JPH08330611A - シリコン太陽電池セルとその製造方法 - Google Patents
シリコン太陽電池セルとその製造方法Info
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- JPH08330611A JPH08330611A JP8013891A JP1389196A JPH08330611A JP H08330611 A JPH08330611 A JP H08330611A JP 8013891 A JP8013891 A JP 8013891A JP 1389196 A JP1389196 A JP 1389196A JP H08330611 A JPH08330611 A JP H08330611A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐放射線性が改善された宇宙用Ｓｉ太陽電池
セルを提供する。 【解決手段】 ｐ型シリコン基板（１）と、その基板の
第１主面側に形成されたｎ型拡散層（２）と、基板
（１）の第２主面側でＳｉ原子より大きな原子半径を有
するＩＩＩ族元素のイオン注入によって形成された高ド
ーピング濃度のｐ+ 層（３ａ）とを含むことを特徴とし
ている。ＩＩＩ族元素として、Ａｌを用いることが好ま
しい。
セルを提供する。 【解決手段】 ｐ型シリコン基板（１）と、その基板の
第１主面側に形成されたｎ型拡散層（２）と、基板
（１）の第２主面側でＳｉ原子より大きな原子半径を有
するＩＩＩ族元素のイオン注入によって形成された高ド
ーピング濃度のｐ+ 層（３ａ）とを含むことを特徴とし
ている。ＩＩＩ族元素として、Ａｌを用いることが好ま
しい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池セルに関
し、特に、放射線や紫外線の照射強度の強い宇宙空間で
使用される人工衛星の電源として好ましく使用され得る
宇宙用シリコン太陽電池セルに関するものである。
し、特に、放射線や紫外線の照射強度の強い宇宙空間で
使用される人工衛星の電源として好ましく使用され得る
宇宙用シリコン太陽電池セルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、人工衛星の電源として使用される
宇宙用太陽電池の最も一般的なものは、単結晶シリコン
（Ｓｉ）を母材として用いたＳｉ太陽電池セルである。
近年、人工衛星の大型化、多機能化、および長寿命化の
傾向に伴って、宇宙用Ｓｉ太陽電池セルに対しても高出
力化および耐放射線性の改善の要請が高まりつつある。
ここで、最近の宇宙用Ｓｉ太陽電池セルにおいて用いら
れている高出力化および耐放射線性の改善のための手段
について説明する。
宇宙用太陽電池の最も一般的なものは、単結晶シリコン
（Ｓｉ）を母材として用いたＳｉ太陽電池セルである。
近年、人工衛星の大型化、多機能化、および長寿命化の
傾向に伴って、宇宙用Ｓｉ太陽電池セルに対しても高出
力化および耐放射線性の改善の要請が高まりつつある。
ここで、最近の宇宙用Ｓｉ太陽電池セルにおいて用いら
れている高出力化および耐放射線性の改善のための手段
について説明する。
【０００３】図８は、現在実用化されているＢＳＦＲ
（Back Surface Field and Reflctor）型太陽電池セル
の基本構造を概略的な断面図で示している。図８の太陽
電池セルにおいては、ｐ型Ｓｉ基板１の受光面側である
前面にｎ型拡散層２が熱拡散によって形成され、その基
板１の背面にｐ+ 型層（ＢＳＦ層）３が同様に熱拡散に
よって形成されている。さらに、ｎ型拡散層２上には前
面電極４が形成され、ｐ + 型層３上には背面電極５が形
成されている。図８におけるｐ+ 型層３はキャリアの収
集効率を向上させるように作用し、太陽電池セルの出力
を高めるように働く。図８において示されていないが、
ｐ+ 型層３と背面電極５との間に赤外光を反射させるた
めの背面反射層、前面上に入射光を効率よく受光するた
めの反射防止膜を設け、さらに、実際の使用に際しては
カバーガラスが貼付けられる。
（Back Surface Field and Reflctor）型太陽電池セル
の基本構造を概略的な断面図で示している。図８の太陽
電池セルにおいては、ｐ型Ｓｉ基板１の受光面側である
前面にｎ型拡散層２が熱拡散によって形成され、その基
板１の背面にｐ+ 型層（ＢＳＦ層）３が同様に熱拡散に
よって形成されている。さらに、ｎ型拡散層２上には前
面電極４が形成され、ｐ + 型層３上には背面電極５が形
成されている。図８におけるｐ+ 型層３はキャリアの収
集効率を向上させるように作用し、太陽電池セルの出力
を高めるように働く。図８において示されていないが、
ｐ+ 型層３と背面電極５との間に赤外光を反射させるた
めの背面反射層、前面上に入射光を効率よく受光するた
めの反射防止膜を設け、さらに、実際の使用に際しては
カバーガラスが貼付けられる。
【０００４】図９は、図８の太陽電池セルの出力をさら
に高めるために開発された太陽電池セルを示している。
図９の太陽電池セルにおいて、図８のセルの部分と対応
する部分には同一の参照番号が付されている。すなわ
ち、図９の太陽電池セルの基本的構造は図８のものに類
似しているが、図９の太陽電池セルにおいては基板１の
背面側と前面側のそれぞれに背面酸化膜６と前面酸化膜
７が設けられている。背面酸化膜６はパッシベーション
膜として働き、光吸収によってｐ型基板１内で発生した
少数キャリア（電子）がセルの背面において多数キャリ
ア（正孔）と再結合することを防止する作用を生じる。
同様に、前面酸化膜７は基板１の前面側におけるパッシ
ベーション膜として働き、光吸収によってｎ型拡散層２
内で発生した少数キャリア（正孔）がセル前面において
多数キャリア（電子）と再結合することを防止する。す
なわち、図９の太陽電池セルにおいては、光吸収によっ
て発生したキャリアの再結合を防止することによって、
図８のセルに比べてさらに高い出力を得ることができ
る。
に高めるために開発された太陽電池セルを示している。
図９の太陽電池セルにおいて、図８のセルの部分と対応
する部分には同一の参照番号が付されている。すなわ
ち、図９の太陽電池セルの基本的構造は図８のものに類
似しているが、図９の太陽電池セルにおいては基板１の
背面側と前面側のそれぞれに背面酸化膜６と前面酸化膜
７が設けられている。背面酸化膜６はパッシベーション
膜として働き、光吸収によってｐ型基板１内で発生した
少数キャリア（電子）がセルの背面において多数キャリ
ア（正孔）と再結合することを防止する作用を生じる。
同様に、前面酸化膜７は基板１の前面側におけるパッシ
ベーション膜として働き、光吸収によってｎ型拡散層２
内で発生した少数キャリア（正孔）がセル前面において
多数キャリア（電子）と再結合することを防止する。す
なわち、図９の太陽電池セルにおいては、光吸収によっ
て発生したキャリアの再結合を防止することによって、
図８のセルに比べてさらに高い出力を得ることができ
る。
【０００５】図１０は、高効率化を図るために開発され
たさらに他の太陽電池セルの構造を示している。図１０
の太陽電池セルは図９のものに類似しているが、図１０
の太陽電池セルにおいては、ｐ+ 層３は基板１が背面酸
化膜６の開口を介して背面電極５と接触する領域の近傍
のみに形成されている。
たさらに他の太陽電池セルの構造を示している。図１０
の太陽電池セルは図９のものに類似しているが、図１０
の太陽電池セルにおいては、ｐ+ 層３は基板１が背面酸
化膜６の開口を介して背面電極５と接触する領域の近傍
のみに形成されている。
【０００６】
【表１】
【０００７】表１中の太陽電池セル（ａ）と（ｂ）は、
それぞれ図８と図１０の太陽電池セルに対応する初期出
力特性と１ＭｅＶのエネルギの電子を１×１０15ｅ／ｃ
ｍ2照射した後の出力特性とを示している。すなわち、
図１０の太陽電池セル（ｂ）は、図８のセル（ａ）に比
較して、電子線照射の前後の双方において開放電圧Ｖ OC
および短絡電流ＩSCが高く、曲線因子ＦＦが若干低いに
もかかわらず、初期特性の最大出力Ｐmax が約１０％向
上していることがわかる。
それぞれ図８と図１０の太陽電池セルに対応する初期出
力特性と１ＭｅＶのエネルギの電子を１×１０15ｅ／ｃ
ｍ2照射した後の出力特性とを示している。すなわち、
図１０の太陽電池セル（ｂ）は、図８のセル（ａ）に比
較して、電子線照射の前後の双方において開放電圧Ｖ OC
および短絡電流ＩSCが高く、曲線因子ＦＦが若干低いに
もかかわらず、初期特性の最大出力Ｐmax が約１０％向
上していることがわかる。
【０００８】なお、表１における出力特性はＡＭ０（大
気圏外の太陽光）に相当する光を用いて測定され、ま
た、動作温度Ｔopにおける最大出力を表わすＰmax ・Ｔ
op（ｍＷ）以外は２８℃の温度の下で測定された。さら
に、電子線照射後の出力特性においてかっこ書で表わさ
れた％の数値は電子線照射前の出力特性に対する保存率
を表わし、符号αS は太陽光吸収率を表わしている。
気圏外の太陽光）に相当する光を用いて測定され、ま
た、動作温度Ｔopにおける最大出力を表わすＰmax ・Ｔ
op（ｍＷ）以外は２８℃の温度の下で測定された。さら
に、電子線照射後の出力特性においてかっこ書で表わさ
れた％の数値は電子線照射前の出力特性に対する保存率
を表わし、符号αS は太陽光吸収率を表わしている。
【０００９】次に、宇宙用Ｓｉ太陽電池セルの耐放射線
性について説明する。宇宙用太陽電池セルは、一般に、
宇宙環境において高エネルギを有する高密度の電子線、
陽子線、中性子線、α粒子線、Ｘ線、紫外線等の照射を
受け、太陽電池セルの半導体基板結晶中に空格子点、空
格子点と格子間不純物原子が結合した複合中心、および
これらの欠陥のクラスタ等が形成される。これらの照射
欠陥は、電気的にはキャリアの再結合中心として働き、
少数キャリアのライムタイムや拡散距離を短くし、太陽
電池セルの性能を劣化させるように作用する。このよう
な照射欠陥による作用を抑制するために、宇宙用Ｓｉ太
陽電池セルには、従来から以下のような対策（Ａ１）〜
（Ａ３）が施されている。
性について説明する。宇宙用太陽電池セルは、一般に、
宇宙環境において高エネルギを有する高密度の電子線、
陽子線、中性子線、α粒子線、Ｘ線、紫外線等の照射を
受け、太陽電池セルの半導体基板結晶中に空格子点、空
格子点と格子間不純物原子が結合した複合中心、および
これらの欠陥のクラスタ等が形成される。これらの照射
欠陥は、電気的にはキャリアの再結合中心として働き、
少数キャリアのライムタイムや拡散距離を短くし、太陽
電池セルの性能を劣化させるように作用する。このよう
な照射欠陥による作用を抑制するために、宇宙用Ｓｉ太
陽電池セルには、従来から以下のような対策（Ａ１）〜
（Ａ３）が施されている。
【００１０】（Ａ１） 太陽電池セルがｎ−ｏｎ−ｐ型
にされる。すなわち、本来的に電子の方が正孔よりもラ
イムタイムや拡散距離が長いので、太陽電池セルをｐ−
ｏｎ−ｎ型ではなくてｎ−ｏｎ−ｐ型にすることによっ
て、照射欠陥による影響を比較的小さくすることができ
る。
にされる。すなわち、本来的に電子の方が正孔よりもラ
イムタイムや拡散距離が長いので、太陽電池セルをｐ−
ｏｎ−ｎ型ではなくてｎ−ｏｎ−ｐ型にすることによっ
て、照射欠陥による影響を比較的小さくすることができ
る。
【００１１】（Ａ２） 太陽電池セルにおける半導体基
板の厚さが薄くされる。すなわち、半導体基板の厚さが
薄くされれば、それに含まれる照射欠陥の絶対数が少な
くなるので、それらの欠陥に捕獲される少数キャリアの
数をも減少させることができる。
板の厚さが薄くされる。すなわち、半導体基板の厚さが
薄くされれば、それに含まれる照射欠陥の絶対数が少な
くなるので、それらの欠陥に捕獲される少数キャリアの
数をも減少させることができる。
【００１２】（Ａ３） 太陽電池セルにおけるｐｎ接合
が、半導体基板の前面から浅い位置に形成される。すな
わち、薄くされた拡散層の内部で生成された少数キャリ
アの収集効率が高められる。
が、半導体基板の前面から浅い位置に形成される。すな
わち、薄くされた拡散層の内部で生成された少数キャリ
アの収集効率が高められる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図９または図
１０に示されているような高出力の太陽電池セルにおい
て、上述のような耐放射線性を向上させる対策（Ａ１）
〜（Ａ３）を施しても、十分満足し得る耐放射線性が得
られない。たとえば、表１において、耐放射線性の評価
の目安となる１ＭｅＶの電子線が１×１０15ｅ／ｃｍ2
照射された後の太陽電池セルの出力特性が示されてい
る。すなわち、図８に対応する従来型の太陽電池セル
（ａ）では初期出力特性を１００％として電子線照射後
の最大出力Ｐma x の保存率は括弧書きで示されているよ
うに６９．５％であるが、図１０に対応する太陽電池セ
ル（ｂ）においては電子線照射後の最大出力Ｐmax の保
存率は６７．０％である。表１には示されていないが、
図９に対応する太陽電池セルにおいても、これとほぼ同
様の電子線照射後の最大出力Ｐmax の保存率である。
１０に示されているような高出力の太陽電池セルにおい
て、上述のような耐放射線性を向上させる対策（Ａ１）
〜（Ａ３）を施しても、十分満足し得る耐放射線性が得
られない。たとえば、表１において、耐放射線性の評価
の目安となる１ＭｅＶの電子線が１×１０15ｅ／ｃｍ2
照射された後の太陽電池セルの出力特性が示されてい
る。すなわち、図８に対応する従来型の太陽電池セル
（ａ）では初期出力特性を１００％として電子線照射後
の最大出力Ｐma x の保存率は括弧書きで示されているよ
うに６９．５％であるが、図１０に対応する太陽電池セ
ル（ｂ）においては電子線照射後の最大出力Ｐmax の保
存率は６７．０％である。表１には示されていないが、
図９に対応する太陽電池セルにおいても、これとほぼ同
様の電子線照射後の最大出力Ｐmax の保存率である。
【００１４】このような先行技術における課題に鑑み、
本発明は、耐放射線性が十分に改善された高出力の宇宙
用Ｓｉ太陽電池セルを提供することを目的としている。
本発明は、耐放射線性が十分に改善された高出力の宇宙
用Ｓｉ太陽電池セルを提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの態様によ
れば、シリコン太陽電池セルは、ｐ型シリコン基板と、
その基板内において第１の主面側に形成されたｎ型拡散
層と、基板内において第２主面側でアルミニウム（Ａ
ｌ）のイオン注入によって形成された高ドーピング濃度
のｐ+ 層とを含むことを特徴としている。このようなシ
リコン太陽電池セルにおいては、後で詳述するように、
イオン注入によって形成されたｐ+ 層中のＡｌが酸素と
容易に結合するので、このｐ+ 層によってｐ型シリコン
基板内の酸素が有効にゲッタリングされて耐放射線性が
向上する。
れば、シリコン太陽電池セルは、ｐ型シリコン基板と、
その基板内において第１の主面側に形成されたｎ型拡散
層と、基板内において第２主面側でアルミニウム（Ａ
ｌ）のイオン注入によって形成された高ドーピング濃度
のｐ+ 層とを含むことを特徴としている。このようなシ
リコン太陽電池セルにおいては、後で詳述するように、
イオン注入によって形成されたｐ+ 層中のＡｌが酸素と
容易に結合するので、このｐ+ 層によってｐ型シリコン
基板内の酸素が有効にゲッタリングされて耐放射線性が
向上する。
【００１６】本発明のもう１つの態様によれば、シリコ
ン太陽電池セルは、ｐ型シリコン基板と、その基板内に
おいて第１の主面側に形成されたｎ型拡散層と、Ｓｉ原
子より大きな原子半径を有するＩＩＩ族元素のイオン注
入によって基板内の第２の主面側で少なくとも部分的に
形成された高ドーピング濃度のｐ+ 層と、基板の第２主
面上に形成されていて開口部を含む酸化膜と、その酸化
膜の開口部を介してｐ + 層と電気的に接続されている電
極とを含むことを特徴としている。このような酸化膜を
有するシリコン太陽電池セルにおいては、従来では、紫
外線照射などによってｎ型拡散層内などで発生したホッ
トキャリアがＳｉと酸化膜との界面に到達してその界面
に損傷を与えることに起因すると考えられるキャリアの
再結合の増加という問題があった。しかし、本発明のこ
の態様によるシリコン太陽電池セルにおいては、後で詳
述するように、ｐ型基板領域からイオン注入によって形
成されたｐ+ 型領域への境界近傍において、ドーピング
濃度が急峻に変化しているとともに原子レベルの歪みが
形成され、ホットキャリアは、そこを通過する際にその
エネルギが著しく減少させられるので、界面に与えられ
る損傷が抑制され、その結果、キャリアの再結合が防止
され、紫外線照射などによる太陽電池セルの出力低下を
回避することができる。
ン太陽電池セルは、ｐ型シリコン基板と、その基板内に
おいて第１の主面側に形成されたｎ型拡散層と、Ｓｉ原
子より大きな原子半径を有するＩＩＩ族元素のイオン注
入によって基板内の第２の主面側で少なくとも部分的に
形成された高ドーピング濃度のｐ+ 層と、基板の第２主
面上に形成されていて開口部を含む酸化膜と、その酸化
膜の開口部を介してｐ + 層と電気的に接続されている電
極とを含むことを特徴としている。このような酸化膜を
有するシリコン太陽電池セルにおいては、従来では、紫
外線照射などによってｎ型拡散層内などで発生したホッ
トキャリアがＳｉと酸化膜との界面に到達してその界面
に損傷を与えることに起因すると考えられるキャリアの
再結合の増加という問題があった。しかし、本発明のこ
の態様によるシリコン太陽電池セルにおいては、後で詳
述するように、ｐ型基板領域からイオン注入によって形
成されたｐ+ 型領域への境界近傍において、ドーピング
濃度が急峻に変化しているとともに原子レベルの歪みが
形成され、ホットキャリアは、そこを通過する際にその
エネルギが著しく減少させられるので、界面に与えられ
る損傷が抑制され、その結果、キャリアの再結合が防止
され、紫外線照射などによる太陽電池セルの出力低下を
回避することができる。
【００１７】本発明のさらに他の態様によれば、シリコ
ン太陽電池セルはｐ型シリコン基板の背面の全域にわた
ってＡｌのイオン注入によってｐ+ 層が形成されてい
る。したがって、Ａｌによる酸素のゲッタリングが基板
背面の全域において行なわれ、太陽電池セルの耐放射線
性が基板背面の全域にわたって改善されることになる。
ン太陽電池セルはｐ型シリコン基板の背面の全域にわた
ってＡｌのイオン注入によってｐ+ 層が形成されてい
る。したがって、Ａｌによる酸素のゲッタリングが基板
背面の全域において行なわれ、太陽電池セルの耐放射線
性が基板背面の全域にわたって改善されることになる。
【００１８】本発明のさらに他の態様によれば、シリコ
ン太陽電池セルの製造方法は、ｐ型シリコン基板内にお
いてその第１の主面側にｎ型拡散層を形成し、ｐ型基板
の第２の主面を覆うように酸化膜を形成し、Ｓｉ原子よ
り大きな原子半径を有するＩＩＩ族元素を酸化膜を介し
てイオン注入することによってｐ型基板内において第２
主面側に高ドーピング濃度のｐ+ 層を形成し、酸化膜に
開口を形成し、そしてその開口を介してｐ+ 層と電気的
に接続された電極を形成する工程を含んでいることを特
徴としている。このシリコン太陽電池セルの製造方法に
おいては、ｐ+層の形成のためのイオンは酸化膜を形成
した後にその酸化膜を通してｐ型基板内へ注入されるの
で、ｐ型基板と酸化膜との間の界面はイオン注入前の比
較的良好な状態を維持することができる。
ン太陽電池セルの製造方法は、ｐ型シリコン基板内にお
いてその第１の主面側にｎ型拡散層を形成し、ｐ型基板
の第２の主面を覆うように酸化膜を形成し、Ｓｉ原子よ
り大きな原子半径を有するＩＩＩ族元素を酸化膜を介し
てイオン注入することによってｐ型基板内において第２
主面側に高ドーピング濃度のｐ+ 層を形成し、酸化膜に
開口を形成し、そしてその開口を介してｐ+ 層と電気的
に接続された電極を形成する工程を含んでいることを特
徴としている。このシリコン太陽電池セルの製造方法に
おいては、ｐ+層の形成のためのイオンは酸化膜を形成
した後にその酸化膜を通してｐ型基板内へ注入されるの
で、ｐ型基板と酸化膜との間の界面はイオン注入前の比
較的良好な状態を維持することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の最も重要な特徴は、高効
率の宇宙用Ｓｉ太陽電池において、シリコン基板の背面
側にＡｌなどのＩＩＩ族元素をイオン注入することによ
って、次の２つの効果（Ｂ１）および（Ｂ２）を得るこ
とにある。
率の宇宙用Ｓｉ太陽電池において、シリコン基板の背面
側にＡｌなどのＩＩＩ族元素をイオン注入することによ
って、次の２つの効果（Ｂ１）および（Ｂ２）を得るこ
とにある。
【００２０】（Ｂ１） ＡｌなどのＩＩＩ族元素によっ
て、Ｓｉ基板から酸素をゲッタリングすることができ、
これによってシリコン太陽電池セルの耐放射線性を向上
させることができる。
て、Ｓｉ基板から酸素をゲッタリングすることができ、
これによってシリコン太陽電池セルの耐放射線性を向上
させることができる。
【００２１】（Ｂ２） キャリアの効率的な収集のため
に設けられるｐ+ 領域とｐ型基板との界面近傍におい
て、イオン注入によってドーピング濃度を急峻に変化さ
せるとともに、原子レベルの歪みが形成される。この原
子レベルの歪みはホットキャリアのエネルギを著しく減
少させるように作用するので、紫外線照射などによるシ
リコン太陽電池セルの出力低下を回避させることができ
る。
に設けられるｐ+ 領域とｐ型基板との界面近傍におい
て、イオン注入によってドーピング濃度を急峻に変化さ
せるとともに、原子レベルの歪みが形成される。この原
子レベルの歪みはホットキャリアのエネルギを著しく減
少させるように作用するので、紫外線照射などによるシ
リコン太陽電池セルの出力低下を回避させることができ
る。
【００２２】すなわち、本発明によれば、耐紫外線性や
耐放射線性に優れた宇宙用Ｓｉ太陽電池セルを提供する
ことができる。
耐放射線性に優れた宇宙用Ｓｉ太陽電池セルを提供する
ことができる。
【００２３】図１は、本発明の実施の形態の一例による
ＢＳＦＲ型の宇宙用Ｓｉ太陽電池セルを概略的な断面図
で示している。図１の太陽電池セルにおいては、ｐ型Ｓ
ｉ基板１の受光面側である前面にｎ型拡散層２が形成さ
れ、基板１の背面にｐ+ 型層（ＢＳＦ層）３ａが形成さ
れている。そして、ｐ+ 型層３ａ上に背面酸化膜６が設
けられ、ｎ型拡散層２上に前面酸化膜７が設けられてい
る。さらに、基板の前面側と背面側に、それぞれ前面電
極４と背面電極５が形成されている。ここで、ｐ+ 型層
３ａとｐ型Ｓｉ基板１との界面８の近傍において、ドー
ピング濃度が急峻に変化させられている。さらに、ｐ+
型層３ａとｐ型Ｓｉ基板１との界面８の近傍およびｐ+
型層３ａ内では、原子レベルの歪みが形成されている。
このようなｐ+ 型層３ａとｐ型Ｓｉ基板１との界面８近
傍における急峻なドーピング濃度変化と原子レベルの歪
みは、後でさらに詳しく述べられるように、Ｓｉより大
きな原子半径を有するイオン（たとえば、Ａｌ）をｐ型
Ｓｉ基板１内へイオン注入してｐ+ 型層３ａを形成する
ことによって実現され得る。なお、Ｓｉの原子半径は
１．１７Åであるのに対して、Ａｌの原子半径は１．４
１Åである。
ＢＳＦＲ型の宇宙用Ｓｉ太陽電池セルを概略的な断面図
で示している。図１の太陽電池セルにおいては、ｐ型Ｓ
ｉ基板１の受光面側である前面にｎ型拡散層２が形成さ
れ、基板１の背面にｐ+ 型層（ＢＳＦ層）３ａが形成さ
れている。そして、ｐ+ 型層３ａ上に背面酸化膜６が設
けられ、ｎ型拡散層２上に前面酸化膜７が設けられてい
る。さらに、基板の前面側と背面側に、それぞれ前面電
極４と背面電極５が形成されている。ここで、ｐ+ 型層
３ａとｐ型Ｓｉ基板１との界面８の近傍において、ドー
ピング濃度が急峻に変化させられている。さらに、ｐ+
型層３ａとｐ型Ｓｉ基板１との界面８の近傍およびｐ+
型層３ａ内では、原子レベルの歪みが形成されている。
このようなｐ+ 型層３ａとｐ型Ｓｉ基板１との界面８近
傍における急峻なドーピング濃度変化と原子レベルの歪
みは、後でさらに詳しく述べられるように、Ｓｉより大
きな原子半径を有するイオン（たとえば、Ａｌ）をｐ型
Ｓｉ基板１内へイオン注入してｐ+ 型層３ａを形成する
ことによって実現され得る。なお、Ｓｉの原子半径は
１．１７Åであるのに対して、Ａｌの原子半径は１．４
１Åである。
【００２４】次に、図１の太陽電池セルにおいて耐放射
線性が著しく改善される理由について説明する。
線性が著しく改善される理由について説明する。
【００２５】まず、放射線等の照射によって太陽電池セ
ルの出力が低下する原因として、主に２つの理由が考え
られる。すなわち、その１つは高エネルギ粒子である電
子線等による太陽電池セルへの直接的影響であり、もう
１つは光子である紫外線等によるセルへの間接的影響で
ある。
ルの出力が低下する原因として、主に２つの理由が考え
られる。すなわち、その１つは高エネルギ粒子である電
子線等による太陽電池セルへの直接的影響であり、もう
１つは光子である紫外線等によるセルへの間接的影響で
ある。
【００２６】太陽電池セルへの直接的影響とは、従来技
術の説明でも述べられたように、太陽電池セルが電子線
等で照射されることによって、セル母材の半導体結晶中
に空格子点、空格子点と格子間不純物原子とが結合した
複合中心、さらにはこれらの欠陥のクラスタ等が形成さ
れ、これらの格子欠陥がキャリアの再結合中心として働
くために太陽電池出力を有効に取出せなくなることをい
う。
術の説明でも述べられたように、太陽電池セルが電子線
等で照射されることによって、セル母材の半導体結晶中
に空格子点、空格子点と格子間不純物原子とが結合した
複合中心、さらにはこれらの欠陥のクラスタ等が形成さ
れ、これらの格子欠陥がキャリアの再結合中心として働
くために太陽電池出力を有効に取出せなくなることをい
う。
【００２７】また、紫外線による間接的影響としては、
Applied Physics Letters 52（17）, 25, April 1988
で, P. E. Gruenbaum らによって述べられているよう
に、太陽電池セルに比較的高いエネルギを有する紫外線
等が照射された場合に、シリコン基板内にホットキャリ
アが発生し、このホットキャリアがＳｉ／ＳｉＯ2 界面
の結合に損傷を与えるという現象がある。そして、この
Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面の損傷部がキャリアの再結合中心と
なるので、ＳｉＯ2 膜のパッシベーション効果が低下
し、太陽電池セルの出力が低下する。
Applied Physics Letters 52（17）, 25, April 1988
で, P. E. Gruenbaum らによって述べられているよう
に、太陽電池セルに比較的高いエネルギを有する紫外線
等が照射された場合に、シリコン基板内にホットキャリ
アが発生し、このホットキャリアがＳｉ／ＳｉＯ2 界面
の結合に損傷を与えるという現象がある。そして、この
Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面の損傷部がキャリアの再結合中心と
なるので、ＳｉＯ2 膜のパッシベーション効果が低下
し、太陽電池セルの出力が低下する。
【００２８】図６は、紫外線等による間接的影響を説明
するためのエネルギバンド構造図である。図６のエネル
ギバンド構造は、図１０の太陽電池セルにおいて半導体
基板１と背面酸化膜６とが直接接触している位置におけ
る断面のバンド構造とホットキャリアの流れとを示して
いる。符号ＥC は伝導体の下端レベルを表わし、ＥVは
価電子体の上端レベルを表わし、そしてＥF はフェルミ
レベルを表わしている。また、半導体基板１と背面酸化
膜６との界面における“−”印は、界面準位を表わして
いる。一般に、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面には、空乏領域が形
成される。図６に示されているようなバンド構造を有す
る太陽電池セルが紫外線（ＵＶ）の照射を受ければ、主
に前面近傍でホットキャリア（電子ｅおよび空孔ｈ）が
発生する。これらのホットキャリアは、高いエネルギを
維持しつつＳｉ基板１を通ってＳｉ／ＳｉＯ2 界面に達
し、その界面の結合に損傷を与える。そして、この界面
における損傷はキャリアの再結合中心として働く。すな
わち、太陽光を吸収して発生した少数キャリアの電子が
Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面の再結合中心を介して多数キャリア
の正孔と再結合する確率が増大することになり、光電変
換によって生じてた少数キャリアを出力として太陽電池
セルの外部へ有効に取出すことが困難となる。すなわ
ち、背面パッシベーションの効果がホットキャリアによ
って損なわれることになる。
するためのエネルギバンド構造図である。図６のエネル
ギバンド構造は、図１０の太陽電池セルにおいて半導体
基板１と背面酸化膜６とが直接接触している位置におけ
る断面のバンド構造とホットキャリアの流れとを示して
いる。符号ＥC は伝導体の下端レベルを表わし、ＥVは
価電子体の上端レベルを表わし、そしてＥF はフェルミ
レベルを表わしている。また、半導体基板１と背面酸化
膜６との界面における“−”印は、界面準位を表わして
いる。一般に、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面には、空乏領域が形
成される。図６に示されているようなバンド構造を有す
る太陽電池セルが紫外線（ＵＶ）の照射を受ければ、主
に前面近傍でホットキャリア（電子ｅおよび空孔ｈ）が
発生する。これらのホットキャリアは、高いエネルギを
維持しつつＳｉ基板１を通ってＳｉ／ＳｉＯ2 界面に達
し、その界面の結合に損傷を与える。そして、この界面
における損傷はキャリアの再結合中心として働く。すな
わち、太陽光を吸収して発生した少数キャリアの電子が
Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面の再結合中心を介して多数キャリア
の正孔と再結合する確率が増大することになり、光電変
換によって生じてた少数キャリアを出力として太陽電池
セルの外部へ有効に取出すことが困難となる。すなわ
ち、背面パッシベーションの効果がホットキャリアによ
って損なわれることになる。
【００２９】本発明者は、上述の高エネルギ粒子による
セルへの直接的影響と光子による間接的影響に着目し、
電子線等のエネルギ粒子による出力低下を回避し得ると
ともに、紫外線等の光子によって発生させられたホット
キャリアがＳｉ／ＳｉＯ2 界面に到達するまでにそのエ
ネルギを減少させることによって界面においてキャリア
の再結合中心を形成させない太陽電池セルを実現すべく
種々の検討を行ない、図１の構造を有するシリコン太陽
電池セルに想到した。すなわち、基板１の背面側にＳｉ
原子より大きな原子半径を有するＡｌ等のＩＩＩ族元素
をイオン注入することによって、以下の２つの効果を得
て上述のセルへの直接的影響と間接的影響の問題を解決
することができる。
セルへの直接的影響と光子による間接的影響に着目し、
電子線等のエネルギ粒子による出力低下を回避し得ると
ともに、紫外線等の光子によって発生させられたホット
キャリアがＳｉ／ＳｉＯ2 界面に到達するまでにそのエ
ネルギを減少させることによって界面においてキャリア
の再結合中心を形成させない太陽電池セルを実現すべく
種々の検討を行ない、図１の構造を有するシリコン太陽
電池セルに想到した。すなわち、基板１の背面側にＳｉ
原子より大きな原子半径を有するＡｌ等のＩＩＩ族元素
をイオン注入することによって、以下の２つの効果を得
て上述のセルへの直接的影響と間接的影響の問題を解決
することができる。
【００３０】それらの効果の１つとして、Ａｌ等のＩＩ
Ｉ族元素のイオン注入によって形成されたｐ+ 層３ａが
Ｓｉ基板１から酸素をゲッタリングすることによって、
太陽電池セルの耐放射線性を改善することができる。こ
の根拠として、たとえば Semiconductors and Semimeta
ls, vol.11, Solar Cells ；Academic Press, pp. 154-
157 に、Ｓｉ基板中の酸素が照射欠陥に関与し、酸素含
有量が少なければ太陽電池セルの耐放射線性に優れるこ
とを示す記載が存在している。そこで、本発明者は、Ａ
ｌが酸素と結合しやすいことを利用するためにＳｉ基板
１内にＡｌを高濃度ドープさせることにより、Ｓｉ基板
１中の酸素が有効にゲッタリングされて太陽電池セルの
耐放射線性が改善されるであろうと推定した。実際に、
図８の太陽電池セルと同様の構造ではあるがｐ+ 層３が
Ａｌ−Ｓｉ合金層からなるセルを作製して実験したとこ
ろ、表１中の（ｃ）に示すように耐放射線性の評価の目
安となる１ＭｅＶの電子線を１×１０15ｅ／ｃｍ2 照射
した後の最大出力Ｐmax の保存率として７３．３％とい
う値を得た。これは、従来の太陽電池セルにおける最大
出力Ｐmax の保存率が６７．０％〜６９．５％であるこ
とから明らかなように、耐放射線性が向上したことを示
している。
Ｉ族元素のイオン注入によって形成されたｐ+ 層３ａが
Ｓｉ基板１から酸素をゲッタリングすることによって、
太陽電池セルの耐放射線性を改善することができる。こ
の根拠として、たとえば Semiconductors and Semimeta
ls, vol.11, Solar Cells ；Academic Press, pp. 154-
157 に、Ｓｉ基板中の酸素が照射欠陥に関与し、酸素含
有量が少なければ太陽電池セルの耐放射線性に優れるこ
とを示す記載が存在している。そこで、本発明者は、Ａ
ｌが酸素と結合しやすいことを利用するためにＳｉ基板
１内にＡｌを高濃度ドープさせることにより、Ｓｉ基板
１中の酸素が有効にゲッタリングされて太陽電池セルの
耐放射線性が改善されるであろうと推定した。実際に、
図８の太陽電池セルと同様の構造ではあるがｐ+ 層３が
Ａｌ−Ｓｉ合金層からなるセルを作製して実験したとこ
ろ、表１中の（ｃ）に示すように耐放射線性の評価の目
安となる１ＭｅＶの電子線を１×１０15ｅ／ｃｍ2 照射
した後の最大出力Ｐmax の保存率として７３．３％とい
う値を得た。これは、従来の太陽電池セルにおける最大
出力Ｐmax の保存率が６７．０％〜６９．５％であるこ
とから明らかなように、耐放射線性が向上したことを示
している。
【００３１】ここで、太陽電池セル（ａ）は高温（約１
０００℃）の炉の中でボロンを含むガス雰囲気中でｐ型
Ｓｉ基板１内へボロンを拡散させることによってｐ+ 層
３が形成されるのに対して、この太陽電池セル（ｃ）で
はＡｌの粉末を含んだペーストをＳｉ基板１に塗布して
約４００℃の炉の中で短時間焼成することによって厚い
Ｓｉ−Ａｌ合金層からなるｐ+ 層３が形成される。この
結果、太陽電池セル（ｃ）においては太陽光吸収率αS
がセル（ａ）および（ｂ）に比べて上昇し、セル温度が
高くなるという問題を生じる。したがって、動作温度に
おける太陽電池セル（ｃ）の最大出力Ｐmax ・Ｔopは７
５．１ｍＷであって、セル（ａ）および（ｂ）に比べて
劣っている。他方、本発明の実施の形態の一例による図
１の太陽電池セルにおいては、Ａｌ原子がイオン注入さ
れるので、表１中のセル（ｃ）におけるような分厚いＳ
ｉ−Ａｌ合金層からなるｐ+ 層３が形成されることはな
く、セルの温度上昇の問題も生じない。
０００℃）の炉の中でボロンを含むガス雰囲気中でｐ型
Ｓｉ基板１内へボロンを拡散させることによってｐ+ 層
３が形成されるのに対して、この太陽電池セル（ｃ）で
はＡｌの粉末を含んだペーストをＳｉ基板１に塗布して
約４００℃の炉の中で短時間焼成することによって厚い
Ｓｉ−Ａｌ合金層からなるｐ+ 層３が形成される。この
結果、太陽電池セル（ｃ）においては太陽光吸収率αS
がセル（ａ）および（ｂ）に比べて上昇し、セル温度が
高くなるという問題を生じる。したがって、動作温度に
おける太陽電池セル（ｃ）の最大出力Ｐmax ・Ｔopは７
５．１ｍＷであって、セル（ａ）および（ｂ）に比べて
劣っている。他方、本発明の実施の形態の一例による図
１の太陽電池セルにおいては、Ａｌ原子がイオン注入さ
れるので、表１中のセル（ｃ）におけるような分厚いＳ
ｉ−Ａｌ合金層からなるｐ+ 層３が形成されることはな
く、セルの温度上昇の問題も生じない。
【００３２】イオン注入によるもう１つの効果は、前に
も述べたようにキャリアの効率的な収集のために設けら
れるｐ+ 層３ａとｐ型基板１との界面８近傍において、
ｐ型基板１からｐ+ 層３にかけてドーピング濃度が急峻
に変化する構造にされ得るとともに、原子レベルの歪み
が形成され得ることにある。これによって、紫外線照射
などによってｎ型拡散層２内などで発生したホットキャ
リアは、ｐ型基板１からｐ+ 層３ａへの界面８近傍を通
過する際にエネルギを失う。すなわち、ｐ+ 層３ａと酸
化膜６との界面９がホットキャリアから保護されること
になる。その結果、界面９中の損傷部でキャリアの再結
合が生じるという問題が解消され、紫外線照射等による
出力低下を回避することができる。
も述べたようにキャリアの効率的な収集のために設けら
れるｐ+ 層３ａとｐ型基板１との界面８近傍において、
ｐ型基板１からｐ+ 層３にかけてドーピング濃度が急峻
に変化する構造にされ得るとともに、原子レベルの歪み
が形成され得ることにある。これによって、紫外線照射
などによってｎ型拡散層２内などで発生したホットキャ
リアは、ｐ型基板１からｐ+ 層３ａへの界面８近傍を通
過する際にエネルギを失う。すなわち、ｐ+ 層３ａと酸
化膜６との界面９がホットキャリアから保護されること
になる。その結果、界面９中の損傷部でキャリアの再結
合が生じるという問題が解消され、紫外線照射等による
出力低下を回避することができる。
【００３３】図７は、このイオン注入の効果を説明する
ための、図１の太陽電池セルにおけるエネルギバンド構
造とホットキャリアの流れとを示した図である。図７は
図６に類似しているが、図７のエネルギバンド構造にお
いてはイオン注入によって形成されたｐ+ 層３ａのバン
ド構造が含まれている。図７において、ｎ型Ｓｉ基板１
とｐ+ 層３ａとの界面８は“＋”印で表わされている。
ための、図１の太陽電池セルにおけるエネルギバンド構
造とホットキャリアの流れとを示した図である。図７は
図６に類似しているが、図７のエネルギバンド構造にお
いてはイオン注入によって形成されたｐ+ 層３ａのバン
ド構造が含まれている。図７において、ｎ型Ｓｉ基板１
とｐ+ 層３ａとの界面８は“＋”印で表わされている。
【００３４】なお、図６と図７の説明文において、ホッ
トキャリアの振る舞いと本発明の効果をわかりやすく説
明するために、紫外線（ＵＶ）によって生成されたホッ
トキャリア（電子ｅ，正孔ｈ）自身がＳｉと酸化膜との
界面において損傷を与えるがごとき表現を行なった。し
かし、実際には太陽電池セルが動作しているときにはＳ
ｉ基板内に多数の電子ｅと正孔ｈが存在しているので、
必ずしも発光したホットキャリアそれ自身が損傷を与え
るのではなくてホットキャリアからエネルギを受取った
同種の別のキャリアが損傷を与えることが生じ得ること
を付け加えておく。
トキャリアの振る舞いと本発明の効果をわかりやすく説
明するために、紫外線（ＵＶ）によって生成されたホッ
トキャリア（電子ｅ，正孔ｈ）自身がＳｉと酸化膜との
界面において損傷を与えるがごとき表現を行なった。し
かし、実際には太陽電池セルが動作しているときにはＳ
ｉ基板内に多数の電子ｅと正孔ｈが存在しているので、
必ずしも発光したホットキャリアそれ自身が損傷を与え
るのではなくてホットキャリアからエネルギを受取った
同種の別のキャリアが損傷を与えることが生じ得ること
を付け加えておく。
【００３５】なお、図１の太陽電池セルは本発明の実施
の形態の一例にすぎず、本発明は他の種々の太陽電池セ
ルにも適用し得ることは言うまでもない。たとえば、図
２に示されているように、図１の太陽電池セルの受光面
側にテクスチャー構造が導入されてもよい。次に、本発
明による図２の太陽電池セルの製造方法について、その
実施の形態の一例を図４および図５を参照して工程順に
説明する。
の形態の一例にすぎず、本発明は他の種々の太陽電池セ
ルにも適用し得ることは言うまでもない。たとえば、図
２に示されているように、図１の太陽電池セルの受光面
側にテクスチャー構造が導入されてもよい。次に、本発
明による図２の太陽電池セルの製造方法について、その
実施の形態の一例を図４および図５を参照して工程順に
説明する。
【００３６】まず、図４（Ａ）に示されているように、
ｐ型シリコン基板１（１×１０15／ｃｍ3 〜１×１０16
／ｃｍ3 のキャリア濃度と１〜３Ωｃｍの抵抗率を有す
る）を所定の厚さ（約５０〜２００μｍ）になるように
エッチングする。
ｐ型シリコン基板１（１×１０15／ｃｍ3 〜１×１０16
／ｃｍ3 のキャリア濃度と１〜３Ωｃｍの抵抗率を有す
る）を所定の厚さ（約５０〜２００μｍ）になるように
エッチングする。
【００３７】図４（Ｂ）においては、基板１の前面に無
反射表面形状１０が形成される。この形状１０は、たと
えば基板１の表面にＣＶＤによって堆積されたＳｉＯ2
膜を周知のフォトリソグラフ法で加工して、そしてアル
カリ系のエッチャントでエッチング加工することによっ
て実現され得る。
反射表面形状１０が形成される。この形状１０は、たと
えば基板１の表面にＣＶＤによって堆積されたＳｉＯ2
膜を周知のフォトリソグラフ法で加工して、そしてアル
カリ系のエッチャントでエッチング加工することによっ
て実現され得る。
【００３８】図４（Ｃ）においては、基板１の前面から
Ｖ族不純物（リン等）を熱拡散させることによってｎ層
２が形成される。この場合、基板１の背面は、たとえば
乾燥酸素中における熱酸化によって形成された厚い酸化
膜６によって保護される。
Ｖ族不純物（リン等）を熱拡散させることによってｎ層
２が形成される。この場合、基板１の背面は、たとえば
乾燥酸素中における熱酸化によって形成された厚い酸化
膜６によって保護される。
【００３９】図４（Ｄ）においては、Ｓｉより大きな原
子半径を有するＩＩＩ族不純物（ここではＡｌ）が酸化
膜６を通して基板１の背面側にイオン注入される。この
イオン注入が本発明における最も重要な特徴である。こ
のとき、ｐ+ 層３ａの厚さは１〜数μｍ程度にされ、そ
こにおけるキャリア濃度は１×１０18／ｃｍ3 以上にさ
れる。このようにＳｉより大きな原子半径を有するＩＩ
Ｉ族不純物を基板１の背面側にイオン注入することによ
って、ｐ+ 層３ａとｐ型基板１との界面８近傍において
ドーピング濃度が急峻に変化するとともに原子レベルの
歪みが形成される。紫外線照射等によりｎ型拡散層２内
等でホットキャリアが発生しても、そのホットキャリア
は界面８近傍を通過する際にエネルギを失うので、酸化
膜６とｐ + 層３ａとの間の界面９における結合がホット
キャリアによって損傷を受けることがなく、太陽電池セ
ルの出力低下を回避することができる。
子半径を有するＩＩＩ族不純物（ここではＡｌ）が酸化
膜６を通して基板１の背面側にイオン注入される。この
イオン注入が本発明における最も重要な特徴である。こ
のとき、ｐ+ 層３ａの厚さは１〜数μｍ程度にされ、そ
こにおけるキャリア濃度は１×１０18／ｃｍ3 以上にさ
れる。このようにＳｉより大きな原子半径を有するＩＩ
Ｉ族不純物を基板１の背面側にイオン注入することによ
って、ｐ+ 層３ａとｐ型基板１との界面８近傍において
ドーピング濃度が急峻に変化するとともに原子レベルの
歪みが形成される。紫外線照射等によりｎ型拡散層２内
等でホットキャリアが発生しても、そのホットキャリア
は界面８近傍を通過する際にエネルギを失うので、酸化
膜６とｐ + 層３ａとの間の界面９における結合がホット
キャリアによって損傷を受けることがなく、太陽電池セ
ルの出力低下を回避することができる。
【００４０】また、ｐ型基板１内へのＡｌ原子のイオン
注入は酸化膜６が形成された後にその酸化膜６を通して
行なわれるので、ｐ型基板１と酸化膜６との界面９はイ
オン注入前の比較的良好な状態を維持することができ
る。すなわち、イオン注入は酸化膜６の形成前に行なう
ことも可能であるが、その場合には高い不純物濃度を有
するｐ+ 層３ａ上に酸化膜６が形成されることになる。
一般に、酸化膜を形成しようとする基板は不純物濃度が
低いほど、界面準位が少ない良好な界面特性を有する酸
化膜６の形成が期待できるが、高い不純物濃度を有する
ｐ+ 層３ａ上に酸化膜を形成する場合には、理想的な酸
化膜６の形成が困難となる。したがって、図４（Ｄ）に
示されているように、ｐ型基板１上に酸化膜６が形成さ
れた後にＡｌをイオン注入することが好ましい。
注入は酸化膜６が形成された後にその酸化膜６を通して
行なわれるので、ｐ型基板１と酸化膜６との界面９はイ
オン注入前の比較的良好な状態を維持することができ
る。すなわち、イオン注入は酸化膜６の形成前に行なう
ことも可能であるが、その場合には高い不純物濃度を有
するｐ+ 層３ａ上に酸化膜６が形成されることになる。
一般に、酸化膜を形成しようとする基板は不純物濃度が
低いほど、界面準位が少ない良好な界面特性を有する酸
化膜６の形成が期待できるが、高い不純物濃度を有する
ｐ+ 層３ａ上に酸化膜を形成する場合には、理想的な酸
化膜６の形成が困難となる。したがって、図４（Ｄ）に
示されているように、ｐ型基板１上に酸化膜６が形成さ
れた後にＡｌをイオン注入することが好ましい。
【００４１】なお、上述のようなイオン注入法を用いる
場合には、従来の熱拡散法を用いる場合のようにｐ+ 層
３における高いキャリア濃度（たとえば、５×１０19〜
１×１０20／ｃｍ3 ）を必要としない。なぜならば、図
４（Ｄ）の工程ではキャリアの再結合準位として働く界
面準位が少ないＳｉ／ＳｉＯ2 界面９が形成されるの
で、十分な背面パッシベーション効果が期待でき、キャ
リア濃度を従来の場合ほどに高める必要がないからであ
る。なお、図４（Ｄ）に示されているようなイオン注入
によってもセルの背面にイオン照射損傷が生じ得るの
で、次の工程においてこの損傷の回復が行なわれる。
場合には、従来の熱拡散法を用いる場合のようにｐ+ 層
３における高いキャリア濃度（たとえば、５×１０19〜
１×１０20／ｃｍ3 ）を必要としない。なぜならば、図
４（Ｄ）の工程ではキャリアの再結合準位として働く界
面準位が少ないＳｉ／ＳｉＯ2 界面９が形成されるの
で、十分な背面パッシベーション効果が期待でき、キャ
リア濃度を従来の場合ほどに高める必要がないからであ
る。なお、図４（Ｄ）に示されているようなイオン注入
によってもセルの背面にイオン照射損傷が生じ得るの
で、次の工程においてこの損傷の回復が行なわれる。
【００４２】すなわち、図５（Ａ）に示されているよう
に、たとえば６００℃で数分間のＲＴＡ（ラピッド・サ
ーマル・アニール）法によってイオン注入による損傷の
回復が行なわれる。ここで、この程度の熱処理が行なわ
れても、ｐ型基板１とｎ型層２との間のｐｎ接合や基板
１とｐ+ 層３ａとの界面８には影響が生じない。このＲ
ＴＡ法と同時に所定濃度の乾燥酸素を炉内に導入するこ
とによって、同一ステップで前面酸化膜７を形成するこ
とができる。この前面酸化膜７の厚さは、たとえば１０
０〜２００Åにされる。
に、たとえば６００℃で数分間のＲＴＡ（ラピッド・サ
ーマル・アニール）法によってイオン注入による損傷の
回復が行なわれる。ここで、この程度の熱処理が行なわ
れても、ｐ型基板１とｎ型層２との間のｐｎ接合や基板
１とｐ+ 層３ａとの界面８には影響が生じない。このＲ
ＴＡ法と同時に所定濃度の乾燥酸素を炉内に導入するこ
とによって、同一ステップで前面酸化膜７を形成するこ
とができる。この前面酸化膜７の厚さは、たとえば１０
０〜２００Åにされる。
【００４３】図５（Ｂ）においては、周知のフォトリソ
グラフ法を用いて、前面酸化膜７と背面酸化膜６のそれ
ぞれの所定の位置に開口１１と１２が形成される。これ
らのエッチングは、ウエットエッチング，ドライエッチ
ングのいずれをも用いることができる。
グラフ法を用いて、前面酸化膜７と背面酸化膜６のそれ
ぞれの所定の位置に開口１１と１２が形成される。これ
らのエッチングは、ウエットエッチング，ドライエッチ
ングのいずれをも用いることができる。
【００４４】図５（Ｃ）においては、周知のフォトリソ
グラフィ法を用いて前面電極４が形成される。
グラフィ法を用いて前面電極４が形成される。
【００４５】そして、図５（Ｄ）において、背面酸化膜
６および開口１２を覆うように背面電極５が形成され
る。
６および開口１２を覆うように背面電極５が形成され
る。
【００４６】この後に、図示されていないが、基板の前
面側に反射防止膜を形成した後に熱処理が加えられ、そ
して所定の寸法に切り出されることによってベア・セル
（裸のセル）が完成する。このベア・セルの受光面側に
樹脂を介してカバーガラスを貼りつけることによって、
カバーガラス付き太陽電池セルが得られる。
面側に反射防止膜を形成した後に熱処理が加えられ、そ
して所定の寸法に切り出されることによってベア・セル
（裸のセル）が完成する。このベア・セルの受光面側に
樹脂を介してカバーガラスを貼りつけることによって、
カバーガラス付き太陽電池セルが得られる。
【００４７】なお、以上の説明ではＡｌ原子がイオン注
入されたが、ＩＩＩ族元素の他のイオン、たとえばＧａ
（Ｓｉの原子半径の１．１７Åより大きな１．２５Åの
原子半径を有する）等を用いることもできる。
入されたが、ＩＩＩ族元素の他のイオン、たとえばＧａ
（Ｓｉの原子半径の１．１７Åより大きな１．２５Åの
原子半径を有する）等を用いることもできる。
【００４８】図３は、本発明の実施の形態によるさらに
他の例の太陽電池セルを示している。図３の太陽電池セ
ルは図１におけるような酸化膜６および７を含んでおら
ず、見かけ上は図５の従来のものに類似している。すな
わち、図３の太陽電池セルにおいてはＳｉ／ＳｉＯ2 界
面がホットキャリアによって損傷されるという前述の問
題（Ｂ２）を生じることはないが、放射線照射によって
出力劣化が生じるという前述の問題（Ｂ１）は存在す
る。したがって、図３の太陽電池セルにおいても、酸素
と結合力の大きいＡｌ等をイオン注入してｐ+ 層３ａを
形成することによって、耐放射線性の改善を図ることが
できる。なお、図３の実施の形態においてもイオン注入
によって打込まれる原子としてＡｌが用いられたが、Ｓ
ｉ原子よりも大きな原子半径を有しかつ酸素との結合性
が比較的高いＩＩＩ族元素のたとえばＧａを使用するこ
ともできる。
他の例の太陽電池セルを示している。図３の太陽電池セ
ルは図１におけるような酸化膜６および７を含んでおら
ず、見かけ上は図５の従来のものに類似している。すな
わち、図３の太陽電池セルにおいてはＳｉ／ＳｉＯ2 界
面がホットキャリアによって損傷されるという前述の問
題（Ｂ２）を生じることはないが、放射線照射によって
出力劣化が生じるという前述の問題（Ｂ１）は存在す
る。したがって、図３の太陽電池セルにおいても、酸素
と結合力の大きいＡｌ等をイオン注入してｐ+ 層３ａを
形成することによって、耐放射線性の改善を図ることが
できる。なお、図３の実施の形態においてもイオン注入
によって打込まれる原子としてＡｌが用いられたが、Ｓ
ｉ原子よりも大きな原子半径を有しかつ酸素との結合性
が比較的高いＩＩＩ族元素のたとえばＧａを使用するこ
ともできる。
【００４９】表１中の（ｄ）は発明者が最近試作した図
１の太陽電池セルの特性を表わしている。表１からわか
るように、この太陽電池セル（ｄ）の初期最大出力Ｐ
max は従来の高効率セル（ｂ）と同等であり、電子線照
射後の保存率はＡｌペーストを利用したセル（ｃ）と比
べても優れたものとなっている。また、太陽電池セル
（ｄ）においてはセル（ｃ）における場合のように厚い
Ｓｉ−Ａｌ合金層３が形成されないので、太陽吸収率α
S をセル（ｃ）に比べて下げることができ、電子線照射
後の動作温度における最大出力Ｐmax ・Ｔopを向上させ
ることができる。さらに、紫外線照射の影響について
は、太陽電池セル（ｄ）においては７００ｓｕｎ・ｈｏ
ｕｒｓ（１ｓｕｎは通常の太陽光の強度を表わす）の経
過後の段階で出力特性の劣化がみられず、本発明の優れ
た効果が確認されている。
１の太陽電池セルの特性を表わしている。表１からわか
るように、この太陽電池セル（ｄ）の初期最大出力Ｐ
max は従来の高効率セル（ｂ）と同等であり、電子線照
射後の保存率はＡｌペーストを利用したセル（ｃ）と比
べても優れたものとなっている。また、太陽電池セル
（ｄ）においてはセル（ｃ）における場合のように厚い
Ｓｉ−Ａｌ合金層３が形成されないので、太陽吸収率α
S をセル（ｃ）に比べて下げることができ、電子線照射
後の動作温度における最大出力Ｐmax ・Ｔopを向上させ
ることができる。さらに、紫外線照射の影響について
は、太陽電池セル（ｄ）においては７００ｓｕｎ・ｈｏ
ｕｒｓ（１ｓｕｎは通常の太陽光の強度を表わす）の経
過後の段階で出力特性の劣化がみられず、本発明の優れ
た効果が確認されている。
【００５０】
【発明の効果】以上のように、本発明の１つの態様によ
れば、ｐ型シリコン基板の背面側に形成されるｐ+ 層は
Ａｌのイオン注入によって形成される。したがって、Ａ
ｌは酸素と容易に結合するので、このｐ+ 層によってｐ
型基板内の酸素が有効にゲッタリングされて、シリコン
太陽電池セルの耐放射線性が改善される。
れば、ｐ型シリコン基板の背面側に形成されるｐ+ 層は
Ａｌのイオン注入によって形成される。したがって、Ａ
ｌは酸素と容易に結合するので、このｐ+ 層によってｐ
型基板内の酸素が有効にゲッタリングされて、シリコン
太陽電池セルの耐放射線性が改善される。
【００５１】本発明の他の態様によれば、Ｓｉ原子より
大きな原子半径を有するＩＩＩ族元素のイオン注入によ
って形成されたｐ+ 層とｐ型基板との界面近傍において
ドーピング濃度が急峻に変化するとともに原子レベルの
歪みが形成される。したがって、紫外線照射等によって
ｎ型拡散層内等で発生したホットキャリアはこのｐ+層
とｐ型基板との界面を通過する際にエネルギを失い、ｐ
+ 層と酸化膜との界面がホットキャリアから保護される
ことになる。その結果、従来のｐ+ 領域と酸化膜との界
面におけるホットキャリアによる損傷部で生じていたキ
ャリアの再結合が防止され、シリコン太陽電池セルにお
ける紫外線照射等による出力低下が回避され得る。
大きな原子半径を有するＩＩＩ族元素のイオン注入によ
って形成されたｐ+ 層とｐ型基板との界面近傍において
ドーピング濃度が急峻に変化するとともに原子レベルの
歪みが形成される。したがって、紫外線照射等によって
ｎ型拡散層内等で発生したホットキャリアはこのｐ+層
とｐ型基板との界面を通過する際にエネルギを失い、ｐ
+ 層と酸化膜との界面がホットキャリアから保護される
ことになる。その結果、従来のｐ+ 領域と酸化膜との界
面におけるホットキャリアによる損傷部で生じていたキ
ャリアの再結合が防止され、シリコン太陽電池セルにお
ける紫外線照射等による出力低下が回避され得る。
【００５２】本発明のさらに他の態様によれば、ｐ+ 層
がｐ型シリコン基板の背面の全領域に形成されているの
で、Ａｌによる酸素のゲッタリングが基板背面の全域に
わたって行なわれ、シリコン太陽電池セルの耐放射線性
が十分に改善される。さらに、基板の背面全域がホット
キャリアから保護されることになるので、太陽電池セル
における紫外線照射等による出力低下を十分に回避する
ことができる。
がｐ型シリコン基板の背面の全領域に形成されているの
で、Ａｌによる酸素のゲッタリングが基板背面の全域に
わたって行なわれ、シリコン太陽電池セルの耐放射線性
が十分に改善される。さらに、基板の背面全域がホット
キャリアから保護されることになるので、太陽電池セル
における紫外線照射等による出力低下を十分に回避する
ことができる。
【００５３】本発明のさらに他の態様によれば、ｐ+ 型
シリコン基板の背面に酸化膜を形成した後にその酸化膜
を通してイオン注入することによってｐ+ 層が形成され
るので、基板と酸化膜との間の界面はイオン注入前の比
較的良好な状態を維持することができる。
シリコン基板の背面に酸化膜を形成した後にその酸化膜
を通してイオン注入することによってｐ+ 層が形成され
るので、基板と酸化膜との間の界面はイオン注入前の比
較的良好な状態を維持することができる。
【図１】本発明の実施の形態の一例によるシリコン太陽
電池セルを示す概略的な断面図である。
電池セルを示す概略的な断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の他の例による太陽電池セ
ルを示す断面図である。
ルを示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるさらに他の例によ
る太陽電池セルを示す断面図である。
る太陽電池セルを示す断面図である。
【図４】図２の太陽電池セルの製造工程を説明するため
の概略的な断面図である。
の概略的な断面図である。
【図５】図４に続く製造工程を示す断面図である。
【図６】図９の太陽電池セルにおいて背面酸化膜が存在
する位置における断面に沿ったエネルギバンド構造を示
す図である。
する位置における断面に沿ったエネルギバンド構造を示
す図である。
【図７】図１の太陽電池セルの断面に沿ったエネルギバ
ンド構造を示す図である。
ンド構造を示す図である。
【図８】従来の太陽電池セルの一例を示す概略的な断面
図である。
図である。
【図９】従来の太陽電池セルの他の例を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】従来の太陽電池セルのさらに他の例を示す断
面図である。
面図である。
１ ｐ型半導体基板 ２ ｎ型拡散層 ３ 拡散によって形成されたｐ+ 層 ３ａ イオン注入によって形成されたｐ+ 層 ４ 前面電極 ５ 背面電極 ６ 背面酸化膜 ７ 前面酸化膜 ８ ｐ型基板とｐ+ 層との界面 ９ ｐ+ 層と背面酸化膜との界面 １１，１２ 開口
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１月３１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】図３は、本発明の実施の形態によるさらに
他の例の太陽電池セルを示している。図３の太陽電池セ
ルは図１におけるような酸化膜６および７を含んでおら
ず、見かけ上は図８の従来のものに類似している。すな
わち、図３の太陽電池セルにおいてはＳｉ／ＳｉＯ２界
面がホットキャリアによって損傷されるという前述の問
題（Ｂ２）を生じることはないが、放射線照射によって
出力劣化が生じるという前述の問題（Ｂ１）は存在す
る。したがって、図３の太陽電池セルにおいても、酸素
と結合力の大きいＡ１等をイオン注入してｐ＋層３ａを
形成することによって、耐放射線性の改善を図ることが
できる。なお、図３の実施の形態においてもイオン注入
によって打込まれる原子としてＡ１が用いられたが、Ｓ
ｉ原子よりも大きな原子半径を有しかつ酸素との結合性
が比較的高いＩＩＩ族元素のたとえばＧａを使用するこ
ともできる。 ─────────────────────────────────────────────────────
他の例の太陽電池セルを示している。図３の太陽電池セ
ルは図１におけるような酸化膜６および７を含んでおら
ず、見かけ上は図８の従来のものに類似している。すな
わち、図３の太陽電池セルにおいてはＳｉ／ＳｉＯ２界
面がホットキャリアによって損傷されるという前述の問
題（Ｂ２）を生じることはないが、放射線照射によって
出力劣化が生じるという前述の問題（Ｂ１）は存在す
る。したがって、図３の太陽電池セルにおいても、酸素
と結合力の大きいＡ１等をイオン注入してｐ＋層３ａを
形成することによって、耐放射線性の改善を図ることが
できる。なお、図３の実施の形態においてもイオン注入
によって打込まれる原子としてＡ１が用いられたが、Ｓ
ｉ原子よりも大きな原子半径を有しかつ酸素との結合性
が比較的高いＩＩＩ族元素のたとえばＧａを使用するこ
ともできる。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年２月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】次に、宇宙用Ｓｉ太陽電池セルの耐放射線
性について説明する。宇宙用太陽電池セルは、一般に、
宇宙環境において高エネルギを有する高密度の電子線、
陽子線、中性子線、α粒子線、Ｘ線、紫外線等の照射を
受け、太陽電池セルの半導体基板結晶中に空格子点、空
格子点と格子間不純物原子が結合した複合中心、および
これらの欠陥のクラスタ等が形成される。これらの照射
欠陥は、電気的にはキャリアの再結合中心として働き、
少数キャリアのライフタイムや拡散距離を短くし、太陽
電池セルの性能を劣化させるように作用する。このよう
な照射欠陥による作用を抑制するために、宇宙用Ｓｉ太
陽電池セルには、従来から以下のような対策（Ａ１）〜
（Ａ３）が施されている。
性について説明する。宇宙用太陽電池セルは、一般に、
宇宙環境において高エネルギを有する高密度の電子線、
陽子線、中性子線、α粒子線、Ｘ線、紫外線等の照射を
受け、太陽電池セルの半導体基板結晶中に空格子点、空
格子点と格子間不純物原子が結合した複合中心、および
これらの欠陥のクラスタ等が形成される。これらの照射
欠陥は、電気的にはキャリアの再結合中心として働き、
少数キャリアのライフタイムや拡散距離を短くし、太陽
電池セルの性能を劣化させるように作用する。このよう
な照射欠陥による作用を抑制するために、宇宙用Ｓｉ太
陽電池セルには、従来から以下のような対策（Ａ１）〜
（Ａ３）が施されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】なお、図６と図７の説明文において、ホッ
トキャリアの振る舞いと本発明の効果をわかりやすく説
明するために、紫外線（ＵＶ）によって生成されたホッ
トキャリア（電子ｅ，正孔ｈ）自身がＳｉと酸化膜との
界面において損傷を与えるがごとき表現を行なった。し
かし、実際には太陽電池セルが動作しているときにはＳ
ｉ基板内に多数の電子ｅと正孔ｈが存在しているので、
必ずしも発生したホットキャリアそれ自身が損傷を与え
るのではなくてホットキャリアからエネルギを受取った
同種の別のキャリアが損傷を与えることが生じ得ること
を付け加えておく。
トキャリアの振る舞いと本発明の効果をわかりやすく説
明するために、紫外線（ＵＶ）によって生成されたホッ
トキャリア（電子ｅ，正孔ｈ）自身がＳｉと酸化膜との
界面において損傷を与えるがごとき表現を行なった。し
かし、実際には太陽電池セルが動作しているときにはＳ
ｉ基板内に多数の電子ｅと正孔ｈが存在しているので、
必ずしも発生したホットキャリアそれ自身が損傷を与え
るのではなくてホットキャリアからエネルギを受取った
同種の別のキャリアが損傷を与えることが生じ得ること
を付け加えておく。
【手続補正書】
【提出日】平成８年２月６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】（Ａ１） 太陽電池セルがｎ−ｏｎ−ｐ型
にされる。すなわち、本来的に電子の方が正孔よりもラ
イフタイムや拡散距離が長いので、太陽電池セルをｐ−
ｏｎ−ｎ型ではなくてｎ−ｏｎ−ｐ型にすることによっ
て、照射欠陥による影響を比較的小さくすることができ
る。
にされる。すなわち、本来的に電子の方が正孔よりもラ
イフタイムや拡散距離が長いので、太陽電池セルをｐ−
ｏｎ−ｎ型ではなくてｎ−ｏｎ−ｐ型にすることによっ
て、照射欠陥による影響を比較的小さくすることができ
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】図６は、紫外線等による間接的影響を説明
するためのエネルギバンド構造図である。図６のエネル
ギバンド構造は、図１０の太陽電池セルにおいて半導体
基板１と背面酸化膜６とが直接接触している位置におけ
る断面のバンド構造とホットキャリアの流れとを示して
いる。符号Ｅｃは伝導帯の下端レベルを表わし、Ｅｖは
価電子帯の上端レベルを表わし、そしてＥＦはフェルミ
レベルを表わしている。また、半導体基板１と背面酸化
膜６との界面における“−”印は、界面準位を表わして
いる。一般に、Ｓｉ／ＳｉＯ２界面には、空乏領域が形
成される。図６に示されているようなバンド構造を有す
る太陽電池セルが紫外線（ＵＶ）の照射を受ければ、主
に前面近傍でホットキャリア（電子ｅおよび空孔ｈ）が
発生する。これらのホットキャリアは、高いエネルギを
維持しつつＳｉ基板１を通ってＳｉ／ＳｉＯ２界面に達
し、その界面の結合に損傷を与える。そして、この界面
における損傷はキャリアの再結合中心として働く。すな
わち、太陽光を吸収して発生した少数キャリアの電子が
Ｓｉ／ＳｉＯ２界面の再結合中心を介して多数キャリア
の正孔と再結合する確率が増大することになり、光電変
換によって生じてた少数キャリアを出力として太陽電池
セルの外部へ有効に取出すことが困難となる。すなわ
ち、背面パッシベーションの効果がホットキャリアによ
って損なわれることになる。
するためのエネルギバンド構造図である。図６のエネル
ギバンド構造は、図１０の太陽電池セルにおいて半導体
基板１と背面酸化膜６とが直接接触している位置におけ
る断面のバンド構造とホットキャリアの流れとを示して
いる。符号Ｅｃは伝導帯の下端レベルを表わし、Ｅｖは
価電子帯の上端レベルを表わし、そしてＥＦはフェルミ
レベルを表わしている。また、半導体基板１と背面酸化
膜６との界面における“−”印は、界面準位を表わして
いる。一般に、Ｓｉ／ＳｉＯ２界面には、空乏領域が形
成される。図６に示されているようなバンド構造を有す
る太陽電池セルが紫外線（ＵＶ）の照射を受ければ、主
に前面近傍でホットキャリア（電子ｅおよび空孔ｈ）が
発生する。これらのホットキャリアは、高いエネルギを
維持しつつＳｉ基板１を通ってＳｉ／ＳｉＯ２界面に達
し、その界面の結合に損傷を与える。そして、この界面
における損傷はキャリアの再結合中心として働く。すな
わち、太陽光を吸収して発生した少数キャリアの電子が
Ｓｉ／ＳｉＯ２界面の再結合中心を介して多数キャリア
の正孔と再結合する確率が増大することになり、光電変
換によって生じてた少数キャリアを出力として太陽電池
セルの外部へ有効に取出すことが困難となる。すなわ
ち、背面パッシベーションの効果がホットキャリアによ
って損なわれることになる。
Claims (6)
- 【請求項１】 ｐ型シリコン基板と、 前記ｐ型基板内においてその第１の主面側に形成された
ｎ型拡散層と、 前記ｐ型基板内においてその第２の主面側でＡｌのイオ
ン注入によって形成された高ドーピング濃度のｐ+ 層と
を含むことを特徴とするシリコン太陽電池セル。 - 【請求項２】 ｐ型シリコン基板と、 前記ｐ型基板内においてその第１の主面側に形成された
ｎ型拡散層と、 Ｓｉ原子より原子半径が大きなＩＩＩ族元素のイオン注
入によって前記ｐ型基板内の第２の主面側で少なくとも
部分的に形成された高ドーピング濃度のｐ+ 層と、 前記第２主面上に形成されていて開口部を含む酸化膜
と、 前記酸化膜上に形成されていて前記開口部を介して前記
ｐ+ 層と電気的に接続されている電極とを含むことを特
徴とするシリコン太陽電池セル。 - 【請求項３】 前記高ドーピング濃度のｐ+ 層は前記第
２主面の全域に形成されていることを特徴とする請求項
１または２に記載のシリコン太陽電池セル。 - 【請求項４】 前記ＩＩＩ族元素はＡｌであることを特
徴とする請求項２に記載のシリコン太陽電池セル。 - 【請求項５】 ｐ型シリコン基板内においてその第１の
主面側にｎ型拡散層を形成し、 前記ｐ型基板の第２の主面を覆うように酸化膜を形成
し、 Ｓｉ原子より大きな原子半径を有するＩＩＩ族元素を前
記酸化膜を介してイオン注入することによって、前記ｐ
型基板内において前記第２主面側に高ドーピング濃度の
ｐ+ 層を形成し、 前記酸化膜に開口を形成し、 前記開口を介して前記ｐ+ 層と電気的に接続された電極
を形成する工程を含むことを特徴とするシリコン太陽電
池セルの製造方法。 - 【請求項６】 前記ＩＩＩ族元素はＡｌであることを特
徴とする請求項５に記載のシリコン太陽電池セルの製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8013891A JPH08330611A (ja) | 1995-03-30 | 1996-01-30 | シリコン太陽電池セルとその製造方法 |
| DE69619149T DE69619149T2 (de) | 1995-03-30 | 1996-03-29 | Solarzelle aus Silizium und Herstellungsverfahren |
| EP96105098A EP0735597B1 (en) | 1995-03-30 | 1996-03-29 | Silicon solar cell and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7288095 | 1995-03-30 | ||
| JP7-72880 | 1995-03-30 | ||
| JP8013891A JPH08330611A (ja) | 1995-03-30 | 1996-01-30 | シリコン太陽電池セルとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330611A true JPH08330611A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=26349750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8013891A Pending JPH08330611A (ja) | 1995-03-30 | 1996-01-30 | シリコン太陽電池セルとその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0735597B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08330611A (ja) |
| DE (1) | DE69619149T2 (ja) |
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| CN109560145A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-04-02 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种太阳电池铝背场结构 |
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| DE102007012277A1 (de) * | 2007-03-08 | 2008-09-11 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle |
| KR100974226B1 (ko) * | 2007-03-23 | 2010-08-06 | 엘지전자 주식회사 | 유전체를 이용한 태양전지의 후면 반사막 및 패시베이션층형성 |
| US8241945B2 (en) * | 2010-02-08 | 2012-08-14 | Suniva, Inc. | Solar cells and methods of fabrication thereof |
| KR101871273B1 (ko) | 2012-05-11 | 2018-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| CN102779903A (zh) * | 2012-08-13 | 2012-11-14 | 苏州盛康光伏科技有限公司 | 太阳能电池的制备方法 |
Family Cites Families (3)
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| US4395583A (en) * | 1980-04-30 | 1983-07-26 | Communications Satellite Corporation | Optimized back contact for solar cells |
| JPS5976419A (ja) * | 1982-10-26 | 1984-05-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ｐ型シリコン膜の製造方法 |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP8013891A patent/JPH08330611A/ja active Pending
- 1996-03-29 DE DE69619149T patent/DE69619149T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-03-29 EP EP96105098A patent/EP0735597B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US9515205B2 (en) | 2011-03-04 | 2016-12-06 | Commissariat A L'energie Atomique Aux Energies Alternatives | Method for metallizing textured surfaces |
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| JP2015519729A (ja) * | 2012-04-02 | 2015-07-09 | ヌソラ インコーポレイテッドｎｕｓｏｌａ Ｉｎｃ． | 光電変換素子及びその製造方法 |
| CN109560145A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-04-02 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种太阳电池铝背场结构 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69619149T2 (de) | 2002-11-14 |
| DE69619149D1 (de) | 2002-03-21 |
| EP0735597B1 (en) | 2002-02-13 |
| EP0735597A3 (en) | 1997-06-04 |
| EP0735597A2 (en) | 1996-10-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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