JPH0831379B2 - 高周波昇圧トランス - Google Patents
高周波昇圧トランスInfo
- Publication number
- JPH0831379B2 JPH0831379B2 JP35006391A JP35006391A JPH0831379B2 JP H0831379 B2 JPH0831379 B2 JP H0831379B2 JP 35006391 A JP35006391 A JP 35006391A JP 35006391 A JP35006391 A JP 35006391A JP H0831379 B2 JPH0831379 B2 JP H0831379B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- winding
- secondary winding
- transformer
- core
- central leg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶の背面を照明する
冷陰極管等を点灯するためのインバータに用いるのに好
適な小型で薄形の高周波昇圧トランスの構成に関するも
のである。
冷陰極管等を点灯するためのインバータに用いるのに好
適な小型で薄形の高周波昇圧トランスの構成に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来のインバータ用高周波昇圧トランス
は図１のように構成されている。複数の鍔１を有する中
空のボビン２には、低圧側一次巻線Ｌ1 と高圧側二次巻
線Ｌ2 が鍔１で分離して巻回されている。高電圧が発生
する二次巻線Ｌ2 は、さらに鍔１で複数段に分割して巻
かれることにより、重なり合う線間の電位差を低くして
絶縁破壊を防止するようにしてある。ボビン２の中空部
３には二つのＥ形コア４、５のそれぞれの中央脚６、７
が挿入され、コア４とコア５が互いに突き合わせて固定
されている。
は図１のように構成されている。複数の鍔１を有する中
空のボビン２には、低圧側一次巻線Ｌ1 と高圧側二次巻
線Ｌ2 が鍔１で分離して巻回されている。高電圧が発生
する二次巻線Ｌ2 は、さらに鍔１で複数段に分割して巻
かれることにより、重なり合う線間の電位差を低くして
絶縁破壊を防止するようにしてある。ボビン２の中空部
３には二つのＥ形コア４、５のそれぞれの中央脚６、７
が挿入され、コア４とコア５が互いに突き合わせて固定
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種の昇圧トランス
は、狭い隙間に取付けられるようにするために薄形に構
成する必要がある。このため、ボビン２の断面形状が偏
平な長方形となり、巻数が同じでも巻線長が長くなって
導体抵抗が増え効率が低下する欠点があった。従来の角
形トランスは薄形化の上で５ｍｍ程度が限界であり、こ
れ以上厚みを圧縮して幅を広げると銅損が著しく増加す
る問題があった。また、二次巻線Ｌ2 を分割巻きしなけ
ればならないので、巻線作業が複雑になり、全体の体積
が増加する欠点もあった。
は、狭い隙間に取付けられるようにするために薄形に構
成する必要がある。このため、ボビン２の断面形状が偏
平な長方形となり、巻数が同じでも巻線長が長くなって
導体抵抗が増え効率が低下する欠点があった。従来の角
形トランスは薄形化の上で５ｍｍ程度が限界であり、こ
れ以上厚みを圧縮して幅を広げると銅損が著しく増加す
る問題があった。また、二次巻線Ｌ2 を分割巻きしなけ
ればならないので、巻線作業が複雑になり、全体の体積
が増加する欠点もあった。
【０００４】
【発明の目的】本発明は、銅損が小さく高効率で低背型
の高周波昇圧トランスを提供することを目的とする。
の高周波昇圧トランスを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｅ形コアの略
円柱形の中央脚の周りに低圧側一次巻線と高圧側二次巻
線を巻回した高周波昇圧トランスにおいて、一次巻線と
二次巻線は、中央脚の中心軸方向に互いに隣合う位置に
それぞれ多層に巻回され、それぞれの巻幅がほぼ同一寸
法であるとともに、二次巻線の一層あたりの巻数が二次
巻線の全巻数の１／10以下であり、中央脚の半径をＲｍ
とし、一次巻線と二次巻線の巻幅を共にＷとしたとき、
Ｒｍ／Ｗが０．６〜１．７の範囲にある構成を特徴とす
る。
円柱形の中央脚の周りに低圧側一次巻線と高圧側二次巻
線を巻回した高周波昇圧トランスにおいて、一次巻線と
二次巻線は、中央脚の中心軸方向に互いに隣合う位置に
それぞれ多層に巻回され、それぞれの巻幅がほぼ同一寸
法であるとともに、二次巻線の一層あたりの巻数が二次
巻線の全巻数の１／10以下であり、中央脚の半径をＲｍ
とし、一次巻線と二次巻線の巻幅を共にＷとしたとき、
Ｒｍ／Ｗが０．６〜１．７の範囲にある構成を特徴とす
る。
【０００６】
【実施例】図２及び図３を参照して、本発明の一実施例
について説明する。断面がＥ形のコア10は、平板部11と
その両端に一体に形成された外脚12、及び平板部11の中
央に一体形成された円柱形の中央脚13を有している。20
は、図４に示すように３枚の鍔21と二つの巻溝24、25と
中空な巻軸22とを備えたプラスチック製のボビンであ
り、巻軸22の中空部23にはコア10の中央脚13が挿入され
ている。巻溝24には低圧側一次巻線Ｌ1 を、中央脚13の
中心軸Ｃ方向に隣合った巻溝25には高圧側二次巻線Ｌ2
を、それぞれ多層に巻き重ねてある。コア10の上には、
断面がＩ形の平板状コア30が突き合わせて固定されてい
る。図示は省略してあるが、コア30と中央脚13との間、
あるいはコア30と中央脚13及び外脚12の間に、プラスチ
ックフィルムを挿入したり隙間を設けたりすることによ
り、磁気飽和が起きにくい構造としてある。
について説明する。断面がＥ形のコア10は、平板部11と
その両端に一体に形成された外脚12、及び平板部11の中
央に一体形成された円柱形の中央脚13を有している。20
は、図４に示すように３枚の鍔21と二つの巻溝24、25と
中空な巻軸22とを備えたプラスチック製のボビンであ
り、巻軸22の中空部23にはコア10の中央脚13が挿入され
ている。巻溝24には低圧側一次巻線Ｌ1 を、中央脚13の
中心軸Ｃ方向に隣合った巻溝25には高圧側二次巻線Ｌ2
を、それぞれ多層に巻き重ねてある。コア10の上には、
断面がＩ形の平板状コア30が突き合わせて固定されてい
る。図示は省略してあるが、コア30と中央脚13との間、
あるいはコア30と中央脚13及び外脚12の間に、プラスチ
ックフィルムを挿入したり隙間を設けたりすることによ
り、磁気飽和が起きにくい構造としてある。
【０００７】図５に示すように、線材８を矢印方向に多
層に巻き重ねていくと、どの層も巻き始めの部分と次層
目の巻き終わりの部分が隣合うことになる。しかし、二
次巻線Ｌ2 の両端にかかる電圧が２ｋＶある場合でも、
二次巻線Ｌ2 を例えば20層に巻回すれば、両者間にかか
る電圧は２０００÷１０であり２００Ｖとなるので、鍔
で複数段に分割して巻いた従来例と同様、重なり合う線
材間の電位差が低くなり絶縁破壊が防止される。インバ
ータ用の高周波昇圧トランスの中には二次巻線Ｌ2 の電
圧が小さいもので１０００Ｖ以下のものもあるが、絶縁
破壊を確実に防止するためには、二次巻線Ｌ2 の１層当
たりの巻数を二次巻線Ｌ2 の全巻数の１／10以下とする
のが望ましい。
層に巻き重ねていくと、どの層も巻き始めの部分と次層
目の巻き終わりの部分が隣合うことになる。しかし、二
次巻線Ｌ2 の両端にかかる電圧が２ｋＶある場合でも、
二次巻線Ｌ2 を例えば20層に巻回すれば、両者間にかか
る電圧は２０００÷１０であり２００Ｖとなるので、鍔
で複数段に分割して巻いた従来例と同様、重なり合う線
材間の電位差が低くなり絶縁破壊が防止される。インバ
ータ用の高周波昇圧トランスの中には二次巻線Ｌ2 の電
圧が小さいもので１０００Ｖ以下のものもあるが、絶縁
破壊を確実に防止するためには、二次巻線Ｌ2 の１層当
たりの巻数を二次巻線Ｌ2 の全巻数の１／10以下とする
のが望ましい。
【０００８】次に、インダクタンス素子において所要の
インダクタンスＬ0と飽和電流Ｉ0 が得られる条件を考
えてみる。今、コイルの巻数をＮ、磁気抵抗をＲとする
と、インダクタンスはＮ2 ／Ｒで与えられるから、 Ｒ≦Ｎ2 ／Ｌ0 ─────────（１） また、均一な断面積を有する磁気回路の断面積をＳ、飽
和磁束密度をＢｍとすると、飽和電流はＢｍＳＲ／Ｎで
与えられるから Ｒ≧Ｉ0 Ｎ／ＢｍＳ─────────（２） すなわち、インダクタンスＬ0 の点からは磁気抵抗Ｒが
小さいことが必要であり、飽和電流Ｉ0 の点では磁気抵
抗Ｒが大きいことが必要となる。
インダクタンスＬ0と飽和電流Ｉ0 が得られる条件を考
えてみる。今、コイルの巻数をＮ、磁気抵抗をＲとする
と、インダクタンスはＮ2 ／Ｒで与えられるから、 Ｒ≦Ｎ2 ／Ｌ0 ─────────（１） また、均一な断面積を有する磁気回路の断面積をＳ、飽
和磁束密度をＢｍとすると、飽和電流はＢｍＳＲ／Ｎで
与えられるから Ｒ≧Ｉ0 Ｎ／ＢｍＳ─────────（２） すなわち、インダクタンスＬ0 の点からは磁気抵抗Ｒが
小さいことが必要であり、飽和電流Ｉ0 の点では磁気抵
抗Ｒが大きいことが必要となる。
【０００９】横軸に巻数Ｎ、縦軸に磁気抵抗Ｒをとり、
（１）式と（２）式の関係をプロットすると図６のよう
になる。図において、斜線を施した領域が（１）式と
（２）式の不等式を満たす範囲を示している。図６に示
すように、要求特性を満たす最小の巻数はＮ0 、最小の
磁気抵抗はＲ0 となる。平均の磁路長をｌ、コアの透磁
率をμとすると、磁気抵抗Ｒは一般にＲ＝ｌ／μＳで与
えられるから、断面積Ｓを一定とすれば、磁気抵抗Ｒは
磁性体の体積に比例すると考えられる。したがって、Ｎ
0 、Ｒ0 は要求特性を満たし、しかもインダクタンス素
子の体積を最小とする解と考えられる。すなわち Ｎ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 ／ＢｍＳ ─────（３） Ｒ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 2 ／（ＢｍＳ）2 ───（４） が巻数と磁気抵抗の最適解である。
（１）式と（２）式の関係をプロットすると図６のよう
になる。図において、斜線を施した領域が（１）式と
（２）式の不等式を満たす範囲を示している。図６に示
すように、要求特性を満たす最小の巻数はＮ0 、最小の
磁気抵抗はＲ0 となる。平均の磁路長をｌ、コアの透磁
率をμとすると、磁気抵抗Ｒは一般にＲ＝ｌ／μＳで与
えられるから、断面積Ｓを一定とすれば、磁気抵抗Ｒは
磁性体の体積に比例すると考えられる。したがって、Ｎ
0 、Ｒ0 は要求特性を満たし、しかもインダクタンス素
子の体積を最小とする解と考えられる。すなわち Ｎ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 ／ＢｍＳ ─────（３） Ｒ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 2 ／（ＢｍＳ）2 ───（４） が巻数と磁気抵抗の最適解である。
【００１０】次に、図１のような角形トランスと図３の
ような丸形トランスについて、両トランスの仕様を以下
のように定め、それぞれの特性の比較を行ってみる。 一次インダクタンス ２００μＨ以上 一次巻線飽和電流 １Ａ以上 一次、二次巻線比 １：５０ 一次巻線直径 ０．２５ｍｍΦ 二次巻線直径 ０．０７ｍｍΦ 巻線の絶縁耐圧 １００ＶP-P 以下
ような丸形トランスについて、両トランスの仕様を以下
のように定め、それぞれの特性の比較を行ってみる。 一次インダクタンス ２００μＨ以上 一次巻線飽和電流 １Ａ以上 一次、二次巻線比 １：５０ 一次巻線直径 ０．２５ｍｍΦ 二次巻線直径 ０．０７ｍｍΦ 巻線の絶縁耐圧 １００ＶP-P 以下
【００１１】磁性体の比透磁率μr を３０００、飽和磁
束密度Ｂｍを０．３Ｔ、磁気回路の最小断面積Ｓを１５
ｍｍ2 として（３）、（４）式よりＮ0 、Ｒ0 を求める
と Ｎ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 ／ＢｍＳ ＝２００×１０-6×１／（０．３×１５×１０-6） ＝４５（ターン） Ｒ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 2 ／（ＢｍＳ）2 ＝２００×１０-6×１2 ／（０．３×１５×１０-6）2 ＝９．８８（ＡＴ／Ｗｂ） したがって、一次巻線は４５ターンになり、巻線比が
１：５０であるから、二次巻線は２２５０ターンとな
る。以上の条件で角形と丸形のトランスを設計したとこ
ろ、それぞれ次のような結果となった。
束密度Ｂｍを０．３Ｔ、磁気回路の最小断面積Ｓを１５
ｍｍ2 として（３）、（４）式よりＮ0 、Ｒ0 を求める
と Ｎ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 ／ＢｍＳ ＝２００×１０-6×１／（０．３×１５×１０-6） ＝４５（ターン） Ｒ0 ＝Ｌ0 Ｉ0 2 ／（ＢｍＳ）2 ＝２００×１０-6×１2 ／（０．３×１５×１０-6）2 ＝９．８８（ＡＴ／Ｗｂ） したがって、一次巻線は４５ターンになり、巻線比が
１：５０であるから、二次巻線は２２５０ターンとな
る。以上の条件で角形と丸形のトランスを設計したとこ
ろ、それぞれ次のような結果となった。
【００１２】角形トランスと丸形トランスの比較
【表１】
【００１３】表１から明らかなように、同じ磁性材料で
同一の性能を実現する場合、銅損及び体積の点で丸形ト
ランス形状が有利である。特に、インバータトランスと
して使用する場合は一次巻線に数１０ｋＨｚの大振幅共
振電流が流れるため一次巻線の銅損低減はトランスの変
換効率の改善に大きく寄与できる要因となる。
同一の性能を実現する場合、銅損及び体積の点で丸形ト
ランス形状が有利である。特に、インバータトランスと
して使用する場合は一次巻線に数１０ｋＨｚの大振幅共
振電流が流れるため一次巻線の銅損低減はトランスの変
換効率の改善に大きく寄与できる要因となる。
【００１４】図７は、コア10とコア30、及び一次巻線Ｌ
1 、二次巻線Ｌ2 のみの側面断面を示す図である。図３
のようなトランスにおいて、中央脚13の中心軸Ｃに直交
する平面上における中央脚13と一次巻線Ｌ1 及び二次巻
線Ｌ2 の断面積の和が最小になる条件、すなわち図７に
示す中央脚13の半径Ｒｍと一次巻線及び二次巻線の巻幅
Ｗの和が最小になる条件を、次に求めてみる。今、中央
脚13の半径をＲｍ、一次巻線と二次巻線の巻数比を１：
ｎ、コア10の平板部11とコア30の厚さをｔ、一次巻線Ｌ
1 の高さ寸法をｈ1、二次巻線Ｌ2 の高さ寸法をｈ2 と
し、一次巻線と二次巻線の線材の直径をそれぞれｄ1 、
ｄ2 とすると、一次巻線Ｌ1 の１層当たりの巻数はｈ1
／ｄ1 、二次巻線Ｌ2 の１層当たりの巻数はｈ2 ／ｄ2
となる。したがって、それぞれの巻き重ねられる層数は
一次側がＮ0 ｄ1 ／ｈ1 、二次側がｎＮ0 ｄ2 ／ｈ2 と
なるが、二次巻線Ｌ2 と一次巻線Ｌ1 の高さｈ2 、ｈ1
の比を ｈ2 ／ｈ1 ＝ｎｄ2 2 ／ｄ1 2 ────（５） に設定することにより、一次巻線Ｌ1 及び二次巻線Ｌ2
の巻線幅は等しくなる。この巻線幅Ｗを一次巻線Ｌ1 の
諸元で表せば Ｗ＝Ｎ0 ｄ1 2 ／ｈ1 ───────（６） となる。
1 、二次巻線Ｌ2 のみの側面断面を示す図である。図３
のようなトランスにおいて、中央脚13の中心軸Ｃに直交
する平面上における中央脚13と一次巻線Ｌ1 及び二次巻
線Ｌ2 の断面積の和が最小になる条件、すなわち図７に
示す中央脚13の半径Ｒｍと一次巻線及び二次巻線の巻幅
Ｗの和が最小になる条件を、次に求めてみる。今、中央
脚13の半径をＲｍ、一次巻線と二次巻線の巻数比を１：
ｎ、コア10の平板部11とコア30の厚さをｔ、一次巻線Ｌ
1 の高さ寸法をｈ1、二次巻線Ｌ2 の高さ寸法をｈ2 と
し、一次巻線と二次巻線の線材の直径をそれぞれｄ1 、
ｄ2 とすると、一次巻線Ｌ1 の１層当たりの巻数はｈ1
／ｄ1 、二次巻線Ｌ2 の１層当たりの巻数はｈ2 ／ｄ2
となる。したがって、それぞれの巻き重ねられる層数は
一次側がＮ0 ｄ1 ／ｈ1 、二次側がｎＮ0 ｄ2 ／ｈ2 と
なるが、二次巻線Ｌ2 と一次巻線Ｌ1 の高さｈ2 、ｈ1
の比を ｈ2 ／ｈ1 ＝ｎｄ2 2 ／ｄ1 2 ────（５） に設定することにより、一次巻線Ｌ1 及び二次巻線Ｌ2
の巻線幅は等しくなる。この巻線幅Ｗを一次巻線Ｌ1 の
諸元で表せば Ｗ＝Ｎ0 ｄ1 2 ／ｈ1 ───────（６） となる。
【００１５】コアの中央脚13の側面を延長した面が平板
部11と交差した面、すなわち直径が中央脚13と同一で高
さが平板部11の厚みｔと同じ円筒状の部分を、以下、繋
ぎ部と呼ぶことにする。小型で低背型のトランスは、磁
気回路の最小断面積Ｓがコアのこの繋ぎ部で制限される
のが一般的である。この場合コアの繋ぎ部の面積が中央
脚13の断面積以下となることから ２πＲｍｔ≦πＲｍ2 ∴ Ｒｍ≧２ｔ ─────────（７） となり、このときの繋ぎ部の面積Ｓは Ｓ＝２πＲｍｔ ─────────（８） となる。
部11と交差した面、すなわち直径が中央脚13と同一で高
さが平板部11の厚みｔと同じ円筒状の部分を、以下、繋
ぎ部と呼ぶことにする。小型で低背型のトランスは、磁
気回路の最小断面積Ｓがコアのこの繋ぎ部で制限される
のが一般的である。この場合コアの繋ぎ部の面積が中央
脚13の断面積以下となることから ２πＲｍｔ≦πＲｍ2 ∴ Ｒｍ≧２ｔ ─────────（７） となり、このときの繋ぎ部の面積Ｓは Ｓ＝２πＲｍｔ ─────────（８） となる。
【００１６】中央脚13と巻線部分を含めた総断面積ΣＳ
は、一次巻線と二次巻線の間隔を無視すれば ΣＳ＝π（Ｒｍ＋Ｗ）2 ───────（９） であるから、これを最小にするには、（９）式の括弧内
をＰとおいて Ｐ＝Ｒｍ＋Ｗ ───────────（10） が最小となればよい。これに（６）式のＷを代入すると Ｐ＝Ｒｍ＋ｄ1 2 ／ｈ1 ×Ｎ0 したがって、（３）式より Ｐ＝Ｒｍ＋ｄ1 2 ／ｈ1 ×（Ｌ0 Ｉ0 ／ＢｍＳ） （８）式のＳを代入して Ｐ＝Ｒｍ＋（ｄ1 2 Ｌ0 Ｉ0 ／２πＢｍｈ1 ｔ）×１／Ｒｍ ここでＫ＝ｄ1 2 Ｌ0 Ｉ0 ／２πＢｍｈ1 ｔとおくと Ｐ＝Ｒｍ＋Ｋ／Ｒｍ ────────（11） Ｐを最小にする中央脚13の半径Ｒｍの値Ｒｍ0 はｄＰ／
ｄＲｍ＝０より ｄＰ／ｄＲｍ＝１−Ｋ／Ｒｍ2 ────（12） したがって Ｒｍ0 ＝Ｋ1/2 ──────────（13） となる。（11）式と（12）式からＰの最小値は Ｐ＝Ｋ1/2 ＋Ｋ／Ｋ1/2 ＝２Ｋ1/2 ──（14） すなわち、Ｒｍ＝Ｋ1/2 、 Ｗ＝Ｋ1/2 のとき、つま
りＲｍ＝ＷのときＰが最小となる。
は、一次巻線と二次巻線の間隔を無視すれば ΣＳ＝π（Ｒｍ＋Ｗ）2 ───────（９） であるから、これを最小にするには、（９）式の括弧内
をＰとおいて Ｐ＝Ｒｍ＋Ｗ ───────────（10） が最小となればよい。これに（６）式のＷを代入すると Ｐ＝Ｒｍ＋ｄ1 2 ／ｈ1 ×Ｎ0 したがって、（３）式より Ｐ＝Ｒｍ＋ｄ1 2 ／ｈ1 ×（Ｌ0 Ｉ0 ／ＢｍＳ） （８）式のＳを代入して Ｐ＝Ｒｍ＋（ｄ1 2 Ｌ0 Ｉ0 ／２πＢｍｈ1 ｔ）×１／Ｒｍ ここでＫ＝ｄ1 2 Ｌ0 Ｉ0 ／２πＢｍｈ1 ｔとおくと Ｐ＝Ｒｍ＋Ｋ／Ｒｍ ────────（11） Ｐを最小にする中央脚13の半径Ｒｍの値Ｒｍ0 はｄＰ／
ｄＲｍ＝０より ｄＰ／ｄＲｍ＝１−Ｋ／Ｒｍ2 ────（12） したがって Ｒｍ0 ＝Ｋ1/2 ──────────（13） となる。（11）式と（12）式からＰの最小値は Ｐ＝Ｋ1/2 ＋Ｋ／Ｋ1/2 ＝２Ｋ1/2 ──（14） すなわち、Ｒｍ＝Ｋ1/2 、 Ｗ＝Ｋ1/2 のとき、つま
りＲｍ＝ＷのときＰが最小となる。
【００１７】今、Ｗ＝Ｋ1/2 を固定しＲｍをこれのＸ倍
とすると Ｒｍ＝Ｘ・Ｋ1/2 これを（11）式に代入して Ｐ＝Ｘ・Ｋ1/2 ＋Ｋ／Ｘ・Ｋ1/2 ＝Ｘ・Ｋ1/2 ＋Ｋ1/2 ／Ｘ ∴ Ｐ＝Ｋ1/2 （Ｘ＋１／Ｘ）─────（15） 図８は、このＰとＸの関係をプロットした図である。Ｐ
はＸ＝１のとき最小となり、Ｘに対しＸ＋１／Ｘのカー
ブで増加する。Ｐの値の実用的な範囲として、その最小
値からプラス１５パーセントまでをとると、このときの
Ｘの値、すなわちＲｍとＷの比は図に示すように０．６
〜１．７の範囲となる。
とすると Ｒｍ＝Ｘ・Ｋ1/2 これを（11）式に代入して Ｐ＝Ｘ・Ｋ1/2 ＋Ｋ／Ｘ・Ｋ1/2 ＝Ｘ・Ｋ1/2 ＋Ｋ1/2 ／Ｘ ∴ Ｐ＝Ｋ1/2 （Ｘ＋１／Ｘ）─────（15） 図８は、このＰとＸの関係をプロットした図である。Ｐ
はＸ＝１のとき最小となり、Ｘに対しＸ＋１／Ｘのカー
ブで増加する。Ｐの値の実用的な範囲として、その最小
値からプラス１５パーセントまでをとると、このときの
Ｘの値、すなわちＲｍとＷの比は図に示すように０．６
〜１．７の範囲となる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、低背形で、しかも底面
積の小さい高周波昇圧トランスを構成でき、巻線線材が
短縮されることにより銅損も減少する。また、二次巻線
を複数段に分割巻きしなくてもよいので、巻線工程が簡
略化され生産性が向上する効果もある。
積の小さい高周波昇圧トランスを構成でき、巻線線材が
短縮されることにより銅損も減少する。また、二次巻線
を複数段に分割巻きしなくてもよいので、巻線工程が簡
略化され生産性が向上する効果もある。
【図１】 従来のトランスの分解斜視図
【図２】 本発明のトランスの一実施例を示す正面断面
図
図
【図３】 同トランス要部の一部切欠斜視図
【図４】 同トランスにおけるボビンの正面断面図
【図５】 多層に巻いた線材を断面にした状態の説明図
【図６】 巻数と磁気抵抗との関係を示す図
【図７】 コアと巻線の寸法関係を示すための側面断面
図
図
【図８】 ＸとＰの関係を示す図
１０ コア １３ 中央脚 Ｌ1 一次巻線 Ｌ2 二次巻線
Claims (1)
- 【請求項１】 断面がＥ形のコアの略円柱形の中央脚の
周りに低圧側一次巻線と高圧側二次巻線を巻回した高周
波昇圧トランスにおいて、一次巻線と二次巻線は、該中
央脚の中心軸方向に互いに隣合う位置にそれぞれ多層に
巻回され、中央脚の中心軸に直交する方向のそれぞれの
巻幅がほぼ同一寸法であるとともに、二次巻線の一層あ
たりの巻数が二次巻線の全巻数の１／10以下であり、中
央脚の半径をＲｍとし、一次巻線と二次巻線の該巻幅を
共にＷとしたとき、Ｒｍ／Ｗが０．６〜１．７の範囲に
あることを特徴とする高周波昇圧トランス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35006391A JPH0831379B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 高周波昇圧トランス |
| US07/983,682 US5359313A (en) | 1991-12-10 | 1992-12-01 | Step-up transformer |
| DE4241689A DE4241689C2 (de) | 1991-12-10 | 1992-12-10 | Aufwärts- (Hochspannungs-)Transformator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35006391A JPH0831379B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 高周波昇圧トランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159944A JPH05159944A (ja) | 1993-06-25 |
| JPH0831379B2 true JPH0831379B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=18407981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35006391A Expired - Fee Related JPH0831379B2 (ja) | 1991-12-10 | 1991-12-10 | 高周波昇圧トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831379B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847518A (en) * | 1996-07-08 | 1998-12-08 | Hitachi Ferrite Electronics, Ltd. | High voltage transformer with secondary coil windings on opposing bobbins |
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1991
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