JPH08330237A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH08330237A JPH08330237A JP7133196A JP13319695A JPH08330237A JP H08330237 A JPH08330237 A JP H08330237A JP 7133196 A JP7133196 A JP 7133196A JP 13319695 A JP13319695 A JP 13319695A JP H08330237 A JPH08330237 A JP H08330237A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハに成膜処理する半導体製造装置におい
て、反応ガスの供給及び排気のバラツキによる膜厚均一
性の悪化を防止する。 【構成】 ヒーター２に囲まれた成膜処理室１内のウェ
ハ３の外周部近傍全周に、噴射孔４ａを具備した反応ガ
ス供給ノズル４と排気ノズル５とを複数具備し、更に、
供給ノズル４のウェハ３側の形状をウェハ３のエッジ形
状と相似形にして配設する。これにより、反応ガスを均
等に供給且つ排気しながらウェハ３の表面へＣＶＤ膜を
成膜させて、従来の膜厚均一性の悪化を防止する。
て、反応ガスの供給及び排気のバラツキによる膜厚均一
性の悪化を防止する。 【構成】 ヒーター２に囲まれた成膜処理室１内のウェ
ハ３の外周部近傍全周に、噴射孔４ａを具備した反応ガ
ス供給ノズル４と排気ノズル５とを複数具備し、更に、
供給ノズル４のウェハ３側の形状をウェハ３のエッジ形
状と相似形にして配設する。これにより、反応ガスを均
等に供給且つ排気しながらウェハ３の表面へＣＶＤ膜を
成膜させて、従来の膜厚均一性の悪化を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハに化学反
応により成膜させるＣＶＤ装置に関し、特に反応ガスの
供給及び排気の手段に関する。
応により成膜させるＣＶＤ装置に関し、特に反応ガスの
供給及び排気の手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＶＤ装置は、半導体基板（以下
ウェハ）表面に多結晶シリコン膜，二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2）膜，窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜などの形成を
行う化学気相成長工程に使用されている。
ウェハ）表面に多結晶シリコン膜，二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2）膜，窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜などの形成を
行う化学気相成長工程に使用されている。
【０００３】図４は従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図であ
る。図に示すように成膜処理室１の外周には、抵抗加熱
等によるヒーター２が配設されている。又、内部にはボ
ート（図示せず）等により保持されたウェハ３と反応ガ
スを供給する供給ノズル４と排気ノズル５とがウェハ３
の近傍に対向して配設されている。
る。図に示すように成膜処理室１の外周には、抵抗加熱
等によるヒーター２が配設されている。又、内部にはボ
ート（図示せず）等により保持されたウェハ３と反応ガ
スを供給する供給ノズル４と排気ノズル５とがウェハ３
の近傍に対向して配設されている。
【０００４】以上のような構成において、ウェハ３上に
化学気相成長による成膜をさせるには、ヒーター２によ
り所要の温度に加熱されたウェハ３の表面へ、反応ガス
供給系より供給ノズル４に設けられた噴射孔４ａを通っ
て反応ガスを供給することにより、化学反応を起こさ
せ、前述の各種膜形成を行っていた。
化学気相成長による成膜をさせるには、ヒーター２によ
り所要の温度に加熱されたウェハ３の表面へ、反応ガス
供給系より供給ノズル４に設けられた噴射孔４ａを通っ
て反応ガスを供給することにより、化学反応を起こさ
せ、前述の各種膜形成を行っていた。
【０００５】一方、反応が終わった未反応ガスは排気ノ
ズル５より外部に設けられた排気系（真空ポンプ等）に
より排気される。このような技術は、特開平３−２５５
６１９号等に開示されている。
ズル５より外部に設けられた排気系（真空ポンプ等）に
より排気される。このような技術は、特開平３−２５５
６１９号等に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の縦型Ｃ
ＶＤ装置では、反応ガス供給ノズル４の噴射孔４ａと排
気ノズル５の位置とがウェハ３の近傍で対向して配設さ
れていること、ウェハ３の全周からの供給で無く部分的
な供給であること、又、排気ノズル５についてもウェハ
３に対し部分的な方向のみでの排気傾向にあること、更
に、ウェハ３は通常オリエンテーションフラット部（以
下、ＯＦ部という）を備えており、完全な円形で無いこ
とにより反応ガスが供給・滞留・排気される空間が異な
ってくること等、ウェハに対し均一な化学気相成長を行
わす環境が不十分である。
ＶＤ装置では、反応ガス供給ノズル４の噴射孔４ａと排
気ノズル５の位置とがウェハ３の近傍で対向して配設さ
れていること、ウェハ３の全周からの供給で無く部分的
な供給であること、又、排気ノズル５についてもウェハ
３に対し部分的な方向のみでの排気傾向にあること、更
に、ウェハ３は通常オリエンテーションフラット部（以
下、ＯＦ部という）を備えており、完全な円形で無いこ
とにより反応ガスが供給・滞留・排気される空間が異な
ってくること等、ウェハに対し均一な化学気相成長を行
わす環境が不十分である。
【０００７】即ち、このような環境での成膜処理は、ウ
ェハに対して、反応ガスの供給・滞留・排気のバラツキ
を生じさせ、ウェハ表面上での膜厚分布の均一性を悪化
させるという問題点を含んでいた。
ェハに対して、反応ガスの供給・滞留・排気のバラツキ
を生じさせ、ウェハ表面上での膜厚分布の均一性を悪化
させるという問題点を含んでいた。
【０００８】特に、反応ガス供給ノズルに近いウェハ表
面上で膜厚が厚くなり、排気ノズルに近い方では逆に薄
くなる傾向が出たりする。又、ＯＦ部では、円弧部に比
べ反応ガスが滞留する空間が大きくガス密度が高くな
り、その結果膜厚が厚くなる等の不均一を発生させてい
た。通常、従来の方式によれば、直径６インチサイズの
ウェハの膜厚分布は±７％前後となり、直径８インチ等
の大口径のウェハでは更に顕著に悪化してくる。
面上で膜厚が厚くなり、排気ノズルに近い方では逆に薄
くなる傾向が出たりする。又、ＯＦ部では、円弧部に比
べ反応ガスが滞留する空間が大きくガス密度が高くな
り、その結果膜厚が厚くなる等の不均一を発生させてい
た。通常、従来の方式によれば、直径６インチサイズの
ウェハの膜厚分布は±７％前後となり、直径８インチ等
の大口径のウェハでは更に顕著に悪化してくる。
【０００９】本発明の目的は、反応ガスの供給及び排気
のバラツキによる膜厚均一性の悪化を防止した半導体製
造装置を提供することにある。
のバラツキによる膜厚均一性の悪化を防止した半導体製
造装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体製造装置は、反応ガス供給ノズ
ルと、排気ノズルとを有し、成膜処理室内に設置された
ウェハの表面に成膜処理を施す半導体製造装置であっ
て、反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、成膜処理室
内に設置され、前記ウェハの全周を取り囲んで配置され
たものであり、反応ガス供給ノズルは、ウェハの中心か
ら等距離の位置に、反応ガスをウェハに向けて供給する
開口を有するものであり、排気ノズルは、ウェハの中心
から等距離の位置に、ウェハ上の未反応ガスを排気する
開口を有するものである。
め、本発明に係る半導体製造装置は、反応ガス供給ノズ
ルと、排気ノズルとを有し、成膜処理室内に設置された
ウェハの表面に成膜処理を施す半導体製造装置であっ
て、反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、成膜処理室
内に設置され、前記ウェハの全周を取り囲んで配置され
たものであり、反応ガス供給ノズルは、ウェハの中心か
ら等距離の位置に、反応ガスをウェハに向けて供給する
開口を有するものであり、排気ノズルは、ウェハの中心
から等距離の位置に、ウェハ上の未反応ガスを排気する
開口を有するものである。
【００１１】また本発明に係る半導体製造装置は、反応
ガス供給ノズルと、排気ノズルとを有し、成膜処理室内
に設置されたウェハの表面に成膜処理を施す半導体製造
装置であって、反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、
成膜処理室内に設置され、前記ウェハの全周を取り囲ん
で配置されたものであり、反応ガス供給ノズルは、ウェ
ハの中心から等距離の位置に、反応ガスをウェハに向け
て供給する開口を有し、開口は周方向に等間隔で配置さ
れ、かつウェハの中心に向けて穴明けした噴射孔からな
るものであり、排気ノズルは、ウェハの中心から等距離
の位置に、ウェハ上の未反応ガスを排気する開口を有
し、開口は周方向に等間隔で配置され、かつウェハの中
心から放射方向に向けて穴明けした排気孔からなるもの
である。
ガス供給ノズルと、排気ノズルとを有し、成膜処理室内
に設置されたウェハの表面に成膜処理を施す半導体製造
装置であって、反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、
成膜処理室内に設置され、前記ウェハの全周を取り囲ん
で配置されたものであり、反応ガス供給ノズルは、ウェ
ハの中心から等距離の位置に、反応ガスをウェハに向け
て供給する開口を有し、開口は周方向に等間隔で配置さ
れ、かつウェハの中心に向けて穴明けした噴射孔からな
るものであり、排気ノズルは、ウェハの中心から等距離
の位置に、ウェハ上の未反応ガスを排気する開口を有
し、開口は周方向に等間隔で配置され、かつウェハの中
心から放射方向に向けて穴明けした排気孔からなるもの
である。
【００１２】また前記噴射孔と前記排気孔とは、内外２
重に配列したものである。
重に配列したものである。
【００１３】前記噴射孔と前記排気孔とは、同一円周上
に交互に配列したものである。
に交互に配列したものである。
【００１４】また前記排気ノズルの内周側に配置された
反応ガス供給ノズルの内径は、ウェハのオリエンテーシ
ョンフラットを含むウェハの外形形状と相似形状をなす
ものである。
反応ガス供給ノズルの内径は、ウェハのオリエンテーシ
ョンフラットを含むウェハの外形形状と相似形状をなす
ものである。
【００１５】また同一円周上に配置した前記反応ガス供
給ノズルと排気ノズルとは、同一ブロックに設置され、
該ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラ
ットを含むウェハの外形形状と相似形状をなすものであ
る。
給ノズルと排気ノズルとは、同一ブロックに設置され、
該ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラ
ットを含むウェハの外形形状と相似形状をなすものであ
る。
【００１６】
【作用】本発明においては、ウェハに対し全周囲より均
等に反応ガスを供給し、且つ、ウェハエッジ周辺部の空
間をＯＦ部を考慮した空間に保つことにより、反応ガス
の滞留・密度を均等にし、更に、未反応ガスを均等に排
気すべく構造とし、ウェハ表面の成膜をより均一にする
環境を作っている。このため、従来の方式での膜厚分布
悪化防止を可能にしている。
等に反応ガスを供給し、且つ、ウェハエッジ周辺部の空
間をＯＦ部を考慮した空間に保つことにより、反応ガス
の滞留・密度を均等にし、更に、未反応ガスを均等に排
気すべく構造とし、ウェハ表面の成膜をより均一にする
環境を作っている。このため、従来の方式での膜厚分布
悪化防止を可能にしている。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。
【００１８】（実施例１）図１（ａ）は本発明の実施例
１を示す図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図２は
図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
１を示す図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図２は
図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１９】図において本発明に係る半導体製造装置は
基本的構成として、反応ガス供給ノズル４と、排気ノズ
ル５とを有し、成膜処理室１内に設置されたウェハの表
面に成膜処理を施すものである。
基本的構成として、反応ガス供給ノズル４と、排気ノズ
ル５とを有し、成膜処理室１内に設置されたウェハの表
面に成膜処理を施すものである。
【００２０】各構成の機能について説明すると、反応ガ
ス供給ノズル４と排気ノズル５とは、成膜処理室１内に
設置され、ウェハ３の全周を取り囲んで配置されてい
る。
ス供給ノズル４と排気ノズル５とは、成膜処理室１内に
設置され、ウェハ３の全周を取り囲んで配置されてい
る。
【００２１】そして反応ガス供給ノズル４は、ウェハ３
の中心から等距離の位置に、反応ガスをウェハ３に向け
て供給する開口を有するものであり、排気ノズル５は、
ウェハ３の中心から等距離の位置に、ウェハ上の未反応
ガスを排気する開口を有するものである。
の中心から等距離の位置に、反応ガスをウェハ３に向け
て供給する開口を有するものであり、排気ノズル５は、
ウェハ３の中心から等距離の位置に、ウェハ上の未反応
ガスを排気する開口を有するものである。
【００２２】次に本発明を具体例を用いて説明する。
【００２３】図１，図２において本発明の実施例１に係
る半導体製造装置は、成膜処理を行うための石英等から
なる成膜処理室１の外周に抵抗加熱等によるヒーター２
が配設されており、成膜処理室１内の中央部にボート等
（図示せず）を介して保持されたウェハ３を膜種にあっ
た所要のプロセス温度（約６００〜８００℃）に加熱可
能なようになっている。
る半導体製造装置は、成膜処理を行うための石英等から
なる成膜処理室１の外周に抵抗加熱等によるヒーター２
が配設されており、成膜処理室１内の中央部にボート等
（図示せず）を介して保持されたウェハ３を膜種にあっ
た所要のプロセス温度（約６００〜８００℃）に加熱可
能なようになっている。
【００２４】またウェハ３の外周部近傍全周にわたっ
て、ウェハ３へ反応ガスを供給する供給ノズル４が配設
されている。この供給ノズル４は、ウェハ３の中心に向
かって反応ガスを均等に供給すべく、例えば図のように
円周を４５°で８分割し、且つウェハ３の中心部から等
間隔の位置に複数個（図では８ケ所）の噴射孔４ａが、
ウェハのボート等による保持間隔と同一間隔で水平に複
数具備されている。
て、ウェハ３へ反応ガスを供給する供給ノズル４が配設
されている。この供給ノズル４は、ウェハ３の中心に向
かって反応ガスを均等に供給すべく、例えば図のように
円周を４５°で８分割し、且つウェハ３の中心部から等
間隔の位置に複数個（図では８ケ所）の噴射孔４ａが、
ウェハのボート等による保持間隔と同一間隔で水平に複
数具備されている。
【００２５】更に反応供給ノズル４の内径形状は、ウェ
ハ３のエッジとの空間をＯＦ部を考慮した空間を保つよ
うにウェハエッジ形状と相似形になっている。
ハ３のエッジとの空間をＯＦ部を考慮した空間を保つよ
うにウェハエッジ形状と相似形になっている。
【００２６】排気ノズル５は、ウェハ３の外周部近傍全
周にわたって、中心部より等距離に等間隔（図では供給
ノズル４と同じ円周４５°／８分割／８ケ所が供給ノズ
ル４の噴射孔４ａに対し、２２．５°シフト回転した位
置）に排気孔５ａが配設されている。
周にわたって、中心部より等距離に等間隔（図では供給
ノズル４と同じ円周４５°／８分割／８ケ所が供給ノズ
ル４の噴射孔４ａに対し、２２．５°シフト回転した位
置）に排気孔５ａが配設されている。
【００２７】以上のような構成において、まずウェハ保
持用治具（ボート等：図示せず）に搭載されたウェハ３
が成膜処理室１内の指定位置に載置されたのち、成膜処
理室１を密閉し、排気ノズル５を通して外部に配設され
た真空排気系（ポンプ等）により所要の圧力（例えば１
０ｍｍＴｏｒｒ）まで減圧する。それと並行して、ヒー
ター２による輻射熱によりウェハ３を所要の温度（例え
ば７５０℃）に加熱する。
持用治具（ボート等：図示せず）に搭載されたウェハ３
が成膜処理室１内の指定位置に載置されたのち、成膜処
理室１を密閉し、排気ノズル５を通して外部に配設され
た真空排気系（ポンプ等）により所要の圧力（例えば１
０ｍｍＴｏｒｒ）まで減圧する。それと並行して、ヒー
ター２による輻射熱によりウェハ３を所要の温度（例え
ば７５０℃）に加熱する。
【００２８】次に反応ガス（例えば窒化膜の場合ＳｉＨ
4とＮＨ3）を供給ノズル４の噴射孔４ａよりウェハ３の
表面に均等に供給しながら、圧力制御（通常１〜１０Ｔ
ｏｒｒ）を行うと、熱分解により化学気相成長で膜形成
が行われる。このとき未反応ガスは、排気ノズル５の排
気孔５ａより排気系を通して排気される。
4とＮＨ3）を供給ノズル４の噴射孔４ａよりウェハ３の
表面に均等に供給しながら、圧力制御（通常１〜１０Ｔ
ｏｒｒ）を行うと、熱分解により化学気相成長で膜形成
が行われる。このとき未反応ガスは、排気ノズル５の排
気孔５ａより排気系を通して排気される。
【００２９】（実施例２）図３は、本発明の実施例２に
係る半導体製造装置を示す図である。図３においては、
反応ガス供給ノズル４と排気ノズル５とがウェハ３の外
周部近傍全周にわたり同一ブロックＢに交互に配設さ
れ、反応ガス供給ノズル４の噴射孔４ａと排気ノズル５
の排気孔５ａとは、ウェハ３の中心から等距離の位置
で、かつ同一円周上に交互に等間隔で配置されている。
その他の構成は実施例１と同様である。
係る半導体製造装置を示す図である。図３においては、
反応ガス供給ノズル４と排気ノズル５とがウェハ３の外
周部近傍全周にわたり同一ブロックＢに交互に配設さ
れ、反応ガス供給ノズル４の噴射孔４ａと排気ノズル５
の排気孔５ａとは、ウェハ３の中心から等距離の位置
で、かつ同一円周上に交互に等間隔で配置されている。
その他の構成は実施例１と同様である。
【００３０】本実施例によれば、実施例１と同様な効果
がより小型化した供給・排気機構を構成することができ
ること、及び未反応ガスが成膜処理室１の壁面方向に回
り込む量を少なくして反応生成物の処理室壁面への付着
堆積を更に防止することができるという利点を有する。
がより小型化した供給・排気機構を構成することができ
ること、及び未反応ガスが成膜処理室１の壁面方向に回
り込む量を少なくして反応生成物の処理室壁面への付着
堆積を更に防止することができるという利点を有する。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハに対して外周部近傍全周囲より、均等に反応ガスを
供給し、且つ未反応ガスを均等に排気する構造になって
いるため、ウェハに対しその形状を考慮して反応ガス
を、均等に供給・滞留・排気を行わせることができ、ウ
ェハ表面により均一なＣＶＤ膜を成膜することができ
る。この結果、従来の方式では膜厚の均一性がおよそ±
７％前後だったものが、本発明によると±３％以下の性
能に向上することができる。また未反応ガスを均等に効
率良く排気でき、反応生成物の成膜処理室等への付着・
堆積を少なくし、ゴミの発生を抑える等の効果を併せも
つため、膜質的にも且つ経済的にも大きな優位性を得る
ことができる。
ェハに対して外周部近傍全周囲より、均等に反応ガスを
供給し、且つ未反応ガスを均等に排気する構造になって
いるため、ウェハに対しその形状を考慮して反応ガス
を、均等に供給・滞留・排気を行わせることができ、ウ
ェハ表面により均一なＣＶＤ膜を成膜することができ
る。この結果、従来の方式では膜厚の均一性がおよそ±
７％前後だったものが、本発明によると±３％以下の性
能に向上することができる。また未反応ガスを均等に効
率良く排気でき、反応生成物の成膜処理室等への付着・
堆積を少なくし、ゴミの発生を抑える等の効果を併せも
つため、膜質的にも且つ経済的にも大きな優位性を得る
ことができる。
【００３２】またウェハエッジ周辺部の空間をウェハの
形状、特にＯＦ部も考慮した空間とすることにより、反
応ガスの滞留・密度を均等にし、更に未反応ガスを均等
に排気することができ、このためウェハ表面での成膜を
より均一にすることができる。
形状、特にＯＦ部も考慮した空間とすることにより、反
応ガスの滞留・密度を均等にし、更に未反応ガスを均等
に排気することができ、このためウェハ表面での成膜を
より均一にすることができる。
【００３３】また各ノズルの噴射孔と排気孔とは、内外
２重に配列する、或いは同一円周上に交互に配列するこ
ともでき、汎用性を高めることができる。
２重に配列する、或いは同一円周上に交互に配列するこ
ともでき、汎用性を高めることができる。
【００３４】また各ノズルの噴射孔と前記排気孔とは、
同一ブロックに設置して同一円周上に交互に配列し、該
ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラッ
トを含むウェハの外形形状と相似形状をなすようにする
ことにより、より小型化した供給・排気機構を構成する
ことができること、及び未反応ガスが成膜処理室の壁面
方向に回り込む量を少なくして反応生成物の処理室壁面
への付着堆積を更に防止することができる。
同一ブロックに設置して同一円周上に交互に配列し、該
ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラッ
トを含むウェハの外形形状と相似形状をなすようにする
ことにより、より小型化した供給・排気機構を構成する
ことができること、及び未反応ガスが成膜処理室の壁面
方向に回り込む量を少なくして反応生成物の処理室壁面
への付着堆積を更に防止することができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施例１を示す図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】本発明の実施例２を示す図である。
【図４】（ａ）は従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
１ 成膜処理室 ２ ヒーター ３ ウェハ ４ 反応ガス供給ノズル ４ａ 噴射孔 ５ 排気ノズル ５ａ 排気孔
Claims (6)
- 【請求項１】 反応ガス供給ノズルと、排気ノズルとを
有し、成膜処理室内に設置されたウェハの表面に成膜処
理を施す半導体製造装置であって、 反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、成膜処理室内に
設置され、前記ウェハの全周を取り囲んで配置されたも
のであり、 反応ガス供給ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置
に、反応ガスをウェハに向けて供給する開口を有するも
のであり、 排気ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置に、ウェ
ハ上の未反応ガスを排気する開口を有するものであるこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 反応ガス供給ノズルと、排気ノズルとを
有し、成膜処理室内に設置されたウェハの表面に成膜処
理を施す半導体製造装置であって、 反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、成膜処理室内に
設置され、前記ウェハの全周を取り囲んで配置されたも
のであり、 反応ガス供給ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置
に、反応ガスをウェハに向けて供給する開口を有し、開
口は周方向に等間隔で配置され、かつウェハの中心に向
けて穴明けした噴射孔からなるものであり、 排気ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置に、ウェ
ハ上の未反応ガスを排気する開口を有し、開口は周方向
に等間隔で配置され、かつウェハの中心から放射方向に
向けて穴明けした排気孔からなるものであることを特徴
とする請求項１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記噴射孔と前記排気孔とは、内外２重
に配列したものであることを特徴とする請求項２に記載
の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記噴射孔と前記排気孔とは、同一円周
上に交互に配列したものであることを特徴とする請求項
２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記排気ノズルの内周側に配置された反
応ガス供給ノズルの内径は、ウェハのオリエンテーショ
ンフラットを含むウェハの外形形状と相似形状をなすも
のであることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造
装置。 - 【請求項６】 同一円周上に配置した前記反応ガス供給
ノズルと排気ノズルとは、同一ブロックに設置され、 該ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラ
ットを含むウェハの外形形状と相似形状をなすものであ
ることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133196A JP2773683B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133196A JP2773683B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330237A true JPH08330237A (ja) | 1996-12-13 |
| JP2773683B2 JP2773683B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=15098968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7133196A Expired - Lifetime JP2773683B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773683B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413884B1 (en) | 1997-06-05 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other |
| US6892082B2 (en) | 1999-05-10 | 2005-05-10 | Peter V. Boesen | Cellular telephone and personal digital assistance |
| JP2017175142A (ja) * | 2017-04-28 | 2017-09-28 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335776A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Matsushita Electronics Corp | 気相化学蒸着装置 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP7133196A patent/JP2773683B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335776A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Matsushita Electronics Corp | 気相化学蒸着装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413884B1 (en) | 1997-06-05 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other |
| US6892082B2 (en) | 1999-05-10 | 2005-05-10 | Peter V. Boesen | Cellular telephone and personal digital assistance |
| JP2017175142A (ja) * | 2017-04-28 | 2017-09-28 | 光洋サーモシステム株式会社 | 熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773683B2 (ja) | 1998-07-09 |
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