JPH08329465A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH08329465A JPH08329465A JP13668995A JP13668995A JPH08329465A JP H08329465 A JPH08329465 A JP H08329465A JP 13668995 A JP13668995 A JP 13668995A JP 13668995 A JP13668995 A JP 13668995A JP H08329465 A JPH08329465 A JP H08329465A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録層としてＣｏ−Ｓｍ−Ｘ（Ｘ＝Ｚ
ｒ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃ
ｕ）合金を用いて、高記録密度対応の高保磁力を有する
磁気記録媒体を実現する。 【構成】 アモルファスカーボン基板上に、基板温度 4
00℃以下で、下地層としてＣｒ、磁気記録層としてＣｏ
（ｘ）−Ｓｍ（ 100−ｘ−ｙ）−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70
〜85at％，ｙ＝１〜10at％，ｘ＋ｙ≦90）、上地層とし
てＣｒを成膜した後、不活性ガス中あるいは真空中にて
300〜 700℃の温度で加熱処理する。
ｒ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃ
ｕ）合金を用いて、高記録密度対応の高保磁力を有する
磁気記録媒体を実現する。 【構成】 アモルファスカーボン基板上に、基板温度 4
00℃以下で、下地層としてＣｒ、磁気記録層としてＣｏ
（ｘ）−Ｓｍ（ 100−ｘ−ｙ）−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70
〜85at％，ｙ＝１〜10at％，ｘ＋ｙ≦90）、上地層とし
てＣｒを成膜した後、不活性ガス中あるいは真空中にて
300〜 700℃の温度で加熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の外部
記録装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体の
製造方法に関し、特に、高記録密度対応の高保磁力な磁
気記録媒体の製造方法に関するものである。
記録装置に使用される磁気ディスク等の磁気記録媒体の
製造方法に関し、特に、高記録密度対応の高保磁力な磁
気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
情報量の増大により、コンピュータの外部記録装置に用
いられている磁気ディスクの大容量化／高記録密度化が
益々促進されている。一般に、線記録密度と、磁気記録
媒体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、磁性層膜厚ｔと
の間には、次式の関係がある。
情報量の増大により、コンピュータの外部記録装置に用
いられている磁気ディスクの大容量化／高記録密度化が
益々促進されている。一般に、線記録密度と、磁気記録
媒体の保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、磁性層膜厚ｔと
の間には、次式の関係がある。
【０００３】線記録密度∝Ｈｃ／（Ｂｒ＊ｔ） 従って、記録密度を高めるためには、保磁力を高めるこ
とが必要となる。現状でも、保磁力として1800Ｏｅ以上
が要求されており、今後の技術動向を考慮すると、350
0、4500Ｏｅといったさらなる高保磁力化が想定されて
いる。このような磁気記録媒体の高保磁力化に対して、
主に大きな結晶磁気異方性を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合
金系材料、Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料が検討されている。
とが必要となる。現状でも、保磁力として1800Ｏｅ以上
が要求されており、今後の技術動向を考慮すると、350
0、4500Ｏｅといったさらなる高保磁力化が想定されて
いる。このような磁気記録媒体の高保磁力化に対して、
主に大きな結晶磁気異方性を有するＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合
金系材料、Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料が検討されている。
【０００４】Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系材料としては、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ等が用いられてい
るが、非常に高価な貴金属であるＰｔを用いるために、
コストの大幅な上昇は免れない。Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料
を用いた媒体としては、幾例かの研究がなされている。
例えば、H.C.Theuerer等は、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｃｕ合金を用
い、基板温度 500℃の条件にて高保磁力の面内磁化結晶
膜を作製している（J.Appl.Phys.40,2944(1969)；特公
平５−２６３２１号公報の従来技術の欄参照）。しかし
ながら、前述したようにさらなる高保磁力媒体が望まれ
ている。
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ等が用いられてい
るが、非常に高価な貴金属であるＰｔを用いるために、
コストの大幅な上昇は免れない。Ｃｏ−Ｓｍ合金系材料
を用いた媒体としては、幾例かの研究がなされている。
例えば、H.C.Theuerer等は、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｃｕ合金を用
い、基板温度 500℃の条件にて高保磁力の面内磁化結晶
膜を作製している（J.Appl.Phys.40,2944(1969)；特公
平５−２６３２１号公報の従来技術の欄参照）。しかし
ながら、前述したようにさらなる高保磁力媒体が望まれ
ている。
【０００５】本発明は、このような実情に鑑み、磁気記
録層としてＣｏ−Ｓｍ合金系材料を用いて、高記録密度
対応の高保磁力を有する磁気記録媒体を実現するための
製造方法を提供することを目的とする。
録層としてＣｏ−Ｓｍ合金系材料を用いて、高記録密度
対応の高保磁力を有する磁気記録媒体を実現するための
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板とし
て、1000℃以上の耐熱性を有するアモルファスカーボン
基板を用いる。現在一般に使用されているＮｉ−Ｐメッ
キを施したＡｌ合金基板では、Ｎｉ−Ｐの磁化温度であ
る約 290℃が最大使用温度である。また、強化ガラス基
板では、高温加熱により強化処理層中のイオンが膜中に
拡散する問題や約500℃付近に軟化点があり基板の変形
が生じる可能性が高い。よって、これらは本発明での基
板としては適さない。
て、1000℃以上の耐熱性を有するアモルファスカーボン
基板を用いる。現在一般に使用されているＮｉ−Ｐメッ
キを施したＡｌ合金基板では、Ｎｉ−Ｐの磁化温度であ
る約 290℃が最大使用温度である。また、強化ガラス基
板では、高温加熱により強化処理層中のイオンが膜中に
拡散する問題や約500℃付近に軟化点があり基板の変形
が生じる可能性が高い。よって、これらは本発明での基
板としては適さない。
【０００７】本発明では、アモルファスカーボン基板上
に、下地層としてＣｒあるいはＣｒ合金、磁気記録層と
してＣｏ−Ｓｍ−Ｘ（Ｘ＝Ｚｒ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ）合金、上地層として
Ｃｒ、Ｃｒ合金あるいはＣｒの窒化物を具備する磁気記
録媒体を前提とする。本発明では、磁気記録層としての
Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金をＣｏ（ｘ）−Ｓｍ（ 100−ｘ−
ｙ）−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70〜85at％，ｙ＝１〜10at
％，ｘ＋ｙ≦90）とし、基板温度 400℃以下で、下地
層、磁気記録層、上地層を成膜後、不活性雰囲気中（不
活性ガス中あるいは真空中）で 300〜 700℃の加熱処理
を施すことにより、磁気記録媒体を得る。
に、下地層としてＣｒあるいはＣｒ合金、磁気記録層と
してＣｏ−Ｓｍ−Ｘ（Ｘ＝Ｚｒ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ）合金、上地層として
Ｃｒ、Ｃｒ合金あるいはＣｒの窒化物を具備する磁気記
録媒体を前提とする。本発明では、磁気記録層としての
Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金をＣｏ（ｘ）−Ｓｍ（ 100−ｘ−
ｙ）−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70〜85at％，ｙ＝１〜10at
％，ｘ＋ｙ≦90）とし、基板温度 400℃以下で、下地
層、磁気記録層、上地層を成膜後、不活性雰囲気中（不
活性ガス中あるいは真空中）で 300〜 700℃の加熱処理
を施すことにより、磁気記録媒体を得る。
【０００８】ここで、Ｃｏ（ｘ）−Ｓｍ（ 100−ｘ−
ｙ）−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70〜85at％，ｙ＝１〜10at
％，ｘ＋ｙ≦90）以外の組成においては、高い保磁力の
媒体が得られていない。下地層の役割は、磁気記録層
（磁性層）の結晶粒径を制御して、さらに保磁力を高め
ることにある。
ｙ）−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70〜85at％，ｙ＝１〜10at
％，ｘ＋ｙ≦90）以外の組成においては、高い保磁力の
媒体が得られていない。下地層の役割は、磁気記録層
（磁性層）の結晶粒径を制御して、さらに保磁力を高め
ることにある。
【０００９】上地層の役割は、磁気記録層（磁性層）の
成分であるＳｍの酸化を防止すると共に、磁性層結晶粒
界中へＣｒを拡散させて高保磁力を達成することにあ
る。上地層として、Ｃｒ、Ｃｒ合金あるいはＣｒの窒化
物に代えて、非拡散性金属元素、該非拡散性金属元素を
含む合金あるいは該非拡散性金属元素の窒化物を用いて
もよい。
成分であるＳｍの酸化を防止すると共に、磁性層結晶粒
界中へＣｒを拡散させて高保磁力を達成することにあ
る。上地層として、Ｃｒ、Ｃｒ合金あるいはＣｒの窒化
物に代えて、非拡散性金属元素、該非拡散性金属元素を
含む合金あるいは該非拡散性金属元素の窒化物を用いて
もよい。
【００１０】ここでいう非拡散性とは、ＣｒやＣよりも
拡散しにくいことを意味し、非拡散性金属元素として
は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを例
示できる。但し、上地層として非拡散性金属元素、該非
拡散性金属元素を含む合金あるいは該非拡散性金属元素
の窒化物を用いる場合、上地層の効果は、Ｓｍの酸化防
止効果のみである。
拡散しにくいことを意味し、非拡散性金属元素として
は、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗを例
示できる。但し、上地層として非拡散性金属元素、該非
拡散性金属元素を含む合金あるいは該非拡散性金属元素
の窒化物を用いる場合、上地層の効果は、Ｓｍの酸化防
止効果のみである。
【００１１】また、磁気記録層を、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金
よりなる複数の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣ
ｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性層とを積層すること
により形成してもよい。このように磁性層を非磁性層で
分断することにより、非磁性層中のＣｒが磁性層のＣｏ
の結晶粒間に進入することで、磁性結晶粒間の磁気的相
互作用が低減されて、さらなる高保磁力化が達成でき
る。
よりなる複数の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣ
ｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性層とを積層すること
により形成してもよい。このように磁性層を非磁性層で
分断することにより、非磁性層中のＣｒが磁性層のＣｏ
の結晶粒間に進入することで、磁性結晶粒間の磁気的相
互作用が低減されて、さらなる高保磁力化が達成でき
る。
【００１２】上地層の外側には、従来の一般的な磁気記
録媒体と同様に、保護層を成膜するが、保護層には、カ
ーボン、水素化カーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2
等が用いられる。また、加熱処理は保護層形成前でもよ
いし、形成後でもよい。但し、保護層形成後に加熱処理
を行う場合は、保護層の下の層に拡散しにくい材料で保
護層を形成することが好ましい。例えばＳｉＯ2 は好ま
しく、一般にＣを含む材料は好ましいとは言えない。
録媒体と同様に、保護層を成膜するが、保護層には、カ
ーボン、水素化カーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2
等が用いられる。また、加熱処理は保護層形成前でもよ
いし、形成後でもよい。但し、保護層形成後に加熱処理
を行う場合は、保護層の下の層に拡散しにくい材料で保
護層を形成することが好ましい。例えばＳｉＯ2 は好ま
しく、一般にＣを含む材料は好ましいとは言えない。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 〔実施例１〕基板には、密度 1.5ｇ／cm3 、ビッカース
硬度 700なる特性を有する1.89”（外径48mm）のアモル
ファスカーボン基板を用いた。そして、この基板を精密
洗浄（アルカリ洗浄→リンス→リンス→温純水乾燥）
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図１に実施例１の膜構
造を示す。
硬度 700なる特性を有する1.89”（外径48mm）のアモル
ファスカーボン基板を用いた。そして、この基板を精密
洗浄（アルカリ洗浄→リンス→リンス→温純水乾燥）
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図１に実施例１の膜構
造を示す。
【００１４】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚30ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 400℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、以下の手法により保磁
力を求めた。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚30ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 400℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、以下の手法により保磁
力を求めた。
【００１５】保磁力は、ＶＳＭ（振動試料型磁力計）に
より最大磁界15ｋＯｅまで印加して得られたＭ−Ｈルー
プより求めた。結果を表１に示す。 〔実施例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
より最大磁界15ｋＯｅまで印加して得られたＭ−Ｈルー
プより求めた。結果を表１に示す。 〔実施例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
【００１６】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｔ
ａ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚40ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例３〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図２に実施例３の膜構
造を示す。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｔ
ａ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚40ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例３〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。尚、図２に実施例３の膜構
造を示す。
【００１７】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層（磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層
／磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層／磁性層の９
層） ・磁性層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃｕ（５
at％） ×５層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚８ｎｍ ・非磁性層：Ｃｒ ×４層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚２ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例４〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層（磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層
／磁性層／非磁性層／磁性層／非磁性層／磁性層の９
層） ・磁性層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃｕ（５
at％） ×５層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚８ｎｍ ・非磁性層：Ｃｒ ×４層 Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚２ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 600℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔実施例４〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
【００１８】磁気記録層：Ｃｏ（80at％）−Ｓｍ（17at
％）−Ｗ（３at％） 〔実施例５〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。 磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（15at％）−Ｚｒ
（７at％） 〔実施例６〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
％）−Ｗ（３at％） 〔実施例５〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。 磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（15at％）−Ｚｒ
（７at％） 〔実施例６〕磁気記録層の組成以外は、実施例１と同じ
であり、磁気記録層の組成は下記の通りである。
【００１９】磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（15at
％）−Ｍｏ（７at％） 〔比較例１〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。 １）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚30ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔比較例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
％）−Ｍｏ（７at％） 〔比較例１〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。 １）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚30ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度28℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔比較例２〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
【００２０】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚40ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 200℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔比較例３〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚40ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度30℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 200℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。 〔比較例３〕基板は、実施例１と同じであり、精密洗浄
後、インライン式通過型スパッタ装置により、以下の手
順及び条件で成膜を行った。
【００２１】１）下地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚40ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 800℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。
-200Ｖ、膜厚 100ｎｍ ２）磁気記録層：Ｃｏ（78at％）−Ｓｍ（17at％）−Ｃ
ｕ（５at％） Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚40ｎｍ ３）上地層：Ｃｒ Ａｒガス圧３ｍTorr、基板温度32℃、基板バイアス電圧
-200Ｖ、膜厚５ｎｍ ４）不活性雰囲気中での加熱処理 真空中５×10-7Torr、基板温度 800℃、加熱時間１分 ５）保護層：ＳｉＯ2 トータルガス圧３ｍTorr（Ａｒ：Ｏ2 ＝95：５）、基板
温度 200℃、膜厚15ｎｍ 得られた磁気記録媒体の評価は、実施例１と同様に、保
磁力を求めた。結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】 上記の結果から、実施例１〜３では、十分な保磁力が得
られ、磁気記録層をＣｏ（ｘ）−Ｓｍ（ 100−ｘ−ｙ）
−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70〜85at％，ｙ＝１〜10at％，ｘ
＋ｙ≦90）とし、基板温度 400℃以下で、下地層、磁気
記録層、上地層を成膜後、不活性雰囲気中で 300〜 700
℃の加熱処理を施すことにより、高保磁力が得られるこ
とが確認された。
られ、磁気記録層をＣｏ（ｘ）−Ｓｍ（ 100−ｘ−ｙ）
−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70〜85at％，ｙ＝１〜10at％，ｘ
＋ｙ≦90）とし、基板温度 400℃以下で、下地層、磁気
記録層、上地層を成膜後、不活性雰囲気中で 300〜 700
℃の加熱処理を施すことにより、高保磁力が得られるこ
とが確認された。
【００２３】また、実施例３のように、磁気記録層を、
Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金よりなる複数の磁性層と、これらの
磁性層間を隔てるＣｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性
層とを積層して形成することで、さらなる高保磁力化を
達成できることも確認された。一方、比較例１では、加
熱処理を行わなかったため、高保磁力は得られなかっ
た。
Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金よりなる複数の磁性層と、これらの
磁性層間を隔てるＣｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性
層とを積層して形成することで、さらなる高保磁力化を
達成できることも確認された。一方、比較例１では、加
熱処理を行わなかったため、高保磁力は得られなかっ
た。
【００２４】また、比較例２では、加熱処理を行ったも
のの、加熱処理温度が範囲外の 200℃で、低温すぎるこ
とにより、高保磁力は得らなかった。また、比較例３で
は、加熱処理を行ったものの、加熱処理温度が範囲外の
800℃で、高温すぎることにより、高保磁力は得らなか
った。
のの、加熱処理温度が範囲外の 200℃で、低温すぎるこ
とにより、高保磁力は得らなかった。また、比較例３で
は、加熱処理を行ったものの、加熱処理温度が範囲外の
800℃で、高温すぎることにより、高保磁力は得らなか
った。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気記録層としてＣｏ−Ｓｍ−Ｘ合金を用いて、高記録密
度対応の高保磁力を有する磁気記録媒体を実現すること
ができるという効果が得られる。また、磁気記録層を、
Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金よりなる複数の磁性層と、これらの
磁性層間を隔てるＣｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性
層とを積層して形成することで、さらなる高保磁力化を
達成することができるという効果が得られる。
気記録層としてＣｏ−Ｓｍ−Ｘ合金を用いて、高記録密
度対応の高保磁力を有する磁気記録媒体を実現すること
ができるという効果が得られる。また、磁気記録層を、
Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金よりなる複数の磁性層と、これらの
磁性層間を隔てるＣｒあるいはＣｒ合金よりなる非磁性
層とを積層して形成することで、さらなる高保磁力化を
達成することができるという効果が得られる。
【図１】 実施例の膜構造を示す図
【図２】 実施例の膜構造を示す図
Claims (4)
- 【請求項１】アモルファスカーボン基板上に、下地層と
してＣｒあるいはＣｒ合金、磁気記録層としてＣｏ−Ｓ
ｍ−Ｘ（Ｘ＝Ｚｒ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ）合金、上地層としてＣｒ、Ｃｒ合
金あるいはＣｒの窒化物を具備する磁気記録媒体におい
て、 磁気記録層としてのＣｏ−Ｓｍ−Ｘ合金をＣｏ（ｘ）−
Ｓｍ（ 100−ｘ−ｙ）−Ｘ（ｙ）合金（ｘ＝70〜85at
％，ｙ＝１〜10at％，ｘ＋ｙ≦90）とし、基板温度 400
℃以下で、下地層、磁気記録層、上地層を成膜後、不活
性雰囲気中で 300〜 700℃の加熱処理を施すことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】前記上地層として、Ｃｒ、Ｃｒ合金あるい
はＣｒの窒化物に代えて、非拡散性金属元素、該非拡散
性金属元素を含む合金あるいは該非拡散性金属元素の窒
化物を用いることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項３】前記非拡散性金属元素は、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、又はＷであることを特徴
とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】前記磁気記録層を、Ｃｏ−Ｓｍ−Ｘ合金よ
りなる複数の磁性層と、これらの磁性層間を隔てるＣｒ
あるいはＣｒ合金よりなる非磁性層とを積層することに
より形成することを特徴とする請求項１〜請求項３のい
ずれか１つに記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13668995A JPH08329465A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13668995A JPH08329465A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08329465A true JPH08329465A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15181178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13668995A Pending JPH08329465A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08329465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849336B2 (en) | 1998-06-18 | 2005-02-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP13668995A patent/JPH08329465A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6849336B2 (en) | 1998-06-18 | 2005-02-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
| US7112801B2 (en) | 1998-06-18 | 2006-09-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Scintillator panel and radiation image sensor |
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