出さ
れる。なお、ストリークカメラを用いる場合には、可変
遅延手段５は必要なく、被測定物３の電圧変化は単発現
象であっても計測できる。
上述の実施例では、被測定物３の二次元的位置の電圧
だけを検出し、ディスプレイ16に表示するようにしてい
るが、使用者にとってはさらに集積回路などの被測定物
３の配線形状を同時に観測し、観測された配線形状に重
畳させて各二次元的位置の電圧を表示することを望む場
合がある。
第３図は、被測定物の配線形状に重畳させて二次元的
位置の電圧を表示しうるようにした電圧検出装置の構成
図である。なお第３図において第１図と同様の箇所には
同じ符号を付して説明を省略する。
第３図の電圧検出装置30において、被測定物３の配線
形状を観測するためにパルス光あるいは直流光を出力す
る観測用光源31がパルス光源４とは別に設けられてい
る。観測用光源31から出力される光ビームの波長は、パ
ルス光源４から出力される光ビームの波長と異なってお
り、パルス光源４からの光ビームは電気光学材料２の底
面に形成された誘電体多層膜鏡32によって反射される
が、光源31からの光ビームは誘電体多層膜鏡を透過して
被測定物３の表面に入射するようになっている。
観測用光源31からの光ビームとパルス光源４からの光
ビームとは、コンピュータ14の制御の下で切換手段33に
よって切換えられるようになっており、切換手段33は、
被測定物３の配線形状を観測する際には、観測用光源31
からの光ビームを選択して電気光学材料２を介して被測
定物３に入射させる一方、被測定物３の二次元的位置の
電圧を検出する際には、パルス光源４からの光ビームを
選択して電気光学材料２に入射させるようになってい
る。
また位相補償器11は、コンピュータ14によって調整さ
れるようになっており、被測定物３の配線形状を観測す
るときには、検光子12が偏光子７の偏光成分と同じ偏光
成分の出射光を通過させるように調整され、被測定物３
の二次元的位置の電圧を検出する際には、検光子12が偏
光子７の偏光成分と直交した偏光成分の出射光を通過さ
せるように調整されるようになっている。
このような構成の電圧検出装置30では、先づ被測定物
３の配線形状を観測するためにコンピュータ14は、切換
手段33を制御して観測用光源31からの光ビームを被測定
物３の表面に平行光として入射させるとともに、検光子
12が偏光子７の偏光成分と同じ偏光成分の出射光を通過
させるよう位相補償器11を調整する。
これにより観測用光源31からの光ビームは、可変遅延
手段5,拡大光学系6,偏光子7,ビームスプリッタ10を介し
て電気光学材料２に平行光として入射し、さらに誘電体
多層膜鏡32を透過して被測定物３の表面に入射する。被
測定物３の表面に入射した平行光は被測定物３の表面の
配線形状、材質により一部が反射されて誘電体多層膜鏡
32,電気光学材料２を戻り、ビームスプリッタ10,結像光
学系9,位相補償器11を介して出射光として検光子12に入
射する。ところで位相補償器11は、検光子12が偏光子７
の偏光成分と同じ偏光成分の出射光を通過させるように
調整されているので、検光子12に入射した出射光はその
まま検光子12を通過してCCDカメラなどの二次元の検出
器13に加わる。検出器13に加わった出射光は、被測定物
３の配線形状の可視像情報を有しているので、検出器13
では、これを光電変換し、配線形状の可視像データを得
ることができる。この可視像データは、コンピュータ14
に送られコンピュータ14のメモリ（図示せず）に記憶さ
れる。
このようにして被測定物３の配線形状の可視像データ
を得た後、コンピュータ14は、可変遅延手段５を初期設
定し、切換手段33を制御してパルス光源４からの光ビー
ムが電気光学材料２に平行光として入射するようにし、
さらに、検光子12が偏光子７の偏光成分と直交する偏光
成分の出射光を通過させるように位相補償器11を調整し
て、被測定物３の二次元的位置の電圧を同時に検出す
る。この際、パルス光源４からの光ビームは電気光学材
料２に平行光として入射した後、誘電体多層膜鏡32によ
り反射され、電気光学材料２の屈折率変化に伴なって偏
光状態が変化し出射光として位相補償器11,検光子12に
入射する。検光子12では、所定の偏光成分の出射光だけ
を通過させて二次元の検出器13に入射させる。検出器13
では、可変遅延手段５で設定されたタイミングにおける
被測定物３の二次元的位置の電圧をサンプリングして同
時に検出する。１つのタイミングでの電圧検出結果はコ
ンピュータ14に送られメモリに記憶される。しかる後
に、以前にメモリに記憶された被測定物３の配線形状の
可視像データに重畳させて１つのタイミングでサンプリ
ングされた被測定物３の二次元的位置の電圧検出結果を
ディスプレイ16に表示する。
第４図（ａ）は被測定物３の配線形状に重畳されてデ
ィスプレイ16に表示された１つのサンプリングタイミン
グでの被測定物３の二次元的位置の電圧検出結果を示す
ものである。第４図（ａ）では、被測定物３の配線形状
WFに重畳して二次元的位置の電圧分布G1,G2,G3が表示さ
れている。
このように１つのサンプリングタイミングでの電圧検
出結果を配線形状に重畳させて表示した後、コンピュー
タ14は、駆動回路15を制御して、可変遅延手段５を駆動
し、パルス光源４からの光ビームの遅延を変化させて、
サンプリングタイミングを少しずらし、同様の電圧検出
処理を行ない、ディスプレイ16に同様の表示を行なう。
第４図（ｂ）はサンプリングタイミングを少しずらせ
て検出された被測定物３の二次元的位置の電圧を被測定
物３の配線形状に重畳させて表示した状態を示してい
る。第４図（ｂ）において電圧分布G1′,G2′,G3′は、
被測定物３の配線形状WF上で第４図（ａ）の電圧分布G
1,G2,G3が時間変化したものである。
第４図（ａ），（ｂ）からわかるように、第３図の電
圧検出装置30では、ディスプレイ16上で被測定物３の配
線形状WF上での電圧分布の時間変化を目視により容易に
把持することができて、電圧検出結果を容易に理解する
ことが可能となる。
〔発明の効果〕
以上に説明したように、第１の発明では、被測定物の
複数の二次元的位置に対応した電気光学材料の各二次元
的部分には光源からの光ビームが平行光となって一様に
入射し、電気光学材料の各二次元的部分からの出射光の
偏光状態の変化を検出器により検出するようにしている
ので、被測定物の二次元的位置における電圧を同時に検
出することができる。
さらに第２の発明では、被測定物の配線形状に重畳さ
せて被測定物の二次元的位置の電圧分布を表示するよう
にしているので、二次元位置の電圧検出結果を容易に理
解することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はパルス光源と二次元の検出器とを用いた本発明
の電圧検出装置の構成図、第２図はストリークカメラを
用いた本発明の電圧検出装置の部分構成図、第３図は被
測定物の配線形状に重畳させて電圧分布を表示しうる電
圧検出装置の構成図、第４図（ａ），（ｂ）はそれぞれ
第３図の電圧検出装置において表示される異なるサンプ
リングタイミングでの表示例を示す図である。 1,20,30……電圧検出装置、 ２……電気光学材料、３……被測定物、 ４……パルス光源、５……可変遅延手段、 ６……拡大光学系、７……偏光子、11……位相補償器、 12……検光子、13……検出器、 14……コンピュータ、16……ディスプレイ、 21……光ファイバの束、22……ストリークカメラ、 31……観測用光源、32……誘電体多層膜鏡、 33……切換手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｃ 7735−4Ｍ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電圧が加わることによって屈折率が変化す
    る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
    前記電気光学材料は、該電気光学材料単体で、電圧の検
    出されるべき被測定物の複数の二次元的位置を覆うよう
    な大きさのものであって、電圧の検出されるべき被測定
    物の複数の二次元的位置を覆うように位置決めされ、被
    測定物の前記複数の二次元的位置に対応した前記電気光
    学材料の各二次元的部分には、光源からの二次元的拡が
    りをもつ光ビームが入射し、前記電気光学材料の前記複
    数の二次元的部分からの出射光の偏光状態の変化を検出
    器により検出するようになっていることを特徴とする電
    圧検出装置。
  2. 【請求項２】前記光源は、短かいパルス幅の光ビームを
    出力するパルス光源であり、前記検出器は二次元の光電
    変換検出器であって、前記二次元の光電変換検出器は、
    被測定物の二次元的位置の電圧変化をサンプリング測定
    するようになっていることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項に記載の電圧検出装置。
  3. 【請求項３】前記光源は、直流光源またはパルス光源で
    あり、前記検出器は高速応答検出器であって、前記出射
    光は、二次元的配列を一次元的配列に変換する光ファイ
    バの束によって前記高速応答検出器に案内されるように
    なっていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
    載の電圧検出装置。
  4. 【請求項４】前記高速応答検出器は、ストリークカメラ
    であることを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の
    電圧検出装置。
  5. 【請求項５】前記電気光学材料の底面には、金属または
    誘電体多層膜の反射鏡が形成されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項に記載の電圧検出装置。
  6. 【請求項６】電圧が加わることによって屈折率が変化す
    る電気光学材料を用いた型式の電圧検出装置において、
    前記電気光学材料は、電圧の検出されるべき被測定物の
    複数の二次元的位置を覆うように位置決めされ、被測定
    物の前記複数の二次元的位置に対応した前記電気光学材
    料の各二次元的部分には、パルス光源からの短かいパル
    ス幅の光ビームが並列的に入射し、前記電気光学材料の
    前記複数の二次元的部分から出射光の偏光状態の変化を
    検出器により検出するようになっており、さらに被測定
    物の配線形状を観測するために前記パルス光源とは異な
    る波長の光ビームを出力する観測用光源と、該観測用光
    源からの光ビームと前記パルス光源からの光ビームを切
    換えて前記電気光学材料に入射させる切換手段と、被測
    定物の配線形状を観測する際には、前記偏光状態の変化
    を検出する際と異なる位相に出射光の位相を調整する位
    相補償手段と、前記出射光の偏光状態の変化に基づいて
    測定される被測定物の二次元的位置の電圧を前記検出器
    により観測された被測定物の配線形状に重畳させて表示
    する表示手段とを備えていることを特徴とする電圧検出
    装置。
  7. 【請求項７】前記電気光学材料の底面には、誘電体多層
    膜鏡が形成され、該誘電体多層膜鏡は、前記観測用光源
    からの光ビームを透過する一方、前記パルス光源からの
    光ビームを反射するようになっていることを特徴とする
    特許請求の範囲第６項に記載の電圧検出装置。
  8. 【請求項８】前記位相補償手段は、被測定物の配線形状
    を観測する際には、前記電気光学材料からの出射光がそ
    のままの状態で前記検出器に加わるよう前記出射光の位
    相を調整する一方、被測定物の二次元的位置の電圧を検
    出する際には、前記電気光学材料からの出射光から偏光
    状態の変化分だけを抽出して前記検出器に加えるように
    前記出射光の位相を調整するようになっていることを特
    徴とする特許請求の範囲第６項に記載の電圧検出装置。
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