JPH0832402A - Surface acoustic wave device, demultiplexer for mobile radio device, and mobile radio device - Google Patents
Surface acoustic wave device, demultiplexer for mobile radio device, and mobile radio deviceInfo
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- JPH0832402A JPH0832402A JP15981094A JP15981094A JPH0832402A JP H0832402 A JPH0832402 A JP H0832402A JP 15981094 A JP15981094 A JP 15981094A JP 15981094 A JP15981094 A JP 15981094A JP H0832402 A JPH0832402 A JP H0832402A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低損失で阻止帯域のインピーダンス特性の良好
な小形で高性能な弾性表面波装置、この弾性表面波を用
いた、並接損の小さい分波器、移動無線装置を得るこ
と。
【構成】圧電基板上に形成されたすだれ状電極、または
すだれ状電極と反射器で構成される１開口弾性表面波共
振子と、整合用インダクタ基板を複数個組み合わせてな
る弾性表面波装置において、上記１開口弾性表面波共振
子と、整合用インダクタ基板とを格納するパッケージの
蓋と、整合用インダクタ基板表面との距離を０．６ｍｍ
以上とした構成。
(57) [Abstract] [Purpose] A compact and high-performance surface acoustic wave device with low loss and good impedance characteristics in the stop band, a demultiplexer using this surface acoustic wave, with a small parallel loss, and a mobile radio device. To get. A surface acoustic wave device comprising a comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate, or a single-aperture surface acoustic wave resonator including a comb-shaped electrode and a reflector, and a plurality of matching inductor substrates. The distance between the lid of the package that houses the 1-port surface acoustic wave resonator and the matching inductor substrate and the surface of the matching inductor substrate is 0.6 mm.
The above configuration.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波共振子、お
よび整合用インダクタ基板を複数個組み合わせて構成さ
れた弾性表面波装置、およびこれを用いた移動無線機用
分波器、移動無線装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device formed by combining a surface acoustic wave resonator and a plurality of matching inductor substrates, and a duplexer for a mobile radio device and a mobile radio device using the same. Regarding the device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波装置は、量産性、小形化に有
利な電子部品として、ＴＶ−ＩＦ用フィルタ等の民生機
器、通信機等の分野に広く応用されている。2. Description of the Related Art Surface acoustic wave devices have been widely applied to the fields of consumer equipment such as filters for TV-IF, communication devices, etc., as electronic parts advantageous for mass production and miniaturization.
【０００３】近年、電子部品の小形化に伴い、弾性表面
波装置での整合回路であるインダクタを同一圧電性基板
上、もしくは同一パッケージ内に実装することが必要と
なっている。更に、弾性表面波を実装するパッケージに
ついても、従来のピン端子を持つ缶パッケージタイプか
ら、表面実装型のＳＭＤパッケージ（ＳｕｒｆａｃｅＭ
ｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が主流となってきた。With the recent miniaturization of electronic components, it has become necessary to mount an inductor, which is a matching circuit in a surface acoustic wave device, on the same piezoelectric substrate or in the same package. Further, as for the package for mounting the surface acoustic wave, the conventional can package type having a pin terminal is replaced with the surface mount type SMD package (SurfaceM).
The "owned device" has become mainstream.
【０００４】従来技術に関しては、特開昭５６−１５６
０１５号公報、特開平３−２５８０１０号公報、実開平
２−１４５８１１号公報、特開平３−２０５９０８号公
報に示されているように、弾性表面波装置と同一基板
上、もしくは同一パッケージ内にインダクタを直列、ま
たは並列に形成する技術が開示されている。この技術に
より、入出力間で発生する、寄生容量による損失劣化改
善、外部素子低減による小形化が図れるというものであ
る。Regarding the prior art, Japanese Patent Laid-Open No. 56-156
As disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 015, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-258010, Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 2-145811 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-205908, an inductor is provided on the same substrate or in the same package as the surface acoustic wave device. There has been disclosed a technique for forming a series of or parallel to each other. With this technology, it is possible to reduce loss due to parasitic capacitance generated between the input and output and to reduce the size by reducing external elements.
【０００５】またＳＭＤパッケージを用いた実装技術と
しては、特開平３−２８４００６号公報の技術が開示さ
れている。この技術は、接地用ボンディングパットと底
部メタル層とを金属導体で接続することで、入出力間の
アイソレーションを改善し、弾性表面波装置の阻止帯域
特性を向上するというものである。As a mounting technique using the SMD package, the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-284006 is disclosed. This technique is to improve the isolation between input and output and improve the stop band characteristic of the surface acoustic wave device by connecting the grounding pad and the bottom metal layer with a metal conductor.
【０００６】更に、弾性表面波装置は、高周波数化、小
形化に伴い、セルラー無線等の移動体通信の分野におい
ても用いられ、電子通信学会技術研究報告ＵＳ９２−５
２（１９９２−０９）、９〜１６Ｐ記載の技術が報告さ
れている。この技術は、梯子型フィルタの直列、並列素
子として、弾性表面波共振子を用い、帯域通過型フィル
タを構成し、低損失で、急峻なフィルタ特性を実現した
もので、実装パッケージとして、表面実装型のＳＭＤパ
ッケージを使用している。Further, the surface acoustic wave device is also used in the field of mobile communication such as cellular radio due to the increase in frequency and miniaturization, and the Institute of Electronics and Communication Engineers Technical Report US92-5.
2 (1992-09), the technology described in 9 to 16P has been reported. This technology uses a surface acoustic wave resonator as a series and parallel element of a ladder-type filter to form a band-pass filter, which realizes a low-loss, steep filter characteristic. Type SMD package is used.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】いずれの従来技術も、
弾性表面波素子と整合用インダクタを、同一パッケージ
内に格納するわけであるが、整合用インダクタとパッケ
ージの蓋との間に発生する寄生容量については考慮され
いなかった。しかしながら、高周波で、小型、低損失、
急峻な周波数特性が要求されるセルラー無線分波器に用
いる弾性表面波共振子と整合用インダクタ基板とを複数
個組み合わせた構成の弾性表面波装置においては、上記
寄生容量による特性劣化が顕著に発生することから、こ
の寄生容量の低減が必要不可欠となる。All of the prior arts,
Although the surface acoustic wave element and the matching inductor are stored in the same package, the parasitic capacitance generated between the matching inductor and the package lid was not considered. However, at high frequency, small size, low loss,
In a surface acoustic wave device having a combination of a plurality of surface acoustic wave resonators used for a cellular radio demultiplexer that requires a steep frequency characteristic and a matching inductor substrate, characteristic deterioration due to the parasitic capacitance occurs remarkably. Therefore, it is essential to reduce this parasitic capacitance.
【０００８】本発明の弾性表面波装置を用いたセルラー
無線分波器は、受信側の弾性表面波装置と送信側の弾性
表面波装置とが並接された構成をとっている。受信側弾
性表面波装置の周波数特性、反射特性の概略は、図３，
４に示すのとおりである。A cellular radio wave demultiplexer using the surface acoustic wave device of the present invention has a structure in which the surface acoustic wave device on the receiving side and the surface acoustic wave device on the transmitting side are arranged in parallel. An outline of frequency characteristics and reflection characteristics of the receiving surface acoustic wave device is shown in FIG.
It is as shown in 4.
【０００９】受信側弾性表面波装置の周波数特性におい
て、受信帯域Ｒは送信側弾性表面波装置の阻止帯域、逆
に、阻止帯域Ｔは送信側弾性表面波装置の送信帯域に対
応している。このため、分波器にこの弾性表面波装置を
用いる場合、送信側、受信側弾性表面波装置の阻止帯域
は共に、高インピーダンスであることが重要となる。特
に、高周波で、弾性表面波共振子と、整合用インダクタ
基板を複数個組み合わせた構成で、同一パッケージ内に
格納する弾性表面波装置においては、整合用インダクタ
基板表面と、パッケージの蓋との間に発生する寄生容量
による特性変化が発生する。例えば受信側弾性表面波装
置においては、設計値に比べ、誘導性成分が小さくな
り、通過帯域では、反射特性が５０オームからはずれ損
失劣化を引き起こす。また阻止帯域についても、阻止帯
域のトラップがシフトすると共に、反射特性において
も、インピーダンスが小さくなる特性劣化が発生する。
更に、誘導性成分を大きくするため、整合用インダクタ
を大きくした場合、弾性表面波装置を構成する共振子自
体のＱが劣化し、通過帯域の肩特性が劣化し、損失劣化
を引き起こす。このため、分波器に受信側弾性表面波装
置と送信側弾性表面波装置とを並接した場合、送信、受
信帯域における各信号の漏洩量が増加し、並接損失が増
加し、分波器性能の低下を招く結果となる。In the frequency characteristics of the receiving surface acoustic wave device, the receiving band R corresponds to the stop band of the transmitting surface acoustic wave device, and conversely, the stop band T corresponds to the transmitting band of the transmitting surface acoustic wave device. Therefore, when this surface acoustic wave device is used in the demultiplexer, it is important that both the stop band of the transmitting side surface acoustic wave device and the receiving side surface acoustic wave device have high impedance. In particular, in a surface acoustic wave device having a structure in which a plurality of surface acoustic wave resonators and a matching inductor substrate are combined at a high frequency and housed in the same package, between the matching inductor substrate surface and the package lid. A characteristic change occurs due to the parasitic capacitance generated in the. For example, in the receiving-side surface acoustic wave device, the inductive component becomes smaller than the designed value, and the reflection characteristic deviates from 50 ohms in the pass band to cause loss deterioration. Also in the stop band, the traps in the stop band are shifted, and the reflection characteristic also deteriorates in that the impedance becomes small.
Further, when the matching inductor is increased in order to increase the inductive component, the Q of the resonator itself constituting the surface acoustic wave device deteriorates, the shoulder characteristic of the pass band deteriorates, and loss deterioration occurs. For this reason, when the receiving-side surface acoustic wave device and the transmitting-side surface acoustic wave device are connected in parallel to the demultiplexer, the amount of leakage of each signal in the transmission and reception bands increases, the paralleling loss increases, and This results in deterioration of the vessel performance.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記したように、パッケ
ージ内に格納した整合用インダクタ基板とパッケージの
蓋との間で発生する寄生容量が、弾性表面波装置の損失
劣化及び、阻止帯域でのインピーダンスの劣化を引き起
こす。この寄生容量は、従来の、単一の弾性表面波素子
のみ、もしくは整合用インダクタと共にパッケージ内に
格納し、比較的整合用インダクタ基板とパッケージの蓋
との空間が離れている場合、問題とならなかった。しか
しながら、弾性表面波共振子と整合用インダクタ基板を
複数個組み合わせた構成の弾性表面波装置を、パッケー
ジが薄く、整合用インダクタ基板とパッケージの蓋が近
接するＳＭＤパッケージに実装する場合には、非常に重
大な問題となる。As described above, the parasitic capacitance generated between the matching inductor substrate stored in the package and the package lid causes the loss deterioration of the surface acoustic wave device and the stop band. Causes impedance deterioration. This parasitic capacitance is stored in the package with the conventional single surface acoustic wave element alone or with the matching inductor, and is not a problem when the space between the matching inductor substrate and the package lid is relatively large. There wasn't. However, when a surface acoustic wave device having a structure in which a plurality of surface acoustic wave resonators and a matching inductor substrate are combined is mounted on an SMD package in which the package is thin and the matching inductor substrate and the package lid are close to each other, it is extremely difficult. Will be a serious problem.
【００１１】本発明においては、寄生容量による弾性表
面波装置の特性劣化を防止するため、実装するパッケー
ジの蓋と、パッケージに格納する整合用インダクタ基板
表面との距離を０．５ｍｍ以上離すことで、寄生容量を
抑えることができる。In the present invention, in order to prevent characteristic deterioration of the surface acoustic wave device due to parasitic capacitance, the distance between the lid of the package to be mounted and the surface of the matching inductor substrate stored in the package is 0.5 mm or more. The parasitic capacitance can be suppressed.
【００１２】[0012]
【作用】セルラー無線分波器に用いる弾性表面波装置
は、図５，６に示すようなインピーダンス特性、等価回
路を持つ一開口表面波共振子を図７に示すように、複数
個組み合わせた構成をとっている。表面波共振子のイン
ピーダンスは、共振周波数以下と反共振周波数以上の周
波数で容量性であり、共振周波数と反共振周波数の間で
は誘導性となる。A surface acoustic wave device used in a cellular radio demultiplexer is constructed by combining a plurality of single-aperture surface wave resonators having impedance characteristics and equivalent circuits as shown in FIGS. 5 and 6, as shown in FIG. Is taking. The impedance of the surface acoustic wave resonator is capacitive at frequencies below the resonance frequency and above the anti-resonance frequency, and is inductive between the resonance frequency and the anti-resonance frequency.
【００１３】本発明では、図７に示すように、共振子
３，５のインピーダンス特性で誘導性となる周波数帯域
の１部分をフィルタの通過帯域としている。また、通過
帯域では、共振子１，２，４のインピーダンス特性が容
量性となるように各共振周波数を設定している。したが
って、通過帯域での等価回路は図８に示すようになり、
特性インピーダンスが５０オームの外部回路との整合性
が良い。In the present invention, as shown in FIG. 7, a part of the frequency band that is inductive due to the impedance characteristics of the resonators 3 and 5 is used as the pass band of the filter. In the pass band, each resonance frequency is set so that the impedance characteristics of the resonators 1, 2 and 4 are capacitive. Therefore, the equivalent circuit in the pass band is as shown in FIG.
Good matching with external circuits with characteristic impedance of 50 ohms.
【００１４】通過帯域より低い周波数側の阻止帯域は、
共振子３，５の共振周波数近辺に形成される。The stop band on the frequency side lower than the pass band is
It is formed near the resonance frequency of the resonators 3 and 5.
【００１５】通過帯域より高い周波数側の阻止帯域は、
共振子４のインピーダンス特性が容量性でなくなる帯
域、すなわち共振子４の共振周波数と反共振周波数間、
および共振子１，２の共振周波数近辺に形成される。し
たがって、阻止帯域での等価回路は、図９に示すように
なる。本構成の弾性表面波装置は、共振周波数の調整
を、図７に示した、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ５については整合用
インダクタ基板、Ｌ３，Ｌ４，Ｌ６については配線ワイ
ヤにより調整している。The stop band on the higher frequency side than the pass band is
The band where the impedance characteristic of the resonator 4 becomes non-capacitive, that is, between the resonance frequency and the anti-resonance frequency of the resonator 4,
And formed near the resonance frequency of the resonators 1 and 2. Therefore, the equivalent circuit in the stop band is as shown in FIG. In the surface acoustic wave device of this configuration, the resonance frequency is adjusted by the matching inductor substrate for L1, L2 and L5 and the wiring wire for L3, L4 and L6 shown in FIG.
【００１６】整合用インダクタ基板とパッケージの蓋と
の間の距離が近い場合、通過帯域、阻止帯域の等価回路
は図１０，１１に示すとおり、整合用インダクタ基板の
インダクタに対し並列に寄生容量が発生する。しかしな
がら、整合用インダクタ基板の上部とパッケージの蓋と
の間の距離を０．５ｍｍ以上離すことで寄生容量の発生
を抑えられ、通過帯域では５０オーム付近、阻止帯域で
は、阻止帯域のトラップシフトがなくなると共に、反射
特性においては、反射係数の改善、すなわち高インピー
ダンス化が図られる。When the distance between the matching inductor substrate and the package lid is short, the equivalent circuit of the pass band and stop band has a parasitic capacitance in parallel with the inductor of the matching inductor substrate as shown in FIGS. appear. However, by keeping the distance between the upper part of the matching inductor substrate and the lid of the package 0.5 mm or more, generation of parasitic capacitance can be suppressed, and trap shift of about 50 ohms in the pass band and in the stop band in the stop band occurs. At the same time, in the reflection characteristics, the reflection coefficient is improved, that is, the impedance is increased.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を図１、図２により説
明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００１８】本発明の弾性表面波装置を構成する弾性表
面波共振子１と整合用インダクタ基板２は、図１に示す
断面図のように、セラミックと金属とを積層したＳＭＤ
パッケージ３内に導電性接着剤４で固定され、２５μｍ
φＡｌワイヤ５で相互、または、パッケージ端子６と接
続している。また、パッケージの蓋７は、気密性を保つ
ため、パッケージのシールリング８に溶接されている。
整合用インダクタ基板２の表面とパッケージの蓋７との
間の距離Ｈは０．５ｍｍとしている。整合用インダクタ
基板２は、ＢＴレジンを基板に含浸した有機基板を用い
ており、銅でスパイラル状のマイクロストリップ線路９
として形成されている。また、銅の上には、表面の保護
と、ボンディング強度向上のため、ニッケルと金の膜を
形成している。尚、弾性表面波共振子１は、圧電性基板
１０上にフォトリソグラフィ技術により形成され、電極
材料は、Ａｌ、もしくは、Ａｌ系合金薄膜を用いてい
る。なお、弾性表面波共振子１の電極は、約１μｍと微
細なため、電極形成には、ＲＩＥ（ドライエッチング）
技術を用いた。The surface acoustic wave resonator 1 and the matching inductor substrate 2 which constitute the surface acoustic wave device of the present invention are SMD in which ceramic and metal are laminated as shown in the sectional view of FIG.
25 μm fixed in the package 3 with the conductive adhesive 4
The φAl wires 5 are connected to each other or to the package terminal 6. The lid 7 of the package is welded to the seal ring 8 of the package in order to maintain airtightness.
The distance H between the surface of the matching inductor substrate 2 and the package lid 7 is 0.5 mm. The matching inductor substrate 2 uses an organic substrate in which the substrate is impregnated with BT resin, and the spiral microstrip line 9 made of copper is used.
Is formed as. A film of nickel and gold is formed on the copper to protect the surface and improve the bonding strength. The surface acoustic wave resonator 1 is formed on the piezoelectric substrate 10 by a photolithography technique, and the electrode material is Al or an Al-based alloy thin film. Since the electrodes of the surface acoustic wave resonator 1 are as fine as about 1 μm, RIE (dry etching) is required for electrode formation.
Used technology.
【００１９】図２は、本発明の平面図である。圧電基板
１０上に弾性表面波共振子１１，１２，１３，１４，１
５を同一基板上に形成し構成している。また、１６，１
７，１８は、整合用インダクタ基板２上に、一括して銅
で形成したスパイラル状のマイクロストリップ線路であ
る。FIG. 2 is a plan view of the present invention. Surface acoustic wave resonators 11, 12, 13, 14, 1 on the piezoelectric substrate 10
5 are formed on the same substrate. Also, 16, 1
Reference numerals 7 and 18 denote spiral microstrip lines which are collectively formed of copper on the matching inductor substrate 2.
【００２０】本実施例においては、圧電性基板として６
４°Ｙ−Ｘ ＬｉＮｂＯ3基板、誘導素子基板として、
ＢＴレジンを基板に含浸した有機基板を用いたが、要求
する弾性表面波装置の特性により、１２８°Ｙ−Ｘ Ｌ
ｉＮｂＯ3基板、３６°Ｙ−Ｘ ＬｉＴａＯ3基板、整合
用インダクタ基板として、石英ガラス等の誘電体基板を
それぞれ用いてもよい。In this embodiment, the piezoelectric substrate is 6
4 ° Y-X LiNbO 3 substrate, as an inductive element substrate,
Although an organic substrate in which the substrate is impregnated with BT resin is used, it is 128 ° Y-XL due to the required characteristics of the surface acoustic wave device.
A dielectric substrate such as quartz glass may be used as the iNbO 3 substrate, the 36 ° Y—X LiTaO 3 substrate, and the matching inductor substrate.
【００２１】本発明の実施例の弾性表面波装置の周波数
特性、および反射特性は、図１２、図１３に示すように
なる。通過帯域は、マーカ１，２の範囲（８１０〜８２
６ＭＨｚ）、阻止帯域はマーカ３，４の範囲（９４０〜
９５６ＭＨｚ）である。従来、整合用インダクタとパッ
ケージの蓋との間の距離については考慮しておらず、そ
の距離は、０．４ｍｍ程度であったが（点線）、本発明
においては、整合用インダクタ基板表面とパッケージの
蓋との間の距離を０．５ｍｍとすることで、発生する寄
生容量による、通過帯域での５０オーム整合のずれが改
善されると共に、阻止帯域での、阻止帯域トラップず
れ、反射係数も改善され、高インンピーダンス化が実現
可能となる。なお、整合用インダクタ基板表面とパッケ
ージの蓋との間の距離の上限は、小型化の点から、１．
０ｍｍが限度と考える。The frequency characteristics and reflection characteristics of the surface acoustic wave device according to the embodiment of the present invention are as shown in FIGS. The pass band is the range of markers 1 and 2 (810 to 82).
6 MHz), the stop band is in the range of markers 3 and 4 (940 to 940)
956 MHz). Conventionally, the distance between the matching inductor and the package lid was not taken into consideration, and the distance was about 0.4 mm (dotted line). However, in the present invention, the matching inductor substrate surface and the package By setting the distance from the lid to 0.5 mm, the deviation of 50 ohm matching in the pass band due to the generated parasitic capacitance is improved, and the stop band trap deviation and the reflection coefficient in the stop band are also improved. It will be improved and high impedance will be realized. The upper limit of the distance between the surface of the matching inductor substrate and the package lid is 1.
Consider 0 mm as the limit.
【００２２】図１４は本発明の弾性表面波装置を用いて
構成した移動無線システムのアンテナ分波器の実施例で
ある。この分波器の送信フィルタ１９、受信フィルタ２
０に弾性表面波装置を用いており、送信側弾性表面波装
置、受信側弾性表面波装置はそれぞれ、分岐回路２１を
介してアンテナ２２と接続されている。移動無線システ
ムに用いる弾性表面波装置は、耐電力を必要とするほ
か、通過帯域が８００〜９００ＭＨｚと高周波であり、
周波数特性として、非常に低損失で、急峻な肩特性を必
要とするほか、送信、受信側弾性表面波装置を並接する
ため、高インピーダンス特性を必要とする。このため、
本発明の弾性表面波装置を移動無線システムのアンテナ
分波器に用いることで、並接損の小さい良好な分波器特
性が実現できる。FIG. 14 shows an embodiment of an antenna demultiplexer of a mobile radio system constructed by using the surface acoustic wave device of the present invention. Transmission filter 19 and reception filter 2 of this duplexer
0 is a surface acoustic wave device, and the transmitting surface acoustic wave device and the receiving surface acoustic wave device are each connected to an antenna 22 via a branch circuit 21. A surface acoustic wave device used in a mobile radio system requires power resistance and has a high pass band of 800 to 900 MHz.
As frequency characteristics, very low loss and steep shoulder characteristics are required, and high impedance characteristics are required because the transmitting and receiving surface acoustic wave devices are connected in parallel. For this reason,
By using the surface acoustic wave device of the present invention as an antenna demultiplexer of a mobile radio system, good demultiplexer characteristics with small parallel loss can be realized.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１開口弾性表面波共振子と、整合用インダクタを複数個
組み合わせてなる弾性表面波装置において、通過帯域で
は５０オーム付近に整合でき、低損失が図られると共
に、阻止帯域では、阻止帯域のトラップシフトがなくな
り、反射特性においては、反射係数の改善、すなわち高
インピーダンス化が図られる。このため、適用範囲が広
く、例えば小形で、低損失な分波器が容易に実現でき
る。また、この分波器を用いることで、超小形の移動無
線装置を実現できる。As described above, according to the present invention,
In a surface acoustic wave device including a combination of a single-aperture surface acoustic wave resonator and a plurality of matching inductors, matching can be performed in the pass band near 50 ohms, low loss can be achieved, and in the stop band, the trap shift of the stop band can be achieved. In the reflection characteristics, the reflection coefficient is improved, that is, the impedance is increased. Therefore, it is possible to easily realize a duplexer having a wide application range, for example, a small size and low loss. Also, by using this demultiplexer, a micro mobile radio apparatus can be realized.
【図１】本発明の実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の受信側弾性表面波装置の周波数特性概
略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of frequency characteristics of the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図４】本発明の受信側弾性表面波装置の反射特性概略
図である。FIG. 4 is a schematic diagram of reflection characteristics of the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図５】本発明の受信側弾性表面波装置を構成する弾性
表面波共振子のインピーダンス特性図である。FIG. 5 is an impedance characteristic diagram of a surface acoustic wave resonator forming the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図６】本発明の受信側弾性表面波装置を構成する弾性
表面波共振子の等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a surface acoustic wave resonator forming the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図７】本発明の受信側弾性表面波装置の構成図であ
る。FIG. 7 is a configuration diagram of a receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図８】本発明の受信側弾性表面波装置の通過帯域の等
価回路図である。FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a pass band of the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図９】本発明の受信側弾性表面波装置の阻止帯域の等
価回路図である。FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a stop band of the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図１０】受信側弾性表面波装置の通過帯域の等価回路
図である。FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of a pass band of the receiving surface acoustic wave device.
【図１１】受信側弾性表面波装置の阻止帯域の等価回路
図である。FIG. 11 is an equivalent circuit diagram of a stop band of the receiving surface acoustic wave device.
【図１２】本発明の受信側弾性表面波装置の周波数特性
図である。FIG. 12 is a frequency characteristic diagram of the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図１３】本発明の受信側弾性表面波装置の反射特性図
である。FIG. 13 is a reflection characteristic diagram of the receiving surface acoustic wave device of the present invention.
【図１４】本発明を用いた移動無線機のアンテナ分波器
を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing an antenna duplexer of a mobile wireless device using the present invention.
１，１１，１２，１３，１４，１５…弾性表面波共振
子、 ２…整合用インダクタ基板、 ３…ＳＭＤパッケージ、 ４…導電性接着剤、 ５…Ａｌワイヤ、 ６…パッケージ端子、 ７…パッケージ蓋、 ８…パッケージシールリング、 ９，１６，１７，１８…マイクロストリップ線路、 １０…圧電性基板、 １９…送信フィルタ、 ２０…受信フィルタ、 ２１…分岐回路、 ２２…アンテナ。1, 11, 12, 13, 14, 15 ... Surface acoustic wave resonator, 2 ... Matching inductor substrate, 3 ... SMD package, 4 ... Conductive adhesive, 5 ... Al wire, 6 ... Package terminal, 7 ... Package Lid, 8 ... Package seal ring, 9, 16, 17, 18 ... Microstrip line, 10 ... Piezoelectric substrate, 19 ... Transmission filter, 20 ... Reception filter, 21 ... Branch circuit, 22 ... Antenna.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｐ 1/213 Ｍ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location // H01P 1/213 M
Claims (4)
たはすだれ状電極と反射器で構成される１開口弾性表面
波共振子と、整合用インダクタ基板を複数個組み合わせ
てなる弾性表面波装置において、上記１開口弾性表面波
共振子と、整合用インダクタ基板とを格納するパッケー
ジの蓋と、整合用インダクタ基板表面との距離を０．５
ｍｍ以上としたことを特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave device comprising a comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate, or a single-aperture surface acoustic wave resonator including a comb-shaped electrode and a reflector, and a plurality of matching inductor substrates. At 0.5, the distance between the surface of the matching inductor substrate and the lid of the package that houses the 1-port surface acoustic wave resonator and the matching inductor substrate is 0.5.
A surface acoustic wave device having a thickness of at least mm.
たはすだれ状電極と反射器で構成される１開口弾性表面
波共振子と、整合用インダクタ基板を複数個組み合わせ
てなる弾性表面波装置において、フィルタ端子と誘導結
合し、すだれ状電極の一方の端子が接地された第１の弾
性表面波共振子と、該第１の弾性表面波共振子と誘導結
合し、すだれ状電極の一方の端子が接地された第２の弾
性表面波共振子と、該第２の弾性表面波共振子と誘導結
合し、すだれ状電極の一方の端子が誘導素子を介して、
または直接接地された第３の弾性表面波共振子と、該第
３の弾性表面波共振子の他方の端子と接続された第４の
弾性表面波共振子と、該第４の弾性表面波共振子の他方
の端子と接続され、すだれ状電極の一方の端子が誘導素
子を介して、または直接接地された第５の弾性表面波共
振子とで構成し、通過帯域、並びに阻止帯域を形成した
ことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。2. A surface acoustic wave device comprising a comb-shaped electrode formed on a piezoelectric substrate, or a single-aperture surface acoustic wave resonator including a comb-shaped electrode and a reflector, and a plurality of matching inductor substrates. In a first surface acoustic wave resonator that is inductively coupled to the filter terminal and one terminal of the interdigital transducer is grounded, and the first surface acoustic wave resonator is inductively coupled to the first surface acoustic wave resonator, A second surface acoustic wave resonator whose terminal is grounded, and the second surface acoustic wave resonator are inductively coupled to each other, and one terminal of the interdigital transducer has an induction element,
Alternatively, a third surface acoustic wave resonator directly grounded, a fourth surface acoustic wave resonator connected to the other terminal of the third surface acoustic wave resonator, and a fourth surface acoustic wave resonance A fifth surface acoustic wave resonator, which is connected to the other terminal of the child and one terminal of the interdigital transducer is grounded via an inductive element or directly grounded, to form a pass band and a stop band. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein:
いたことを特徴とする移動無線機用分波器。3. A demultiplexer for mobile radio equipment, comprising the surface acoustic wave device according to claim 1 or 2.
たことを特徴とする移動無線装置。4. A mobile radio apparatus using the duplexer for mobile radio according to claim 3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15981094A JPH0832402A (en) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | Surface acoustic wave device, demultiplexer for mobile radio device, and mobile radio device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15981094A JPH0832402A (en) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | Surface acoustic wave device, demultiplexer for mobile radio device, and mobile radio device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832402A true JPH0832402A (en) | 1996-02-02 |
Family
ID=15701756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15981094A Pending JPH0832402A (en) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | Surface acoustic wave device, demultiplexer for mobile radio device, and mobile radio device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832402A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495398B1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-12-17 | Clarisay, Incorporated | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
| US6507097B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-01-14 | Clarisay, Inc. | Hermetic package for pyroelectric-sensitive electronic device and method of manufacturing the same |
| US6621379B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-09-16 | Clarisay, Incorporated | Hermetic package for surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US6639150B1 (en) | 2002-04-23 | 2003-10-28 | Clarisay, Inc. | Hermetic package for surface acoustic wave device having exposed device substrate contacts and method of manufacturing the same |
| US6649446B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-11-18 | Clarisay, Inc. | Hermetic package for multiple contact-sensitive electronic devices and methods of manufacturing thereof |
| JP2004104799A (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Agilent Technol Inc | filter |
| EP1553700A2 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-13 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US7119634B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-10-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave demultiplexer using different piezoelectric materials for substrates of two saw filters |
| JP2006333012A (en) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Fujitsu Media Device Kk | Elastic wave filter and elastic wave duplexer |
| JP2020028013A (en) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社村田製作所 | Filter and multiplexer |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP15981094A patent/JPH0832402A/en active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495398B1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-12-17 | Clarisay, Incorporated | Wafer-scale package for surface acoustic wave circuit and method of manufacturing the same |
| US6507097B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-01-14 | Clarisay, Inc. | Hermetic package for pyroelectric-sensitive electronic device and method of manufacturing the same |
| US6621379B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-09-16 | Clarisay, Incorporated | Hermetic package for surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
| US6649446B1 (en) | 2001-11-29 | 2003-11-18 | Clarisay, Inc. | Hermetic package for multiple contact-sensitive electronic devices and methods of manufacturing thereof |
| US6639150B1 (en) | 2002-04-23 | 2003-10-28 | Clarisay, Inc. | Hermetic package for surface acoustic wave device having exposed device substrate contacts and method of manufacturing the same |
| US6879224B2 (en) * | 2002-09-12 | 2005-04-12 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter and impedance matching network |
| JP2004104799A (en) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Agilent Technol Inc | filter |
| US7119634B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-10-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave demultiplexer using different piezoelectric materials for substrates of two saw filters |
| EP1553700A2 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-13 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| US7102462B2 (en) | 2004-01-08 | 2006-09-05 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
| JP2006333012A (en) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Fujitsu Media Device Kk | Elastic wave filter and elastic wave duplexer |
| JP2020028013A (en) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社村田製作所 | Filter and multiplexer |
| US11146229B2 (en) | 2018-08-10 | 2021-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter and multiplexer |
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