JPH0832165A - 波長可変/自己高調波レーザー媒体 - Google Patents
波長可変/自己高調波レーザー媒体Info
- Publication number
- JPH0832165A JPH0832165A JP16566594A JP16566594A JPH0832165A JP H0832165 A JPH0832165 A JP H0832165A JP 16566594 A JP16566594 A JP 16566594A JP 16566594 A JP16566594 A JP 16566594A JP H0832165 A JPH0832165 A JP H0832165A
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- JP
- Japan
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- laser
- crystal
- self
- yab
- laser medium
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 Crが添加されたYAB(YAl3 (B
O3 )4 )結晶およびYGAB(Y(GaX Al1-X )
3 (BO3 )4 :0<x≦0.5)結晶からなる波長可
変/自己高調波媒体レーザー。 【効果】 赤色から近赤色の広い領域で波長可変に発振
でき、さらに自己高調波発生による紫外レーザー光発生
をも可能とするレーザー媒体が実現される。
O3 )4 )結晶およびYGAB(Y(GaX Al1-X )
3 (BO3 )4 :0<x≦0.5)結晶からなる波長可
変/自己高調波媒体レーザー。 【効果】 赤色から近赤色の広い領域で波長可変に発振
でき、さらに自己高調波発生による紫外レーザー光発生
をも可能とするレーザー媒体が実現される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、波長可変/自己高調
波レーザー媒体に関するものである。さらに詳しくは、
この発明は、分光用波長可変光源や光情報処理および医
療用レーザー光源等に特に有用な波長可変/自己高調波
レーザー媒体に関するものである。
波レーザー媒体に関するものである。さらに詳しくは、
この発明は、分光用波長可変光源や光情報処理および医
療用レーザー光源等に特に有用な波長可変/自己高調波
レーザー媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術と課題】従来より、YAB結晶にNdをド
ープしたNd:YAB(NdX Y1-X Al3(B03 )
4 )結晶は、レーザー発振と波長変換の二つの機能を持
つ、いわゆる多機能性結晶として知られている。この結
晶を用いて得られるレーザーは、531nmのグリーン
光である。一方、近年、これよりさらに短波長のレーザ
ーの実現が求められており、そこでNdの代わりにCr
3+をドープしたレーザー媒体の開発が考えられている。
ープしたNd:YAB(NdX Y1-X Al3(B03 )
4 )結晶は、レーザー発振と波長変換の二つの機能を持
つ、いわゆる多機能性結晶として知られている。この結
晶を用いて得られるレーザーは、531nmのグリーン
光である。一方、近年、これよりさらに短波長のレーザ
ーの実現が求められており、そこでNdの代わりにCr
3+をドープしたレーザー媒体の開発が考えられている。
【0003】しかしながら、良質なCr3+:YAB単結
晶の育成は、Crが均一にドープできないことや、成長
縞が生じる等の理由から、現在のところかなり難しく、
育成技術は実際上は確立されていない。また、従来か
ら、Cr3+:YAB(Yttrium Aluminum Borate) 結晶が
蛍光を持つことは知られていたが、レーザー媒体として
の光学特性についての評価はほとんどなされておらず、
実用的有用性は具体的に検討されてこなかった。
晶の育成は、Crが均一にドープできないことや、成長
縞が生じる等の理由から、現在のところかなり難しく、
育成技術は実際上は確立されていない。また、従来か
ら、Cr3+:YAB(Yttrium Aluminum Borate) 結晶が
蛍光を持つことは知られていたが、レーザー媒体として
の光学特性についての評価はほとんどなされておらず、
実用的有用性は具体的に検討されてこなかった。
【0004】この発明は、以上の通りの事情に鑑みてな
されたものであって、より短波長レーザーの実現ととも
に、その光学特性に大きな関心が持たれるCrドープY
AB結晶、またその近似結晶について、その新しい利用
方策を提供することを目的としている。
されたものであって、より短波長レーザーの実現ととも
に、その光学特性に大きな関心が持たれるCrドープY
AB結晶、またその近似結晶について、その新しい利用
方策を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、CrがドープされたYAB結晶
またはYGAB結晶からなる波長可変/自己高調波レー
ザー媒体を提供する。
を解決するものとして、CrがドープされたYAB結晶
またはYGAB結晶からなる波長可変/自己高調波レー
ザー媒体を提供する。
【0006】
【作用】この発明においては、上記の通りCrドープの
YABまたはGaとともに添加したYGABの結晶を用
いることにより、波長可変レーザーもしくは自己高調波
レーザー発振に使用する。このことにより、この発明で
は、赤色から近赤外までの広い領域において波長可変で
レーザー発振でき、また一つの結晶材料でレーザー発振
と同時に第2高調波を発生させることができる等の特徴
が実現される。
YABまたはGaとともに添加したYGABの結晶を用
いることにより、波長可変レーザーもしくは自己高調波
レーザー発振に使用する。このことにより、この発明で
は、赤色から近赤外までの広い領域において波長可変で
レーザー発振でき、また一つの結晶材料でレーザー発振
と同時に第2高調波を発生させることができる等の特徴
が実現される。
【0007】以下実施例を示し、この発明についてさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
【0008】
【実施例】実施例1 この実施例において、Cr3+:YAB単結晶を、K2 M
o3 O10フラックスを用いたトップ・シード溶液法によ
り育成した。炉は抵抗加熱型の円筒炉で、コントローラ
ーの精度は1℃である。坩堝は白金製で50φ×65
〔mm3 〕のものを用いた。原料はY2 O3 、Al2 O
3 、Cr2 O3 、B3 O3 、K2 CO3 、MoO3 で純
度はすべて99.9%のものを用いた。
o3 O10フラックスを用いたトップ・シード溶液法によ
り育成した。炉は抵抗加熱型の円筒炉で、コントローラ
ーの精度は1℃である。坩堝は白金製で50φ×65
〔mm3 〕のものを用いた。原料はY2 O3 、Al2 O
3 、Cr2 O3 、B3 O3 、K2 CO3 、MoO3 で純
度はすべて99.9%のものを用いた。
【0009】Cr:YABとK2 Mo3 O10の合成は次
の反応式により行った。
の反応式により行った。
【0010】
【化1】
【0011】この実施例においては、x=0.005と
し、約1050℃の飽和点から0〜2℃/dayで99
0℃まで降下させた。結晶の育成期間は42日である。
この結晶の蛍光スペクトルおよび蛍光寿命と吸収スペク
トルは、分光光度計(日本分光工業SS−25型高分解
能蛍光分光装置および島津分光光度計UV−3100
S)を用いて測定した。
し、約1050℃の飽和点から0〜2℃/dayで99
0℃まで降下させた。結晶の育成期間は42日である。
この結晶の蛍光スペクトルおよび蛍光寿命と吸収スペク
トルは、分光光度計(日本分光工業SS−25型高分解
能蛍光分光装置および島津分光光度計UV−3100
S)を用いて測定した。
【0012】図1は吸収スペクトルを示したものであ
る。この図1より、420nm帯と600nm帯にブロ
ードな吸収があり、350nm近辺が透明であることが
わかる。図2は蛍光スペクトルを示したものである。約
560nm〜600nmの2つのピークは励起光のスペ
クトルである。約640nm〜860nmにわたるブロ
ードな蛍光があり、約710nm〜740nmに蛍光の
ピークがあることがわかる。蛍光寿命は170μsec
であった。また、誘導放電断面積は、1.3×10-19
cm2 であり、他のCrLiSAF等のCr系レーザー
に比べて大きいことがわかった。
る。この図1より、420nm帯と600nm帯にブロ
ードな吸収があり、350nm近辺が透明であることが
わかる。図2は蛍光スペクトルを示したものである。約
560nm〜600nmの2つのピークは励起光のスペ
クトルである。約640nm〜860nmにわたるブロ
ードな蛍光があり、約710nm〜740nmに蛍光の
ピークがあることがわかる。蛍光寿命は170μsec
であった。また、誘導放電断面積は、1.3×10-19
cm2 であり、他のCrLiSAF等のCr系レーザー
に比べて大きいことがわかった。
【0013】またさらに、この結晶にチタン・サファイ
ア・レーザーの720nmを入射したところ、SHG
(360nm)を確認した。この結果から、この結晶は
350nm付近に吸収がないことから、前記の波長帯の
レーザー発振およびセルフ・ダブリングによる紫外光発
生が可能であることがわかる。これらの結晶は700n
m帯でレーザー発振すればSHG(第2高調波発生)に
よる350nm帯の紫外レーザー光を単一素子で得るこ
とが可能である。
ア・レーザーの720nmを入射したところ、SHG
(360nm)を確認した。この結果から、この結晶は
350nm付近に吸収がないことから、前記の波長帯の
レーザー発振およびセルフ・ダブリングによる紫外光発
生が可能であることがわかる。これらの結晶は700n
m帯でレーザー発振すればSHG(第2高調波発生)に
よる350nm帯の紫外レーザー光を単一素子で得るこ
とが可能である。
【0014】また、厚さ2.5mmの結晶を用いて、光
増幅率を測定したところ、波長820nm近辺で約2倍
の利得が得られ、700〜900nmの領域で波長可変
でレーザー発振の可能性が確認された。図3は、この時
のシングルパス利得の測定結果を示したものである。実施例2 実施例1と同様にして、Cr0.2%、Ga25%のC
r3+:YGAB結晶を育成した。995.8℃、16日
間の育成とした。
増幅率を測定したところ、波長820nm近辺で約2倍
の利得が得られ、700〜900nmの領域で波長可変
でレーザー発振の可能性が確認された。図3は、この時
のシングルパス利得の測定結果を示したものである。実施例2 実施例1と同様にして、Cr0.2%、Ga25%のC
r3+:YGAB結晶を育成した。995.8℃、16日
間の育成とした。
【0015】図4は、その結果の吸収スペクトルを示し
たものであり、図5は蛍光スペクトルを示したものであ
る。Cr3+:YGAB結晶の場合、Cr3+:YAB結晶
と同様の性質がCr3+:YAB結晶のときよりもさらに
長波長側にみられることがわかった。
たものであり、図5は蛍光スペクトルを示したものであ
る。Cr3+:YGAB結晶の場合、Cr3+:YAB結晶
と同様の性質がCr3+:YAB結晶のときよりもさらに
長波長側にみられることがわかった。
【0016】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
り、赤色から近赤色の広い領域で波長可変に発振でき、
さらに自己高調波発生による紫外レーザー光発生をも可
能とするレーザー媒体が実現される。
り、赤色から近赤色の広い領域で波長可変に発振でき、
さらに自己高調波発生による紫外レーザー光発生をも可
能とするレーザー媒体が実現される。
【図1】この発明の実施例においてCr:YAB結晶の
吸収スペクトル図である。
吸収スペクトル図である。
【図2】図1に対応するCr:YAB結晶の蛍光スペク
トル図である。
トル図である。
【図3】別の実施例におけるCr:YGAB結晶の吸収
スペクトル図である。
スペクトル図である。
【図4】シングルパス時の利得の測定図である。
【図5】図3に対応するCr:YGAB結晶の蛍光スペ
クトル図である。
クトル図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 CrがドープされたYAB結晶またはY
GAB結晶からなる波長可変/自己高調波レーザー媒
体。 - 【請求項2】 赤色から近赤外領域において波長可変レ
ーザー発振する請求項1のレーザー媒体。 - 【請求項3】 自己高調波発生により青ないし紫外レー
ザー光を発生する請求項1のレーザー媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16566594A JPH0832165A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 波長可変/自己高調波レーザー媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16566594A JPH0832165A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 波長可変/自己高調波レーザー媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832165A true JPH0832165A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15816694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16566594A Pending JPH0832165A (ja) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 波長可変/自己高調波レーザー媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832165A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2437729A (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-07 | Univ Graz Tech | Ultraviolet excited white phosphor and light emitting devices thereof |
| CN101831706A (zh) * | 2009-03-13 | 2010-09-15 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法 |
| US9461542B2 (en) | 2013-09-20 | 2016-10-04 | Fujitsu Limited | Power supply apparatus |
-
1994
- 1994-07-18 JP JP16566594A patent/JPH0832165A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2437729A (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-07 | Univ Graz Tech | Ultraviolet excited white phosphor and light emitting devices thereof |
| CN101831706A (zh) * | 2009-03-13 | 2010-09-15 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法 |
| US9461542B2 (en) | 2013-09-20 | 2016-10-04 | Fujitsu Limited | Power supply apparatus |
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