JPH0831361B2 - サ−ミスタ素子 - Google Patents
サ−ミスタ素子Info
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- JPH0831361B2 JPH0831361B2 JP61298055A JP29805586A JPH0831361B2 JP H0831361 B2 JPH0831361 B2 JP H0831361B2 JP 61298055 A JP61298055 A JP 61298055A JP 29805586 A JP29805586 A JP 29805586A JP H0831361 B2 JPH0831361 B2 JP H0831361B2
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- electrode
- oxide ceramic
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高温域において好適に使用されるサミスタ素
子に関する。
子に関する。
従来の技術 従来のサーミスタ素子は原料粉末を板状に焼結させた
本体の両面に電極を設け、該電極にリード端子の一端を
接続し、その全体及びリード端子の一部をガラスに埋設
している。サーミスタ素子をガラスに埋設するのは、サ
ーミスタ素子の経時安定性を良くするためである。
本体の両面に電極を設け、該電極にリード端子の一端を
接続し、その全体及びリード端子の一部をガラスに埋設
している。サーミスタ素子をガラスに埋設するのは、サ
ーミスタ素子の経時安定性を良くするためである。
しかし、従来のサーミスタ素子はガラスに埋設してあ
るので、ガラスの融点（400〜500℃）以上の高温域では
使用し難く、リード端子を有するためにプリント基板等
に直接取付け難いという問題点がある。この様なガラス
封止型サーミスタ素子の問題を解決するために、本出願
人は未だ公知ではないが、特願昭61−222958号におい
て、酸化物層でサーミスタ素体を挟み、同時焼成を行う
構成のサーミスタ素子を提案した。
るので、ガラスの融点（400〜500℃）以上の高温域では
使用し難く、リード端子を有するためにプリント基板等
に直接取付け難いという問題点がある。この様なガラス
封止型サーミスタ素子の問題を解決するために、本出願
人は未だ公知ではないが、特願昭61−222958号におい
て、酸化物層でサーミスタ素体を挟み、同時焼成を行う
構成のサーミスタ素子を提案した。
発明が解決しようとする問題点 このタイプのサーミスタ素子は２つのサーミスタ層と
酸化物セラミック層とは未焼成の段階で積層し、その後
に一体焼結できるので、製造工程数が少なく簡単に製造
でき、酸化物セラミック層は融点が高いので、酸化物セ
ラミック層に挟まれたサーミスタ素子は高温域での安定
した使用が可能で、更に、酸化物セラミック層の外面に
は内部電極と電気的に接続された外部電極が形成されて
いるので、該外部電極を利用してプリント基板等にサー
ミスタ素子を直接取り付けることができるなど多くの利
点を有している。
酸化物セラミック層とは未焼成の段階で積層し、その後
に一体焼結できるので、製造工程数が少なく簡単に製造
でき、酸化物セラミック層は融点が高いので、酸化物セ
ラミック層に挟まれたサーミスタ素子は高温域での安定
した使用が可能で、更に、酸化物セラミック層の外面に
は内部電極と電気的に接続された外部電極が形成されて
いるので、該外部電極を利用してプリント基板等にサー
ミスタ素子を直接取り付けることができるなど多くの利
点を有している。
しかし、上記のサーミスタ素子の構成によれば、サー
ミスタ素体及び内部電極を酸化物セラッミク層で挟み、
気密性良く被覆してしまうので、焼成後、抵抗値の調整
が行えず、従って、希望する初期抵抗をもったものが得
られ難く、歩留が低下するという問題がある。
ミスタ素体及び内部電極を酸化物セラッミク層で挟み、
気密性良く被覆してしまうので、焼成後、抵抗値の調整
が行えず、従って、希望する初期抵抗をもったものが得
られ難く、歩留が低下するという問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、特
願昭61−222958号の利点はそのまま温存させ、かつサー
ミスタ素子の焼成後でも抵抗値の微調整ができるといっ
た極めて有用なサーミスタ素子を提供することを目的と
している。
願昭61−222958号の利点はそのまま温存させ、かつサー
ミスタ素子の焼成後でも抵抗値の微調整ができるといっ
た極めて有用なサーミスタ素子を提供することを目的と
している。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明は、両面に内部電極
が形成されたサーミスタ層と、一方の内部電極上に設け
られ、上面に複数の個別電極が形成された抵抗調整用の
サーミスタ層とが、酸化物セラミック層の間に介在され
た状態で一体化されると共に、前記内部電極は酸化物セ
ラミック層の外面に形成された外部電極と電気的に接続
され、前記個別電極は一方の外部電極側に設けられ、か
つ該外部電極と電気的に接続されたくし型電極と電気的
に接続されてなることを特徴としている。
が形成されたサーミスタ層と、一方の内部電極上に設け
られ、上面に複数の個別電極が形成された抵抗調整用の
サーミスタ層とが、酸化物セラミック層の間に介在され
た状態で一体化されると共に、前記内部電極は酸化物セ
ラミック層の外面に形成された外部電極と電気的に接続
され、前記個別電極は一方の外部電極側に設けられ、か
つ該外部電極と電気的に接続されたくし型電極と電気的
に接続されてなることを特徴としている。
作用 上記構成によれば、発明が解決しようとする問題点の
項で説明したように、２つのサーミスタ層と酸化物セラ
ミック層とは未焼成の段階で積層し、その後に一体焼結
できるので、製造工程数が少なく簡単に製造でき、酸化
物セラミック層は融点が高いので、酸化物セラミック層
に挟まれたサーミスタ素子は高温域での安定した使用が
可能で、更に、酸化物セラミック層の外面には内部電極
と電気的に接続された外部電極が形成されているので、
該外部電極を利用してプリント基板等にサーミスタ素子
を直接取り付けることができるという利点は温存させた
ままであると共に、抵抗調整用のサーミスタ層を設け
て、外部電極側のくし型電極と電気的に接続しているの
で、焼成後においてくし型電極を適度にカットすること
で抵抗値の微調整が可能となり、その結果歩留が向上す
る。
項で説明したように、２つのサーミスタ層と酸化物セラ
ミック層とは未焼成の段階で積層し、その後に一体焼結
できるので、製造工程数が少なく簡単に製造でき、酸化
物セラミック層は融点が高いので、酸化物セラミック層
に挟まれたサーミスタ素子は高温域での安定した使用が
可能で、更に、酸化物セラミック層の外面には内部電極
と電気的に接続された外部電極が形成されているので、
該外部電極を利用してプリント基板等にサーミスタ素子
を直接取り付けることができるという利点は温存させた
ままであると共に、抵抗調整用のサーミスタ層を設け
て、外部電極側のくし型電極と電気的に接続しているの
で、焼成後においてくし型電極を適度にカットすること
で抵抗値の微調整が可能となり、その結果歩留が向上す
る。
実 施 例 第１図は本発明の第１の実施例によるサーミスタ素子
を示す断面図であり、図中、１は例えばCoAl2O3−NiAl2
O3−MgAl2O3系のサーミスタ層であり、該サーミスタ層
１の両面には例えばPtからなる内部電極2a,2bが形成さ
れている。３は該内部電極2a上に設けられた例えばCaAl
2O3−NiAl2O3−MgAl2O3系の抵抗調整用サーミスタ層で
あり、該抵抗調整用サーミスタ層３の上面には例えばPt
からなる個別電極４が設けられている。5a,5bは各々例
えばAl2O3−部分安定化ジルコニア（PSZ）系の酸化物セ
ラッミク層であり、該酸化物セラミック層5a,5bによっ
て前記サーミスタ層１、内部電極2a,2b、抵抗調整用サ
ーミスタ層３及び個別電極４が気密高く被覆されてい
る。6a,6bは各々前記酸化物セラミック層5a,5b上に形成
された例えばPtからなる外部電極であり、外部電極6aは
前記酸化物セラミック層5a内に形成されたスルーホール
7aを通じて前記内部電極2aに、外部電極6bは前記酸化物
セラッミク層5b内に形成されたスルーホール7bを通じて
前記内部電極2bに、前記くし型電極13はスルーホール7c
を通じて個別電極４に、各々電気的に接続している。
を示す断面図であり、図中、１は例えばCoAl2O3−NiAl2
O3−MgAl2O3系のサーミスタ層であり、該サーミスタ層
１の両面には例えばPtからなる内部電極2a,2bが形成さ
れている。３は該内部電極2a上に設けられた例えばCaAl
2O3−NiAl2O3−MgAl2O3系の抵抗調整用サーミスタ層で
あり、該抵抗調整用サーミスタ層３の上面には例えばPt
からなる個別電極４が設けられている。5a,5bは各々例
えばAl2O3−部分安定化ジルコニア（PSZ）系の酸化物セ
ラッミク層であり、該酸化物セラミック層5a,5bによっ
て前記サーミスタ層１、内部電極2a,2b、抵抗調整用サ
ーミスタ層３及び個別電極４が気密高く被覆されてい
る。6a,6bは各々前記酸化物セラミック層5a,5b上に形成
された例えばPtからなる外部電極であり、外部電極6aは
前記酸化物セラミック層5a内に形成されたスルーホール
7aを通じて前記内部電極2aに、外部電極6bは前記酸化物
セラッミク層5b内に形成されたスルーホール7bを通じて
前記内部電極2bに、前記くし型電極13はスルーホール7c
を通じて個別電極４に、各々電気的に接続している。
次に、上記サーミスタ素子の製造方法の一例について
説明する。まず、Al2O3−部分安定化ジルコニア（PSZ）
系のスラリーを作成する。このスラリーより例えばドク
ターブレード法を用いて第２図（イ）に示すような厚さ
100μｍのシート10bを作成し、該シート10bの表面にス
ルーホール7bを形成する。そしてシート10bの表面にス
ルーホール7bを含めて内部電極に対応するPtペースト2b
を塗布し、乾燥する。一方、CoAl2O3−NiAl2O3−MgAl2O
3系サーミスタペーストを作成し、同図（ロ）に示す如
く、このサーミスタペーストをシート10b上に塗布し、
乾燥してサーミスタペースト層11を形成する。次に同図
（ハ）に示す如く、Ptペースト層2aをサーミスタペース
ト層11上に塗布し、乾燥し、内部電極2aとする。前記サ
ーミスタペースト層11と同様にして作成したサーミスタ
ペーストを同図（ニ）に示す如く、前記電極2a上のスル
ーホール7bのない側に塗布し、乾燥して抵抗調整用サー
ミスタペースト層12を形成する。この抵抗調整用サーミ
スタペースト層12上にPtペーストを複数個、個別に塗布
し、乾燥して個別電極４…とする。ついでシート10bの
裏面における前記個別電極４に対応する位置にくし歯の
部分がくるように抵抗調整用電極13となるPtペーストを
同図（ホ）に示す如く、くし型に塗布する。そして、同
図（ニ）に示す如く、抵抗調整用くし型電極のくしの歯
部に各々スルーホール7c…を設ける。図示はしないが、
前記シート10bと同じAl2O3−部分安定化ジルコニア（PS
Z）系のグリーンシートをもう１枚作成し、シート10bの
スルーホール7b…に対応する位置及び数のスルーホール
を設けて、シート10b上に重ねて２枚のAl2O3−部分安定
化ジルコニア（PSZ）系シートでサーミスタ用ペースト
層11、抵抗調整用サーミスタ層12を挟み圧着する。この
段階でサーミスタ用ペースト層11、抵抗調整用サーミス
タペースト層12、内部電極2a,2b、個別電極４は２枚の
シートにより被覆された状態のグリーンシートとなる。
このグリーンシートの両面及びスルーホールにPt外部電
極ペースト6a,6bを塗布し、第２図（イ）〜（ヘ）に破
線で示したカットマークに沿ってこれを切断して、チッ
プを作製する。このチップを1500〜1650℃で３時間焼成
し、サーミスタ素子を作製する。ここでサーミスタ用ペ
ースト層７、抵抗調整用サーミスタ層12は焼成によって
各々サーミスタ層１及び抵抗調整用サーミスタ層３にな
り、シートは焼成によって酸化物セラミック層5a,5bに
なる。
説明する。まず、Al2O3−部分安定化ジルコニア（PSZ）
系のスラリーを作成する。このスラリーより例えばドク
ターブレード法を用いて第２図（イ）に示すような厚さ
100μｍのシート10bを作成し、該シート10bの表面にス
ルーホール7bを形成する。そしてシート10bの表面にス
ルーホール7bを含めて内部電極に対応するPtペースト2b
を塗布し、乾燥する。一方、CoAl2O3−NiAl2O3−MgAl2O
3系サーミスタペーストを作成し、同図（ロ）に示す如
く、このサーミスタペーストをシート10b上に塗布し、
乾燥してサーミスタペースト層11を形成する。次に同図
（ハ）に示す如く、Ptペースト層2aをサーミスタペース
ト層11上に塗布し、乾燥し、内部電極2aとする。前記サ
ーミスタペースト層11と同様にして作成したサーミスタ
ペーストを同図（ニ）に示す如く、前記電極2a上のスル
ーホール7bのない側に塗布し、乾燥して抵抗調整用サー
ミスタペースト層12を形成する。この抵抗調整用サーミ
スタペースト層12上にPtペーストを複数個、個別に塗布
し、乾燥して個別電極４…とする。ついでシート10bの
裏面における前記個別電極４に対応する位置にくし歯の
部分がくるように抵抗調整用電極13となるPtペーストを
同図（ホ）に示す如く、くし型に塗布する。そして、同
図（ニ）に示す如く、抵抗調整用くし型電極のくしの歯
部に各々スルーホール7c…を設ける。図示はしないが、
前記シート10bと同じAl2O3−部分安定化ジルコニア（PS
Z）系のグリーンシートをもう１枚作成し、シート10bの
スルーホール7b…に対応する位置及び数のスルーホール
を設けて、シート10b上に重ねて２枚のAl2O3−部分安定
化ジルコニア（PSZ）系シートでサーミスタ用ペースト
層11、抵抗調整用サーミスタ層12を挟み圧着する。この
段階でサーミスタ用ペースト層11、抵抗調整用サーミス
タペースト層12、内部電極2a,2b、個別電極４は２枚の
シートにより被覆された状態のグリーンシートとなる。
このグリーンシートの両面及びスルーホールにPt外部電
極ペースト6a,6bを塗布し、第２図（イ）〜（ヘ）に破
線で示したカットマークに沿ってこれを切断して、チッ
プを作製する。このチップを1500〜1650℃で３時間焼成
し、サーミスタ素子を作製する。ここでサーミスタ用ペ
ースト層７、抵抗調整用サーミスタ層12は焼成によって
各々サーミスタ層１及び抵抗調整用サーミスタ層３にな
り、シートは焼成によって酸化物セラミック層5a,5bに
なる。
第４図に上記構成のサーミスタ素子の等価回路を示
す。図中、R0はサーミスタ層の抵抗、R1,R2…Rnは内部
電極2aと各個別電極４…との間の抵抗調整用サーミスタ
層３によって形成された調整用サーミスタ抵抗である。
す。図中、R0はサーミスタ層の抵抗、R1,R2…Rnは内部
電極2aと各個別電極４…との間の抵抗調整用サーミスタ
層３によって形成された調整用サーミスタ抵抗である。
上記構成によれば、焼成したサーミスタ素子の初期抵
抗値が所望の値を取らない場合には、抵抗値を確認しな
がら抵抗調整用くし型電極13を例えばレーザにてカット
し、調整用サーミスタ抵抗を電気的に切断することによ
り、所望の抵抗値に微調整することが可能となる。例え
ば抵抗調整用のサーミスタ層３の体積をサーミスタ層１
の体積の1/25〜1/10程度とし、くし型抵抗調整用電極13
をカットしてくし歯部が10〜20本程度のくし型電極とす
れば、１％以下の範囲の抵抗の微調整が行える。
抗値が所望の値を取らない場合には、抵抗値を確認しな
がら抵抗調整用くし型電極13を例えばレーザにてカット
し、調整用サーミスタ抵抗を電気的に切断することによ
り、所望の抵抗値に微調整することが可能となる。例え
ば抵抗調整用のサーミスタ層３の体積をサーミスタ層１
の体積の1/25〜1/10程度とし、くし型抵抗調整用電極13
をカットしてくし歯部が10〜20本程度のくし型電極とす
れば、１％以下の範囲の抵抗の微調整が行える。
尚、上記実施例では両面に電極を有するサーミスタ素
子について説明したが、これは第３図に示す如くチップ
型サーミスタ素子にも応用できる。図中、31はサーミス
タ層、32a,32bは内部電極、33は抵抗調整用サーミスタ
層、34は個別電極、35a,35bは酸化物セラッミク層、36
a,36bは外部電極、37はスルーホール、38は抵抗調整用
くし型電極である。
子について説明したが、これは第３図に示す如くチップ
型サーミスタ素子にも応用できる。図中、31はサーミス
タ層、32a,32bは内部電極、33は抵抗調整用サーミスタ
層、34は個別電極、35a,35bは酸化物セラッミク層、36
a,36bは外部電極、37はスルーホール、38は抵抗調整用
くし型電極である。
発明の効果 本発明のサーミスタ素子によれば、２つのサーミスタ
層と酸化物セラミック層とは未焼成の段階で積層し、そ
の後に一体焼結できるので、製造工程数が少なく簡単に
製造でき、酸化物セラミック層は融点が高いので、酸化
物セラミック層に挟まれたサーミスタ素子は高温域での
安定した使用が可能で、更に、酸化物セラミック層の外
面には内部電極と電気的に接続された外部電極が形成さ
れているので、該外部電極を利用してプリント基板等に
サーミスタ素子を直接取り付けることができるという効
果がある。加えて、複数の個別電極が形成された抵抗調
整用サーミスタ層を設けて、外部電極側に設けられたく
し型電極と電気的に接続しているので、焼成後の抵抗値
の微調整が可能で、従って歩留まりも向上するという効
果がある。
層と酸化物セラミック層とは未焼成の段階で積層し、そ
の後に一体焼結できるので、製造工程数が少なく簡単に
製造でき、酸化物セラミック層は融点が高いので、酸化
物セラミック層に挟まれたサーミスタ素子は高温域での
安定した使用が可能で、更に、酸化物セラミック層の外
面には内部電極と電気的に接続された外部電極が形成さ
れているので、該外部電極を利用してプリント基板等に
サーミスタ素子を直接取り付けることができるという効
果がある。加えて、複数の個別電極が形成された抵抗調
整用サーミスタ層を設けて、外部電極側に設けられたく
し型電極と電気的に接続しているので、焼成後の抵抗値
の微調整が可能で、従って歩留まりも向上するという効
果がある。
第１図は本発明の第１の実施例サーミスタ素子の断面
図、第２図（イ），（ロ），（ハ），（ニ），（ホ），
（ヘ）は各シートの平面図、第３図は本発明の第２の実
施例サーミスタ素子の断面図、第４図は本発明の第１の
実施例素子の等価回路図である。 1,31……サーミスタ層、2a,2b,32a,32b……内部電極、
3,33……抵抗調整用サーミスタ層、4,34……個別電極、
5a,5b,35a,35b……酸化物セラミック層、13,38……くし
型電極。
図、第２図（イ），（ロ），（ハ），（ニ），（ホ），
（ヘ）は各シートの平面図、第３図は本発明の第２の実
施例サーミスタ素子の断面図、第４図は本発明の第１の
実施例素子の等価回路図である。 1,31……サーミスタ層、2a,2b,32a,32b……内部電極、
3,33……抵抗調整用サーミスタ層、4,34……個別電極、
5a,5b,35a,35b……酸化物セラミック層、13,38……くし
型電極。
Claims (1)
- 【請求項１】両面に内部電極が形成されたサーミスタ層
と、一方の内部電極上に設けられ、上面に複数の個別電
極が形成された抵抗調整用のサーミスタ層とが、酸化物
セラミック層の間に介在された状態で一体化されると共
に、前記内部電極は酸化物セラミック層の外面に形成さ
れた外部電極と電気的に接続され、前記個別電極は一方
の外部電極側に設けられ、かつ該外部電極と電気的に接
続されたくし型電極と電気的に接続されてなることを特
徴とするサーミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298055A JPH0831361B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | サ−ミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298055A JPH0831361B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | サ−ミスタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63150902A JPS63150902A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0831361B2 true JPH0831361B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17854544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298055A Expired - Lifetime JPH0831361B2 (ja) | 1986-12-15 | 1986-12-15 | サ−ミスタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831361B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013169872A1 (en) | 2012-05-08 | 2013-11-14 | E.A. Fischione Instruments, Inc. | In situ holder assembly |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5612702A (en) * | 1979-07-11 | 1981-02-07 | Tdk Electronics Co Ltd | Chip thermistor |
| JPS6057905A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | マルコン電子株式会社 | 積層型電圧非直線抵抗器 |
-
1986
- 1986-12-15 JP JP61298055A patent/JPH0831361B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013169872A1 (en) | 2012-05-08 | 2013-11-14 | E.A. Fischione Instruments, Inc. | In situ holder assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63150902A (ja) | 1988-06-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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