JPH08320509A - 高調波発生装置 - Google Patents
高調波発生装置Info
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- JPH08320509A JPH08320509A JP12542495A JP12542495A JPH08320509A JP H08320509 A JPH08320509 A JP H08320509A JP 12542495 A JP12542495 A JP 12542495A JP 12542495 A JP12542495 A JP 12542495A JP H08320509 A JPH08320509 A JP H08320509A
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- Japan
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- fundamental wave
- wave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】共振器からの過剰な戻り光がロッキングレンジ
を拡大し隣接するロッキングレンジと重なり合い、半導
体レーザ（ＬＤ）の基本波周波数が縦モード間でホップ
するのを防ぐ。 【構成】ＬＤ１側に戻ってきた基本波共振出力はＬＤの
出射端面反射率が５０％であるため、ＬＤ内に結合する
基本波共振光量が半分以下となりロッキングレンジ３４
が縮小し位相整合条件を満たす波長でのＬＤ発振波長が
安定化し高効率な波長変換を継続できた。
を拡大し隣接するロッキングレンジと重なり合い、半導
体レーザ（ＬＤ）の基本波周波数が縦モード間でホップ
するのを防ぐ。 【構成】ＬＤ１側に戻ってきた基本波共振出力はＬＤの
出射端面反射率が５０％であるため、ＬＤ内に結合する
基本波共振光量が半分以下となりロッキングレンジ３４
が縮小し位相整合条件を満たす波長でのＬＤ発振波長が
安定化し高効率な波長変換を継続できた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザから発せ
られる基本波を第２または第３高調波に変換する高調波
発生装置に関する。
られる基本波を第２または第３高調波に変換する高調波
発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザ等から出射される基
本波を非線形光学材料に通して波長変換された第２高調
波や第３高調波を得る装置が種々提案されている。これ
らの装置では、複数の反射面で構成される共振器内に非
線形光学材料を配置し、基本波を共振器内に閉じ込めて
増幅させることで、高調波を効率よく発生させるように
している。
本波を非線形光学材料に通して波長変換された第２高調
波や第３高調波を得る装置が種々提案されている。これ
らの装置では、複数の反射面で構成される共振器内に非
線形光学材料を配置し、基本波を共振器内に閉じ込めて
増幅させることで、高調波を効率よく発生させるように
している。
【０００３】そして、共振器としては、複数のミラーを
配置して共振器を構成し、この共振器内に非線形光学材
料を配置した定在波型の外部共振器が知られている。
配置して共振器を構成し、この共振器内に非線形光学材
料を配置した定在波型の外部共振器が知られている。
【０００４】図３に、従来の高調波発生装置の一例とし
て、定在波型共振器を用いた第２高調波発生装置３３を
示す。この第２高調波発生装置は、半導体レーザ２３
（以下ＬＤとする）を基本波光源として用い、コリメー
トレンズ２４、モードマッチングレンズ２５及び２つの
凹面鏡で構成された共振器２６と、その内部に置かれた
ＫＮｂＯ3 結晶等の非線形光学材料２７によって構成さ
れている。
て、定在波型共振器を用いた第２高調波発生装置３３を
示す。この第２高調波発生装置は、半導体レーザ２３
（以下ＬＤとする）を基本波光源として用い、コリメー
トレンズ２４、モードマッチングレンズ２５及び２つの
凹面鏡で構成された共振器２６と、その内部に置かれた
ＫＮｂＯ3 結晶等の非線形光学材料２７によって構成さ
れている。
【０００５】以下図について説明する。定在波型共振器
２６の図中左右の２つの凹面は共振用のミラーをなして
いる。このうち図中左側の凹面は基本波の入射面をな
し、基本波に対して一部透過の球面ミラー２８とされて
いる。また、図中右側の凹面鏡は第２高調波の出射面を
なし、基本波に対して高反射で第２高調波に対して高透
過の球面ミラー２９とされている。
２６の図中左右の２つの凹面は共振用のミラーをなして
いる。このうち図中左側の凹面は基本波の入射面をな
し、基本波に対して一部透過の球面ミラー２８とされて
いる。また、図中右側の凹面鏡は第２高調波の出射面を
なし、基本波に対して高反射で第２高調波に対して高透
過の球面ミラー２９とされている。
【０００６】上記の構成において、ＬＤ２３から出射さ
れた波長８６０ｎｍの基本波３０は、コリメートレンズ
２４により平行光にされ、モードマッチングレンズ２５
を通過して、定在波型共振器の球面ミラー２８から入射
される。
れた波長８６０ｎｍの基本波３０は、コリメートレンズ
２４により平行光にされ、モードマッチングレンズ２５
を通過して、定在波型共振器の球面ミラー２８から入射
される。
【０００７】ミラーに垂直に入射した基本波は、定在波
型共振器内部に置かれた非線形光学材料、例えばＫＮｂ
０3 結晶の結晶軸ａと平行になる。そしてこの基本波
は、２つの球面ミラーで構成される定在波共振器２６内
で反射を繰り返し、共振光となって増幅される。
型共振器内部に置かれた非線形光学材料、例えばＫＮｂ
０3 結晶の結晶軸ａと平行になる。そしてこの基本波
は、２つの球面ミラーで構成される定在波共振器２６内
で反射を繰り返し、共振光となって増幅される。
【０００８】そして、増幅された基本波の共振光は、非
線形光学材料の結晶軸ａの方向へ伝搬するとき、その一
部が波長４３０ｎｍの第２高調波（青色レーザ）出力３
２に変換され、球面ミラー２９から出射される。なお、
位相整合条件に適合させて高調波への変換効率を安定に
させるため、非線形光学材料はペルチェ素子等による温
度制御が行われる。
線形光学材料の結晶軸ａの方向へ伝搬するとき、その一
部が波長４３０ｎｍの第２高調波（青色レーザ）出力３
２に変換され、球面ミラー２９から出射される。なお、
位相整合条件に適合させて高調波への変換効率を安定に
させるため、非線形光学材料はペルチェ素子等による温
度制御が行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前述の高調波発生装置
において、基本波の安定化には共振光をＬＤ内部に再入
射しＬＤの周波数を定在波型共振器の共振周波数にロッ
クするいわゆる光フィードバックという手法が用いられ
ている。通常の高調波発生装置においては、共振器から
の戻り光量を適切な値に制限した場合に、ＬＤの基本波
周波数は図４に示すように、戻り光量に依存するロッキ
ングレンジ３４と呼ばれる範囲内でロックされ、ＬＤの
駆動電流、環境温度の変動に対して影響を受けにくくな
ることが知られている。図中３５は共振器の縦モード間
隔である。
において、基本波の安定化には共振光をＬＤ内部に再入
射しＬＤの周波数を定在波型共振器の共振周波数にロッ
クするいわゆる光フィードバックという手法が用いられ
ている。通常の高調波発生装置においては、共振器から
の戻り光量を適切な値に制限した場合に、ＬＤの基本波
周波数は図４に示すように、戻り光量に依存するロッキ
ングレンジ３４と呼ばれる範囲内でロックされ、ＬＤの
駆動電流、環境温度の変動に対して影響を受けにくくな
ることが知られている。図中３５は共振器の縦モード間
隔である。
【００１０】しかしながら、従来用いられていたＬＤで
は、その出射端面の反射率が４〜５％と低反射率であっ
たため、定在波共振器から過剰な戻り光が戻り、図５に
示すようにロッキングレンジ３６が大きく拡大され、隣
接するロッキングレンジと重なり合う。その結果、半導
体レーザの基本波周波数が縦モード間（縦モード間隔３
７の間）でモードホッピングを生ずることから、第２高
調波発生の位相整合条件からはずれ、高効率な波長変換
が継続できなくなるという問題点を有していた。
は、その出射端面の反射率が４〜５％と低反射率であっ
たため、定在波共振器から過剰な戻り光が戻り、図５に
示すようにロッキングレンジ３６が大きく拡大され、隣
接するロッキングレンジと重なり合う。その結果、半導
体レーザの基本波周波数が縦モード間（縦モード間隔３
７の間）でモードホッピングを生ずることから、第２高
調波発生の位相整合条件からはずれ、高効率な波長変換
が継続できなくなるという問題点を有していた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解消すべくなされたものであり、基本波光源である半
導体レーザと、基本波を共振させる複数の共振用ミラー
から構成される共振器と、前記共振器内の基本波の光軸
上に設けられた非線形光学材料とを備えてなる高調波発
生装置において、半導体レーザの出射端面の反射率を１
５〜７５％とした高調波発生装置を提供するものであ
る。
を解消すべくなされたものであり、基本波光源である半
導体レーザと、基本波を共振させる複数の共振用ミラー
から構成される共振器と、前記共振器内の基本波の光軸
上に設けられた非線形光学材料とを備えてなる高調波発
生装置において、半導体レーザの出射端面の反射率を１
５〜７５％とした高調波発生装置を提供するものであ
る。
【００１２】前記非線形光学材料としては、ＫＮｂＯ
3 、β−ＢａＢ2 Ｏ4 、ＫＴｉＯＰＯ4 、ＫＨ2 ＰＯ
4 、ＬｉＮｂＯ3 等の非線形光学結晶、その他有機非線
形光学材料等が使用できるが、高い第２高調波への変換
効率、結晶の取扱いやすさ等からしてＫＮｂＯ3 単結晶
が好ましい。
3 、β−ＢａＢ2 Ｏ4 、ＫＴｉＯＰＯ4 、ＫＨ2 ＰＯ
4 、ＬｉＮｂＯ3 等の非線形光学結晶、その他有機非線
形光学材料等が使用できるが、高い第２高調波への変換
効率、結晶の取扱いやすさ等からしてＫＮｂＯ3 単結晶
が好ましい。
【００１３】本発明の高調波発生装置は、第２高調波発
生のみならず、第３高調波の発生にも応用できる。
生のみならず、第３高調波の発生にも応用できる。
【００１４】
【作用】本発明の高調波発生装置においては、基本波光
源である半導体レーザは、出射端面の反射率が１５〜７
５％であるため、定在波共振器からの過剰な戻り光が半
導体レーザ内部へ再入射されず、その光量を低減するよ
うに作用する。その結果、新たに部品点数を増やすこと
なく基本波の周波数ロッキングレンジの重なり合いを防
ぎ、半導体レーザの縦モード間のモードホッピングの発
生を抑制したことにより、位相整合条件からはずれた波
長での基本波の安定化が回避され、高効率な波長変換を
継続することが可能になると考えられる。
源である半導体レーザは、出射端面の反射率が１５〜７
５％であるため、定在波共振器からの過剰な戻り光が半
導体レーザ内部へ再入射されず、その光量を低減するよ
うに作用する。その結果、新たに部品点数を増やすこと
なく基本波の周波数ロッキングレンジの重なり合いを防
ぎ、半導体レーザの縦モード間のモードホッピングの発
生を抑制したことにより、位相整合条件からはずれた波
長での基本波の安定化が回避され、高効率な波長変換を
継続することが可能になると考えられる。
【００１５】
【実施例】図１には本発明を第２高調波発生装置１１に
適用した一実施例が示されている。
適用した一実施例が示されている。
【００１６】この第２高調波発生装置１１は、基本波光
源としてのＬＤ１、コリメートレンズ２、モードマッチ
ングレンズ３、２枚の共振用の凹面鏡からなる定在波型
共振器４、共振器内部に置かれた非線形光学材料５が順
次配列されて構成されている。
源としてのＬＤ１、コリメートレンズ２、モードマッチ
ングレンズ３、２枚の共振用の凹面鏡からなる定在波型
共振器４、共振器内部に置かれた非線形光学材料５が順
次配列されて構成されている。
【００１７】ＬＤ１はこの実施例では、波長８６０ｎ
ｍ、単一縦、単一横モードで、出射端面反射率５０％も
のが用いられている。コリメートレンズ２は、ＬＤ１か
ら出射される基本波を平行なビームにし、モードマッチ
ングレンズ３は、このビームを絞って定在波型共振器４
内の共振モードと入射ビームとを整合させる役割をな
す。
ｍ、単一縦、単一横モードで、出射端面反射率５０％も
のが用いられている。コリメートレンズ２は、ＬＤ１か
ら出射される基本波を平行なビームにし、モードマッチ
ングレンズ３は、このビームを絞って定在波型共振器４
内の共振モードと入射ビームとを整合させる役割をな
す。
【００１８】基本波の入射側に位置する定在波型共振器
の一方の凹面鏡の平面には、基本波を９９％以上透過す
る反射防止膜が蒸着されており、凹面は半径５ｍｍの曲
率を持ち、基本波を９５％反射する反射膜が蒸着されて
球面ミラー６とされている。また、第２高調波の出射側
に位置する共振器のもう一方の凹面鏡も入射面同様の曲
率半径５ｍｍの凹面を持ち、基本波を９９％以上反射し
第２高調波を９０％以上透過する反射膜が蒸着されて球
面ミラー７とされ、第２高調波が出射される際に通過す
る平面側には第２高調波を９５％以上透過する反射防止
膜が蒸着されている。
の一方の凹面鏡の平面には、基本波を９９％以上透過す
る反射防止膜が蒸着されており、凹面は半径５ｍｍの曲
率を持ち、基本波を９５％反射する反射膜が蒸着されて
球面ミラー６とされている。また、第２高調波の出射側
に位置する共振器のもう一方の凹面鏡も入射面同様の曲
率半径５ｍｍの凹面を持ち、基本波を９９％以上反射し
第２高調波を９０％以上透過する反射膜が蒸着されて球
面ミラー７とされ、第２高調波が出射される際に通過す
る平面側には第２高調波を９５％以上透過する反射防止
膜が蒸着されている。
【００１９】定在波型共振器４内部に置かれた非線形光
学結晶５には、この実施例ではＫＮｂＯ3 結晶が用いら
れている。定在波型共振器内部に置かれたＫＮｂＯ3 結
晶は、結晶軸ａ方向の長さ３ｍｍのブロックとされてい
る。ＫＮｂＯ3 結晶５の入出射端面には基本波を９９％
以上透過する反射防止膜が形成されている。
学結晶５には、この実施例ではＫＮｂＯ3 結晶が用いら
れている。定在波型共振器内部に置かれたＫＮｂＯ3 結
晶は、結晶軸ａ方向の長さ３ｍｍのブロックとされてい
る。ＫＮｂＯ3 結晶５の入出射端面には基本波を９９％
以上透過する反射防止膜が形成されている。
【００２０】本発明の第２高調波発生装置１１によれ
ば、ＬＤ１から出射された波長８６０ｎｍの基本波８
は、コリメートレンズ２によって平行なビームとされた
後、モードマッチングレンズ３によって集光されて、球
面ミラー６から定在波型共振器４内に垂直に入射され
る。
ば、ＬＤ１から出射された波長８６０ｎｍの基本波８
は、コリメートレンズ２によって平行なビームとされた
後、モードマッチングレンズ３によって集光されて、球
面ミラー６から定在波型共振器４内に垂直に入射され
る。
【００２１】共振器４内に入射された基本波８は、非線
形光学材料ＫＮｂＯ3 結晶５中を結晶軸ａに平行に伝搬
し、対面する球面ミラー７で反射され、球面ミラー６に
戻り反射されて再び結晶軸ａに平行に伝搬し、元の光と
重なり合って定在波型の共振がなされる。このようにし
て、基本波８は直線経路の繰り返しの反射のなかで増幅
されていく。
形光学材料ＫＮｂＯ3 結晶５中を結晶軸ａに平行に伝搬
し、対面する球面ミラー７で反射され、球面ミラー６に
戻り反射されて再び結晶軸ａに平行に伝搬し、元の光と
重なり合って定在波型の共振がなされる。このようにし
て、基本波８は直線経路の繰り返しの反射のなかで増幅
されていく。
【００２２】こうして増幅された基本波８は、ＫＮｂＯ
3 結晶５中を結晶軸ａ方向に伝搬するとき、その一部が
波長４３０ｎｍの第２高調波１０に変換される。この第
２高調波１０が球面ミラー７から出射される。
3 結晶５中を結晶軸ａ方向に伝搬するとき、その一部が
波長４３０ｎｍの第２高調波１０に変換される。この第
２高調波１０が球面ミラー７から出射される。
【００２３】本発明の第２高調波発生装置においては、
共振器として定在波型を用いているため、共振光は出射
側ばかりでなく入射側にも出力される。ＬＤ側に出力さ
れた基本波共振出力はＬＤの出射端面反射率が５０％で
あるため、ＬＤ内部に結合される基本波共振光量が半分
以下となった。その結果、ロッキングレンジが縮小さ
れ、その重なり合いを生ずることなく、位相整合条件を
満たす波長でのＬＤ発振波長安定化が実現され、高効率
な波長変換を継続することが可能となった。
共振器として定在波型を用いているため、共振光は出射
側ばかりでなく入射側にも出力される。ＬＤ側に出力さ
れた基本波共振出力はＬＤの出射端面反射率が５０％で
あるため、ＬＤ内部に結合される基本波共振光量が半分
以下となった。その結果、ロッキングレンジが縮小さ
れ、その重なり合いを生ずることなく、位相整合条件を
満たす波長でのＬＤ発振波長安定化が実現され、高効率
な波長変換を継続することが可能となった。
【００２４】ＬＤの出射端面反射率は、ＬＤの構造や共
振器長、また定在波型共振器からの戻り光９の強さなど
によって１５％から７５％の範囲で選択する。１５％未
満では、ＬＤに再結合される共振戻り光量を低減して、
隣接するロッキングレンジが重なり合わないようにし、
ＬＤの縦モード間の周波数モードホッピングを抑制する
には不十分である。また７５％を超える値では、ＬＤの
基本波出力が波長変換に必要な出力を満たさなくなるこ
とから１５〜７５％範囲外での適用は不適である。上記
の理由から好ましい範囲としては４０〜６０％がよい。
振器長、また定在波型共振器からの戻り光９の強さなど
によって１５％から７５％の範囲で選択する。１５％未
満では、ＬＤに再結合される共振戻り光量を低減して、
隣接するロッキングレンジが重なり合わないようにし、
ＬＤの縦モード間の周波数モードホッピングを抑制する
には不十分である。また７５％を超える値では、ＬＤの
基本波出力が波長変換に必要な出力を満たさなくなるこ
とから１５〜７５％範囲外での適用は不適である。上記
の理由から好ましい範囲としては４０〜６０％がよい。
【００２５】図２は他の実施例を示し、共振器の一方の
反射面（共振用ミラー）を非線形光学結晶に設けた場合
の第２高調波発生装置２２を示す。図２において、図１
と同じ部品等には同じ符号を付している。
反射面（共振用ミラー）を非線形光学結晶に設けた場合
の第２高調波発生装置２２を示す。図２において、図１
と同じ部品等には同じ符号を付している。
【００２６】本実施例の共振器には入射側に曲率半径５
ｍｍの凹面鏡が用いられ、平面には基本波を９９％以上
透過する反射防止膜が蒸着されており、凹面には基本波
を９５％反射する反射膜が蒸着されて球面ミラー１７と
されている。また、第２高調波の出射側には結晶軸ａ方
向の長さ３ｍｍの非線形光学材料のＫＮｂＯ3 結晶１６
が置かれ、入射側には基本波を９９％以上透過する反射
防止膜が蒸着されており、出射側には基本波を９９％以
上反射、第２高調波を９０％以上透過する反射膜が蒸着
されて平面ミラー１８とされている。
ｍｍの凹面鏡が用いられ、平面には基本波を９９％以上
透過する反射防止膜が蒸着されており、凹面には基本波
を９５％反射する反射膜が蒸着されて球面ミラー１７と
されている。また、第２高調波の出射側には結晶軸ａ方
向の長さ３ｍｍの非線形光学材料のＫＮｂＯ3 結晶１６
が置かれ、入射側には基本波を９９％以上透過する反射
防止膜が蒸着されており、出射側には基本波を９９％以
上反射、第２高調波を９０％以上透過する反射膜が蒸着
されて平面ミラー１８とされている。
【００２７】このような共振器１５を用いた場合には、
小型化によって共振器の縦モード間隔が拡大されるため
許容される共振器からの戻り光量が増大する。したがっ
て、ＬＤ出射端面反射率を前述の定在波型共振器４を用
いる場合より低い反射率で使用することが可能となり、
前述の実施例と比較して同様の効果が得られるばかりで
なく、さらに高効率な波長変換を継続することが可能と
なった。
小型化によって共振器の縦モード間隔が拡大されるため
許容される共振器からの戻り光量が増大する。したがっ
て、ＬＤ出射端面反射率を前述の定在波型共振器４を用
いる場合より低い反射率で使用することが可能となり、
前述の実施例と比較して同様の効果が得られるばかりで
なく、さらに高効率な波長変換を継続することが可能と
なった。
【００２８】本発明は、複数の凹面鏡（共振用ミラー）
からなるアセンブリ型の定在波型共振器に限定されるも
のではなく、非線形光学材料自体に共振用ミラーが形成
された一体型のモノリシック型定在波共振器にも適用可
能である。
からなるアセンブリ型の定在波型共振器に限定されるも
のではなく、非線形光学材料自体に共振用ミラーが形成
された一体型のモノリシック型定在波共振器にも適用可
能である。
【００２９】
【発明の効果】本発明の高調波発生装置によれば、基本
波光源に用いるＬＤの出射端面の反射率を１５〜７５％
にすることにより、共振器からの過剰な戻り光に起因す
るロッキングレンジの拡大による隣接するロッキングレ
ンジの重なり合いを防ぎ、半導体レーザの縦モード間の
モードホッピングを抑制し、位相整合条件を満たす波長
で基本波が安定化される。そのため、高効率な波長変換
を継続することが可能となった。
波光源に用いるＬＤの出射端面の反射率を１５〜７５％
にすることにより、共振器からの過剰な戻り光に起因す
るロッキングレンジの拡大による隣接するロッキングレ
ンジの重なり合いを防ぎ、半導体レーザの縦モード間の
モードホッピングを抑制し、位相整合条件を満たす波長
で基本波が安定化される。そのため、高効率な波長変換
を継続することが可能となった。
【００３０】さらに、本発明の高調波発生装置によれ
ば、結合光学系等からの不要な反射光がＬＤに再入射さ
れた場合にも、ＬＤの出射端面においてその光量を低減
させるよう働くため、直接反射光によって生じる、半導
体レーザの縦モード間のモードホッピング、基本波のス
ペクトル線幅の増大、相対雑音強度の低下といった問題
を防ぐことが可能である。
ば、結合光学系等からの不要な反射光がＬＤに再入射さ
れた場合にも、ＬＤの出射端面においてその光量を低減
させるよう働くため、直接反射光によって生じる、半導
体レーザの縦モード間のモードホッピング、基本波のス
ペクトル線幅の増大、相対雑音強度の低下といった問題
を防ぐことが可能である。
【図１】本発明の実施例を示し、第２高調波発生装置の
基本構成の側面図。
基本構成の側面図。
【図２】本発明の他の実施例を示し、第２高調波発生装
置の基本構成の側面図。
置の基本構成の側面図。
【図３】従来の第２高調波発生装置の基本構成の側面
図。
図。
【図４】共振器からの適切な戻り光量が再入射された場
合におけるＬＤの周波数ロッキングレンジを示すグラ
フ。
合におけるＬＤの周波数ロッキングレンジを示すグラ
フ。
【図５】共振器からの過剰な戻り光量が再入射された場
合におけるＬＤの周波数ロッキングレンジを示すグラ
フ。
合におけるＬＤの周波数ロッキングレンジを示すグラ
フ。
１：ＬＤ ２：コリメートレンズ ３：モードマッチングレンズ ４：定在波型共振器 ５：非線形光学結晶 ６：球面ミラー ７：球面ミラー ８：基本波 ９：戻り光 １０：第２高調波 １１：第２高調波発生装置 １５：定在波型共振器 １６：非線形光学結晶 １７：球面ミラー １８：平面ミラー ２２：第２高調波発生装置 ３４：ロッキングレンジ ３５：縦モード間隔 ３６：ロッキングレンジ ３７：縦モード間隔
Claims (1)
- 【請求項１】基本波光源である半導体レーザと、基本波
を共振させる複数の共振用ミラーから構成される共振器
と、前記共振器内の基本波の光軸上に設けられた非線形
光学材料とを備えてなる高調波発生装置において、前記
半導体レーザの光出射端面の基本波に対する反射率を１
５〜７５％としたことを特徴とする高調波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12542495A JPH08320509A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12542495A JPH08320509A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 高調波発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08320509A true JPH08320509A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14909766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12542495A Withdrawn JPH08320509A (ja) | 1995-05-24 | 1995-05-24 | 高調波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08320509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014062173A1 (en) * | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Ipg Photonics Corporation | Resonantly enhanced frequency converter |
-
1995
- 1995-05-24 JP JP12542495A patent/JPH08320509A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014062173A1 (en) * | 2012-10-17 | 2014-04-24 | Ipg Photonics Corporation | Resonantly enhanced frequency converter |
| CN104854764A (zh) * | 2012-10-17 | 2015-08-19 | Ipg光子公司 | 谐振增强频率转换器 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20040607 |