JPH0831448B2 - 低温ドライエッチング装置 - Google Patents
低温ドライエッチング装置Info
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- JPH0831448B2 JPH0831448B2 JP3227013A JP22701391A JPH0831448B2 JP H0831448 B2 JPH0831448 B2 JP H0831448B2 JP 3227013 A JP3227013 A JP 3227013A JP 22701391 A JP22701391 A JP 22701391A JP H0831448 B2 JPH0831448 B2 JP H0831448B2
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- etched
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面の微細加工に好適な
ドライエッチング装置に係り、詳しくは、半導体ウェハ
の異方性エッチングに特に好適な、低温ドライエッチン
グ装置に関する。
ドライエッチング装置に係り、詳しくは、半導体ウェハ
の異方性エッチングに特に好適な、低温ドライエッチン
グ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路がＬＳＩから超ＬＳＩと
集積度が大きくなるにつれ、集積されるデバイスの寸法
はますます微細化してきた。１μｍ以下のパターンを有
するレジスト像をマスクにして、その下の物質をエッチ
ングする場合に、低圧のガスプラズマを用いれば反応生
成物の除去も容易となり、かつ反応性エッチングにおけ
るような、電界によるイオンの加速を利用すればアンダ
カットの問題も少なく、微細パターンの作成が容易にな
ることが期待される。
集積度が大きくなるにつれ、集積されるデバイスの寸法
はますます微細化してきた。１μｍ以下のパターンを有
するレジスト像をマスクにして、その下の物質をエッチ
ングする場合に、低圧のガスプラズマを用いれば反応生
成物の除去も容易となり、かつ反応性エッチングにおけ
るような、電界によるイオンの加速を利用すればアンダ
カットの問題も少なく、微細パターンの作成が容易にな
ることが期待される。
【０００３】溶液を用いずにガスを使用してエッチング
を行なう、いわゆるドライエッチングは、超ＬＳＩ製造
には不可欠の技術であるが、レジストマスクの変質を防
止するために、試料を載置する試料台を冷却することは
周知である。冷却には水冷が最も一般的であるが、一部
にはガスも利用され、例えばニュークリア インスツル
メンツ アンド メソッヅ〔Nuclear Instrumennts and
Methods〕189 (1981)169〜173頁に記載されている。こ
れはいずれもレジストが変質する１２０〜１５０℃以下
の温度に試料台を冷却するものであり、温度制御範囲は
２０〜１００℃の範囲内にある。さらにまた試料をヒー
トパイプを用いて室温以下すなわちマイナス数１０℃以
下の温度に冷却してサイドエッチングを防止する技術
が、特開昭６０−１５８６２７号に開示されている。ド
ライエッチングにおいては、試料の水平面にイオンや電
子等の高エネルギー粒子と、ラジカル等の中性粒子が同
時に入射する一方、パターン側壁には中性粒子だけが入
射する。上記先行技術においては、試料がマイナス数１
０℃の低温に冷却されると、試料と中性粒子との反応速
度は著しく低下し、パターン側壁部はエッチングされな
くなるが、水平面に対してはイオンや電子等の高エネル
ギーの粒子が衝突するため、ごく表面に擬似高温状態が
作られてエッチングが進行する。これによりサイドエッ
チングの少ない異方性エッチングが達成されるというも
のである。
を行なう、いわゆるドライエッチングは、超ＬＳＩ製造
には不可欠の技術であるが、レジストマスクの変質を防
止するために、試料を載置する試料台を冷却することは
周知である。冷却には水冷が最も一般的であるが、一部
にはガスも利用され、例えばニュークリア インスツル
メンツ アンド メソッヅ〔Nuclear Instrumennts and
Methods〕189 (1981)169〜173頁に記載されている。こ
れはいずれもレジストが変質する１２０〜１５０℃以下
の温度に試料台を冷却するものであり、温度制御範囲は
２０〜１００℃の範囲内にある。さらにまた試料をヒー
トパイプを用いて室温以下すなわちマイナス数１０℃以
下の温度に冷却してサイドエッチングを防止する技術
が、特開昭６０−１５８６２７号に開示されている。ド
ライエッチングにおいては、試料の水平面にイオンや電
子等の高エネルギー粒子と、ラジカル等の中性粒子が同
時に入射する一方、パターン側壁には中性粒子だけが入
射する。上記先行技術においては、試料がマイナス数１
０℃の低温に冷却されると、試料と中性粒子との反応速
度は著しく低下し、パターン側壁部はエッチングされな
くなるが、水平面に対してはイオンや電子等の高エネル
ギーの粒子が衝突するため、ごく表面に擬似高温状態が
作られてエッチングが進行する。これによりサイドエッ
チングの少ない異方性エッチングが達成されるというも
のである。
【０００４】また特開昭６０−５０９２３号には、ハロ
ゲン元素を含むエッチングガスと、被エッチング材の表
面に薄膜を形成させるガスを、真空容器内に交互に導入
し、これらのガスから励起したプラズマの中で、被エッ
チング材表面に対するエッチングと薄膜形成を交互に繰
り返しながら、異方性エッチングを行なう技術が示され
ている。
ゲン元素を含むエッチングガスと、被エッチング材の表
面に薄膜を形成させるガスを、真空容器内に交互に導入
し、これらのガスから励起したプラズマの中で、被エッ
チング材表面に対するエッチングと薄膜形成を交互に繰
り返しながら、異方性エッチングを行なう技術が示され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術は、被
処理材表面をエッチングする時間に加えて、その表面に
薄膜を形成する時間が必要で、このため処理時間が増加
する傾向があった。また上記従来の技術を実施する場合
において、冷却装置としてはヒートパイプを使用してい
るため、制御できる温度の範囲が狭かった。例えば液体
窒素を用いたヒートパイプの場合の温度制御範囲は、概
ね−２０３〜−１６０℃である。しかし実用的には、こ
の温度範よりはるかに広い０〜−２００℃の範囲で、各
材料及びエッチングガスに対して最適な温度を設定する
ことが望ましい。
処理材表面をエッチングする時間に加えて、その表面に
薄膜を形成する時間が必要で、このため処理時間が増加
する傾向があった。また上記従来の技術を実施する場合
において、冷却装置としてはヒートパイプを使用してい
るため、制御できる温度の範囲が狭かった。例えば液体
窒素を用いたヒートパイプの場合の温度制御範囲は、概
ね−２０３〜−１６０℃である。しかし実用的には、こ
の温度範よりはるかに広い０〜−２００℃の範囲で、各
材料及びエッチングガスに対して最適な温度を設定する
ことが望ましい。
【０００６】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたもので、被処理材を０℃、好ましくは−５０℃以
下の低温に冷却して薄膜形成効率を高め、薄膜形成時間
を短縮すると共に、低温によるサイドエッチング防止効
果によって、薄膜形成のための繰返しサイクルを減少さ
せ、さらに、エッチング条件の変化に対応する低温の温
度領域を拡げて、試料を所望の温度範囲に任意設定する
ことが可能な試料台を備えた低温ドライエッチング装置
とを提供することを目的としている。
されたもので、被処理材を０℃、好ましくは−５０℃以
下の低温に冷却して薄膜形成効率を高め、薄膜形成時間
を短縮すると共に、低温によるサイドエッチング防止効
果によって、薄膜形成のための繰返しサイクルを減少さ
せ、さらに、エッチング条件の変化に対応する低温の温
度領域を拡げて、試料を所望の温度範囲に任意設定する
ことが可能な試料台を備えた低温ドライエッチング装置
とを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、液化ガスに
よる冷却と加熱ヒータを併用する装置によって試料台温
度を制御する回路と、被エッチング材を０〜−２００℃
の範囲に冷却すると共に、エッチングガス及び薄膜形成
用ガスを真空容器内へ交互導入する手段としては、ガス
ラインバルブの自動開閉のタイミングを設定する装置を
経由して行なう低温ドライエッチング装置によって達成
が可能である。さらに、エッチング後の被エッチング材
の温度を室温に上昇させる加温室を、処理室に隣接して
独立して設け、処理効率を向上させる。
よる冷却と加熱ヒータを併用する装置によって試料台温
度を制御する回路と、被エッチング材を０〜−２００℃
の範囲に冷却すると共に、エッチングガス及び薄膜形成
用ガスを真空容器内へ交互導入する手段としては、ガス
ラインバルブの自動開閉のタイミングを設定する装置を
経由して行なう低温ドライエッチング装置によって達成
が可能である。さらに、エッチング後の被エッチング材
の温度を室温に上昇させる加温室を、処理室に隣接して
独立して設け、処理効率を向上させる。
【０００８】
【作用】被エッチング材を上記温度範囲内の所定温度に
設定して冷却することにより、被エッチング材表面に被
膜の組成粒子が吸着しやすくなり、またサイドエッチン
グの原因となる中性ラジカルとパターン側面との反応効
率が低下し、同時に反応生成物の蒸気圧が低下する。こ
れらの相乗作用によって、薄膜の生成速度が増加し、サ
イドエッチング量が減少する。すなわち薄膜生成速度の
増加によって、薄膜生成時間の短縮を図っても、サイド
エッチングを抑制することが可能となるものである。ま
た、処理後の被エッチング材の温度を室温まで上昇させ
る加温室を処理室とは独立に設けることにより、処理室
の試料台の温度を上昇させることが不要になり、処理効
率が著るしく向上する。
設定して冷却することにより、被エッチング材表面に被
膜の組成粒子が吸着しやすくなり、またサイドエッチン
グの原因となる中性ラジカルとパターン側面との反応効
率が低下し、同時に反応生成物の蒸気圧が低下する。こ
れらの相乗作用によって、薄膜の生成速度が増加し、サ
イドエッチング量が減少する。すなわち薄膜生成速度の
増加によって、薄膜生成時間の短縮を図っても、サイド
エッチングを抑制することが可能となるものである。ま
た、処理後の被エッチング材の温度を室温まで上昇させ
る加温室を処理室とは独立に設けることにより、処理室
の試料台の温度を上昇させることが不要になり、処理効
率が著るしく向上する。
【０００９】
【実施例】〈実施例 １〉図１は本発明の一実施例を説
明するための図である。図１において、処理室１はロー
ドロック式になっており、試料交換室（加温室）２とゲ
ートパルブ３によって相互に分離することにより、大気
中の水分によって処理室１内の試料台７に結露が生ずる
ことを防止している。試料台７の内部には液体窒素１０
を導入して冷却するとともに、電熱ヒータ９によって加
熱を行ない、さらに温度センサ１８を配置した。１７は
テフロン製の台、１９は温度計、２０は絶縁物、２１は
液化ガス容器を、それぞれ表わす。試料台７は、被エッ
チング材８の冷却効率を高めるために本実施例では銅製
を用い、銅のスパッタによる汚染を防止するため、被エ
ッチング材８を載置する部分以外は石英カバー６で被覆
されている。石英カバー６の表面が冷却されて、反応ガ
スや反応生成物が付着するのを防止するため、石英カバ
ー６の厚さは５ｍｍ以上が好ましく、これを取付けない
場合は、−１５０℃以下では電極がＳＦ6ガスに対する
トラップとして働くため、ガス圧力の制御が困難であっ
た。また実施条件によっては石英カバー６はテフロンカ
バーによる代用が可能で、試料台７の内部と処理室１と
が接触する真空シール部分は、金属製のＯリング５によ
って気密が保持されている。電熱ヒータ９への供給電圧
はパルス電圧を用い、パルス間隔は試料台６の設定温度
によって０.１〜６０秒の範囲に設定した。また温度セ
ンサ１８からの出力信号をフィードバック回路２２を経
由して、ヒータ用電源１２及びガス供給制御系２３に送
信し、試料台７の加熱、冷却の制御を行なった。これに
より、試料台７の温度を設定値±２℃に制御することが
できた。試料交換室２は処理室１へ搬送する前の被エッ
チング材８の予備冷却及び処理後の被エッチング材８の
加熱を行なう。試料交換室２内に設けられた試料台１３
の被エッチング材８と接触する面には、石英台１６（テ
フロンによる代用も可能）が設けられている。冷却ガス
供給口１４からは液体窒素によって冷却されたガスが流
入し、被エッチング材８を冷却する。被エッチング材８
に損傷を与えないために、冷却ガスの流量を徐々に増加
し、処理室１の試料台７の温度に達するまで徐々に冷却
した。エッチング処理が終了した後、被エッチング材８
は、試料交換室２内に設けられた試料台１３上に搬送さ
れ、加熱用ランプ１５によって室温にまで昇温される。
明するための図である。図１において、処理室１はロー
ドロック式になっており、試料交換室（加温室）２とゲ
ートパルブ３によって相互に分離することにより、大気
中の水分によって処理室１内の試料台７に結露が生ずる
ことを防止している。試料台７の内部には液体窒素１０
を導入して冷却するとともに、電熱ヒータ９によって加
熱を行ない、さらに温度センサ１８を配置した。１７は
テフロン製の台、１９は温度計、２０は絶縁物、２１は
液化ガス容器を、それぞれ表わす。試料台７は、被エッ
チング材８の冷却効率を高めるために本実施例では銅製
を用い、銅のスパッタによる汚染を防止するため、被エ
ッチング材８を載置する部分以外は石英カバー６で被覆
されている。石英カバー６の表面が冷却されて、反応ガ
スや反応生成物が付着するのを防止するため、石英カバ
ー６の厚さは５ｍｍ以上が好ましく、これを取付けない
場合は、−１５０℃以下では電極がＳＦ6ガスに対する
トラップとして働くため、ガス圧力の制御が困難であっ
た。また実施条件によっては石英カバー６はテフロンカ
バーによる代用が可能で、試料台７の内部と処理室１と
が接触する真空シール部分は、金属製のＯリング５によ
って気密が保持されている。電熱ヒータ９への供給電圧
はパルス電圧を用い、パルス間隔は試料台６の設定温度
によって０.１〜６０秒の範囲に設定した。また温度セ
ンサ１８からの出力信号をフィードバック回路２２を経
由して、ヒータ用電源１２及びガス供給制御系２３に送
信し、試料台７の加熱、冷却の制御を行なった。これに
より、試料台７の温度を設定値±２℃に制御することが
できた。試料交換室２は処理室１へ搬送する前の被エッ
チング材８の予備冷却及び処理後の被エッチング材８の
加熱を行なう。試料交換室２内に設けられた試料台１３
の被エッチング材８と接触する面には、石英台１６（テ
フロンによる代用も可能）が設けられている。冷却ガス
供給口１４からは液体窒素によって冷却されたガスが流
入し、被エッチング材８を冷却する。被エッチング材８
に損傷を与えないために、冷却ガスの流量を徐々に増加
し、処理室１の試料台７の温度に達するまで徐々に冷却
した。エッチング処理が終了した後、被エッチング材８
は、試料交換室２内に設けられた試料台１３上に搬送さ
れ、加熱用ランプ１５によって室温にまで昇温される。
【００１０】上記装置を用いたエッチングにおいて、被
エッチング材としてＳｉを用い、温度は−８０℃と、エ
ッチングガスはＳＦ6、被膜形成用ガスはＣＣｌ4、ＳＦ
6とＣＣｌ4の１サイクル中の設定時間はそれぞれ４０秒
及び５秒として、５サイクルで合計２２５秒のエッチン
グ処理を実施した結果、エッチング深さ１μｍ、サイド
エッチング量は０.１μｍ以下であった。一方被エッチ
ング材を冷却せずに上記と同様の結果を得るためには、
ＳＦ6、ＣＣｌ4の１サイクル設定時間をそれぞれ共に２
０秒とし、１２サイクル合計４８０秒のエッチング処理
時間を必要とした。すなわちエッチングガスと被膜生成
用ガスを交互に導入して、被エッチング材を冷却するこ
とにより、本実施例では、処理時間を概ね４７％短縮す
ることができた。
エッチング材としてＳｉを用い、温度は−８０℃と、エ
ッチングガスはＳＦ6、被膜形成用ガスはＣＣｌ4、ＳＦ
6とＣＣｌ4の１サイクル中の設定時間はそれぞれ４０秒
及び５秒として、５サイクルで合計２２５秒のエッチン
グ処理を実施した結果、エッチング深さ１μｍ、サイド
エッチング量は０.１μｍ以下であった。一方被エッチ
ング材を冷却せずに上記と同様の結果を得るためには、
ＳＦ6、ＣＣｌ4の１サイクル設定時間をそれぞれ共に２
０秒とし、１２サイクル合計４８０秒のエッチング処理
時間を必要とした。すなわちエッチングガスと被膜生成
用ガスを交互に導入して、被エッチング材を冷却するこ
とにより、本実施例では、処理時間を概ね４７％短縮す
ることができた。
【００１１】次に試料台７の温度を０〜−１５０℃の範
囲で変化させて、Ｓｉのエッチング形状を比較した。図
３は試料台の温度とサイドエッチング量の関係を示す図
で概ね−８０℃以下の温度で顕著なサイドエッチングの
減少傾向が見られ、−１００℃におけるサイドエッチン
グ量は０.０５μｍ以下に減少した。また−１２０℃以
下ではエッチング割合の低下が認められ好ましくない。
この結果から本実施例における最適エッチング温度は−
１００〜−１２０℃であることがわかる。
囲で変化させて、Ｓｉのエッチング形状を比較した。図
３は試料台の温度とサイドエッチング量の関係を示す図
で概ね−８０℃以下の温度で顕著なサイドエッチングの
減少傾向が見られ、−１００℃におけるサイドエッチン
グ量は０.０５μｍ以下に減少した。また−１２０℃以
下ではエッチング割合の低下が認められ好ましくない。
この結果から本実施例における最適エッチング温度は−
１００〜−１２０℃であることがわかる。
【００１２】図１に示したエッチング装置を用いたエッ
チングにおいて、エッチングガスとしてＳＦ6に代えて
ＳｉＣｌ4を使用したところ、最適温度は−８０〜−１
００℃であり、サイドエッチング量は概ね０.０５μｍ
以下に減少した。
チングにおいて、エッチングガスとしてＳＦ6に代えて
ＳｉＣｌ4を使用したところ、最適温度は−８０〜−１
００℃であり、サイドエッチング量は概ね０.０５μｍ
以下に減少した。
【００１３】また、被エッチング材としてＷを使用した
場合には、−２０℃からサイドエッチング量の減少効果
が見られ、−４０〜−８０℃の範囲が最適の温度であっ
た。
場合には、−２０℃からサイドエッチング量の減少効果
が見られ、−４０〜−８０℃の範囲が最適の温度であっ
た。
【００１４】その他の被エッチング材としては、Ａｌ，
ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ、ホトレジスト
等についても、それぞれ程度の相違はあるが、冷却によ
るサイドエッチング抑制の効果が認められた。
ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ、ホトレジスト
等についても、それぞれ程度の相違はあるが、冷却によ
るサイドエッチング抑制の効果が認められた。
【００１５】また図１に示した装置において冷却用液化
ガスを、液体窒素に代えて液体ヘリウムを使用した場合
は冷却効率が高く、液体窒素よりも短時間で試料台を冷
却することができた。その他液体アンモニア、トリクロ
ロモノフルオロメタン等のガスについても実用が可能で
ある。
ガスを、液体窒素に代えて液体ヘリウムを使用した場合
は冷却効率が高く、液体窒素よりも短時間で試料台を冷
却することができた。その他液体アンモニア、トリクロ
ロモノフルオロメタン等のガスについても実用が可能で
ある。
【００１６】〈実施例 ２〉図２は本発明の他の実施例
を示し、マイクロ波プラズマエッチングを使用した装置
の一例を示す。図１と同じ符号を付したものは、図１と
同じものを表わす。記号２４は、エッチングガスおよび
薄膜形成用ガスを処理室１内に交互に導入するため、ガ
スラインバルブの自動開閉のタイミング時間を設定する
ための装置を表わす。マグネトロン２５で励起されたマ
イクロ波は、導波管２６に導かれ処理室１内でプラズマ
を発生させる。マグネット２７はＥＣＲ（電子サイクロ
トロン共鳴）作用によって、励起効率を高める働きをす
る。上記構成を有する装置を使用してＳｉのエッチング
を実施し、ＳＦ6、ＣＣｌ4の１サイクルのガス供給時間
はそれぞれ２０秒、３秒に設定した。本装置によるとイ
オン化効率が高く、図１に示した装置に比較して活性種
の密度が高いため、４サイクルの合計処理時間９２秒で
深さ１μｍのエッチング量が得られた。冷却しない場合
は、１サイクルの処理時間はそれぞれ２０秒とし、これ
を４サイクル繰り返すことにより１６０秒で同等のエッ
チング量が得られたので、合計の処理時間は５８％に短
縮された。なお本装置を使用してＳＦ6ガスによりＳｉ
に対して−８０〜−１２０℃の温度範囲でエッチングし
たときのサイドエッチング量は０.０５μｍ以下であっ
た。
を示し、マイクロ波プラズマエッチングを使用した装置
の一例を示す。図１と同じ符号を付したものは、図１と
同じものを表わす。記号２４は、エッチングガスおよび
薄膜形成用ガスを処理室１内に交互に導入するため、ガ
スラインバルブの自動開閉のタイミング時間を設定する
ための装置を表わす。マグネトロン２５で励起されたマ
イクロ波は、導波管２６に導かれ処理室１内でプラズマ
を発生させる。マグネット２７はＥＣＲ（電子サイクロ
トロン共鳴）作用によって、励起効率を高める働きをす
る。上記構成を有する装置を使用してＳｉのエッチング
を実施し、ＳＦ6、ＣＣｌ4の１サイクルのガス供給時間
はそれぞれ２０秒、３秒に設定した。本装置によるとイ
オン化効率が高く、図１に示した装置に比較して活性種
の密度が高いため、４サイクルの合計処理時間９２秒で
深さ１μｍのエッチング量が得られた。冷却しない場合
は、１サイクルの処理時間はそれぞれ２０秒とし、これ
を４サイクル繰り返すことにより１６０秒で同等のエッ
チング量が得られたので、合計の処理時間は５８％に短
縮された。なお本装置を使用してＳＦ6ガスによりＳｉ
に対して−８０〜−１２０℃の温度範囲でエッチングし
たときのサイドエッチング量は０.０５μｍ以下であっ
た。
【００１７】また本実施例においては、加熱ヒータとし
て電熱ヒータを使用したが、他の熱源によってヒータを
使用してもよい。
て電熱ヒータを使用したが、他の熱源によってヒータを
使用してもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明の実施により、被エッチング材及
び処理ガスに対する最適の温度を広範囲に設定すること
ができ、エッチング処理時間の短縮と、サイドエッチン
グの抑制に成果が認められ、微細加工における精度向上
などに顕著な効果を示した。また、処理の終った被エッ
チング材は、試料交換室（加温室）に搬送され、室温ま
で昇温されるので、外部へ取出した際に結露の生ずる恐
れはない。さらに、処理室内に設けられた試料台の温度
が室温に上昇しないため、次のエッチングまでの所要時
間が短縮され、処理効率が向上する。
び処理ガスに対する最適の温度を広範囲に設定すること
ができ、エッチング処理時間の短縮と、サイドエッチン
グの抑制に成果が認められ、微細加工における精度向上
などに顕著な効果を示した。また、処理の終った被エッ
チング材は、試料交換室（加温室）に搬送され、室温ま
で昇温されるので、外部へ取出した際に結露の生ずる恐
れはない。さらに、処理室内に設けられた試料台の温度
が室温に上昇しないため、次のエッチングまでの所要時
間が短縮され、処理効率が向上する。
【図１】本発明の一実施例を示す図。
【図２】本発明の他の実施例を示す図。
【図３】試料台の温度とサイドエッチング量の関係を示
す曲線図。
す曲線図。
１…処置室、２…試料交換室（加温室）、３…ゲートバ
ルブ、４…処理ガス供給口、５…Ｏリング、６…石英カ
バー、７…試料台、８…被エッチング材、９…電熱ヒー
タ、１０…液体窒素、１１…ＲＦ電源、１２…ヒータ用
電源、１３…試料台、１４…冷却ガス供給口、１５…加
熱用ランプ、１６…石英台、１７…テフロン製台、１８
…温度センサ、１９…温度計、２０…絶縁物、２１…液
化ガス容器、２２…フィードバック回路、２３…液化ガ
ス供給制御系、２４…反応ガス開閉制御系、２５…マグ
ネトロン、２６…導波管、２７…マグネット、１００…
プラズマ。
ルブ、４…処理ガス供給口、５…Ｏリング、６…石英カ
バー、７…試料台、８…被エッチング材、９…電熱ヒー
タ、１０…液体窒素、１１…ＲＦ電源、１２…ヒータ用
電源、１３…試料台、１４…冷却ガス供給口、１５…加
熱用ランプ、１６…石英台、１７…テフロン製台、１８
…温度センサ、１９…温度計、２０…絶縁物、２１…液
化ガス容器、２２…フィードバック回路、２３…液化ガ
ス供給制御系、２４…反応ガス開閉制御系、２５…マグ
ネトロン、２６…導波管、２７…マグネット、１００…
プラズマ。
Claims (5)
- 【請求項１】冷却された被エッチング材を、処理ガスの
プラズマを利用してエッチングする処理室と、該処理室
とは別に設けられ、該処理室でエッチングされた上記被
エッチング材を搬入し、搬入された上記被エッチング材
を加熱して、上記被エッチング材の温度を室温に上昇さ
せる加温室を具備したことを特徴とする低温ドライエッ
チング装置。 - 【請求項２】上記加温室は上記処理室に隣接して設けら
れていることを特徴とする請求項１記載の低温ドライエ
ッチング装置。 - 【請求項３】上記加温室は、加熱ランプによって上記被
エッチング材を加熱する手段を有していることを特徴と
する請求項１若しくは請求項２記載の低温ドライエッチ
ング装置。 - 【請求項４】上記加温室は、ヒーターによって上記被エ
ッチング材を加熱する手段を有していることを特徴とす
る請求項１若しくは請求項２記載の低温ドライエッチン
グ装置。 - 【請求項５】上記処理室内における上記エッチングは、
上記被エッチング材の温度を０〜−２００℃にして行な
われることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の低温ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227013A JPH0831448B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 低温ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227013A JPH0831448B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 低温ドライエッチング装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61260738A Division JPH0691035B2 (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 低温ドライエツチング方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315288A JPH05315288A (ja) | 1993-11-26 |
| JPH0831448B2 true JPH0831448B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16854151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227013A Expired - Fee Related JPH0831448B2 (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 低温ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH0831448B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS57149748A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Treating device for substrate |
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-
1991
- 1991-09-06 JP JP3227013A patent/JPH0831448B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05315288A (ja) | 1993-11-26 |
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