JPH0831991A - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH0831991A JPH0831991A JP6162051A JP16205194A JPH0831991A JP H0831991 A JPH0831991 A JP H0831991A JP 6162051 A JP6162051 A JP 6162051A JP 16205194 A JP16205194 A JP 16205194A JP H0831991 A JPH0831991 A JP H0831991A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- radiator
- heat
- package
- main surface
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱体の主面に識別標識を正確、且つ確実に形
成でき、且つ放熱フィンを密着させて取着し、半導体素
子の発生する熱を大気中に効率よく放散させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。 【構成】半導体素子3 を収容する絶縁容器4 の表面に銅
から成る平板状の放熱体9 をロウ付けして成る半導体素
子収納用パッケージであって、前記銅から成る放熱体9
の露出する主面はその中心線平均粗さRaがRa≦0.15μｍ
であり、且つその最大高さRmaxがRmax≦2.5 μｍであ
る。
成でき、且つ放熱フィンを密着させて取着し、半導体素
子の発生する熱を大気中に効率よく放散させることがで
きる半導体素子収納用パッケージを提供することにあ
る。 【構成】半導体素子3 を収容する絶縁容器4 の表面に銅
から成る平板状の放熱体9 をロウ付けして成る半導体素
子収納用パッケージであって、前記銅から成る放熱体9
の露出する主面はその中心線平均粗さRaがRa≦0.15μｍ
であり、且つその最大高さRmaxがRmax≦2.5 μｍであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ（大規模集積回
路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素子収
納用パッケージに関するものである。
路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素子収
納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体素子を収容するための半導体
素子収納用パッケージは、酸化アルミニウム質焼結体等
の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子を収容する
ための凹部及び該凹部周辺から外周縁にかけて導出され
たタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属
粉末から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基
体と、半導体素子を外部電気回路に接続するために前記
メタライズ配線層に銀ろう等のろう材を介し取着された
外部リード端子と、蓋体とから構成されており、絶縁基
体の凹部底面に半導体素子をろう材、ガラス、樹脂等の
接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素子の各
電極をボンディングワイヤを介してメタライズ配線層に
電気的に接続し、しかる後、絶縁基体と蓋体とからなる
容器内部に半導体素子を気密に封止することにより製品
としての半導体装置となる。
素子収納用パッケージは、酸化アルミニウム質焼結体等
の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子を収容する
ための凹部及び該凹部周辺から外周縁にかけて導出され
たタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属
粉末から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基
体と、半導体素子を外部電気回路に接続するために前記
メタライズ配線層に銀ろう等のろう材を介し取着された
外部リード端子と、蓋体とから構成されており、絶縁基
体の凹部底面に半導体素子をろう材、ガラス、樹脂等の
接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素子の各
電極をボンディングワイヤを介してメタライズ配線層に
電気的に接続し、しかる後、絶縁基体と蓋体とからなる
容器内部に半導体素子を気密に封止することにより製品
としての半導体装置となる。
【０００３】尚、上述の半導体素子収納用パッケージ
は、絶縁基体の下面にタングステンやモリブデン等の高
融点金属粉末から成るメタライズ金属層が被着されてお
り、該メタライズ金属層に銅から成る平板状の放熱体を
銀ろう等のろう材により取着させ、半導体素子が作動時
に発生する熱を絶縁基体を介して放熱体に吸収させると
ともに該吸収した熱を大気中に放散させることによって
半導体素子に熱破壊や特性に熱変化が招来しないように
している。
は、絶縁基体の下面にタングステンやモリブデン等の高
融点金属粉末から成るメタライズ金属層が被着されてお
り、該メタライズ金属層に銅から成る平板状の放熱体を
銀ろう等のろう材により取着させ、半導体素子が作動時
に発生する熱を絶縁基体を介して放熱体に吸収させると
ともに該吸収した熱を大気中に放散させることによって
半導体素子に熱破壊や特性に熱変化が招来しないように
している。
【０００４】また前記放熱体は、銅から成るインゴット
に従来周知の圧延加工、打ち抜き加工等の金属加工法を
採用することによって所定の平板状に製作されており、
その露出する主面には半導体装置の品番や製造者、製造
日等を表示する識別標識が印刷法やレーザーマーキング
法等により形成されたり、或いは半導体素子の発生する
熱を更に効率よく大気中に放散させるためのアルミニウ
ム製の放熱フィンが樹脂製接着剤等を介して取着された
りする。
に従来周知の圧延加工、打ち抜き加工等の金属加工法を
採用することによって所定の平板状に製作されており、
その露出する主面には半導体装置の品番や製造者、製造
日等を表示する識別標識が印刷法やレーザーマーキング
法等により形成されたり、或いは半導体素子の発生する
熱を更に効率よく大気中に放散させるためのアルミニウ
ム製の放熱フィンが樹脂製接着剤等を介して取着された
りする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体素子収納用パッケージでは、銅のインゴット
に圧延加工等を施して平板状の放熱体を製作する際、圧
延加工治具の表面には放熱体との離型を良くするため一
般に約３〜５μm の深さの溝が多数設けてあるため平板
状に加工された放熱体もその主面に前記溝に起因する多
数の傷が付いたものとなっている。そのためこの放熱体
を絶縁基体に設けたメタライズ金属層に銀ろう等のろう
材を介して取着するとそのろう材の一部が放熱体に形成
されている傷を伝って主面に広く流出し、その結果、放
熱体の主面に印刷法やレーザーマーキング法により識別
標識を形成しようとしてもその標識を正確、且つ確実に
形成することができないという欠点を有していた。
来の半導体素子収納用パッケージでは、銅のインゴット
に圧延加工等を施して平板状の放熱体を製作する際、圧
延加工治具の表面には放熱体との離型を良くするため一
般に約３〜５μm の深さの溝が多数設けてあるため平板
状に加工された放熱体もその主面に前記溝に起因する多
数の傷が付いたものとなっている。そのためこの放熱体
を絶縁基体に設けたメタライズ金属層に銀ろう等のろう
材を介して取着するとそのろう材の一部が放熱体に形成
されている傷を伝って主面に広く流出し、その結果、放
熱体の主面に印刷法やレーザーマーキング法により識別
標識を形成しようとしてもその標識を正確、且つ確実に
形成することができないという欠点を有していた。
【０００６】また同時に放熱体の主面にろう材の一部が
広く流出していることから放熱体に更にアルミニウム製
の放熱フィンを取着する際、放熱体と放熱フィンとの間
に大きな間隙が形成されてしまい、その結果、放熱体か
ら放熱フィンへの熱の伝達が大きく阻害され、半導体素
子の発生する熱を大気中に効率よく放散させることがで
きなくなるという欠点も有していた。
広く流出していることから放熱体に更にアルミニウム製
の放熱フィンを取着する際、放熱体と放熱フィンとの間
に大きな間隙が形成されてしまい、その結果、放熱体か
ら放熱フィンへの熱の伝達が大きく阻害され、半導体素
子の発生する熱を大気中に効率よく放散させることがで
きなくなるという欠点も有していた。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記欠点に鑑み案出されたも
のであり、その目的は、平板状放熱体の主面に識別標識
を正確、且つ確実に形成でき、且つ放熱フィンを密着さ
せて取着し、半導体素子の発生する熱を大気中に効率よ
く放散させることができる半導体素子収納用パッケージ
を提供することにある。
のであり、その目的は、平板状放熱体の主面に識別標識
を正確、且つ確実に形成でき、且つ放熱フィンを密着さ
せて取着し、半導体素子の発生する熱を大気中に効率よ
く放散させることができる半導体素子収納用パッケージ
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
収容する絶縁容器の表面に銅から成る平板状の放熱体を
ロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記銅から成る放熱体の露出する主面はその中心線
平均粗さRaがRa≦0.15μｍであり、且つその最大高さRm
axがRmax≦2.5 μｍであることを特徴とするものであ
る。
収容する絶縁容器の表面に銅から成る平板状の放熱体を
ロウ付けして成る半導体素子収納用パッケージであっ
て、前記銅から成る放熱体の露出する主面はその中心線
平均粗さRaがRa≦0.15μｍであり、且つその最大高さRm
axがRmax≦2.5 μｍであることを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明の半導体素子収納用パッケージによれ
ば、銅から成る放熱体の露出する主面を中心線平均粗さ
RaでRa≦0.15μｍとし、且つ最大高さRmaxでRmax≦2.5
μｍとしたことから、該主面のロウ材に対する毛管力が
小さいものとなり、その結果、該主面へのろう材の流出
が有効に阻止される。
ば、銅から成る放熱体の露出する主面を中心線平均粗さ
RaでRa≦0.15μｍとし、且つ最大高さRmaxでRmax≦2.5
μｍとしたことから、該主面のロウ材に対する毛管力が
小さいものとなり、その結果、該主面へのろう材の流出
が有効に阻止される。
【００１０】
【実施例】次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明
する。図１は、本発明の半導体素子収納用パッケージの
一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体である。この
絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収容する絶縁容
器4 が構成される。
する。図１は、本発明の半導体素子収納用パッケージの
一実施例を示し、1 は絶縁基体、2 は蓋体である。この
絶縁基体1 と蓋体2 とで半導体素子3 を収容する絶縁容
器4 が構成される。
【００１１】前記絶縁基体1 は、その上面に半導体素子
3 を収容するための凹部1aを有する概ね４角形状の板状
体であり、前記凹部1a底面には半導体素子3 がガラス、
樹脂、ろう材等の接着剤を介して接着固定される。
3 を収容するための凹部1aを有する概ね４角形状の板状
体であり、前記凹部1a底面には半導体素子3 がガラス、
樹脂、ろう材等の接着剤を介して接着固定される。
【００１２】前記絶縁基体1 は、酸化アルミニウム質焼
結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、主原料として
の酸化アルミニウム粉末及び焼結助材としての酸化珪素
粉末、酸化カルシウム粉末、酸化マグネシウム粉末等を
含む酸化アルミニウム質焼結体原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤、可塑剤等を添加混合して泥漿状となす
とともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレン
ダーロール法等のシート成形技術を採用して複数枚のセ
ラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を
得、次に前記セラミックグリーンシートのそれぞれに適
当な打ち抜き加工を施すとともにこれらを所定の順に上
下に積層してセラミックグリーンシート積層体となし、
最後に前記セラミックグリーンシート積層体を高温（約
1600℃）で焼成することによって製作される。
結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、主原料として
の酸化アルミニウム粉末及び焼結助材としての酸化珪素
粉末、酸化カルシウム粉末、酸化マグネシウム粉末等を
含む酸化アルミニウム質焼結体原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤、可塑剤等を添加混合して泥漿状となす
とともにこれを従来周知のドクターブレード法やカレン
ダーロール法等のシート成形技術を採用して複数枚のセ
ラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を
得、次に前記セラミックグリーンシートのそれぞれに適
当な打ち抜き加工を施すとともにこれらを所定の順に上
下に積層してセラミックグリーンシート積層体となし、
最後に前記セラミックグリーンシート積層体を高温（約
1600℃）で焼成することによって製作される。
【００１３】また、前記絶縁基体1 には凹部1a周辺から
外周縁にかけて導出する複数個のメタライズ配線層5 が
形成されており、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部
位には半導体素子3 の各電極がボンディングワイヤ6 を
介して電気的に接続され、またメタライズ配線層5 の絶
縁基体1 外周部位には外部電気回路と接続される外部リ
ード端子7 が銀ろう等のろう材を介して取着されてい
る。
外周縁にかけて導出する複数個のメタライズ配線層5 が
形成されており、該メタライズ配線層5 の凹部1a周辺部
位には半導体素子3 の各電極がボンディングワイヤ6 を
介して電気的に接続され、またメタライズ配線層5 の絶
縁基体1 外周部位には外部電気回路と接続される外部リ
ード端子7 が銀ろう等のろう材を介して取着されてい
る。
【００１４】前記メタライズ配線層5 は、タングステ
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成
り、該高融点金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤等
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となるセ
ラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印
刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによっ
て絶縁基体1 の凹部1a周辺から外周縁にかけて被着形成
される。
ン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成
り、該高融点金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤等
を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体1 となるセ
ラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印
刷法により所定パターンに印刷塗布しておくことによっ
て絶縁基体1 の凹部1a周辺から外周縁にかけて被着形成
される。
【００１５】また、前記メタライズ配線層5 は、その露
出する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つろう
材との濡れ性に優れる金属を1.0 〜20.0μｍの厚みにメ
ッキ法により層着させておくと、メタライズ配線層5 の
酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタラ
イズ配線層5 への外部リード端子7 のろう付けを強固と
なすことができる。従って、前記メタライズ配線層5
は、通常、その露出する表面にニッケル、金等の耐食性
に優れ、且つろう材との濡れ性に優れる金属が1.0 〜2
0.0μｍの厚みに層着される。
出する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つろう
材との濡れ性に優れる金属を1.0 〜20.0μｍの厚みにメ
ッキ法により層着させておくと、メタライズ配線層5 の
酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタラ
イズ配線層5 への外部リード端子7 のろう付けを強固と
なすことができる。従って、前記メタライズ配線層5
は、通常、その露出する表面にニッケル、金等の耐食性
に優れ、且つろう材との濡れ性に優れる金属が1.0 〜2
0.0μｍの厚みに層着される。
【００１６】更に、前記メタライズ配線層5 には外部リ
ード端子7 が銀ろう等のろう材を介して取着されてお
り、該外部リード端子7 は、容器4 内部に収容する半導
体素子3 の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作
用を為し、外部リード端子7 を外部電気回路に接続する
ことによって容器4 内部に収容される半導体素子3 はメ
タライズ配線層5 及び外部リード端子7 を介して外部電
気回路に接続されることとなる。
ード端子7 が銀ろう等のろう材を介して取着されてお
り、該外部リード端子7 は、容器4 内部に収容する半導
体素子3 の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作
用を為し、外部リード端子7 を外部電気回路に接続する
ことによって容器4 内部に収容される半導体素子3 はメ
タライズ配線層5 及び外部リード端子7 を介して外部電
気回路に接続されることとなる。
【００１７】前記外部リード端子7 は、鉄−ニッケル−
コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成
り、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成
るインゴットを圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の
金属加工法を採用することによって所定の板状に形成さ
れる。
コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成
り、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成
るインゴットを圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の
金属加工法を採用することによって所定の板状に形成さ
れる。
【００１８】前記外部リード端子7 が取着された絶縁基
体1 はまたその下面に略四角形状のメタライズ金属層8
が被着されており、該メタライズ金属層8 には銅から成
る略四角平板状の放熱体9 がろう材10を介してろう付け
されている。
体1 はまたその下面に略四角形状のメタライズ金属層8
が被着されており、該メタライズ金属層8 には銅から成
る略四角平板状の放熱体9 がろう材10を介してろう付け
されている。
【００１９】前記メタライズ金属層8 は、銅から成る放
熱体9 を絶縁基体1 に取着するための下地金属層として
作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、前述のメタライズ配線層5 と同様
の方法によって絶縁基体1 の下面に被着される。
熱体9 を絶縁基体1 に取着するための下地金属層として
作用し、タングステン、モリブデン、マンガン等の高融
点金属粉末から成り、前述のメタライズ配線層5 と同様
の方法によって絶縁基体1 の下面に被着される。
【００２０】尚、前記メタライズ金属層8 は、該メタラ
イズ金属層8 へ放熱体9 をろう材10を介してろう付けす
る際、ろう材10のメニスカス( ロウ材10の溜まり部) の
形成を考慮して放熱体9 の外周辺より0.1 〜10mm程度、
外側にはみ出すよう広く形成されている。
イズ金属層8 へ放熱体9 をろう材10を介してろう付けす
る際、ろう材10のメニスカス( ロウ材10の溜まり部) の
形成を考慮して放熱体9 の外周辺より0.1 〜10mm程度、
外側にはみ出すよう広く形成されている。
【００２１】また前記略四角形状のメタライズ金属層8
はその角部に半径が0.1 〜10mm程度の丸みを設けておく
とメタライズ金属層8 に放熱体9 をロウ付けする際、メ
タライズ金属層8 の各角部に応力が集中し、メタライズ
金属層8 が絶縁基体1 より剥離してしまうのを有効に防
止することができる。従って、前記略四角形状のメタラ
イズ金属層8 はその角部に半径が0.1 〜10mm程度の丸み
を設けておくことが好ましい。
はその角部に半径が0.1 〜10mm程度の丸みを設けておく
とメタライズ金属層8 に放熱体9 をロウ付けする際、メ
タライズ金属層8 の各角部に応力が集中し、メタライズ
金属層8 が絶縁基体1 より剥離してしまうのを有効に防
止することができる。従って、前記略四角形状のメタラ
イズ金属層8 はその角部に半径が0.1 〜10mm程度の丸み
を設けておくことが好ましい。
【００２２】更に前記メタライズ金属層8 は、その露出
する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つろう材
との濡れ性に優れる金属を1.0 〜20.0μｍの厚みにメッ
キ法により層着させておくと、メタライズ金属層8 の酸
化腐食を有効に防止することができるとともにメタライ
ズ金属層8 への銅から成る放熱体9 のろう付けを強固と
なすことができる。従って、前記メタライズ金属層8 は
通常、その露出する表面にニッケル、金等の耐食性に優
れ、且つろう材との濡れ性に優れる金属が1.0〜20.0μ
ｍの厚みに層着される。
する表面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つろう材
との濡れ性に優れる金属を1.0 〜20.0μｍの厚みにメッ
キ法により層着させておくと、メタライズ金属層8 の酸
化腐食を有効に防止することができるとともにメタライ
ズ金属層8 への銅から成る放熱体9 のろう付けを強固と
なすことができる。従って、前記メタライズ金属層8 は
通常、その露出する表面にニッケル、金等の耐食性に優
れ、且つろう材との濡れ性に優れる金属が1.0〜20.0μ
ｍの厚みに層着される。
【００２３】前記メタライズ金属層8 はその表面に放熱
体9 がろう材10を介して取着されており、該放熱体9 は
例えば無酸素銅等の銅から成る略四角平板状の板体であ
り、半導体素子3 の発生する熱を良好に吸収するととも
に大気中に放散し、半導体素子3 が熱破壊されたり、特
性に変化をきたし誤動作したりするのを有効に防止する
作用を為す。
体9 がろう材10を介して取着されており、該放熱体9 は
例えば無酸素銅等の銅から成る略四角平板状の板体であ
り、半導体素子3 の発生する熱を良好に吸収するととも
に大気中に放散し、半導体素子3 が熱破壊されたり、特
性に変化をきたし誤動作したりするのを有効に防止する
作用を為す。
【００２４】前記銅から成る放熱体9 は、無酸素銅等の
インゴットを従来周知の圧延加工法及び打ち抜き加工法
によって所定の略四角平板状となすとともにこれにエッ
チング加工法や研磨加工法を施すことによって製作さ
れ、その主面は中心線平均粗さRaでRa≦0.15μｍ、最大
高さRmaxでRmax≦2.5 μｍとなっている。
インゴットを従来周知の圧延加工法及び打ち抜き加工法
によって所定の略四角平板状となすとともにこれにエッ
チング加工法や研磨加工法を施すことによって製作さ
れ、その主面は中心線平均粗さRaでRa≦0.15μｍ、最大
高さRmaxでRmax≦2.5 μｍとなっている。
【００２５】前記銅から成る放熱体9 はその主面が中心
線平均粗さRaでRa≦0.15μｍ、最大高さRmaxでRmax≦2.
5 μｍの平滑なものとなっているので該放熱体9 をメタ
ライズ金属層8 にロウ付けする際、該主面のロウ材に対
する毛管力は小さく、その結果、放熱体9 の主面にろう
材8 の一部が流出することは殆どない。従って、放熱体
9 の主面には不要なろう材8 が存在しないことから印刷
法やレーザーマーキング法により識別標識を極めて正
確、且つ確実に形成することができ、同時に放熱体9 の
主面に放熱フィンを取着させる際、放熱体9 と放熱フィ
ンとが密着し、放熱体9 から放熱フィンへの熱の伝達が
良好となって半導体素子3 の発生する熱を大気中に効率
よく放散させることができる。
線平均粗さRaでRa≦0.15μｍ、最大高さRmaxでRmax≦2.
5 μｍの平滑なものとなっているので該放熱体9 をメタ
ライズ金属層8 にロウ付けする際、該主面のロウ材に対
する毛管力は小さく、その結果、放熱体9 の主面にろう
材8 の一部が流出することは殆どない。従って、放熱体
9 の主面には不要なろう材8 が存在しないことから印刷
法やレーザーマーキング法により識別標識を極めて正
確、且つ確実に形成することができ、同時に放熱体9 の
主面に放熱フィンを取着させる際、放熱体9 と放熱フィ
ンとが密着し、放熱体9 から放熱フィンへの熱の伝達が
良好となって半導体素子3 の発生する熱を大気中に効率
よく放散させることができる。
【００２６】尚、前記銅から成る放熱体9 はその主面の
中心線平均粗さRaがRa＞0.15μｍ、或いは最大高さRmax
がRmax＞2.5 μｍの場合、放熱体9 主面へのロウ材の流
出を有効に防止することができなくなってしまう。従っ
て、前記銅から成る放熱体9はその主面の中心線平均粗
さRaがRa≦0.15μｍ、最大高さRmaxがRmax≦2.5 μｍに
限定される。
中心線平均粗さRaがRa＞0.15μｍ、或いは最大高さRmax
がRmax＞2.5 μｍの場合、放熱体9 主面へのロウ材の流
出を有効に防止することができなくなってしまう。従っ
て、前記銅から成る放熱体9はその主面の中心線平均粗
さRaがRa≦0.15μｍ、最大高さRmaxがRmax≦2.5 μｍに
限定される。
【００２７】また前記放熱体9 のメタライズ金属層8 へ
の取着は、絶縁基体1 の下面に被着させたメタライズ金
属層8 と放熱体9 の一主面とを対向させるとともにこれ
らの間に銀ろう等のろう材10を配置し、しかる後、これ
を約850 ℃の温度に加熱し、ろう材10を溶融させること
によって行われる。この場合、放熱体9 の露出する主面
は中心線平均粗さRaがRa≦0.15μｍ、最大高さRmaxがRm
ax≦2.5 μｍであることから溶融したロウ材10は放熱体
9 の主面に広く流出することはない。
の取着は、絶縁基体1 の下面に被着させたメタライズ金
属層8 と放熱体9 の一主面とを対向させるとともにこれ
らの間に銀ろう等のろう材10を配置し、しかる後、これ
を約850 ℃の温度に加熱し、ろう材10を溶融させること
によって行われる。この場合、放熱体9 の露出する主面
は中心線平均粗さRaがRa≦0.15μｍ、最大高さRmaxがRm
ax≦2.5 μｍであることから溶融したロウ材10は放熱体
9 の主面に広く流出することはない。
【００２８】更に、前記放熱体9 はその露出する表面に
ニッケルや金等の耐食性に優れる金属をメッキ法により
1.0 〜20.0μｍの厚みに層着させておくと放熱体9 の酸
化腐食を有効に防止することができる。従って、前記放
熱体9 はその露出する外表面にニッケルや金等の耐食性
に優れる金属をメッキ法により1.0 〜20.0μｍの厚みに
層着させておくことが好ましい。
ニッケルや金等の耐食性に優れる金属をメッキ法により
1.0 〜20.0μｍの厚みに層着させておくと放熱体9 の酸
化腐食を有効に防止することができる。従って、前記放
熱体9 はその露出する外表面にニッケルや金等の耐食性
に優れる金属をメッキ法により1.0 〜20.0μｍの厚みに
層着させておくことが好ましい。
【００２９】また更に、前記放熱体9 はその角部に半径
0.1 〜10mm程度の丸みを形成しておくと放熱体9 をメタ
ライズ金属層8 にロウ付けする際、放熱体9 の各角部に
応力が集中し、これがメタライズ金属層8 に作用してメ
タライズ金属層8 に剥離を発生させるのを有効に防止す
ることができる。従って、前記放熱体9 はその角部に半
径0.1 〜10mm程度の丸みを形成しておくことが好まし
い。
0.1 〜10mm程度の丸みを形成しておくと放熱体9 をメタ
ライズ金属層8 にロウ付けする際、放熱体9 の各角部に
応力が集中し、これがメタライズ金属層8 に作用してメ
タライズ金属層8 に剥離を発生させるのを有効に防止す
ることができる。従って、前記放熱体9 はその角部に半
径0.1 〜10mm程度の丸みを形成しておくことが好まし
い。
【００３０】かくして本発明の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子3
をガラス、樹脂、ろう材等の接着剤を介して接着固定す
るとともに半導体素子3 の各電極をメタライズ配線層5
にボンディングワイヤ6 を介して接続し、しかる後、絶
縁基体1 の上面に蓋体2 をガラス、樹脂、ろう材等の封
止材を介して接合させ、絶縁基体1 と蓋体2 とから成る
容器4 内部に半導体素子3 を気密に収容することによっ
て製品としての半導体装置となる。
ージによれば、絶縁基体1 の凹部1a底面に半導体素子3
をガラス、樹脂、ろう材等の接着剤を介して接着固定す
るとともに半導体素子3 の各電極をメタライズ配線層5
にボンディングワイヤ6 を介して接続し、しかる後、絶
縁基体1 の上面に蓋体2 をガラス、樹脂、ろう材等の封
止材を介して接合させ、絶縁基体1 と蓋体2 とから成る
容器4 内部に半導体素子3 を気密に収容することによっ
て製品としての半導体装置となる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、銅から成る放熱体の主面を中心線平均粗さRaで
Ra≦0.15μｍとし、且つ最大高さRmaxでRmax≦2.5 μｍ
としたことから、該主面におけるろう材の毛管力が小さ
いものとなり、その結果、放熱体を絶縁基体に設けたメ
タライズ金属層にろう付けする際、ろう材の一部が放熱
体の主面に流出することは殆どなく、これによって放熱
体の主面に識別標識を印刷法やレーザーマーキング法等
により極めて正確、且つ確実に形成することができると
ともに放熱体の主面に放熱フィンを取着させる際、放熱
体と放熱フィンとが密着し、放熱体から放熱フィンへの
熱の伝達が良好となって半導体素子の発生する熱を大気
中に効率よく放散させることができる。
よれば、銅から成る放熱体の主面を中心線平均粗さRaで
Ra≦0.15μｍとし、且つ最大高さRmaxでRmax≦2.5 μｍ
としたことから、該主面におけるろう材の毛管力が小さ
いものとなり、その結果、放熱体を絶縁基体に設けたメ
タライズ金属層にろう付けする際、ろう材の一部が放熱
体の主面に流出することは殆どなく、これによって放熱
体の主面に識別標識を印刷法やレーザーマーキング法等
により極めて正確、且つ確実に形成することができると
ともに放熱体の主面に放熱フィンを取着させる際、放熱
体と放熱フィンとが密着し、放熱体から放熱フィンへの
熱の伝達が良好となって半導体素子の発生する熱を大気
中に効率よく放散させることができる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１・・・・・絶縁基体 ３・・・・・半導体素子 ４・・・・・絶縁容器 ５・・・・・メタライズ配線層 ７・・・・・外部リード端子 ８・・・・・メタライズ金属層 ９・・・・・放熱体 １０・・・・ろう材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 立花 正樹 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を収容する絶縁容器の表面に銅
から成る平板状の放熱体をロウ付けして成る半導体素子
収納用パッケージであって、前記銅から成る放熱体の露
出する主面はその中心線平均粗さRaがRa≦0.15μｍであ
り、且つその最大高さRmaxがRmax≦2.5 μｍであること
を特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16205194A JP3383420B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16205194A JP3383420B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831991A true JPH0831991A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3383420B2 JP3383420B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=15747166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16205194A Expired - Fee Related JP3383420B2 (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3383420B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000064084A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-02-29 | Kobe Steel Ltd | 電子部品の放熱板用めっき材 |
| US7412960B2 (en) | 2004-07-05 | 2008-08-19 | Yamaha Motor Co., Ltd. | Engine |
| JP2009130383A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Canon Inc | 撮像装置 |
| US8968615B2 (en) | 2004-09-02 | 2015-03-03 | Eastman Chemical Company | Low melting polyester polymers |
-
1994
- 1994-07-14 JP JP16205194A patent/JP3383420B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000064084A (ja) * | 1998-08-20 | 2000-02-29 | Kobe Steel Ltd | 電子部品の放熱板用めっき材 |
| US7412960B2 (en) | 2004-07-05 | 2008-08-19 | Yamaha Motor Co., Ltd. | Engine |
| US8968615B2 (en) | 2004-09-02 | 2015-03-03 | Eastman Chemical Company | Low melting polyester polymers |
| JP2009130383A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Canon Inc | 撮像装置 |
| US8305469B2 (en) | 2007-11-19 | 2012-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus having a dummy signal readout circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3383420B2 (ja) | 2003-03-04 |
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Legal Events
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