JPH08330470A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH08330470A JPH08330470A JP7136356A JP13635695A JPH08330470A JP H08330470 A JPH08330470 A JP H08330470A JP 7136356 A JP7136356 A JP 7136356A JP 13635695 A JP13635695 A JP 13635695A JP H08330470 A JPH08330470 A JP H08330470A
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- lead
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ワイヤー、あるいは導電性のろう剤や接着剤を
用いずに電気的接続を図り、半導体装置の高集積化、高
密度実装化を実現可能な技術を提供すること。 【構成】外部導出リード３と電極パッド６との電気的接
続を、外部導出リード３を配線基板４に固定するための
接着用樹脂８の硬化収縮応力を利用して行っている。す
なわち、接着用樹脂８の硬化収縮応力により突起部３ａ
と配線基板４の電極パッド６とが互いに押圧しあうこと
により直接電気的接続がなされる。これによると、ワイ
ヤボンディング技術を用いていないことにより金属ワイ
ヤのループが存在しないので、半導体装置の薄型化を図
ることができる。また、接点にろう剤や導電性接着剤等
を用いていないので、隣接しあう電極パッド同志が、熱
で溶融したろう剤によって電気的短絡を起こすことがな
くなる。従って、半導体装置の薄型化、小型化、高密度
実装化を実現することができる。
用いずに電気的接続を図り、半導体装置の高集積化、高
密度実装化を実現可能な技術を提供すること。 【構成】外部導出リード３と電極パッド６との電気的接
続を、外部導出リード３を配線基板４に固定するための
接着用樹脂８の硬化収縮応力を利用して行っている。す
なわち、接着用樹脂８の硬化収縮応力により突起部３ａ
と配線基板４の電極パッド６とが互いに押圧しあうこと
により直接電気的接続がなされる。これによると、ワイ
ヤボンディング技術を用いていないことにより金属ワイ
ヤのループが存在しないので、半導体装置の薄型化を図
ることができる。また、接点にろう剤や導電性接着剤等
を用いていないので、隣接しあう電極パッド同志が、熱
で溶融したろう剤によって電気的短絡を起こすことがな
くなる。従って、半導体装置の薄型化、小型化、高密度
実装化を実現することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造分野に関する
ものであり、特に半導体チップをリードフレーム等の配
線基板にマウントして電気的接続をする半導体装置の組
立技術に利用して有効なものである。
ものであり、特に半導体チップをリードフレーム等の配
線基板にマウントして電気的接続をする半導体装置の組
立技術に利用して有効なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立技術、特に半導体チッ
プの電極パッドと外部導出リードとの電気的接続を行う
方法として、例えば図６（ａ）に示すような半導体装置
２５は、従来から金線等の金属ワイヤ２８を熱圧着技術
や超音波技術を用いてボンディングする方法が用いられ
ている。また、接地電極の引出しについては、上記のよ
うなワイヤボンディング技術の他に、半導体チップの裏
面から導電性接着剤を介してダイパッドと一体化された
外部導出リードで接地する方法も用いられている。
プの電極パッドと外部導出リードとの電気的接続を行う
方法として、例えば図６（ａ）に示すような半導体装置
２５は、従来から金線等の金属ワイヤ２８を熱圧着技術
や超音波技術を用いてボンディングする方法が用いられ
ている。また、接地電極の引出しについては、上記のよ
うなワイヤボンディング技術の他に、半導体チップの裏
面から導電性接着剤を介してダイパッドと一体化された
外部導出リードで接地する方法も用いられている。
【０００３】近年、高密度実装等の観点から、図６
（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッドに
金属バンプ３２を形成し、配線基板３３にフェイスダウ
ンボンディングする技術が使用されるようになってきて
いる。
（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッドに
金属バンプ３２を形成し、配線基板３３にフェイスダウ
ンボンディングする技術が使用されるようになってきて
いる。
【０００４】尚、フェイスダウンボンディングに関して
は、例えば特開昭６２−９０９３８号公報に記載されて
いる。
は、例えば特開昭６２−９０９３８号公報に記載されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のようなワイヤボ
ンディングによって半導体チップの電極パッドと外部導
出リードとの電気的接続を図る場合、半導体装置はワイ
ヤーループの高さ等によってその厚さに制約を受ける。
従って、半導体装置の薄型化を図る場合、ワイヤールー
プの高さがネックとなっている。
ンディングによって半導体チップの電極パッドと外部導
出リードとの電気的接続を図る場合、半導体装置はワイ
ヤーループの高さ等によってその厚さに制約を受ける。
従って、半導体装置の薄型化を図る場合、ワイヤールー
プの高さがネックとなっている。
【０００６】また、金属バンプによるフェイスダウンボ
ンディング、例えば半田バンプを用いた場合は、熱によ
って半田が溶融し、隣接した電極同志がショートする可
能性がある。バンプの先端に導電性接着剤を付着させて
ボンディングを行う場合も、導電性接着剤の平面的な広
がりを考慮しなければならず、半導体装置の高集積化、
高密度実装化に図る上でのネックとなっている。
ンディング、例えば半田バンプを用いた場合は、熱によ
って半田が溶融し、隣接した電極同志がショートする可
能性がある。バンプの先端に導電性接着剤を付着させて
ボンディングを行う場合も、導電性接着剤の平面的な広
がりを考慮しなければならず、半導体装置の高集積化、
高密度実装化に図る上でのネックとなっている。
【０００７】本発明者は、上記のような電気的接続方法
が、半導体チップの電極パッドと基板の電極との間に、
ワイヤー、あるいは導電性のろう剤や接着剤を介して電
気的接続を図っており、これらの介在物が半導体装置の
薄型化、小型化を制約していることに着目し、鋭意検討
した。
が、半導体チップの電極パッドと基板の電極との間に、
ワイヤー、あるいは導電性のろう剤や接着剤を介して電
気的接続を図っており、これらの介在物が半導体装置の
薄型化、小型化を制約していることに着目し、鋭意検討
した。
【０００８】そこで本発明の目的は、ワイヤー、あるい
は導電性のろう剤や接着剤を用いずに電気的接続を図
り、半導体装置の薄型化、小型化を実現可能な技術を提
供することにある。
は導電性のろう剤や接着剤を用いずに電気的接続を図
り、半導体装置の薄型化、小型化を実現可能な技術を提
供することにある。
【０００９】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば次の
とおりである。すなわち、外部導出リードを、硬化収縮
応力を発生させる樹脂によって電極パッドの周辺部に固
定し、樹脂の硬化収縮応力によって外部導出リードと電
極パッドとを互いに押圧させることにより電気的接続を
図るものである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば次の
とおりである。すなわち、外部導出リードを、硬化収縮
応力を発生させる樹脂によって電極パッドの周辺部に固
定し、樹脂の硬化収縮応力によって外部導出リードと電
極パッドとを互いに押圧させることにより電気的接続を
図るものである。
【００１１】
【作用】樹脂の硬化収縮応力によって外部導出リードと
電極パッドとを互いに押圧するので、ワイヤー、あるい
は導電性のろう剤や接着剤を用いずに電気的接続を図る
ことができる。従って、半導体パッケージの薄型化、小
型化を図ることができ、半導体装置の高密度実装化を実
現することができる。
電極パッドとを互いに押圧するので、ワイヤー、あるい
は導電性のろう剤や接着剤を用いずに電気的接続を図る
ことができる。従って、半導体パッケージの薄型化、小
型化を図ることができ、半導体装置の高密度実装化を実
現することができる。
【００１２】
【実施例１】以下、本発明の一実施例を図面に従い説明
する。図１（ａ）は本発明の半導体装置の横断面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図である。半導体装置１は、
半導体チップ２をエポキシ等からなる配線基板４にマウ
ントし、配線基板４に設けられた電極パッド６と外部導
出リード３とを電気的に接続している。半導体チップ２
は、その電極パッドと配線基板４の外部接続用端子と
を、金や銅あるいは硬質の半田からなるバンプ９で電気
的に接続されている。バンプ９はリソグラフィ技術ある
いはワイヤボンディング技術を用いて、半導体チップ２
の電極パッドに形成される。この場合、配線基板４の外
部接続用端子に形成してもよい。配線基板４の外部接続
用端子は、配線基板４上に形成された配線７によって電
極パッド６に接続されている。
する。図１（ａ）は本発明の半導体装置の横断面図、
（ｂ）はそのＡ−Ａ′断面図である。半導体装置１は、
半導体チップ２をエポキシ等からなる配線基板４にマウ
ントし、配線基板４に設けられた電極パッド６と外部導
出リード３とを電気的に接続している。半導体チップ２
は、その電極パッドと配線基板４の外部接続用端子と
を、金や銅あるいは硬質の半田からなるバンプ９で電気
的に接続されている。バンプ９はリソグラフィ技術ある
いはワイヤボンディング技術を用いて、半導体チップ２
の電極パッドに形成される。この場合、配線基板４の外
部接続用端子に形成してもよい。配線基板４の外部接続
用端子は、配線基板４上に形成された配線７によって電
極パッド６に接続されている。
【００１３】外部導出リード３は、電極パッド６の周辺
で絶縁性の接着用樹脂８によって配線基板４に固定され
ている。外部導出リード３の電極パッド６との接続部に
は突起部形成しており、例えば本実施例では外部導出リ
ード３のインナーリード先端部を屈曲させて突起部３ａ
を形成している。本発明では、図２に示すように、外部
導出リード３と電極パッド６との電気的接続を、外部導
出リード３を配線基板４に固定するための接着用樹脂８
の硬化収縮応力を利用して行っている。すなわち、接着
用樹脂８の硬化収縮応力により突起部３ａと配線基板４
の電極パッド６とが互いに押圧しあうことにより直接電
気的接続がなされる。これによると、ワイヤボンディン
グ技術を用いていないことにより金属ワイヤのループが
存在しないので、半導体装置の薄型化を図ることができ
る。また、接点にろう剤や導電性接着剤等を用いていな
いので、隣接しあう電極パッド同志が、熱で溶融したろ
う剤によって電気的短絡を起こすことがなくなる。従っ
て、半導体装置の薄型化、小型化、高密度実装化を実現
することができる。
で絶縁性の接着用樹脂８によって配線基板４に固定され
ている。外部導出リード３の電極パッド６との接続部に
は突起部形成しており、例えば本実施例では外部導出リ
ード３のインナーリード先端部を屈曲させて突起部３ａ
を形成している。本発明では、図２に示すように、外部
導出リード３と電極パッド６との電気的接続を、外部導
出リード３を配線基板４に固定するための接着用樹脂８
の硬化収縮応力を利用して行っている。すなわち、接着
用樹脂８の硬化収縮応力により突起部３ａと配線基板４
の電極パッド６とが互いに押圧しあうことにより直接電
気的接続がなされる。これによると、ワイヤボンディン
グ技術を用いていないことにより金属ワイヤのループが
存在しないので、半導体装置の薄型化を図ることができ
る。また、接点にろう剤や導電性接着剤等を用いていな
いので、隣接しあう電極パッド同志が、熱で溶融したろ
う剤によって電気的短絡を起こすことがなくなる。従っ
て、半導体装置の薄型化、小型化、高密度実装化を実現
することができる。
【００１４】尚、本実施例では、半導体チップ２の電極
パッドに形成されたバンプ９と配線基板４のとの電気的
接続も、図３に示すように、上記のような硬化収縮応力
を有する樹脂を用いて行っている。この場合も樹脂１０
の硬化収縮応力により半導体チップ２と配線基板４とが
互いに引き合うため、バンプ９が配線７に押圧されるこ
とにより電気的接続がなされる。
パッドに形成されたバンプ９と配線基板４のとの電気的
接続も、図３に示すように、上記のような硬化収縮応力
を有する樹脂を用いて行っている。この場合も樹脂１０
の硬化収縮応力により半導体チップ２と配線基板４とが
互いに引き合うため、バンプ９が配線７に押圧されるこ
とにより電気的接続がなされる。
【００１５】
【実施例２】上記実施例では、本発明を、配線基板上に
半導体チップをマウントした半導体装置に利用した例に
ついて説明したが、本実施例では、外部導出リードを半
導体チップの電極パッドに直接接続する例について説明
する。
半導体チップをマウントした半導体装置に利用した例に
ついて説明したが、本実施例では、外部導出リードを半
導体チップの電極パッドに直接接続する例について説明
する。
【００１６】図４（ａ）に本実施例の半導体装置の横断
面図、（ｂ）にそのＢ−Ｂ′断面図を示す。半導体チッ
プ１２の電極パッド周辺部には、外部導出リード１３の
インナーリードを接着・固定するための絶縁性の接着用
樹脂１５が形成されている。この接着用樹脂１５には、
硬化収縮応力を有するものを用いる。外部導出リード１
３のインナーリードの先端部には、半導体チップ１２の
電極パッドへ向かって突起１３ａが設けられている。本
実施例では、接着用樹脂１５で外部導出リード１３のイ
ンナーリードを半導体チップ１２に接着・固定するとと
もに、接着用樹脂１５の硬化収縮応力を利用して突起１
３ａを電極パッドへ押圧させている。これにより、外部
導出リード１３は、半導体チップ１２の電極パッドに直
接接続される。従って半導体装置の小型化、薄型化、お
よび高密度実装化を実現することができる。
面図、（ｂ）にそのＢ−Ｂ′断面図を示す。半導体チッ
プ１２の電極パッド周辺部には、外部導出リード１３の
インナーリードを接着・固定するための絶縁性の接着用
樹脂１５が形成されている。この接着用樹脂１５には、
硬化収縮応力を有するものを用いる。外部導出リード１
３のインナーリードの先端部には、半導体チップ１２の
電極パッドへ向かって突起１３ａが設けられている。本
実施例では、接着用樹脂１５で外部導出リード１３のイ
ンナーリードを半導体チップ１２に接着・固定するとと
もに、接着用樹脂１５の硬化収縮応力を利用して突起１
３ａを電極パッドへ押圧させている。これにより、外部
導出リード１３は、半導体チップ１２の電極パッドに直
接接続される。従って半導体装置の小型化、薄型化、お
よび高密度実装化を実現することができる。
【００１７】尚、本実施例では、外部導出リード１３側
に突起１３ａを設けているが、電極パッド上にバンプ電
極を形成し、それを突起１３ａの代わりとしてもよい。
バンプ電極は、ウエハ状態においてリソグラフィ技術を
用いて形成する方法の他、ワイヤボンディング技術を応
用し、金属ワイヤの先端部に放電によってボールを形成
してそのボールのみを電極パッドにボンディングするこ
とで形成する方法も用いることができる。この方法によ
ると簡易にバンプ電極を電極パッドに形成することがで
きる。
に突起１３ａを設けているが、電極パッド上にバンプ電
極を形成し、それを突起１３ａの代わりとしてもよい。
バンプ電極は、ウエハ状態においてリソグラフィ技術を
用いて形成する方法の他、ワイヤボンディング技術を応
用し、金属ワイヤの先端部に放電によってボールを形成
してそのボールのみを電極パッドにボンディングするこ
とで形成する方法も用いることができる。この方法によ
ると簡易にバンプ電極を電極パッドに形成することがで
きる。
【００１８】
【実施例３】本実施例では、従来のワイヤボンディング
技術と本発明とを併用させた例について説明する。図５
（ａ）に本実施例の横断面図、（ｂ）にＣ−Ｃ′断面図
を示す。２２は放熱のためのヒートスプレッダであり、
ダイパッドも兼ねている。半導体チップ１７は、Ａｇペ
ースト等の導電性接着剤２４によってヒートスプレッダ
２２に接着されている。この場合、Ａｕ−Ｓｉ共晶方式
のダイボンディングでも良い。外部導出リード１８は、
そのインナーリード部でペースト状又はフィルム状の絶
縁性の接着用樹脂２３によってヒートスプレッダ２２の
周縁部に接着・固定されている。接着用樹脂２３には、
硬化収縮応力を有するものを用いている。半導体チップ
１７の電極パッドと外部導出リード１８とは、ワイヤボ
ンディング技術により、金や銅、あるいはアルミニウム
等からなる金属ワイヤ２０で電気的接続がなされてい
る。本実施例では、半導体チップ１７の裏面電極から接
地電位を取り出すために、接地電位用リード１９をヒー
トスプレッダ２２に電気的に接続している。接地電位用
リード１９のインナーリード先端部にはヒートスプレッ
ダ２２へ向かって突出部１９ａが設けられており、接地
電位用リード１９をヒートスプレッダ２２に接着・固定
している接着用樹脂２３の硬化収縮応力によって、突出
部１９ａがヒートスプレッダ２２を押圧する状態で電気
的接続がなされている。これにより、半導体チップの裏
面電極からヒートスプレッダ２２を介して接地電位用リ
ード１９への電気的接続が容易となる。
技術と本発明とを併用させた例について説明する。図５
（ａ）に本実施例の横断面図、（ｂ）にＣ−Ｃ′断面図
を示す。２２は放熱のためのヒートスプレッダであり、
ダイパッドも兼ねている。半導体チップ１７は、Ａｇペ
ースト等の導電性接着剤２４によってヒートスプレッダ
２２に接着されている。この場合、Ａｕ−Ｓｉ共晶方式
のダイボンディングでも良い。外部導出リード１８は、
そのインナーリード部でペースト状又はフィルム状の絶
縁性の接着用樹脂２３によってヒートスプレッダ２２の
周縁部に接着・固定されている。接着用樹脂２３には、
硬化収縮応力を有するものを用いている。半導体チップ
１７の電極パッドと外部導出リード１８とは、ワイヤボ
ンディング技術により、金や銅、あるいはアルミニウム
等からなる金属ワイヤ２０で電気的接続がなされてい
る。本実施例では、半導体チップ１７の裏面電極から接
地電位を取り出すために、接地電位用リード１９をヒー
トスプレッダ２２に電気的に接続している。接地電位用
リード１９のインナーリード先端部にはヒートスプレッ
ダ２２へ向かって突出部１９ａが設けられており、接地
電位用リード１９をヒートスプレッダ２２に接着・固定
している接着用樹脂２３の硬化収縮応力によって、突出
部１９ａがヒートスプレッダ２２を押圧する状態で電気
的接続がなされている。これにより、半導体チップの裏
面電極からヒートスプレッダ２２を介して接地電位用リ
ード１９への電気的接続が容易となる。
【００１９】以下、本発明の作用効果について説明す
る。
る。
【００２０】（１）外部導出リードを、硬化収縮応力を
発生させる樹脂によって電極パッドの周辺部に固定し、
樹脂の硬化収縮応力によって外部導出リードと電極パッ
ドとを互いに押圧することにより電気的接続を図ること
により、ワイヤー、あるいは導電性のろう剤や接着剤を
用いずに電気的接続を図ることができる。従って、半導
体パッケージの薄型化及び小型化を図ることができるの
で、半導体装置の更なる高密度実装化を実現することが
できる。
発生させる樹脂によって電極パッドの周辺部に固定し、
樹脂の硬化収縮応力によって外部導出リードと電極パッ
ドとを互いに押圧することにより電気的接続を図ること
により、ワイヤー、あるいは導電性のろう剤や接着剤を
用いずに電気的接続を図ることができる。従って、半導
体パッケージの薄型化及び小型化を図ることができるの
で、半導体装置の更なる高密度実装化を実現することが
できる。
【００２１】（２）外部導出リードの他端部を電極パッ
ド側に予め屈曲させることにより、外部導出リードと電
極パッドとを直接接触させることができる。
ド側に予め屈曲させることにより、外部導出リードと電
極パッドとを直接接触させることができる。
【００２２】（３）電極パッドに外部導出リードに向か
ってバンプ電極が設けられ、外部導出リードとバンプ電
極とは樹脂の硬化収縮応力によって互いに押圧すること
により電気的接続を図ることにより、ワイヤー、あるい
は導電性のろう剤や接着剤を用いずに電気的接続を図る
ことができる。従って、半導体パッケージの薄型化及び
小型化を図ることができるので、半導体装置の更なる高
密度実装化を実現することができる。
ってバンプ電極が設けられ、外部導出リードとバンプ電
極とは樹脂の硬化収縮応力によって互いに押圧すること
により電気的接続を図ることにより、ワイヤー、あるい
は導電性のろう剤や接着剤を用いずに電気的接続を図る
ことができる。従って、半導体パッケージの薄型化及び
小型化を図ることができるので、半導体装置の更なる高
密度実装化を実現することができる。
【００２３】（４）バンプ電極を金属ワイヤの先端に形
成した放電ボールを電極パッド上にボンディングして形
成することにより、簡易にバンプ電極を形成することが
できる。
成した放電ボールを電極パッド上にボンディングして形
成することにより、簡易にバンプ電極を形成することが
できる。
【００２４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、
上記実施例では、外部導出リードと電極パッドとの接触
部にはろう剤や導電性接着剤を用いていなかったが、接
触部にごく少量のろう剤や導電性接着剤をもちいて本発
明と併用させることにより、その電気的接続を確実なも
のにできる。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、
上記実施例では、外部導出リードと電極パッドとの接触
部にはろう剤や導電性接着剤を用いていなかったが、接
触部にごく少量のろう剤や導電性接着剤をもちいて本発
明と併用させることにより、その電気的接続を確実なも
のにできる。
【００２５】また、上記実施例では、半導体パッケージ
内のインナーリードと電極パッドとの電気的接続につい
て述べたが、半導体装置を外部配線基板へ実装する際の
アウターリードの接続に利用しても効果を奏するもので
ある。
内のインナーリードと電極パッドとの電気的接続につい
て述べたが、半導体装置を外部配線基板へ実装する際の
アウターリードの接続に利用しても効果を奏するもので
ある。
【００２６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００２７】すなわち、外部導出リードを、硬化収縮応
力を発生させる樹脂によって電極パッドの周辺部に固定
し、樹脂の硬化収縮応力によって外部導出リードと電極
パッドとを互いに押圧することにより電気的接続を図る
ことにより、ワイヤー、あるいは導電性のろう剤や接着
剤を用いずに電気的接続を図ることができる。従って、
半導体パッケージの薄型化及び小型化を図ることができ
るので、半導体装置の更なる高密度実装化を実現するこ
とができるものである。
力を発生させる樹脂によって電極パッドの周辺部に固定
し、樹脂の硬化収縮応力によって外部導出リードと電極
パッドとを互いに押圧することにより電気的接続を図る
ことにより、ワイヤー、あるいは導電性のろう剤や接着
剤を用いずに電気的接続を図ることができる。従って、
半導体パッケージの薄型化及び小型化を図ることができ
るので、半導体装置の更なる高密度実装化を実現するこ
とができるものである。
【００２８】
【図１】（ａ）は本発明の一実施例である半導体装置の
横断面図、（ｂ）はＡ−Ａ′断面図である。
横断面図、（ｂ）はＡ−Ａ′断面図である。
【図２】本発明の一実施例である半導体装置の外部導出
リードと電極パッドとの接点部分の拡大図である。
リードと電極パッドとの接点部分の拡大図である。
【図３】本発明の一実施例である半導体装置の半導体チ
ップ実装部の拡大図である。
ップ実装部の拡大図である。
【図４】（ａ）は本発明の他の実施例である半導体装置
の横断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ′断面図である。
の横断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ′断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の他の実施例である半導体装置
の横断面図、（ｂ）はＣ−Ｃ′断面図である。
の横断面図、（ｂ）はＣ−Ｃ′断面図である。
【図６】（ａ）はワイヤボンディング技術を用いた従来
の半導体装置の縦断面図、（ｂ）はフェイスダウンボン
ディング技術を用いた半導体装置の部分断面図である。
の半導体装置の縦断面図、（ｂ）はフェイスダウンボン
ディング技術を用いた半導体装置の部分断面図である。
１……半導体装置，２……半導体チップ，３……外部導
出リード，３ａ……突出部，４……配線基板，５……パ
ッケージ，６……配線，７……電極パッド，８……接着
用樹脂，９……バンプ，１０……接着用樹脂，１１……
半導体装置，１２……半導体チップ，１３……外部導出
リード，１３ａ……突出部，１４……パッケージ，１５
……接着用樹脂，１６……半導体装置，１７……半導体
チップ，１８……外部導出用リード，１９……接地電位
用リード，２０……ワイヤ，２１……パッケージ，２２
……ヒートスプレッダ，２３……絶縁性接着用樹脂，２
４……導電性接着剤，２５……半導体装置，２６……半
導体チップ，２７……外部導出リード，２８……金属ワ
イヤ，２９……パッケージ，３０……ダイパッド，３１
……半導体チップ，３２……バンプ，３３……配線基
板，３４……配線
出リード，３ａ……突出部，４……配線基板，５……パ
ッケージ，６……配線，７……電極パッド，８……接着
用樹脂，９……バンプ，１０……接着用樹脂，１１……
半導体装置，１２……半導体チップ，１３……外部導出
リード，１３ａ……突出部，１４……パッケージ，１５
……接着用樹脂，１６……半導体装置，１７……半導体
チップ，１８……外部導出用リード，１９……接地電位
用リード，２０……ワイヤ，２１……パッケージ，２２
……ヒートスプレッダ，２３……絶縁性接着用樹脂，２
４……導電性接着剤，２５……半導体装置，２６……半
導体チップ，２７……外部導出リード，２８……金属ワ
イヤ，２９……パッケージ，３０……ダイパッド，３１
……半導体チップ，３２……バンプ，３３……配線基
板，３４……配線
Claims (4)
- 【請求項１】パッケージ内で半導体チップ又は配線基板
に形成された電極パッドと、一端が前記パッケージ外部
側、他端が前記電極パッド上に延在した外部導出リード
とが電気的に接続された半導体装置であって、前記外部
導出リードは、硬化収縮応力を発生させる絶縁性の樹脂
によって前記電極パッドの周辺部に固定されており、前
記外部導出リードの前記電極パッドとの接続部は、前記
電極パッドに向かって突出部が設けられ、前記電極パッ
ドと前記突出部とは前記樹脂の硬化収縮応力によって互
いに押圧することにより電気的接続を図っていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記突出部は、前記外部導出リードの他端
部を前記電極パッド側に予め屈曲させたものであること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】半導体チップ又は配線基板に形成された電
極パッドと外部導出リードとが電気的に接続された半導
体装置であって、前記外部導出リードは、硬化収縮応力
を発生させる絶縁性の樹脂によって前記電極パッドの周
辺部に固定されており、前記電極パッドには、バンプ電
極が設けられ、前記外部導出リードと前記バンプ電極と
は前記樹脂の硬化収縮応力によって互いに押圧すること
により電気的接続を図っていることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項４】前記バンプ電極は、金属ワイヤの先端に形
成した放電ボールを前記電極パッド上にボンディングし
たものであることを特徴とする請求項３記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7136356A JPH08330470A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7136356A JPH08330470A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330470A true JPH08330470A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15173274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7136356A Pending JPH08330470A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330470A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016162905A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社東海理化電機製作所 | リード接続構造 |
| JP2017068960A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP7136356A patent/JPH08330470A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016162905A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 株式会社東海理化電機製作所 | リード接続構造 |
| JP2017068960A (ja) * | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
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