JPH0830954A - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH0830954A JPH0830954A JP18076794A JP18076794A JPH0830954A JP H0830954 A JPH0830954 A JP H0830954A JP 18076794 A JP18076794 A JP 18076794A JP 18076794 A JP18076794 A JP 18076794A JP H0830954 A JPH0830954 A JP H0830954A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体と
その製造方法に関し、高密度化に適した磁気記録媒体を
実現するために保磁力をさらに高め、かつ記録層の結晶
粒成長を抑制することを目的とする。 【構成】ディスク形状の非磁性基板１上に、少なくとも
下地層９と記録層４を有する磁気記録媒体において、該
下地層９として、Taを微量添加したCr層を形成した構成
とする。あるいは、下地層９を、Crを含有する膜の複数
層構造とする。
その製造方法に関し、高密度化に適した磁気記録媒体を
実現するために保磁力をさらに高め、かつ記録層の結晶
粒成長を抑制することを目的とする。 【構成】ディスク形状の非磁性基板１上に、少なくとも
下地層９と記録層４を有する磁気記録媒体において、該
下地層９として、Taを微量添加したCr層を形成した構成
とする。あるいは、下地層９を、Crを含有する膜の複数
層構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に用
いられる磁気記録媒体とその製造方法に関する。近年の
コンピュータシステムの処理情報量の増大に伴い、磁気
ディスク装置の大容量化、小型化が要求されている。
いられる磁気記録媒体とその製造方法に関する。近年の
コンピュータシステムの処理情報量の増大に伴い、磁気
ディスク装置の大容量化、小型化が要求されている。
【０００２】このため、磁気記録媒体の記録密度の向上
が必須であり、また記録再生特性に優れた媒体開発が進
められている。特に、Co-Cr 系合金に第三元素を添加す
ることで磁気記録媒体の高性能化（高保磁力）が盛んに
研究されている。
が必須であり、また記録再生特性に優れた媒体開発が進
められている。特に、Co-Cr 系合金に第三元素を添加す
ることで磁気記録媒体の高性能化（高保磁力）が盛んに
研究されている。
【０００３】
【従来の技術】図６は磁気ディスク装置の内部構造の全
容を示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転して
いる状態で、その半径方向に磁気ヘッド７が移動してシ
ーク動作し、情報の記録／再生が行なわれる。この磁気
ヘッド７の位置で磁気ディスクＤを切断し拡大すると、
図７のようになる。
容を示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転して
いる状態で、その半径方向に磁気ヘッド７が移動してシ
ーク動作し、情報の記録／再生が行なわれる。この磁気
ヘッド７の位置で磁気ディスクＤを切断し拡大すると、
図７のようになる。
【０００４】薄膜型の磁気ディスクＤにおいて、１はア
ルミニウムやガラス、セラミックスなどの非磁性体から
なる基板であり、その表面に形成したNiＰめっき層２上
に、下地膜３としてＣｒなどをスパッタする。
ルミニウムやガラス、セラミックスなどの非磁性体から
なる基板であり、その表面に形成したNiＰめっき層２上
に、下地膜３としてＣｒなどをスパッタする。
【０００５】そして、CoCrTaまたはCoNiCrなどの磁性体
をスパッタして磁気記録層４を形成した後、保護膜５と
してカーボンなどをスパッタし、最後にパーフロロポリ
エーテルなどの潤滑剤６を塗布して、完成する。この磁
気ディスクを矢印a1方向に高速回転させ、風力によって
磁気ヘッド７が浮上した状態で、情報の記録／再生を行
なう。
をスパッタして磁気記録層４を形成した後、保護膜５と
してカーボンなどをスパッタし、最後にパーフロロポリ
エーテルなどの潤滑剤６を塗布して、完成する。この磁
気ディスクを矢印a1方向に高速回転させ、風力によって
磁気ヘッド７が浮上した状態で、情報の記録／再生を行
なう。
【０００６】図７は従来の薄膜型の磁気ディスクの製造
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−336495号においても開示されてい
る。工程 (1)において、１はアルミニウムなどの非磁性
体からなるドーナツ状の基板であり、作製しようとする
磁気ディスクと同じサイズに形成されている。例えば、
2.５インチの小径磁気ディスクを製造する場合は、ディ
スク基板１も2.５インチのものを用いる。
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−336495号においても開示されてい
る。工程 (1)において、１はアルミニウムなどの非磁性
体からなるドーナツ状の基板であり、作製しようとする
磁気ディスクと同じサイズに形成されている。例えば、
2.５インチの小径磁気ディスクを製造する場合は、ディ
スク基板１も2.５インチのものを用いる。
【０００７】そして、工程(2) において、ディスク基板
１の両面に、NiＰメッキ下地層２を形成し、その上に工
程(3) において、回転しているディスク基板１の板面に
研摩テープを押し当てて、円周方向に微細なテクスチャ
ー溝８を形成する。テクスチャー溝８は、スライダの吸
着防止および情報を記録／再生する際の電磁変換特性が
向上するように、磁気異方性を付与するためのものであ
る。
１の両面に、NiＰメッキ下地層２を形成し、その上に工
程(3) において、回転しているディスク基板１の板面に
研摩テープを押し当てて、円周方向に微細なテクスチャ
ー溝８を形成する。テクスチャー溝８は、スライダの吸
着防止および情報を記録／再生する際の電磁変換特性が
向上するように、磁気異方性を付与するためのものであ
る。
【０００８】次に、工程(4) において、テクスチャー溝
８の上に、Co合金の水平配向性を高めるためのCr下地層
３を1000〜3000Å程度成膜し、その上に工程(5) におい
て、例えばCoCr系合金などから成る記録層４が１00〜10
00Å程度成膜される。
８の上に、Co合金の水平配向性を高めるためのCr下地層
３を1000〜3000Å程度成膜し、その上に工程(5) におい
て、例えばCoCr系合金などから成る記録層４が１00〜10
00Å程度成膜される。
【０００９】この記録層４の上に、工程(6) のように、
保護膜としてカーボン膜５を３00Å程度形成し、最後に
フッ素系の潤滑層６が塗布される。Cr下地層３、薄膜型
の記録層４およびカーボン膜５は、スパッタなどの薄膜
技術で成膜される。
保護膜としてカーボン膜５を３00Å程度形成し、最後に
フッ素系の潤滑層６が塗布される。Cr下地層３、薄膜型
の記録層４およびカーボン膜５は、スパッタなどの薄膜
技術で成膜される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記の磁気記録媒体で
は、記録密度を左右する磁気特性（保磁力）を向上させ
るために、下地層３のCr膜厚が厚く形成され、かつ成膜
時の基板温度を２００℃以上と高くすることが必要であ
る。このことで、Cr下地層３およびその上にスパッタさ
れエピタキシャル成長する記録層４の結晶配向性の向上
を図っている。
は、記録密度を左右する磁気特性（保磁力）を向上させ
るために、下地層３のCr膜厚が厚く形成され、かつ成膜
時の基板温度を２００℃以上と高くすることが必要であ
る。このことで、Cr下地層３およびその上にスパッタさ
れエピタキシャル成長する記録層４の結晶配向性の向上
を図っている。
【００１１】しかしながら、Cr下地層３の膜厚を厚く形
成することで、Cr下地層内の結晶粒の成長が促進され、
その結果その上部にエピタキシャル成長する記録層４の
粒成長も促進するといった問題がある。
成することで、Cr下地層内の結晶粒の成長が促進され、
その結果その上部にエピタキシャル成長する記録層４の
粒成長も促進するといった問題がある。
【００１２】すなわち、結晶粒の粒成長は、記録再生特
性における分解能（Ｄ50）の低下、あるいは媒体雑音の
増加を引き起こす原因となり、出力やオーバライト特性
などの記録再生特性は必ずしも向上するものではない。
前記のように、成膜時の基板温度を高くすることによっ
ても、粒成長がより促進される傾向にあり、同様な問題
が生じる。
性における分解能（Ｄ50）の低下、あるいは媒体雑音の
増加を引き起こす原因となり、出力やオーバライト特性
などの記録再生特性は必ずしも向上するものではない。
前記のように、成膜時の基板温度を高くすることによっ
ても、粒成長がより促進される傾向にあり、同様な問題
が生じる。
【００１３】換言すると、前記のように磁気特性の向上
をもたらすが、必ずしも高記録密度を達成するものでは
ない。すなわち、記録密度を向上させるためには、一つ
の磁化領域を小さくすることが必要で、かつその磁化反
転幅を極力狭くすることが要求される。
をもたらすが、必ずしも高記録密度を達成するものでは
ない。すなわち、記録密度を向上させるためには、一つ
の磁化領域を小さくすることが必要で、かつその磁化反
転幅を極力狭くすることが要求される。
【００１４】そのため、物理的粒子サイズは極力低下さ
せなければならない。このことにより、記録分解能の向
上および媒体ノイズ等の低減を図ることが重要である。
すなわち、磁気特性の向上（最適化）と共に、その微細
構造の最適設計が必要である。
せなければならない。このことにより、記録分解能の向
上および媒体ノイズ等の低減を図ることが重要である。
すなわち、磁気特性の向上（最適化）と共に、その微細
構造の最適設計が必要である。
【００１５】本発明は、上記のような問題点に鑑み、高
密度化に適した磁気記録媒体を実現するために保磁力を
さらに高め、かつ記録層の結晶粒成長を抑制することを
目的とする。
密度化に適した磁気記録媒体を実現するために保磁力を
さらに高め、かつ記録層の結晶粒成長を抑制することを
目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１は、磁気ディス
ク装置に用いられる磁気記録媒体であって、ディスク形
状の非磁性基板１上に、下地層９と記録層４を有する磁
気記録媒体において、該下地層９として、Taを微量添加
したCr層を形成したことを特徴とする磁気記録媒体であ
る。
ク装置に用いられる磁気記録媒体であって、ディスク形
状の非磁性基板１上に、下地層９と記録層４を有する磁
気記録媒体において、該下地層９として、Taを微量添加
したCr層を形成したことを特徴とする磁気記録媒体であ
る。
【００１７】請求項２は、請求項１の下地層９のTa量
を、２〜10at％の範囲にしたことを特徴とする磁気記録
媒体である。
を、２〜10at％の範囲にしたことを特徴とする磁気記録
媒体である。
【００１８】請求項３は、請求項１または請求項２に記
載の下地層９を、７00Å以下の膜厚としたことを特徴と
する磁気記録媒体である。
載の下地層９を、７00Å以下の膜厚としたことを特徴と
する磁気記録媒体である。
【００１９】請求項４は、請求項１から請求項３中のい
ずれかの項に記載の下地層９の上部の記録層４が、Co、
Cr、Pt元素から成る合金であることを特徴とする磁気記
録媒体である。
ずれかの項に記載の下地層９の上部の記録層４が、Co、
Cr、Pt元素から成る合金であることを特徴とする磁気記
録媒体である。
【００２０】請求項５は、請求項１から請求項４中のい
ずれかの項に記載の磁気記録媒体における下地層９およ
び記録層４の各層を、それぞれ１80℃以下の温度で成膜
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
ずれかの項に記載の磁気記録媒体における下地層９およ
び記録層４の各層を、それぞれ１80℃以下の温度で成膜
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【００２１】請求項６は、磁気ディスク装置に用いられ
る磁気記録媒体であって、ディスク形状の非磁性基板１
上に、下地層９と記録層４を有する磁気記録媒体におい
て、該下地層９を、Crを含有する膜の複数層構造で形成
したことを特徴とする磁気記録媒体である。
る磁気記録媒体であって、ディスク形状の非磁性基板１
上に、下地層９と記録層４を有する磁気記録媒体におい
て、該下地層９を、Crを含有する膜の複数層構造で形成
したことを特徴とする磁気記録媒体である。
【００２２】請求項７は、請求項６記載の下地層９が、
下地層の一層９１がCr層より成り、その他の層がCrに第
二元素を添加した合金膜から形成されてなることを特徴
とする磁気記録媒体である。
下地層の一層９１がCr層より成り、その他の層がCrに第
二元素を添加した合金膜から形成されてなることを特徴
とする磁気記録媒体である。
【００２３】請求項８は、請求項６記載の下地層９の各
層が、Crに第二元素を添加した合金膜から形成され、上
下の層間で添加第二元素が異なることを特徴とする磁気
記録媒体である。
層が、Crに第二元素を添加した合金膜から形成され、上
下の層間で添加第二元素が異なることを特徴とする磁気
記録媒体である。
【００２４】請求項９は、請求項７または請求項８記載
の下地層９の第二元素を添加したCr−α合金膜におい
て、該第二元素αがCrより原子半径が大きい元素で該合
金膜が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体で
ある。
の下地層９の第二元素を添加したCr−α合金膜におい
て、該第二元素αがCrより原子半径が大きい元素で該合
金膜が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体で
ある。
【００２５】請求項１０は、請求項９記載のCr−α合金
膜における第二元素αが、Ti、Ta、MoまたはＷ中におけ
るいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体であ
る。
膜における第二元素αが、Ti、Ta、MoまたはＷ中におけ
るいずれかであることを特徴とする磁気記録媒体であ
る。
【００２６】請求項１１は、請求項６から請求項１０中
のいずれかの項に記載の下地層９の各層の膜厚が、上層
ほど薄く形成されていることを特徴とする磁気記録媒体
である。
のいずれかの項に記載の下地層９の各層の膜厚が、上層
ほど薄く形成されていることを特徴とする磁気記録媒体
である。
【００２７】請求項１２は、請求項６から請求項１１中
のいずれかの項に記載の下地層９を構成する各層の膜厚
が、６00Å以下の膜厚であることを特徴とする磁気記録
媒体である。
のいずれかの項に記載の下地層９を構成する各層の膜厚
が、６00Å以下の膜厚であることを特徴とする磁気記録
媒体である。
【００２８】請求項１３は、請求項６から請求項１２中
のいずれかの項に記載の下地層９を形成する際に、下地
層９を構成する各層の成膜時のスパッタガスの圧力を、
上層ほど高くすることを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法である。
のいずれかの項に記載の下地層９を形成する際に、下地
層９を構成する各層の成膜時のスパッタガスの圧力を、
上層ほど高くすることを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法である。
【００２９】
【作用】請求項１のように、記録層４の下地層９とし
て、Taを微量添加したCr層を形成した場合、上部に形成
された記録層４の磁気特性が向上する。特に、Co-Cr-Pt
系合金では、保磁力（Hc）の向上が著しく、５００〜１
０００Ｏｅ程度の向上が確認できた。
て、Taを微量添加したCr層を形成した場合、上部に形成
された記録層４の磁気特性が向上する。特に、Co-Cr-Pt
系合金では、保磁力（Hc）の向上が著しく、５００〜１
０００Ｏｅ程度の向上が確認できた。
【００３０】これは、Cr粒子の(110）配向性の向上、な
らびに下地の結晶方向に沿って記録層の結晶がエピタキ
シャル成長することで、記録層との整合性が改善され、
密着性が向上すること等が起因するものと考えられる。
そのため、従来より下地層９の膜厚や成膜時の基板温度
をより有効に抑制できる。
らびに下地の結晶方向に沿って記録層の結晶がエピタキ
シャル成長することで、記録層との整合性が改善され、
密着性が向上すること等が起因するものと考えられる。
そのため、従来より下地層９の膜厚や成膜時の基板温度
をより有効に抑制できる。
【００３１】すなわち、下地層をより薄く、かつ低温で
成膜することで、保磁力（Hc）の低下なしに、結晶粒の
粒成長が抑制される。このことにより、高保磁力を有
し、かつ微細結晶からなる記録層が容易に得られ、記録
再生特性に優れた磁気記録媒体が実現できる。
成膜することで、保磁力（Hc）の低下なしに、結晶粒の
粒成長が抑制される。このことにより、高保磁力を有
し、かつ微細結晶からなる記録層が容易に得られ、記録
再生特性に優れた磁気記録媒体が実現できる。
【００３２】また、下地層９をより薄くできるため、下
地層９を形成するためのターゲットの消費を節減でき、
製造コストも節減できる。低温で成膜できるということ
も、昇温に要する時間を短縮して、生産性を向上でき
る。
地層９を形成するためのターゲットの消費を節減でき、
製造コストも節減できる。低温で成膜できるということ
も、昇温に要する時間を短縮して、生産性を向上でき
る。
【００３３】請求項２のように、請求項１の下地層９の
Ta量を、２〜10at％の範囲にしたことで、保磁力（Hc）
の低下を効果的に抑制できる。
Ta量を、２〜10at％の範囲にしたことで、保磁力（Hc）
の低下を効果的に抑制できる。
【００３４】請求項３のように、本発明によると、下地
層９を７00Å以下に薄くしても、高保磁力を維持でき
る。
層９を７00Å以下に薄くしても、高保磁力を維持でき
る。
【００３５】請求項４のように、下地層９の上部の記録
層４を、Co、Cr、Pt元素から成る合金で構成すると、保
磁力を５００〜１０００Ｏｅ程度まで向上できる。
層４を、Co、Cr、Pt元素から成る合金で構成すると、保
磁力を５００〜１０００Ｏｅ程度まで向上できる。
【００３６】請求項５のように、本発明によると、下地
層９および記録層４の各層を、１80℃以下の低温で成膜
することが可能となる。
層９および記録層４の各層を、１80℃以下の低温で成膜
することが可能となる。
【００３７】請求項６のように、下地層９を、Crを含有
する膜の複数層構造で形成し、Cr含有率を各層ごとに変
えたり、請求項７のように含有金属を変えた場合、結晶
粒の粒成長を物理的に抑制することが可能である。更
に、その結晶配向性においても、各下地層が同一結晶性
の膜であるため、上部に形成される膜は下側の下地層の
結晶性を引き継ぐ。
する膜の複数層構造で形成し、Cr含有率を各層ごとに変
えたり、請求項７のように含有金属を変えた場合、結晶
粒の粒成長を物理的に抑制することが可能である。更
に、その結晶配向性においても、各下地層が同一結晶性
の膜であるため、上部に形成される膜は下側の下地層の
結晶性を引き継ぐ。
【００３８】そのため、より上層の膜では、結晶配向性
に優れた膜構造が保たれる。このことで、その上側の記
録層４との界面の結晶性を劣化させることなしに、粒成
長の抑制が可能となる。
に優れた膜構造が保たれる。このことで、その上側の記
録層４との界面の結晶性を劣化させることなしに、粒成
長の抑制が可能となる。
【００３９】請求項７のように、下地層９の一層目９１
がCr層より成り、その他の層がCrに第二元素を添加した
合金膜からなる場合は、あるいは請求項８のように下地
層９の各層が、Crに第二元素を添加した合金膜から形成
され、上下の層間で添加第二元素を変えることで、下地
層の各層間の組成を任意に制御することは、各下地層間
の原子拡散により粒成長をより効果的に低減できる。
がCr層より成り、その他の層がCrに第二元素を添加した
合金膜からなる場合は、あるいは請求項８のように下地
層９の各層が、Crに第二元素を添加した合金膜から形成
され、上下の層間で添加第二元素を変えることで、下地
層の各層間の組成を任意に制御することは、各下地層間
の原子拡散により粒成長をより効果的に低減できる。
【００４０】請求項９のように、下地層９の第二元素を
添加したCr−α合金膜において、該第二元素αがCrより
原子半径が大きい元素で該合金膜が形成された場合、あ
るいは請求項１０のように、前記Cr−α合金膜における
第二元素αとして、Ti、Ta、MoまたはＷなどを用いるこ
とで、上部にエピタキシャル成長される記録層に合わせ
下地層の格子間隔を制御することも効果的である。
添加したCr−α合金膜において、該第二元素αがCrより
原子半径が大きい元素で該合金膜が形成された場合、あ
るいは請求項１０のように、前記Cr−α合金膜における
第二元素αとして、Ti、Ta、MoまたはＷなどを用いるこ
とで、上部にエピタキシャル成長される記録層に合わせ
下地層の格子間隔を制御することも効果的である。
【００４１】現状のCoCr系合金ではCr膜より僅かに大き
な格子間隔を有するため、Crにより原子半径の大きい第
二元素を添加することが望ましい。更に、添加元素の種
類により、粒成長抑制剤として働き、各粒間の粒界にお
いてその界面拡散を低減させる。
な格子間隔を有するため、Crにより原子半径の大きい第
二元素を添加することが望ましい。更に、添加元素の種
類により、粒成長抑制剤として働き、各粒間の粒界にお
いてその界面拡散を低減させる。
【００４２】請求項１１によると、下地層９の各層の膜
厚が、上層ほど薄く形成されている。記録層４の粒子サ
イズを大きく左右する下地層界面の影響を考慮すると、
下地層９の上層ほど薄く形成することで、記録膜側の下
地層の結晶粒の微細化に効果的であり、記録膜の微細化
が図れる。
厚が、上層ほど薄く形成されている。記録層４の粒子サ
イズを大きく左右する下地層界面の影響を考慮すると、
下地層９の上層ほど薄く形成することで、記録膜側の下
地層の結晶粒の微細化に効果的であり、記録膜の微細化
が図れる。
【００４３】請求項１２のように、下地層９を構成する
各層の膜厚を６00Å以下に形成することで、その微細化
の作用をより強めることができる。
各層の膜厚を６00Å以下に形成することで、その微細化
の作用をより強めることができる。
【００４４】請求項１３のように、本発明によると、下
地層９を構成する各層の成膜時のスパッタガスの圧力
を、上層ほど高くすることにより、上層ほど薄い複数層
の下地層を容易に成膜できる。
地層９を構成する各層の成膜時のスパッタガスの圧力
を、上層ほど高くすることにより、上層ほど薄い複数層
の下地層を容易に成膜できる。
【００４５】
【実施例】次に本発明による磁気記録媒体とその製造方
法が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明す
る。図２に、本発明の第一実施例による磁気記録媒体の
断面構造図を示す。Ni-Pメッキ２を施したアルミニウム
基板１にテクスチャー処理を行なって、面内方向の形状
異方性をもたせ、その上に下地層９として、Cr-Ta合金
ターゲットを用いスパッタリング法により、Cr95Ta5(at
％）層を 200〜 700Å程度形成した。
法が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明す
る。図２に、本発明の第一実施例による磁気記録媒体の
断面構造図を示す。Ni-Pメッキ２を施したアルミニウム
基板１にテクスチャー処理を行なって、面内方向の形状
異方性をもたせ、その上に下地層９として、Cr-Ta合金
ターゲットを用いスパッタリング法により、Cr95Ta5(at
％）層を 200〜 700Å程度形成した。
【００４６】更に、その上部に記録層４として、Co-Cr-
Pt系合金を同スパッタリング法により 150〜 500Å程度
形成した。ここで、Cr下地層９のスパッタパワーを１k
W、ガス圧を５〜30mTorr 、基板温度 130〜 180℃程度
の条件で、また記録層４（Co-Cr-Pt系合金）をスパッタ
パワー１kW、ガス圧５〜20mTorr 、基板温度 150〜 200
℃程度の条件で成膜した。
Pt系合金を同スパッタリング法により 150〜 500Å程度
形成した。ここで、Cr下地層９のスパッタパワーを１k
W、ガス圧を５〜30mTorr 、基板温度 130〜 180℃程度
の条件で、また記録層４（Co-Cr-Pt系合金）をスパッタ
パワー１kW、ガス圧５〜20mTorr 、基板温度 150〜 200
℃程度の条件で成膜した。
【００４７】なお、非磁性基板１としては、ガラス、セ
ラミックス等の基板を用いてもよく、必要に応じ記録層
上部に保護層５および潤滑層６を設けた構造にする。
ラミックス等の基板を用いてもよく、必要に応じ記録層
上部に保護層５および潤滑層６を設けた構造にする。
【００４８】図３に第一実施例における下地層９のTa添
加量に対する記録層の保磁力の変化を示す。この図にお
いて、横軸は下地層のTa添加量（at％）であり、縦軸は
保磁力Ｈｃである。この図から明らかなように、記録層
４がCo-Cr-Pt系合金の場合も、またCo-Cr-Ta系合金の場
合も、Ta添加量が２〜１０at％の範囲においては、保磁
力Ｈｃの低下を効果的に抑制でき、むしろ多少増加する
傾向にある。
加量に対する記録層の保磁力の変化を示す。この図にお
いて、横軸は下地層のTa添加量（at％）であり、縦軸は
保磁力Ｈｃである。この図から明らかなように、記録層
４がCo-Cr-Pt系合金の場合も、またCo-Cr-Ta系合金の場
合も、Ta添加量が２〜１０at％の範囲においては、保磁
力Ｈｃの低下を効果的に抑制でき、むしろ多少増加する
傾向にある。
【００４９】図４に、本発明の第二の実施例の磁気記録
媒体の断面構造図を示す。Ni-Pメッキ２を施したアルミ
ニウム基板上１に、下地第一層９１としてCr層をスパッ
タリング法により 300〜 500Å程度形成し、下地第二層
９２として、Crに５at％のTaを添加したCr-Ta 層を同ス
パッタリング法により 200〜 500Å程度積層した。さら
に、その上部に記録層４として、CoCr系合金膜を同スパ
ッタリング法により 300〜 600Å程度形成した。
媒体の断面構造図を示す。Ni-Pメッキ２を施したアルミ
ニウム基板上１に、下地第一層９１としてCr層をスパッ
タリング法により 300〜 500Å程度形成し、下地第二層
９２として、Crに５at％のTaを添加したCr-Ta 層を同ス
パッタリング法により 200〜 500Å程度積層した。さら
に、その上部に記録層４として、CoCr系合金膜を同スパ
ッタリング法により 300〜 600Å程度形成した。
【００５０】ここで、CrおよびCr-Ta 合金膜は、パワー
密度１〜３Ｗ／cm2 、ガス圧５〜30mTorr 、基板温度 1
50〜 250℃程度の条件で、またCoCr層をパワー密度１〜
５Ｗ／cm2 、ガス圧５〜10mTorr 、基板温度 150〜 250
℃程度の条件で成膜した。
密度１〜３Ｗ／cm2 、ガス圧５〜30mTorr 、基板温度 1
50〜 250℃程度の条件で、またCoCr層をパワー密度１〜
５Ｗ／cm2 、ガス圧５〜10mTorr 、基板温度 150〜 250
℃程度の条件で成膜した。
【００５１】このような構造の磁気記録媒体は、下地層
の結晶粒の粒成長を抑制し、かつその磁気特性の向上を
図ることができる。その結果、記録密度の向上が可能と
なり、信頼性の高い磁気ディスク装置を実現することが
できる。
の結晶粒の粒成長を抑制し、かつその磁気特性の向上を
図ることができる。その結果、記録密度の向上が可能と
なり、信頼性の高い磁気ディスク装置を実現することが
できる。
【００５２】なお、図示例における複数層の下地層９
は、第一層９１と第二層９２との２層構造になっている
が、３層以上にすることも可能である。また、下側の下
地層よりも上層ほど薄く形成されることが望ましいが、
上層が厚く形成される場合は、最下層の膜厚を 300Å以
下に形成する。
は、第一層９１と第二層９２との２層構造になっている
が、３層以上にすることも可能である。また、下側の下
地層よりも上層ほど薄く形成されることが望ましいが、
上層が厚く形成される場合は、最下層の膜厚を 300Å以
下に形成する。
【００５３】
【発明の効果】請求項１ないし請求項５に記載のよう
に、下地層９において、Crに第二元素としてTaを微量添
加することにより、記録層４の磁気特性（保磁力）が向
上し、特にCo-Cr-Pt系において著しく保磁力を向上させ
ることが可能となる。そのため、下地層９の膜厚、成膜
時の基板温度をより有効に低減することができ、それに
伴い保磁力の低下なしに結晶粒の粒成長を抑制すること
ができる。
に、下地層９において、Crに第二元素としてTaを微量添
加することにより、記録層４の磁気特性（保磁力）が向
上し、特にCo-Cr-Pt系において著しく保磁力を向上させ
ることが可能となる。そのため、下地層９の膜厚、成膜
時の基板温度をより有効に低減することができ、それに
伴い保磁力の低下なしに結晶粒の粒成長を抑制すること
ができる。
【００５４】以上の点より、記録層４の磁気特性の向上
を図り、かつその粒成長を抑制できることにより、記録
再生特性の向上が実現できるものである。その結果、記
録密度の向上および磁気ディスク装置の大容量・小型化
が実現可能となる。
を図り、かつその粒成長を抑制できることにより、記録
再生特性の向上が実現できるものである。その結果、記
録密度の向上および磁気ディスク装置の大容量・小型化
が実現可能となる。
【００５５】請求項６以降の発明によると、磁気記録媒
体の下地層９を多層構造にすることで、層内の粒成長を
抑制し、かつその結晶配向性を向上させることが可能と
なる。このことにより、その上部に形成される記録層４
の磁気特性の向上および微細化を図ることができる。
体の下地層９を多層構造にすることで、層内の粒成長を
抑制し、かつその結晶配向性を向上させることが可能と
なる。このことにより、その上部に形成される記録層４
の磁気特性の向上および微細化を図ることができる。
【００５６】請求項１２のように下地層９の各膜厚を 6
00Å以下に形成し、さらに請求項１１のように上層ほど
薄く形成することで、より有効的に記録層４の微細化が
可能である。
00Å以下に形成し、さらに請求項１１のように上層ほど
薄く形成することで、より有効的に記録層４の微細化が
可能である。
【００５７】また、請求項７〜請求項１０のように、下
地層の各層に第二元素を添加することで層間の原子拡散
を低減させ、かつ記録層との格子間隔の整合性を図るこ
とが可能であり、効果的に高記録密度を向上させること
ができる。
地層の各層に第二元素を添加することで層間の原子拡散
を低減させ、かつ記録層との格子間隔の整合性を図るこ
とが可能であり、効果的に高記録密度を向上させること
ができる。
【図１】本発明による磁気記録媒体の基本構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明による磁気記録媒体の第一実施例示す断
面図である。
面図である。
【図３】第一実施例における下地層のTa添加量に対する
記録層の保磁力の変化を示す。
記録層の保磁力の変化を示す。
【図４】本発明による磁気記録媒体の第二実施例示す断
面図である。
面図である。
【図５】磁気ディスク装置の内部構造の全容を示す平面
図である。
図である。
【図６】従来の薄膜磁気記録媒体の断面構造を示す図で
ある。
ある。
【図７】従来の薄膜磁気記録媒体の製造方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
Ｄ 磁気ディスク １ ディスク基板（非磁性基板） ２ NiＰめっき層 ３ Ｃｒ下地層 ４ 磁気記録層（薄膜磁性膜） ５ 炭素系保護層（保護膜） ６ 潤滑剤の層（潤滑層） ７ 磁気ヘッド ９ 下地層 ９１ 下地層の第一層 ９２ 下地層の第二層
フロントページの続き (72)発明者 小山田 忠昭 山形県東根市大字東根元東根字大森5400番 ２（番地なし） 株式会社山形富士通内 (72)発明者 朝倉 紀之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 磁気ディスク装置に用いられる磁気記録
媒体であって、 ディスク形状の非磁性基板１上に、少なくとも下地層９
と記録層４を有する磁気記録媒体において、 該下地層９として、Taを微量添加したCr層を形成したこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記の下地層９のTa量を、２〜10at％の
範囲にしたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 前記の下地層９を、７00Å以下の膜厚と
したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記の下地層９の上部の記録層４が、C
o、Cr、Pt元素から成る合金であることを特徴とする請
求項１から請求項３中のいずれかの項に記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４中のいずれかの項
に記載の磁気記録媒体における下地層９および記録層４
の各層を、それぞれ１80℃以下の温度で成膜することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 磁気ディスク装置に用いられる磁気記録
媒体であって、 ディスク形状の非磁性基板１上に、少なくとも下地層９
と記録層４を有する磁気記録媒体において、 該下地層９を、Crを含有する膜の複数層構造で形成した
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項７】 前記の下地層９が、下地層の一層９１が
Cr層より成り、その他の層がCrに第二元素を添加したCr
合金膜から形成されてなることを特徴とする請求項６記
載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 前記の下地層９の各層が、Crに第二元素
を添加した合金膜から形成され、上下の層間で添加第二
元素が異なることを特徴とする請求項６記載の磁気記録
媒体。 - 【請求項９】 前記の下地層９の第二元素を添加したCr
−α合金膜において、該第二元素がCrより原子半径が大
きい元素で該合金膜が形成されていることを特徴とする
請求項７または請求項８記載の磁気記録媒体。 - 【請求項10】 前記のCr−α合金膜におけるαが、Ti、
Ta、MoまたはＷ中におけるいずれかであることを特徴と
する請求項９記載の磁気記録媒体。 - 【請求項11】 前記の下地層９の各層の膜厚が、上層ほ
ど薄く形成されていることを特徴とする請求項６から請
求項１０中のいずれかの項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項12】 前記の下地層９を構成する各層の膜厚
が、６00Å以下の膜厚であることを特徴とする請求項６
から請求項１１中のいずれかの項に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項13】 請求項６から請求項１２中のいずれかの
項に記載の下地層９を形成する際に、下地層９を構成す
る各層の成膜時のスパッタガスの圧力を、上層ほど高く
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18076794A JPH0830954A (ja) | 1994-07-09 | 1994-07-09 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18076794A JPH0830954A (ja) | 1994-07-09 | 1994-07-09 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0830954A true JPH0830954A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=16088972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18076794A Pending JPH0830954A (ja) | 1994-07-09 | 1994-07-09 | 磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544667B1 (en) | 1999-03-11 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, producing method of the same and magnetic recording system |
| US7974042B2 (en) | 2007-04-18 | 2011-07-05 | Tdk Corporation | Thin film device having lead conductor film |
-
1994
- 1994-07-09 JP JP18076794A patent/JPH0830954A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544667B1 (en) | 1999-03-11 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, producing method of the same and magnetic recording system |
| US7974042B2 (en) | 2007-04-18 | 2011-07-05 | Tdk Corporation | Thin film device having lead conductor film |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
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Effective date: 20040921 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
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|
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Effective date: 20041105 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |