JPH08328000A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents
Active matrix type liquid crystal display deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス型
液晶表示装置に関し、とくにその開口率の向上と工程の
削減をはかったアクティブマトリクス型液晶表示装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device which has an improved aperture ratio and a reduced number of steps.
【０００２】[0002]
【従来の技術】アクティブマトリクス型液晶表示装置と
は、マトリクスの各交差部に画素が配置され、すべの画
素にはスイッチング用の素子が設けられており、画素情
報はスイッチング素子のオン／オフによって制御される
ものをいう。このような表示装置の表示媒体としては液
晶を用いる。本発明ではスイッチング素子として、特に
三端子素子、すなわち、ゲート、ソース、ドレインを有
する薄膜トランジスタを用いる。2. Description of the Related Art In an active matrix type liquid crystal display device, pixels are arranged at each intersection of a matrix, and switching elements are provided in all the pixels. Pixel information is obtained by turning on / off switching elements. What is controlled. Liquid crystal is used as a display medium of such a display device. In the present invention, a three-terminal element, that is, a thin film transistor having a gate, a source, and a drain is used as the switching element.
【０００３】また、本発明の記述においては、マトリク
スにおける行とは、当該行に平行に配置された走査線
（ゲート線）が当該行の薄膜トランジスタのゲート電極
に接続されているものを言い、列とは当該行に平行に配
置された信号線（ソース線）が当該列の薄膜トランジス
タのソース（もしくはドレイン）電極に接続されている
ものを言う。さらに、走査線を駆動する回路を走査線駆
動回路、信号線を駆動する回路を信号線駆動回路と称す
る。また、薄膜トランジスタをTFT と称する。近年、ビ
デオカメラのビュウファインダやプロジェクタの市場に
おいて、駆動回路をポリシリコンTFT を用いてガラス基
板上に画素TFT と同時形成した液晶表示装置が主流にな
りつつある。さらに、その液晶表示装置の信頼性向上、
基板サイズの縮小のため駆動回路を画素TFT と同様に液
晶領域内に設けることがおこなわれている。Further, in the description of the present invention, a row in a matrix refers to a row in which a scanning line (gate line) arranged in parallel to the row is connected to a gate electrode of a thin film transistor in the row, and a column. Means that a signal line (source line) arranged in parallel to the row is connected to a source (or drain) electrode of the thin film transistor in the column. Further, a circuit that drives a scan line is referred to as a scan line drive circuit, and a circuit that drives a signal line is referred to as a signal line drive circuit. In addition, the thin film transistor is referred to as a TFT. In recent years, in the market of video camera viewfinders and projectors, liquid crystal display devices in which the driving circuit is formed simultaneously with pixel TFTs on a glass substrate using polysilicon TFTs are becoming mainstream. Furthermore, the reliability of the liquid crystal display device is improved,
In order to reduce the size of the substrate, a driving circuit is provided in the liquid crystal area as well as the pixel TFT.
【０００４】図２に示すのはアクティブマトリクス型液
晶表示装置の第一の従来例である。この例にあるように
アクティブマトリクス型液晶表示装置は図２の上方に信
号線駆動回路、左方に走査線駆動回路を配置し、信号
線、走査線の駆動をおこなっている。図３は、図２の画
素マトリクスの一部を拡大したものである。図３は対向
基板上のブラックマトリクスとITO 画素電極が重なるこ
とによってITO 画素電極間の光を通さない領域を示して
いる。ブラックマトリクスとは画素電極間の隙間やTFT
エリアの光を遮る層で、パネルの開口率を決定し、表示
輝度に重大な影響を与える。開口率とはブラックマトリ
クスの開口面積を画素セルの面積で割ったもので値が大
きいほど表示には有利である。この例の断面図を図４に
示す。カラー表示では輝度の向上が大きな課題であり、
開口率を上げる必要がある。また、開口率を向上させる
ことでバックライト等の光源の明るさを小さくすること
ができ、液晶表示装置の消費電力を低減させることがで
きる。FIG. 2 shows a first conventional example of an active matrix type liquid crystal display device. As shown in this example, in the active matrix type liquid crystal display device, a signal line driving circuit is arranged in the upper part of FIG. 2 and a scanning line driving circuit is arranged in the left part to drive the signal lines and the scanning lines. FIG. 3 is an enlarged view of a part of the pixel matrix of FIG. FIG. 3 shows a region between the ITO pixel electrodes where light does not pass because the black matrix on the counter substrate and the ITO pixel electrodes overlap. What is a black matrix?
A layer that blocks light in the area, which determines the aperture ratio of the panel and has a significant effect on display brightness. The aperture ratio is obtained by dividing the aperture area of the black matrix by the area of the pixel cell, and the larger the value, the more advantageous for display. A cross-sectional view of this example is shown in FIG. Brightness is a major issue in color display,
It is necessary to increase the aperture ratio. Further, by improving the aperture ratio, the brightness of a light source such as a backlight can be reduced, and the power consumption of the liquid crystal display device can be reduced.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ブラックマトリクスを
対向基板に作る場合、TFT 基板と対向基板との張り合せ
精度から、図３に示すようにブラックマトリクスはITO
画素電極に5 〜7 μｍ程度入り込んでいるため開口部の
面積を大きくできないという問題点があった。When the black matrix is formed on the counter substrate, the black matrix is formed on the ITO substrate as shown in FIG. 3 because of the bonding precision between the TFT substrate and the counter substrate.
There is a problem in that the area of the opening cannot be increased because the pixel electrode has a depth of 5 to 7 μm.
【０００６】図５に示すのはその問題の解決策を施した
第二の従来例である。この例では、ブラックマトリクス
を対向基板からTFT 基板に移した。このとき、ブラック
マトリクスとITO 画素電極を同一基板上に形成するた
め、張り合せ精度が向上し重なり領域が2 μm 程度で済
む。よって、ブラックマトリクスをTFT 基板に移すこと
で、図３の例では、図３（Ａ）に示す、開口率が約15％
（重なり領域７μｍ）から、図３（Ｂ）に示す、約40％
（重なり領域２μｍ）に大きく向上した。特に、前述し
た様に、対向基板を、駆動回路に対向する大きさを有す
るものとし、駆動回路を液晶領域の中に設けたもので
は、駆動回路領域と画素領域が近接となるため、駆動回
路においても遮光の必要が発生する。FIG. 5 shows a second conventional example in which a solution to the problem is provided. In this example, the black matrix was transferred from the counter substrate to the TFT substrate. At this time, since the black matrix and the ITO pixel electrode are formed on the same substrate, the bonding accuracy is improved and the overlapping area is about 2 μm. Therefore, by moving the black matrix to the TFT substrate, in the example of FIG. 3, the aperture ratio shown in FIG.
From (overlap area 7 μm), about 40% shown in FIG. 3 (B)
(Overlapping area 2 μm). Particularly, as described above, in the case where the counter substrate has a size facing the drive circuit and the drive circuit is provided in the liquid crystal region, the drive circuit region and the pixel region are close to each other. Even in the case, it is necessary to shield light.
【０００７】画素の遮光のためのブラックマトリクスを
TFT 基板に移し、その遮光膜にて駆動回路の遮光を行っ
た場合、遮光に関しては問題ないが、駆動回路のTFT と
ブラックマトリクスとの間の層間絶縁膜の容量が無視で
きなくなる。層間膜の厚さを3000Åとし、窒化膜を使用
すると単位面積当りの絶縁膜の容量は2.50×10-16 〔F/
μm2〕となり、たとえば、駆動回路のクロックライン等
に巾100 μm 、長さ50000 μm の配線があった場合、駆
動回路の配線とブラックマトリクスの間の容量は1.25×
10-9〔Ｆ〕となる。このとき、駆動回路の配線の遅延時
間は配線のシート抵抗を０．２〔Ω/ μm2〕とすると1.
25×10-7〔ｓ〕となり、数MHz で配線を駆動する場合に
問題となる。駆動回路は画素TFT と比較して回路特性が
重要で改善が必要である。A black matrix for shading pixels
When the drive circuit is moved to the TFT substrate and the light-shielding film is used to shield the drive circuit, there is no problem with light-shielding, but the capacitance of the interlayer insulating film between the TFT of the drive circuit and the black matrix cannot be ignored. If the thickness of the interlayer film is 3000 Å and a nitride film is used, the capacity of the insulating film per unit area is 2.50 × 10 -16 [F /
μm 2 ], for example, if there is a wiring with a width of 100 μm and a length of 50000 μm in the clock line of the driving circuit, the capacitance between the wiring of the driving circuit and the black matrix is 1.25 ×.
It becomes 10 -9 [F]. At this time, the delay time of the wiring of the driving circuit is 1. If the sheet resistance of the wiring is 0.2 [Ω / μm 2 ].
It becomes 25 × 10 -7 [s], which is a problem when the wiring is driven at several MHz. The circuit characteristics of the drive circuit are more important than those of the pixel TFT, and improvements are needed.
【０００８】図６に示すのはブラックマトリクスを対向
基板からTFT 基板に移すことで駆動回路特性が悪くなる
問題の解決策を施した第三の従来例である。この例で
は、画素部のブラックマトリクスのみTFT 基板に移し、
駆動部のブラックマトリクスは対向基板に形成する。し
かし、この場合、開口率は向上するものの、ブラックマ
トリクスをTFT 基板と対向基板の両方に形成するため工
程数が増えることになる。FIG. 6 shows a third conventional example in which the solution of the problem that the driving circuit characteristics are deteriorated by transferring the black matrix from the counter substrate to the TFT substrate is taken. In this example, only the black matrix of the pixel part is transferred to the TFT substrate,
The black matrix of the driving unit is formed on the counter substrate. However, in this case, although the aperture ratio is improved, the number of steps is increased because the black matrix is formed on both the TFT substrate and the counter substrate.
【０００９】本発明は、工程数を増やさずに、開口率を
向上させた液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、工程数を増やさずに、駆動回路部の遮光でき
る液晶表示装置を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device having an improved aperture ratio without increasing the number of steps.
It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device that can shield the drive circuit unit from light without increasing the number of steps.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、薄膜トランジスタが接続された画素が、
複数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トラン
ジスタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回
路部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、前記基
板に対向し、カラーフィルタを有する第二の絶縁基板
と、前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に
充填された、液晶材と、を少なくとも有する、アクティ
ブマトリクス型液晶表示装置において、前記第二の絶縁
基板上の、前記駆動回路部に対向する位置に、R(赤) 、
G(緑)、B(青) の三種のカラーフィルタが重ねて設けら
れることにより構成される、遮光膜が設けられているこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置で
ある。In order to solve the above problems, the present invention provides a pixel to which a thin film transistor is connected,
A first insulating substrate having a plurality of pixel regions arranged in a matrix and a drive circuit unit configured by thin film transistors for driving the pixel unit on the same surface, and facing the substrate, a color filter An active matrix type liquid crystal display device comprising at least a second insulating substrate having, and a liquid crystal material filled between the first insulating substrate and the second insulating substrate, wherein the second insulating substrate On the substrate, at the position facing the drive circuit section, R (red),
An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that it is provided with a light-shielding film, which is constituted by stacking three types of color filters of G (green) and B (blue).
【００１１】また、本発明の他の構成は、薄膜トランジ
スタが接続された画素が、複数マトクリクス状に配置さ
れた画素部と、薄膜トランジスタにより構成された、前
記画素部を駆動する駆動回路部とを、同一面上に有する
第一の絶縁基板と、前記画素部に対向する位置に設けら
れたカラーフィルタを有する、前記第一の絶縁基板に対
向する第二の絶縁基板と、前記第一の絶縁基板と前記第
二の絶縁基板との間に充填された、液晶材と、を少なく
とも有する、アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、前記画素部には、ブラックマトリクスが設けら
れ、、前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向
する位置に、R(赤) 、G(緑)、B(青) の三種のカラーフ
ィルタが重ねて設けられることにより構成される遮光膜
が設けられていることを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置である。Further, according to another structure of the present invention, a pixel portion in which pixels to which thin film transistors are connected are arranged in a plurality of matrixes, and a drive circuit portion configured by the thin film transistors for driving the pixel portion, A first insulating substrate facing the first insulating substrate having a first insulating substrate on the same surface and a color filter provided at a position facing the pixel portion; and the first insulating substrate. In the active matrix type liquid crystal display device having at least a liquid crystal material filled between the second insulating substrate and the second insulating substrate, a black matrix is provided in the pixel portion, and the second insulating substrate A light-shielding film formed by stacking three types of color filters of R (red), G (green), and B (blue) on top of each other at a position facing the drive circuit section. To An active matrix liquid crystal display device according to symptoms.
【００１２】また、本発明の他の構成は、薄膜トランジ
スタが接続された画素が、複数マトクリクス状に配置さ
れた画素部と、薄膜トランジスタにより構成された、前
記画素部を駆動する駆動回路部とを、同一面上に有する
第一の絶縁基板と、前記画素部に対向する位置に設けら
れたカラーフィルタを有する、前記第一の絶縁基板に対
向する第二の絶縁基板と、前記第一の絶縁基板と前記第
二の絶縁基板との間に充填された、液晶材と、を少なく
とも有する、アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、前記画素部には、ブラックマトリクスが設けら
れ、前記駆動回路部は、前記ブラックマトリクスと同一
材料によって構成される配線材を有し、前記第二の絶縁
基板上の、前記駆動回路部に対向する位置に、R(赤) 、
G(緑)、B(青) の三種のカラーフィルタが重ねて設けら
れることにより構成される遮光膜が設けられていること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置であ
る。Further, according to another structure of the present invention, a pixel portion in which pixels to which thin film transistors are connected are arranged in a plurality of matrix shapes, and a drive circuit portion configured by the thin film transistors for driving the pixel portion, A first insulating substrate facing the first insulating substrate having a first insulating substrate on the same surface and a color filter provided at a position facing the pixel portion; and the first insulating substrate. In the active matrix type liquid crystal display device, which comprises at least a liquid crystal material filled between the second insulating substrate and the second insulating substrate, a black matrix is provided in the pixel portion, and the drive circuit portion is Having a wiring material composed of the same material as the black matrix, on the second insulating substrate, at a position facing the drive circuit unit, R (red),
An active-matrix liquid crystal display device is characterized in that a light-shielding film formed by stacking three types of G (green) and B (blue) color filters is provided.
【００１３】また、本発明の他の構成は、上記の各構成
において、遮光膜を構成する、R(赤) 、G(緑) 、B(青)
の三種のカラーフィルタのそれぞれは、画素部に対向す
る位置に設けられた同種のカラーフィルタと、同一組成
を有していることを特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置である。Further, another constitution of the present invention is that in each of the above constitutions, R (red), G (green), B (blue) constituting the light-shielding film.
Each of the three types of color filters is an active matrix type liquid crystal display device characterized in that it has the same composition as the same type of color filter provided at a position facing the pixel portion.
【００１４】また、本発明の他の構成は、薄膜トランジ
スタが接続された画素が、複数マトクリクス状に配置さ
れた画素部と、薄膜トランジスタにより構成された、前
記画素部を駆動する駆動回路部とを、同一面上に有する
第一の絶縁基板と、前記画素部に対向する位置に設けら
れたカラーフィルタを有する、前記第一の絶縁基板に対
向する第二の絶縁基板と、前記第一の絶縁基板と前記第
二の絶縁基板との間に充填された、液晶材と、を少なく
とも有する、アクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、前記画素部には、ブラックマトリクスが設けら
れ、前記駆動回路部は、前記ブラックマトリクスと同一
材料によって構成される配線材を有し、前記第二の絶縁
基板上の、前記駆動回路部に対向する位置に、遮光膜が
設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置である。According to another structure of the present invention, a pixel section in which pixels to which thin film transistors are connected are arranged in a plurality of matrixes, and a driving circuit section configured by the thin film transistors for driving the pixel section, A first insulating substrate facing the first insulating substrate having a first insulating substrate on the same surface and a color filter provided at a position facing the pixel portion; and the first insulating substrate. In the active matrix type liquid crystal display device, which comprises at least a liquid crystal material filled between the second insulating substrate and the second insulating substrate, a black matrix is provided in the pixel portion, and the drive circuit portion is A wiring material made of the same material as the black matrix is provided, and a light-shielding film is provided on the second insulating substrate at a position facing the drive circuit section. An active matrix liquid crystal display device according to claim.
【００１５】また、本発明の他の構成は、上記各構成に
おいて、駆動回路は、直接または薄膜を介して、液晶材
に接していることを特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置である。Another structure of the present invention is an active matrix type liquid crystal display device characterized in that, in each of the above structures, the drive circuit is in contact with the liquid crystal material directly or through a thin film.
【００１６】また、本発明の他の構成は、上記各構成に
おいて、対向基板が、駆動回路に対向する大きさを有し
ていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表
示装置である。Another structure of the present invention is the active matrix type liquid crystal display device according to the above structure, wherein the counter substrate has a size facing the drive circuit.
【００１７】本発明は上記の課題を克服した、工程数を
増やさないで開口率を向上させるものであり、その構成
を図１に示す。この例では、画素部のブラックマトリク
スを、開口率向上のためTFT 基板上に設け、駆動回路部
の遮光膜としてカラーフィルタR 、G 、B を、対向基板
上の同一位置に三枚重ねて設ける。図10にカラーフィル
タR 、G 、B の分光特性を示す。カラーフィルタR 、G
、B を三枚重ねると、図10に示すように可視光が透過
せず、遮光膜として用いることができる。また、駆動回
路上に、画素部のブラックマトリクスと同層の遮光膜を
作る必要がないため、画素部では、ブラックマトリクス
として用いられている材料を、駆動回路部の配線材を構
成する材料として用いることが可能である。The present invention overcomes the above problems and improves the aperture ratio without increasing the number of steps, and the configuration thereof is shown in FIG. In this example, the black matrix of the pixel section is provided on the TFT substrate to improve the aperture ratio, and three color filters R, G, and B are provided as light-shielding films of the drive circuit section at the same position on the counter substrate in a stacked manner. . Fig. 10 shows the spectral characteristics of the color filters R 1, G 2, and B 3. Color filter R, G
, B does not transmit visible light as shown in FIG. 10, and can be used as a light shielding film. In addition, since it is not necessary to form a light-shielding film in the same layer as the black matrix of the pixel portion on the drive circuit, the material used as the black matrix in the pixel portion is used as the material forming the wiring material of the drive circuit portion. It can be used.
【００１８】以下に本実施例におけるアクティブマトリ
クス回路を用いた液晶表示装置の基板の作製方法の説明
を行う。以下、本実施例のモノリシック型アクティブマ
トリクス回路を得る制作工程について、図７を用いて説
明する。この工程は低温ポリシリコンプロセスのもので
ある。図7 の左側に駆動回路のTFT の作製工程を、右側
にアクティブマトリクス回路のTFT の作製工程をそれぞ
れ示す。まず、第一の絶縁基板としてガラス基板（701)
の上に、下地酸化膜（702)として厚さ1000〜3000Åの酸
化珪素膜を形成した。この酸化珪素膜の形成方法として
は、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマCVD 法を用
いればよい。A method for manufacturing a substrate of a liquid crystal display device using the active matrix circuit in this embodiment will be described below. The manufacturing process for obtaining the monolithic active matrix circuit of this embodiment will be described below with reference to FIG. This step is of a low temperature polysilicon process. The left side of Fig. 7 shows the TFT fabrication process for the drive circuit, and the right side shows the TFT fabrication process for the active matrix circuit. First, the glass substrate (701) as the first insulating substrate
A silicon oxide film having a thickness of 1000 to 3000 Å was formed as a base oxide film (702) on the above. As a method for forming this silicon oxide film, a sputtering method in an oxygen atmosphere or a plasma CVD method may be used.
【００１９】その後、プラズマCVD 法やLPCVD 法によっ
てアモルファスのシリコン膜を300〜1500Å、好ましく
は500 〜1000Åに形成した。そして、500 ℃以上、好ま
しくは、500 〜600 ℃の温度で熱アニールを行い、シリ
コン膜を結晶化させた、もしくは、結晶性を高めた。熱
アニールによって結晶化ののち、光（レーザーなど）ア
ニールをおこなって、さらに結晶化を高めてもよい。ま
た、熱アニールによる結晶化の際に特開平6-244103、同
6-244104に記述されているように、ニッケル等のシリコ
ンの結晶化を促進させる元素（触媒元素）を添加しても
よい。After that, an amorphous silicon film was formed to a thickness of 300 to 1500 Å, preferably 500 to 1000 Å by the plasma CVD method or the LPCVD method. Then, thermal annealing was performed at a temperature of 500 ° C. or higher, preferably 500 to 600 ° C. to crystallize the silicon film or enhance the crystallinity. After crystallization by thermal annealing, optical (laser etc.) annealing may be performed to further enhance crystallization. In addition, when crystallizing by thermal annealing, Japanese Patent Laid-Open No. 6-244103,
As described in 6-244104, an element (catalyst element) that promotes crystallization of silicon such as nickel may be added.
【００２０】次にシリコン膜をエッチングして、島上の
駆動回路のTFT の活性層（703 ）（p チャネル型TFT
用）、（704 ）（N チャネル型TFT 用）とマトリクス回
路のTFT （画素TFT)の活性層（705 ）を形成した。さら
に、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって厚さ500 〜20
00Åの酸化珪素のゲート絶縁膜（706 ）を形成した。ゲ
ート絶縁膜の形成方法としては、プラズマCVD 法を用い
てもよい。プラズマCVD法によって酸化珪素膜を形成す
る場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）
もしくは酸素（Ｏ2 ）とモノシラン（SiH4) を用いるこ
とが好ましかった。Next, the silicon film is etched to form the active layer (703) of the TFT of the drive circuit on the island (p-channel TFT).
, (704) (for N-channel TFT) and the active layer (705) of the TFT (pixel TFT) of the matrix circuit. Furthermore, the thickness of 500 to 20 can be obtained by sputtering in an oxygen atmosphere.
A 00 Å silicon oxide gate insulating film (706) was formed. A plasma CVD method may be used as a method for forming the gate insulating film. When the silicon oxide film is formed by the plasma CVD method, the source gas is dinitrogen monoxide (N 2 O).
Alternatively, it was preferable to use oxygen (O 2 ) and monosilane (SiH 4 ).
【００２１】その後、厚さ2000〜6000Åのアルミニウム
をスパッタ法によって基板全面に形成した。ここでアル
ミニウムはその後の熱プロセスによってヒロックが発生
するのを防止するため、シリコンまたはスカンジウム、
パラジウムなどを含有するものを用いてもよい。そして
これをエッチングしてゲート電極（707 、708 、709）
を形成する。（図7 （A ）） 次に、このアルミニウムを陽極酸化する。陽極酸化によ
ってアルミニウムの表面は酸化アルミニウム（710 、71
1 、712 ）となり、絶縁物としての効果を有する様にな
る。（図7 （B ））Thereafter, aluminum having a thickness of 2000 to 6000Å was formed on the entire surface of the substrate by the sputtering method. Here, aluminum is used to prevent hillocks from being generated by the subsequent thermal process, such as silicon or scandium,
You may use what contains palladium etc. Then, by etching this, gate electrodes (707, 708, 709)
To form. (Fig. 7 (A)) Next, this aluminum is anodized. The surface of aluminum is anodized (710, 71
1, 712), and it has an effect as an insulator. (Fig. 7 (B))
【００２２】次に、P チャネル型TFT の活性層を覆うフ
ォトレジストのマスク（713 ）を形成する。そしてイオ
ンドーピング法によってフォスフィンをドーピングガス
として燐を注入する。ドーズ量は1 ×1012〜5 ×1013原
子/cm2とする。この結果として、強いN 型領域（ソー
ス、ドレイン）（714 、715 ）が形成される。（図7
（C ）） 次に、N チャネル型TFT の活性層および画素TFT の活性
層を覆うフォトレジストのマスク（716 ）を形成する。
そして再びイオンドーピング法によってジボラン（B
2H6）をドーピングガスとしてホウ素を注入する。ドー
ズ量は5 ×1014〜8 ×1015原子/cm2とする。この結果と
して、P 型領域（717 ）が形成される。以上のドーピン
グにより、強いN 型領域（ソース、ドレイン）（714 、
715 ）、強いP 型領域（ソース、ドレイン）（717 ）が
形成される。（図7 （D ））Next, a photoresist mask (713) is formed to cover the active layer of the P-channel TFT. Then, phosphorus is injected by using an ion doping method with phosphine as a doping gas. The dose amount is 1 × 10 12 to 5 × 10 13 atoms / cm 2 . As a result, strong N-type regions (source, drain) (714, 715) are formed. (Fig. 7
(C)) Next, a photoresist mask (716) covering the active layer of the N-channel TFT and the active layer of the pixel TFT is formed.
Then, again by the ion doping method, diborane (B
Boron is injected using 2 H 6 ) as a doping gas. The dose amount is 5 × 10 14 to 8 × 10 15 atoms / cm 2 . As a result of this, a P-type region (717) is formed. With the above doping, strong N-type regions (source, drain) (714,
715), strong P-type regions (source, drain) (717) are formed. (Fig. 7 (D))
【００２３】その後、450 〜850 ℃で0.5 〜3 時間の熱
アニールを施すことにより、ドーピングによるダメージ
を回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリコンの
結晶性を回復させた。その後、全面に層間絶縁物（718
）として、プラズマCVD 法によって酸化珪素膜を厚さ3
000〜6000Å形成した。これは、窒化珪素膜あるいは酸
化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そし
て、層間絶縁膜（718 ）をウエットエッチング法または
ドライエッチング法によって、エッチングして、ソース
/ ドレインにコンタクトホールを形成した。After that, thermal annealing was performed at 450 to 850 ° C. for 0.5 to 3 hours to recover the damage caused by the doping, activate the doping impurities, and recover the crystallinity of silicon. After that, the interlayer insulation (718
), A silicon oxide film with a thickness of 3
000-6000Å formed. This may be a silicon nitride film or a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film. Then, the interlayer insulating film (718) is etched by a wet etching method or a dry etching method to form a source.
/ A contact hole was formed in the drain.
【００２４】そして、スパッタ法によって厚さ2000〜60
00Åのアルミニウム膜、もしくはチタンとアルミニウム
の多層膜を形成する。これをエッチングして、周辺回路
の電極・配線（719 、720 、721 ）および画素TFT の電
極・配線（722 、723 ）を形成した。（図7 （E ））さ
らに、プラズマCVD 法によって、厚さ1000〜3000Åの窒
化珪素膜（724 ）をパッシベーション膜として形成し、
これをエッチングして、画素TFT の電極（723 ）に達す
るコンタクトホールを形成した。次に、スパッタ法で成
膜した厚さ500 〜1500ÅのITO(インジウム錫酸化物）膜
をエッチングして、画素電極（725 ）を形成した。そし
て、プラズマCVD 法によって、厚さ2000Åの窒化珪素膜
（726 ）を形成し、これをエッチングして層間膜とし
た。Then, the thickness is 2000 to 60 by the sputtering method.
A 00Å aluminum film or a titanium / aluminum multilayer film is formed. This was etched to form the electrodes / wirings (719, 720, 721) of the peripheral circuit and the electrodes / wirings (722, 723) of the pixel TFT. (Fig. 7 (E)) Further, a silicon nitride film (724) having a thickness of 1000 to 3000Å is formed as a passivation film by the plasma CVD method,
This was etched to form a contact hole reaching the electrode (723) of the pixel TFT. Next, the ITO (indium tin oxide) film having a thickness of 500 to 1500 Å formed by the sputtering method was etched to form a pixel electrode (725). Then, a silicon nitride film (726) having a thickness of 2000Å was formed by the plasma CVD method, and this was etched to form an interlayer film.
【００２５】最後に、スパッタ法によって厚さ2000Åの
チタンかクロム膜を形成する。これをエッチングして画
素部ブラックマトリクス（727 ）を形成した。ここで
は、ブラックマトリクスが最上層であるがITO とブラッ
クマトリクスは逆でもよい。Finally, a titanium or chromium film having a thickness of 2000Å is formed by the sputtering method. This was etched to form a pixel portion black matrix (727). Here, the black matrix is the uppermost layer, but the ITO and the black matrix may be reversed.
【００２６】次に、対向基板の製造方法について、図８
を用いて説明する。図８に、実施例１における対向基板
の工程断面図を示す。第二の絶縁基板としてガラス基板
（801 ）の上に、カラーフィルタ（802 ）として厚さ1.
6 μm の赤のカラーレジストをスピナーを用いて塗布す
る。次に90℃の温度で乾燥し、露光、現像、水洗を行
い、210 ℃の温度で乾燥する。それにより、第一の絶縁
基板上に形成された、駆動回路部の全面、及び画素部の
Ｒ（赤）領域に対向する、対向基板上の位置に、赤
（Ｒ）のカラーフィルタが形成される。次に、同じ方法
で、前工程により駆動回路の全面に対向する赤（Ｒ）を
塗布した領域、及び画素部のＧ（緑）領域に対向する、
対向基板上の位置に、厚さ1.4μm のＧ（緑）のカラー
フィルタ（803 ）を形成する。次に、同じ方法で、前工
程により駆動回路の全面に対向するＧ（緑）を塗布した
領域、及び画素部のＧ（緑）領域に対向する、対向基板
上の位置に、厚さ1.5μm のＢ（青）のカラーフィルタ
（804 ）を形成する。その後、残差除去のためにＯ2 ア
ッシングを行い、次にカラーフィルタを保護するための
厚さ1.1 μm のオーバーコート膜を形成する。最後に、
スパッタ法で全面に厚さ500 〜1500ÅのITO(インジウム
錫酸化物）膜を成膜して、画素電極（805 ）を形成す
る。Next, a method of manufacturing the counter substrate will be described with reference to FIG.
Will be explained. 8A to 8C are process cross-sectional views of the counter substrate according to the first embodiment. On the glass substrate (801) as the second insulating substrate, the thickness as the color filter (802) 1.
Apply 6 μm red color resist using a spinner. Next, it is dried at a temperature of 90 ° C., exposed, developed and washed with water, and dried at a temperature of 210 ° C. As a result, a red (R) color filter is formed on the entire surface of the drive circuit section and the R (red) region of the pixel section, which are formed on the first insulating substrate, at a position on the counter substrate. It Next, in the same manner, the area where red (R) is applied, which opposes the entire surface of the drive circuit in the previous step, and the area where G (green) of the pixel section is opposed,
A G (green) color filter (803) having a thickness of 1.4 μm is formed at a position on the counter substrate. Next, by the same method, a thickness of 1.5 μm is formed at a position on the counter substrate which faces the G (green) -coated region facing the entire surface of the driving circuit in the previous step and the G (green) region of the pixel portion. B (blue) color filter (804) is formed. After that, O 2 ashing is performed to remove residuals, and then an overcoat film having a thickness of 1.1 μm for protecting the color filter is formed. Finally,
An ITO (indium tin oxide) film having a thickness of 500 to 1500 Å is formed on the entire surface by a sputtering method to form a pixel electrode (805).
【００２７】このようにして、画素部に対向する、対向
基板上の位置には、個々の画素に対応した、Ｒ、Ｇ、Ｂ
の三色のカラーフィルタを設け、駆動回路部全面に対向
する、対向基板上の領域には、Ｒ、Ｇ、Ｂの三種（三
色）のカラーフィルタが重ねて設けられる。Ｒ、Ｇ、Ｂ
の三種（三色）のカラーフィルターを重ねると、可視光
をほとんど通さなくなるため、視覚において黒表示とな
り、実質的な遮光膜を構成することができる。In this way, at positions on the counter substrate facing the pixel portion, R, G, B corresponding to individual pixels are provided.
The color filters of three colors are provided, and three types of color filters of R, G, and B (three colors) are provided in an overlapping manner in a region on the counter substrate facing the entire drive circuit section. R, G, B
When the three types (three colors) of color filters are overlapped with each other, almost no visible light passes therethrough, so that a black display is visually provided and a substantial light-shielding film can be formed.
【００２８】次に、アクティブマトリクス型液晶表示装
置の組立工程を以下に説明する。TFT 基板、対向基板を
洗浄し、薬液等を十分におとす。次に、配向膜をTFT 基
板、対向基板に付着させる。配向膜はある一定の溝が刻
まれ、その溝にそって、液晶分子が均一に配列する。配
向膜材料にはブチルセルソングかn-メチルピロリドンと
いった溶媒に溶媒の約10重量％のポリイミドを溶解した
ものを用いる。これをポリイミドワニスと呼ぶ。ポリイ
ミドワニスはフレキソ印刷装置によって印刷する。Next, a process of assembling the active matrix type liquid crystal display device will be described below. Clean the TFT substrate and counter substrate and thoroughly remove chemicals. Next, the alignment film is attached to the TFT substrate and the counter substrate. The alignment film is provided with a certain groove, and liquid crystal molecules are uniformly arranged along the groove. As the material for the alignment film, used is a solvent such as butyl cell song or n-methylpyrrolidone in which about 10% by weight of a polyimide is dissolved. This is called a polyimide varnish. The polyimide varnish is printed by a flexographic printing device.
【００２９】そして、TFT 基板、対向基板の両基板に付
着した配向膜を加熱、硬化させる。これをベークとよ
び、最高温度約300 ℃の熱風を送り加熱し、ポリイミド
ワニスを焼成、硬化させるものである。その次に配向膜
の付着したガラス基板を毛足の長さ2 〜3mm のバフ布
（レイヨン、ナイロン等の繊維）で一定方向にこすり、
微細な溝をつくるラビング工程を行う。そして、TFT 基
板もしくは対向基板のいずれかに、ポリマー系、ガラス
系、シリカ系等の球のスペーサを散布する。スペーサの
散布の方式としては純水、アルコール等の溶媒にスペー
サをまぜ、ガラス基板上に散布するウエット方式と、溶
媒を一切使用せずスペーサを散布するドライ方式があ
る。Then, the alignment films attached to both the TFT substrate and the counter substrate are heated and cured. This is called baking, and hot air having a maximum temperature of about 300 ° C. is sent and heated to bake and cure the polyimide varnish. Then, rub the glass substrate with the alignment film in a certain direction with a buff cloth (rayon, nylon, etc.) having a length of 2 to 3 mm.
A rubbing process for making fine grooves is performed. Then, spherical spacers of polymer type, glass type, silica type or the like are dispersed on either the TFT substrate or the counter substrate. As a method of spraying the spacers, there are a wet method in which the spacers are mixed with a solvent such as pure water or alcohol and sprayed on the glass substrate, and a dry method in which the spacers are sprayed without using any solvent.
【００３０】その次に、TFT 基板の画素部の外枠に封止
材を塗布する。封止材塗布にはTFT基板と対向基板を接
着する役割と注入した液晶材が外部に流出するのを防ぐ
目的がある。封止材の材料はエポキシ樹脂とフェノール
硬化材をエチルセルソルブの溶媒に溶かしたものが使用
される。封止材塗布に2 枚のガラス基板の張り合わせを
行う。方法は約160 ℃の高温プレスによって、約3 時間
で封止材を硬化する加熱硬化方式をとる。次に、TFT 基
板と対向基板を張り合せ、液晶注入口より液晶材をいれ
て、液晶材注入口を封止する。以上、述べたようにして
本実施例の液晶表示装置は構成される。Then, a sealing material is applied to the outer frame of the pixel portion of the TFT substrate. The application of the sealing material has a role of adhering the TFT substrate and the counter substrate and a purpose of preventing the injected liquid crystal material from flowing out. As a material for the encapsulating material, an epoxy resin and a phenol curing material dissolved in a solvent of ethyl cellosolve are used. The two glass substrates are laminated to apply the sealing material. The method employs a heat-curing method in which the encapsulant is cured in about 3 hours using a hot press at about 160 ° C. Next, the TFT substrate and the counter substrate are bonded together, a liquid crystal material is put in through the liquid crystal injection port, and the liquid crystal material injection port is sealed. As described above, the liquid crystal display device of this embodiment is constructed.
【００３１】〔実施例２〕図９に、本発明の第二の実施
例であり、画素部のブラックマトリクスを構成する材料
と、同じ材料を使用して駆動回路の配線材を形成する例
を示す。すなわち、画素部のブラックマトリクスを構成
するために形成した、チタンやクロム等の薄膜を、ブラ
ックマトリクスのみならず、駆動回路の配線材として用
いるものである。[Embodiment 2] FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention, in which a wiring material for a driving circuit is formed by using the same material as the material forming the black matrix of the pixel portion. Show. That is, the thin film of titanium, chromium, or the like formed to form the black matrix of the pixel portion is used not only as the black matrix but also as the wiring material of the drive circuit.
【００３２】この様にブラックマトリクスがTFT 基板に
存在する場合、前述した様に駆動回路上には容量結合の
発生を防ぐため、画素部のブラックマトリクスと同一材
料の、チタンやクロムの薄膜を加工して、遮光膜を形成
することはできない。しかし、チタンやクロムの薄膜
を、駆動回路全体を覆うようにして設けるのではなく、
容量結合が問題にならない程度に、駆動回路の一部を覆
う程度に設けることは、何ら問題がない。チタンやクロ
ムの薄膜は、高い導電性を有しているので、この膜を使
用し配線材を形成することにより、駆動回路の多層配線
化及び、素子密度の向上による面積の縮小が可能であ
る。When the black matrix is present on the TFT substrate as described above, a thin film of titanium or chromium, which is the same material as the black matrix of the pixel portion, is processed to prevent capacitive coupling from occurring on the drive circuit as described above. Then, the light shielding film cannot be formed. However, instead of providing a thin film of titanium or chrome to cover the entire drive circuit,
There is no problem in providing the drive circuit so as to cover a part of the drive circuit to the extent that capacitive coupling does not become a problem. Since a thin film of titanium or chrome has high conductivity, by forming a wiring material using this film, it is possible to make the driving circuit a multi-layer wiring and reduce the area by improving the element density. .
【００３３】図１２に、インバーターチェーンの構成を
示す。図１２（Ｂ）は、ブラックマトリクスを形成する
ために成膜されるチタンやクロム等の薄膜を、ブラック
スマトリクスのみでなく、駆動回路の配線材に使用し
て、インバーターチェーンを構成した例を示す。図１２
（Ａ）に示すように、インバータチェーンを他の配線が
横切る場合、配線材を使用しない場合は、インバータと
インバータの間に配線を通さなければならない。しか
し、図１２（Ｂ）に示すように、ブラックマトリクスを
形成する際に同時に配線材を形成し、これを用いてイン
バーターチェーンを横切る配線を形成することで、イン
バータに配線を重ねることができる。これにより、駆動
回路の多層配線化、素子密度向上による、駆動回路の面
積の縮小が可能となる。FIG. 12 shows the structure of the inverter chain. FIG. 12B shows an example in which a thin film of titanium, chromium, or the like formed to form a black matrix is used not only as a black matrix but also as a wiring material for a drive circuit to form an inverter chain. Show. 12
As shown in (A), when other wiring crosses the inverter chain, and when no wiring material is used, the wiring must be routed between the inverters. However, as shown in FIG. 12B, the wiring can be overlapped with the inverter by forming the wiring material at the same time as forming the black matrix and using the wiring material to cross the inverter chain. As a result, it becomes possible to reduce the area of the drive circuit by increasing the wiring density of the drive circuit and improving the element density.
【００３４】〔実施例３〕図11に示すのは、本発明の第
三の実施例であり、カラーフィルタを使用しない場合の
TFT 基板の例である。一般に、三板式の液晶プロジェク
タ等ではカラーフィルタを使用しない。この場合は、対
向基板上に、通常の遮光膜を形成し、画素のブラックマ
トリクスと同一膜で駆動回路の配線材を形成することに
より、駆動回路の多層配線化、素子密度向上による面積
の縮小が可能となる。また、この例ではITO を最上層に
形成した場合を示してある。[Embodiment 3] FIG. 11 shows a third embodiment of the present invention, in which a color filter is not used.
This is an example of a TFT substrate. Generally, a color filter is not used in a three-panel liquid crystal projector or the like. In this case, by forming a normal light-shielding film on the counter substrate and forming the wiring material of the drive circuit with the same film as the pixel black matrix, the drive circuit is multi-layered and the area is reduced by improving the element density. Is possible. In addition, this example shows the case where ITO is formed in the uppermost layer.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、画素部
の遮光膜としてブラックマトリクスを用いてTFT 基板上
に設け、駆動回路部の遮光膜としてカラーフィルタR 、
G 、Bを対向基板上の同一位置に三枚重ねて設けること
により、工程数を増やさないで開口率を向上させること
ができる。また、ブラックマトリクスと同じ膜を配線材
として使うことにより、駆動回路の高密度化が可能であ
る。As described above, according to the present invention, a black matrix is used as a light-shielding film in the pixel portion and the color filter R is provided as a light-shielding film in the driving circuit portion using a black matrix.
By providing three G and B at the same position on the counter substrate so as to be stacked, the aperture ratio can be improved without increasing the number of steps. Further, by using the same film as the black matrix as the wiring material, it is possible to increase the density of the drive circuit.
【図１】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面
図の一例を示す図FIG. 1 is a diagram showing an example of a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal display device.
【図２】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の第一
従来例を示す図FIG. 2 is a diagram showing a first conventional example of an active matrix type liquid crystal display device.
【図３】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の第一
従来例の拡大図FIG. 3 is an enlarged view of a first conventional example of an active matrix type liquid crystal display device.
【図４】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の第一
従来例の断面図FIG. 4 is a sectional view of a first conventional example of an active matrix type liquid crystal display device.
【図５】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の第二
従来例の断面図FIG. 5 is a sectional view of a second conventional example of an active matrix type liquid crystal display device.
【図６】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の第三
従来例の断面図FIG. 6 is a sectional view of a third conventional example of an active matrix type liquid crystal display device.
【図７】 本発明の低温ポリシリコンプロセスの工程断
面図（TFT 基板）FIG. 7 is a process sectional view of a low temperature polysilicon process of the present invention (TFT substrate)
【図８】 本発明の対向基板の工程断面図FIG. 8 is a process sectional view of the counter substrate of the present invention.
【図９】 本発明の第二の実施例を示す図FIG. 9 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図１０】 カラーフィルタ（R,G,B ）の分光特性を示
す図FIG. 10 is a diagram showing spectral characteristics of color filters (R, G, B).
【図１１】 本発明の第三の実施例を示す図FIG. 11 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図１２】 本発明を使用した駆動回路のパターン例を
示す図FIG. 12 is a diagram showing a pattern example of a drive circuit using the present invention.
701 、801 ガラス基板 702 下地酸化珪素 703 〜705 シリコン活性層 706 ゲート絶縁膜 707 〜709 Alゲート端子 710 〜712 陽極酸化膜 713 〜716 フォトレジスト 714 〜715 強いＮ型領域（ソー
ス、ドレイン） 717 強いＰ型領域（ソー
ス、ドレイン） 718 、726 層間絶縁膜 719 〜724 Al電極 725 画素透明電極 727 ブラックマトリクス 802 〜804 カラーフィルタ701, 801 Glass substrate 702 Underlying silicon oxide 703 to 705 Silicon active layer 706 Gate insulating film 707 to 709 Al Gate terminal 710 to 712 Anodized film 713 to 716 Photoresist 714 to 715 Strong N-type region (source, drain) 717 Strong P-type regions (source / drain) 718, 726 Inter-layer insulation film 719-724 Al electrode 725 Pixel transparent electrode 727 Black matrix 802-804 Color filter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 納 光明 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mitsuaki Nono 398 Hase, Atsugi City, Kanagawa Prefecture Semiconductor Conductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Claims (7)
数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジ
スタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路
部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、 前記基板に対向し、カラーフィルタを有する第二の絶縁
基板と、 前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填
された、液晶材と、 を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示
装置において、 前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位
置に、R(赤) 、G(緑)、B(青) の三種のカラーフィルタ
が重ねて設けられることにより構成される、遮光膜が設
けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置。1. A first pixel, to which a thin film transistor is connected, has a pixel portion arranged in a plurality of matrixes and a drive circuit portion configured by the thin film transistor for driving the pixel portion on the same surface. An insulating substrate; a second insulating substrate facing the substrate and having a color filter; and a liquid crystal material filled between the first insulating substrate and the second insulating substrate, In the active matrix liquid crystal display device, three types of color filters of R (red), G (green), and B (blue) are provided in an overlapping manner on the second insulating substrate at a position facing the drive circuit section. An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that a light-shielding film is provided.
数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジ
スタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路
部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、 前記画素部に対向する位置に設けられたカラーフィルタ
を有する、前記第一の絶縁基板に対向する第二の絶縁基
板と、 前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填
された、液晶材と、 を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示
装置において、 前記画素部には、ブラックマトリクスが設けられ、、 前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位
置に、R(赤) 、G(緑)、B(青) の三種のカラーフィルタ
が重ねて設けられることにより構成される遮光膜が設け
られていることを特徴とするアクティブマトリクス型液
晶表示装置。2. A first pixel, to which a thin film transistor is connected, has a pixel portion arranged in a plurality of matrixes and a drive circuit portion configured by the thin film transistor for driving the pixel portion on the same surface. An insulating substrate, a second insulating substrate having a color filter provided at a position facing the pixel portion, facing the first insulating substrate, the first insulating substrate, and the second insulating substrate. In the active matrix liquid crystal display device, which comprises at least a liquid crystal material filled in between, a black matrix is provided in the pixel portion, and the driving circuit portion is provided on the second insulating substrate. An active matrix having a light-shielding film formed by stacking three types of color filters of R (red), G (green), and B (blue) at opposite positions. Rix type liquid crystal display device.
数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジ
スタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路
部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、 前記画素部に対向する位置に設けられたカラーフィルタ
を有する、前記第一の絶縁基板に対向する第二の絶縁基
板と、 前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填
された、液晶材と、 を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示
装置において、 前記画素部には、ブラックマトリクスが設けられ、 前記駆動回路部は、前記ブラックマトリクスと同一材料
によって構成される配線材を有し、 前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位
置に、R(赤) 、G(緑)、B(青) の三種のカラーフィルタ
が重ねて設けられることにより構成される遮光膜が設け
られていることを特徴とするアクティブマトリクス型液
晶表示装置。3. A first pixel, to which a thin film transistor is connected, has a pixel portion arranged in a plurality of matrixes and a drive circuit portion configured by the thin film transistor for driving the pixel portion on the same surface. An insulating substrate, a second insulating substrate having a color filter provided at a position facing the pixel portion, facing the first insulating substrate, the first insulating substrate, and the second insulating substrate. In an active matrix liquid crystal display device having at least a liquid crystal material filled in between, a black matrix is provided in the pixel portion, and the drive circuit portion is made of the same material as the black matrix. The second insulating substrate has a wiring material, and three types of color filters of R (red), G (green), and B (blue) are stacked at a position facing the drive circuit section. Active matrix liquid crystal display device characterized by light shielding film formed by being kicked is provided.
る、R(赤) 、G(緑) 、B(青) の三種のカラーフィルタの
それぞれは、画素部に対向する位置に設けられた同種の
カラーフィルタと、同一組成を有していることを特徴と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置。4. The light-shielding film according to claim 1, wherein each of the three types of color filters of R (red), G (green) and B (blue) is provided at a position facing a pixel portion. An active matrix type liquid crystal display device having the same type of color filter and the same composition.
数マトクリクス状に配置された画素部と、薄膜トランジ
スタにより構成された、前記画素部を駆動する駆動回路
部とを、同一面上に有する第一の絶縁基板と、 前記画素部に対向する位置に設けられたカラーフィルタ
を有する、前記第一の絶縁基板に対向する第二の絶縁基
板と、 前記第一の絶縁基板と前記第二の絶縁基板との間に充填
された、液晶材と、 を少なくとも有する、アクティブマトリクス型液晶表示
装置において、 前記画素部には、ブラックマトリクスが設けられ、 前記駆動回路部は、前記ブラックマトリクスと同一材料
によって構成される配線材を有し、 前記第二の絶縁基板上の、前記駆動回路部に対向する位
置に、遮光膜が設けられていることを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。5. A first pixel, to which a thin film transistor is connected, has a pixel portion arranged in a plurality of matrixes and a drive circuit portion configured by the thin film transistor for driving the pixel portion on the same surface. An insulating substrate, a second insulating substrate having a color filter provided at a position facing the pixel portion, facing the first insulating substrate, the first insulating substrate, and the second insulating substrate. In an active matrix liquid crystal display device having at least a liquid crystal material filled in between, a black matrix is provided in the pixel portion, and the drive circuit portion is made of the same material as the black matrix. And a light-shielding film is provided on the second insulating substrate at a position facing the drive circuit section. Torikusu type liquid crystal display device.
または薄膜を介して、液晶材に接していることを特徴と
するアクティブマトリクス型液晶表示装置。6. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the drive circuit is in contact with the liquid crystal material directly or through a thin film.
回路に対向する大きさを有していることを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶表示装置。7. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the counter substrate has a size facing the driving circuit.
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