JPH08323627A - Honing system - Google Patents

Honing system

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Publication number
JPH08323627A
JPH08323627A JP12289096A JP12289096A JPH08323627A JP H08323627 A JPH08323627 A JP H08323627A JP 12289096 A JP12289096 A JP 12289096A JP 12289096 A JP12289096 A JP 12289096A JP H08323627 A JPH08323627 A JP H08323627A
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JP
Japan
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honing
substrate
substrates
support
support structure
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP12289096A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eugene A Swain
エイ.スウェイン ユージン
Henry T Mastalski
ティー.マスタルスキー ヘンリー
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Xerox Corp
Original Assignee
Xerox Corp
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Publication date
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Publication of JPH08323627A publication Critical patent/JPH08323627A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a honing system for simultaneously honing a plurality of light receiving body base bodies. SOLUTION: A honing system includes at least one support assembly having movable support structure 14 and a planetary array comprising a plurality of movable supporting arms 16. Each supporting arm 16 can hold at least one base body 18. A honing chamber surrounds a plurality of support base faces to perform honing. The honing chamber includes a nozzle for spraying a honing solution uniformly to a plurality of base bodies 18 so as to form a smooth non-reflecting surface on each base body 18.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基体の表面処理シ
ステムおよび方法に関し、特に、受光体基体の表面処理
装置及びプロセスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate surface treatment system and method, and more particularly to a photoreceptor substrate surface treatment apparatus and process.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】受光
体上に画像を形成する電子写真印刷の分野では、コヒー
レント光の使用が近年増えている。しかし、コヒーレン
ト光源を多層受光体と組み合わせて使用すると、「積層
材効果(plywood effect)」あるいは
「干渉縞効果」と呼ばれる印刷画質上の欠陥が生じる。
干渉縞とは、コヒーレント光が多層受光体上に拡がるイ
ンターフェイスで反射したときに生じる一連の明暗の縞
である。有機物光導電体(OPC)の受光体では、大気
と電荷移動層との境界面(最上面)での反射と、アンダ
ーコート層または電荷ブロック層と基体との境界面(基
体表面)での反射が、干渉縞を生じさせる主要な原因で
ある。このような干渉縞効果は、基体表面での強力な反
射と、それに重なる電荷移動層表面の強力な反射を消去
あるいは抑制することで、解消することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION The use of coherent light has increased in recent years in the field of electrophotographic printing for forming images on photoreceptors. However, the use of a coherent light source in combination with a multi-layered photoreceptor results in print quality defects called the "plywood effect" or "interference fringe effect."
Interference fringes are a series of bright and dark fringes that occur when coherent light is reflected by an interface that spreads over a multilayer photoreceptor. For organic photoconductor (OPC) photoreceptors, reflection at the boundary surface (top surface) between the atmosphere and the charge transfer layer and reflection at the boundary surface between the undercoat layer or charge blocking layer and the substrate (substrate surface) Is the main cause of interference fringes. Such an interference fringe effect can be eliminated by eliminating or suppressing the strong reflection on the surface of the substrate and the strong reflection on the surface of the charge transfer layer overlapping with the strong reflection.

【0003】ハモンド(Hammond )らの米国特許第 5,2
48,529号、特願平2−320559号、特願平2−40
4541号、特願平2−404540号などは、プラネ
タリアレイに配置した受光体基体の洗浄、被膜、硬化処
理方法および装置を開示するが、これらのいずれも上述
した積層材効果の低減、解消には言及していない。
US Pat. No. 5,2, Hammond et al.
48,529, Japanese Patent Application No. 2-320559, Japanese Patent Application No. 2-40
No. 4541, Japanese Patent Application No. 2-404540 and the like disclose methods and apparatuses for cleaning, coating, and curing a photoreceptor substrate arranged in a planetary array, all of which are for reducing or eliminating the above-mentioned laminated material effect. Is not mentioned.

【0004】一方、電荷移動層と大気とのインターフェ
イス面での反射を抑制する方法は、多数提案されてい
る。例えば、電荷移動層にSiO2あるいはその他の粒
子を混入することによって電荷移動層の表面を粗くす
る、反射防止膜や散乱物質膜などの適切な保護膜を塗布
する、陽極処理、乾式ブラスト、湿式ホーニングなどで
表面を粗くする、などの方法が知られている。
On the other hand, many methods for suppressing reflection on the interface surface between the charge transfer layer and the atmosphere have been proposed. For example, the surface of the charge transfer layer is roughened by mixing SiO2 or other particles into the charge transfer layer, an appropriate protective film such as an antireflection film or a scattering material film is applied, anodizing, dry blasting, wet honing There are known methods such as roughening the surface with.

【0005】一般的な干渉縞抑制方法、あるいは基体表
面の反射を抑さえることによる干渉縞の抑制方法に関す
る特許としては、接地板への不透明伝導層の形成を開示
するタナカ(Tanaka)らの米国特許第 4,741,918号、バ
フ車を使用した被膜処理プロセスを開示するナジ・ド・
ナジバクゾン(Nagy de Nagybaczon)らの米国特許第4,
741,918 号、滑らかな支持基面上への粗面感光層の形成
を開示するクボ(Kubo)らの米国特許第 4,904,557号、
基体表面を粗くする研削方法を開示するフジムラ(Fuji
mura)らの米国特許第 4,134,763号、基体表面上への反
射防止層の形成を開示するシンプソン(Simpson )らの
米国特許第 5,096,792号、基体としての酸化すずインジ
ウムの透明接地板を開示するアンドリューズ(Andrewa
)らの米国特許第 5,051,328号の他、ジョドゥイン(J
odoin)らの米国特許第5,089,908号、ハーバート(Herb
ert )らの米国特許第 5,069,758号、フィッシャー(Fi
sher)の米国特許第4,076,564 号がある。
As a patent for a general method for suppressing interference fringes or a method for suppressing interference fringes by suppressing reflection on the surface of a substrate, Tanaka et al., US, which discloses the formation of an opaque conductive layer on a ground plate, is disclosed. Japanese Patent No. 4,741,918, Naji De., Which discloses a coating process using a buffing wheel.
US Patent No. 4, to Nagy de Nagybaczon et al.,
741,918, Kubo et al., U.S. Pat. No. 4,904,557, which discloses the formation of a roughened photosensitive layer on a smooth support substrate.
Fujimura discloses a grinding method for roughening a substrate surface (Fuji
U.S. Pat. No. 4,134,763 to Surason et al., Simpson et al. U.S. Pat. (Andrewa
) Et al., U.S. Pat.
odoin et al., U.S. Pat. No. 5,089,908, Herb
ert, et al., U.S. Pat. No. 5,069,758, Fischer (Fi
Sher) U.S. Pat. No. 4,076,564.

【0006】受光体基体の表面にセラミック粒子とガラ
ス粒子を吹き付けることによって表面を粗くする方法は
従来から知られている。例えば英国特許第2,224,224 号
は、電子写真印刷用基体をホーニングでしゅす仕上げす
ることによって干渉縞パターンや斑点などを解消する、
電子写真印刷用基体の研磨剤噴霧処理を開示している。
しかしこのような粒子のサイズ分布は一般にランダムで
あり、表面が不規則な形状となることも多かった。
A method for roughening the surface of a photoreceptor substrate by spraying ceramic particles and glass particles on the surface of the photoreceptor substrate is conventionally known. For example, British Patent No. 2,224,224 eliminates interference fringe patterns and spots by honing the electrophotographic printing substrate.
Disclosed is an abrasive spray treatment of an electrophotographic printing substrate.
However, the size distribution of such particles is generally random, and the surface often has an irregular shape.

【0007】一方、特開平2−87154号は、研磨剤
の懸濁液を用いた湿式ホーニングによって電子写真受光
体基体表面を粗くする技術を開示する。この方法だと、
上述の問題点を克服することができる。湿式ホーニング
を用いると、基体の粗面処理を短時間のうちに安定して
行なえるうえに、表面を正確に所望の粗さに処理するこ
とができる。さらに、コーティング不良の原因となる不
規則な凸凹をほとんど生じずに、均一な粗面が得られる
という利点を有する。このような利点から、湿式ホーニ
ングは、生産性の面でも画質の安定性(斑点や干渉縞が
ない)の面でも、陽極処理やバフみがきなどの表面処理
方法と比較して、優れているといえる。
On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 2-87154 discloses a technique for roughening the surface of an electrophotographic photoreceptor substrate by wet honing using a suspension of an abrasive. This way,
The problems mentioned above can be overcome. When wet honing is used, the roughening treatment of the substrate can be stably performed in a short time, and the surface can be accurately treated to have a desired roughness. Furthermore, there is an advantage that a uniform rough surface can be obtained with almost no irregularities that cause defective coating. Due to these advantages, wet honing is superior in terms of productivity and image stability (no spots or interference fringes) to surface treatment methods such as anodizing and buffing. I can say.

【0008】このようなホーニングシステムは、通常は
2本のスピンドルを使用して、水と懸濁させた液体ホー
ニング媒体を回転する基体上に噴霧するものであるが、
より高い生産性と製造コストの低減が望まれる。それゆ
え、本発明の目的は、複数の受光体基体を同時にホーニ
ング処理するシステムと方法の提供にある。
[0008] Such honing systems typically use two spindles to spray a liquid honing medium, suspended in water, onto a rotating substrate.
Higher productivity and reduction of manufacturing cost are desired. Therefore, it is an object of the present invention to provide a system and method for simultaneously honing multiple photoreceptor substrates.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は特に、複数の受光体基体に対して同時にホ
ーニング処理を行なうプラネタリホーニングアセンブリ
に関する。
In order to achieve the above object, the present invention particularly relates to a planetary honing assembly for simultaneously honing a plurality of photoreceptor substrates.

【0010】本発明のホーニングアセンブリは、中心軸
を有する可動支持体を含む少なくともひとつの基体支持
アセンブリを含む。複数の可動支持アームが前記可動支
持体上に前記中心軸のまわりにプラネタリアレイ形態に
配置される。各支持アームは、中心軸にほぼ平行な支持
アーム軸を有し、各々が少なくともひとつの受光体基体
を保持可能である。各支持アームはその軸について回転
可能である。
The honing assembly of the present invention includes at least one substrate support assembly including a moveable support having a central axis. A plurality of movable support arms are arranged on the movable support in a planetary array configuration about the central axis. Each support arm has a support arm axis that is substantially parallel to the central axis and is capable of holding at least one photoreceptor substrate. Each support arm is rotatable about its axis.

【0011】本発明のホーニングアセンブリはさらに、
複数の基体を取り囲むホーニング室を含む。ホーニング
室は、基体にホーニング溶液を噴霧するための少なくと
もひとつのマルチオリフィスホーニングノズルを有す
る。前記少なくともひとつのマルチオリフィスホーニン
グノズルは支持体の中心軸に沿って位置する。懸濁粒子
の混合物を含むホーニング溶液を噴霧することによっ
て、各受光体基体上に非反射面が形成される。
The honing assembly of the present invention further comprises:
It includes a honing chamber surrounding a plurality of substrates. The honing chamber has at least one multi-orifice honing nozzle for spraying the substrate with the honing solution. The at least one multi-orifice honing nozzle is located along the central axis of the support. A non-reflective surface is formed on each photoreceptor substrate by spraying a honing solution containing a mixture of suspended particles.

【0012】ホーニングアセンブリは、複数の基体を同
時にホーニングするマルチステーションプラネタリホー
ニングシステムの一部として設けてもよい。その場合ホ
ーニングアセンブリは、一連の処理ステーションの中の
ひとつの処理ステーションとして機能する。ホーニング
システムは、ホーニング終了後に各受光体基体から過剰
のホーニング溶液を除去するための洗浄ステーションを
含む。ホーニングシステムはまた、複数の基体を複数の
支持アーム上に登載し、ここから取り外すための少なく
ともひとつの追加ステーションを含む。ホーニングシス
テムはまた、基体支持アセンブリを各ステーション間で
移動させるアセンブリを含む。
The honing assembly may be provided as part of a multi-station planetary honing system that simultaneously hones multiple substrates. The honing assembly then functions as one processing station in the series. The honing system includes a wash station to remove excess honing solution from each photoreceptor substrate after honing is complete. The honing system also includes at least one additional station for mounting and removing a plurality of substrates on a plurality of support arms. The honing system also includes an assembly that moves the substrate support assembly between each station.

【0013】本発明はまた、上述したホーニングシステ
ムを使用して複数の基体を同時にホーニングする方法に
も関する。この方法は、複数の支持アームのそれぞれに
複数の基体の内の少なくともひとつを配置するステップ
を含む。基体は次にホーニング室内に位置される。ホー
ニング溶液を基体に噴霧する間、支持アームは回転す
る。
The present invention also relates to a method of simultaneously honing a plurality of substrates using the honing system described above. The method includes disposing at least one of the plurality of substrates on each of the plurality of support arms. The substrate is then placed in the honing chamber. The support arm rotates while the honing solution is sprayed onto the substrate.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明を、図面を参照して実施形
態に基づいて述べてゆく。同様の要素には同様の符号が
与えられる。本発明は、円筒形または帯状の受光体基体
の製造に関し、特にフォトコピー用の堅い円筒形の、ま
たは柔軟な帯状の受光体に関連する。本発明で用いる基
体は、円筒形あるいは帯状の構造であり、その表面を光
導電性物質でコーティングすることによって受光体とな
る。しかしもちろん、その他のコーティングされた基体
や記録方法にも本発明は適用可能である。 (第1実施形態)図1および2に、本発明の第1実施形
態による支持構造を示す。支持構造14は、支持アーム
16のプラネタリアレイを含み、各支持アーム16は、
支持構造14の中心水平軸Hから放射方向に離間されて
配置されるオフセット水平軸hを有する。支持アーム1
6は、少なくともひとつの基体18を(好ましくは2つ
以上の基体)を支持することができ、支持構造14は、
基体18のプラネタリ配列を実現する。各基体18は、
中心水平軸Hに対して平行であり、この軸から放射方向
に離間される。好ましくは、支持アーム16は、基体が
中心水平軸Hに対して対称に配置されるよう、中心水平
軸Hを中心とする環状アレイに構成される。支持アーム
16は、中心水平軸Hのまわりに回転する必要はない
が、適用形態によっては、中心軸Hまわりに回転させて
もよい。本明細書において、用語「プラネタリ」は、支
持アーム16が中心水平軸Hを囲むことを意味する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described based on embodiments with reference to the drawings. Like elements are given like numbers. The present invention relates to the manufacture of cylindrical or strip photoreceptor substrates, and more particularly to rigid cylindrical or flexible strip photoreceptors for photocopying. The substrate used in the present invention has a cylindrical or strip-like structure, and its surface is coated with a photoconductive substance to form a photoreceptor. However, of course, the present invention is applicable to other coated substrates and recording methods. (First Embodiment) FIGS. 1 and 2 show a support structure according to a first embodiment of the present invention. The support structure 14 includes a planetary array of support arms 16, each support arm 16 being
It has an offset horizontal axis h which is radially spaced from a central horizontal axis H of the support structure 14. Support arm 1
6 can support at least one substrate 18 (preferably two or more substrates), and the support structure 14 is
A planetary arrangement of the base 18 is realized. Each base 18 is
It is parallel to the central horizontal axis H and is radially spaced from this axis. Preferably, the support arms 16 are arranged in an annular array centered on the central horizontal axis H so that the base bodies are arranged symmetrically with respect to the central horizontal axis H. The support arm 16 need not rotate about the central horizontal axis H, but may rotate about the central axis H, depending on the application. As used herein, the term “planetary” means that the support arm 16 surrounds the central horizontal axis H.

【0015】支持構造14は、各支持アーム16をその
オフセット水平軸hのまわりに回転させるためのメカニ
ズムを有し、これによってプラネタリ配列された各基体
18は、中心水平軸Hに対して平行でこの軸から離間さ
れた位置に固定され、それぞれオフセット水平軸hのま
わりに回転する。支持構造14は、支持アーム16を回
転し基体を水平軸hに沿って固定する任意のメカニズム
を含むことが可能である。例えば、内部ロッド状の構
造、基体の端部外表面と嵌合する回転可能なキャップま
たはコレット構造、あるいは、基体に挿入して基体の内
部表面と嵌合する回転可能な内部伸長構造など。また、
図1に示す基体18はすべて同一の直径(例えば84m
m)のものであるが、支持アーム16は、異なる直径の
基体を支持可能である(例えば15〜300mm)。
The support structure 14 has a mechanism for rotating each support arm 16 about its offset horizontal axis h such that each planetary arranged substrate 18 is parallel to the central horizontal axis H. It is fixed in a position spaced from this axis and each rotates about an offset horizontal axis h. The support structure 14 can include any mechanism that rotates the support arm 16 to secure the substrate along the horizontal axis h. For example, an inner rod-like structure, a rotatable cap or collet structure that fits on the outer surface of the end of the base, or a rotatable inner extension structure that inserts into the base and fits on the inner surface of the base. Also,
The substrates 18 shown in FIG. 1 all have the same diameter (for example, 84 m).
m), the support arm 16 can support substrates of different diameters (for example 15-300 mm).

【0016】支持構造14上の基体18のプラネタリ配
列によって、多数の基体を同時に処理することが可能に
なり、スループットを増大させ、製造コストを低減でき
る。このように、支持アーム16は、それぞれ複数の基
体を搭載することができ、簡単な調整、及び又は変更に
よって異なる直径の基体の処理を行なうこともできる。
さらに、以下で詳述するコーティング/硬化ステーショ
ンでは、各基体がそのオフセット軸hまわりに回転する
間、その処理を中心軸Hから放射方向に外側に向かって
行なう。放射方向の対称性により各基体は均等に処理さ
れ、処理の均一性と自由度が確保される。
The planetary arrangement of the substrates 18 on the support structure 14 allows multiple substrates to be processed simultaneously, increasing throughput and reducing manufacturing costs. In this way, the support arms 16 can each carry a plurality of substrates and can also be processed with substrates of different diameters by simple adjustment and / or modification.
Furthermore, in the coating / curing station detailed below, the processing is performed radially outward from the central axis H while each substrate rotates about its offset axis h. The radial symmetry ensures that each substrate is treated uniformly, ensuring process uniformity and flexibility.

【0017】図3〜6を参照して、本実施形態に基づく
ホーニングシステムの全体的な処理作用について述べ
る。回転コンベヤ10は垂直軸のまわりに回転し、基体
のプラネタリアレイをホーニングステーション200の
前面に位置させる。定位置に達すると、支持構造は所望
のステーションに対して水平方向に往復運動し、基体1
8のプラネタリアレイをステーション内に挿入する。ス
テーションが処理チャンバーを含む場合、支持構造14
はその周縁に沿ったシーリングメカニズム20を含み、
支持構造は、基体がチャンバー内に配置されるときにチ
ャンバーをシーリングするシール部材として機能する。
その後、シーリングされたチャンバー内で各基体をその
オフセット水平軸hまわりに回転させて処理を施す。処
理の終了後、支持構造14はステーションから後退し、
回転コンベヤ10が回転してプラネタリ基体アレイを次
の処理ステーションに移動、挿入する。
The overall processing operation of the honing system according to this embodiment will be described with reference to FIGS. The carousel 10 rotates about a vertical axis to position the substrate planetary array in front of the honing station 200. Once in place, the support structure reciprocates horizontally relative to the desired station,
Insert the planetary array of 8 into the station. Support structure 14 if the station includes a processing chamber
Includes a sealing mechanism 20 along its perimeter,
The support structure functions as a sealing member that seals the chamber when the substrate is placed in the chamber.
Then, each substrate is rotated about its offset horizontal axis h in the sealed chamber to be treated. At the end of the process, the support structure 14 retracts from the station,
The carousel 10 rotates to move and insert the planetary substrate array into the next processing station.

【0018】複数の基体18は、ホーニング溶液を噴霧
することによってホーニング処理される。ホーニング液
の噴射は、ホーニングチャンバー210の中心水平軸H
に沿って位置する中央導管240から噴射するのが好ま
しいが、ノズルアレイの各ノズルが特定の基体に向けら
れる構造の専用ノズルによる他の噴霧手段を用いてもよ
い。中央導管240はその内部に複数のノズル250を
有することが可能であり、ホーニング溶液をすべてのノ
ズルから同時に外側へ向けて噴射する。あるいはまた、
図5に示すように、中央導管240は内部に往復運動す
る流出管260を有することが可能であり、各ノズル2
50と往復流出管とが順次連通して各基体の軸に沿って
ホーニング溶液を順次噴霧する。往復流出管の駆動はプ
ログラム制御された任意の周知のメカニズムで行なうこ
とが可能であり、基体18がそのオフセット水平軸hま
わりに回転する間、中央導管240から外側に向けた放
射状の噴射が十分に行なわれるように、衝突角、噴射
圧、スプレイノズルからの距離に関して、すべての基体
のカバレッジを最適とするようなプログラム制御を適用
する。さらにまた、複数のノズルを備えた中央導管24
0の代わりに、図6に示すように単一の往復ノズル26
1を使用してもよい。往復ノズル261を用いる場合
は、流出管260と同様の制御と動作を行なう。ホーニ
ングステーション200内でのホーニング溶液のフロー
レートと噴霧時間は、使用するホーニング溶液、および
ホーニングを施す基体に依存して変化する。
The plurality of substrates 18 are honed by spraying a honing solution. The honing liquid is injected by the central horizontal axis H of the honing chamber 210.
Injection is preferably from a central conduit 240 located along, although other spraying means may be used, with dedicated nozzles constructed such that each nozzle of the nozzle array is directed to a particular substrate. The central conduit 240 can have a plurality of nozzles 250 therein, and jets the honing solution from all nozzles simultaneously outward. Alternatively,
As shown in FIG. 5, the central conduit 240 may have a reciprocating outflow tube 260 therein and each of the nozzles 2
50 and the reciprocating outflow pipe are sequentially connected to spray honing solution along the axis of each substrate. The drive of the reciprocating outflow pipe can be performed by any well-known mechanism that is programmed to ensure that a radial jet outward from the central conduit 240 is sufficient while the substrate 18 rotates about its offset horizontal axis h. The program control is applied so that the coverage of all the substrates is optimized with respect to the collision angle, the injection pressure, and the distance from the spray nozzle. Furthermore, a central conduit 24 with a plurality of nozzles
Instead of 0, a single reciprocating nozzle 26 as shown in FIG.
1 may be used. When the reciprocating nozzle 261 is used, the same control and operation as the outflow pipe 260 are performed. The flow rate and spray time of the honing solution within the honing station 200 will vary depending on the honing solution used and the substrate being honed.

【0019】ホーニングステーション200は、ホーニ
ングチャンバー210を含む。ホーニングチャンバー2
10は、図3に示すように、ホーニングチャンバーから
ホーニング溶液を排出するための排出アセンブリ270
を有する。排出されたホーニング溶液は、周知のポンプ
アセンブリ(図示せず)によって、ノズル240および
ホーニング溶液供給源(図示せず)に再循環される。ポ
ンプアセンブリは、ホーニング溶液から大きすぎる粒子
を分離する粗大粒子フィルタを含むことが可能であり、
基体に対する均一のホーニングを確保する。ホーニング
チャンバー210はまた、その底部にキャッチトレイ2
80を有し、使用済みのホーニング溶液を排出アセンブ
リ270へと導く。
The honing station 200 includes a honing chamber 210. Honing chamber 2
10 is a draining assembly 270 for draining the honing solution from the honing chamber, as shown in FIG.
Have. The discharged honing solution is recirculated to the nozzle 240 and the honing solution source (not shown) by a well-known pump assembly (not shown). The pump assembly can include a coarse particle filter that separates oversized particles from the honing solution,
Ensure uniform honing to the substrate. The honing chamber 210 also has a catch tray 2 on its bottom.
80, directing the used honing solution to the draining assembly 270.

【0020】図7は、本発明の実施形態によるホーニン
グシステムの全体図である。ホーニングシステムは、搭
載ステーション100、ホーニングステーション20
0、洗浄ステーション300、取り外しステーション4
00を含む。基体18は、搭載ステーション100で支
持構造の支持アーム16に搭載される。次に、支持構造
は、回転コンベヤ10によって軸Aまわりに回転され、
ホーニングステーション200へと移動する。支持構造
14のシール20は、図3に示すようにホーニングチャ
ンバー210の端部と係合するよう配置される。次に、
上述のホーニング処理が行なわれる。次に、支持構造1
4は洗浄ステーション300に回転移動され、基体18
の洗浄処理を行なって過剰のホーニング溶液を除去す
る。
FIG. 7 is an overall view of a honing system according to an embodiment of the present invention. The honing system consists of the loading station 100 and the honing station 20.
0, cleaning station 300, removal station 4
Including 00. The substrate 18 is mounted on the support arm 16 of the support structure at the mounting station 100. The support structure is then rotated about axis A by carousel 10,
Move to the honing station 200. The seal 20 of the support structure 14 is arranged to engage the end of the honing chamber 210 as shown in FIG. next,
The honing process described above is performed. Next, the support structure 1
4 is rotatably moved to the cleaning station 300 and the substrate 18
To remove excess honing solution.

【0021】代替的に、ホーニングチャンバー210内
で洗浄処理を行なってもよい。その場合、ホーニングチ
ャンバーの排出アセンブリ270かららホーニング溶液
を完全に排出した後、水などの洗浄液をノズル240に
導入する。洗浄液をホーニングチャンバーから排出した
後、ホーニングチャンバーは次の支持構造14をホーニ
ング処理する態勢にはいる。このような装置構成におい
て、バルブアセンブリ(図示せず)を排出アセンブリに
設けて、洗浄液の流路をホーニング溶液供給源から遠ざ
け、洗浄液とホーニング溶液の混合を防止する。
Alternatively, a cleaning process may be performed within the honing chamber 210. In that case, after the honing solution is completely discharged from the discharge assembly 270 of the honing chamber, a cleaning liquid such as water is introduced into the nozzle 240. After draining the wash solution from the honing chamber, the honing chamber is ready to honing the next support structure 14. In such an apparatus configuration, a valve assembly (not shown) is provided in the discharge assembly to keep the washing liquid flow path away from the honing solution supply source and prevent mixing of the washing liquid and the honing solution.

【0022】洗浄処理の終了後、支持構造14を取り外
しステーション400へと回転移動し、ホーニング処理
済みの基体18を支持アーム16から取り外す。支持構
造14はさらに搭載ステーション100へと回転移動
し、前述の工程を繰り返す。搭載ステーションと取り外
しステーションを組み合わせて、ひとつの搭載/取り外
しステーションとして構成してもよい。
After the cleaning process is completed, the support structure 14 is rotationally moved to the removal station 400, and the honed substrate 18 is removed from the support arm 16. The support structure 14 is further rotated to the mounting station 100 and the above steps are repeated. The loading station and the unloading station may be combined to form one loading / unloading station.

【0023】洗浄ステーション300と取り外しステー
ション400の間に、中間乾燥ステーション(図示せ
ず)を設けて、支持構造14を取り外しステーション4
00に送る前に、基体18の乾燥処理を行なうこともで
きる。基体18の乾燥手段としては強制空気乾燥などが
あり、洗浄後の基体18に空気を吹き付けて乾燥する。
この乾燥処理は、洗浄ステーション300で行なうこと
も可能である。この場合、先に洗浄液の噴射に使用した
ノズルから強制空気を吐出させる。基体の乾燥に放射エ
ネルギーを用いることもできる。 (第2実施形態)図8は、本発明の第2の実施形態に基
づくホーニングシステムである。この構成では、基体1
8を保持する支持構造140は、複数の支持要素140
a〜140dを有し、その各々を第1実施形態で説明し
た支持構造14と同様の構成とする。第2実施形態のホ
ーニングシステムの処理動作は、図7を参照して述べた
第1実施形態のシステムの処理動作と基本的に同じであ
るが、第2実施形態のシステムでは、異なる処理を同時
に行なうことができる。例えば、搭載ステーション10
0で支持要素140aの支持アーム160aに複数の基
体18を搭載すると同時に、ホーニングステーション2
00で、先のステーションで支持要素140bの支持ア
ーム160bに搭載した複数の基体18にホーニング処
理を施すことができる。さらに、洗浄ステーション30
0で、支持要素140cの支持アーム160cに保持し
たホーニング処理済みの複数の基体18を洗浄し、か
つ、すべての処理が終了した基体18を、取り外しステ
ーション400で支持要素140dの支持アーム160
dから取り外す。これら各ステーションでの処理は、ホ
ーニングシステム内での支持要素140a〜140dの
回転移動にともなって同時に行う。 (第3実施形態)図9は、本発明の第3実施形態に基づ
くホーニングシステムの図である。ホーニングチャンバ
ー210’は、支持アーム16’を垂直に配列した支持
構造14’を受け入れる構成となっている。各支持アー
ム16’は、支持構造14’の中央垂直軸Vから放射方
向にオフセットしたオフセット垂直軸vを有する。各支
持アーム16’は、少なくともひとつの基体18を保持
し、そのオフセット垂直軸vのまわりに回転可能であ
る。ホーニングチャンバー210’は支持構造14’と
共にシールを形成する。ノズル240は、ホーニングチ
ャンバー210’の底壁215を貫通して垂直方向に延
びる。底壁215はホーニングチャンバー210’の排
出アセンブリ271に向かって傾斜し、ホーニングチャ
ンバー210’からのホーニング溶液の排出を容易にす
る。ホーニング処理自体については、上述の実施形態と
同様の方法で行う。 (第4実施形態)図10および11に、本発明の第4実
施形態に基づく構成を示す。この構成では、設備コスト
と空間要件を最小限に押さえる一方で、バッチあたりに
処理する基体の数を最大にし、単位製造コストを低減す
る。支持構造14''は、図1の支持構造14を変形し
て、デュアルプラネタリアレイ支持構造としたものであ
る。図から明らかなように、互いに反対方向に延びる複
数の支持アーム16''のプラネタリアレイを2つ組み合
わせている。支持構造14''は、片持ちリング710を
支持する搬送シール面700を含む。片持ちリング71
0の中心を通って、リングの両面で反対方向に中央水平
軸Hが延びる。複数の支持アーム16' を環状に配列し
たプラネタリアレイがリングの両面に形成される。双方
のアレイにおける各支持アーム16''は、中央水平軸H
にほぼ平行で中央水平軸から放射方向にオフセットした
オフセット水平軸hを有する。片持ちリング710は、
各支持アーム16''をそのオフセット水平軸hのまわり
に回転させるメカニズム(図示せず)を含む。
An intermediate drying station (not shown) is provided between the cleaning station 300 and the removal station 400 to remove the support structure 14 from the removal station 4
The substrate 18 may be dried before being sent to 00. The base 18 may be dried by forced air drying or the like. Air is blown onto the cleaned base 18 to dry it.
This drying process can also be performed in the cleaning station 300. In this case, the forced air is discharged from the nozzle used for spraying the cleaning liquid first. Radiant energy can also be used to dry the substrate. (Second Embodiment) FIG. 8 shows a honing system according to a second embodiment of the present invention. In this configuration, the base 1
The support structure 140 for holding a plurality of support elements 140
a to 140d, each of which has the same structure as the support structure 14 described in the first embodiment. The processing operation of the honing system of the second embodiment is basically the same as the processing operation of the system of the first embodiment described with reference to FIG. 7, but the system of the second embodiment simultaneously performs different processing. Can be done. For example, the loading station 10
At the same time as mounting the plurality of substrates 18 on the support arm 160a of the support element 140a at 0, the honing station 2
At 00, the plurality of substrates 18 mounted on the support arm 160b of the support element 140b at the previous station can be subjected to a honing treatment. Furthermore, the washing station 30
0, the plurality of honing-processed substrates 18 held by the support arm 160c of the support element 140c are cleaned, and the substrate 18 that has undergone all the treatments is removed at the removal station 400 at the support arm 160d of the support element 140d.
Remove from d. The processing at each of these stations is performed simultaneously with the rotational movement of the support elements 140a-140d within the honing system. (Third Embodiment) FIG. 9 is a diagram of a honing system according to a third embodiment of the present invention. The honing chamber 210 'is configured to receive a support structure 14' in which the support arms 16 'are vertically arranged. Each support arm 16 'has an offset vertical axis v that is radially offset from the central vertical axis V of the support structure 14'. Each support arm 16 'carries at least one substrate 18 and is rotatable about its offset vertical axis v. The honing chamber 210 'forms a seal with the support structure 14'. The nozzle 240 extends vertically through the bottom wall 215 of the honing chamber 210 '. The bottom wall 215 slopes toward the draining assembly 271 of the honing chamber 210 'to facilitate draining the honing solution from the honing chamber 210'. The honing process itself is performed by the same method as in the above embodiment. (Fourth Embodiment) FIGS. 10 and 11 show a configuration according to the fourth embodiment of the present invention. This configuration minimizes equipment costs and space requirements while maximizing the number of substrates processed per batch and reducing unit manufacturing costs. The support structure 14 ″ is a modification of the support structure 14 of FIG. 1 to form a dual planetary array support structure. As is apparent from the figure, two planetary arrays of a plurality of support arms 16 ″ extending in opposite directions are combined. The support structure 14 ″ includes a carrier seal surface 700 that supports a cantilever ring 710. Cantilever ring 71
A central horizontal axis H extends in opposite directions on both sides of the ring through the center of 0. Planetary arrays in which a plurality of support arms 16 'are annularly arranged are formed on both sides of the ring. Each support arm 16 '' in both arrays has a central horizontal axis H
Has an offset horizontal axis h that is substantially parallel to and is radially offset from the central horizontal axis. The cantilever ring 710 is
It includes a mechanism (not shown) for rotating each support arm 16 '' about its offset horizontal axis h.

【0024】このようなデュアルプラネタリアレイ構造
によって、一度のバッチで2倍の数の基体を処理するこ
とができる。例えば、直径40mmの基体を処理するケ
ースでは、ひとつの支持アーム16''に2つの基体を保
持させて、一度のバッチで144〜160個の基体を処
理することができる。このアレイ構成はあらゆるタイプ
の基体に対して適用可能であり、特に直径の小さな基体
の処理に好適である。
With such a dual planetary array structure, it is possible to process twice as many substrates in one batch. For example, in the case of processing a substrate having a diameter of 40 mm, two substrates can be held by one support arm 16 ″, and 144 to 160 substrates can be processed in one batch. This array configuration is applicable to all types of substrates and is especially suitable for processing small diameter substrates.

【0025】デュアルプラネタリアレイ支持構造を有す
る支持構造14''を収容するために、ホーニングステー
ションを含む処理ステーションは、中央水平軸Hに添っ
て対向する2つのホーニングチャンバーを有する構成と
する。好ましくは、各処理チャンバーはそれぞれ中央水
平軸Hに位置合わせされた専用の処理装置を有する。デ
ュアルプラネタリアレイ支持構造14''を受け入れるセ
クション間のチャンバーの1側面上に、中央水平軸に平
行な平面上に位置する開口部を設ける。開口部のサイズ
と形状は、搬送シール面700に対応するのが望まし
く、これによって、支持構造14''をチャンバー内に挿
入したときに搬送シール面700がチャンバーの開口部
を閉じる。好ましくは、搬送シール面は、チャンバーを
シーリングするためのシーリングメカニズム20を含
む。チャンバーの各々は、プラネタリアレイの中央で往
復運動するノズルを有する。処理が終了するとノズルは
引っ込み、支持構造14''は次の処理ステーションへと
移動する。
To accommodate the support structure 14 '' having the dual planetary array support structure, the processing station, including the honing station, is configured with two opposing honing chambers along the central horizontal axis H. Preferably, each processing chamber has its own processing unit aligned with the central horizontal axis H. On one side of the chamber between the sections that receive the dual planetary array support structure 14 '' there is an opening located in a plane parallel to the central horizontal axis. The size and shape of the opening preferably corresponds to the carrier seal surface 700 so that the carrier seal surface 700 closes the opening of the chamber when the support structure 14 '' is inserted into the chamber. Preferably, the transport seal surface includes a sealing mechanism 20 for sealing the chamber. Each of the chambers has a nozzle that reciprocates in the center of the planetary array. At the end of processing, the nozzle retracts and the support structure 14 '' moves to the next processing station.

【0026】以上、本発明を特定の実施形態と関連して
述べてきたが、当業者にとって多種の変形が明白である
ことはいうまでもない。上記実施形態は例示にすぎず、
本発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で多様
な変更が可能である。
Although the present invention has been described in relation to particular embodiments, it will be appreciated that various variations will be apparent to those skilled in the art. The above embodiment is merely an example,
The present invention is not limited thereto, and various modifications can be made within the scope of the present invention.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、電子写真印刷用の複数
の基体を同時にホーニング処理することができ、バッチ
あたりの処理量を著しく増大させて生産効率を高め、単
位製造コストを低減できる。
According to the present invention, a plurality of substrates for electrophotographic printing can be simultaneously subjected to honing treatment, the amount of treatment per batch can be remarkably increased to enhance the production efficiency and reduce the unit manufacturing cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施形態による支持構造の概略正
面図である。
FIG. 1 is a schematic front view of a support structure according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の支持構造の斜視図である。2 is a perspective view of the support structure of FIG. 1. FIG.

【図3】図1の支持構造をホーニングチャンバーに位置
させた状態を示す上面図である。
FIG. 3 is a top view showing a state in which the support structure of FIG. 1 is located in a honing chamber.

【図4】図3の4−4ラインに添った断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line 4-4 of FIG.

【図5】図3および4に示すホーニングステーションで
用いる別のノズル構成例を示す概略断面図である。
5 is a schematic cross-sectional view showing another example of the nozzle configuration used in the honing station shown in FIGS. 3 and 4. FIG.

【図6】図1の支持構造をホーニングチャンバーに位置
させた状態の上面図であり、さらに別のノズル構成を含
む図である。
FIG. 6 is a top view of the support structure of FIG. 1 positioned in a honing chamber, including yet another nozzle arrangement.

【図7】図1の支持構造を用いたホーニングシステム全
体の概略図である。
FIG. 7 is a schematic view of the entire honing system using the support structure of FIG.

【図8】本発明の第2実施形態に基づくホーニングシス
テムの概略図であり、複数の支持要素を有する支持構造
を示す図である。
FIG. 8 is a schematic view of a honing system according to a second embodiment of the present invention, showing a support structure having a plurality of support elements.

【図9】本発明の第3実施形態によるホーニングシステ
ムで用いる垂直支持構造の概略断面図である。
FIG. 9 is a schematic sectional view of a vertical support structure used in a honing system according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4実施形態によるホーニングシス
テムで用いる支持構造の斜視図であり、互いに反対方向
に延びる2つの環状アレイを示す図である。
FIG. 10 is a perspective view of a support structure used in a honing system according to a fourth embodiment of the present invention, showing two annular arrays extending in opposite directions.

【図11】図10に示した支持構造の断面図である。11 is a cross-sectional view of the support structure shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

14、14’、14''、140 支持構造、 16、16’、16''、160 支持アーム 18 基体 20 シーリングメカニズム 210 ホーニングチャンバー 14, 14 ', 14 ", 140 Support structure, 16, 16', 16", 160 Support arm 18 Base 20 Sealing mechanism 210 Honing chamber

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の基体を同時にホーニング処理する
ホーニングシステムであって、 中心軸を有する可動支持体と、前記中心軸のまわりにプ
ラネタリアレイ形態に配置された可動支持アームとを含
む少なくともひとつの基体支持アセンブリを備え、前記
複数の支持アームの各々は、前記中心軸にほぼ平行な支
持アーム軸を有して少なくともひとつの基体を支持し、 複数の基体を取り囲むホーニング室を備え、前記ホーニ
ング室は少なくともひとつのホーニングノズルを有し、
前記ホーニングノズルは、複数の基体の各々からほぼ等
しく離間されて前記中心軸に沿って配置され、懸濁粒子
の混合物を含むホーニング溶液を複数の基体に噴霧して
複数の基体の各々に非反射表面を形成する、ホーニング
システム。
1. A honing system for simultaneously honing a plurality of substrates, comprising at least one movable support having a central axis, and movable support arms arranged around the central axis in a planetary array configuration. A honing chamber comprising a substrate support assembly, each of the plurality of support arms having at least one substrate having a support arm axis substantially parallel to the central axis, and enclosing the plurality of substrates. Has at least one honing nozzle,
The honing nozzles are arranged substantially equally spaced from each of the plurality of substrates and arranged along the central axis to spray a honing solution containing a mixture of suspended particles onto the plurality of substrates to cause non-reflection on each of the plurality of substrates. Honing system that forms the surface.
JP12289096A 1995-05-25 1996-05-17 Honing system Withdrawn JPH08323627A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US450228 1989-12-13
US45022895A 1995-05-25 1995-05-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
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ID=23787266

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BR9602472A (en) 1998-10-27
CA2170683A1 (en) 1996-11-26

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