JPH08320201A - 温度ドリフトを低減した膜厚測定装置 - Google Patents
温度ドリフトを低減した膜厚測定装置Info
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- JPH08320201A JPH08320201A JP7125268A JP12526895A JPH08320201A JP H08320201 A JPH08320201 A JP H08320201A JP 7125268 A JP7125268 A JP 7125268A JP 12526895 A JP12526895 A JP 12526895A JP H08320201 A JPH08320201 A JP H08320201A
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Landscapes
- A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度ドリフトを改善した金属板表面処理膜厚
測定装置を提供すること。 【構成】 磁性体コアー20に巻回された1次コイル
(L1 )は、入力端が正弦波発信器に接続された第1の
オペアンプ12の出力に接続され、2次コイル(L2 )
は第2のオペアンプ13の入力端に接続され、第2のオ
ペアンプの出力信号を増幅して表示してなる膜厚測定装
置。
測定装置を提供すること。 【構成】 磁性体コアー20に巻回された1次コイル
(L1 )は、入力端が正弦波発信器に接続された第1の
オペアンプ12の出力に接続され、2次コイル(L2 )
は第2のオペアンプ13の入力端に接続され、第2のオ
ペアンプの出力信号を増幅して表示してなる膜厚測定装
置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は金属板に施された表面処
理皮膜の厚さを測定する装置に関する。
理皮膜の厚さを測定する装置に関する。
【0002】
【従来の技術とその問題点】金属の防錆、絶縁あるいは
外観上の美観の目的で施す塗装皮膜あるいはメッキ皮膜
あるいはアルマイト膜の厚さは数μmから数百μmの広
範囲に及ぶ。この厚さを皮膜を傷つけることなく測定す
る装置として、プローブを磁性金属上の膜などに押し当
てることによりその膜厚を計測する電磁式膜厚計、及び
非磁性金属上の膜などに押し当てることによりその膜厚
を計測する渦電流膜厚計がある。図2に示す電磁式膜厚
計のセンサーが皮膜25を有する磁性体素材27に押し
当てられるとき、1次コイル21と2次コイル22とが
巻回された磁性体コア20と磁性体素材27との間の距
離、すなわちそれらの間に介在する皮膜25の厚さに従
って、1次/2次コイルの自己インダクタンスL1 ,L
2 とそれらの間の相互インダクタンスMが変化する。
外観上の美観の目的で施す塗装皮膜あるいはメッキ皮膜
あるいはアルマイト膜の厚さは数μmから数百μmの広
範囲に及ぶ。この厚さを皮膜を傷つけることなく測定す
る装置として、プローブを磁性金属上の膜などに押し当
てることによりその膜厚を計測する電磁式膜厚計、及び
非磁性金属上の膜などに押し当てることによりその膜厚
を計測する渦電流膜厚計がある。図2に示す電磁式膜厚
計のセンサーが皮膜25を有する磁性体素材27に押し
当てられるとき、1次コイル21と2次コイル22とが
巻回された磁性体コア20と磁性体素材27との間の距
離、すなわちそれらの間に介在する皮膜25の厚さに従
って、1次/2次コイルの自己インダクタンスL1 ,L
2 とそれらの間の相互インダクタンスMが変化する。
【0003】図3は図2に示す1次/2次コイルの等価
回路であり、R1 ,R2 はそれぞれ1次/2次コイルが
有する抵抗、Mは相互インダクタンスである。これらイ
ンダクタンスの変化により影響されるコイル電流,電圧
を測定することにより、皮膜の厚さが求められる。
回路であり、R1 ,R2 はそれぞれ1次/2次コイルが
有する抵抗、Mは相互インダクタンスである。これらイ
ンダクタンスの変化により影響されるコイル電流,電圧
を測定することにより、皮膜の厚さが求められる。
【0004】膜厚計のセンサーは、図4に示すように、
その断面の大きさに対して比較的大きな平らな素材47
面上の皮膜の厚さを計測することが望ましいが、時には
図5に示すように、曲率半径の小さな曲面形状の素材5
7面上の皮膜、あるいは図6に示すように、表面積の小
さな素材67上の皮膜の厚さを測定することも要求され
る。磁性体コア10と素材とを通過する磁力線の状態が
異なれば、皮膜の厚さが同じであっても自己インダクタ
ンスと相互インダクタンスが変化し異なった測定値が表
示されてしまう。このような素材形状の影響を最小限に
抑えるため、極めて小型の膜厚計センサー及びセンサー
コイルを提供し、磁力線の分布範囲を限定することが望
まれる。他方、金属被膜の厚さを計測する場合、コイル
に流す電流の周波数を100〜1000Hzに抑えるこ
とにより該金属被膜の内部に発生する渦電流を抑えるこ
とも必要であり、有限の回路素子の組み合わせにより効
果的な計測を行なうためにはコイルの巻数を多くする必
要がある。すなわちこれら二つの条件に起因して、細い
コイル線材を採用せざるを得ず、図3に示す抵抗R1 ,
R2 が、コイルの自己/相互インダクタンスL
1 , L2 、Mが作るリアクタンスと比較して大きくなっ
てしまうという問題点を引き起こす。
その断面の大きさに対して比較的大きな平らな素材47
面上の皮膜の厚さを計測することが望ましいが、時には
図5に示すように、曲率半径の小さな曲面形状の素材5
7面上の皮膜、あるいは図6に示すように、表面積の小
さな素材67上の皮膜の厚さを測定することも要求され
る。磁性体コア10と素材とを通過する磁力線の状態が
異なれば、皮膜の厚さが同じであっても自己インダクタ
ンスと相互インダクタンスが変化し異なった測定値が表
示されてしまう。このような素材形状の影響を最小限に
抑えるため、極めて小型の膜厚計センサー及びセンサー
コイルを提供し、磁力線の分布範囲を限定することが望
まれる。他方、金属被膜の厚さを計測する場合、コイル
に流す電流の周波数を100〜1000Hzに抑えるこ
とにより該金属被膜の内部に発生する渦電流を抑えるこ
とも必要であり、有限の回路素子の組み合わせにより効
果的な計測を行なうためにはコイルの巻数を多くする必
要がある。すなわちこれら二つの条件に起因して、細い
コイル線材を採用せざるを得ず、図3に示す抵抗R1 ,
R2 が、コイルの自己/相互インダクタンスL
1 , L2 、Mが作るリアクタンスと比較して大きくなっ
てしまうという問題点を引き起こす。
【数1】 R2 ≫ωL2 ……(1) 第7図は、従来の膜厚測定ブロック回路を示し、交流電
圧e1 を1次コイルL 1 に印加することにより、膜厚に
応じて2次コイル側に現れる電圧e2 を検出し演算処理
することにより皮膜の厚さとして表示する。
圧e1 を1次コイルL 1 に印加することにより、膜厚に
応じて2次コイル側に現れる電圧e2 を検出し演算処理
することにより皮膜の厚さとして表示する。
【数2】 e1 =i1 R1 +jωL1 i1 +jωMi2 ……(2) e2 =i2 R2 +jωL2 i2 +jωMi1 ……(3) 周知のごとく、コイルの主材料は銅であり、その抵抗R
1 ,R2 は大きな温度特性を有し、それに加えて上述の
自己インダクタンスL1 、L2 、相互インダクタンスM
も温度特性を有しており、計測される電圧e2 の温度ド
リフトが非常に大きいという問題点を生じている。
1 ,R2 は大きな温度特性を有し、それに加えて上述の
自己インダクタンスL1 、L2 、相互インダクタンスM
も温度特性を有しており、計測される電圧e2 の温度ド
リフトが非常に大きいという問題点を生じている。
【0005】
【問題点解決のための手段、作用効果及び実施例】本発
明の目的は、温度ドリフトを改善した金属板表面処理膜
厚測定装置を提供することである。本発明によれば、金
属上の膜の厚さを測定するための膜厚測定装置であっ
て、磁性体センサーに巻回された1次コイルと2次コイ
ルと、前記磁性体センサーの前記1次コイルに交流信号
を送るための正弦波発信器と、出力端が前記1次コイル
に接続され、前記交流信号が前記1次コイルに流れるよ
うに入力端が前記正弦波発信器に接続された第1のオペ
アンプと、入力端が前記2次コイルに接続され、出力端
が他方の入力端に接続された第2のオペアンプと、前記
第2のオペアンプの前記出力端に接続され前記2次コイ
ルに誘起された交流信号を増幅して表示する増幅表示手
段とを有することを特徴とする膜厚測定装置が提供さ
れ、正の温度係数を有するリアクタンスと抵抗の影響が
相殺されて測定精度が向上する。
明の目的は、温度ドリフトを改善した金属板表面処理膜
厚測定装置を提供することである。本発明によれば、金
属上の膜の厚さを測定するための膜厚測定装置であっ
て、磁性体センサーに巻回された1次コイルと2次コイ
ルと、前記磁性体センサーの前記1次コイルに交流信号
を送るための正弦波発信器と、出力端が前記1次コイル
に接続され、前記交流信号が前記1次コイルに流れるよ
うに入力端が前記正弦波発信器に接続された第1のオペ
アンプと、入力端が前記2次コイルに接続され、出力端
が他方の入力端に接続された第2のオペアンプと、前記
第2のオペアンプの前記出力端に接続され前記2次コイ
ルに誘起された交流信号を増幅して表示する増幅表示手
段とを有することを特徴とする膜厚測定装置が提供さ
れ、正の温度係数を有するリアクタンスと抵抗の影響が
相殺されて測定精度が向上する。
【0006】本発明のさらに詳細な構成は以下の説明に
よって明らかにされよう。第1図は、本発明による膜厚
測定装置の1実施例を示し、正弦波発振器11は交流電
圧e 1 を発生し、抵抗RS1 を介してオペアンプ12に
加えられるとともに、抵抗R 1 を有する1次コイルL1
の一端に加えられ、1次コイルの他端はオペアンプ12
の出力に接続される。抵抗R2 を有する2次コイルL2
は抵抗RS2 に接続され、その抵抗RS2 に現れる交流
電圧e2 はオペアンプ13の一つの入力に加えられ、オ
ペアンプ13の出力は該オペアンプの他の入力に接続さ
れるとともに、増幅器14に入力される。ここで増幅さ
れた信号はAC/DC変換器により直流信号に変換さ
れ、A/D変換器によりデジタル信号に変換され、演算
器17により所定の演算を経て表示器18に膜厚として
表示される。
よって明らかにされよう。第1図は、本発明による膜厚
測定装置の1実施例を示し、正弦波発振器11は交流電
圧e 1 を発生し、抵抗RS1 を介してオペアンプ12に
加えられるとともに、抵抗R 1 を有する1次コイルL1
の一端に加えられ、1次コイルの他端はオペアンプ12
の出力に接続される。抵抗R2 を有する2次コイルL2
は抵抗RS2 に接続され、その抵抗RS2 に現れる交流
電圧e2 はオペアンプ13の一つの入力に加えられ、オ
ペアンプ13の出力は該オペアンプの他の入力に接続さ
れるとともに、増幅器14に入力される。ここで増幅さ
れた信号はAC/DC変換器により直流信号に変換さ
れ、A/D変換器によりデジタル信号に変換され、演算
器17により所定の演算を経て表示器18に膜厚として
表示される。
【0007】容易に理解されるように、図1の回路にお
いて、1次側コイルにおける電流と電圧との間の関係、
いて、1次側コイルにおける電流と電圧との間の関係、
【数3】 i1 =e1 /RS1 ……(4) の中には、抵抗R1 の項がなくその温度ドリフトの影響
は解除されている。また、2次側のオぺアンプ13とし
てFET入力インピーダンスの大きいものを選択すると
き2次コイルに流れる電流i2 のほとんど大部分は抵抗
RS2 を流れることになるため、
は解除されている。また、2次側のオぺアンプ13とし
てFET入力インピーダンスの大きいものを選択すると
き2次コイルに流れる電流i2 のほとんど大部分は抵抗
RS2 を流れることになるため、
【数4】 i2 ≒−e2 /RS2 ……(5) 従って、(3),(4),(5)式から、
【数5】 e2 ≒jωMe1 /RS1 (1+(R2 +jωL2 )/RS2 )……(6) (1)式を考慮して、
【数6】 e2 ≒jωMe1 /RS1 (1+R2 /RS2 ) ……(7) この(7)式において、M,R2 ともに正の温度係数を
持つため、RS2 として適当な値を選択することによ
り、MとR2 が温度変化により同時に変動したときのe
2 の変動を小さくすることができる。この変動を現象的
に説明すれば、i 1 により誘起される2次電圧をR2 と
RS2 で分圧し、Mが変動して電圧が変動し分をR2 の
変動によりMの変動を相殺することである。
持つため、RS2 として適当な値を選択することによ
り、MとR2 が温度変化により同時に変動したときのe
2 の変動を小さくすることができる。この変動を現象的
に説明すれば、i 1 により誘起される2次電圧をR2 と
RS2 で分圧し、Mが変動して電圧が変動し分をR2 の
変動によりMの変動を相殺することである。
【0008】2次側の交流電圧e2 は、入力インピーダ
ンスの大きいオペアンプ12を介して増幅器14により
増幅され、AC/DC変換器15により直流電圧に変換
され、A/D変換器16によりデジタル信号に変換後、
演算器17にあらかじめ設定されている演算を経て皮膜
の厚さに換算され、表示器18に表示される。本発明の
別の実施例として、膜厚信号を与える異なる信号処理回
路と置き換えることができることは容易に理解されよ
う。
ンスの大きいオペアンプ12を介して増幅器14により
増幅され、AC/DC変換器15により直流電圧に変換
され、A/D変換器16によりデジタル信号に変換後、
演算器17にあらかじめ設定されている演算を経て皮膜
の厚さに換算され、表示器18に表示される。本発明の
別の実施例として、膜厚信号を与える異なる信号処理回
路と置き換えることができることは容易に理解されよ
う。
【0009】表1は、従来の膜厚測定回路と本発明によ
る測定回路により同じ皮膜の厚さを測定した結果を示
し、所期の目的である温度ドリフトの改善の様子が1
0、25、40℃における厚さの測定結果として得られ
ている。すなわち、日陰か直射日光下といった測定場所
の変化、季節の変化、あるいは日変化に伴う温度変化に
対応して標準厚板によるキャリブレーション作業をやり
直す必要がなくなり、作業能率の向上、測定精度の向上
を図ることができる。
る測定回路により同じ皮膜の厚さを測定した結果を示
し、所期の目的である温度ドリフトの改善の様子が1
0、25、40℃における厚さの測定結果として得られ
ている。すなわち、日陰か直射日光下といった測定場所
の変化、季節の変化、あるいは日変化に伴う温度変化に
対応して標準厚板によるキャリブレーション作業をやり
直す必要がなくなり、作業能率の向上、測定精度の向上
を図ることができる。
【表1】 (鉄(SS41)/プラスティックフィルムを恒温そう内で測定)
【図1】本発明による膜厚測定回路を示す図。
【図2】電磁式膜厚計センサーを示す図。
【図3】1次/2次コイルの等価回路を示す図。
【図4】望ましい皮膜厚さ計測を示す図。
【図5】曲率半径の小さな曲面形状の素材上の皮膜厚さ
計測を示す図。
計測を示す図。
【図6】表面積の小さな素材上の皮膜の厚さ計測を示す
図。
図。
【図7】従来の膜厚測定回路を示す図。
【符号の説明】 11 正弦波発信器 12、13 オペアンプ 14 増幅器 15 AC/DC変換器 16 A/D変換器 17 演算器 18 表示器 20 磁性体コアー 21 1次コイル 22 2次コイル 27 素材
Claims (3)
- 【請求項1】 金属上の膜の厚さを測定するための膜厚
測定装置であって、磁性体コアーに巻回された1次コイ
ルと2次コイルと、 前記磁性体センサーの前記1次コイルに交流信号を送る
ための正弦波発信器と、 出力端が前記1次コイルに接続され、前記交流信号が前
記1次コイルに流れるように入力端が前記正弦波発信器
に接続された第1のオペアンプと、 入力端が前記2次コイルに接続され、出力端が他方の入
力端に接続された第2のオペアンプと、 前記第2のオペアンプの前記出力端に接続され前記2次
コイルに誘起された交流信号を増幅して表示する増幅表
示手段を有することを特徴とする膜厚測定装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の膜厚測定装置であって、
前記正弦波発信器と前記第1オペアンプとの間に接続さ
れた第1の抵抗を有し、前記第1の抵抗に流れる交流信
号の大部分は前記第1のコイルに流れるよう前記第1の
オペアンプの入力インピーダンスは十分大きいことを特
徴とする前記膜厚測定装置。 - 【請求項3】 請求項1または2記載の膜厚測定装置で
あって、前記増幅表示手段はアナログ信号をデジタル信
号に変換するA/D変換器と、前記デジタル信号に所定
の演算を施すための演算器を有することを特徴とする前
記膜厚測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7125268A JPH08320201A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 温度ドリフトを低減した膜厚測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7125268A JPH08320201A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 温度ドリフトを低減した膜厚測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320201A true JPH08320201A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14905882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7125268A Pending JPH08320201A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 温度ドリフトを低減した膜厚測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08320201A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020006355A (ko) * | 2000-07-12 | 2002-01-19 | 이구택 | 도금량 측정장치 |
| CN114167325A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-11 | 山东大学 | 一种用于原子磁力计的可控触发无磁加热系统及方法 |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP7125268A patent/JPH08320201A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020006355A (ko) * | 2000-07-12 | 2002-01-19 | 이구택 | 도금량 측정장치 |
| CN114167325A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-11 | 山东大学 | 一种用于原子磁力计的可控触发无磁加热系统及方法 |
| CN114167325B (zh) * | 2021-12-09 | 2022-08-26 | 山东大学 | 一种用于原子磁力计的可控触发无磁加热方法 |
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