JPH0832120A - 面発光表示器 - Google Patents

面発光表示器

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JPH0832120A
JPH0832120A JP6166771A JP16677194A JPH0832120A JP H0832120 A JPH0832120 A JP H0832120A JP 6166771 A JP6166771 A JP 6166771A JP 16677194 A JP16677194 A JP 16677194A JP H0832120 A JPH0832120 A JP H0832120A
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JP
Japan
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resin
emitting diode
light emitting
diode element
wiring
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JP6166771A
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Eiji Osawa
英治 大澤
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements

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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶表示装置のバックライト用の光源等とし
て用いる発光ダイオードによる面発光表示器において、
所望の発光輝度が得られる構造を提供する。 【構成】 必要な配線が形成されたガラスエポキシ樹脂
等からなる基板１の一主面上に、複数の発光ダイオード
素子２がマトリクス状に取り付けられている。発光ダイ
オード素子２は、前記配線の所定の位置に搭載されて一
方の電極と前記配線とが電気的に接続される一方、他方
の電極と前記配線とが適宜ワイヤー２ａ等により電気的
に接続される。発光ダイオード素子２の周囲には、白色
樹脂からなる反射板３が前記発光ダイオード素子２を取
り囲むように取り付けられて樹脂注入部４が形成され、
更に当該樹脂注入部に乳白色の拡散剤を含むエポキシ、
シリコン等の透明または半透明の樹脂を注入、固化して
保護層５が形成される。また、反射板３の上面には、樹
脂注入部４を取り囲むように連続する溝部６が形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示装置の
バックライト用の光源等として用いる発光ダイオードに
よる面発光表示器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の面発光表示器としては、
例えば図７及び図８に示すような構造が提案されてい
る。符号１１はガラスエポキシ樹脂等からなる基板を示
し、当該基板の一主面上には、本図面には図示されな
い、必要な配線が厚膜配線技術等により形成されてい
る。符号１２は、発光ダイオード素子を示し、当該発光
ダイオード素子は前記配線の所定の位置に搭載されて一
方の電極と前記配線とが電気的に接続される一方、当該
発光ダイオード素子の他方の電極と前記配線とは適宜ワ
イヤー１２ａ等の手段により電気的に接続される。ま
た、符号１３は、発光ダイオード素子１２の周囲に、ポ
リマー、ポリカーボネイト等の白色樹脂より形成された
反射板を示し、更に符号１５は、反射板１３内側の樹脂
注入部１４に、乳白色の拡散剤を含む透明または半透明
のエポキシまたはシリコン等の樹脂を注入、固化して形
成された保護層を示す。
【０００３】このような面発光表示器においては、発光
ダイオード素子１２が発光し、保護層１５内で拡散され
た光が直接的に、または反射板１３により反射されて間
接的に保護層１５の上面に出ていくことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の発光ダイオ
ード素子による面発光表示器は、例えば次のような方法
で作成される。まず、基板１１上に必要な配線を形成し
た後、発光ダイオード素子１２を前記配線上の所定の位
置に搭載して一方の電極と前記配線とを接続する一方、
他方の電極と前記配線とを適宜ワイヤー１２ａ等で接続
する。次に発光ダイオード素子１２を取り囲むように、
ポリマー、ポリカーボネイト等の樹脂より反射板１３を
形成し、最後に、反射板１３内側の樹脂注入部１４に、
乳白色の拡散剤を含むエポキシまたはシリコン等の樹脂
を注入、固化して保護層１５を形成する。
【０００５】この際、反射板１３内側の樹脂注入部１４
へのエポキシまたはシリコン等の樹脂注入は、従来から
作業者による手作業で行われているため、樹脂注入部１
４への樹脂注入量は、反射板１３の上面１３ａと、注入
される樹脂の上面１５ａが略同一の高さになるよう、目
分量で調整されている。しかしながら、作業者が目分量
で注入する以上、樹脂の注入量にどうしてもバラツキが
生じ、その結果、製品間における発光輝度のバラツキが
生じるという問題が生じていた。例えば、図９（ａ）に
示すように樹脂注入量が多くなると発光輝度が高くな
り、図９（ｂ）に示すように樹脂注入量が少なくなると
発光輝度が低くなる。また、樹脂注入量が多くなり過ぎ
ると反射板１３の内側に樹脂が溢れ出てしまうという問
題もあった。 本発明は、これらの問題を解消できるよ
うにした面発光表示器の構造を提供することを技術的課
題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記技術的課題を解決す
るため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
すなわち、本願の請求項１に記載した面発光表示器は、
配線が形成された基板上に搭載された発光ダイオード素
子と、前記発光ダイオード素子を取り囲むように形成さ
れた反射板と、前記反射板内側の樹脂注入部と、前記樹
脂注入部に樹脂を注入して形成された樹脂保護層とを備
える面発光表示器において、前記反射板の上面の少なく
とも一部に溝部を設けるようにしたことを特徴としてい
る。
【０００７】また、本願の請求項２に記載した面発光表
示器は、請求項１記載の面発光表示器において、前記反
射板の上面に前記樹脂注入部を取り囲むように連続する
前記溝部を設けるようにしたことを特徴としている。更
に、本願の請求項３に記載した面発光表示器は、請求項
１または２記載の面発光表示器において、前記反射板の
上面の少なくとも一部に設けられた段差部に前記溝部を
設けるようにしたことを特徴としている。
【０００８】
【作用】以上のような構成にすることにより、請求項１
記載の発明によれば、前記樹脂保護層を形成するとき、
樹脂の過剰注入分を反射板の上面に設けた溝部がトラッ
プし、その結果、樹脂が溝部に流れ込んでいる間に注入
を止めれば、均一の厚みの保護層とし得る。
【０００９】また、本願請求項２記載の発明によると、
樹脂の過剰注入分が樹脂注入部の全周囲に亘り形成され
た溝部に均一に流れ込んでいくので、反射板全周囲に亘
って、樹脂が反射板の外側に溢れ出ていくのを防止し得
る。更に、本願請求項３記載の発明によると、若干、溝
部に流れ込んだ樹脂量が多く、溝部においても樹脂が溢
れ出るような場合であっても、段差部における外壁部
が、溝部で溢れ出た樹脂が更に反射板の外側に溢れ出す
のを完全に遮断する。
【００１０】
【発明の効果】従って、本発明によれば、樹脂注入部に
注入される樹脂の量を一定に保つことができ、その結
果、発光輝度のバラツキの少ない面発光表示器を提供す
ることができるという効果を有する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１〜図３は本発明の実施例を示す。符号１はガ
ラスエポキシ樹脂等からなる基板を示し、基板１の一主
面上には複数の発光ダイオード素子２がマトリクス状に
取り付けられている。基板１の一主面上には本実施例に
は図示されていないが、発光ダイオード素子２を発光さ
せるのに必要な電源を導くための配線が厚膜配線技術等
により形成されており、発光ダイオード素子２は、前記
配線の所定の位置に搭載されて一方の電極と前記配線と
が電気的に接続される一方、当該発光ダイオード素子の
他方の電極と前記配線とが適宜ワイヤー２ａ等により電
気的に接続される。発光ダイオード素子２の周囲には、
ポリマー、ポリカーボネイト等からなる白色樹脂からな
る反射板３が発光ダイオード素子２を取り囲むように取
り付けられて樹脂注入部４が形成され、更に樹脂注入部
４に乳白色の拡散剤を含む透明または半透明のエポキ
シ、シリコン等の樹脂を注入、固化して保護層５が形成
される。また、反射板３の上面には、樹脂注入部４を取
り囲むように連続する溝部６が形成されている。
【００１２】このような構成にすることにより、樹脂注
入部４に樹脂を注入する際に反射板３の高さを少し越え
る量の樹脂を注入すれば、図３に示すように、当該樹脂
の一部５ｂが溢れ出て溝部６に流れ込む。そして、溝部
６に樹脂が流れ込んでいる間に樹脂の注入を止めれば、
保護層５の表面５ａと反射板３の表面３ａの高さを略等
しくでき、均一厚さの保護層５を得ることができるので
ある。なお、反射板３の高さは所望の輝度が得られるよ
うに予め設定されている。
【００１３】また、本実施例においては、反射板上面の
全周囲に亘り連続する溝部を形成した例を示したが、少
なくとも溢れ出た樹脂を吸収し得る程度の溝部を設ける
だけでも良い。更に、図４（ａ）または（ｂ）に示すよ
うに、反射板上面に不連続の溝部６１〜６４（図４
（ａ）参照）または６５〜６８（図４（ｂ）参照）を形
成しても良い。すなわち、図４（ａ）の場合、溢れ出た
樹脂５ｂを四隅の溝部６１〜６４に流入させ吸収するこ
とで、また、図４（ｂ）の場合、溢れ出た樹脂５ｂを四
辺側の溝部６５〜６８に流入させ吸収することで、上記
実施例と同様に均一厚さの保護層５を得ることができ
る。
【００１４】図５及び図６は本発明の別の実施例を示
す。上記本発明の図１の実施例同様、符号１は基板、符
号２は発光ダイオード素子、符号３は反射板、符号４は
樹脂注入部、符号５は保護層を示す。本実施例において
は、反射板３の一部に段差部３ａが形成されており、更
に、段差部３ａに溝部６が形成されている。このような
構成にすることにより、若干、溝部６に溝部６が吸収し
得る量を越えた過剰注入樹脂が流れ込んだとしても、溝
部６の過剰注入樹脂が表面張力で外壁部３ｂによって引
き寄せられるため、外壁部３ｂが防波堤の役割を果た
し、溝部６から溢れ出た樹脂が更に反射板３の外側に溢
れ出るのを完全に遮断することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す平面図である。
【図２】図１のIIーII断面図である。
【図３】反射板上面に設けられた溝部に樹脂が流れ込ん
だ状態を示す、反射板部周辺の拡大断面図である。
【図４】溝部の他の形成パターンを示す図である。
【図５】本発明の別の実施例を示す平面図である。
【図６】図５のVIーVI断面図である。
【図７】従来例の平面図である。
【図８】図１のVIII-VIII断面図である。
【図９】樹脂注入部に多量の樹脂が注入された従来例の
断面図及び樹脂注入部に少量の樹脂が注入された従来例
の断面図。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 発光ダイオード素子 ３ 反射板 ４ 樹脂注入部 ５ 保護層 ６ 溝部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 配線が形成された基板上に搭載された発
    光ダイオード素子と、前記発光ダイオード素子を取り囲
    むように形成された反射板と、前記反射板内側の樹脂注
    入部と、前記樹脂注入部に樹脂を注入して形成された樹
    脂保護層とを備える面発光表示器において、前記反射板
    の上面の少なくとも一部に溝部を設けたことを特徴とす
    る面発光表示器。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の面発光表示器において、
    前記反射板の上面に前記樹脂注入部を取り囲むように連
    続する前記溝部を設けたことを特徴とする面発光表示
    器。
  3. 【請求項３】 請求項１または２記載の面発光表示器に
    おいて、前記反射板の上面の少なくとも一部に設けられ
    た段差部に前記溝部を設けたことを特徴とする面発光表
    示器。
JP6166771A 1994-07-19 1994-07-19 面発光表示器 Pending JPH0832120A (ja)

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Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001036148A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
JP2002509362A (ja) * 1997-12-15 2002-03-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子
JP2002252376A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2003207780A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Harison Toshiba Lighting Corp バックライトユニット
KR100433218B1 (ko) * 2001-12-08 2004-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 백라이트 유닛
WO2004068594A1 (de) * 2003-01-30 2004-08-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische strahlung aussendendes und/oder empfangendes halbleiter-bauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
JP2005158949A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005197006A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toki Corporation Kk 発光ユニット用ケースおよび発光ユニット製造方法
US7004610B2 (en) 2000-09-25 2006-02-28 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Light source device
WO2005098977A3 (en) * 2004-03-31 2006-04-06 Cree Inc Reflector packages and methods for packaging of a semiconductor light emitting device
JP2006278889A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sharp Corp 半導体ランプおよび電子機器
JP2007116146A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
JP2007188035A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Samsung Corning Co Ltd 酸化物を積層してなる光学層が形成されているバックライトユニット
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
CN100350182C (zh) * 2002-12-19 2007-11-21 岸村俊二 白色led照明用光源及白色led照明装置
JP2008501227A (ja) * 2004-05-31 2008-01-17 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体
JP2008010791A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2008130836A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 発光装置
US7455425B2 (en) 2002-10-22 2008-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight unit and liquid crystal display device using the backlight unit
JP2008544568A (ja) * 2005-07-04 2008-12-04 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7646035B2 (en) 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
JP2010034395A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7808013B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
EP2273570A1 (en) * 2002-09-05 2011-01-12 Nichia Corporation Semiconductor device
US7939842B2 (en) 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US10763407B2 (en) 2018-03-30 2020-09-01 Nichia Corporation Light emitting device
US10892383B2 (en) 2007-10-31 2021-01-12 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP2022010580A (ja) * 2020-06-29 2022-01-17 京セラ株式会社 近接センサ用パッケージ、近接センサ及び電子モジュール

Cited By (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002509362A (ja) * 1997-12-15 2002-03-26 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー オッフェネ ハンデルスゲゼルシャフト 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子を製作する方法及び表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子
US7675132B2 (en) 1997-12-15 2010-03-09 Osram Gmbh Surface mounting optoelectronic component and method for producing same
JP2011023770A (ja) * 1997-12-15 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh 表面取り付け可能なオプトエレクトロニクス素子
JP2001036148A (ja) * 1999-07-23 2001-02-09 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
US7004610B2 (en) 2000-09-25 2006-02-28 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Light source device
JP2002252376A (ja) * 2001-02-23 2002-09-06 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR100433218B1 (ko) * 2001-12-08 2004-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 백라이트 유닛
JP2003207780A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Harison Toshiba Lighting Corp バックライトユニット
EP2273570A1 (en) * 2002-09-05 2011-01-12 Nichia Corporation Semiconductor device
US7901103B2 (en) 2002-10-22 2011-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight unit and liquid crystal display device using the backlight unit
US7455425B2 (en) 2002-10-22 2008-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight unit and liquid crystal display device using the backlight unit
CN100350182C (zh) * 2002-12-19 2007-11-21 岸村俊二 白色led照明用光源及白色led照明装置
JP2011054986A (ja) * 2003-01-30 2011-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電磁放射の放出及び受動又はそのいずれか一方を行う半導体コンポーネント及びそのようなコンポーネントのためのハウジング基体
US7427806B2 (en) 2003-01-30 2008-09-23 Oram Gmbh Semiconductor component emitting and/or receiving electromagnetic radiation, and housing base for such a component
WO2004068594A1 (de) * 2003-01-30 2004-08-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische strahlung aussendendes und/oder empfangendes halbleiter-bauelement und gehäuse-grundkörper für ein derartiges bauelement
CN100431180C (zh) * 2003-01-30 2008-11-05 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发射和/或接收电磁辐射的半导体元器件
JP2005158949A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005197006A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toki Corporation Kk 発光ユニット用ケースおよび発光ユニット製造方法
US8154043B2 (en) 2004-03-31 2012-04-10 Cree, Inc. Packaged light emitting devices
US8039859B2 (en) 2004-03-31 2011-10-18 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including an optically transmissive element
US7326583B2 (en) 2004-03-31 2008-02-05 Cree, Inc. Methods for packaging of a semiconductor light emitting device
US7928456B2 (en) 2004-03-31 2011-04-19 Cree, Inc. Packaged light emitting devices
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7612383B2 (en) 2004-03-31 2009-11-03 Cree, Inc. Reflector packages and semiconductor light emitting devices including the same
WO2005098977A3 (en) * 2004-03-31 2006-04-06 Cree Inc Reflector packages and methods for packaging of a semiconductor light emitting device
US7799586B2 (en) 2004-03-31 2010-09-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element and methods for packaging the same
JP2008501227A (ja) * 2004-05-31 2008-01-17 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体
US8975646B2 (en) 2004-05-31 2015-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and housing base for such a component
US7939842B2 (en) 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
JP2006278889A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sharp Corp 半導体ランプおよび電子機器
JP2012151499A (ja) * 2005-07-04 2012-08-09 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光ダイオード
US8809892B2 (en) 2005-07-04 2014-08-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
JP2008544568A (ja) * 2005-07-04 2008-12-04 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US20110227123A1 (en) * 2005-07-04 2011-09-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light Emitting Diode and Method of Fabricating the Same
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
JP2007116146A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光ダイオードパッケージ
DE102006046448B4 (de) * 2005-10-20 2011-04-28 Samsung LED Co., Ltd., Suwon Leuchtdioden-Einheit
JP2007188035A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Samsung Corning Co Ltd 酸化物を積層してなる光学層が形成されているバックライトユニット
US7646035B2 (en) 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
US7952115B2 (en) 2006-05-31 2011-05-31 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and methods of fabricating the same
JP2008010791A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US7808013B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
JP2008130836A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Sharp Corp 発光装置
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US10892383B2 (en) 2007-10-31 2021-01-12 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US11791442B2 (en) 2007-10-31 2023-10-17 Creeled, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
JP2010034395A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US9722158B2 (en) 2009-01-14 2017-08-01 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Aligned multiple emitter package
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US10763407B2 (en) 2018-03-30 2020-09-01 Nichia Corporation Light emitting device
JP2022010580A (ja) * 2020-06-29 2022-01-17 京セラ株式会社 近接センサ用パッケージ、近接センサ及び電子モジュール

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