JPH08327669A - 光磁界センサ - Google Patents
光磁界センサInfo
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- JPH08327669A JPH08327669A JP7133528A JP13352895A JPH08327669A JP H08327669 A JPH08327669 A JP H08327669A JP 7133528 A JP7133528 A JP 7133528A JP 13352895 A JP13352895 A JP 13352895A JP H08327669 A JPH08327669 A JP H08327669A
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- JP
- Japan
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- optical
- magnetic field
- total reflection
- reflection prism
- adhesive
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】挿入損失が小さく且つ安価な光磁界センサを提
供すること。 【構成】光源１から出射した光は光ファイバ２，レンズ
３，全反射プリズム１２，偏光ガラス１４を通過して磁
気光学素子６に入射する。磁気光学素子６を通過すると
き被測定磁界の強さに応じて旋光を受け、偏光ガラス１
５を通過したあと全反射プリズム１２，レンズ８，光フ
ァイバ９を経て被測定磁界の強さに応じた強度の光が光
検出器１０に入射し、光電変換されて信号処理回路１１
に伝えられる。全反射プリズム１２，偏光ガラス１４，
磁気光学素子６，偏光ガラス１５，全反射プリズム１２
は接着剤１６，１７，１８，１９によって接着され、界
面ｄ，ｅには無反射膜が施されているが、界面ａ，ｂ，
ｃ，ｆ，ｇ，ｈには無反射膜は施されていない。
供すること。 【構成】光源１から出射した光は光ファイバ２，レンズ
３，全反射プリズム１２，偏光ガラス１４を通過して磁
気光学素子６に入射する。磁気光学素子６を通過すると
き被測定磁界の強さに応じて旋光を受け、偏光ガラス１
５を通過したあと全反射プリズム１２，レンズ８，光フ
ァイバ９を経て被測定磁界の強さに応じた強度の光が光
検出器１０に入射し、光電変換されて信号処理回路１１
に伝えられる。全反射プリズム１２，偏光ガラス１４，
磁気光学素子６，偏光ガラス１５，全反射プリズム１２
は接着剤１６，１７，１８，１９によって接着され、界
面ｄ，ｅには無反射膜が施されているが、界面ａ，ｂ，
ｃ，ｆ，ｇ，ｈには無反射膜は施されていない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学素子のファラ
デー効果を利用して磁界強度を測定する光磁界センサに
関するものであり、特に、電力を供給する送電線及び配
電線や、受変電設備（以下、キュービクルという），Ｇ
ＩＳ(GAS INSULATED SWITCH GEAR) 等の電線の周囲に発
生する磁界の強度を測定することによって電流の大きさ
を検知する場合に用いて好適な光磁界センサに関する。
デー効果を利用して磁界強度を測定する光磁界センサに
関するものであり、特に、電力を供給する送電線及び配
電線や、受変電設備（以下、キュービクルという），Ｇ
ＩＳ(GAS INSULATED SWITCH GEAR) 等の電線の周囲に発
生する磁界の強度を測定することによって電流の大きさ
を検知する場合に用いて好適な光磁界センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】これまで、送電線や配電線に流れる電流
の大きさを測定して異常を発見する電流センサや、キュ
ービクル，ＧＩＳ内において使用されている電流センサ
としては、トランス型のものが用いられてきた。しかし
ながら、トランス型の電流センサは、大型且つ大重量で
あって絶縁性も良くないなど種々の問題点があるため、
最近ではそのような電流センサに代えて光磁界センサを
用いる計画が進められている。
の大きさを測定して異常を発見する電流センサや、キュ
ービクル，ＧＩＳ内において使用されている電流センサ
としては、トランス型のものが用いられてきた。しかし
ながら、トランス型の電流センサは、大型且つ大重量で
あって絶縁性も良くないなど種々の問題点があるため、
最近ではそのような電流センサに代えて光磁界センサを
用いる計画が進められている。
【０００３】光磁界センサを用いる場合には、導体例え
ば送電線に流れる電流によりその周囲に発生する磁界
を、磁気光学材料が有するファラデー効果を利用して測
定し、その測定された磁界からそこに流れている電流値
を求めるようにするが、この場合の特徴としては、高耐
圧，高絶縁性，非接触，小型軽量であって、高圧側に電
源や電気回路が不要なことなどを挙げることができる。
ば送電線に流れる電流によりその周囲に発生する磁界
を、磁気光学材料が有するファラデー効果を利用して測
定し、その測定された磁界からそこに流れている電流値
を求めるようにするが、この場合の特徴としては、高耐
圧，高絶縁性，非接触，小型軽量であって、高圧側に電
源や電気回路が不要なことなどを挙げることができる。
【０００４】このような光磁界センサの基本構成を図５
を用いて説明する。光源１から出射した光は、光ファイ
バ２，レンズ３，偏光子４を経て直線偏光となった後、
半波長板５を通過して磁気光学素子６に入射する。直線
偏光となった光は、磁気光学素子６を通過するとき被測
定磁界（以下、磁界と略称する）の強さに応じて旋光を
受け、検光子７を通過したあと磁界の強さに対応した強
度となってレンズ８で集光され、光ファイバ９に入射す
る。
を用いて説明する。光源１から出射した光は、光ファイ
バ２，レンズ３，偏光子４を経て直線偏光となった後、
半波長板５を通過して磁気光学素子６に入射する。直線
偏光となった光は、磁気光学素子６を通過するとき被測
定磁界（以下、磁界と略称する）の強さに応じて旋光を
受け、検光子７を通過したあと磁界の強さに対応した強
度となってレンズ８で集光され、光ファイバ９に入射す
る。
【０００５】光ファイバ９に入射した光は、光検出器１
０に導かれて光電変換される。その後、信号処理回路１
１によって交流成分と直流成分に分けられ、割り算器に
より交流電圧成分を直流電圧成分で除算された値が出力
される。このようにして計算された実効値をもって被測
定磁界を表す。ここで、交流電圧成分を直流電圧成分で
除算した値を検出する理由は、光源１の出射光強度の変
動及び光ファイバ２，９の揺れ等による光量の変動を消
去して所望の磁界を検出することができるためである。
０に導かれて光電変換される。その後、信号処理回路１
１によって交流成分と直流成分に分けられ、割り算器に
より交流電圧成分を直流電圧成分で除算された値が出力
される。このようにして計算された実効値をもって被測
定磁界を表す。ここで、交流電圧成分を直流電圧成分で
除算した値を検出する理由は、光源１の出射光強度の変
動及び光ファイバ２，９の揺れ等による光量の変動を消
去して所望の磁界を検出することができるためである。
【０００６】上記の構成において、光源１には発光ダイ
オード或いはレーザダイオードを用いることが考えられ
る。しかし、レーザダイオードから出射される光は略直
線偏光であるため、光ファイバ２を通過するときに、光
ファイバ２に生じた応力誘起複屈折により偏光面が変化
してしまい、偏光子４を通過した光の強度が不安定にな
るという問題点がある。従って、光源１には無偏光の光
を出射する発光ダイオードが用いられる。
オード或いはレーザダイオードを用いることが考えられ
る。しかし、レーザダイオードから出射される光は略直
線偏光であるため、光ファイバ２を通過するときに、光
ファイバ２に生じた応力誘起複屈折により偏光面が変化
してしまい、偏光子４を通過した光の強度が不安定にな
るという問題点がある。従って、光源１には無偏光の光
を出射する発光ダイオードが用いられる。
【０００７】また、半波長板５を用いている理由は、偏
光面を４５度回転させ、偏光子４と検光子７の相対主軸
角を４５度として、光磁界センサの感度を最大とするた
めである。また、磁界と磁気光学材料６を通過する光の
進路とは平行である。尚、この場合には半波長板５と磁
気光学材料６は配置を入れ換えても特性上大きな問題は
ない。
光面を４５度回転させ、偏光子４と検光子７の相対主軸
角を４５度として、光磁界センサの感度を最大とするた
めである。また、磁界と磁気光学材料６を通過する光の
進路とは平行である。尚、この場合には半波長板５と磁
気光学材料６は配置を入れ換えても特性上大きな問題は
ない。
【０００８】図５においては偏光子４及び検光子７に偏
光ビームスプリッタを用いているが、この偏光ビームス
プリッタに代えて偏光ガラスを用いることもある。その
ように構成した場合の一例が図６に示されており、第１
の偏光ガラス１４と第２の偏光ガラス１５の相対主軸角
を４５度に配置することによって、図１における半波長
板５を除去するようにしている。また、一般には光路を
９０度曲げることが多いため、この図６に示した例にお
いては全反射プリズム１２，１３が用いられている。
光ビームスプリッタを用いているが、この偏光ビームス
プリッタに代えて偏光ガラスを用いることもある。その
ように構成した場合の一例が図６に示されており、第１
の偏光ガラス１４と第２の偏光ガラス１５の相対主軸角
を４５度に配置することによって、図１における半波長
板５を除去するようにしている。また、一般には光路を
９０度曲げることが多いため、この図６に示した例にお
いては全反射プリズム１２，１３が用いられている。
【０００９】このような構成の光磁界センサに用いられ
る磁気光学素子６用の材料としては、鉛ガラス，ＺｎＳ
ｅ，ＢＧＯ，ＢＳＯ等の常磁性材料、又は反磁性材料が
あるが、最近では上記したように送電線，配電線の電流
計測、ＧＩＳ，キュービクル内の計器用変流器にも光磁
界センサを用いる計画が積極的に進められており、光磁
界センサに対し高感度化、小型化、低価格化が要求され
ているために、量産性が高く磁気感度の高い磁性ガーネ
ットやＢｉ置換の磁性ガーネットを用いた光磁界センサ
の開発が行われるようになってきた。
る磁気光学素子６用の材料としては、鉛ガラス，ＺｎＳ
ｅ，ＢＧＯ，ＢＳＯ等の常磁性材料、又は反磁性材料が
あるが、最近では上記したように送電線，配電線の電流
計測、ＧＩＳ，キュービクル内の計器用変流器にも光磁
界センサを用いる計画が積極的に進められており、光磁
界センサに対し高感度化、小型化、低価格化が要求され
ているために、量産性が高く磁気感度の高い磁性ガーネ
ットやＢｉ置換の磁性ガーネットを用いた光磁界センサ
の開発が行われるようになってきた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な光磁界センサにおいては、光検出器による光電変換後
のＳ／Ｎ比を高める必要があるが、そのためには各光学
系における挿入損失をできるだけ小さくすることが重要
である。挿入損失を低減する場合には、通常、全反射プ
リズムや偏光ガラスなどの光学面に対空気用の無反射膜
を真空蒸着によって施すようにするのが普通であるが、
上記のような光磁界センサの全光学部品に対しそのよう
な加工方法を施すと、製造コストが高くなってしまうた
め、この点の改善が光磁界センサの低コスト化にとって
大きな問題点の一つとなっていた。尚、ここで挿入損失
とは、各光学部品の光吸収や回折による避けることので
きない損失を除いた、各光学部品の界面における反射損
失を意味する。
な光磁界センサにおいては、光検出器による光電変換後
のＳ／Ｎ比を高める必要があるが、そのためには各光学
系における挿入損失をできるだけ小さくすることが重要
である。挿入損失を低減する場合には、通常、全反射プ
リズムや偏光ガラスなどの光学面に対空気用の無反射膜
を真空蒸着によって施すようにするのが普通であるが、
上記のような光磁界センサの全光学部品に対しそのよう
な加工方法を施すと、製造コストが高くなってしまうた
め、この点の改善が光磁界センサの低コスト化にとって
大きな問題点の一つとなっていた。尚、ここで挿入損失
とは、各光学部品の光吸収や回折による避けることので
きない損失を除いた、各光学部品の界面における反射損
失を意味する。
【００１１】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的とするところは、偏
光ガラスと全反射プリズムの光学面に無反射膜を施すこ
となく、挿入損失が小さく且つ安価な光磁界センサを提
供することである。
めになされたものであり、その目的とするところは、偏
光ガラスと全反射プリズムの光学面に無反射膜を施すこ
となく、挿入損失が小さく且つ安価な光磁界センサを提
供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段及び作用】上記の目的を達
成するために、本発明は、光源と、第１全反射プリズム
と、偏光子と、磁気光学素子と、検光子と、第２全反射
プリズムと、光検出器と、信号処理回路とを有する光磁
界センサにおいて、該第１全反射プリズムと、該偏光子
と、該磁気光学素子と、該検光子と、該第２全反射プリ
ズムの光学面が接着剤で張り合わされている構成とす
る。
成するために、本発明は、光源と、第１全反射プリズム
と、偏光子と、磁気光学素子と、検光子と、第２全反射
プリズムと、光検出器と、信号処理回路とを有する光磁
界センサにおいて、該第１全反射プリズムと、該偏光子
と、該磁気光学素子と、該検光子と、該第２全反射プリ
ズムの光学面が接着剤で張り合わされている構成とす
る。
【００１３】また、好ましくは、上記の光磁界センサに
おいて、前記接着剤の屈折率が略１．４３以上であって
且つ略１．５９５以下であるようにする。更に、好まし
くは、上記の光磁界センサにおいて、前記偏光子と前記
検光子が各々偏光ガラスであり、前記磁気光学素子が磁
性ガーネットであるようにする。
おいて、前記接着剤の屈折率が略１．４３以上であって
且つ略１．５９５以下であるようにする。更に、好まし
くは、上記の光磁界センサにおいて、前記偏光子と前記
検光子が各々偏光ガラスであり、前記磁気光学素子が磁
性ガーネットであるようにする。
【００１４】
【実施例】本発明の実施例の具体的な構成とその試験結
果を図１乃至図４を用いて説明する。図１は実際に試作
した光磁界センサの構成を示しており、図中の符号は図
６に示したものと同じものには同じ符号を用いてある。
そこで、先ず、この試作した実施例の構成を具体的に説
明する。光源１は波長が０．８５μｍの発光ダイオード
であり、光検出器１０はＳｉダイオードである。光ファ
イバ２，９はマルチモードファイバであり、レンズ３，
８は夫々セルフォクレンズである。
果を図１乃至図４を用いて説明する。図１は実際に試作
した光磁界センサの構成を示しており、図中の符号は図
６に示したものと同じものには同じ符号を用いてある。
そこで、先ず、この試作した実施例の構成を具体的に説
明する。光源１は波長が０．８５μｍの発光ダイオード
であり、光検出器１０はＳｉダイオードである。光ファ
イバ２，９はマルチモードファイバであり、レンズ３，
８は夫々セルフォクレンズである。
【００１５】また、偏光子と検光子には夫々コーニング
社製の偏光ガラス（商品名、ポーラコア）１４，１５を
用いた。磁気光学素子６は（ＹｂＴｂＢｉ）3 Ｆｅ5 Ｏ
12の磁性ガーネットであり、全反射プリズム１２，１３
は夫々ガラス製の三角形プリズムである。偏光ガラス１
４，１５を偏光面の相対角度が４５度となるようにして
配置したあと、全反射プリズム１２，偏光ガラス１４，
磁気光学素子６，偏光ガラス１５，全反射プリズム１３
は上記した波長０．８５μｍの光に対して屈折率１．５
１を有する接着剤１６，１７，１８，１９によって接着
されている。
社製の偏光ガラス（商品名、ポーラコア）１４，１５を
用いた。磁気光学素子６は（ＹｂＴｂＢｉ）3 Ｆｅ5 Ｏ
12の磁性ガーネットであり、全反射プリズム１２，１３
は夫々ガラス製の三角形プリズムである。偏光ガラス１
４，１５を偏光面の相対角度が４５度となるようにして
配置したあと、全反射プリズム１２，偏光ガラス１４，
磁気光学素子６，偏光ガラス１５，全反射プリズム１３
は上記した波長０．８５μｍの光に対して屈折率１．５
１を有する接着剤１６，１７，１８，１９によって接着
されている。
【００１６】偏光ガラス１４，１５の両光学面と全反射
プリズム１２，１３の接着面には無反射膜を施していな
いが、磁気光学素子６の両光学面には、屈折率が１．５
１の接着剤に対する無反射膜を、また、レンズ３，８の
両光学面と全反射プリズム１２，１３のレンズ側の光学
面には、空気に対する無反射膜を施してあり、夫々の無
反射膜は波長０．８５μｍの光に対して無反射となって
いる。尚、予め、全反射プリズム１２，１３と偏光ガラ
ス１４，１５に接着剤を用いず各光学面に無反射膜を施
した場合における挿入損失の総和を調べてみたところ約
０．０２ｄＢであった。
プリズム１２，１３の接着面には無反射膜を施していな
いが、磁気光学素子６の両光学面には、屈折率が１．５
１の接着剤に対する無反射膜を、また、レンズ３，８の
両光学面と全反射プリズム１２，１３のレンズ側の光学
面には、空気に対する無反射膜を施してあり、夫々の無
反射膜は波長０．８５μｍの光に対して無反射となって
いる。尚、予め、全反射プリズム１２，１３と偏光ガラ
ス１４，１５に接着剤を用いず各光学面に無反射膜を施
した場合における挿入損失の総和を調べてみたところ約
０．０２ｄＢであった。
【００１７】そこで、上記のようにして作製された本実
施例の光磁界センサに対しても、光の損失のうち、各光
学部品の光吸収や回折による不可避な損失を除き、反射
によって生じる挿入損失を調べてみたところ、０．０２
ｄＢ以下の結果が得られた。尚、各光学部品をこのよう
に接着剤で接着しても光磁界センサの感度，精度面に対
する悪影響は全くなく、従来通りの性能を得ることがで
きた。このように、本実施例によれば、偏光ガラスと全
反射プリズムの光学面に無反射膜を施さなくても挿入損
失が充分に小さくなっており、また、二つの偏光ガラス
の各両光学面、及び各全反射プリズムの偏光ガラス側の
面の計６面の無反射処理を省略することができるため、
従来に比べ低価格化が可能となる。
施例の光磁界センサに対しても、光の損失のうち、各光
学部品の光吸収や回折による不可避な損失を除き、反射
によって生じる挿入損失を調べてみたところ、０．０２
ｄＢ以下の結果が得られた。尚、各光学部品をこのよう
に接着剤で接着しても光磁界センサの感度，精度面に対
する悪影響は全くなく、従来通りの性能を得ることがで
きた。このように、本実施例によれば、偏光ガラスと全
反射プリズムの光学面に無反射膜を施さなくても挿入損
失が充分に小さくなっており、また、二つの偏光ガラス
の各両光学面、及び各全反射プリズムの偏光ガラス側の
面の計６面の無反射処理を省略することができるため、
従来に比べ低価格化が可能となる。
【００１８】次に、接着剤の屈折率について考察した結
果を説明する。図１において、接着剤１６，１７，１
８，１９が関係する界面は、全反射プリズム１２，１３
と接着剤１６，１９との界面ａ，ｈ、偏光ガラス１４，
１５と接着剤１６，１７，１８，１９との界面ｂ，ｃ，
ｆ，ｇ、磁気光学素子（磁性ガーネット）６と接着剤１
７，１８との界面ｄ，ｅの計８面である。
果を説明する。図１において、接着剤１６，１７，１
８，１９が関係する界面は、全反射プリズム１２，１３
と接着剤１６，１９との界面ａ，ｈ、偏光ガラス１４，
１５と接着剤１６，１７，１８，１９との界面ｂ，ｃ，
ｆ，ｇ、磁気光学素子（磁性ガーネット）６と接着剤１
７，１８との界面ｄ，ｅの計８面である。
【００１９】このうち、先ず、全反射プリズムと接着剤
との界面ａ，ｈ、及び偏光ガラスと接着剤との界面ｂ，
ｃ，ｆ，ｇについて考える。全反射プリズムと偏光ガラ
スの屈折率は、近赤外の波長領域（０．８〜１．６μ
ｍ）で殆ど変化せず両者共に１．５１程度である。そこ
で、０．８５μｍの波長の光に対して屈折率の異なる接
着剤を用意し、全反射プリズムに各々の接着剤を付け、
挿入損失を求めた結果を図２に示してある。同様にし
て、偏光ガラスの場合を図３に示してある。これらの図
から分かるように、全反射プリズムと偏光ガラスの屈折
率が略同じであるため、同じ屈折率の接着剤に対する挿
入損失は略一致している。
との界面ａ，ｈ、及び偏光ガラスと接着剤との界面ｂ，
ｃ，ｆ，ｇについて考える。全反射プリズムと偏光ガラ
スの屈折率は、近赤外の波長領域（０．８〜１．６μ
ｍ）で殆ど変化せず両者共に１．５１程度である。そこ
で、０．８５μｍの波長の光に対して屈折率の異なる接
着剤を用意し、全反射プリズムに各々の接着剤を付け、
挿入損失を求めた結果を図２に示してある。同様にし
て、偏光ガラスの場合を図３に示してある。これらの図
から分かるように、全反射プリズムと偏光ガラスの屈折
率が略同じであるため、同じ屈折率の接着剤に対する挿
入損失は略一致している。
【００２０】全反射プリズムと接着剤との界面は２面、
偏光ガラスと接着剤との界面は４面であるため、図２の
挿入損失の２倍と、図３の挿入損失の４倍との和が、界
面ａ，ｂ，ｃ，ｆ，ｇ，ｈにおける挿入損失の総和とな
る。それを示したのが図４である。この図４から、上記
６界面の挿入損失の総和を、接着剤を用いず且つ該界面
に無反射膜を施した場合の総和である上記した０．０２
ｄＢ以下にするためには、接着剤の屈折率を１．４３以
上１．５９５以下の範囲にすればよいことが分かる。
偏光ガラスと接着剤との界面は４面であるため、図２の
挿入損失の２倍と、図３の挿入損失の４倍との和が、界
面ａ，ｂ，ｃ，ｆ，ｇ，ｈにおける挿入損失の総和とな
る。それを示したのが図４である。この図４から、上記
６界面の挿入損失の総和を、接着剤を用いず且つ該界面
に無反射膜を施した場合の総和である上記した０．０２
ｄＢ以下にするためには、接着剤の屈折率を１．４３以
上１．５９５以下の範囲にすればよいことが分かる。
【００２１】尚、接着剤を用いずに全反射プリズムと偏
光ガラスを空間的配置とし、しかも上記６界面に無反射
膜を施さない場合には、該６界面の挿入損失の総和が
１．１０ｄＢであったので、それに対しては１ｄＢ以上
も低減することができていることになる。また、図２乃
至図４は波長０．８５μｍの場合を示したものである
が、全反射プリズムと偏光ガラスの屈折率は近赤外の波
長領域では殆ど変化しないため、上記波長領域内であれ
ば光源光がどの様な波長の光であっても、屈折率が上記
の範囲である接着剤を用いることによって挿入損失を
０．０２ｄＢ以下にすることが可能である。
光ガラスを空間的配置とし、しかも上記６界面に無反射
膜を施さない場合には、該６界面の挿入損失の総和が
１．１０ｄＢであったので、それに対しては１ｄＢ以上
も低減することができていることになる。また、図２乃
至図４は波長０．８５μｍの場合を示したものである
が、全反射プリズムと偏光ガラスの屈折率は近赤外の波
長領域では殆ど変化しないため、上記波長領域内であれ
ば光源光がどの様な波長の光であっても、屈折率が上記
の範囲である接着剤を用いることによって挿入損失を
０．０２ｄＢ以下にすることが可能である。
【００２２】次に、磁気光学素子６と接着剤１７，１８
との界面ｄ，ｅについて考える。磁気光学素子６として
用いた磁性ガーネットの屈折率は、近赤外の波長領域で
は２．２〜２．３程度であるため、上記のように屈折率
が１．４３以上１．５９５以下の接着剤を用いたのでは
磁性ガーネットと接着剤の屈折率の整合が取れず、反射
損失が生じてしまう。
との界面ｄ，ｅについて考える。磁気光学素子６として
用いた磁性ガーネットの屈折率は、近赤外の波長領域で
は２．２〜２．３程度であるため、上記のように屈折率
が１．４３以上１．５９５以下の接着剤を用いたのでは
磁性ガーネットと接着剤の屈折率の整合が取れず、反射
損失が生じてしまう。
【００２３】そこで、磁性ガーネットと接着剤の屈折率
を整合させるためには、接着剤の屈折率を磁性ガーネッ
トの屈折率に整合させる必要があるが、実際にはそのよ
うな高い屈折率を有する接着剤が存在しない。従って、
光磁界センサの挿入損失を低減させるためには、偏光ガ
ラスと磁性ガーネット間の接着剤は偏光ガラスの屈折率
に合わせて１．４３以上１．５９５以下の範囲の屈折率
とし、磁性ガーネットには対接着剤用の無反射膜を施す
ことが必要となる。このような実情から、上記の実施例
においては、磁気光学素子６の両光学面に、屈折率が
１．５１の接着剤に対する無反射膜を施している。
を整合させるためには、接着剤の屈折率を磁性ガーネッ
トの屈折率に整合させる必要があるが、実際にはそのよ
うな高い屈折率を有する接着剤が存在しない。従って、
光磁界センサの挿入損失を低減させるためには、偏光ガ
ラスと磁性ガーネット間の接着剤は偏光ガラスの屈折率
に合わせて１．４３以上１．５９５以下の範囲の屈折率
とし、磁性ガーネットには対接着剤用の無反射膜を施す
ことが必要となる。このような実情から、上記の実施例
においては、磁気光学素子６の両光学面に、屈折率が
１．５１の接着剤に対する無反射膜を施している。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、偏光ガ
ラスと全反射プリズムの光学面に無反射膜を施さなくて
も挿入損失が充分に小さくなっており、また、二つの偏
光ガラスの各両光学面、及び各全反射プリズムの偏光ガ
ラス側の面の計６面の無反射処理を省略することができ
るため、従来に比べ低価格化が可能となる。
ラスと全反射プリズムの光学面に無反射膜を施さなくて
も挿入損失が充分に小さくなっており、また、二つの偏
光ガラスの各両光学面、及び各全反射プリズムの偏光ガ
ラス側の面の計６面の無反射処理を省略することができ
るため、従来に比べ低価格化が可能となる。
【図１】本発明の実施例の構成図である。
【図２】本実施例の全反射プリズムと接着剤との間にお
ける挿入損失と、接着剤の屈折率との関係を示す図であ
る。
ける挿入損失と、接着剤の屈折率との関係を示す図であ
る。
【図３】本実施例の偏光ガラスと接着剤との間における
挿入損失と、接着剤の屈折率との関係を示す図である。
挿入損失と、接着剤の屈折率との関係を示す図である。
【図４】本実施例の界面ａ，ｂ，ｃ，ｆ，ｇ，ｈにおけ
る挿入損失の総和と、接着剤の屈折率との関係を示す図
である。
る挿入損失の総和と、接着剤の屈折率との関係を示す図
である。
【図５】従来の光磁界センサの構成図である。
【図６】従来の光磁界センサの他の構成図である。
１ 光源 ２，９ 光ファイバ ３，８ レンズ ４ 偏光子 ５ 半波長板 ６ 磁気光学素子 ７ 検光子 １０ 光検出器 １１ 信号処理回路 １２，１３ 全反射プリズム １４，１５ 偏光ガラス １６，１７，１８，１９ 接着剤 ａ，ｈ 全反射プリズムと接着剤と
の界面 ｂ，ｃ，ｆ，ｇ 偏光ガラスと接着剤との界
面 ｄ，ｅ 磁気光学素子と接着剤との
界面
の界面 ｂ，ｃ，ｆ，ｇ 偏光ガラスと接着剤との界
面 ｄ，ｅ 磁気光学素子と接着剤との
界面
Claims (3)
- 【請求項１】 光源と、第１全反射プリズムと、偏光子
と、磁気光学素子と、検光子と、第２全反射プリズム
と、光検出器と、信号処理回路とを有する光磁界センサ
において、該第１全反射プリズムと、該偏光子と、該磁
気光学素子と、該検光子と、該第２全反射プリズムの光
学面が接着剤で張り合わされていることを特徴とする光
磁界センサ。 - 【請求項２】 前記接着剤の屈折率が略１．４３以上で
あって且つ略１．５９５以下であることを特徴とする請
求項１に記載の光磁界センサ。 - 【請求項３】 前記偏光子と前記検光子が各々偏光ガラ
スであり、前記磁気光学素子が磁性ガーネットであるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の光磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133528A JPH08327669A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 光磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133528A JPH08327669A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 光磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08327669A true JPH08327669A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15106906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7133528A Pending JPH08327669A (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 光磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08327669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004072671A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Lee, Hun-Su | Optical magnetic field sensor and optical magnetic field measurement apparatus using the same |
| CN103604973A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-02-26 | 北京交通大学 | 一种利用光环路镜为反射元件的全光纤电流传感器 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP7133528A patent/JPH08327669A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004072671A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-26 | Lee, Hun-Su | Optical magnetic field sensor and optical magnetic field measurement apparatus using the same |
| CN103604973A (zh) * | 2013-10-22 | 2014-02-26 | 北京交通大学 | 一种利用光环路镜为反射元件的全光纤电流传感器 |
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