JPH08320459A - 液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造装置 - Google Patents
液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造装置Info
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- JPH08320459A JPH08320459A JP12688795A JP12688795A JPH08320459A JP H08320459 A JPH08320459 A JP H08320459A JP 12688795 A JP12688795 A JP 12688795A JP 12688795 A JP12688795 A JP 12688795A JP H08320459 A JPH08320459 A JP H08320459A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、剥離帯電が発生したばあいにおい
て、その電荷による絶縁性基板上の逆極性帯電をなくす
ことにより、絶縁性基板上の沿面電界の増大を抑制し、
絶縁性基板上に形成された素子の絶縁破壊を抑制するこ
とのできる液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造
装置を提供する。 【構成】 本発明の液晶表示装置の製法およびそれに用
いる製造装置は、平坦なプレート上に密接して載置され
た前記絶縁性基板を熱処理したのちに絶縁性を有する昇
降ピンを用いて前記絶縁性基板を前記プレートから剥離
することを特徴としており、昇降ピンの、少なくとも絶
縁性基板と接触する部分に、絶縁性を付与して昇降ピン
を構成することにより剥離帯電の際の逆極性帯電をなく
すことを実現した。
て、その電荷による絶縁性基板上の逆極性帯電をなくす
ことにより、絶縁性基板上の沿面電界の増大を抑制し、
絶縁性基板上に形成された素子の絶縁破壊を抑制するこ
とのできる液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造
装置を提供する。 【構成】 本発明の液晶表示装置の製法およびそれに用
いる製造装置は、平坦なプレート上に密接して載置され
た前記絶縁性基板を熱処理したのちに絶縁性を有する昇
降ピンを用いて前記絶縁性基板を前記プレートから剥離
することを特徴としており、昇降ピンの、少なくとも絶
縁性基板と接触する部分に、絶縁性を付与して昇降ピン
を構成することにより剥離帯電の際の逆極性帯電をなく
すことを実現した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置の製法お
よびそれに用いる製造装置に関する。
よびそれに用いる製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、第１の透明な絶縁性基
板、その表面に形成された電極膜とスイッチング素子、
第２の透明な絶縁性基板および当該２枚の基板を重ねた
あいだに封入する液晶材料とから構成されている。
板、その表面に形成された電極膜とスイッチング素子、
第２の透明な絶縁性基板および当該２枚の基板を重ねた
あいだに封入する液晶材料とから構成されている。
【０００３】前記絶縁性基板には透明なガラス基板が用
いられる。スイッチング素子は薄膜トランジスタ（Thin
Film Transister、以下単にＴＦＴという）によって構
成されている。液晶表示装置は、この透明なガラス基板
と、もう１枚の、その表面に電極膜が形成されたガラス
基板とを重ねたあいだに液晶材料が封入されて構成され
ており、スイッチング素子と電極膜とに外部から電気的
信号を入力して液晶材料の光学特性を制御して光の透過
のしかたをコントロールすることによって画像や文字を
表示できるようにしたものである。
いられる。スイッチング素子は薄膜トランジスタ（Thin
Film Transister、以下単にＴＦＴという）によって構
成されている。液晶表示装置は、この透明なガラス基板
と、もう１枚の、その表面に電極膜が形成されたガラス
基板とを重ねたあいだに液晶材料が封入されて構成され
ており、スイッチング素子と電極膜とに外部から電気的
信号を入力して液晶材料の光学特性を制御して光の透過
のしかたをコントロールすることによって画像や文字を
表示できるようにしたものである。
【０００４】かかる液晶表示装置の製造工程において
は、剥離、摩擦またはプラズマ照射などの作用によって
絶縁性基板が静電気を帯びやすく、その帯電量によって
は放電が発生することがある。そして、この放電によっ
て絶縁性基板の表面に形成された素子が損傷を受け、不
良となる危険性がある。したがって、帯電が発生しても
素子が破壊されないような対策を施すことは、歩留向上
を図る上できわめて有用である。かかる対策を施した一
例としては、図６に示すように、特開平４−２４２２２
４号において開示された配線基板の製法がある。図６に
おいて、１は絶縁性基板（以下、単に基板という）、２
は基板１に熱処理などの処理を施すために必要な程度に
平坦に形成され、基板１を密接して載置するプレート、
１３は処理を終えた基板１をプレート２から剥離するた
めの金属製の昇降ピンである。なお、ここでいう処理と
は、熱処理または顕微鏡検査など、絶縁性基板をプレー
ト上に真空吸着により密接して載置して行なう処理すべ
てをいう。
は、剥離、摩擦またはプラズマ照射などの作用によって
絶縁性基板が静電気を帯びやすく、その帯電量によって
は放電が発生することがある。そして、この放電によっ
て絶縁性基板の表面に形成された素子が損傷を受け、不
良となる危険性がある。したがって、帯電が発生しても
素子が破壊されないような対策を施すことは、歩留向上
を図る上できわめて有用である。かかる対策を施した一
例としては、図６に示すように、特開平４−２４２２２
４号において開示された配線基板の製法がある。図６に
おいて、１は絶縁性基板（以下、単に基板という）、２
は基板１に熱処理などの処理を施すために必要な程度に
平坦に形成され、基板１を密接して載置するプレート、
１３は処理を終えた基板１をプレート２から剥離するた
めの金属製の昇降ピンである。なお、ここでいう処理と
は、熱処理または顕微鏡検査など、絶縁性基板をプレー
ト上に真空吸着により密接して載置して行なう処理すべ
てをいう。
【０００５】基板１が昇降ピン１３によって完全に剥離
されたときの基板下面とプレートとの距離は６０ｍｍで
ある。基板に前記処理を施したのち、昇降ピン１３を上
昇させることによって静電気を帯びている基板１をプレ
ート２から剥離距離５ｍｍまで、２ｍｍ／ｓの速度で上
昇させる。そののち５５ｍｍの剥離距離を第一段階の速
度よりも速い３０ｍｍ／ｓの速度で上昇させる。すなわ
ち、第一段階の剥離速度を遅くすることによって基板１
の帯電量を低減させて放電の発生を抑制し、第二段階の
速度を速くすることによって、剥離を短時間で完了する
ようにしていた。
されたときの基板下面とプレートとの距離は６０ｍｍで
ある。基板に前記処理を施したのち、昇降ピン１３を上
昇させることによって静電気を帯びている基板１をプレ
ート２から剥離距離５ｍｍまで、２ｍｍ／ｓの速度で上
昇させる。そののち５５ｍｍの剥離距離を第一段階の速
度よりも速い３０ｍｍ／ｓの速度で上昇させる。すなわ
ち、第一段階の剥離速度を遅くすることによって基板１
の帯電量を低減させて放電の発生を抑制し、第二段階の
速度を速くすることによって、剥離を短時間で完了する
ようにしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置の
製法においては、前述のように、絶縁性基板を剥離させ
る際に金属製の昇降ピンと基板とが接触するようになっ
ているため以下に述べるような問題がある。
製法においては、前述のように、絶縁性基板を剥離させ
る際に金属製の昇降ピンと基板とが接触するようになっ
ているため以下に述べるような問題がある。
【０００７】はじめに、問題発生の原因である剥離帯電
により基板上面に電界が生じることを説明する。
により基板上面に電界が生じることを説明する。
【０００８】基板１をプレート２から昇降ピン１３によ
って剥離する際には、剥離帯電が発生し、図７のモデル
図に示すように基板１の下面に電荷８が蓄積される。剥
離帯電とは、２個の帯電していない物体を接触させたと
きにその界面で電荷の移動が生じ、その物体を離すとそ
れぞれの表面上に移動した電荷が残って帯電した状態に
なることをいう。この電荷の極性は接触させる物体の材
質できまるが、図７においては負極性としている。この
負極性電荷により金属製昇降ピン１３には静電誘導によ
り正極性電荷が発生する。かかる正極性電荷は、昇降ピ
ン１３が金属製であり、しかも基板１と接触しているた
め、容易に基板１に供給され、図８のモデル図に示すよ
うに、基板１の下面において昇降ピンが接する部分の近
傍は正極性電荷９、その他の部分は負極性電荷８が蓄積
された状態になる。基板下面に蓄積された電荷８および
９は基板上面（素子が形成されている面）の電位分布に
影響をおよぼすため、基板上面においては、昇降ピンの
接触する部分の近傍が正極性、その他の部分が負極性と
いう両方の極性にわたる電位分布が生じる。その結果、
基板１の上面の沿面方向に電界が生じる。
って剥離する際には、剥離帯電が発生し、図７のモデル
図に示すように基板１の下面に電荷８が蓄積される。剥
離帯電とは、２個の帯電していない物体を接触させたと
きにその界面で電荷の移動が生じ、その物体を離すとそ
れぞれの表面上に移動した電荷が残って帯電した状態に
なることをいう。この電荷の極性は接触させる物体の材
質できまるが、図７においては負極性としている。この
負極性電荷により金属製昇降ピン１３には静電誘導によ
り正極性電荷が発生する。かかる正極性電荷は、昇降ピ
ン１３が金属製であり、しかも基板１と接触しているた
め、容易に基板１に供給され、図８のモデル図に示すよ
うに、基板１の下面において昇降ピンが接する部分の近
傍は正極性電荷９、その他の部分は負極性電荷８が蓄積
された状態になる。基板下面に蓄積された電荷８および
９は基板上面（素子が形成されている面）の電位分布に
影響をおよぼすため、基板上面においては、昇降ピンの
接触する部分の近傍が正極性、その他の部分が負極性と
いう両方の極性にわたる電位分布が生じる。その結果、
基板１の上面の沿面方向に電界が生じる。
【０００９】つぎに、基板上面に沿面方向の電界により
放電が生じやすくなるという問題について説明する。基
板上面において昇降ピン１３が接する部分の近傍の電位
分布の実測値と、その値から求めた沿面方向の電界強度
を図９に示す。図９には、金属製昇降ピンでプレート２
から基板１を剥離させたのち基板１を取り出し、基板１
の下面と接地面との距離を１ｍｍとした状態で表面電位
を測定した結果を示す。これにより、昇降ピンが接する
部分の近傍で正極性の表面電位がピークを示し、そこか
ら若干離れた位置で沿面方向の電界（以下、単に沿面電
界という）が大きくなっていることがわかる。その沿面
電界のピーク値は１ｋＶ／ｃｍ以下であり、この値は一
般的な乾燥空気の平等電界下、すなわち、その乾燥空気
中においた２枚の電極間のいずれの点においてもその強
度が等しい電界下における絶縁破壊強度である約３０ｋ
Ｖ／ｃｍと比べて低い値である。しかも、このピーク値
は接地面から１ｍｍのギャップを設けた状態での測定に
よるものであって、実際の製造工程では、より大きなギ
ャップが存在（図６の例では６０ｍｍ）しているので、
仮に同じ電荷量が帯電するとしても、実際のばあいの表
面電位は１ｍｍのギャップの測定における値よりも大き
くなり、沿面方向の電界強度も図９に示した値よりも大
きくなる。さらに、基板上に形成されたスイッチング素
子などの電極の形状、配置など、電極間の電界分布を決
定する要因であるものをさらに含む電極系においては、
かかる電極間のいずれの点においても平等電界とはなら
ないうえ、その電極間に絶縁薄膜などの絶縁物による沿
面である絶縁物沿面が存在するため、基板上面での絶縁
破壊強度は３０ｋＶ／ｃｍよりも著しく低いものとな
る。
放電が生じやすくなるという問題について説明する。基
板上面において昇降ピン１３が接する部分の近傍の電位
分布の実測値と、その値から求めた沿面方向の電界強度
を図９に示す。図９には、金属製昇降ピンでプレート２
から基板１を剥離させたのち基板１を取り出し、基板１
の下面と接地面との距離を１ｍｍとした状態で表面電位
を測定した結果を示す。これにより、昇降ピンが接する
部分の近傍で正極性の表面電位がピークを示し、そこか
ら若干離れた位置で沿面方向の電界（以下、単に沿面電
界という）が大きくなっていることがわかる。その沿面
電界のピーク値は１ｋＶ／ｃｍ以下であり、この値は一
般的な乾燥空気の平等電界下、すなわち、その乾燥空気
中においた２枚の電極間のいずれの点においてもその強
度が等しい電界下における絶縁破壊強度である約３０ｋ
Ｖ／ｃｍと比べて低い値である。しかも、このピーク値
は接地面から１ｍｍのギャップを設けた状態での測定に
よるものであって、実際の製造工程では、より大きなギ
ャップが存在（図６の例では６０ｍｍ）しているので、
仮に同じ電荷量が帯電するとしても、実際のばあいの表
面電位は１ｍｍのギャップの測定における値よりも大き
くなり、沿面方向の電界強度も図９に示した値よりも大
きくなる。さらに、基板上に形成されたスイッチング素
子などの電極の形状、配置など、電極間の電界分布を決
定する要因であるものをさらに含む電極系においては、
かかる電極間のいずれの点においても平等電界とはなら
ないうえ、その電極間に絶縁薄膜などの絶縁物による沿
面である絶縁物沿面が存在するため、基板上面での絶縁
破壊強度は３０ｋＶ／ｃｍよりも著しく低いものとな
る。
【００１０】すなわち、図９に示すように、基板上の絶
縁破壊強度は著しく低いものとなっており、測定電位か
ら求めた実際の低い電界によって基板１の上面に形成さ
れている素子の電極間で放電が発生し、基板上の素子が
不良になるという問題があった。なお、ここでは基板下
面に発生する剥離帯電が負極性であるばあいについて述
べたが、正極性のばあいにおいても、プレートから昇降
ピンを通って逆に負極性の電荷が供給されるので同様の
問題があった。
縁破壊強度は著しく低いものとなっており、測定電位か
ら求めた実際の低い電界によって基板１の上面に形成さ
れている素子の電極間で放電が発生し、基板上の素子が
不良になるという問題があった。なお、ここでは基板下
面に発生する剥離帯電が負極性であるばあいについて述
べたが、正極性のばあいにおいても、プレートから昇降
ピンを通って逆に負極性の電荷が供給されるので同様の
問題があった。
【００１１】本発明は、かかる問題を解消するためにな
されたものであり、プレートから絶縁性基板を剥離する
際に基板下面に帯電が発生してもプレートから昇降ピン
を経て逆極性の電荷が供給されることがなく、基板下面
における逆極性帯電をなくすことができることにより、
沿面電界強度が増大することを防ぎ、素子の破壊を生じ
ない液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造装置を
提供することを目的とする。
されたものであり、プレートから絶縁性基板を剥離する
際に基板下面に帯電が発生してもプレートから昇降ピン
を経て逆極性の電荷が供給されることがなく、基板下面
における逆極性帯電をなくすことができることにより、
沿面電界強度が増大することを防ぎ、素子の破壊を生じ
ない液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造装置を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製法は、第１の透明な絶縁性基板、該基板の上に形成さ
れた電極膜とスイッチング素子、第２の透明な絶縁性基
板および当該２枚の基板を重ねたあいだに封入する液晶
材料からなる液晶表示装置の製法であって、平坦なプレ
ート上に密接して載置された前記絶縁性基板を前記プレ
ートから剥離するとき絶縁性を有する昇降ピンを用いて
剥離することを特徴としている。
製法は、第１の透明な絶縁性基板、該基板の上に形成さ
れた電極膜とスイッチング素子、第２の透明な絶縁性基
板および当該２枚の基板を重ねたあいだに封入する液晶
材料からなる液晶表示装置の製法であって、平坦なプレ
ート上に密接して載置された前記絶縁性基板を前記プレ
ートから剥離するとき絶縁性を有する昇降ピンを用いて
剥離することを特徴としている。
【００１３】前記昇降ピン全体が絶縁物であることが好
ましい。
ましい。
【００１４】前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性基
板と接触する部分が絶縁物で構成されてなることが好ま
しい。
板と接触する部分が絶縁物で構成されてなることが好ま
しい。
【００１５】前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性基
板と接触する部分が絶縁物で被覆されてなることが好ま
しい。
板と接触する部分が絶縁物で被覆されてなることが好ま
しい。
【００１６】さらに本発明の製法に用いる製造装置は、
平坦なプレートおよび前記絶縁性基板を前記プレートか
ら剥離する絶縁性を有する昇降ピンを備えてなることを
特徴としている。
平坦なプレートおよび前記絶縁性基板を前記プレートか
ら剥離する絶縁性を有する昇降ピンを備えてなることを
特徴としている。
【００１７】前記昇降ピン全体が絶縁物であることが好
ましい。
ましい。
【００１８】前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性基
板と接触する部分が絶縁物で構成されてなることが好ま
しい。
板と接触する部分が絶縁物で構成されてなることが好ま
しい。
【００１９】前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性基
板と接触する部分が絶縁物で被覆されてなることが好ま
しい。
板と接触する部分が絶縁物で被覆されてなることが好ま
しい。
【００２０】
【作用】本発明の方法および装置においては昇降ピンが
絶縁性であるので剥離帯電に伴ってプレート上に発生し
た電荷を絶縁性基板に供給しない作用を有する。
絶縁性であるので剥離帯電に伴ってプレート上に発生し
た電荷を絶縁性基板に供給しない作用を有する。
【００２１】かかる作用によって、絶縁性基板の下面に
逆極性の帯電の発生をなくすことができ、沿面電界の増
大を抑制することができる。
逆極性の帯電の発生をなくすことができ、沿面電界の増
大を抑制することができる。
【００２２】
【実施例】以下、添付図面にもとづいて本発明の液晶表
示装置の製法およびそれに用いる製造装置を説明する。
示装置の製法およびそれに用いる製造装置を説明する。
【００２３】実施例１ 図１は本発明による製法および製造装置の実施例を示す
側面の断面説明図である。
側面の断面説明図である。
【００２４】図１において、１は絶縁性基板、２は絶縁
性基板１に前記処理を施す際に絶縁性基板１を密接して
載置するためのプレート、３は前記処理を終えた絶縁性
基板１をプレート２から剥離するための絶縁性の４本の
昇降ピンであり、該昇降ピンはたとえばＰＴＦＥ（Poly
Tetra Fluoro Ethylene：ポリテトラフルオロエチレ
ン。商品名はテフロン。以下単にＰＴＦＥという）製で
ある。またはポリイミドやＦＥＰ（Fluoro Ethylene Pr
opylene、フルオロエチレンプロピレン）を用いること
もできる。昇降ピン３は直径約２ｍｍ、長さ約６０ｍｍ
で先端が直径約２ｍの半球状となっている。昇降ピン３
は、絶縁性基板１をプレート２上にのせて処理を施して
いるあいだはプレート２内に格納されている。本実施例
においては基板１に熱処理が施こされ、熱処理はたとえ
ば絶縁性基板を１枚ずつプレート上で温度１３０℃、保
持時間９０秒などの条件によっておこなわれる。プレー
トは、たとえばアルミニウム製で寸法約５００ｍｍ×５
００ｍｍでその内部にヒーターが設けられており基板を
密着させるための真空吸着用の孔（直径約１ｍｍ、個数
２０個位）が設けられている。
性基板１に前記処理を施す際に絶縁性基板１を密接して
載置するためのプレート、３は前記処理を終えた絶縁性
基板１をプレート２から剥離するための絶縁性の４本の
昇降ピンであり、該昇降ピンはたとえばＰＴＦＥ（Poly
Tetra Fluoro Ethylene：ポリテトラフルオロエチレ
ン。商品名はテフロン。以下単にＰＴＦＥという）製で
ある。またはポリイミドやＦＥＰ（Fluoro Ethylene Pr
opylene、フルオロエチレンプロピレン）を用いること
もできる。昇降ピン３は直径約２ｍｍ、長さ約６０ｍｍ
で先端が直径約２ｍの半球状となっている。昇降ピン３
は、絶縁性基板１をプレート２上にのせて処理を施して
いるあいだはプレート２内に格納されている。本実施例
においては基板１に熱処理が施こされ、熱処理はたとえ
ば絶縁性基板を１枚ずつプレート上で温度１３０℃、保
持時間９０秒などの条件によっておこなわれる。プレー
トは、たとえばアルミニウム製で寸法約５００ｍｍ×５
００ｍｍでその内部にヒーターが設けられており基板を
密着させるための真空吸着用の孔（直径約１ｍｍ、個数
２０個位）が設けられている。
【００２５】本実施例においては、昇降ピン全体を絶縁
物で構成したので、プレート２から絶縁性基板１を剥離
したときに帯電が発生するが、基板１の下面に、たとえ
ば負極性電荷が蓄積されても、正極性の電荷が昇降ピン
を経て基板１に供給されることがなく、基板１の上面に
おける正極性電位の発生を抑制することができる。図２
に金属製の昇降ピンを用いたばあいと絶縁性の昇降ピン
を用いたばあいについて基板１の上面に発生する正極性
の表面電位の実測値を示す。すなわち金属製昇降ピンが
絶縁性基板と直接接触しているばあいに基板上面に発生
していた正極性電位が、ピンを絶縁化することによって
大幅に低減されていることがわかる。剥離帯電の発生は
昇降ピンの材質には影響されないので、基板１の上面の
沿面方向の電界の増大が抑制され、素子の破壊を防止す
ることができる。
物で構成したので、プレート２から絶縁性基板１を剥離
したときに帯電が発生するが、基板１の下面に、たとえ
ば負極性電荷が蓄積されても、正極性の電荷が昇降ピン
を経て基板１に供給されることがなく、基板１の上面に
おける正極性電位の発生を抑制することができる。図２
に金属製の昇降ピンを用いたばあいと絶縁性の昇降ピン
を用いたばあいについて基板１の上面に発生する正極性
の表面電位の実測値を示す。すなわち金属製昇降ピンが
絶縁性基板と直接接触しているばあいに基板上面に発生
していた正極性電位が、ピンを絶縁化することによって
大幅に低減されていることがわかる。剥離帯電の発生は
昇降ピンの材質には影響されないので、基板１の上面の
沿面方向の電界の増大が抑制され、素子の破壊を防止す
ることができる。
【００２６】実施例２ 実施例１においては昇降ピン全体を絶縁物（ＰＴＦＥ）
で構成したばあいを示したが、別の実施例を図３に側面
の断面図で示す。昇降ピン４において、４ａは金属製、
４ｂは絶縁物、たとえばＰＴＦＥ製である。すなわち、
金属製昇降ピンの、少なくとも絶縁性基板１と接触する
部分を絶縁物で構成した例である。
で構成したばあいを示したが、別の実施例を図３に側面
の断面図で示す。昇降ピン４において、４ａは金属製、
４ｂは絶縁物、たとえばＰＴＦＥ製である。すなわち、
金属製昇降ピンの、少なくとも絶縁性基板１と接触する
部分を絶縁物で構成した例である。
【００２７】かかる接触する部分は、たとえばＰＴＦＥ
を用いて直径２ｍｍの半球部分４ｂを作製し、金属製の
円柱部分４ａ（直径２ｍｍ、長さ３９ｍｍ）の先端に接
着して作製したものであり、複雑な加工を必要としない
ので容易に実現することができる。本実施例のばあいに
も実施例１と同様に絶縁性基板１は昇降ピンの金属部分
に接触していないため、剥離帯電による電荷により逆極
性電荷が基板に供給されることがないので、沿面方向の
電界の増大が抑制され、基板１の表面に形成された素子
の破壊を防止することができる。
を用いて直径２ｍｍの半球部分４ｂを作製し、金属製の
円柱部分４ａ（直径２ｍｍ、長さ３９ｍｍ）の先端に接
着して作製したものであり、複雑な加工を必要としない
ので容易に実現することができる。本実施例のばあいに
も実施例１と同様に絶縁性基板１は昇降ピンの金属部分
に接触していないため、剥離帯電による電荷により逆極
性電荷が基板に供給されることがないので、沿面方向の
電界の増大が抑制され、基板１の表面に形成された素子
の破壊を防止することができる。
【００２８】本実施例においては、少なくとも絶縁性基
板と接触する先端部分のみ絶縁物で構成したが円柱部分
４ａの一部を絶縁物で構成してもよく、その絶縁物の部
分が円柱部分４ｂにおよぶ長さとなってもよい。
板と接触する先端部分のみ絶縁物で構成したが円柱部分
４ａの一部を絶縁物で構成してもよく、その絶縁物の部
分が円柱部分４ｂにおよぶ長さとなってもよい。
【００２９】円柱部分４ａの一部を絶縁物で構成しても
よく、さらに円柱部分のうちの円柱の軸方向についての
一部分に絶縁物をサンドイッチ状にはさみこんだ態様と
することも可能である。
よく、さらに円柱部分のうちの円柱の軸方向についての
一部分に絶縁物をサンドイッチ状にはさみこんだ態様と
することも可能である。
【００３０】またさらに本実施例においては昇降ピンの
円柱部分は金属で作成したが、絶縁性基板を剥離し、支
える強度を有するものであれば金属以外の半導体、樹
脂、セラミックなど何でも用いることができる。
円柱部分は金属で作成したが、絶縁性基板を剥離し、支
える強度を有するものであれば金属以外の半導体、樹
脂、セラミックなど何でも用いることができる。
【００３１】実施例３ 図４は本発明による別の実施例を示す側面の断面図であ
る。
る。
【００３２】図４において、５は金属製本体部分、６は
金属製本体部分５の表面全体に施された絶縁被覆であ
り、たとえばＰＴＦＥである。本実施例の方法として
は、たとえば厚さ１０μｍのＰＴＦＥのフィルムを金属
製本体部分の表面に接着して昇降ピンを形成することが
できる。かかる構成によっても、実施例１、２と同様の
効果をうることができる。
金属製本体部分５の表面全体に施された絶縁被覆であ
り、たとえばＰＴＦＥである。本実施例の方法として
は、たとえば厚さ１０μｍのＰＴＦＥのフィルムを金属
製本体部分の表面に接着して昇降ピンを形成することが
できる。かかる構成によっても、実施例１、２と同様の
効果をうることができる。
【００３３】絶縁被覆の方法は本実施例におけるフィル
ムを接着する方法の他、一般におこなわれている成膜技
術を利用することもできる。
ムを接着する方法の他、一般におこなわれている成膜技
術を利用することもできる。
【００３４】またさらに本実施例においては昇降ピンの
本体部分は金属で作成したが、絶縁性基板を剥離し、支
える強度を有するものであれば金属以外の半導体、樹
脂、セラミックなど何でも用いることができる。
本体部分は金属で作成したが、絶縁性基板を剥離し、支
える強度を有するものであれば金属以外の半導体、樹
脂、セラミックなど何でも用いることができる。
【００３５】実施例４ 図５は本発明による別の実施例を示す側面の断面図であ
る。
る。
【００３６】図５において、７は金属製本体部分５の表
面のうち、少なくとも絶縁性基板１と接触する先端部分
に施された絶縁被覆である。
面のうち、少なくとも絶縁性基板１と接触する先端部分
に施された絶縁被覆である。
【００３７】本実施例の方法として、たとえば金属製本
体部分の先端の半球部分にかぶせることのできる形にＰ
ＴＦＥを用いてキャップ状に成形したものをかぶせるこ
とによって昇降ピンを形成することができる。
体部分の先端の半球部分にかぶせることのできる形にＰ
ＴＦＥを用いてキャップ状に成形したものをかぶせるこ
とによって昇降ピンを形成することができる。
【００３８】絶縁被覆の方法は本実施例におけるキャッ
プをかぶせる方法の他、一般におこなわれている成膜技
術を利用することもできる。
プをかぶせる方法の他、一般におこなわれている成膜技
術を利用することもできる。
【００３９】またさらに本実施例においては昇降ピンの
本体部分は金属で作成したが、絶縁性基板を剥離し、支
える強度を有するものであれば金属以外の半導体、樹
脂、セラミックなど何でも用いることができる。
本体部分は金属で作成したが、絶縁性基板を剥離し、支
える強度を有するものであれば金属以外の半導体、樹
脂、セラミックなど何でも用いることができる。
【００４０】かかる構成によって、実施例１〜３と同様
の効果をうることができ、実施例３に比べて被覆する材
料が少なくて済み、経済的である。
の効果をうることができ、実施例３に比べて被覆する材
料が少なくて済み、経済的である。
【００４１】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製法およびそれ
に用いる製造装置により、プレートから絶縁性基板を剥
離する際に基板下面に帯電が発生しても、プレートから
昇降ピンを経て逆極性の電荷が供給されることがないの
で、基板下面における逆極性帯電をなくすることができ
沿面電界が増大することを抑制し素子の破壊が生じなく
なったことにより素子の歩留を数％以上向上することが
できる。
に用いる製造装置により、プレートから絶縁性基板を剥
離する際に基板下面に帯電が発生しても、プレートから
昇降ピンを経て逆極性の電荷が供給されることがないの
で、基板下面における逆極性帯電をなくすることができ
沿面電界が増大することを抑制し素子の破壊が生じなく
なったことにより素子の歩留を数％以上向上することが
できる。
【００４２】また本発明の製造装置では簡単な構造の昇
降ピンを備えているので製作が容易で安価であるので生
産性を向上することができる。
降ピンを備えているので製作が容易で安価であるので生
産性を向上することができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の製法およびそれに
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
【図２】本発明の一実施例により表面電位が低下する効
果を示す特性図である。
果を示す特性図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の製法およびそれに
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
【図４】本発明による液晶表示装置の製法およびそれに
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
【図５】本発明による液晶表示装置の製法およびそれに
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
用いる製造装置の一実施例を示す側面の断面説明図であ
る。
【図６】従来の製法を示す側面の断面説明図である。
【図７】剥離帯電による負極性電荷の蓄積を示すモデル
図である。
図である。
【図８】従来の製法を用いたばあいに発生する正極性帯
電を示すモデル図である。
電を示すモデル図である。
【図９】従来の製法を用いたばあいの基板沿面方向電界
強度を示す説明図である。
強度を示す説明図である。
１ 絶縁性基板 ２ プレート ３ 昇降ピン ４ａ 円柱部分 ４ｂ 半球部分 ５ 本体部分 ６ 絶縁被覆 ７ 絶縁被覆 ８ 電荷（負極性） ９ 電荷（正極性） １３ 金属製昇降ピン
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の透明な絶縁性基板、該基板の上に
形成された電極膜とスイッチング素子、第２の透明な絶
縁性基板および当該２枚の基板を重ねたあいだに封入す
る液晶材料からなる液晶表示装置の製法であって、平坦
なプレート上に密接して載置された前記絶縁性基板を前
記プレートから剥離するとき絶縁性を有する昇降ピンを
用いて剥離することを特徴とする液晶表示装置の製法。 - 【請求項２】 前記昇降ピン全体が絶縁物である請求項
１記載の製法。 - 【請求項３】 前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性
基板と接触する部分が絶縁物で構成されてなる請求項１
記載の製法。 - 【請求項４】 前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性
基板と接触する部分が絶縁物で被覆されてなる請求項１
記載の製法。 - 【請求項５】 請求項１記載の液晶表示装置の製法に用
いる製造装置であって、平坦なプレートおよび前記絶縁
性基板を前記プレートから剥離する絶縁性を有する昇降
ピンを備えてなることを特徴とする液晶表示装置の製造
装置。 - 【請求項６】 前記昇降ピン全体が絶縁物である請求項
５記載の製造装置。 - 【請求項７】 前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性
基板と接触する部分が絶縁物で構成されてなる請求項５
記載の製造装置。 - 【請求項８】 前記昇降ピンの、少なくとも前記絶縁性
基板と接触する部分が絶縁物で被覆されてなる請求項５
記載の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12688795A JPH08320459A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12688795A JPH08320459A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320459A true JPH08320459A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14946318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12688795A Pending JPH08320459A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 液晶表示装置の製法およびそれに用いる製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08320459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016129107A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社伸興 | 静電気除去装置及び静電気除去方法 |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP12688795A patent/JPH08320459A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016129107A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社伸興 | 静電気除去装置及び静電気除去方法 |
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