JPH08323614A - 化学的機械研磨方法および装置 - Google Patents
化学的機械研磨方法および装置Info
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- JPH08323614A JPH08323614A JP15522695A JP15522695A JPH08323614A JP H08323614 A JPH08323614 A JP H08323614A JP 15522695 A JP15522695 A JP 15522695A JP 15522695 A JP15522695 A JP 15522695A JP H08323614 A JPH08323614 A JP H08323614A
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
- H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 化学的機械研磨方法の特徴を損うことなく、
研磨パッドの目立てを効率的に行うことができる化学的
機械研磨方法および装置を提供する。 【構成】 被研磨物（ウエハ）に対しスラリーを供給し
ながら研磨パッド９を押圧させて研磨を行う化学的機械
研磨方法において、上記研磨パッド９に形状記憶材料１
２を含ませて研磨を行う。
研磨パッドの目立てを効率的に行うことができる化学的
機械研磨方法および装置を提供する。 【構成】 被研磨物（ウエハ）に対しスラリーを供給し
ながら研磨パッド９を押圧させて研磨を行う化学的機械
研磨方法において、上記研磨パッド９に形状記憶材料１
２を含ませて研磨を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において用いる化学的機械研磨方法および装置に関す
る。より詳しくは、多層配線の形成装置および方法の改
良に係わるもので、例えば、高度に微細化高集積化した
メモリー素子や論理演算素子等の半導体集積回路製造の
際における多層配線形成工程での信頼性の高い層間絶縁
膜の平坦化方法やメタルプラグの形成方法に適用可能な
化学的機械研磨方法および装置に関するものである。
において用いる化学的機械研磨方法および装置に関す
る。より詳しくは、多層配線の形成装置および方法の改
良に係わるもので、例えば、高度に微細化高集積化した
メモリー素子や論理演算素子等の半導体集積回路製造の
際における多層配線形成工程での信頼性の高い層間絶縁
膜の平坦化方法やメタルプラグの形成方法に適用可能な
化学的機械研磨方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】デバイスの高密度化に伴って配線技術
は、益々微細化、多層化の方向に進んでおり、半導体集
積回路の製造プロセスにおける所謂多層配線技術の占め
る比重はますます大きくなりつつある。しかし、一方で
は多層化により、新たに発生する問題もある。
は、益々微細化、多層化の方向に進んでおり、半導体集
積回路の製造プロセスにおける所謂多層配線技術の占め
る比重はますます大きくなりつつある。しかし、一方で
は多層化により、新たに発生する問題もある。
【０００３】何故なら、配線の微細化と多層化の進展に
よって層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となりその上
に形成される配線の加工精度、信頼性を低下させる為で
ある。この為Ａｌ配線の段差被覆性の大幅な改善が出来
ない現在、層間絶縁膜の平坦性を向上させる必要があ
る。
よって層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となりその上
に形成される配線の加工精度、信頼性を低下させる為で
ある。この為Ａｌ配線の段差被覆性の大幅な改善が出来
ない現在、層間絶縁膜の平坦性を向上させる必要があ
る。
【０００４】また、層間絶縁膜の平坦性の向上は、リソ
グラフィーの短波長化に伴う焦点深度の低下の点からも
重要になりつつあり、この平坦性の向上により、限界ま
で来ている解像度をキープする必要がある。
グラフィーの短波長化に伴う焦点深度の低下の点からも
重要になりつつあり、この平坦性の向上により、限界ま
で来ている解像度をキープする必要がある。
【０００５】これまでに、各種の絶縁膜の形成技術及び
平坦化技術が開発されてきたが、微細化、多層化した配
線層に適用した場合、配線間隔が広い場合の平坦化の不
足や配線間隔に於ける層間膜でのいわゆる”鬆”の発生
により配線間における接続不良等が重要な問題になって
いる。
平坦化技術が開発されてきたが、微細化、多層化した配
線層に適用した場合、配線間隔が広い場合の平坦化の不
足や配線間隔に於ける層間膜でのいわゆる”鬆”の発生
により配線間における接続不良等が重要な問題になって
いる。
【０００６】そこで、この問題を改善する手段として最
近、従来シリコンウェハーのミラーポリッシュに用いら
れた化学的機械研磨法（ＣＭＰと言われる。）を応用し
て、層間絶縁膜を全体的に平坦化するグローバル平坦化
技術が検討され、一部実行されている。この方法は確実
に層間絶縁膜を完全平坦化できる方法として有望視され
ている。この方法を簡単に述べると以下のようになる。
研磨すべきウェハーを真空チャック又は機械的チャック
によりキャリアに固定保持し、このウェハーがプラテン
と呼ばれる研磨プレートに対向するようにセットする。
この状態でスラリーと呼ばれる研磨粒子の供給系からス
ラリーをスラリー供給口を介して研磨プレート上のパッ
ドと呼ばれる研磨布の上に供給し、研磨プレートの回転
数とキャリアの回転数及び研磨圧力を調整して研磨を行
う。この時、絶縁膜をエッチングする意味でＫＯＨなど
を添加し、塩基性雰囲気で行う。この化学的機械研磨の
あとにスラリー等を十分洗浄液で除去し、平坦化が完成
する。
近、従来シリコンウェハーのミラーポリッシュに用いら
れた化学的機械研磨法（ＣＭＰと言われる。）を応用し
て、層間絶縁膜を全体的に平坦化するグローバル平坦化
技術が検討され、一部実行されている。この方法は確実
に層間絶縁膜を完全平坦化できる方法として有望視され
ている。この方法を簡単に述べると以下のようになる。
研磨すべきウェハーを真空チャック又は機械的チャック
によりキャリアに固定保持し、このウェハーがプラテン
と呼ばれる研磨プレートに対向するようにセットする。
この状態でスラリーと呼ばれる研磨粒子の供給系からス
ラリーをスラリー供給口を介して研磨プレート上のパッ
ドと呼ばれる研磨布の上に供給し、研磨プレートの回転
数とキャリアの回転数及び研磨圧力を調整して研磨を行
う。この時、絶縁膜をエッチングする意味でＫＯＨなど
を添加し、塩基性雰囲気で行う。この化学的機械研磨の
あとにスラリー等を十分洗浄液で除去し、平坦化が完成
する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来のＣＭＰ方法にもいくつか解決すべき問題点があ
る。その一つに研磨パッドの使用時間の経過に伴う”へ
たり現象”がある。これを簡単に説明すると以下のよう
になる。研磨パッドは、例えば目の立った布のようなも
ので、研磨面が多数の研磨毛により形成されている。こ
の研磨毛の間にスラリーが侵入し被研磨物（例えば半導
体ウエハ）の表面研磨を行うものである。ところが、研
磨を進めていくうちに、この目（研磨毛）がへたってき
て、即ち最初立っていた目（研磨毛）が倒れてきて弾力
性がなくなり、スラリーを保持できなくなって研磨速度
が低下する。このため、何枚かのウエハの研磨が終った
後、パッドコンディショニングと呼ばれる研磨パッドの
目立て作業を行わなければならない。しかしながら、こ
のような目立て作業は、研磨処理の効率を低下させスル
ープットの低下を来す。このため、元々スループットが
低い化学的機械研磨に対しさらに生産性を低下させてい
た。
従来のＣＭＰ方法にもいくつか解決すべき問題点があ
る。その一つに研磨パッドの使用時間の経過に伴う”へ
たり現象”がある。これを簡単に説明すると以下のよう
になる。研磨パッドは、例えば目の立った布のようなも
ので、研磨面が多数の研磨毛により形成されている。こ
の研磨毛の間にスラリーが侵入し被研磨物（例えば半導
体ウエハ）の表面研磨を行うものである。ところが、研
磨を進めていくうちに、この目（研磨毛）がへたってき
て、即ち最初立っていた目（研磨毛）が倒れてきて弾力
性がなくなり、スラリーを保持できなくなって研磨速度
が低下する。このため、何枚かのウエハの研磨が終った
後、パッドコンディショニングと呼ばれる研磨パッドの
目立て作業を行わなければならない。しかしながら、こ
のような目立て作業は、研磨処理の効率を低下させスル
ープットの低下を来す。このため、元々スループットが
低い化学的機械研磨に対しさらに生産性を低下させてい
た。
【０００８】本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなさ
れたものであって、化学的機械研磨方法の特徴を損うこ
となく、研磨パッドの目立てを効率的に行うことができ
る化学的機械研磨方法および装置の提供を目的とする。
れたものであって、化学的機械研磨方法の特徴を損うこ
となく、研磨パッドの目立てを効率的に行うことができ
る化学的機械研磨方法および装置の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、被研磨物に対しスラリーを供給しなが
ら研磨パッドを押圧させて研磨を行う化学的機械研磨方
法において、上記研磨パッドに形状記憶材料を含ませて
研磨を行うことを特徴とする化学的機械研磨方法を提供
する。
め、本発明では、被研磨物に対しスラリーを供給しなが
ら研磨パッドを押圧させて研磨を行う化学的機械研磨方
法において、上記研磨パッドに形状記憶材料を含ませて
研磨を行うことを特徴とする化学的機械研磨方法を提供
する。
【００１０】好ましい実施例においては、前記形状記憶
材料は、形状記憶合金からなることを特徴としている。
材料は、形状記憶合金からなることを特徴としている。
【００１１】本発明ではさらに、被研磨物に対しスラリ
ーを供給しながら研磨パッドを押圧させて研磨を行う化
学的機械研磨装置において、上記研磨パッドに形状記憶
材料を含ませたことを特徴とする化学的機械研磨装置を
提供する。
ーを供給しながら研磨パッドを押圧させて研磨を行う化
学的機械研磨装置において、上記研磨パッドに形状記憶
材料を含ませたことを特徴とする化学的機械研磨装置を
提供する。
【００１２】
【作用】研磨パッドの目の立った状態（研磨毛の直立し
た状態）で形状記憶材料を例えば各研磨毛の芯にして研
磨パッドを作製する。研磨の進行とともに前述のへたり
現象がおこり各研磨毛の弾力性が弱まり倒れてくる。こ
こで研磨を中断して研磨パッドを作製時の環境条件に戻
すことにより、形状記憶材料が元の直立した形状に戻
り、研磨パッドの目が立った状態に復帰する。
た状態）で形状記憶材料を例えば各研磨毛の芯にして研
磨パッドを作製する。研磨の進行とともに前述のへたり
現象がおこり各研磨毛の弾力性が弱まり倒れてくる。こ
こで研磨を中断して研磨パッドを作製時の環境条件に戻
すことにより、形状記憶材料が元の直立した形状に戻
り、研磨パッドの目が立った状態に復帰する。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の具体的な実施例について説明
する。
する。
【００１４】ここで、実際の研磨プロセスの説明に先立
ち、まず、本発明を実施する為に使用した化学的機械研
磨装置について図５を参照しながら説明する。図５はこ
の研磨装置の概略を示したものである。ウェハー５を保
持したキャリア６を、ウェハー５がプラテンと呼ばれる
研磨プレート３に対向するようにセットする。ウェハー
５は図示しないチャック手段により、キャリア６に保持
される。この状態で、スラリー供給系１０に貯蔵された
スラリー２をスラリー供給口１から研磨プレート３上の
研磨布（研磨パッド）９の上に供給し、研磨プレート回
転軸４の回転数とキャリア６の回転軸７の回転数及び研
磨圧力調整器（図示しない）の押付け圧力８を調整して
研磨を行う。
ち、まず、本発明を実施する為に使用した化学的機械研
磨装置について図５を参照しながら説明する。図５はこ
の研磨装置の概略を示したものである。ウェハー５を保
持したキャリア６を、ウェハー５がプラテンと呼ばれる
研磨プレート３に対向するようにセットする。ウェハー
５は図示しないチャック手段により、キャリア６に保持
される。この状態で、スラリー供給系１０に貯蔵された
スラリー２をスラリー供給口１から研磨プレート３上の
研磨布（研磨パッド）９の上に供給し、研磨プレート回
転軸４の回転数とキャリア６の回転軸７の回転数及び研
磨圧力調整器（図示しない）の押付け圧力８を調整して
研磨を行う。
【００１５】なお、ウェハー載置の方法などやプラテ
ン、キャリアの数や構成およびスラリーの種類について
は、特に限定されるものではない。
ン、キャリアの数や構成およびスラリーの種類について
は、特に限定されるものではない。
【００１６】図１は本発明の実施例に係る研磨パッド９
の構成および作用を示す説明図である。研磨パッド９の
研磨面側は多数の直立した研磨毛１１により構成され
る。各研磨毛１１は形状記憶合金１２を芯として形成さ
れる。このような研磨パッド９を作製する場合、形状記
憶合金１２に対し適当な樹脂材料をコーティングするこ
とにより研磨毛１１を形成することができる。
の構成および作用を示す説明図である。研磨パッド９の
研磨面側は多数の直立した研磨毛１１により構成され
る。各研磨毛１１は形状記憶合金１２を芯として形成さ
れる。このような研磨パッド９を作製する場合、形状記
憶合金１２に対し適当な樹脂材料をコーティングするこ
とにより研磨毛１１を形成することができる。
【００１７】研磨に使用する前は、（Ａ）図に示すよう
に、形状記憶合金１２は直立した状態であり、研磨毛１
１が立った状態（目の立った状態）である。
に、形状記憶合金１２は直立した状態であり、研磨毛１
１が立った状態（目の立った状態）である。
【００１８】このような研磨パッドを研磨に使用してあ
る程度の研磨時間が経過すると、（Ｂ）図に示すよう
に、研磨中の押し付け圧力により研磨毛１１が倒れてき
て、いわゆる”へたり状態”になる。このとき研磨毛１
１の芯である形状記憶合金１２も同様に倒れている。
る程度の研磨時間が経過すると、（Ｂ）図に示すよう
に、研磨中の押し付け圧力により研磨毛１１が倒れてき
て、いわゆる”へたり状態”になる。このとき研磨毛１
１の芯である形状記憶合金１２も同様に倒れている。
【００１９】ここで研磨を中断して、研磨パッド９を研
磨に使用する前の作製時の環境条件に戻すことにより、
（Ｃ）図に示すように、形状記憶合金１２が元の直立状
態に戻り、これにより各研磨毛１１が立った状態に戻
る。
磨に使用する前の作製時の環境条件に戻すことにより、
（Ｃ）図に示すように、形状記憶合金１２が元の直立状
態に戻り、これにより各研磨毛１１が立った状態に戻
る。
【００２０】図２は、本発明に係る研磨パッド９の別の
例の構成および作用説明図である。この例は研磨パッド
全体を形状記憶材料により構成した例であり、研磨毛１
１自体が形状記憶材料により形成される。その他の構成
および作用は前記図１の例と同様である。この例におい
ても、単に環境条件を元に戻すことによってへたりが回
復する。
例の構成および作用説明図である。この例は研磨パッド
全体を形状記憶材料により構成した例であり、研磨毛１
１自体が形状記憶材料により形成される。その他の構成
および作用は前記図１の例と同様である。この例におい
ても、単に環境条件を元に戻すことによってへたりが回
復する。
【００２１】以下本発明に係る研磨パッドを用いて実際
に研磨処理を行った具体的な例について説明する。
に研磨処理を行った具体的な例について説明する。
【００２２】（実施例１）本実施例は、上記ＣＭＰ装置
を用いてＡｌ配線層間の絶縁膜を平坦化した場合であ
る。図３（ａ）に示した様にシリコン等からなる半導体
基板１０１上に酸化シリコン等からなる第一の層間絶縁
膜１０２及びＡｌ配線層１０３を形成し、更に第二の層
間膜１０４が形成されたウェハーを用意した。これらは
全て通常の方法で行った。
を用いてＡｌ配線層間の絶縁膜を平坦化した場合であ
る。図３（ａ）に示した様にシリコン等からなる半導体
基板１０１上に酸化シリコン等からなる第一の層間絶縁
膜１０２及びＡｌ配線層１０３を形成し、更に第二の層
間膜１０４が形成されたウェハーを用意した。これらは
全て通常の方法で行った。
【００２３】次に前述の図５に示す研磨装置を用いて以
下の条件で第二の層間膜１０４の化学的機械研磨を行っ
た。このとき研磨パッドは前述の図２に示すものを用い
た。 研磨プレート回転数 ： ５０ｒｐｍ キャリアー回転数 ： １７ｒｐｍ 研磨圧力 ： ８ｐｓｉ 研磨パッド温度 ： ３０〜４０℃ スラリー流量 ： ２２５ｍｌ／ｍｉｎ この研磨条件は絶縁膜の研磨条件としては一般的なもの
である。ここでは塩基性の雰囲気で研磨を行なうためス
ラリーをＫＯＨ／水／アルコールに懸濁させたものを用
いた。
下の条件で第二の層間膜１０４の化学的機械研磨を行っ
た。このとき研磨パッドは前述の図２に示すものを用い
た。 研磨プレート回転数 ： ５０ｒｐｍ キャリアー回転数 ： １７ｒｐｍ 研磨圧力 ： ８ｐｓｉ 研磨パッド温度 ： ３０〜４０℃ スラリー流量 ： ２２５ｍｌ／ｍｉｎ この研磨条件は絶縁膜の研磨条件としては一般的なもの
である。ここでは塩基性の雰囲気で研磨を行なうためス
ラリーをＫＯＨ／水／アルコールに懸濁させたものを用
いた。
【００２４】その結果、図３（ｂ）に示すような平坦化
加工ができた。この実施例による研磨プロセスにおいて
は、従来の化学的機械研磨装置で研磨処理した場合に比
べ、研磨パッドの目立て作業に要する時間が大きく削減
されたため、週あたりのトータルスループットが３０％
向上した。
加工ができた。この実施例による研磨プロセスにおいて
は、従来の化学的機械研磨装置で研磨処理した場合に比
べ、研磨パッドの目立て作業に要する時間が大きく削減
されたため、週あたりのトータルスループットが３０％
向上した。
【００２５】（実施例２）本実施例は、Ａｌ配線層形成
の際のブランケットＷの金属膜を平均化した場合であ
る。図４（ａ）に示した様にシリコン等からなる半導体
基板１０１上に酸化シリコン等からなる第一の層間絶縁
膜１０２及びＡｌ配線層１０３を形成し、更に第二の層
間膜１０４を形成し、開口部１０５を穿った後、ブラン
ケットタングステン１０６を前記開口部１０５に埋め込
んだウェハーを用意した。これらは全て通常の方法で行
った。
の際のブランケットＷの金属膜を平均化した場合であ
る。図４（ａ）に示した様にシリコン等からなる半導体
基板１０１上に酸化シリコン等からなる第一の層間絶縁
膜１０２及びＡｌ配線層１０３を形成し、更に第二の層
間膜１０４を形成し、開口部１０５を穿った後、ブラン
ケットタングステン１０６を前記開口部１０５に埋め込
んだウェハーを用意した。これらは全て通常の方法で行
った。
【００２６】次に前述の図５に示す研磨装置を用いて以
下の条件で化学的機械研磨を行なった。研磨パッドは前
述の図２に示すものを用いた。
下の条件で化学的機械研磨を行なった。研磨パッドは前
述の図２に示すものを用いた。
【００２７】 研磨プレート回転数 ： ５０ｒｐｍ キャリアー回転数 ： １７ｒｐｍ 研磨圧力 ： １０ｐｓｉ 研磨パッド温度 ： ３０〜４０℃ スラリー流量 ： ２２５ｍｌ／ｍｉｎ この研磨条件は膜の研磨条件としては一般的なものであ
る。ここでは酸性の雰囲気で研磨を行なうためスラリー
を希フッ酸／水／アルコールに懸濁させたものを用い
た。
る。ここでは酸性の雰囲気で研磨を行なうためスラリー
を希フッ酸／水／アルコールに懸濁させたものを用い
た。
【００２８】その結果、図４（ｂ）に示すような平坦化
加工ができた。この実施例による研磨プロセスにおいて
は、従来の化学的機械研磨装置で研磨処理した場合に比
べ、研磨パッドの目立て作業に要する時間が大きく削減
されたため、週あたりのトータルスループットが３０％
向上した。
加工ができた。この実施例による研磨プロセスにおいて
は、従来の化学的機械研磨装置で研磨処理した場合に比
べ、研磨パッドの目立て作業に要する時間が大きく削減
されたため、週あたりのトータルスループットが３０％
向上した。
【００２９】（実施例３）本実施例は、上記実施例１の
場合と同様に、上記ＣＭＰ装置を用いてＡｌ配線層間の
絶縁膜を平坦化した場合である。図３（ａ）に示した様
にシリコン等からなる半導体基板１０１上に酸化シリコ
ン等からなる第一の層間絶縁膜１０２及びＡｌ配線層１
０３を形成し、更に第二の層間膜１０４が形成されたウ
ェハーを用意した。これらは全て通常の方法で行った。
場合と同様に、上記ＣＭＰ装置を用いてＡｌ配線層間の
絶縁膜を平坦化した場合である。図３（ａ）に示した様
にシリコン等からなる半導体基板１０１上に酸化シリコ
ン等からなる第一の層間絶縁膜１０２及びＡｌ配線層１
０３を形成し、更に第二の層間膜１０４が形成されたウ
ェハーを用意した。これらは全て通常の方法で行った。
【００３０】次に図５に示す研磨装置を用いて以下の条
件で第二の層間膜１０４の化学的機械研磨を行った。こ
の実施例３においては、上記実施例１、２の場合と異な
り、研磨パッドとして図１に示すように研磨毛の芯材と
して形状記憶合金を用いたものを用いた。
件で第二の層間膜１０４の化学的機械研磨を行った。こ
の実施例３においては、上記実施例１、２の場合と異な
り、研磨パッドとして図１に示すように研磨毛の芯材と
して形状記憶合金を用いたものを用いた。
【００３１】 研磨プレート回転数 ： ５０ｒｐｍ キャリアー回転数 ： １７ｒｐｍ 研磨圧力 ： ８ｐｓｉ 研磨パッド温度 ： ３０〜４０℃ スラリー流量 ： ２２５ｍｌ／ｍｉｎ この研磨条件は絶縁膜の研磨条件としては一般的なもの
である。ここでは塩基性の雰囲気で研磨を行なうためス
ラリーをＫＯＨ／水／アルコールに懸濁させたものを用
いた。
である。ここでは塩基性の雰囲気で研磨を行なうためス
ラリーをＫＯＨ／水／アルコールに懸濁させたものを用
いた。
【００３２】その結果、図３（ｂ）に示すような平坦化
加工ができた。この実施例による研磨プロセスにおいて
は、従来の化学的機械研磨装置で研磨処理した場合に比
べ、研磨パッドの目立て作業に要する時間が大きく削減
されたため、週あたりのトータルスループットが４０％
向上した。
加工ができた。この実施例による研磨プロセスにおいて
は、従来の化学的機械研磨装置で研磨処理した場合に比
べ、研磨パッドの目立て作業に要する時間が大きく削減
されたため、週あたりのトータルスループットが４０％
向上した。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、化学的機械研磨プロセスにおいて、形状記憶材料か
らなる研磨パッドを用いて研磨を行っているため、パッ
ドのへたりを回復させるための目立て作業が不要にな
り、単に使用前の環境条件に戻すだけで研磨パッドの研
磨毛が直立状態に戻るため、研磨プロセスが簡素化し生
産性が高まりトータルスループットが向上する。これに
より、信頼性のよいプロセスで化学的機械研磨処理を行
ってＬＳＩ等の半導体装置の生産性を向上させることが
できる。
は、化学的機械研磨プロセスにおいて、形状記憶材料か
らなる研磨パッドを用いて研磨を行っているため、パッ
ドのへたりを回復させるための目立て作業が不要にな
り、単に使用前の環境条件に戻すだけで研磨パッドの研
磨毛が直立状態に戻るため、研磨プロセスが簡素化し生
産性が高まりトータルスループットが向上する。これに
より、信頼性のよいプロセスで化学的機械研磨処理を行
ってＬＳＩ等の半導体装置の生産性を向上させることが
できる。
【図１】 本発明の実施例に係る化学的機械研磨装置の
研磨パッドの構成および作用説明図である。
研磨パッドの構成および作用説明図である。
【図２】 本発明の別の実施例に係る化学的機械研磨装
置の研磨パッドの構成および作用説明図である。
置の研磨パッドの構成および作用説明図である。
【図３】 本発明の実施例に係る化学的機械研磨処理装
置による研磨プロセスの第１の例を示す説明図である。
置による研磨プロセスの第１の例を示す説明図である。
【図４】 本発明の実施例に係る化学的機械研磨処理装
置による研磨プロセスの第２の例を示す説明図である。
置による研磨プロセスの第２の例を示す説明図である。
【図５】 本発明の実施例に係る化学的機械研磨処理装
置の全体構成図である。
置の全体構成図である。
１：スラリー供給口、２：スラリー、３：研磨プレー
ト、４：研磨プレート回転軸、５：ウエハ、６：キャリ
ア、７：キャリア回転軸、８：研磨押圧力、９：研磨パ
ッド、１０：スラリー供給系、１１：研磨毛、１２：形
状記憶合金。
ト、４：研磨プレート回転軸、５：ウエハ、６：キャリ
ア、７：キャリア回転軸、８：研磨押圧力、９：研磨パ
ッド、１０：スラリー供給系、１１：研磨毛、１２：形
状記憶合金。
Claims (3)
- 【請求項１】 被研磨物に対しスラリーを供給しながら
研磨パッドを押圧させて研磨を行う化学的機械研磨方法
において、上記研磨パッドに形状記憶材料を含ませて研
磨を行うことを特徴とする化学的機械研磨方法。 - 【請求項２】 前記形状記憶材料は、形状記憶合金から
なることを特徴とする請求項１に記載の化学的機械研磨
方法。 - 【請求項３】 被研磨物に対しスラリーを供給しながら
研磨パッドを押圧させて研磨を行う化学的機械研磨装置
において、上記研磨パッドに形状記憶材料を含ませたこ
とを特徴とする化学的機械研磨装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15522695A JPH08323614A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 化学的機械研磨方法および装置 |
| US08/650,309 US5736463A (en) | 1995-05-30 | 1996-05-20 | Method and apparatus for chemical/mechanical polishing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15522695A JPH08323614A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 化学的機械研磨方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08323614A true JPH08323614A (ja) | 1996-12-10 |
Family
ID=15601289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15522695A Pending JPH08323614A (ja) | 1995-05-30 | 1995-05-30 | 化学的機械研磨方法および装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5736463A (ja) |
| JP (1) | JPH08323614A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009045736A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 化学機械研磨方法 |
| JP2009056584A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-19 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 改良されたケミカルメカニカル研磨パッドならびに同研磨パッドの製造法および使用法 |
| JP2009078348A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-04-16 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 改良されたケミカルメカニカル研磨パッドならびに同研磨パッドの製造法および使用法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6431959B1 (en) * | 1999-12-20 | 2002-08-13 | Lam Research Corporation | System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon |
| US8257142B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5154021A (en) * | 1991-06-26 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | Pneumatic pad conditioner |
| US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
| US5456736A (en) * | 1992-04-06 | 1995-10-10 | Hitachi, Ltd. | Lap and lapping liquor |
-
1995
- 1995-05-30 JP JP15522695A patent/JPH08323614A/ja active Pending
-
1996
- 1996-05-20 US US08/650,309 patent/US5736463A/en not_active Expired - Fee Related
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| KR101442258B1 (ko) * | 2007-08-15 | 2014-10-01 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 개선된 화학적 기계적 연마 패드, 및 그의 제조 방법 및 사용 방법 |
| KR101453565B1 (ko) * | 2007-08-15 | 2014-10-21 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스, 인코포레이티드 | 화학적 기계적 연마 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5736463A (en) | 1998-04-07 |
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