JPH08320401A - 光学要素用保護被膜 - Google Patents
光学要素用保護被膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体粒子および水滴の衝撃に対する保護を改
善するリン化ガリウム保護被膜を提供する。 【解決手段】 光学要素はその表面に設けられた保護層
を備えている。この保護層は光学要素が小さな粒子や水
滴の高速衝突によって損傷しない保護する。保護被膜
は、プラズマ補助式化学蒸着（ＰＡＣＶＤ）を用いて光
学要素表面上に蒸着されたリン化ガリウム層、ＰＡＣＶ
Ｄリン化ホウ素中間層およびＰＡＣＶＤダイヤモンド状
カーボン外側層からなっている。
善するリン化ガリウム保護被膜を提供する。 【解決手段】 光学要素はその表面に設けられた保護層
を備えている。この保護層は光学要素が小さな粒子や水
滴の高速衝突によって損傷しない保護する。保護被膜
は、プラズマ補助式化学蒸着（ＰＡＣＶＤ）を用いて光
学要素表面上に蒸着されたリン化ガリウム層、ＰＡＣＶ
Ｄリン化ホウ素中間層およびＰＡＣＶＤダイヤモンド状
カーボン外側層からなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線を透過する
光学要素のために保護被膜を形成する方法およびこのよ
うにして保護された光学要素に関する。本発明は例えば
赤外線透過窓に適用可能である。
光学要素のために保護被膜を形成する方法およびこのよ
うにして保護された光学要素に関する。本発明は例えば
赤外線透過窓に適用可能である。
【０００２】
【従来の技術】多くの用途では、周囲の雰囲気内に存在
する粒子によって要素が損傷しないようにするために、
赤外線透過窓の背後に、敏感な赤外線（ＩＲ）光学要
素、例えば放射源や検出器を配置する必要がある。この
ような保護のための必要性は、赤外線光学要素が高速で
移動する装置、例えば飛行機やミサイイルのような航空
機搭載プラットホームに取付けられるときに特に重要で
ある。この飛行機やミサイルでは、埃粒子や水滴によっ
て生じる損傷が激しい。
する粒子によって要素が損傷しないようにするために、
赤外線透過窓の背後に、敏感な赤外線（ＩＲ）光学要
素、例えば放射源や検出器を配置する必要がある。この
ような保護のための必要性は、赤外線光学要素が高速で
移動する装置、例えば飛行機やミサイイルのような航空
機搭載プラットホームに取付けられるときに特に重要で
ある。この飛行機やミサイルでは、埃粒子や水滴によっ
て生じる損傷が激しい。
【０００３】英国特許第２，２２３，５１０号明細書に
は、リン化ホウ素（ＢＰ）の薄い層からなる、赤外線透
過窓のための保護被膜が記載されている。このような被
膜は固体粒子と水滴の衝撃による窓の損傷を低減する。
ヨーロッパ特許出願公開第０４６３８１２号明細書に
は、慣用の熱化学蒸着プロセスによって析出された多結
晶性リン化ガリウム（ＧａＰ）の保護被膜を有する透明
な基板層からなる保護窓が記載されている。ＢＰ被膜の
前にＧａＰ被膜を使用することが所望される。というの
は、厚い被膜を設けることを可能にする（２０の係数に
よって）赤外線スペクトルの或る範囲にわたって、Ｇａ
Ｐ被膜の吸収が減少するからである。
は、リン化ホウ素（ＢＰ）の薄い層からなる、赤外線透
過窓のための保護被膜が記載されている。このような被
膜は固体粒子と水滴の衝撃による窓の損傷を低減する。
ヨーロッパ特許出願公開第０４６３８１２号明細書に
は、慣用の熱化学蒸着プロセスによって析出された多結
晶性リン化ガリウム（ＧａＰ）の保護被膜を有する透明
な基板層からなる保護窓が記載されている。ＢＰ被膜の
前にＧａＰ被膜を使用することが所望される。というの
は、厚い被膜を設けることを可能にする（２０の係数に
よって）赤外線スペクトルの或る範囲にわたって、Ｇａ
Ｐ被膜の吸収が減少するからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、固体
粒子および水滴の衝撃に対する保護を改善するリン化ガ
リウム保護被膜を提供することである。
粒子および水滴の衝撃に対する保護を改善するリン化ガ
リウム保護被膜を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の観点によ
れば、光学基板の上に保護被膜を形成する方法が提供さ
れ、この方法は、プラズマ補助式化学蒸着プロセスを用
いて基板の表面にリン化ガリウム層を析出し、このリン
化ガリウム層が電磁スペクトルの波長の範囲にわたって
実質的に透明である。
れば、光学基板の上に保護被膜を形成する方法が提供さ
れ、この方法は、プラズマ補助式化学蒸着プロセスを用
いて基板の表面にリン化ガリウム層を析出し、このリン
化ガリウム層が電磁スペクトルの波長の範囲にわたって
実質的に透明である。
【０００６】蒸着プロセスは好ましくは、有機−金属ガ
ス、例えばトリメチルガリウムとホスフィンからなる析
出混合ガスを使用して行われる。蒸着プロセスは好まし
くは、不活性ガスまたはガス混合物からなる析出混合ガ
スを使用して行われる。不活性ガスまたはガス混合物は
好ましくは析出混合ガスの５０〜７０％である。不活性
ガスまたはガス混合物はアルゴンであることが好ましい
が、ヘリウムまたはネオンあるいはヘリウムとネオンの
混合気であってもよい。析出室に不活性ガスを供給する
と、保護被膜の表面粗さの低減が促進されるので、被膜
の耐久性と光学特性が高まる。被膜の厚さは５〜４０μ
ｍとすることができるが、最終使用に適した厚さを析出
することができる。
ス、例えばトリメチルガリウムとホスフィンからなる析
出混合ガスを使用して行われる。蒸着プロセスは好まし
くは、不活性ガスまたはガス混合物からなる析出混合ガ
スを使用して行われる。不活性ガスまたはガス混合物は
好ましくは析出混合ガスの５０〜７０％である。不活性
ガスまたはガス混合物はアルゴンであることが好ましい
が、ヘリウムまたはネオンあるいはヘリウムとネオンの
混合気であってもよい。析出室に不活性ガスを供給する
と、保護被膜の表面粗さの低減が促進されるので、被膜
の耐久性と光学特性が高まる。被膜の厚さは５〜４０μ
ｍとすることができるが、最終使用に適した厚さを析出
することができる。
【０００７】本発明の実施形では、多層のリン化物を基
礎とした被膜が形成可能である。或る実施形では、リン
化ガリウム層に加えて、プラズマ補助式化学蒸着プロセ
スを用いて、リン化ホウ素層が光学基板上に析出され
る。リン化ホウ素層の厚さは例えば２μｍである。被膜
の機械的特性の改善に加えて、リン化ホウ素の光学特性
が、光学要素の上または背後に配置される要素のために
電磁干渉に対する遮蔽レベルを生じることができる。リ
ン化ホウ素層は好ましくは、リン化ガリウムの上に析出
され、続いてダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）の層が
リン化ホウ素層の上に析出される。
礎とした被膜が形成可能である。或る実施形では、リン
化ガリウム層に加えて、プラズマ補助式化学蒸着プロセ
スを用いて、リン化ホウ素層が光学基板上に析出され
る。リン化ホウ素層の厚さは例えば２μｍである。被膜
の機械的特性の改善に加えて、リン化ホウ素の光学特性
が、光学要素の上または背後に配置される要素のために
電磁干渉に対する遮蔽レベルを生じることができる。リ
ン化ホウ素層は好ましくは、リン化ガリウムの上に析出
され、続いてダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）の層が
リン化ホウ素層の上に析出される。
【０００８】保護被膜は好ましくは赤外線をほぼ透過す
る。析出プロセスでの基板バイアスレベルは、析出され
たフィルム内へのカーボンの混入レべルを制御するため
に制御可能である。適切なＤＣバイアスレベルは５０〜
１５０Ｖの範囲である。本発明の第２の観点によれば、
少なくとも一つの表面に保護被膜を有する光学要素が形
成され、保護被膜は電磁スペクトルの波長の範囲にわた
って実質的に透明であり、保護被膜はカーボン混入レベ
ルを含む非晶質リン化ガリウム層を有する。
る。析出プロセスでの基板バイアスレベルは、析出され
たフィルム内へのカーボンの混入レべルを制御するため
に制御可能である。適切なＤＣバイアスレベルは５０〜
１５０Ｖの範囲である。本発明の第２の観点によれば、
少なくとも一つの表面に保護被膜を有する光学要素が形
成され、保護被膜は電磁スペクトルの波長の範囲にわた
って実質的に透明であり、保護被膜はカーボン混入レベ
ルを含む非晶質リン化ガリウム層を有する。
【０００９】保護被膜内のカーボン混入レベルは0.1 〜
40％、好ましくは１〜２０％とすることができる。光学
要素は好ましくは、例えば２μｍの厚さのリン化ホウ素
層を有する。リン化ホウ素層は好ましくはリン化ガリウ
ム層の上に位置している。光学要素は好ましくはダイヤ
モンド状カーボン（ＤＬＣ）外側層を有する。ＤＬＣ層
は例えば約1.0 μｍの厚さである。
40％、好ましくは１〜２０％とすることができる。光学
要素は好ましくは、例えば２μｍの厚さのリン化ホウ素
層を有する。リン化ホウ素層は好ましくはリン化ガリウ
ム層の上に位置している。光学要素は好ましくはダイヤ
モンド状カーボン（ＤＬＣ）外側層を有する。ＤＬＣ層
は例えば約1.0 μｍの厚さである。
【００１０】光学要素は例えばゲルマニウム、亜鉛、硫
化物、セレン化亜鉛またはタフトラン（Tuftran:登録商
標) 基板からなっている。
化物、セレン化亜鉛またはタフトラン（Tuftran:登録商
標) 基板からなっている。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の良好な理解のために、お
よび本発明がどのようにして効果をもたらすかを示すた
めに、例えば添付の図を参照する。リン化ガリウム（Ｇ
ａＰ）の光学透過特性は、光学要素のための保護被膜と
して、リン化ホウ素（ＢＰ）よりも好まれる。特に、非
晶質ＧａＰ被膜は、結晶または多結晶ＧａＰ被膜と比べ
て、光学透過レベルが高いということに加えて、耐損傷
特性が非常に良好である。
よび本発明がどのようにして効果をもたらすかを示すた
めに、例えば添付の図を参照する。リン化ガリウム（Ｇ
ａＰ）の光学透過特性は、光学要素のための保護被膜と
して、リン化ホウ素（ＢＰ）よりも好まれる。特に、非
晶質ＧａＰ被膜は、結晶または多結晶ＧａＰ被膜と比べ
て、光学透過レベルが高いということに加えて、耐損傷
特性が非常に良好である。
【００１２】非晶質ＧａＰ保護被膜を光学要素または光
学基板上に析出するにの適した装置が図１に示してあ
る。この装置はＢＰ被膜を析出させるための英国特許第
２，２２３，５１０号明細書に記載された装置と似てい
る。装置はカソード１８を収容する析出室１７と、ガス
を析出室に供給するためのガス入口１９と、析出室から
弁３を経てガスを排出するためのガス出口を備えてい
る。カソードはＲ．Ｆ．電源６に接続されている。
学基板上に析出するにの適した装置が図１に示してあ
る。この装置はＢＰ被膜を析出させるための英国特許第
２，２２３，５１０号明細書に記載された装置と似てい
る。装置はカソード１８を収容する析出室１７と、ガス
を析出室に供給するためのガス入口１９と、析出室から
弁３を経てガスを排出するためのガス出口を備えてい
る。カソードはＲ．Ｆ．電源６に接続されている。
【００１３】析出を開始する前に、基板１６はヒーター
制御ユニット７によって、例えば３００〜５００℃の高
い温度まで加熱される。被膜を析出する直前に、基板１
６の上面１５が、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）９を
経て析出室に供給されるアルゴンでスパッタリングする
ことによって洗浄される。スパッタ洗浄に続いて、析出
室内の圧力が、特別な値、例えば0.05〜0.5 トルに調節
され、弁３、圧力計１およびコントローラ２によってこ
の値に自動的に維持される。
制御ユニット７によって、例えば３００〜５００℃の高
い温度まで加熱される。被膜を析出する直前に、基板１
６の上面１５が、質量流量コントローラ（ＭＦＣ）９を
経て析出室に供給されるアルゴンでスパッタリングする
ことによって洗浄される。スパッタ洗浄に続いて、析出
室内の圧力が、特別な値、例えば0.05〜0.5 トルに調節
され、弁３、圧力計１およびコントローラ２によってこ
の値に自動的に維持される。
【００１４】そして、適当な有機−金属ガス、この場合
にはトリメチル−ガリウム（ＴＭＧ）が、ＭＦＣ１０を
経て例えば１０〜１５ＳＣＣＭの流量で析出室に供給さ
れ、同様にリン化水素（ＰＨ3 ）がＭＦＣ１１を経て例
えば２５〜４０ＳＣＣＭの流量で供給される。更に、ア
ルゴン（または他の適当な不活性ガス、例えばヘリウム
またはネオン）がＭＦＣ９を経て例えば３０〜７０ＳＣ
ＣＭの流量で析出室に供給される。ＲＦパワー、例えば
３０〜６０ワットが、自動同調（すなわち、インピーダ
ンス整合）ユニット５を経て、基板支持電極（カソード
１８）に供給され、プラズマが２個の電極２０，２１の
間の空間に発生する。その結果、ＧａＰの被膜が基板１
６の表面１５上に析出される。析出は要求される厚さに
応じて選択された時間にわたって続けられる。例えば１
５μｍの厚さが所望される場合には、１０時間の析出時
間を必要とする。しかし、数百ミクロンの使用可能な被
膜が得られた。
にはトリメチル−ガリウム（ＴＭＧ）が、ＭＦＣ１０を
経て例えば１０〜１５ＳＣＣＭの流量で析出室に供給さ
れ、同様にリン化水素（ＰＨ3 ）がＭＦＣ１１を経て例
えば２５〜４０ＳＣＣＭの流量で供給される。更に、ア
ルゴン（または他の適当な不活性ガス、例えばヘリウム
またはネオン）がＭＦＣ９を経て例えば３０〜７０ＳＣ
ＣＭの流量で析出室に供給される。ＲＦパワー、例えば
３０〜６０ワットが、自動同調（すなわち、インピーダ
ンス整合）ユニット５を経て、基板支持電極（カソード
１８）に供給され、プラズマが２個の電極２０，２１の
間の空間に発生する。その結果、ＧａＰの被膜が基板１
６の表面１５上に析出される。析出は要求される厚さに
応じて選択された時間にわたって続けられる。例えば１
５μｍの厚さが所望される場合には、１０時間の析出時
間を必要とする。しかし、数百ミクロンの使用可能な被
膜が得られた。
【００１５】析出中不活性ガスを析出室に供給する目的
は、析出表面上での小塊の成長を抑制すること、すなわ
ち析出された被膜を改良することである。アルゴンがな
いと、小塊の成長が著しくなり、光学特性やＧａＰ被膜
の耐久性を損なうことになる。更に、不活性ガスが存在
すると、エネルギー交換プロセスをプラズマ内に起こ
し、このプラズマが更に析出された被膜の高密度化を促
進し、付着性を改善すると言われている。
は、析出表面上での小塊の成長を抑制すること、すなわ
ち析出された被膜を改良することである。アルゴンがな
いと、小塊の成長が著しくなり、光学特性やＧａＰ被膜
の耐久性を損なうことになる。更に、不活性ガスが存在
すると、エネルギー交換プロセスをプラズマ内に起こ
し、このプラズマが更に析出された被膜の高密度化を促
進し、付着性を改善すると言われている。
【００１６】析出プロセスに適した直流バイアス電圧を
選択する際、析出プロセス中カーボンがＧａＰ層にどの
程度含まれているかを考慮する必要がある。含有閾値以
上では、カーボンはＧａＰ層の光学的透過率を大幅に低
下させることがある。プラズマバイアス電圧が増大する
と、カーボン含有量が増える傾向があり、従って適切な
閾値（ｂ2 ）以下にバイアス電圧を維持する必要があ
る。これは図２に示してある。しかしながら、バイアス
電圧が低すぎると（ｂ1 未満）、被膜が許容されないレ
ベルまで劣化することになる。従って、バイアス電圧は
閾値ｂ1 とｂ2 の間（例えば５０〜１５０Ｖ）のレベル
に維持される。
選択する際、析出プロセス中カーボンがＧａＰ層にどの
程度含まれているかを考慮する必要がある。含有閾値以
上では、カーボンはＧａＰ層の光学的透過率を大幅に低
下させることがある。プラズマバイアス電圧が増大する
と、カーボン含有量が増える傾向があり、従って適切な
閾値（ｂ2 ）以下にバイアス電圧を維持する必要があ
る。これは図２に示してある。しかしながら、バイアス
電圧が低すぎると（ｂ1 未満）、被膜が許容されないレ
ベルまで劣化することになる。従って、バイアス電圧は
閾値ｂ1 とｂ2 の間（例えば５０〜１５０Ｖ）のレベル
に維持される。
【００１７】図３は、従来のＢＰ被膜（厚さ10.1μｍ）
と、上述の方法を用いて析出されたアモルファスＧａＰ
被膜（厚さ19.3μｍ）のついての光学的損失スペクトル
の比較を示している。この図から分かるように、ＢＰ被
膜の場合に存在する吸収ピークがＧａＰ被膜の場合には
存在しない。ＧａＰ層の析出に続いて、ダイヤモンド状
のカーボン（ダイヤモンドライクカーボン：ＤＬＣ）の
薄い層を、公知の方法でＧａＰ層の上に析出することが
できる。このＤＬＣ層（例えば厚さ1.1 μｍ）は、付加
的な保護特性を有する反射防止被膜を提供する。
と、上述の方法を用いて析出されたアモルファスＧａＰ
被膜（厚さ19.3μｍ）のついての光学的損失スペクトル
の比較を示している。この図から分かるように、ＢＰ被
膜の場合に存在する吸収ピークがＧａＰ被膜の場合には
存在しない。ＧａＰ層の析出に続いて、ダイヤモンド状
のカーボン（ダイヤモンドライクカーボン：ＤＬＣ）の
薄い層を、公知の方法でＧａＰ層の上に析出することが
できる。このＤＬＣ層（例えば厚さ1.1 μｍ）は、付加
的な保護特性を有する反射防止被膜を提供する。
【００１８】図４，５は、被膜を持たないゲルマニウム
基板と、ＢＰ（12μｍ）被膜を有するゲルマニウム基板
と、ＧａＰ（12μｍ）被膜を有するゲルマニウム基板に
関する、“旋回腕”試験（この試験ではサンプルが水滴
を含む雰囲気中で回転させられる）と、固体粒子衝撃試
験の結果を示している。この場合、ＢＰ被膜はＤＬＣの
付加的な薄い層によって被覆されている。両部は試験時
間に対するサンプルの光透過の減少を示している。
基板と、ＢＰ（12μｍ）被膜を有するゲルマニウム基板
と、ＧａＰ（12μｍ）被膜を有するゲルマニウム基板に
関する、“旋回腕”試験（この試験ではサンプルが水滴
を含む雰囲気中で回転させられる）と、固体粒子衝撃試
験の結果を示している。この場合、ＢＰ被膜はＤＬＣの
付加的な薄い層によって被覆されている。両部は試験時
間に対するサンプルの光透過の減少を示している。
【００１９】水滴衝撃に耐えるＧａＰ被膜の能力がＤＬ
Ｃ／ＢＰと似ていて、固体粒子衝撃に対するＧａＰの保
護が幾分弱いことが明らかである。ＧａＰ被膜のこれら
の特性は、ＧａＰのすぐれた透過特性を示す幾つかの目
的のために満足できるものである。図４，５は更に、Ｇ
ｅ基板上のＧａＰ層に続けて比較的に薄いＢＰ層（２μ
ｍ）とＤＬＣ層（1.1 μｍ）を有する保護被膜によって
得られる結果を示している。この薄いＢＰ層はＧａＰ層
を保護し、それによってこの複合層は、（ＤＬＣで被覆
した）厚いＢＰ被膜よりもほんの少し低いレベルの固体
粒子耐衝撃性と水滴耐衝撃性の両方を生ずる。
Ｃ／ＢＰと似ていて、固体粒子衝撃に対するＧａＰの保
護が幾分弱いことが明らかである。ＧａＰ被膜のこれら
の特性は、ＧａＰのすぐれた透過特性を示す幾つかの目
的のために満足できるものである。図４，５は更に、Ｇ
ｅ基板上のＧａＰ層に続けて比較的に薄いＢＰ層（２μ
ｍ）とＤＬＣ層（1.1 μｍ）を有する保護被膜によって
得られる結果を示している。この薄いＢＰ層はＧａＰ層
を保護し、それによってこの複合層は、（ＤＬＣで被覆
した）厚いＢＰ被膜よりもほんの少し低いレベルの固体
粒子耐衝撃性と水滴耐衝撃性の両方を生ずる。
【００２０】ＤＬＣ／ＢＰ／ＧａＰ複合組織を得るため
に、ＤＬＣの析出の前に、英国特許第２，２２３，５１
０号明細書に記載された、類似のプラズマ補助式化学蒸
着法を用いて、例えば２μｍ以下のリン化ホウ素（Ｂ
Ｐ）の薄い層がＧａＰの上に析出される。使用される機
器は、図１を参照して説明した機器と同じであり、ＢＰ
層は例えば供給管９，１０，１１の一つを介してジボラ
ンに切り換えることによって、ＧａＰ層の析出に直接続
いて析出することができる。
に、ＤＬＣの析出の前に、英国特許第２，２２３，５１
０号明細書に記載された、類似のプラズマ補助式化学蒸
着法を用いて、例えば２μｍ以下のリン化ホウ素（Ｂ
Ｐ）の薄い層がＧａＰの上に析出される。使用される機
器は、図１を参照して説明した機器と同じであり、ＢＰ
層は例えば供給管９，１０，１１の一つを介してジボラ
ンに切り換えることによって、ＧａＰ層の析出に直接続
いて析出することができる。
【００２１】固体粒子耐衝撃性が改善されることに加え
て、ＢＰの薄い中間層は、赤外線透過窓によって保護さ
れた要素のための電磁干渉に対する大きな電気遮蔽度を
生じることができる。例えば析出温度を高めてＢＰ層の
ホウ素の含有量を増やすことにより、この層は金属性、
すなわち伝導性が一層高まり、遮蔽度が改善される。本
発明の好ましい用途は、敏感な光学要素や電子要素に使
用される透明窓のための保護被膜を提供することにあ
る。この窓は放射線、特に赤外線の通過を許す。
て、ＢＰの薄い中間層は、赤外線透過窓によって保護さ
れた要素のための電磁干渉に対する大きな電気遮蔽度を
生じることができる。例えば析出温度を高めてＢＰ層の
ホウ素の含有量を増やすことにより、この層は金属性、
すなわち伝導性が一層高まり、遮蔽度が改善される。本
発明の好ましい用途は、敏感な光学要素や電子要素に使
用される透明窓のための保護被膜を提供することにあ
る。この窓は放射線、特に赤外線の通過を許す。
【００２２】本発明の範囲から逸脱せずに、上記の実施
の形態に基づいて当業者がいろいろな変形をすることが
できることが明らかである。例えば、析出プロセスのた
めに選定されたパラメータ、例えばｄ．ｃ．バイアス、
ＲＦパワーを、保護被膜の特性を最適化するために変更
可能である。
の形態に基づいて当業者がいろいろな変形をすることが
できることが明らかである。例えば、析出プロセスのた
めに選定されたパラメータ、例えばｄ．ｃ．バイアス、
ＲＦパワーを、保護被膜の特性を最適化するために変更
可能である。
【図１】リン化ガリウム被膜を析出するための装置を概
略的に示す図である。
略的に示す図である。
【図２】プラズマバイアスと、析出された被膜の中に含
まれるカーボンのレベルとの関係を示すグラフである。
まれるカーボンのレベルとの関係を示すグラフである。
【図３】ＩＲ波長の範囲にわたるＢＰと非晶質ＧａＰの
ための光学的損失スペクトルを示すグラフである。
ための光学的損失スペクトルを示すグラフである。
【図４】被覆されていないゲルマニウム基板と、いろい
ろな保護被膜を有するゲルマニウム基板の関する“旋回
腕”試験の結果を示すグラフである。
ろな保護被膜を有するゲルマニウム基板の関する“旋回
腕”試験の結果を示すグラフである。
【図５】いろいろな被膜で被覆されたゲルマニウムにつ
いての模擬砂エロージョン試験の結果を示すグラフであ
る。
いての模擬砂エロージョン試験の結果を示すグラフであ
る。
１ 圧力計 ２ コントローラ ３ 弁 ７ ヒーター生後ユニット ９，１０，１１ 質量流量コントローラ １５ 基板の上面 １６ 基板 １７ 析出室 １８ カソード １９ ガス入口
【手続補正書】
【提出日】平成７年１０月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 キース・ローダー・ルイス イギリス国、ウスター、ダブリユアール14 ２ティーイー、マルヴァーン、ヴイクト リア・ロード、23 (72)発明者 ユーアン・マッキノン・ワーデル イギリス国、フィントリー、ジー63、メイ ン・ストリート、43
Claims (10)
- 【請求項１】 プラズマ補助式化学蒸着プロセスを用い
て光学基板の表面にリン化ガリウム層を析出し、このリ
ン化ガリウム層が電磁スペクトルの波長の範囲にわたっ
て実質的に透明であることを特徴とする光学基板上に保
護被膜を形成する方法。 - 【請求項２】 蒸着プロセスが不活性ガスを含む混合ガ
スを使用することを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 プラズマ補助式化学蒸気プロセスを用い
てリン化ガリウム層の上にリン化ホウ素層を析出するこ
とを特徴とする請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 プラズマ補助式化学蒸着プロセスを用い
てリン化ホウ素層を析出することを特徴とする請求項１
または２記載の方法。 - 【請求項５】 少なくとも一つの表面に保護被膜を有
し、この保護被膜が電磁スペクトルの波長の範囲にわた
って実質的に透明であり、プラズマ補助式化学蒸着プロ
セスによって析出された非晶質リン化ガリウム層を有す
ることを特徴とする光学要素。 - 【請求項６】 リン化ガリウムがカーボンを含んでいる
ことを特徴とする請求項５記載の光学要素。 - 【請求項７】 ガーボン含有率が0.1 〜40％の範囲であ
ることを特徴とする請求項６記載の光学要素。 - 【請求項８】 ガーボン含有率が１〜２０％の範囲であ
ることを特徴とする請求項７記載の光学要素。 - 【請求項９】 リン化ガリウム層の上にリン化ホウ素層
を有することを特徴とする請求項５〜８のいずれか一つ
に記載の光学要素。 - 【請求項１０】 リン化ホウ素層の上にダイヤモンド状
カーボン層を有することを特徴とする請求項９記載の光
学要素。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB9414905:5 | 1994-07-23 | ||
| GB9414905A GB9414905D0 (en) | 1994-07-23 | 1994-07-23 | Protective coatings for optical components |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320401A true JPH08320401A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=10758805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7186033A Withdrawn JPH08320401A (ja) | 1994-07-23 | 1995-07-21 | 光学要素用保護被膜 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5753379A (ja) |
| JP (1) | JPH08320401A (ja) |
| DE (1) | DE19526514A1 (ja) |
| FR (1) | FR2722887B1 (ja) |
| GB (2) | GB9414905D0 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2312439A (en) * | 1996-04-24 | 1997-10-29 | Northern Telecom Ltd | Plasma enhanced chemical vapour deposition of a layer |
| US5993981A (en) * | 1997-04-18 | 1999-11-30 | Raytheon Company | Broadband protective optical window coating |
| US6678082B2 (en) | 2001-09-12 | 2004-01-13 | Harris Corporation | Electro-optical component including a fluorinated poly(phenylene ether ketone) protective coating and related methods |
| US7464581B2 (en) * | 2004-03-29 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Vacuum apparatus including a particle monitoring unit, particle monitoring method and program, and window member for use in the particle monitoring |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8821116D0 (en) * | 1988-09-08 | 1989-11-08 | Barr & Stroud Ltd | Infra-red transmitting optical components and optical coatings therefor |
| GB9010000D0 (en) * | 1990-05-03 | 1990-06-27 | Stc Plc | Phosphide films |
| US5169452A (en) * | 1990-05-14 | 1992-12-08 | Tdk Corporation | Apparatus for the synthesis of diamond-like thin films |
| EP0463812B1 (en) * | 1990-06-27 | 1995-12-13 | Texas Instruments Incorporated | Infrared transmissive protective window |
| US5273587A (en) * | 1992-09-04 | 1993-12-28 | United Solar Systems Corporation | Igniter for microwave energized plasma processing apparatus |
-
1994
- 1994-07-23 GB GB9414905A patent/GB9414905D0/en active Pending
-
1995
- 1995-07-17 US US08/503,266 patent/US5753379A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-07-17 GB GB9514586A patent/GB2291652B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-20 DE DE19526514A patent/DE19526514A1/de not_active Withdrawn
- 1995-07-21 JP JP7186033A patent/JPH08320401A/ja not_active Withdrawn
- 1995-07-21 FR FR9508886A patent/FR2722887B1/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5753379A (en) | 1998-05-19 |
| GB9514586D0 (en) | 1995-09-27 |
| GB2291652A (en) | 1996-01-31 |
| FR2722887A1 (fr) | 1996-01-26 |
| GB9414905D0 (en) | 1994-09-21 |
| GB2291652B (en) | 1997-11-05 |
| FR2722887B1 (fr) | 1998-05-07 |
| DE19526514A1 (de) | 1996-01-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021001 |