JPH08333683A - 固体有機化合物専用バブラー装置 - Google Patents

固体有機化合物専用バブラー装置

Info

Publication number
JPH08333683A
JPH08333683A JP7253929A JP25392995A JPH08333683A JP H08333683 A JPH08333683 A JP H08333683A JP 7253929 A JP7253929 A JP 7253929A JP 25392995 A JP25392995 A JP 25392995A JP H08333683 A JPH08333683 A JP H08333683A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubbler
sample
solid organic
carrier gas
porous thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7253929A
Other languages
English (en)
Inventor
Dae Sik Kim
大 植 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH08333683A publication Critical patent/JPH08333683A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C23C16/4483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material using a porous body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機金属化学蒸着法に使用される固体有機化
合物を気化させるバブラー装置において、運搬気体が固
体有機化合物試料を通過する経路を調節することにより
試料の供給効率と試料濃度調節の精密度を向上させ得る
ようにした固体有機化合物専用バブラー装置を提供する
ことである。 【解決手段】 有機金属化学蒸着法に使用される固体有
機化合物を気化させる固体有機化合物専用バブラー装置
（１）において、バブラー本体（１ａ）に内装される運
搬気体の注入口（１ｂ−１）と排出口（１ｃ−１）側
に、有機金属試料（１ｅ）の粒子の大きさ以下の気孔が
形成された多孔質薄板（１ｈ，１ｇ）がそれぞれ上下面
に装着されるＯリング（１ｉ）又はその外周面に装着さ
れるガスケット（１ｊ）によりバブラー本体（１ａ）に
対してシーリング状態で装着され、前記多孔質薄板（１
ｈ，１ｇ）はバブラー本体（１ａ）に対して着脱可能に
装着されるものとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属化学蒸着
法（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）に使
用される固体有機化合物を気化させるバブラー（Ｂｕｂ
ｂｌｅｒ）装置に関するもので、詳しくは、バブラー本
体内部に着脱可能に装着される多孔質薄板を運搬気体の
注入口と排出口側にシーリング状態で装着して、運搬気
体が試料を通過する経路を調節することにより試料の供
給効率と試料濃度調節の精密度を向上させ得るようにし
た固体有機化合物専用バブラー装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、有機金属化学蒸着法に用いら
れる原料供給方法は、試料を先ず一定温度で蒸発させた
後、蒸発された原料を運搬気体により別の反応室に供給
し、前記反応室に供給される試料量はバブラーの温度、
圧力及び運搬気体の流量の三種の変数により決定され
（この際、運搬気体と試料間の接触面積が一定すること
を前提条件とする）、実際のバブラーにおいては、使用
時間が経過するにつれて接触面積が変化するので、前記
三種の変数により試料供給量を精密に調節することが難
しくなるものである。
【０００３】即ち、従来技術によるバブラー装置は、図
２（Ａ）に示すバブラー装置２のように、液体専用バブ
ラー本体２ａにおいて運搬気体の注入管２ｂを試料に浸
漬させ、運搬気体の排出管２ｃは試料表面から分離して
形成されたもので、液体専用バブラーに図２（Ｂ）に示
すように固体有機金属試料２ｅを使用する場合、一定時
間使用すると、固体有機金属試料２ｅ内に運搬気体の移
動通路であるトンネル２ｆが形成され、このトンネル２
ｆの深さと広さが時間の経過につれて変化し、運搬気体
と試料２ｅ間の接触面積が変化する。
【０００４】従って、反応気体に混合される試料の組成
が変化するので、別の反応室に供給される試料２ｅの濃
度を精密に調節できなくなり、トンネル２ｆが完全に貫
通される時はバブラーを交替すべきであるので、多量の
残留試料２ｅが浪費される問題点を有するものである。
【０００５】前記のような問題点に鑑みた従来技術の他
のバブラー装置は、図３（Ａ）に示すバブラー装置３の
ように、バブラー本体３ａにおいて運搬気体の注入管３
ｂは試料３ｅの表面から分離させ、運搬気体の排出管３
ｃは試料３ｅに浸漬させるようにしたもので、図３
（Ｂ）に示すように、運搬気体のトンネル３ｆの広さと
貫通をどのくらい緩慢にし得るので、使用時間と試料組
成変化に対する安定度を向上させることができるが、ト
ンネル３ｆの形成自体を防ぐことができないので、これ
もやはり図２のようなバブラー装置の問題点を完全に治
癒し得ないものである。
【０００６】そして、図２及び図３のような問題点を改
善したものとして、図４（Ａ）に示すバブラー装置４の
ように、バブラー本体４ａにおいて運搬気体の注入管４
ｂは試料４ｅの表面から分離させ、運搬気体の排出管４
ｃは試料４ｅに浸漬させ、有機金属試料４ｅの量によっ
て複数の孔が形成された圧縮板４ｄを上下移動可能に排
出管４ｃに形成させたもので、前記圧縮板４ｄの重量だ
け試料４ｅを圧縮するので、有機金属試料４ｅの内部の
トンネル４ｆの発生を減らす利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、圧縮板
４ｄの重量はどの限界に直面し、運搬気体の供給がバブ
ラー本体４ａの注入管４ｂの方に偏重するので、トンネ
ル４ｆの発生自体を防ぐのにやはり限界点を有するもの
である。
【０００８】
【発明の目的】本発明は前記のような従来技術の問題点
に鑑みて案出したもので、本発明の目的は、固体有機化
合物を気化させるバブラー本体の運搬ガス注入口と排出
口にシーリング状態で多孔質薄板を着脱可能に装着する
ことにより、運搬気体の注入口側で試料と運搬気体が接
触する面積を一定に維持し、排出口側で有機金属化合物
が固体状態で別の反応室に供給されることを防止し得る
ようにした固体有機化合物専用バブラー装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するための本発明の特徴は、有機金属化学蒸着法に使用
される固体有機化合物を気化させるバブラー装置の本体
に形成される運搬気体の注入口と排出口側にシーリング
状態で装着される多孔質薄板を着脱可能に装着するもの
で、前記注入口側の多孔質薄板の気孔の大きさは本体に
充入された試料粒子の大きさより小さいか等しい大きさ
に形成され、前記多孔質薄板はその上下面に装着される
Ｏリング又は外周面に形成されるガスケットにより本体
に対してシーリングされるように形成されたものであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による固体有機化合
物専用バブラー装置の実施の形態の一例を添付図面に基
づいて具体的に説明する。
【００１１】有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ）に使用
される固体有機化合物を気化させる固体有機化合物専用
バブラー装置１を構成することにおいて、バブラー本体
１ａに装入された有機金属試料１ｅに浸漬される運搬気
体の注入管１ｂの注入口１ｂ−１と運搬気体の排出管１
ｃの排出口１ｃ−１側に多孔質薄板１ｈ，１ｇが着脱可
能に装着され、運搬気体の注入管１ｂの注入口１ｂ−１
側には有機金属試料１ｅを圧縮する圧縮板１ｄが試料量
に応じて上下移動可能に形成され、前記多孔質薄板１
ｈ，１ｇはバブラー本体１ａの使用温度が７０〜３００
℃以下である場合には上下面に装着されるＯリング１ｉ
（図１（Ｂ）に図示）によりバブラー本体１ａに対して
シーリングされ、バブラー本体１ａの使用温度が３００
℃以上である場合には外周面に装着される金属材ガスケ
ット１ｊ（図１（Ｃ）に図示）によりバブラー本体１ａ
に対してシーリングされるもので、前記注入口１ｂ−１
側の多孔質薄板１ｈの気孔の大きさはバブラー本体１ａ
に装入される有機金属試料１ｅの粒子より小さいか等し
い大きさであれば十分であり、排出口１ｃ−１側の多孔
質薄板１ｇの気孔の大きさは多孔質薄板１ｇに形成され
た気孔形状及び構造に応じて注入口１ｂ−１側の多孔質
薄板１ｈの気孔より大きく形成されてもかまわなく、前
記多孔質薄板１ｇ，１ｈは金属粉焼結（ＳＩＮＴＥＲＩ
ＮＧ）方式又はメッシュ（ＭＥＳＨ）接合方式により製
作できるものである。
【００１２】以上のように構成された本発明による固体
有機化合物専用バブラー装置１を使用して固体有機化合
物を気化させる場合、バブラー本体１ａに内装される、
運搬気体の注入管１ｂの注入口１ｂ−１に形成された多
孔質薄板１ｈにより運搬気体が多孔質薄板１ｈの全面を
通じて均一に供給されるので、運搬気体の流れが試料内
部の気体注入口側に偏重されることを防止するとともに
運搬気体のトンネルの発生も防止し、これにより試料供
給量が時間の経過につれて変化することを防止し得るの
で、残留試料を最小にできる。一方、運搬気体の排出管
１ｃの排出口（１ｃ−１）側に形成された多孔質薄板１
ｇによりバブラー本体１ａの内部に運搬気体が急激に注
入される場合、試料粉がバブラー本体１ａの一側に設置
される別の反応室に注入されることを防止し得るもので
ある。
【００１３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明による
固体有機化合物専用バブラー装置は、バブラー本体の運
搬気体の注入口と排出口側にシーリング状態で着脱可能
にそれぞれ装着された多孔質薄板により有機金属試料を
気化させて、反応室本体に注入する時の有機金属試料の
供給量に対する信頼性と再現性を増大する利点と、バブ
ラー本体の内部の残留試料の最小化により有機金属試料
の消費を減らす利点と、バブラー内の急激な入力差によ
る試料逆流及び粉飛び現象を防止して、有機金属蒸着に
関連した設備を保護し得る利点を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）は本発明によるバブラー装置の概略
図であり、図１（Ｂ）は多孔質薄板の上下面に装着され
るＯリングによりバブラー本体に対してシーリングされ
る構成を示す概略図であり、図１（Ｃ）は多孔質薄板の
外周面に装着される金属ガスケットによりバブラー本体
に対してシーリングされる構成を示す概略図である。
【図２】図２（Ａ）は従来技術によるバブラー装置の概
略図であり、図２（Ｂ）は運搬気体の移動通路であるト
ンネルが形成された様子を示す概略図である。
【図３】図３（Ａ）は従来技術による他のバブラー装置
の概略図であり、図３（Ｂ）は運搬気体のトンネルが形
成された様子を示す概略図である。
【図４】図４（Ａ）は従来技術によるさらに他のバブラ
ー装置の概略図であり、図４（Ｂ）は有機金属試料の内
部のトンネルの発生状況を示す概略図である。
【符号の説明】
１ 固体有機化合物専用バブラー装置 １ａ バブラー本体 １ｂ 運搬気体の注入管 １ｂ−１ 運搬気体の注入口 １ｃ 運搬気体の排出管 １ｃ−１ 運搬気体の排出口 １ｄ 圧縮板 １ｅ 有機金属試料 １ｇ，１ｈ 多孔質薄板 １ｉ Ｏリング １ｊ ガスケット

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機金属化学蒸着法に使用される固体有
    機化合物を気化させるバブラー装置において、バブラー
    本体（１ａ）に内装される運搬気体の注入口（１ｂ−
    １）と排出口（１ｃ−１）側に多孔質薄板（１ｈ，１
    ｇ）がそれぞれシーリング状態で装着され、前記多孔質
    薄板（１ｈ，１ｇ）はバブラー本体（１ａ）に対して着
    脱可能に装着されることを特徴とする固体有機化合物専
    用バブラー装置。
  2. 【請求項２】 前記運搬気体の注入口（１ｂ−１）側の
    薄板（１ｈ）の気孔の大きさは有機金属試料（１ｅ）の
    粒子の大きさ以下に形成されることを特徴とする請求項
    １記載の固体有機化合物専用バブラー装置。
  3. 【請求項３】 前記多孔質薄板（１ｈ，１ｇ）はその上
    下面に装着されるＯリング（１ｉ）によりバブラー本体
    （１ａ）に対してシーリングされることを特徴とする請
    求項１記載の固体有機化合物専用バブラー装置。
  4. 【請求項４】 前記多孔質薄板（１ｈ，１ｇ）はその外
    周面に装着されるガスケット（１ｊ）によりバブラー本
    体（１ａ）に対してシーリングされることを特徴とする
    請求項１記載の固体有機化合物専用バブラー装置。
JP7253929A 1994-09-30 1995-09-29 固体有機化合物専用バブラー装置 Pending JPH08333683A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR199425196 1994-09-30
KR1019940025196A KR960010901A (ko) 1994-09-30 1994-09-30 고체 유기화합물 전용 버블러 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08333683A true JPH08333683A (ja) 1996-12-17

Family

ID=19394285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7253929A Pending JPH08333683A (ja) 1994-09-30 1995-09-29 固体有機化合物専用バブラー装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5603169A (ja)
JP (1) JPH08333683A (ja)
KR (1) KR960010901A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006161162A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 供給装置
JP2007314878A (ja) * 2006-05-22 2007-12-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc デリバリーデバイス
CN100394551C (zh) * 2003-07-08 2008-06-11 东曹精细化工株式会社 固体有机金属化合物用填充容器及其填充方法
WO2013161704A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 シャープ株式会社 Iii族窒化物半導体積層基板およびiii族窒化物半導体電界効果トランジスタ
JP2024058052A (ja) * 2022-10-14 2024-04-25 東京エレクトロン株式会社 気化装置、半導体製造システム及び固体原料の気化方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5815942A (en) * 1996-12-13 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor drying system and method
KR100478473B1 (ko) * 1997-12-31 2005-07-07 주식회사 효성 알루미나촉매지지체의기공량증진방법
ATE298013T1 (de) * 1999-08-20 2005-07-15 Morton Int Inc Sprudelvorrichtung mit zwei fritten
US6984415B2 (en) * 1999-08-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Delivery systems for gases for gases via the sublimation of solid precursors
US6444038B1 (en) * 1999-12-27 2002-09-03 Morton International, Inc. Dual fritted bubbler
US7300038B2 (en) * 2002-07-23 2007-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material
US6921062B2 (en) * 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
AU2005245634B2 (en) * 2004-05-20 2010-07-01 Akzo Nobel Chemicals International B.V. Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical
KR100697691B1 (ko) * 2005-07-27 2007-03-20 삼성전자주식회사 소스 가스 공급 유닛 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치
GB2432371B (en) * 2005-11-17 2011-06-15 Epichem Ltd Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas
US8132794B2 (en) * 2005-11-29 2012-03-13 Air Diffusion Systems Fine bubble delivery for potable water, wastewater, and clean water treatment
DE102006022534A1 (de) * 2006-05-15 2007-11-22 Aixtron Ag Quellenbehälter einse VPE-Reaktors
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
GB2444143B (en) * 2006-11-27 2009-10-28 Sumitomo Chemical Co Apparatus of supplying organometallic compound
JP5690498B2 (ja) 2009-03-27 2015-03-25 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 基体上に膜を堆積する方法および気化前駆体化合物を送達する装置
CN102597310B (zh) 2009-11-02 2015-02-04 西格玛-奥吉奇有限责任公司 固态前体输送组件以及相关方法
TWI611040B (zh) 2012-05-31 2018-01-11 Entegris, Inc. 用於批次沉積之具高材料通量的以源試劑爲主之流體輸送
US20140029374A1 (en) * 2012-07-30 2014-01-30 William Kimmerle Chemical precursor bubbler
WO2016025367A1 (en) 2014-08-11 2016-02-18 Veeco Instruments Inc. Enhanced enclosures for acoustical gas concentration sensing and flow control
KR102344996B1 (ko) 2017-08-18 2021-12-30 삼성전자주식회사 전구체 공급 유닛, 기판 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
WO2019200312A1 (en) 2018-04-13 2019-10-17 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition apparatus with multi-zone injector block

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3308558A (en) * 1964-05-14 1967-03-14 Michael D Orlando Environmental chamber
US3866332A (en) * 1972-06-06 1975-02-18 Crompton & Knowles Corp Fluidized bed dryer
US5243769A (en) * 1992-06-26 1993-09-14 Yazaki Corporation Process for rapidly drying a wet, porous gel monolith

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100394551C (zh) * 2003-07-08 2008-06-11 东曹精细化工株式会社 固体有机金属化合物用填充容器及其填充方法
JP2006161162A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 供給装置
JP2007314878A (ja) * 2006-05-22 2007-12-06 Rohm & Haas Electronic Materials Llc デリバリーデバイス
WO2013161704A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 シャープ株式会社 Iii族窒化物半導体積層基板およびiii族窒化物半導体電界効果トランジスタ
JP2024058052A (ja) * 2022-10-14 2024-04-25 東京エレクトロン株式会社 気化装置、半導体製造システム及び固体原料の気化方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR960010901A (ko) 1996-04-20
US5603169A (en) 1997-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5603169A (en) Bubbler for solid metal-organic percursors
US4506815A (en) Bubbler cylinder and dip tube device
US8092604B2 (en) Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof
EP2418300B1 (en) Delivery device and method of use thereof
US20090178616A1 (en) Apparatus for chemical vapor deposition (cvd) with showerhead
US6677250B2 (en) CVD apparatuses and methods of forming a layer over a semiconductor substrate
EP1747302B1 (en) Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical
JP2002083777A (ja) バブラー
KR20100041529A (ko) 초임계 유체를 이용한 물질막 증착장치, 이를 포함하는 물질막 증착 시스템 및 물질막 형성방법
CN1160482C (zh) 双烧结扩散器
EP1454346A4 (en) METHOD AND DEVICE FOR CHEMICAL VAPORING WITH THE ABILITY TO PREVENT POLLUTION AND IMPROVE THE FILM GROWTH RATE
JPH11168092A (ja) 気相成長方法および気相成長装置
KR101029894B1 (ko) 고체 유기 금속 화합물용 충전 용기 및 그 충전 방법
KR100927456B1 (ko) 고체 유기 금속 화합물용 충전 용기 및 그 충전 방법
JPS6254869B2 (ja)
JPS6149390B2 (ja)
KR19990011469A (ko) 박막증착장치
JPS61242011A (ja) 気相成長装置
JPS6365075A (ja) 気相成長方法
JPH02172889A (ja) 気相成長用シリンダー
JPH03151629A (ja) 半導体薄膜製造装置及び半導体多層薄膜の製造方法
JP2003303772A (ja) 固体有機金属化合物用充填容器およびその充填方法
KR20070015955A (ko) 고체 화학물질의 지속적인 증기 운반 용 버블러
JPS6360281A (ja) 気相成長方法
KR20000008948A (ko) 반도체 제조용 클러깅 방지 기화기