JPH0833409B2 - 加速度測定装置及びその製造方法 - Google Patents
加速度測定装置及びその製造方法Info
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- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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- G01P2015/0845—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration using a plurality of spring-mass systems being arranged on one common planar substrate, the systems not being mechanically coupled and the sensitive direction of each system being different
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- G01P2015/086—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration using a particular shape of the suspension spring using a torsional suspension spring
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、慣性質量部分への加速度の作用を測定する
加速度測定装置に関する。特に本発明は微細構造技術を
利用して製造可能な装置に関する。この装置では慣性質
量部分が微細構造技術において一般的な異方性エッチン
グ法で作製される。加速度の機械的作用は電気信号に変
換して評価回路に送られる。
加速度測定装置に関する。特に本発明は微細構造技術を
利用して製造可能な装置に関する。この装置では慣性質
量部分が微細構造技術において一般的な異方性エッチン
グ法で作製される。加速度の機械的作用は電気信号に変
換して評価回路に送られる。
先行技術 ３つの空間軸における加速度を相互に区別することの
できない微細機械的集積加速度センサは幾つかの刊行物
に記載してある。例えばジェー・エル・デービソン、デ
ィー・ブイ・ケルンス「シリコン加速度技術」、所収：
「1986年国際電子工学産業会議会報、制御と計装」IEE
E、ニューヨーク1986、218乃至222頁。個々のセンサは
プレーナ技術でシリコンから作製される。３つの空間軸
で加速度を測定できるには３個の個別センサをハイブリ
ッド方式に配置し相互に調整しなければならず、このこ
とにより達成可能な機械的精度、小型化度が制約され
る。
できない微細機械的集積加速度センサは幾つかの刊行物
に記載してある。例えばジェー・エル・デービソン、デ
ィー・ブイ・ケルンス「シリコン加速度技術」、所収：
「1986年国際電子工学産業会議会報、制御と計装」IEE
E、ニューヨーク1986、218乃至222頁。個々のセンサは
プレーナ技術でシリコンから作製される。３つの空間軸
で加速度を測定できるには３個の個別センサをハイブリ
ッド方式に配置し相互に調整しなければならず、このこ
とにより達成可能な機械的精度、小型化度が制約され
る。
所定の位置からのずれ（角度位置変化）を測定するセ
ンサが、EP-A-0244581に開示されている。このセンサ
は、結晶表面に集積され互いに直交して配置された２つ
の応力振子を有し、これらの応力振子の軸は、例えばデ
カルト座標系のそれぞれｘ軸、ｙ軸の方向に向いてい
る。３つの方向における所定の位置からのずれを測定す
るため、ｚ軸方向に第３の振子を配置することが提案さ
れている。この振子は、最初の２つの平面の共通平面に
直交する平面に集積されているため、これらの振子を一
緒に作製することはできない。第３の振子を作製するた
めには、この方法では異なる工程が必要である。
ンサが、EP-A-0244581に開示されている。このセンサ
は、結晶表面に集積され互いに直交して配置された２つ
の応力振子を有し、これらの応力振子の軸は、例えばデ
カルト座標系のそれぞれｘ軸、ｙ軸の方向に向いてい
る。３つの方向における所定の位置からのずれを測定す
るため、ｚ軸方向に第３の振子を配置することが提案さ
れている。この振子は、最初の２つの平面の共通平面に
直交する平面に集積されているため、これらの振子を一
緒に作製することはできない。第３の振子を作製するた
めには、この方法では異なる工程が必要である。
本願よりも先の優先日であるが本願より先には公開さ
れていないEP-A-0224581には加速度計が記載されてお
り、これは３つのセンサを有し、これらは表面上に集積
されている。しかしながらセンサは舌部からなり、これ
らは一方の側部で取り付けられ、その解放端部は質量を
担持している。この種のセンサは運動の方向に対する明
白な選択性に弱点を有する。
れていないEP-A-0224581には加速度計が記載されてお
り、これは３つのセンサを有し、これらは表面上に集積
されている。しかしながらセンサは舌部からなり、これ
らは一方の側部で取り付けられ、その解放端部は質量を
担持している。この種のセンサは運動の方向に対する明
白な選択性に弱点を有する。
３つの空間方向の解像度を有する加速度測定装置は英
国特許出願明細書GB 2 174 500 Aにより知られている。
この装置ではセンサ素子が共通の結晶表面にではなく基
板の表面又は裏面に配置してある。そのことから各種セ
ンサ素子の電気的結合という困難な課題が生じ、この課
題がこの明細書では導体路との配線又は食刻スルーホー
ルにより解決される。このため製造にあたって多くの工
程を費やさねばならない。
国特許出願明細書GB 2 174 500 Aにより知られている。
この装置ではセンサ素子が共通の結晶表面にではなく基
板の表面又は裏面に配置してある。そのことから各種セ
ンサ素子の電気的結合という困難な課題が生じ、この課
題がこの明細書では導体路との配線又は食刻スルーホー
ルにより解決される。このため製造にあたって多くの工
程を費やさねばならない。
発明の説明 本発明の課題は、３つの空間軸における加速度を相互
に区別することができ、３つの空間軸について高い選択
感度を有し、できるだけ少ない工程数で製造することの
できる加速度測定装置を示すことである。
に区別することができ、３つの空間軸について高い選択
感度を有し、できるだけ少ない工程数で製造することの
できる加速度測定装置を示すことである。
この課題がこの種概念に記載した装置において請求項
１に明示した特徴により又請求項９に明示したその製造
方法により解決される。
１に明示した特徴により又請求項９に明示したその製造
方法により解決される。
３空間軸用の３個のセンサ素子を１つの結晶表層中に
プレーナ集積することにより高い小型化度と高い機械的
精度が達成される。同時にこの解決策はセンサ素子を、
同じ基板上に集積することのできる電子評価回路と結合
する可能性を提供する。
プレーナ集積することにより高い小型化度と高い機械的
精度が達成される。同時にこの解決策はセンサ素子を、
同じ基板上に集積することのできる電子評価回路と結合
する可能性を提供する。
本発明装置は高精度、小寸法でもって特に航空，陸上
交通，ロボット工学，医工学分野で多次元運動経過を検
出するのに利用することができる。
交通，ロボット工学，医工学分野で多次元運動経過を検
出するのに利用することができる。
また、本発明は同一平面内の異なる領域に３つのセン
サを配置しているので、各方向の加速度を個別的に精度
良く測定でき、装置の簡単化を図ることができるという
利点を有し、さらに、X,Y軸方向センサは慣性質量部分
を中央部の２つの端部で支持しているので、Ｚ軸方向の
応力を受けにくく、測定誤差が生じない構造であり、Ｚ
軸方向センサは慣性質量部分の一側部の２つの端部が支
持されているのでＺ方向の応力を感度良く測定できると
いう特有の効果が得られる。
サを配置しているので、各方向の加速度を個別的に精度
良く測定でき、装置の簡単化を図ることができるという
利点を有し、さらに、X,Y軸方向センサは慣性質量部分
を中央部の２つの端部で支持しているので、Ｚ軸方向の
応力を受けにくく、測定誤差が生じない構造であり、Ｚ
軸方向センサは慣性質量部分の一側部の２つの端部が支
持されているのでＺ方向の応力を感度良く測定できると
いう特有の効果が得られる。
本発明の有利な諸展開は従属請求項に明示してある。
請求項２記載の１展開では感度方向が互いにほぼ直交
している。このことにより、任意の１空間方向で作用す
る加速力は設定可能なデカルト座標系の３つの直交成分
に簡単に分解することができる。
している。このことにより、任意の１空間方向で作用す
る加速力は設定可能なデカルト座標系の３つの直交成分
に簡単に分解することができる。
リセット素子をトーションバーとして構成した請求項
３記載の実施は特に有利であるが、それは偏心配置した
慣性質量部分を有するトーションバーが１センサの感度
優先方向を簡単に確定するからである。請求項4,5に記
載した実施は半導体作製のごく一般的な材料を用いるこ
とで加速度計の安価な製造をもたらす。
３記載の実施は特に有利であるが、それは偏心配置した
慣性質量部分を有するトーションバーが１センサの感度
優先方向を簡単に確定するからである。請求項4,5に記
載した実施は半導体作製のごく一般的な材料を用いるこ
とで加速度計の安価な製造をもたらす。
加速力は慣性質量部分の振れを生じ、従ってトーショ
ンバー中に機械的応力を生じ、これが加速力の尺度とし
て利用される。請求項６によればトーションバー中の機
械的応力はシリコン中のピエゾ抵抗効果を利用して集積
抵抗素子により測定される。この構成は通常の半導体技
術（例えばイオン注入）により実現することができる。
それがもたらす利点として全センサ素子の集積抵抗素子
の電気接点が１平面上に配置される。請求項７によれば
電気信号を評価する回路が同じ表面に集積される。セン
サ素子と評価回路はこの場合単純な導体路により互いに
電気的に接続することができる。
ンバー中に機械的応力を生じ、これが加速力の尺度とし
て利用される。請求項６によればトーションバー中の機
械的応力はシリコン中のピエゾ抵抗効果を利用して集積
抵抗素子により測定される。この構成は通常の半導体技
術（例えばイオン注入）により実現することができる。
それがもたらす利点として全センサ素子の集積抵抗素子
の電気接点が１平面上に配置される。請求項７によれば
電気信号を評価する回路が同じ表面に集積される。セン
サ素子と評価回路はこの場合単純な導体路により互いに
電気的に接続することができる。
特に大きな測定感度に適した請求項８記載の構成では
機械的応力が容量式信号変換により間接的に測定され
る。このため例えば慣性質量部分の表面範囲に金属層を
設けることができ、該層が対向配置された固定金属板と
で可変容量コンデンサを形成する。このコンデンサの容
量は慣性質量部分の振れに依存するので加速力の尺度と
なる。
機械的応力が容量式信号変換により間接的に測定され
る。このため例えば慣性質量部分の表面範囲に金属層を
設けることができ、該層が対向配置された固定金属板と
で可変容量コンデンサを形成する。このコンデンサの容
量は慣性質量部分の振れに依存するので加速力の尺度と
なる。
図面の簡単な説明 添付図面を基に以下１実施例を詳しく説明する。図示
明確化のため図面は寸法どおりではない。
明確化のため図面は寸法どおりではない。
第１図はプレーナ・モノリシックに集積した加速度計
の平面概要図。
の平面概要図。
第２図は第１図のA-A′平面の断面図。
第３図はA-A′平面で切断したセンサ素子の立体図。
第４図は第１図にB-B′で示した平面の断面図。
第５図は第１図にZ-Z′で示した平面の断面図。
第６図は第１図にE-E′で示した平面の断面図。
そして 第７図は第１図に示す加速度計の本発明製造方法のプ
ロセス概要図。
ロセス概要図。
実施例の説明 本発明装置は第１図に符号X,Yとし図示平面で加速度
を検出するのに役立つ２個の相互に90°回動した同一の
センサ素子と図示平面に直角な運動変化に反応するセン
サ素子Ｚとからなる。各センサ素子は加速力の作用を受
ける慣性質量部分とリセット素子と機械的作用を電気信
号に変換する変換素子とから構成してある。３個のセン
サのリセット素子はトーションバー１であり、その回転
軸ｄはセンサ素子X,Yの場合B-B′断面上、センサ素子Ｚ
の場合Z-Z′断面上にある。トーションバー１が各１個
の慣性質量部分２を担持し、その重心は回転軸ｄの十分
外側にある。同一センサ素子X,Yの慣性質量部分２の配
置は第２図，第３図，第４図の断面図に、そしてセンサ
素子Ｚについては第5,6図に示してあり、これらの断面
図は第１図の定義に従っている。第１図に示すように、
センサ素子（Ｘ軸方向センサ）Ｘは、第１のトーション
バー１とこれらのトーションバー１のひとつの内部に設
けられている第１の電気機械変換素子とによって構成さ
れている。前記第１のトーションバー１は、第１の慣性
質量部分２を中央部分の２つの端部で支持し、かつ、第
１の接続線B-B′を規定している。前記第１の慣性質量
部分２は、第１の接続線B-B′の周囲に対称的に配置さ
れている。センサ素子（Ｙ軸方向センサ）Ｙは、第２の
トーションバー１とこれらのトーションバー１のひとつ
の内部に設けられている第２の電気機械変換素子とによ
って構成されている。前記第２のトーションバー１は、
第２の慣性質量部分２を中央部分の２つの端部で支持
し、かつ、第２の接続線B-B′を規定している。前記第
２の慣性質量部分２は第２の接続線B-B′の周囲に対称
的に配置されている。センサ素子（Ｚ軸方向センサ）Ｚ
は、第３のトーションバー１とこれらのトーションバー
１のひとつの内部に設けられた第３の電気機械変換素子
によって構成されている。前記第３のトーションバー１
は、第３の慣性質量部分２を一側部分の２つの端部で支
持し、かつ、第３の接続線Z-Z′を規定している。前記
第３の慣性質量部分２は第３の接続線Z-Z′の周囲に非
対称的に配置されている。センサ素子X,Yの慣性質量部
分２はウェーハ基板３のエッチング除去した部分とエピ
タキシアル層４とからなりウェーハ全厚（約500μｍ）
にわたって延び、他方センサ素子Ｚ（第６図）の慣性質
量部分は専らウェーハ表面に直角な方向での選択感度を
保証するためエピタキシアル層４のエッチング除去した
部分からのみ構成してある。
を検出するのに役立つ２個の相互に90°回動した同一の
センサ素子と図示平面に直角な運動変化に反応するセン
サ素子Ｚとからなる。各センサ素子は加速力の作用を受
ける慣性質量部分とリセット素子と機械的作用を電気信
号に変換する変換素子とから構成してある。３個のセン
サのリセット素子はトーションバー１であり、その回転
軸ｄはセンサ素子X,Yの場合B-B′断面上、センサ素子Ｚ
の場合Z-Z′断面上にある。トーションバー１が各１個
の慣性質量部分２を担持し、その重心は回転軸ｄの十分
外側にある。同一センサ素子X,Yの慣性質量部分２の配
置は第２図，第３図，第４図の断面図に、そしてセンサ
素子Ｚについては第5,6図に示してあり、これらの断面
図は第１図の定義に従っている。第１図に示すように、
センサ素子（Ｘ軸方向センサ）Ｘは、第１のトーション
バー１とこれらのトーションバー１のひとつの内部に設
けられている第１の電気機械変換素子とによって構成さ
れている。前記第１のトーションバー１は、第１の慣性
質量部分２を中央部分の２つの端部で支持し、かつ、第
１の接続線B-B′を規定している。前記第１の慣性質量
部分２は、第１の接続線B-B′の周囲に対称的に配置さ
れている。センサ素子（Ｙ軸方向センサ）Ｙは、第２の
トーションバー１とこれらのトーションバー１のひとつ
の内部に設けられている第２の電気機械変換素子とによ
って構成されている。前記第２のトーションバー１は、
第２の慣性質量部分２を中央部分の２つの端部で支持
し、かつ、第２の接続線B-B′を規定している。前記第
２の慣性質量部分２は第２の接続線B-B′の周囲に対称
的に配置されている。センサ素子（Ｚ軸方向センサ）Ｚ
は、第３のトーションバー１とこれらのトーションバー
１のひとつの内部に設けられた第３の電気機械変換素子
によって構成されている。前記第３のトーションバー１
は、第３の慣性質量部分２を一側部分の２つの端部で支
持し、かつ、第３の接続線Z-Z′を規定している。前記
第３の慣性質量部分２は第３の接続線Z-Z′の周囲に非
対称的に配置されている。センサ素子X,Yの慣性質量部
分２はウェーハ基板３のエッチング除去した部分とエピ
タキシアル層４とからなりウェーハ全厚（約500μｍ）
にわたって延び、他方センサ素子Ｚ（第６図）の慣性質
量部分は専らウェーハ表面に直角な方向での選択感度を
保証するためエピタキシアル層４のエッチング除去した
部分からのみ構成してある。
質量重心の偏心位置により慣性質量部分２は運動が変
化するとトーション軸ｄを中心にトルクを加える。有効
トルクはトーションバー１中の機械的応力を測定するこ
とで測定される。このためトーションバーの範囲でイオ
ン注入を利用して圧電抵抗素子ｐが電気機械変換素子と
して集積される（第３図）。
化するとトーション軸ｄを中心にトルクを加える。有効
トルクはトーションバー１中の機械的応力を測定するこ
とで測定される。このためトーションバーの範囲でイオ
ン注入を利用して圧電抵抗素子ｐが電気機械変換素子と
して集積される（第３図）。
上述の微細機械的集積加速度測定配置が請求項９によ
れば異方性エッチング法により製造可能であり、その過
程が第７図に概略示してある。第7A図の出発材料はｐ添
加シリコンウェーハ３（方位〈100〉）からなり、その
表面には約10μｍ厚のｎエピタキシアル層４、そしてそ
れに続いて表面と裏面には窒化ケイ素からなるパッシベ
ーション膜５が堆積される。ホトリソグラフィー，イオ
ン注入及び拡散を利用してウェーハ表面に信号変換用圧
電抵抗素子が製造される。その後、ウェーハ表面と裏面
にホトリソグラフィーを利用して加速度センサの構造を
設けてパッシベーション膜からエッチング除去される
（第7B図）。トーションバーの幅は約60乃至100μｍ、
慣性質量部分の幅は数百μｍである。表面に金属膜６が
被着され、ウェーハは裏面からKOH-H2Oエッチング液内
で電気化学的にエッチングされる（第7C図参照）。この
エッチング過程はpn接合で自動的に停止する。エッチン
グ終了後、ウェーハ裏面がパッシベーションされ、金属
膜６が表面から除去される。ウェーハ表面４の異方性エ
ッチングがセンサ素子の構造を完全なものにする（第7D
図参照）。最後にウェーハ表面のパッシベーション膜５
を除去する。この方法を利用して１つのシリコンウェー
ハ上に数百個の加速度測定装置を同時に製造することが
できる。
れば異方性エッチング法により製造可能であり、その過
程が第７図に概略示してある。第7A図の出発材料はｐ添
加シリコンウェーハ３（方位〈100〉）からなり、その
表面には約10μｍ厚のｎエピタキシアル層４、そしてそ
れに続いて表面と裏面には窒化ケイ素からなるパッシベ
ーション膜５が堆積される。ホトリソグラフィー，イオ
ン注入及び拡散を利用してウェーハ表面に信号変換用圧
電抵抗素子が製造される。その後、ウェーハ表面と裏面
にホトリソグラフィーを利用して加速度センサの構造を
設けてパッシベーション膜からエッチング除去される
（第7B図）。トーションバーの幅は約60乃至100μｍ、
慣性質量部分の幅は数百μｍである。表面に金属膜６が
被着され、ウェーハは裏面からKOH-H2Oエッチング液内
で電気化学的にエッチングされる（第7C図参照）。この
エッチング過程はpn接合で自動的に停止する。エッチン
グ終了後、ウェーハ裏面がパッシベーションされ、金属
膜６が表面から除去される。ウェーハ表面４の異方性エ
ッチングがセンサ素子の構造を完全なものにする（第7D
図参照）。最後にウェーハ表面のパッシベーション膜５
を除去する。この方法を利用して１つのシリコンウェー
ハ上に数百個の加速度測定装置を同時に製造することが
できる。
本方法のここでは詳しく説明していない１展開ではセ
ンサ構造がＸ線深部リソグラフィーとガルバーニ鋳造に
より製造される。
ンサ構造がＸ線深部リソグラフィーとガルバーニ鋳造に
より製造される。
Claims (12)
- 【請求項１】慣性質量部分を備えたトーションバーと電
気機械変換素子とからなり微細機械法により製造可能な
３つの方向感知センサを備えた加速度測定装置におい
て、前記方向感知センサは３つの空間軸X,Y,Zの運動を
Ｘ軸,Y軸，およびＺ軸方向センサとして感知し、かつ、
結晶表層平面の異なる領域に集積し、前記Ｘ軸およびＹ
軸方向センサは第１および第２のトーションバーとこれ
らのトーションバーの内部に設けられた第１および第２
の電気機械変換素子とによって構成され、前記第１のト
ーションバーは第１の慣性質量部分を第１の中央部分の
２つの端部で支持し、かつ、第１の接続線を規定し、前
記第１の慣性質量部分は前記結晶表層平面において前記
第１の接続線の周囲に対称的に配置され、前記第２のト
ーションバーは第２の慣性質量部分を第２の中央部分の
２つの端部で支持し、かつ、第２の接続線を規定し、前
記第２の慣性質量部分は前記結晶表層平面において前記
第２の接続線の周囲に対称的に配置され、前記Ｚ軸方向
センサは第３のトーションバーとこれらのトーションバ
ーのひとつの内部に設けられた第３の電気機械変換素子
とによって構成され、前記第３のトーションバーは一側
部分を２つの端部で支持し、かつ、第３の接続線を規定
し、前記第３の慣性質量部分は前記結晶表層平面におい
て前記第３の接続線の周囲に非対称的に配置されている
ことを特徴とする加速度測定装置。 - 【請求項２】３つの感度方向が互いにほぼ直交している
ことを特徴とする請求項１記載の加速度測定装置。 - 【請求項３】慣性質量部分の重心が前記トーションバー
の回転軸の十分外側にあることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の加速度測定装置。 - 【請求項４】トーションバーがシリコンからなることを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の加速度
測定装置。 - 【請求項５】装置の出発材料がシリコン単結晶であるこ
とを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の加
速度測定装置。 - 【請求項６】電気機械変換素子がシリコン内のピエゾ抵
抗効果を利用してトーションバー中で機械的応力を測定
するため集積した圧電抵抗素子として構成してあること
を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の加速
度測定装置。 - 【請求項７】センサ素子を評価回路と一緒に同じ結晶表
面に集積したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
か１項記載の加速度測定装置。 - 【請求項８】トーションバー中での機械的応力の測定を
前記慣性質量部分の表面と基板に設けられた金属板間に
存在する容量の変化で行うことを特徴とする請求項１乃
至５のいずれか１項記載の加速度測定装置。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれか１項記載の装置
を製造する方法において、 A.或る種の不純物を有する半導体エピタキシアル層４を
別種の不純物を添加したシリコンウェーハ３上に堆積
（pn接合）、窒化ケイ素からなるパッシベーション膜５
の堆積、圧電抵抗素子の集積、 B.ウェーハ表面、裏面のホトリソグラフィー構造化、パ
ッシベーション膜５のエッチング、 C.ウェーハ表面６のメタライゼーション、KOH-H2Oエッ
チング液中でウェーハ裏面の異方性電気化学的エッチン
グ（この場合エッチング過程はpn接合で自動的に止まる
ようにする）、 D.ウェーハ裏面のパッシベーション、表面からメタライ
ゼーション膜の除去、ウェーハ表面のエピタキシアル層
の異方性エッチング、裏面のパッシベーション膜の除
去、 以上の工程を有することを特徴とする加速度測定装置の
製造方法。 - 【請求項１０】前記工程Ａのパッシベーション膜として
酸化ケイ素を堆積させることを特徴とする請求項９記載
の装置の製造方法。 - 【請求項１１】前記工程Ａの半導体エピタキシアル層を
ホウ素高添加ｐ膜と低添加膜とからなる膜系列に取り代
えることを特徴とする請求項９記載の装置の製造方法。 - 【請求項１２】請求項９記載の製造方法において、Ｘ線
深部リソグラフィーとガルバーニ鋳造とを利用して基板
上にセンサ構造を構成することを特徴とする製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3741036.9 | 1987-12-03 | ||
| DE19873741036 DE3741036A1 (de) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | Mikromechanischer beschleunigungsmesser |
| PCT/DE1988/000740 WO1989005459A2 (en) | 1987-12-03 | 1988-12-01 | Device for measuring acceleration |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03501520A JPH03501520A (ja) | 1991-04-04 |
| JPH0833409B2 true JPH0833409B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=6341834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1500286A Expired - Lifetime JPH0833409B2 (ja) | 1987-12-03 | 1988-12-01 | 加速度測定装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5065628A (ja) |
| EP (1) | EP0394305B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0833409B2 (ja) |
| AT (1) | ATE87746T1 (ja) |
| DE (2) | DE3741036A1 (ja) |
| WO (1) | WO1989005459A2 (ja) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4022495A1 (de) * | 1990-07-14 | 1992-01-23 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanischer drehratensensor |
| JPH04258175A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン半導体加速度センサの製造方法 |
| JPH05333038A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Canon Inc | 角速度センサ |
| JPH0690014A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | 薄型太陽電池及びその製造方法，エッチング方法及び自動エッチング装置，並びに半導体装置の製造方法 |
| DE4322034A1 (de) * | 1992-08-06 | 1994-02-10 | Deutsche Aerospace | Kontaktierung und Verkapselung von integrierten Schaltungsmodulen |
| SE500615C2 (sv) * | 1992-12-03 | 1994-07-25 | Gert Andersson | Anordning för mätning av kraftkomponenter, förfarande för framställning av dylik samt användning därav. |
| FR2700065B1 (fr) | 1992-12-28 | 1995-02-10 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de fabrication d'accéléromètres utilisant la technologie silicium sur isolant. |
| DE4340664C2 (de) * | 1993-11-30 | 1999-02-11 | Helmut Dipl Ing Dr Crazzolara | Piezoresistiver Beschleunigungsaufnehmer |
| US6559117B1 (en) | 1993-12-13 | 2003-05-06 | The Procter & Gamble Company | Viscosity stable concentrated liquid fabric softener compositions |
| JPH08211091A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-08-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度検出装置 |
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| JP3311633B2 (ja) * | 1997-04-04 | 2002-08-05 | 日本碍子株式会社 | センサユニット |
| DE19750350C1 (de) * | 1997-11-13 | 1999-08-05 | Univ Dresden Tech | Dreidimensionaler Chip-Beschleunigungssensor und Verfahren zu seiner Herstellung mittels UV-unterstützter Mikrogalvanik |
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| FI119528B (fi) | 2003-02-11 | 2008-12-15 | Vti Technologies Oy | Kapasitiivinen kiihtyvyysanturirakenne |
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| WO2010059433A2 (en) | 2008-11-07 | 2010-05-27 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Mems dosimeter |
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| EP2607849A1 (en) | 2011-12-22 | 2013-06-26 | Tronics Microsystems S.A. | Multiaxial micro-electronic inertial sensor |
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| KR101915954B1 (ko) * | 2016-06-29 | 2018-11-08 | 주식회사 신성씨앤티 | 멤스 기반의 3축 가속도 센서 |
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| GB2174500B (en) * | 1985-05-04 | 1988-02-10 | Stc Plc | Accelerometer |
| JPS62118260A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Fujitsu Ltd | 加速度センサ |
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1987
- 1987-12-03 DE DE19873741036 patent/DE3741036A1/de not_active Ceased
-
1988
- 1988-12-01 WO PCT/DE1988/000740 patent/WO1989005459A2/de not_active Ceased
- 1988-12-01 US US07/477,964 patent/US5065628A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1988-12-01 DE DE8989900182T patent/DE3879958D1/de not_active Expired - Lifetime
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