JPH08334555A - Ｓｑｕｉｄ磁束計及びｓｑｕｉｄ磁束計の校正方法 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ磁束計及びｓｑｕｉｄ磁束計の校正方法Info
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- JPH08334555A JPH08334555A JP7161601A JP16160195A JPH08334555A JP H08334555 A JPH08334555 A JP H08334555A JP 7161601 A JP7161601 A JP 7161601A JP 16160195 A JP16160195 A JP 16160195A JP H08334555 A JPH08334555 A JP H08334555A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイナミック特性、特に周波数特性、耐ノイ
ズ性能を向上させたＳＱＵＩＤ磁束計を提供する。 【構成】 ＳＱＵＩＤアレイＡa を備えたマグネトメー
タと、このマグネトメータとは磁場感度の方向が逆とな
るようにＳＱＵＩＤアレイＡb を備えたマグネトメータ
を配置した。また、各マグネトメータのＳＱＵＩＤへバ
イアス磁束を注入するための電流値が、ｉmbi ＝Ｉ0i＋
Ｉm ・ｓｉｎωｔで表わされるとき、Ｉ0iを操作して各
位相を一致させ、振幅Ｉm を等しく変調したとき、ＳＱ
ＵＩＤの出力を最小となるようにバイアス電流源を調整
して磁束電圧変換率を一致させるように各マグネトメー
タを校正する。
ズ性能を向上させたＳＱＵＩＤ磁束計を提供する。 【構成】 ＳＱＵＩＤアレイＡa を備えたマグネトメー
タと、このマグネトメータとは磁場感度の方向が逆とな
るようにＳＱＵＩＤアレイＡb を備えたマグネトメータ
を配置した。また、各マグネトメータのＳＱＵＩＤへバ
イアス磁束を注入するための電流値が、ｉmbi ＝Ｉ0i＋
Ｉm ・ｓｉｎωｔで表わされるとき、Ｉ0iを操作して各
位相を一致させ、振幅Ｉm を等しく変調したとき、ＳＱ
ＵＩＤの出力を最小となるようにバイアス電流源を調整
して磁束電圧変換率を一致させるように各マグネトメー
タを校正する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＱＵＩＤ（Supercon
ducting Quantum Interference Device ：超伝導量子干
渉デバイス）を使用して磁場を計測するＳＱＵＩＤ磁束
計に関し、特に、ＳＱＵＩＤを複数個接続したＳＱＵＩ
Ｄアレイを用いたＳＱＵＩＤ磁束計に関する。ここに、
ＳＱＵＩＤとは、液体ヘリウムや液体窒素等により断熱
容器（クライオスタット等）内で低温状態に維持され、
ループ内にジョセフソン接合を含む超伝導ループである
ＳＱＵＩＤループに直流電流をバイアス電流として印加
して駆動し、このＳＱＵＩＤループ内に、ピックアップ
コイルやインプットコイル等を介して、あるいは直接外
部からの磁束を結合して印加すると、ＳＱＵＩＤループ
に周回電流が誘起され、ループ内のジョセフソン接合に
おける量子的な干渉効果により、印加された外部磁束の
微弱な変化を出力電圧の大きな変化に変換するトランス
デューサとして動作することを利用して、微小磁束変化
を測定する素子である。
ducting Quantum Interference Device ：超伝導量子干
渉デバイス）を使用して磁場を計測するＳＱＵＩＤ磁束
計に関し、特に、ＳＱＵＩＤを複数個接続したＳＱＵＩ
Ｄアレイを用いたＳＱＵＩＤ磁束計に関する。ここに、
ＳＱＵＩＤとは、液体ヘリウムや液体窒素等により断熱
容器（クライオスタット等）内で低温状態に維持され、
ループ内にジョセフソン接合を含む超伝導ループである
ＳＱＵＩＤループに直流電流をバイアス電流として印加
して駆動し、このＳＱＵＩＤループ内に、ピックアップ
コイルやインプットコイル等を介して、あるいは直接外
部からの磁束を結合して印加すると、ＳＱＵＩＤループ
に周回電流が誘起され、ループ内のジョセフソン接合に
おける量子的な干渉効果により、印加された外部磁束の
微弱な変化を出力電圧の大きな変化に変換するトランス
デューサとして動作することを利用して、微小磁束変化
を測定する素子である。
【０００２】
【従来の技術】従来、２個のジョセフソン接合を含むｄ
ｃＳＱＵＩＤを用いた磁束計としては、低温環境（冷却
系）を維持するための冷却剤である液体ヘリウムを貯め
ておく断熱格納容器であるデュワー（又はクライオスタ
ット）と、液体ヘリウム中で動作するＳＱＵＩＤプロー
ブと、室温で動作するアンプ（増幅器）及びコントロー
ラを備えて構成され、液体ヘリウム中のＳＱＵＩＤプロ
ーブと室温のアンプとは同軸ケーブルもしくはツイスト
ケーブル等で接続されて構成されたものが知られてい
る。このようなＳＱＵＩＤ磁束計は磁束分解能が１０-5
φ。／Ｈｚ1/2 （φ。：磁束量子）から１０-6φ。／Ｈ
ｚ1/2 と、非常に高感度であり、また、ＳＱＵＩＤの応
答は非常に早く、数GHz （ギガヘルツ）ないし数１０GH
z で動作するのが特徴である。しかし、上記従来のＳＱ
ＵＩＤ磁束計においては、磁束分解能が非常に高感度で
あるため、外来ノイズや誘導ノイズに弱い、という欠点
があった。また、ＳＱＵＩＤは、通常、「ＦＬＬ：Flux
Locked Loop（磁束ロックループ）」と呼ばれる線形動
作のためのフィードバック回路を設けて「ゼロ位法」が
成立するように制御される。ＦＬＬとは、ＳＱＵＩＤ出
力を増幅するとともにそのＳＱＵＩＤ出力を磁束の形で
ループ回路状にＳＱＵＩＤリングに帰還させる方法であ
る。この方法により、ＳＱＵＩＤリング内の磁束が特定
の値に保持（磁束ロック）されるため、ＳＱＵＩＤリン
グ内は磁束が特定の値（動作点）に保たれ、この動作点
からの変位磁束に対してＳＱＵＩＤは電圧を発生するこ
とになる。この場合、ＦＬＬ回路が追随できないような
大振幅又は高速の外来磁気ノイズがＳＱＵＩＤに加わっ
たり、ＦＬＬ回路内に電気的なパルスノイズが加わる
と、ＦＬＬループの動作点が外れ（「ロック外れ」とい
う。）、その後の線形動作が阻害される、という欠点が
あった。上記の問題を解決するために、外来ノイズを打
ち消すための１つの方法として、グラジオメータと呼ば
れる１対の差動コイルを用い、入力信号を非同相成分と
して拾い、超伝導トランスでＳＱＵＩＤリングに磁束伝
達することで、同相信号を除去することが広く行なわれ
ている。
ｃＳＱＵＩＤを用いた磁束計としては、低温環境（冷却
系）を維持するための冷却剤である液体ヘリウムを貯め
ておく断熱格納容器であるデュワー（又はクライオスタ
ット）と、液体ヘリウム中で動作するＳＱＵＩＤプロー
ブと、室温で動作するアンプ（増幅器）及びコントロー
ラを備えて構成され、液体ヘリウム中のＳＱＵＩＤプロ
ーブと室温のアンプとは同軸ケーブルもしくはツイスト
ケーブル等で接続されて構成されたものが知られてい
る。このようなＳＱＵＩＤ磁束計は磁束分解能が１０-5
φ。／Ｈｚ1/2 （φ。：磁束量子）から１０-6φ。／Ｈ
ｚ1/2 と、非常に高感度であり、また、ＳＱＵＩＤの応
答は非常に早く、数GHz （ギガヘルツ）ないし数１０GH
z で動作するのが特徴である。しかし、上記従来のＳＱ
ＵＩＤ磁束計においては、磁束分解能が非常に高感度で
あるため、外来ノイズや誘導ノイズに弱い、という欠点
があった。また、ＳＱＵＩＤは、通常、「ＦＬＬ：Flux
Locked Loop（磁束ロックループ）」と呼ばれる線形動
作のためのフィードバック回路を設けて「ゼロ位法」が
成立するように制御される。ＦＬＬとは、ＳＱＵＩＤ出
力を増幅するとともにそのＳＱＵＩＤ出力を磁束の形で
ループ回路状にＳＱＵＩＤリングに帰還させる方法であ
る。この方法により、ＳＱＵＩＤリング内の磁束が特定
の値に保持（磁束ロック）されるため、ＳＱＵＩＤリン
グ内は磁束が特定の値（動作点）に保たれ、この動作点
からの変位磁束に対してＳＱＵＩＤは電圧を発生するこ
とになる。この場合、ＦＬＬ回路が追随できないような
大振幅又は高速の外来磁気ノイズがＳＱＵＩＤに加わっ
たり、ＦＬＬ回路内に電気的なパルスノイズが加わる
と、ＦＬＬループの動作点が外れ（「ロック外れ」とい
う。）、その後の線形動作が阻害される、という欠点が
あった。上記の問題を解決するために、外来ノイズを打
ち消すための１つの方法として、グラジオメータと呼ば
れる１対の差動コイルを用い、入力信号を非同相成分と
して拾い、超伝導トランスでＳＱＵＩＤリングに磁束伝
達することで、同相信号を除去することが広く行なわれ
ている。
【０００３】しかし、ピックアップコイルを用いて外部
磁場をＳＱＵＩＤリングに磁束結合すると、ピックアッ
プコイルのインダクタンスがＳＱＵＩＤのインダクタン
スに比べて通常非常に大きいため、磁束伝達効率が数％
以下と極めて低くなる、という問題点があった。一方、
ＳＱＵＩＤリングで外部磁場を直接拾うと磁場に対する
感度は大きくなるが、ＳＱＵＩＤリングのインダクタン
スが大きくなるため雑音が増える、という欠点があっ
た。このため１対のＳＱＵＩＤリングでグラジオメータ
を構成する方式が考案されたが、グラジオメータではベ
ースラインを長くとらなければならず、ベースラインを
長くとるとるとインダクタンスが大きくなることから、
ＳＱＵＩＤリングでグラジオメータを構成することによ
り外来ノイズを打ち消そうとする対策は事実上不可能で
あった。これにかわる対策として、現在、ＳＱＵＩＤリ
ングで外部磁場を直接検出するタイプの磁束計では、２
個のマグネトメータをそれぞれベースライン長だけ離し
て設置し、各々のマグネトメータの電気信号出力の差分
をとることにより、上記のグラジオメータと同様に外来
ノイズのキャンセルが行なわれている。以下、この方式
を「２マグネトメータ方式」と呼ぶ。マグネトメータと
は、グラジオメータのような差動コイルを用いず、通常
のピックアップコイルにより外部磁場を拾いＳＱＵＩＤ
リングに結合するタイプのＳＱＵＩＤ磁束計をいう。
磁場をＳＱＵＩＤリングに磁束結合すると、ピックアッ
プコイルのインダクタンスがＳＱＵＩＤのインダクタン
スに比べて通常非常に大きいため、磁束伝達効率が数％
以下と極めて低くなる、という問題点があった。一方、
ＳＱＵＩＤリングで外部磁場を直接拾うと磁場に対する
感度は大きくなるが、ＳＱＵＩＤリングのインダクタン
スが大きくなるため雑音が増える、という欠点があっ
た。このため１対のＳＱＵＩＤリングでグラジオメータ
を構成する方式が考案されたが、グラジオメータではベ
ースラインを長くとらなければならず、ベースラインを
長くとるとるとインダクタンスが大きくなることから、
ＳＱＵＩＤリングでグラジオメータを構成することによ
り外来ノイズを打ち消そうとする対策は事実上不可能で
あった。これにかわる対策として、現在、ＳＱＵＩＤリ
ングで外部磁場を直接検出するタイプの磁束計では、２
個のマグネトメータをそれぞれベースライン長だけ離し
て設置し、各々のマグネトメータの電気信号出力の差分
をとることにより、上記のグラジオメータと同様に外来
ノイズのキャンセルが行なわれている。以下、この方式
を「２マグネトメータ方式」と呼ぶ。マグネトメータと
は、グラジオメータのような差動コイルを用いず、通常
のピックアップコイルにより外部磁場を拾いＳＱＵＩＤ
リングに結合するタイプのＳＱＵＩＤ磁束計をいう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＦＬＬ
回路を用いる場合には、その開ループ利得が周波数に反
比例して低下するため、グラジオメータの同相信号を除
去する割合の周波数特性は高周波帯域で低下する。した
がって、この２マグネトメータ方式では、高速のノイズ
信号が含まれる環境下においては雑音除去特性が低い、
という欠点があった。
回路を用いる場合には、その開ループ利得が周波数に反
比例して低下するため、グラジオメータの同相信号を除
去する割合の周波数特性は高周波帯域で低下する。した
がって、この２マグネトメータ方式では、高速のノイズ
信号が含まれる環境下においては雑音除去特性が低い、
という欠点があった。
【０００５】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたものであり、ＳＱＵＩＤのダイナミック特性と
くに、周波数特性、耐ノイズ性能を向上させたＳＱＵＩ
Ｄ磁束計を提供することを目的とする。
なされたものであり、ＳＱＵＩＤのダイナミック特性と
くに、周波数特性、耐ノイズ性能を向上させたＳＱＵＩ
Ｄ磁束計を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、１
又はアレイ状のＳＱＵＩＤを備えたｎ個（ｎ：ｎ≧１な
る自然数）の第１マグネトメータと、前記第１マグネト
メータとは磁場感度の方向が逆となるようにｎ個の第２
マグネトメータを配置したことを特徴とする。
め、請求項１記載の発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計は、１
又はアレイ状のＳＱＵＩＤを備えたｎ個（ｎ：ｎ≧１な
る自然数）の第１マグネトメータと、前記第１マグネト
メータとは磁場感度の方向が逆となるようにｎ個の第２
マグネトメータを配置したことを特徴とする。
【０００７】また、請求項２記載の発明に係るＳＱＵＩ
Ｄ磁束計は、請求項１記載のＳＱＵＩＤ磁束計におい
て、前記ＳＱＵＩＤの出力端子から前記ＳＱＵＩＤに直
接に負帰還を行う１又はアレイ状の負帰還コイルと、前
記負帰還の量を制御する負帰還抵抗と、を備え、前記Ｓ
ＱＵＩＤと前記負帰還コイルとの結合容量をＭn とし、
前記ＳＱＵＩＤが１個の場合の磁束電圧変換率をｄＶ／
ｄφとし、前記負帰還抵抗値をＲn としたとき、下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ を満足するように構成されることを特徴とする。
Ｄ磁束計は、請求項１記載のＳＱＵＩＤ磁束計におい
て、前記ＳＱＵＩＤの出力端子から前記ＳＱＵＩＤに直
接に負帰還を行う１又はアレイ状の負帰還コイルと、前
記負帰還の量を制御する負帰還抵抗と、を備え、前記Ｓ
ＱＵＩＤと前記負帰還コイルとの結合容量をＭn とし、
前記ＳＱＵＩＤが１個の場合の磁束電圧変換率をｄＶ／
ｄφとし、前記負帰還抵抗値をＲn としたとき、下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ を満足するように構成されることを特徴とする。
【０００８】また、請求項３記載の発明に係るＳＱＵＩ
Ｄ磁束計は、請求項１又は請求項２記載のＳＱＵＩＤ磁
束計において、前記ＳＱＵＩＤを駆動するバイアス電流
源と、前記ＳＱＵＩＤにバイアス磁束を注入するバイア
ス磁束注入源を有し、前記ＳＱＵＩＤの位相又は感度を
調整することを特徴とする。
Ｄ磁束計は、請求項１又は請求項２記載のＳＱＵＩＤ磁
束計において、前記ＳＱＵＩＤを駆動するバイアス電流
源と、前記ＳＱＵＩＤにバイアス磁束を注入するバイア
ス磁束注入源を有し、前記ＳＱＵＩＤの位相又は感度を
調整することを特徴とする。
【０００９】また、請求項４記載の発明に係るＳＱＵＩ
Ｄ磁束計は、請求項１ないし請求項３記載のＳＱＵＩＤ
磁束計において、前記負帰還コイルにおける負帰還の符
号を反転させることに前記磁場感度の方向を反転させる
ことを特徴とする。
Ｄ磁束計は、請求項１ないし請求項３記載のＳＱＵＩＤ
磁束計において、前記負帰還コイルにおける負帰還の符
号を反転させることに前記磁場感度の方向を反転させる
ことを特徴とする。
【００１０】また、請求項５記載の発明に係るＳＱＵＩ
Ｄ磁束計は、請求項１ないし請求項４記載のＳＱＵＩＤ
磁束計において、前記バイアス電流源を独立にＯＮ又は
ＯＦＦ可能としたことを特徴とする。
Ｄ磁束計は、請求項１ないし請求項４記載のＳＱＵＩＤ
磁束計において、前記バイアス電流源を独立にＯＮ又は
ＯＦＦ可能としたことを特徴とする。
【００１１】また、請求項６記載の発明に係るＳＱＵＩ
Ｄ磁束計の校正方法は、１又はアレイ状のＳＱＵＩＤを
備えたｎ個（ｎ：ｎ≧１なる自然数）の第１マグネトメ
ータと、前記第１マグネトメータとは磁場感度の方向が
逆となるようにｎ個の第２マグネトメータを配置し、バ
イアス電流源とバイアス磁束注入源を備えたＳＱＵＩＤ
磁束計の校正方法であって、前記各マグネトメータのｉ
番目のＳＱＵＩＤへバイアス磁束を注入するための電流
値が、下式 ｉmbi ＝Ｉ0i＋Ｉm ・ｓｉｎωｔ で表わされるとき、上式右辺中のＩ0iを操作することに
より各位相を一致させ、かつ上式右辺中の振幅Ｉm を等
しく変調したとき、ＳＱＵＩＤの出力を最小となるよう
に前記バイアス電流源を調整して磁束電圧変換率を一致
させるように前記各マグネトメータを校正することを特
徴とする。
Ｄ磁束計の校正方法は、１又はアレイ状のＳＱＵＩＤを
備えたｎ個（ｎ：ｎ≧１なる自然数）の第１マグネトメ
ータと、前記第１マグネトメータとは磁場感度の方向が
逆となるようにｎ個の第２マグネトメータを配置し、バ
イアス電流源とバイアス磁束注入源を備えたＳＱＵＩＤ
磁束計の校正方法であって、前記各マグネトメータのｉ
番目のＳＱＵＩＤへバイアス磁束を注入するための電流
値が、下式 ｉmbi ＝Ｉ0i＋Ｉm ・ｓｉｎωｔ で表わされるとき、上式右辺中のＩ0iを操作することに
より各位相を一致させ、かつ上式右辺中の振幅Ｉm を等
しく変調したとき、ＳＱＵＩＤの出力を最小となるよう
に前記バイアス電流源を調整して磁束電圧変換率を一致
させるように前記各マグネトメータを校正することを特
徴とする。
【００１２】
【作用】上記構成を有する本発明の第１の発明によれ
ば、それぞれ逆方向の磁場感度を持つ同数のマグネトメ
ータを配置したので、グラジオメータとして動作させる
ことができる。このＳＱＵＩＤ磁束計は、負帰還コイル
と負帰還抵抗を設けて構成することができる。また、バ
イアス電流源とバイアス磁束注入源を設け、ＳＱＵＩＤ
の位相又は感度を調整することができる。また、負帰還
コイルの負帰還の符号を反転させることにより磁場感度
の方向を反転させることができる。また、バイアス電流
源を独立にＯＮ又はＯＦＦすることにより、１次微分型
グラジオメータ、２次微分型グラジオメータ、単なるマ
グネトメータとして動作させることができる。また、本
発明の第２の発明によれば、ＳＱＵＩＤ磁束計を構成す
る各マグネトメータの磁場感度等を容易に校正すること
ができ、第１の発明のＳＱＵＩＤ磁束計において、同相
磁場入力に対するキャンセル率を十分大きくとることが
できる。
ば、それぞれ逆方向の磁場感度を持つ同数のマグネトメ
ータを配置したので、グラジオメータとして動作させる
ことができる。このＳＱＵＩＤ磁束計は、負帰還コイル
と負帰還抵抗を設けて構成することができる。また、バ
イアス電流源とバイアス磁束注入源を設け、ＳＱＵＩＤ
の位相又は感度を調整することができる。また、負帰還
コイルの負帰還の符号を反転させることにより磁場感度
の方向を反転させることができる。また、バイアス電流
源を独立にＯＮ又はＯＦＦすることにより、１次微分型
グラジオメータ、２次微分型グラジオメータ、単なるマ
グネトメータとして動作させることができる。また、本
発明の第２の発明によれば、ＳＱＵＩＤ磁束計を構成す
る各マグネトメータの磁場感度等を容易に校正すること
ができ、第１の発明のＳＱＵＩＤ磁束計において、同相
磁場入力に対するキャンセル率を十分大きくとることが
できる。
【００１３】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の実施例について
説明する。本発明の第１実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計
のＳＱＵＩＤ付近の構成を図１に示す。図に示すよう
に、このＳＱＵＩＤ磁束計１０１は、負帰還回路を直接
接続したシリーズＳＱＵＩＤアレイを超伝導または常伝
導線で直列接続した１次微分型磁束計のＳＱＵＩＤ付近
の接続関係を示しており、直列に接続されたＮ個（Ｎ：
Ｎ≧１なる自然数）のｄｃＳＱＵＩＤＳa1〜ＳaNからな
るＳＱＵＩＤアレイＡa と、直列に接続されたＮ個のｄ
ｃＳＱＵＩＤＳb1〜ＳbNからなりＳＱＵＩＤアレイＡa
の一端に接続されたＳＱＵＩＤアレイＡb と、ＳＱＵＩ
ＤアレイＡa の両端に並列接続される負帰還回路Ｎa
と、ＳＱＵＩＤアレイＡb の両端に並列接続される負帰
還回路Ｎbを備えて構成されている。また、ＳＱＵＩＤ
アレイＡa の一端は端子Ｔa に接続し、ＳＱＵＩＤアレ
イＡa の他端とＳＱＵＩＤアレイＡb の一端は端子Ｔb
に接続している。また、ＳＱＵＩＤアレイＡb の他端は
端子Ｔc に接続している。上記の各ＳＱＵＩＤアレイＡ
a と負帰還回路Ｎa は第１マグネトメータを、ＳＱＵＩ
ＤアレイＡb と負帰還回路Ｎb は第２マグネトメータ
を、それぞれ構成している。
説明する。本発明の第１実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計
のＳＱＵＩＤ付近の構成を図１に示す。図に示すよう
に、このＳＱＵＩＤ磁束計１０１は、負帰還回路を直接
接続したシリーズＳＱＵＩＤアレイを超伝導または常伝
導線で直列接続した１次微分型磁束計のＳＱＵＩＤ付近
の接続関係を示しており、直列に接続されたＮ個（Ｎ：
Ｎ≧１なる自然数）のｄｃＳＱＵＩＤＳa1〜ＳaNからな
るＳＱＵＩＤアレイＡa と、直列に接続されたＮ個のｄ
ｃＳＱＵＩＤＳb1〜ＳbNからなりＳＱＵＩＤアレイＡa
の一端に接続されたＳＱＵＩＤアレイＡb と、ＳＱＵＩ
ＤアレイＡa の両端に並列接続される負帰還回路Ｎa
と、ＳＱＵＩＤアレイＡb の両端に並列接続される負帰
還回路Ｎbを備えて構成されている。また、ＳＱＵＩＤ
アレイＡa の一端は端子Ｔa に接続し、ＳＱＵＩＤアレ
イＡa の他端とＳＱＵＩＤアレイＡb の一端は端子Ｔb
に接続している。また、ＳＱＵＩＤアレイＡb の他端は
端子Ｔc に接続している。上記の各ＳＱＵＩＤアレイＡ
a と負帰還回路Ｎa は第１マグネトメータを、ＳＱＵＩ
ＤアレイＡb と負帰還回路Ｎb は第２マグネトメータ
を、それぞれ構成している。
【００１４】上記の負帰還回路Ｎa は、電流制限用の負
帰還抵抗Ｒn と、負帰還用のコイルＬa1〜ＬaNが直列接
続されて構成されている。また、負帰還回路Ｎb は、電
流制限用の負帰還抵抗Ｒn と、負帰還用のコイルＬb1〜
ＬbNが直列接続されて構成されている。Ｊは各ｄｃＳＱ
ＵＩＤに設けられたジョセフソン接合である。また、図
示はされていないが、各ｄｃＳＱＵＩＤはシャント抵抗
でシャントされている。検出すべき磁束はＳＱＵＩＤリ
ングに直接伝達されるか、又はピックアップコイル（図
示せず）及び超伝導トランス（図示せず）により伝達さ
れる。
帰還抵抗Ｒn と、負帰還用のコイルＬa1〜ＬaNが直列接
続されて構成されている。また、負帰還回路Ｎb は、電
流制限用の負帰還抵抗Ｒn と、負帰還用のコイルＬb1〜
ＬbNが直列接続されて構成されている。Ｊは各ｄｃＳＱ
ＵＩＤに設けられたジョセフソン接合である。また、図
示はされていないが、各ｄｃＳＱＵＩＤはシャント抵抗
でシャントされている。検出すべき磁束はＳＱＵＩＤリ
ングに直接伝達されるか、又はピックアップコイル（図
示せず）及び超伝導トランス（図示せず）により伝達さ
れる。
【００１５】ここで、１個のｄｃＳＱＵＩＤと１個の負
帰還コイルとを結合する結合係数をＭn とし、１個のｄ
ｃＳＱＵＩＤの磁束電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、負帰
還抵抗値をＲn としたとき、下式 Ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ ………（１） を満足するように各回路要素の定数値が定められる。
帰還コイルとを結合する結合係数をＭn とし、１個のｄ
ｃＳＱＵＩＤの磁束電圧変換率をｄＶ／ｄφとし、負帰
還抵抗値をＲn としたとき、下式 Ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ ………（１） を満足するように各回路要素の定数値が定められる。
【００１６】図２は、上記の第１実施例のＳＱＵＩＤア
レイの感度面の方向を含めた空間的な素子の配置図であ
り、ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb は方形の基板上に薄膜
で形成されている。図２（Ａ）に示す例では、矢印は感
度面の方向を示し、この感度面の方向は基板Ｐa とＰb
では互いに逆方向を向いており、適当なベースライン間
隔Ｄ1 を隔てて対向するように配置する。
レイの感度面の方向を含めた空間的な素子の配置図であ
り、ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb は方形の基板上に薄膜
で形成されている。図２（Ａ）に示す例では、矢印は感
度面の方向を示し、この感度面の方向は基板Ｐa とＰb
では互いに逆方向を向いており、適当なベースライン間
隔Ｄ1 を隔てて対向するように配置する。
【００１７】次に、上記した各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，
Ａb を駆動し、ＳＱＵＩＤからの信号を増幅するための
磁束計の全体回路構成について図５を参照しつつ説明す
る。図５に示すように、このＳＱＵＩＤ磁束計１０１
は、独立したマグネトメータであるＳＱＵＩＤアレイＡ
a 及び負帰還回路Ｎa と、他の独立したマグネトメータ
であるとともに端子Ｔb でＳＱＵＩＤアレイＡa と接続
するＳＱＵＩＤアレイＡb 及び負帰還回路Ｎb と、これ
らのＳＱＵＩＤアレイＡa 及びＡb を駆動するバイアス
電流源３と、これらのＳＱＵＩＤアレイＡa 及びＡb の
端子Ｔa ，Ｔc からの出力を増幅する差動増幅器４及び
５と、各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb の動作点を設定す
るための可変電流源７及び８と、各ＳＱＵＩＤアレイＡ
a ，Ａb にバイアス磁束を注入するための磁束注入コイ
ルアレイ９及び１０を備えて構成されている。上記にお
いて、可変電流源７及び８と磁束注入コイルアレイ９及
び１０は、バイアス磁束注入源を構成している。
Ａb を駆動し、ＳＱＵＩＤからの信号を増幅するための
磁束計の全体回路構成について図５を参照しつつ説明す
る。図５に示すように、このＳＱＵＩＤ磁束計１０１
は、独立したマグネトメータであるＳＱＵＩＤアレイＡ
a 及び負帰還回路Ｎa と、他の独立したマグネトメータ
であるとともに端子Ｔb でＳＱＵＩＤアレイＡa と接続
するＳＱＵＩＤアレイＡb 及び負帰還回路Ｎb と、これ
らのＳＱＵＩＤアレイＡa 及びＡb を駆動するバイアス
電流源３と、これらのＳＱＵＩＤアレイＡa 及びＡb の
端子Ｔa ，Ｔc からの出力を増幅する差動増幅器４及び
５と、各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb の動作点を設定す
るための可変電流源７及び８と、各ＳＱＵＩＤアレイＡ
a ，Ａb にバイアス磁束を注入するための磁束注入コイ
ルアレイ９及び１０を備えて構成されている。上記にお
いて、可変電流源７及び８と磁束注入コイルアレイ９及
び１０は、バイアス磁束注入源を構成している。
【００１８】また、上記の差動増幅器５には、オフセッ
ト調整用の電圧源６が接続している。このオフセット電
圧はＶb に設定されている。そして、磁束注入コイルア
レイ９，１０を構成する各磁束注入コイルの相互インダ
クタンスはＭb となっている。また、バイアス電流源３
の電流値はｉb 、可変電流源７，８の電流値はそれぞれ
ｉmb1 ，ｉmb2 となっている。
ト調整用の電圧源６が接続している。このオフセット電
圧はＶb に設定されている。そして、磁束注入コイルア
レイ９，１０を構成する各磁束注入コイルの相互インダ
クタンスはＭb となっている。また、バイアス電流源３
の電流値はｉb 、可変電流源７，８の電流値はそれぞれ
ｉmb1 ，ｉmb2 となっている。
【００１９】次に、上記のＳＱＵＩＤ磁束計１０１の動
作について説明する。ＳＱＵＩＤ磁束計１０１のうちの
１つのマグネトメータ（例えばＳＱＵＩＤアレイＡa と
負帰還回路Ｎa とで構成されるマグネトメータ）につい
てみると、負帰還を上式（１）が成り立つようにかける
と、図８に示すＳＱＵＩＤの磁束−電圧曲線上の動作点
における実効的な磁束電圧変換率ｄＶ／ｄφeff は、下
式 ｄＶ／ｄφeff ＝Ｎ×ｄＶ／ｄφ／｛１＋（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）｝ ………（２） のように表わせる。
作について説明する。ＳＱＵＩＤ磁束計１０１のうちの
１つのマグネトメータ（例えばＳＱＵＩＤアレイＡa と
負帰還回路Ｎa とで構成されるマグネトメータ）につい
てみると、負帰還を上式（１）が成り立つようにかける
と、図８に示すＳＱＵＩＤの磁束−電圧曲線上の動作点
における実効的な磁束電圧変換率ｄＶ／ｄφeff は、下
式 ｄＶ／ｄφeff ＝Ｎ×ｄＶ／ｄφ／｛１＋（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）｝ ………（２） のように表わせる。
【００２０】負帰還を行うと、ＳＱＵＩＤの線形動作領
域は、図８におけるΦ1 からΦ2 のように１φ。
（φ。：磁束量子）近くまで拡大し、同時に非線形歪み
も低減される。図８において細線で示す特性は負帰還が
零の場合を示し、太線で示す特性は負帰還がある場合を
示している。ｄｃ−ＳＱＵＩＤにバイアス磁束をかけて
図８の曲線上の斜面の中央部に動作点の中心が来るよう
にすると、入力磁束に応じて、図１における端子Ｔa と
端子Ｔb の間、及び端子Ｔb と端子Ｔc の間に出力電圧
が現れる。
域は、図８におけるΦ1 からΦ2 のように１φ。
（φ。：磁束量子）近くまで拡大し、同時に非線形歪み
も低減される。図８において細線で示す特性は負帰還が
零の場合を示し、太線で示す特性は負帰還がある場合を
示している。ｄｃ−ＳＱＵＩＤにバイアス磁束をかけて
図８の曲線上の斜面の中央部に動作点の中心が来るよう
にすると、入力磁束に応じて、図１における端子Ｔa と
端子Ｔb の間、及び端子Ｔb と端子Ｔc の間に出力電圧
が現れる。
【００２１】図９は、上記の関係を示す図である。図２
（Ａ）に示すように、感度面の方向を対向させベースラ
イン間隔Ｄ1 を配して配置し、例えば基板Ｐa にはＳＱ
ＵＩＤアレイＡa が形成され、基板Ｐb にはＳＱＵＩＤ
アレイＡb が形成されるようにする。このようにする
と、各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb からは互いに逆符号
となる電圧が出力される。この互いに逆方向の出力を図
５の可変電流源７，８により両者の位相を合わせておく
と、各ｄｃ−ＳＱＵＩＤアレイの磁束電圧変換特性は、
図９に示すように、動作領域において特性曲線の傾きの
符号が逆になり、端子Ｔa 〜Ｔc 間においてはこれらが
加算された電圧出力が得られる。このとき、各ｄｃ−Ｓ
ＱＵＩＤアレイの出力電圧は符号が反対であるため、特
性曲線の傾きの絶対値が等しければ、出力電圧は相殺さ
れて零になる。すなわち、各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａ
b に同相でかつ大きさの等しい外部磁束が入ると各ＳＱ
ＵＩＤアレイの出力値は零になり、全体としては「１次
微分型グラジオメータ」として機能する。
（Ａ）に示すように、感度面の方向を対向させベースラ
イン間隔Ｄ1 を配して配置し、例えば基板Ｐa にはＳＱ
ＵＩＤアレイＡa が形成され、基板Ｐb にはＳＱＵＩＤ
アレイＡb が形成されるようにする。このようにする
と、各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb からは互いに逆符号
となる電圧が出力される。この互いに逆方向の出力を図
５の可変電流源７，８により両者の位相を合わせておく
と、各ｄｃ−ＳＱＵＩＤアレイの磁束電圧変換特性は、
図９に示すように、動作領域において特性曲線の傾きの
符号が逆になり、端子Ｔa 〜Ｔc 間においてはこれらが
加算された電圧出力が得られる。このとき、各ｄｃ−Ｓ
ＱＵＩＤアレイの出力電圧は符号が反対であるため、特
性曲線の傾きの絶対値が等しければ、出力電圧は相殺さ
れて零になる。すなわち、各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａ
b に同相でかつ大きさの等しい外部磁束が入ると各ＳＱ
ＵＩＤアレイの出力値は零になり、全体としては「１次
微分型グラジオメータ」として機能する。
【００２２】図２（Ｂ）は、上記のような１次微分型グ
ラジオメータの他の構成例１０１ａを示したものであ
り、感度面の方向が互いに逆方向を向いている基板Ｐa
とＰbを、適当なベースライン間隔Ｄ2 を隔てて同一平
面上に並設している。この場合、基板Ｐa の感度面の方
向は図の奥から手前に向かう方向であり、基板Ｐb の感
度面の方向は図の手前から奥に向かう方向である。この
ように構成しても、図２（Ａ）の場合とまったく同様の
動作を行わせることができる。
ラジオメータの他の構成例１０１ａを示したものであ
り、感度面の方向が互いに逆方向を向いている基板Ｐa
とＰbを、適当なベースライン間隔Ｄ2 を隔てて同一平
面上に並設している。この場合、基板Ｐa の感度面の方
向は図の奥から手前に向かう方向であり、基板Ｐb の感
度面の方向は図の手前から奥に向かう方向である。この
ように構成しても、図２（Ａ）の場合とまったく同様の
動作を行わせることができる。
【００２３】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。本発明の第２実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計のＳＱ
ＵＩＤ付近の構成を図３に示す。図に示すように、この
ＳＱＵＩＤ磁束計１０２は、上記した第１実施例のＳＱ
ＵＩＤ磁束計１０１におけるＳＱＵＩＤアレイＡa から
なるマグネトメータとＳＱＵＩＤアレイＡb からなるマ
グネトメータとの間に、ＳＱＵＩＤアレイＡc からなる
マグネトメータを直列に接続して構成されている。ＳＱ
ＵＩＤアレイＡc は直列に接続された２Ｎ個のｄｃＳＱ
ＵＩＤＳc1〜Ｓc,2Nから構成されている。ＳＱＵＩＤア
レイＡc には、電流制限用の負帰還抵抗（抵抗値：Ｒn
／２）と、負帰還用の２Ｎ個の負帰還コイルＬc1〜Ｌc,
2Nが直列接続された負帰還回路Ｎc が並列接続されてい
る。この第２実施例の場合も上記の第１実施例と同様
に、検出すべき磁束はＳＱＵＩＤリングに直接伝達され
るか、又はピックアップコイル（図示せず）及び超伝導
トランス（図示せず）により伝達される。
る。本発明の第２実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計のＳＱ
ＵＩＤ付近の構成を図３に示す。図に示すように、この
ＳＱＵＩＤ磁束計１０２は、上記した第１実施例のＳＱ
ＵＩＤ磁束計１０１におけるＳＱＵＩＤアレイＡa から
なるマグネトメータとＳＱＵＩＤアレイＡb からなるマ
グネトメータとの間に、ＳＱＵＩＤアレイＡc からなる
マグネトメータを直列に接続して構成されている。ＳＱ
ＵＩＤアレイＡc は直列に接続された２Ｎ個のｄｃＳＱ
ＵＩＤＳc1〜Ｓc,2Nから構成されている。ＳＱＵＩＤア
レイＡc には、電流制限用の負帰還抵抗（抵抗値：Ｒn
／２）と、負帰還用の２Ｎ個の負帰還コイルＬc1〜Ｌc,
2Nが直列接続された負帰還回路Ｎc が並列接続されてい
る。この第２実施例の場合も上記の第１実施例と同様
に、検出すべき磁束はＳＱＵＩＤリングに直接伝達され
るか、又はピックアップコイル（図示せず）及び超伝導
トランス（図示せず）により伝達される。
【００２４】図４は、第２実施例のＳＱＵＩＤアレイの
感度面の方向を含めた空間的な素子の配置図であり、Ｓ
ＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb ，Ａc は方形の基板上に薄膜
で形成されている。図４（Ａ）に示す例では、矢印は感
度面の方向を示し、この感度面の方向は基板Ｐa とＰc
、基板Ｐc とＰb では互いに逆方向を向いており、適
当なベースライン間隔Ｄ3 を隔ててそれぞれ対向するよ
うに配置する。ここに、基板Ｐa ，Ｐb 上のＳＱＵＩＤ
アレイＡa ，Ａb を含むマグネトメータは第１マグネト
メータを構成し、基板Ｐc 上のＳＱＵＩＤアレイＡc を
含むマグネトメータは第２マグネトメータを構成してい
る。
感度面の方向を含めた空間的な素子の配置図であり、Ｓ
ＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb ，Ａc は方形の基板上に薄膜
で形成されている。図４（Ａ）に示す例では、矢印は感
度面の方向を示し、この感度面の方向は基板Ｐa とＰc
、基板Ｐc とＰb では互いに逆方向を向いており、適
当なベースライン間隔Ｄ3 を隔ててそれぞれ対向するよ
うに配置する。ここに、基板Ｐa ，Ｐb 上のＳＱＵＩＤ
アレイＡa ，Ａb を含むマグネトメータは第１マグネト
メータを構成し、基板Ｐc 上のＳＱＵＩＤアレイＡc を
含むマグネトメータは第２マグネトメータを構成してい
る。
【００２５】次に、上記した各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，
Ａb ，Ａc を駆動し、ＳＱＵＩＤからの信号を増幅する
ための磁束計の全体回路構成について図６を参照しつつ
説明する。図６に示すように、このＳＱＵＩＤ磁束計１
０２は、独立したマグネトメータであるＳＱＵＩＤアレ
イＡa 及び負帰還回路Ｎa と、他の独立したマグネトメ
ータであるとともにＳＱＵＩＤアレイＡa の一方の出力
端子と接続するＳＱＵＩＤアレイＡc1及び負帰還回路Ｎ
c1と、他の独立したマグネトメータであるとともにＳＱ
ＵＩＤアレイＡc1の一方の出力端子と接続するＳＱＵＩ
ＤアレイＡc2及び負帰還回路Ｎc2と、他の独立したマグ
ネトメータであるとともにＳＱＵＩＤアレイＡc2の一方
の出力端子と接続するＳＱＵＩＤアレイＡb 及び負帰還
回路Ｎbと、これらのＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc
2及びＡb に個別に接続されこれらを個別に駆動可能な
バイアス電流源１３，１４，１５，１６と、これらのＳ
ＱＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc2及びＡb の出力端子か
らの出力を増幅する差動増幅器１７及び１８と、各ＳＱ
ＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc2及びＡb の動作点を個別
に設定可能な可変電流源２１，２２，２３，２４と、各
ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc2及びＡb にバイアス
磁束を注入するための磁束注入コイルアレイ２５，２
６，２７，２８を備えて構成されている。ＳＱＵＩＤア
レイＡc1は直列に接続されたＮ個のｄｃＳＱＵＩＤＳc1
〜ＳcNを有しており、ＳＱＵＩＤアレイＡc2は直列に接
続されたＮ個のｄｃＳＱＵＩＤＳc,N+1 〜Ｓc,2Nを有し
ている。また、負帰還回路２６，２７は直列に接続され
たＮ個の磁束注入コイルを有している。上記において、
可変電流源２１〜２４と磁束注入コイルアレイ２５〜２
８は、バイアス磁束注入源を構成している。
Ａb ，Ａc を駆動し、ＳＱＵＩＤからの信号を増幅する
ための磁束計の全体回路構成について図６を参照しつつ
説明する。図６に示すように、このＳＱＵＩＤ磁束計１
０２は、独立したマグネトメータであるＳＱＵＩＤアレ
イＡa 及び負帰還回路Ｎa と、他の独立したマグネトメ
ータであるとともにＳＱＵＩＤアレイＡa の一方の出力
端子と接続するＳＱＵＩＤアレイＡc1及び負帰還回路Ｎ
c1と、他の独立したマグネトメータであるとともにＳＱ
ＵＩＤアレイＡc1の一方の出力端子と接続するＳＱＵＩ
ＤアレイＡc2及び負帰還回路Ｎc2と、他の独立したマグ
ネトメータであるとともにＳＱＵＩＤアレイＡc2の一方
の出力端子と接続するＳＱＵＩＤアレイＡb 及び負帰還
回路Ｎbと、これらのＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc
2及びＡb に個別に接続されこれらを個別に駆動可能な
バイアス電流源１３，１４，１５，１６と、これらのＳ
ＱＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc2及びＡb の出力端子か
らの出力を増幅する差動増幅器１７及び１８と、各ＳＱ
ＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc2及びＡb の動作点を個別
に設定可能な可変電流源２１，２２，２３，２４と、各
ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａc1，Ａc2及びＡb にバイアス
磁束を注入するための磁束注入コイルアレイ２５，２
６，２７，２８を備えて構成されている。ＳＱＵＩＤア
レイＡc1は直列に接続されたＮ個のｄｃＳＱＵＩＤＳc1
〜ＳcNを有しており、ＳＱＵＩＤアレイＡc2は直列に接
続されたＮ個のｄｃＳＱＵＩＤＳc,N+1 〜Ｓc,2Nを有し
ている。また、負帰還回路２６，２７は直列に接続され
たＮ個の磁束注入コイルを有している。上記において、
可変電流源２１〜２４と磁束注入コイルアレイ２５〜２
８は、バイアス磁束注入源を構成している。
【００２６】また、上記の差動増幅器１８には、オフセ
ット調整用の電圧源１９が接続している。このオフセッ
ト電圧はＶb に設定されている。そして、磁束注入コイ
ルアレイ２５〜２８を構成する各磁束注入コイルの相互
インダクタンスはＭb となっている。また、バイアス電
流源１３の電流値はｉb1、バイアス電流源１４の電流値
はｉb2、バイアス電流源１５の電流値はｉb3、バイアス
電流源１６の電流値はｉb4、可変電流源２１〜２４の電
流値はそれぞれｉmb3 〜ｉmb6 となっている。
ット調整用の電圧源１９が接続している。このオフセッ
ト電圧はＶb に設定されている。そして、磁束注入コイ
ルアレイ２５〜２８を構成する各磁束注入コイルの相互
インダクタンスはＭb となっている。また、バイアス電
流源１３の電流値はｉb1、バイアス電流源１４の電流値
はｉb2、バイアス電流源１５の電流値はｉb3、バイアス
電流源１６の電流値はｉb4、可変電流源２１〜２４の電
流値はそれぞれｉmb3 〜ｉmb6 となっている。
【００２７】上記した第２実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１
０２において、図４（Ａ）に示すように感度面の方向を
それぞれ対向させベースライン間隔Ｄ3 をそれぞれ配し
て配置し、例えば基板Ｐa にはＳＱＵＩＤアレイＡa が
形成され、基板Ｐb にはＳＱＵＩＤアレイＡb が形成さ
れ、基板Ｐc にはＳＱＵＩＤアレイＡc が形成されるよ
うにする。この場合、ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb にお
けるＳＱＵＩＤの個数はＮ個であり、ＳＱＵＩＤアレイ
Ａc におけるＳＱＵＩＤの個数は２Ｎ個であるから、基
板Ｐa の磁場感度：基板Ｐc の磁場感度：基板Ｐb の磁
場感度＝１：２：１となる。このようにすると、各ＳＱ
ＵＩＤアレイからはそれぞれの磁場感度方向に応じた電
圧が出力され、この出力を図６の可変電流源２１〜２４
により両者の位相を合わせておくと、各ｄｃ−ＳＱＵＩ
Ｄアレイの磁束電圧変換特性は、図９に示すように、動
作領域において特性曲線の傾きの符号が逆になり、端子
Ｔa 〜Ｔc 間においてはこれらが加算された電圧出力が
得られる。このとき、各ｄｃ−ＳＱＵＩＤアレイの出力
電圧は、特性曲線の傾きの絶対値が等しければ、それぞ
れ相殺されて零になる。すなわち、このＳＱＵＩＤ磁束
計１０２は、全体としては「２次微分型グラジオメー
タ」として機能する。
０２において、図４（Ａ）に示すように感度面の方向を
それぞれ対向させベースライン間隔Ｄ3 をそれぞれ配し
て配置し、例えば基板Ｐa にはＳＱＵＩＤアレイＡa が
形成され、基板Ｐb にはＳＱＵＩＤアレイＡb が形成さ
れ、基板Ｐc にはＳＱＵＩＤアレイＡc が形成されるよ
うにする。この場合、ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb にお
けるＳＱＵＩＤの個数はＮ個であり、ＳＱＵＩＤアレイ
Ａc におけるＳＱＵＩＤの個数は２Ｎ個であるから、基
板Ｐa の磁場感度：基板Ｐc の磁場感度：基板Ｐb の磁
場感度＝１：２：１となる。このようにすると、各ＳＱ
ＵＩＤアレイからはそれぞれの磁場感度方向に応じた電
圧が出力され、この出力を図６の可変電流源２１〜２４
により両者の位相を合わせておくと、各ｄｃ−ＳＱＵＩ
Ｄアレイの磁束電圧変換特性は、図９に示すように、動
作領域において特性曲線の傾きの符号が逆になり、端子
Ｔa 〜Ｔc 間においてはこれらが加算された電圧出力が
得られる。このとき、各ｄｃ−ＳＱＵＩＤアレイの出力
電圧は、特性曲線の傾きの絶対値が等しければ、それぞ
れ相殺されて零になる。すなわち、このＳＱＵＩＤ磁束
計１０２は、全体としては「２次微分型グラジオメー
タ」として機能する。
【００２８】図４（Ｂ）は、上記のような２次微分型グ
ラジオメータの他の構成例１０２ａを示したものであ
り、感度面の方向が図の手前から奥に向かう方向である
基板Ｐa と、感度面の方向が図の奥から手前に向かう方
向である基板Ｐc と、感度面の方向が図の手前から奥に
向かう方向である基板Ｐb を、適当なベースライン間隔
Ｄ4 を隔ててそれぞれ同一平面上に並設している。この
ように構成しても、図４（Ａ）の場合とまったく同様の
動作を行わせることができる。また、図４（Ａ）又は図
４（Ｂ）では、各基板上のＳＱＵＩＤアレイの個数比を
１：２：１にしているが、これはＳＱＵＩＤの有効面積
の比を１：２：１にしてもかまわない。この考え方を発
展させれば、マグネトメータを複数個組み合わせグラジ
オメータとして動作させ、各マグネトメータの磁場感度
の方向と値が総和が零となるようにすれば、任意の次数
のグラジオメータを実現することができる。
ラジオメータの他の構成例１０２ａを示したものであ
り、感度面の方向が図の手前から奥に向かう方向である
基板Ｐa と、感度面の方向が図の奥から手前に向かう方
向である基板Ｐc と、感度面の方向が図の手前から奥に
向かう方向である基板Ｐb を、適当なベースライン間隔
Ｄ4 を隔ててそれぞれ同一平面上に並設している。この
ように構成しても、図４（Ａ）の場合とまったく同様の
動作を行わせることができる。また、図４（Ａ）又は図
４（Ｂ）では、各基板上のＳＱＵＩＤアレイの個数比を
１：２：１にしているが、これはＳＱＵＩＤの有効面積
の比を１：２：１にしてもかまわない。この考え方を発
展させれば、マグネトメータを複数個組み合わせグラジ
オメータとして動作させ、各マグネトメータの磁場感度
の方向と値が総和が零となるようにすれば、任意の次数
のグラジオメータを実現することができる。
【００２９】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。この第３実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０３の回路全
体の構成は、上記した第２実施例の場合と同様である。
第３実施例が第２実施例と異なる点は基板の空間配置に
ある。本発明の第３実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計の基
板の空間配置構成を図７（Ａ）に示す。図に示すよう
に、感度面の方向を矢印方向に向け、それぞれをベース
ライン間隔Ｄ5 を配して配置し、例えば基板Ｐa にはＳ
ＱＵＩＤアレイＡa が形成され、基板Ｐb にはＳＱＵＩ
ＤアレイＡb が形成され、基板Ｐc1にはＳＱＵＩＤアレ
イＡc1が形成され、基板Ｐc2にはＳＱＵＩＤアレイＡc2
が形成されるようにする。この場合、ＳＱＵＩＤアレイ
Ａa ，Ａb ，Ａc1，Ａc2におけるＳＱＵＩＤの個数はＮ
個であり、磁場感度は等しいものとする。したがって、
基板Ｐa の磁場感度：基板Ｐc1の磁場感度：基板Ｐc2の
磁場感度：基板Ｐb の磁場感度＝１：１：１：１とな
る。
る。この第３実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０３の回路全
体の構成は、上記した第２実施例の場合と同様である。
第３実施例が第２実施例と異なる点は基板の空間配置に
ある。本発明の第３実施例であるＳＱＵＩＤ磁束計の基
板の空間配置構成を図７（Ａ）に示す。図に示すよう
に、感度面の方向を矢印方向に向け、それぞれをベース
ライン間隔Ｄ5 を配して配置し、例えば基板Ｐa にはＳ
ＱＵＩＤアレイＡa が形成され、基板Ｐb にはＳＱＵＩ
ＤアレイＡb が形成され、基板Ｐc1にはＳＱＵＩＤアレ
イＡc1が形成され、基板Ｐc2にはＳＱＵＩＤアレイＡc2
が形成されるようにする。この場合、ＳＱＵＩＤアレイ
Ａa ，Ａb ，Ａc1，Ａc2におけるＳＱＵＩＤの個数はＮ
個であり、磁場感度は等しいものとする。したがって、
基板Ｐa の磁場感度：基板Ｐc1の磁場感度：基板Ｐc2の
磁場感度：基板Ｐb の磁場感度＝１：１：１：１とな
る。
【００３０】上記した各ＳＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb ，
Ａc1，Ａc2を駆動し、ＳＱＵＩＤからの信号を増幅する
ための磁束計の全体回路構成は、図６と同様であるが、
バイアス電流源１３，１４，１５，１６をそれぞれ独立
にＯＮ又はＯＦＦ可能となっている。ここで、すべての
バイアス電流源１３〜１６をＯＮさせると、すべてのＳ
ＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb ，Ａc1，Ａc2がＯＮする。し
たがって、図７（Ａ）において、すべての基板Ｐa ，Ｐ
b ，Ｐc1，Ｐc2がＯＮする。これは、上記した図４
（Ａ）の場合と実質的に同一な構成となる。したがっ
て、この場合は、２次微分型グラジオメータとして動作
する。また、バイアス電流源１３と１４のみをＯＮさせ
バイアス電流源１５と１６をＯＦＦすると、ＳＱＵＩＤ
アレイＡa とＡc1のみがＯＮしＳＱＵＩＤアレイＡc1と
Ａb はＯＦＦする。したがって、図７（Ａ）において、
基板Ｐa とＰc1のみがＯＮし、他の基板はＯＦＦとな
る。これは、上記した図２（Ａ）の場合と実質的に同一
な構成となる。したがって、この場合は、１次微分型グ
ラジオメータとして動作する。そして、バイアス電流源
のうちいずれか１つのみをＯＮすると、対応する１つの
ＳＱＵＩＤアレイのみがＯＮする。したがって、図７
（Ａ）において、いずれか１つの基板のみがＯＮするこ
とになる。この場合には、マグネトメータとして動作す
る。このように、図７（Ａ）及び図６に示す構成を採用
すれば、マグネトメータ、１次、２次微分グラジオメー
タを１つの回路で同時に実現することができる。
Ａc1，Ａc2を駆動し、ＳＱＵＩＤからの信号を増幅する
ための磁束計の全体回路構成は、図６と同様であるが、
バイアス電流源１３，１４，１５，１６をそれぞれ独立
にＯＮ又はＯＦＦ可能となっている。ここで、すべての
バイアス電流源１３〜１６をＯＮさせると、すべてのＳ
ＱＵＩＤアレイＡa ，Ａb ，Ａc1，Ａc2がＯＮする。し
たがって、図７（Ａ）において、すべての基板Ｐa ，Ｐ
b ，Ｐc1，Ｐc2がＯＮする。これは、上記した図４
（Ａ）の場合と実質的に同一な構成となる。したがっ
て、この場合は、２次微分型グラジオメータとして動作
する。また、バイアス電流源１３と１４のみをＯＮさせ
バイアス電流源１５と１６をＯＦＦすると、ＳＱＵＩＤ
アレイＡa とＡc1のみがＯＮしＳＱＵＩＤアレイＡc1と
Ａb はＯＦＦする。したがって、図７（Ａ）において、
基板Ｐa とＰc1のみがＯＮし、他の基板はＯＦＦとな
る。これは、上記した図２（Ａ）の場合と実質的に同一
な構成となる。したがって、この場合は、１次微分型グ
ラジオメータとして動作する。そして、バイアス電流源
のうちいずれか１つのみをＯＮすると、対応する１つの
ＳＱＵＩＤアレイのみがＯＮする。したがって、図７
（Ａ）において、いずれか１つの基板のみがＯＮするこ
とになる。この場合には、マグネトメータとして動作す
る。このように、図７（Ａ）及び図６に示す構成を採用
すれば、マグネトメータ、１次、２次微分グラジオメー
タを１つの回路で同時に実現することができる。
【００３１】図７（Ｂ）は、上記のようなＳＱＵＩＤ磁
束計の他の構成例１０３ａを示したものであり、感度面
の方向が図の手前から奥に向かう方向である基板Ｐa
と、感度面の方向が図の奥から手前に向かう方向である
基板Ｐc1及びＰc2と、感度面の方向が図の手前から奥に
向かう方向である基板Ｐb を、適当なベースライン間隔
Ｄ6 を隔ててそれぞれ同一平面上に並設している。この
ように構成しても、図７（Ａ）の場合とまったく同様の
動作を行わせることができる。同様にして、基板間の距
離Ｄ、基板の個数、感度および感度面を増やせば、可変
微分長のグラジオメータを構成することができる。
束計の他の構成例１０３ａを示したものであり、感度面
の方向が図の手前から奥に向かう方向である基板Ｐa
と、感度面の方向が図の奥から手前に向かう方向である
基板Ｐc1及びＰc2と、感度面の方向が図の手前から奥に
向かう方向である基板Ｐb を、適当なベースライン間隔
Ｄ6 を隔ててそれぞれ同一平面上に並設している。この
ように構成しても、図７（Ａ）の場合とまったく同様の
動作を行わせることができる。同様にして、基板間の距
離Ｄ、基板の個数、感度および感度面を増やせば、可変
微分長のグラジオメータを構成することができる。
【００３２】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。この第４実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０４の回路全
体の構成は、上記した第１実施例の場合と同様である。
第４実施例が第１実施例と異なる点は、感度面の方向を
一致させるが負帰還回路の結合係数を図１０（Ａ）にお
けるＭn と（−Ｍn ）のように互いに逆符号にした点に
ある。すなわち、図１１に示すように、負帰還零の場合
には磁束電圧変換特性は図１１（Ａ）のようになるが、
負帰還磁束の符号を各ＳＱＵＩＤアレイＡa とＡb とで
反対になるようし、負帰還量を等しく取りかつ位相をバ
イアス磁束で合わせるようにすることにより、それぞれ
の特性を図１１（Ｂ）、図１１（Ｃ）のようにする。こ
のように構成することにより、図１に示す１次微分グラ
ジオメータと同様の動作を実現することができる。ま
た、上記各実施例と同様に、図１０（Ｃ）に示すように
同一平面上に配置しても図１０（Ｂ）と同様の動作を実
現することができる。
る。この第４実施例のＳＱＵＩＤ磁束計１０４の回路全
体の構成は、上記した第１実施例の場合と同様である。
第４実施例が第１実施例と異なる点は、感度面の方向を
一致させるが負帰還回路の結合係数を図１０（Ａ）にお
けるＭn と（−Ｍn ）のように互いに逆符号にした点に
ある。すなわち、図１１に示すように、負帰還零の場合
には磁束電圧変換特性は図１１（Ａ）のようになるが、
負帰還磁束の符号を各ＳＱＵＩＤアレイＡa とＡb とで
反対になるようし、負帰還量を等しく取りかつ位相をバ
イアス磁束で合わせるようにすることにより、それぞれ
の特性を図１１（Ｂ）、図１１（Ｃ）のようにする。こ
のように構成することにより、図１に示す１次微分グラ
ジオメータと同様の動作を実現することができる。ま
た、上記各実施例と同様に、図１０（Ｃ）に示すように
同一平面上に配置しても図１０（Ｂ）と同様の動作を実
現することができる。
【００３３】次に、本発明の第５実施例であるマグネト
メータの感度校正法について図６を参照しつつ説明す
る。上記各実施例の説明においては、すべてマグネトメ
ータの磁場感度は揃っているものとしていた。通常、Ｓ
ＱＵＩＤはリソグラフィを使って製作するため、相互の
寸法精度は極めて高いが、磁場−電圧変換係数または磁
束電圧変換率は同一バイアス条件で必ずしも一致しない
ことがある。磁束電圧変換係数はバイアス電流源１３〜
１６の電流値ｉb1〜ｉb4などの関数となっているため、
この値を増減させることにより磁束電圧変換係数を変化
させることができる。
メータの感度校正法について図６を参照しつつ説明す
る。上記各実施例の説明においては、すべてマグネトメ
ータの磁場感度は揃っているものとしていた。通常、Ｓ
ＱＵＩＤはリソグラフィを使って製作するため、相互の
寸法精度は極めて高いが、磁場−電圧変換係数または磁
束電圧変換率は同一バイアス条件で必ずしも一致しない
ことがある。磁束電圧変換係数はバイアス電流源１３〜
１６の電流値ｉb1〜ｉb4などの関数となっているため、
この値を増減させることにより磁束電圧変換係数を変化
させることができる。
【００３４】可変電流源２１〜２４から磁束注入コイル
へのバイアス磁束は、下式 ｉmb1 ＝Ｉ01＋Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（３） ｉmb2 ＝Ｉ02−Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（４） ｉmb3 ＝Ｉ03−Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（５） ｉmb4 ＝Ｉ04＋Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（６） で表わされるが、Ｉ01からＩ04を操作することにより各
位相を一致させ、かつ振幅Ｉm を等しく変調したとき増
幅器６の変調出力を最小となるようにバイアス電流源１
３〜１６を順次調整し磁束電圧変換率を一致させれば、
同相磁場入力に対するキャンセル率を十分大きくとるこ
とが容易にできる。
へのバイアス磁束は、下式 ｉmb1 ＝Ｉ01＋Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（３） ｉmb2 ＝Ｉ02−Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（４） ｉmb3 ＝Ｉ03−Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（５） ｉmb4 ＝Ｉ04＋Ｉm ・ｓｉｎωｔ ………（６） で表わされるが、Ｉ01からＩ04を操作することにより各
位相を一致させ、かつ振幅Ｉm を等しく変調したとき増
幅器６の変調出力を最小となるようにバイアス電流源１
３〜１６を順次調整し磁束電圧変換率を一致させれば、
同相磁場入力に対するキャンセル率を十分大きくとるこ
とが容易にできる。
【００３５】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、上記構成を有する
本発明の第１の発明によれば、負帰還で線形化し、磁束
電圧変換率の大きさが等しく極性が逆のマグネトメータ
を組み合わせることにより、容易にグラジオメータを構
成することができる。ＳＱＵＩＤの動作周波数は極めて
高いため、同相雑音除去の周波数特性は、回路で差分構
成を取る場合に比べて優れている。一方、各マグネトメ
ータは直列に接続されているためバイアス電流でＯＮ、
ＯＦＦを行うことにより同一構成でさまざまな微分特性
を実現できる。また、ベクトルマグネトメータを１つの
回路で受けることもでき回路の簡素化が可能になる。さ
らに、本発明の第２の発明によれば、第１の発明のＳＱ
ＵＩＤ磁束計において、同相磁場入力に対するキャンセ
ル率を十分大きくとることが容易にできる。
本発明の第１の発明によれば、負帰還で線形化し、磁束
電圧変換率の大きさが等しく極性が逆のマグネトメータ
を組み合わせることにより、容易にグラジオメータを構
成することができる。ＳＱＵＩＤの動作周波数は極めて
高いため、同相雑音除去の周波数特性は、回路で差分構
成を取る場合に比べて優れている。一方、各マグネトメ
ータは直列に接続されているためバイアス電流でＯＮ、
ＯＦＦを行うことにより同一構成でさまざまな微分特性
を実現できる。また、ベクトルマグネトメータを１つの
回路で受けることもでき回路の簡素化が可能になる。さ
らに、本発明の第２の発明によれば、第１の発明のＳＱ
ＵＩＤ磁束計において、同相磁場入力に対するキャンセ
ル率を十分大きくとることが容易にできる。
【図１】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第１実施例の
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
【図２】図１に示すＳＱＵＩＤ磁束計の基板の空間配置
を示す図である。
を示す図である。
【図３】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第２実施例の
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
ＳＱＵＩＤループ付近の構成を示す回路図である。
【図４】図３に示すＳＱＵＩＤ磁束計の基板の空間配置
を示す図である。
を示す図である。
【図５】図１に示すＳＱＵＩＤ磁束計の全体構成を示す
図である。
図である。
【図６】図３に示すＳＱＵＩＤ磁束計の全体構成を示す
図である。
図である。
【図７】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第３実施例の
基板の空間配置を示す図である。
基板の空間配置を示す図である。
【図８】図１に示すＳＱＵＩＤの動作を説明する図
（１）である。
（１）である。
【図９】図１に示すＳＱＵＩＤの動作を説明する図
（２）である。
（２）である。
【図１０】本発明に係るＳＱＵＩＤ磁束計の第４実施例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１１】図１０に示すＳＱＵＩＤ磁束計の動作を説明
する図である。
する図である。
３ バイアス電流源 ４，５ 差動増幅器 ６ オフセット電圧源 ７，８ 可変電流源 ９，１０ 磁束注入コイルアレイ １３〜１６ バイアス電流源 １７，１８ 差動増幅器 １９ オフセット電圧源 ２１〜２４ 可変電流源 ２５〜２８ 磁束注入コイルアレイ Ａa ，Ａb ，Ａc ＳＱＵＩＤアレイ Ｄ1 〜Ｄ6 ベースライン間隔 ｉb バイアス電流 ｉmb バイアス磁束用電流 Ｊ ジョセフソン接合 Ｌa1〜ＬaN，Ｌb1〜ＬbN，Ｌc1〜ＬcN 負帰還コイル Ｍb ，Ｍn 結合係数 Ｒn 負帰還抵抗 Ｓa1〜ＳaN，Ｓb1〜ＳbN，Ｓc1〜ＳcN ＳＱＵＩＤ １０１〜１０４ ＳＱＵＩＤ磁束計
Claims (6)
- 【請求項１】 １又はアレイ状のＳＱＵＩＤを備えたｎ
個（ｎ：ｎ≧１なる自然数）の第１マグネトメータと、
前記第１マグネトメータとは磁場感度の方向が逆となる
ようにｎ個の第２マグネトメータを配置したことを特徴
とするＳＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項２】 請求項１記載のＳＱＵＩＤ磁束計におい
て、 前記ＳＱＵＩＤの出力端子から前記ＳＱＵＩＤに直接に
負帰還を行う１又はアレイ状の負帰還コイルと、 前記負帰還の量を制御する負帰還抵抗と、を備え、 前記ＳＱＵＩＤと前記負帰還コイルとの結合容量をＭn
とし、前記ＳＱＵＩＤが１個の場合の磁束電圧変換率を
ｄＶ／ｄφとし、前記負帰還抵抗値をＲn としたとき、
下式 ｎ×（ｄＶ／ｄφ）×（Ｍn ／Ｒn ）≧１ を満足するように構成されることを特徴とするＳＱＵＩ
Ｄ磁束計。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載のＳＱＵＩＤ
磁束計において、 前記ＳＱＵＩＤを駆動するバイアス電流源と、前記ＳＱ
ＵＩＤにバイアス磁束を注入するバイアス磁束注入源を
有し、前記ＳＱＵＩＤの位相又は感度を調整することを
特徴とするＳＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３記載のＳＱＵＩ
Ｄ磁束計において、 前記負帰還コイルにおける負帰還の符号を反転させるこ
とに前記磁場感度の方向を反転させることを特徴とする
ＳＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４記載のＳＱＵＩ
Ｄ磁束計において、 前記バイアス電流源を独立にＯＮ又はＯＦＦ可能とした
ことを特徴とするＳＱＵＩＤ磁束計。 - 【請求項６】 １又はアレイ状のＳＱＵＩＤを備えたｎ
個（ｎ：ｎ≧１なる自然数）の第１マグネトメータと、
前記第１マグネトメータとは磁場感度の方向が逆となる
ようにｎ個の第２マグネトメータを配置し、バイアス電
流源とバイアス磁束注入源を備えたＳＱＵＩＤ磁束計の
校正方法であって、 前記各マグネトメータのｉ番目のＳＱＵＩＤへバイアス
磁束を注入するための電流値が、下式 ｉmbi ＝Ｉ0i＋Ｉm ・ｓｉｎωｔ で表わされるとき、上式右辺中のＩ0iを操作することに
より各位相を一致させ、かつ上式右辺中の振幅Ｉm を等
しく変調したとき、ＳＱＵＩＤの出力を最小となるよう
に前記バイアス電流源を調整して磁束電圧変換率を一致
させるように前記各マグネトメータを校正することを特
徴とするＳＱＵＩＤ磁束計の校正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161601A JP2869776B2 (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7161601A JP2869776B2 (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08334555A true JPH08334555A (ja) | 1996-12-17 |
| JP2869776B2 JP2869776B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=15738262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7161601A Expired - Lifetime JP2869776B2 (ja) | 1995-06-06 | 1995-06-06 | Ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869776B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285186B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-09-04 | Seiko Instruments Inc. | Superconducting quantum interference device having bias wiring layer |
| US7433506B2 (en) | 1997-10-02 | 2008-10-07 | Hitachi, Ltd. | Method of measuring a biomagnetic field, method of analyzing a measured biomagnetic field, method of displaying biomagnetic field data, and an apparatus therefor |
| CN105372612A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-03-02 | 清华大学 | 一种精确诊断串联squid故障的方法 |
| CN116482586A (zh) * | 2023-03-14 | 2023-07-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | Squid检测电路、传感器及多通道磁测量系统 |
-
1995
- 1995-06-06 JP JP7161601A patent/JP2869776B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285186B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-09-04 | Seiko Instruments Inc. | Superconducting quantum interference device having bias wiring layer |
| US7433506B2 (en) | 1997-10-02 | 2008-10-07 | Hitachi, Ltd. | Method of measuring a biomagnetic field, method of analyzing a measured biomagnetic field, method of displaying biomagnetic field data, and an apparatus therefor |
| CN105372612A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-03-02 | 清华大学 | 一种精确诊断串联squid故障的方法 |
| CN116482586A (zh) * | 2023-03-14 | 2023-07-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | Squid检测电路、传感器及多通道磁测量系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2869776B2 (ja) | 1999-03-10 |
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