JPH0833534B2 - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
- Publication number
- JPH0833534B2 JPH0833534B2 JP10417886A JP10417886A JPH0833534B2 JP H0833534 B2 JPH0833534 B2 JP H0833534B2 JP 10417886 A JP10417886 A JP 10417886A JP 10417886 A JP10417886 A JP 10417886A JP H0833534 B2 JPH0833534 B2 JP H0833534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- shutter
- voltage
- polarity
- scanning line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、強誘電性液晶を用いた画像形成装置に関す
るものである。
るものである。
〔従来の技術〕 クラークとラガーウオルによって、特開昭56-107216
号公報あるいは米国特許第4367924号公報で高速応答性
とメモリー性を示す強誘電性液晶素子が提案されてい
る。
号公報あるいは米国特許第4367924号公報で高速応答性
とメモリー性を示す強誘電性液晶素子が提案されてい
る。
この強誘電性液晶は、例えば金子による特開昭59-129
837号公報あるいは神辺らによる同59-193426号公報、同
59-193427号公報や同60-31121号公報などに開示された
駆動法によって線順次書込みを行なうことができる。
837号公報あるいは神辺らによる同59-193426号公報、同
59-193427号公報や同60-31121号公報などに開示された
駆動法によって線順次書込みを行なうことができる。
又、神辺らは、特開昭60-33535号公報で強誘電性液晶
素子にマルチプレクシング駆動を適用するに当って、非
選択走査線上の画素（シヤツタ開口部）に閾値電圧以下
の交流電圧を印加することによって、非選択走査線上の
画素に印加される直流成分を解消するための改善された
駆動法を提案している。この駆動法によれば、例えば非
選択走査線上の白に書込まれた画素にデータ線から連続
して黒の信号を印加した場合であっても、その白の書込
み状態を維持することができる点での改善がなされてい
る。
素子にマルチプレクシング駆動を適用するに当って、非
選択走査線上の画素（シヤツタ開口部）に閾値電圧以下
の交流電圧を印加することによって、非選択走査線上の
画素に印加される直流成分を解消するための改善された
駆動法を提案している。この駆動法によれば、例えば非
選択走査線上の白に書込まれた画素にデータ線から連続
して黒の信号を印加した場合であっても、その白の書込
み状態を維持することができる点での改善がなされてい
る。
ところで、本発明者らは、マルチプレクシング方式に
より駆動する強誘電性液晶素子を電子写真複写機のプリ
ンタ・ヘツドに用いたところ、液晶マイクロシヤツタ部
の明状態（シヤツタ開口）下での透過率が非選択走査時
に印加されたパルスによって変動し、所期の階調性が表
現されたプリント画像を得ることができない問題点が判
明した。液晶マイクロシヤツタアレイを用いた電子写真
プリンターで、階調性を表現したプリント画像を得る方
法としては、第９図に示す様に、帯電された感光体ドラ
ムの表面電荷が露光光量に応じた放電を生じることか
ら、液晶マイクロシヤツタ部での透過率を制御すること
によって、階調プリント画像を得る方法が知られてい
る。
より駆動する強誘電性液晶素子を電子写真複写機のプリ
ンタ・ヘツドに用いたところ、液晶マイクロシヤツタ部
の明状態（シヤツタ開口）下での透過率が非選択走査時
に印加されたパルスによって変動し、所期の階調性が表
現されたプリント画像を得ることができない問題点が判
明した。液晶マイクロシヤツタアレイを用いた電子写真
プリンターで、階調性を表現したプリント画像を得る方
法としては、第９図に示す様に、帯電された感光体ドラ
ムの表面電荷が露光光量に応じた放電を生じることか
ら、液晶マイクロシヤツタ部での透過率を制御すること
によって、階調プリント画像を得る方法が知られてい
る。
従って、液晶マイクロシヤツタアレイを用いた電子写
真プリンターで階調プリント画像を作成する上で、液晶
マイクロシヤツタ部での透過率の変動は望ましいもので
はなかった。特に、本発明者らの実験によれば、液晶マ
イクロシヤツタ部の暗状態（シヤツタ遮閉）時での透過
率変動は、階調プリント画像を作成する上で、ほとんど
影響を与えることはなかったが、シヤツタ開口時での透
過率変動については、階調表現に対して致命的な影響を
与えることが判明した。
真プリンターで階調プリント画像を作成する上で、液晶
マイクロシヤツタ部での透過率の変動は望ましいもので
はなかった。特に、本発明者らの実験によれば、液晶マ
イクロシヤツタ部の暗状態（シヤツタ遮閉）時での透過
率変動は、階調プリント画像を作成する上で、ほとんど
影響を与えることはなかったが、シヤツタ開口時での透
過率変動については、階調表現に対して致命的な影響を
与えることが判明した。
前述の現象は、非選択走査線上の強誘電性液晶マイク
ロシヤツタ部（以下、FLCマイクロシヤツタ部という）
に閾値電圧以下であっても交流パルスが印加されると、
交流パルスの極性に応じて液晶分子にゆらぎを生じ、そ
のため非選択走査線上のFLCマイクロシヤツタ部の透過
率が交流パルスの極性に応じて変動することが原因とな
っていることが判明した。
ロシヤツタ部（以下、FLCマイクロシヤツタ部という）
に閾値電圧以下であっても交流パルスが印加されると、
交流パルスの極性に応じて液晶分子にゆらぎを生じ、そ
のため非選択走査線上のFLCマイクロシヤツタ部の透過
率が交流パルスの極性に応じて変動することが原因とな
っていることが判明した。
第１図（ａ）に示す光学応答曲線11によれば、明レベ
ルに配向している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パ
ルスを印加すると、液晶分子は一旦暗レベル側に配向
し、再びもとの明レベルに戻ることが判る。又、第１図
（ｂ）に示す光学応答曲線13によれば、暗レベルに配向
している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パルスを印
加すると、液晶分子は一旦明レベル側に配向し、再びも
との暗レベルに戻ることが判る。従って、非選択走査線
上のFLCマイクロシヤツタ部には、データ線からV0パ
ルスとV0パルスとが交互に印加されるため、そのFLC
マイクロシヤツタ部では、透過率がV0パルスとV0パ
ルスに応じて変動することになる。
ルに配向している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パ
ルスを印加すると、液晶分子は一旦暗レベル側に配向
し、再びもとの明レベルに戻ることが判る。又、第１図
（ｂ）に示す光学応答曲線13によれば、暗レベルに配向
している強誘電性液晶に閾値電圧以下のV0パルスを印
加すると、液晶分子は一旦明レベル側に配向し、再びも
との暗レベルに戻ることが判る。従って、非選択走査線
上のFLCマイクロシヤツタ部には、データ線からV0パ
ルスとV0パルスとが交互に印加されるため、そのFLC
マイクロシヤツタ部では、透過率がV0パルスとV0パ
ルスに応じて変動することになる。
〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕 従って、本発明の目的は、前述の問題点を解決した画
像形成装置を提供することにある。
像形成装置を提供することにある。
本発明は、光源と、感光体と、該光源と該感光体との
間の光路に配された液晶シャッタアレイと、を備えた電
子写真方式の画像形成装置において、該液晶シャッタア
レイは、走査線群とデータ線群との交差部にカイラルス
メクティック液晶が配されて形成された複数のシャッタ
部と、選択された走査線上のシャッタ部を明状態又は暗
状態にするとともに非選択の走査線上のシャッタ部に交
番波形電圧がかかるように、走査線に走査信号を印加す
るとともにデータ線にデータ信号を印加する為の手段
と、を有し、該交番波形電圧の時間平均値における極性
が選択された走査線上のシャッタ部を明状態とする電圧
の極性と同一極性であることを特徴とする。
間の光路に配された液晶シャッタアレイと、を備えた電
子写真方式の画像形成装置において、該液晶シャッタア
レイは、走査線群とデータ線群との交差部にカイラルス
メクティック液晶が配されて形成された複数のシャッタ
部と、選択された走査線上のシャッタ部を明状態又は暗
状態にするとともに非選択の走査線上のシャッタ部に交
番波形電圧がかかるように、走査線に走査信号を印加す
るとともにデータ線にデータ信号を印加する為の手段
と、を有し、該交番波形電圧の時間平均値における極性
が選択された走査線上のシャッタ部を明状態とする電圧
の極性と同一極性であることを特徴とする。
本発明によれば、交番波形電圧による非選択のシャッ
タ部の明状態の透過率変動が抑制され、感光体への良好
な静電潜像の形成がなされる。こうして、電子写真方式
による良質の画像形成が可能になる。
タ部の明状態の透過率変動が抑制され、感光体への良好
な静電潜像の形成がなされる。こうして、電子写真方式
による良質の画像形成が可能になる。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明で用いる液晶材料として、特に適したものは、
カイラルスメクチツク液晶であって、強誘電性を有する
ものである。具体的にはカイラルスメクチツクＣ相（Sm
C*）、カイラルスメクチツクＧ相（SmG*）、カイラルス
メクチツクＦ相（SmF*）、カイラルスメクチツクＩ相
（SmI*）又はカイラルスメクチツクＨ相（SmH*）の液晶
を用いることができる。
カイラルスメクチツク液晶であって、強誘電性を有する
ものである。具体的にはカイラルスメクチツクＣ相（Sm
C*）、カイラルスメクチツクＧ相（SmG*）、カイラルス
メクチツクＦ相（SmF*）、カイラルスメクチツクＩ相
（SmI*）又はカイラルスメクチツクＨ相（SmH*）の液晶
を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、たとえば“ル・ジユ
ルナール・ド・フイジイク・レツトル”（“LEJOURNAL
DE PHY SIQUE LETTRE"）36（L-69）1975年「フエロエレ
クトリツク・リキツド・クリスタル」（Ferroelectric
Liquid Crystals;“アプライド・フイジイツクス・レタ
ーズ”（“Applied Physics Letters"）36（11）1980年
「サブミクロ・セカンド・バイステイブル・エレクトロ
オプテイツク・スイツチング・イン・リキツド・クリス
タルス」（「Submicro Second Bistable Electrooptic
Switching in Liquid Crystals」）；“固体物理”16
（141）1981「液晶」などに記載されている。強誘電性
液晶化合物の具体例としては、ｐ−デシロキシベンジリ
デン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）、ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（DOBAMBC
C）、ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミ
ノ−２−メチルブチル−α−シアノシンナメート（TDOB
AMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−クロロシンナメート（OO
BAMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート、4,
4′−アソキシシンナミツクマシツドービス（２−メチ
ルブチル）エステル４−０−（２−メチル）−ブチルレ
ゾルシリデン−４′−オクチルアニリン（MBRA 8）、４
−（２′−メチルブチル）フエニル−４′−オクチルオ
キシビフエニル−４−カルボキシレート、４−ヘキシル
オキシフエニル−４−（２″−メチルブチル）ビフエニ
ル−４′−カルボキシレート、４−オクチルオキシフエ
ニル−４−（２″メチルブチル）ビフエニル−４′−カ
ルボキシレート、４−ヘプチルフエニル−４−（４″−
メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
ト、４−（２″−メチルブチル）フエニル−４−（４″
−メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
トなどを用いることができる。
ルナール・ド・フイジイク・レツトル”（“LEJOURNAL
DE PHY SIQUE LETTRE"）36（L-69）1975年「フエロエレ
クトリツク・リキツド・クリスタル」（Ferroelectric
Liquid Crystals;“アプライド・フイジイツクス・レタ
ーズ”（“Applied Physics Letters"）36（11）1980年
「サブミクロ・セカンド・バイステイブル・エレクトロ
オプテイツク・スイツチング・イン・リキツド・クリス
タルス」（「Submicro Second Bistable Electrooptic
Switching in Liquid Crystals」）；“固体物理”16
（141）1981「液晶」などに記載されている。強誘電性
液晶化合物の具体例としては、ｐ−デシロキシベンジリ
デン−ｐ′−アミノ−２−メチルブチルシンナメート
（DOBAMBC）、ｐ−ヘキシロキシベンジリデン−ｐ′−
アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（HOBACP
C）、ｐ−デシロキシベンジリデン−ｐ′−アミノ−２
−メチルブチル−α−シアノシンナメート（DOBAMBC
C）、ｐ−テトラデシロキシベンジリデン−ｐ′−アミ
ノ−２−メチルブチル−α−シアノシンナメート（TDOB
AMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−クロロシンナメート（OO
BAMBCC）、ｐ−オクチルオキシベンジリデン−ｐ′−ア
ミノ−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート、4,
4′−アソキシシンナミツクマシツドービス（２−メチ
ルブチル）エステル４−０−（２−メチル）−ブチルレ
ゾルシリデン−４′−オクチルアニリン（MBRA 8）、４
−（２′−メチルブチル）フエニル−４′−オクチルオ
キシビフエニル−４−カルボキシレート、４−ヘキシル
オキシフエニル−４−（２″−メチルブチル）ビフエニ
ル−４′−カルボキシレート、４−オクチルオキシフエ
ニル−４−（２″メチルブチル）ビフエニル−４′−カ
ルボキシレート、４−ヘプチルフエニル−４−（４″−
メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
ト、４−（２″−メチルブチル）フエニル−４−（４″
−メチルヘキシル）ビフエニル−４′−カルボキシレー
トなどを用いることができる。
特に、好ましい強誘電性液晶としては、これにより高
温側でコレステリツク相を示すものを用いることがで
き、例えば下述の実施例に挙げた相転移温度を示すフエ
ニルエステル系液晶を用いることができる。
温側でコレステリツク相を示すものを用いることがで
き、例えば下述の実施例に挙げた相転移温度を示すフエ
ニルエステル系液晶を用いることができる。
これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合
物が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要
に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロツク等に
より支持することができる。
物が所望の相となるような温度状態に保持する為、必要
に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブロツク等に
より支持することができる。
第２図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの
例を模式的に描いたものである。以下、所望の相として
SmC*を例にとって説明する。
例を模式的に描いたものである。以下、所望の相として
SmC*を例にとって説明する。
21aと21bは、In2O3あるいはITO（Indium-Tin Oxide）
等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス
板）であり、その間に液晶分子層22がガラス面に垂直に
なるように配向したSmC*相の液晶が封入されている。太
線で示した線23が液晶分子を表わしており、この液晶分
子23は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成してい
る。このらせん構造の中心軸25と液晶分子23の軸方向と
のなす角度をとして表わす。この液晶分子23は、その
分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）24を有
している。基板21aと21b上の電極間に一定の閾値以上の
電圧を印加すると、液晶分子23のらせん構造がほどけ、
双極子モーメント（Ｐ⊥）24がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子23は配向方向を変えることができる。液晶
分子23は、細長い形状を有しており、その長軸方向と短
軸方向での屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印
加極性によって光学特性が変わる液晶光学素子となるこ
とは、容易に理解される。
等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス
板）であり、その間に液晶分子層22がガラス面に垂直に
なるように配向したSmC*相の液晶が封入されている。太
線で示した線23が液晶分子を表わしており、この液晶分
子23は基板の面方向に連続的にらせん構造を形成してい
る。このらせん構造の中心軸25と液晶分子23の軸方向と
のなす角度をとして表わす。この液晶分子23は、その
分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐ⊥）24を有
している。基板21aと21b上の電極間に一定の閾値以上の
電圧を印加すると、液晶分子23のらせん構造がほどけ、
双極子モーメント（Ｐ⊥）24がすべて電界方向に向くよ
う、液晶分子23は配向方向を変えることができる。液晶
分子23は、細長い形状を有しており、その長軸方向と短
軸方向での屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面
の上下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印
加極性によって光学特性が変わる液晶光学素子となるこ
とは、容易に理解される。
本発明の液晶光学素子で好ましく用いられる液晶セル
は、例えば10μ以下とすることができる。このように液
晶層が薄くなるにしたがい、第３図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメントPaまた
はPbは上向き（34a）または下向き（34b）のどちらかの
状態をとる。この液晶分子軸33aの分子軸と33bのなす角
度の1/2の角度をチルト角（θ）と称している。このよ
うなセルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の
異る電界Ea又はEbを電圧印加手段31aと31bにより付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの電界ベクト
ルに対応して上向き34a又は下向き34bと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、１つの安定配向33aかあるいは
他の安定配向33bの何れか一方に配向する。
は、例えば10μ以下とすることができる。このように液
晶層が薄くなるにしたがい、第３図に示すように電界を
印加していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメントPaまた
はPbは上向き（34a）または下向き（34b）のどちらかの
状態をとる。この液晶分子軸33aの分子軸と33bのなす角
度の1/2の角度をチルト角（θ）と称している。このよ
うなセルに、第３図に示す如く一定の閾値以上の極性の
異る電界Ea又はEbを電圧印加手段31aと31bにより付与す
ると、双極子モーメントは、電界Ea又はEbの電界ベクト
ルに対応して上向き34a又は下向き34bと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、１つの安定配向33aかあるいは
他の安定配向33bの何れか一方に配向する。
このような強誘電性を液晶光学素子として用いること
の利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答
速度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が
双安定性を有することである。第２の点を、例えば第３
図によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶分
子は１つの安定配向33aに配向するが、この状態は電界
を切っても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は他の安定配向33bに配向してその分子の
向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留っ
ている。
の利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答
速度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が
双安定性を有することである。第２の点を、例えば第３
図によって更に説明すると、電界Eaを印加すると液晶分
子は１つの安定配向33aに配向するが、この状態は電界
を切っても安定である。又、逆向きの電界Ebを印加する
と、液晶分子は他の安定配向33bに配向してその分子の
向きを変えるが、やはり電界を切ってもこの状態に留っ
ている。
このような応答速度の速さと、双安定性が有効に実現
されるにはセル厚が出来るだけ薄い方が好ましい。
されるにはセル厚が出来るだけ薄い方が好ましい。
第４図に示す強誘電性液晶（FLC）マイクロシヤツタ
アレイ41は、走査線S1、S2、S3、−−−−とデータ線
I1、I2、I3、−−−−との交差部でFLCマイクロシヤツ
タ部42を形成しているマトリクス電極構造が配線されて
いる。この走査線とデータ線との間には、前述した強誘
電性液晶が配置されている。
アレイ41は、走査線S1、S2、S3、−−−−とデータ線
I1、I2、I3、−−−−との交差部でFLCマイクロシヤツ
タ部42を形成しているマトリクス電極構造が配線されて
いる。この走査線とデータ線との間には、前述した強誘
電性液晶が配置されている。
第５図は、表示パネルの走査線とデータ線に印加する
信号パルス波形を表わしている。図中のI1はデータ線I1
に印加するデータ信号の時系列波形で、S1とS2はそれぞ
れ走査線S1とS2に印加する走査信号の時系列波形であ
る。第５図によれば、走査線S1、S2、−−−−には書込
みタイミングt1、t2、−−−−で２V0と２V0で交番
している走査選択信号が順次印加され、非選択時の走査
線には直流バイアス電圧Vsが印加されている。書込み
タイミングt1、t2−−−−で印加された走査選択信号と
同期させて、データ線I1、I2−−−−には交番するデー
タ信号が情報に応じて印加される。この際、V0→V0
交番電圧をシヤツタ遮閉信号、V0→V0交番電圧をシ
ヤツタ開口信号に設定する。
信号パルス波形を表わしている。図中のI1はデータ線I1
に印加するデータ信号の時系列波形で、S1とS2はそれぞ
れ走査線S1とS2に印加する走査信号の時系列波形であ
る。第５図によれば、走査線S1、S2、−−−−には書込
みタイミングt1、t2、−−−−で２V0と２V0で交番
している走査選択信号が順次印加され、非選択時の走査
線には直流バイアス電圧Vsが印加されている。書込み
タイミングt1、t2−−−−で印加された走査選択信号と
同期させて、データ線I1、I2−−−−には交番するデー
タ信号が情報に応じて印加される。この際、V0→V0
交番電圧をシヤツタ遮閉信号、V0→V0交番電圧をシ
ヤツタ開口信号に設定する。
又、第５図中の（I1−S2）は、第４図に示すFLCマイ
クロシヤツタ部Ａに印加された電圧信号の時系列波形を
表わしている。
クロシヤツタ部Ａに印加された電圧信号の時系列波形を
表わしている。
本発明の駆動法によれば、書込みタイミングのうち、
FLCマイクロシヤツタ部41の開閉状態を決定する位相と
なるt0で、FLCマイクロシヤツタ部Ａには閾値電圧を越
える３V0のスイツチングパルスが印加されて、FLCマ
イクロシヤツタ部Ａはシヤツタ開口状態（明状態）とな
る。このシヤツタ開口状態とされた後のFLCマイクロシ
ヤツタ部Ａには、書込みタイミングt2、t3、−−−−で
データ線に印加されたデータ信号と走査線の非選択走査
時に印加された直流バイアス電圧Vsとが印加されるこ
とになる。従って、非選択走査時のFLCマイクロシヤツ
タ部Ａには、（V0＋Vs）と（−V0＋Vs）との交番波形電
圧が印加される。本実施例では、|Vth|＞｜（−V0＋V
s）｜＞｜（−V0＋Vs）｜となる様に電圧値が設定さ
れ、従って（−V0＋Vs）のパルスが印加されたシヤツタ
開口状態（第５図の開）下のFLCマイクロシヤツタ部で
は、第１図に示す光学応答曲線12の様にV0パルスを印
加した時に較べ透過率低下が小さく抑制され、（V0＋V
s）のパルスが印加されたシヤツタ遮閉状態（第５図の
閉）下のFLCマイクロシヤツタ部では、第１図に示す光
学応答曲線14の様にV0パルスを印加した時に較べ透過
率上昇を生じている。
FLCマイクロシヤツタ部41の開閉状態を決定する位相と
なるt0で、FLCマイクロシヤツタ部Ａには閾値電圧を越
える３V0のスイツチングパルスが印加されて、FLCマ
イクロシヤツタ部Ａはシヤツタ開口状態（明状態）とな
る。このシヤツタ開口状態とされた後のFLCマイクロシ
ヤツタ部Ａには、書込みタイミングt2、t3、−−−−で
データ線に印加されたデータ信号と走査線の非選択走査
時に印加された直流バイアス電圧Vsとが印加されるこ
とになる。従って、非選択走査時のFLCマイクロシヤツ
タ部Ａには、（V0＋Vs）と（−V0＋Vs）との交番波形電
圧が印加される。本実施例では、|Vth|＞｜（−V0＋V
s）｜＞｜（−V0＋Vs）｜となる様に電圧値が設定さ
れ、従って（−V0＋Vs）のパルスが印加されたシヤツタ
開口状態（第５図の開）下のFLCマイクロシヤツタ部で
は、第１図に示す光学応答曲線12の様にV0パルスを印
加した時に較べ透過率低下が小さく抑制され、（V0＋V
s）のパルスが印加されたシヤツタ遮閉状態（第５図の
閉）下のFLCマイクロシヤツタ部では、第１図に示す光
学応答曲線14の様にV0パルスを印加した時に較べ透過
率上昇を生じている。
従って、第５図に示すFLCマイクロシヤツタ部Ａは、
走査選択時t1のうちt0で３V0のスイツチングパルスが
印加されて、シヤツタ開口状態となり、走査非選択時
t2、t3−−−−で、閾値電圧以下の（V0＋Vs）→（−V0
＋Vs）交番波形電圧が印加される。このFLCマイクロシ
ヤツタ部Ａに（−V0＋Vs）パルスが印加されたときに
は、第１図の光学応答曲線12に示す様に透過率低下が
V0パルスを印加したときと比較して十分に小さく抑えら
れている。また、このFLCマイクロシヤツタ部Ａに３V
0パルスが印加された時に、そのFLCマイクロシヤツタ部
Ａが最明状態となる様に、90°クロスニコルの一方の偏
光軸と強誘電性液晶分子軸とを配置している為、走査非
選択時のFLCマイクロシヤツタ部Ａに（V0＋Vs）パルス
が印加されても、その透過率には変動を生じない。
走査選択時t1のうちt0で３V0のスイツチングパルスが
印加されて、シヤツタ開口状態となり、走査非選択時
t2、t3−−−−で、閾値電圧以下の（V0＋Vs）→（−V0
＋Vs）交番波形電圧が印加される。このFLCマイクロシ
ヤツタ部Ａに（−V0＋Vs）パルスが印加されたときに
は、第１図の光学応答曲線12に示す様に透過率低下が
V0パルスを印加したときと比較して十分に小さく抑えら
れている。また、このFLCマイクロシヤツタ部Ａに３V
0パルスが印加された時に、そのFLCマイクロシヤツタ部
Ａが最明状態となる様に、90°クロスニコルの一方の偏
光軸と強誘電性液晶分子軸とを配置している為、走査非
選択時のFLCマイクロシヤツタ部Ａに（V0＋Vs）パルス
が印加されても、その透過率には変動を生じない。
また、図示していないが、走査選択時t1のうち位相t0
で３V0のスイツチングパルスが印加されて、シヤツタ
遮閉（暗状態）とされたFLCマイクロシヤツタ部にも、
前述と同様の（V0＋Vs）→（−V0＋Vs）交番波形電圧が
印加される事になるが、このFLCマイクロシヤツタ部の
走査非選択時に（V0＋Vs）パルスが印加されると、第１
図の光学応答曲線14に示す様に、シヤツタ遮閉時の透過
率が一瞬上昇する事になる。又、シヤツタ遮閉時では、
シヤツタ開口時に最明状態を採る様に偏光軸と分子軸を
配置しているに伴なって、最暗状態を採る為、走査非選
択時に（−V0＋Vs）パルスが印加されても、その透過率
には変動を生じない。
で３V0のスイツチングパルスが印加されて、シヤツタ
遮閉（暗状態）とされたFLCマイクロシヤツタ部にも、
前述と同様の（V0＋Vs）→（−V0＋Vs）交番波形電圧が
印加される事になるが、このFLCマイクロシヤツタ部の
走査非選択時に（V0＋Vs）パルスが印加されると、第１
図の光学応答曲線14に示す様に、シヤツタ遮閉時の透過
率が一瞬上昇する事になる。又、シヤツタ遮閉時では、
シヤツタ開口時に最明状態を採る様に偏光軸と分子軸を
配置しているに伴なって、最暗状態を採る為、走査非選
択時に（−V0＋Vs）パルスが印加されても、その透過率
には変動を生じない。
ところで、本発明者らの実験によれば、シヤツタ遮閉
時における透過率上昇の度合が大きくても作成されたプ
リント画像の画像性にはほとんど影響を与えることはな
いが、シヤツタ開口時における透過率低下の度合が大き
いと、プリント画像の画像性に悪影響を与え、特に階調
に応じて感光体ドラムに照射する光量を制御することに
よって階調プリント画像を作成する際には、所期の階調
性を表現することができなくなる問題点が判明していた
が、本発明ではシヤツタ開口時の透過率低下の度合を十
分に抑制し、所期の階調性を表現したプリント画像を作
成することができる。
時における透過率上昇の度合が大きくても作成されたプ
リント画像の画像性にはほとんど影響を与えることはな
いが、シヤツタ開口時における透過率低下の度合が大き
いと、プリント画像の画像性に悪影響を与え、特に階調
に応じて感光体ドラムに照射する光量を制御することに
よって階調プリント画像を作成する際には、所期の階調
性を表現することができなくなる問題点が判明していた
が、本発明ではシヤツタ開口時の透過率低下の度合を十
分に抑制し、所期の階調性を表現したプリント画像を作
成することができる。
このことから、液晶素子を駆動する電圧マージンを多
少減らしても（この場合、非選択走査線に印加したバイ
アス電圧分Vsだけのマージンが減ったことになる）、前
述したバイアスVsを印加した駆動法は表示画面でのちら
つきが解消されているので、表示品質がはるかに良くな
る事がわかった。
少減らしても（この場合、非選択走査線に印加したバイ
アス電圧分Vsだけのマージンが減ったことになる）、前
述したバイアスVsを印加した駆動法は表示画面でのちら
つきが解消されているので、表示品質がはるかに良くな
る事がわかった。
さらに、本発明ではDCアンバランスを生じているが、
このDCアンバランスが液晶材料に印加される悪影響は、
SiO2膜、ポリイミド膜、ポリビニルアルコール膜などの
絶縁膜で、電流のパシベーシヨンを行う方法を採用する
ことによって、前述の悪影響を解消することができる。
かかる電流のパシベーシヨンを行なう方法としては、例
えば走査線又はデータ線として機能している透明電極上
に前述した絶縁膜を設ける方法を採用することができ
る。この際に用いる絶縁膜の膜厚は、100Å〜2nm程度、
好ましくは500Å〜5000Åの範囲とするのが適してい
る。
このDCアンバランスが液晶材料に印加される悪影響は、
SiO2膜、ポリイミド膜、ポリビニルアルコール膜などの
絶縁膜で、電流のパシベーシヨンを行う方法を採用する
ことによって、前述の悪影響を解消することができる。
かかる電流のパシベーシヨンを行なう方法としては、例
えば走査線又はデータ線として機能している透明電極上
に前述した絶縁膜を設ける方法を採用することができ
る。この際に用いる絶縁膜の膜厚は、100Å〜2nm程度、
好ましくは500Å〜5000Åの範囲とするのが適してい
る。
又、本発明では、強誘電性液晶を配向させるために、
前述した絶縁膜にラビング処理などの一軸性配向処理を
施することができ、又、前述した絶縁膜上に一軸配向処
理軸を付与した配向制御膜を設けることができる。この
際に用いる配向制御膜としては、SiO2膜上に設けたポリ
ビニルアルコール膜やシランカツプリング剤を塗布して
形成した被膜などを用いることができる。
前述した絶縁膜にラビング処理などの一軸性配向処理を
施することができ、又、前述した絶縁膜上に一軸配向処
理軸を付与した配向制御膜を設けることができる。この
際に用いる配向制御膜としては、SiO2膜上に設けたポリ
ビニルアルコール膜やシランカツプリング剤を塗布して
形成した被膜などを用いることができる。
又、本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶は、ネマチ
ツク相と比較してイオン伝導率が小さいため、前述した
DCアンバランスを用いても、液晶劣化を十分に抑制する
ことができる。
ツク相と比較してイオン伝導率が小さいため、前述した
DCアンバランスを用いても、液晶劣化を十分に抑制する
ことができる。
本発明の別の具体例では、第６図に示すバイアス電圧
Vsをデータ信号に重畳することによっても、シヤツタ
開口時の透過率低下を解消することができる。この際に
用いるデータ信号を第６図に示す。第６図に示すデータ
信号波形によれば、開閉状態を決定する位相t0でシヤツ
タ開口を与える３V0と同極性のVsが非選択時のFLC
マイクロシヤツタ部にバイアス電圧として印加される。
Vsをデータ信号に重畳することによっても、シヤツタ
開口時の透過率低下を解消することができる。この際に
用いるデータ信号を第６図に示す。第６図に示すデータ
信号波形によれば、開閉状態を決定する位相t0でシヤツ
タ開口を与える３V0と同極性のVsが非選択時のFLC
マイクロシヤツタ部にバイアス電圧として印加される。
第７図は、本発明の別の駆動例を表わしている。第７
図に示す駆動波形例によれば、非選択時の走査線に時間
的平均値でVsのバイアス電圧を生じる交流電圧を印加
した例が明らかにされている。本例では、走査選択時に
３V0のシヤツタ開口信号が印加されたFLCマイクロシ
ヤツタ部は、非選択時にシヤツタ開口信号と同極性の
Vsバイアス電圧を重畳した交流電圧が印加されており、
シヤツタ開口時の透過率低下の度合を十分に抑制するこ
とができる。
図に示す駆動波形例によれば、非選択時の走査線に時間
的平均値でVsのバイアス電圧を生じる交流電圧を印加
した例が明らかにされている。本例では、走査選択時に
３V0のシヤツタ開口信号が印加されたFLCマイクロシ
ヤツタ部は、非選択時にシヤツタ開口信号と同極性の
Vsバイアス電圧を重畳した交流電圧が印加されており、
シヤツタ開口時の透過率低下の度合を十分に抑制するこ
とができる。
本発明の駆動法で用いた書込みパルス幅（t1、t2、−
−−−）は、数μsec〜数100msec、好ましくは１μsec
〜10msecとすることができ、この際の電圧波高値V0は1V
〜20V、好ましくは5V〜10Vである。又、バイアス電圧Vs
としては電圧波高値V01/5〜1/50の値、好ましくは1/10
〜1/20の値に設定される。
−−−）は、数μsec〜数100msec、好ましくは１μsec
〜10msecとすることができ、この際の電圧波高値V0は1V
〜20V、好ましくは5V〜10Vである。又、バイアス電圧Vs
としては電圧波高値V01/5〜1/50の値、好ましくは1/10
〜1/20の値に設定される。
又、本発明の駆動例では、書込み時に３V0と３V0
のスイツチングパルスを採用しているが、本発明ではこ
の電圧値に限定されることはなく、このスイツチングパ
ルスの波高値をVaとした時、 |Va|＞|Vth|＞｜V0｜ の関係を有する値にスイツチングパルス電圧を設定する
ことができる（但し、Vthは書込みパルス幅での強誘電
性液晶の閾値電圧である）。
のスイツチングパルスを採用しているが、本発明ではこ
の電圧値に限定されることはなく、このスイツチングパ
ルスの波高値をVaとした時、 |Va|＞|Vth|＞｜V0｜ の関係を有する値にスイツチングパルス電圧を設定する
ことができる（但し、Vthは書込みパルス幅での強誘電
性液晶の閾値電圧である）。
第８図は、本発明で用いる強誘電性液晶素子の好まし
い具体例を模式的に表わした断面図である。第８図は、
第３図に示す複数のカイラルスメクチツク液晶分子で形
成した垂直層22の法線方向から見た断面図で、第８図中
の81は第３図に示す液晶分子33a又は33bの前述の垂直層
22への写影（Ｃ−デレクタ）を表わしており、82は前述
の垂直層22に対する液晶分子33a又33bの先端部を表わし
ている。従って、第８図によれば垂直層22内の液晶分子
は互いに実質的に平行に配向した状態を採り、チルト角
θを最大チルト角に近づけることができる。この状態
をニユフオーム配向状態という。
い具体例を模式的に表わした断面図である。第８図は、
第３図に示す複数のカイラルスメクチツク液晶分子で形
成した垂直層22の法線方向から見た断面図で、第８図中
の81は第３図に示す液晶分子33a又は33bの前述の垂直層
22への写影（Ｃ−デレクタ）を表わしており、82は前述
の垂直層22に対する液晶分子33a又33bの先端部を表わし
ている。従って、第８図によれば垂直層22内の液晶分子
は互いに実質的に平行に配向した状態を採り、チルト角
θを最大チルト角に近づけることができる。この状態
をニユフオーム配向状態という。
第８図に示すユニフオーム配向状態では、印加電圧遮
断時のメモリー状態下でも電圧印加時の高い透過率特性
又は遮光特性をそのまま維持することができる。
断時のメモリー状態下でも電圧印加時の高い透過率特性
又は遮光特性をそのまま維持することができる。
本発明の好ましい具体例では、強誘電性液晶が第８図
に示すユニフオーム配向状態を採る上で交流印加前処理
が有効である。この交流印加前処理より前述したチルト
θをらせん構造でのチルトと等しいか、あるいは同程
度の角度まで増大させることができる。この際に用いる
交流としては、電圧20〜500ボルト、好ましくは30〜150
ボルトで周波数10〜500Hz、好ましくは10〜200Hzを用い
ることができ、その印加時間を数秒〜10分間程度で交流
印加前処理を施すことができる。又、かかる交流印加前
処理は、液晶素子を例えば映像信号やデータ信号に応じ
て書込みを行う前の段階で行なわれ、好ましくはかかる
液晶素子を装置に組込み、かかる装置を操作する時のウ
エイトタイムで前述の交流印加前処理を行なうか、ある
いはかかる液晶素子の製造時でも交流印加前処理を施す
ことができる。
に示すユニフオーム配向状態を採る上で交流印加前処理
が有効である。この交流印加前処理より前述したチルト
θをらせん構造でのチルトと等しいか、あるいは同程
度の角度まで増大させることができる。この際に用いる
交流としては、電圧20〜500ボルト、好ましくは30〜150
ボルトで周波数10〜500Hz、好ましくは10〜200Hzを用い
ることができ、その印加時間を数秒〜10分間程度で交流
印加前処理を施すことができる。又、かかる交流印加前
処理は、液晶素子を例えば映像信号やデータ信号に応じ
て書込みを行う前の段階で行なわれ、好ましくはかかる
液晶素子を装置に組込み、かかる装置を操作する時のウ
エイトタイムで前述の交流印加前処理を行なうか、ある
いはかかる液晶素子の製造時でも交流印加前処理を施す
ことができる。
かかる交流印加前処理は、印加前のチルト角θがらせ
ん構造でのチルトと同程度にまで増大させたチルト角
とすることができ、しかもかかる交流印加を除去した後
であってもその増大されたチルト角を維持することがで
きる。
ん構造でのチルトと同程度にまで増大させたチルト角
とすることができ、しかもかかる交流印加を除去した後
であってもその増大されたチルト角を維持することがで
きる。
第10図は、FLCマイクロシヤツタアレイを用いた電子
写真方式プリンタのプロセス図である。第10図におい
て、光源101（光信号発生用光源）は、常に点灯してお
り、液晶−光学シヤツタアレイ素子100を常に照らして
いる。このシヤツタアレイ素子100は、液晶駆動回路
（図示せず）によって光源101よりの光線が遮断され
て、選択された区域を透光状態とすることによって光信
号を発生し、感光体ドラム102に照射する光線を制御す
ることができる。また、光源101から光線とシヤツタア
レイ素子100からの光信号の集光性を得るために、光路
中にレンズ103と104を配置しておくことが望ましい。
写真方式プリンタのプロセス図である。第10図におい
て、光源101（光信号発生用光源）は、常に点灯してお
り、液晶−光学シヤツタアレイ素子100を常に照らして
いる。このシヤツタアレイ素子100は、液晶駆動回路
（図示せず）によって光源101よりの光線が遮断され
て、選択された区域を透光状態とすることによって光信
号を発生し、感光体ドラム102に照射する光線を制御す
ることができる。また、光源101から光線とシヤツタア
レイ素子100からの光信号の集光性を得るために、光路
中にレンズ103と104を配置しておくことが望ましい。
感光体ドラム102は、矢印111の回転方向をもって回転
しており、光信号の照射に先立って前露光ステーシヨン
112によって全面露光された後に予めコロナ放電装置な
どを備えた帯電ステーシヨン105でプラスまたはマイナ
スに帯電され、感光ドラム102における光照射された所
では、帯電電荷が消滅して静電潜像が形成される。この
際、前露光ステーシヨン112で用いる光源としては、シ
ヤツタアレイ素子100に組込んだ光源101からの光線を用
いる事ができる。又、この際の光源としてはハロゲンラ
ンプ、蛍光灯などが利用できる。この様にして形成され
た静電潜像は、現像部106で帯電時の極性と反対極性又
は反転現像による時には同一極性のトナーとキヤリアか
らなる現像剤の存在下に現象バイアスを印加しながら磁
気ブラシ現像法などによって現像した後、転写部107で
像保持部材108（例えば、紙など）に転写し、次いで定
着部109で熱や圧力などによって定着され、完全に固定
化されたプリント物が得られる。
しており、光信号の照射に先立って前露光ステーシヨン
112によって全面露光された後に予めコロナ放電装置な
どを備えた帯電ステーシヨン105でプラスまたはマイナ
スに帯電され、感光ドラム102における光照射された所
では、帯電電荷が消滅して静電潜像が形成される。この
際、前露光ステーシヨン112で用いる光源としては、シ
ヤツタアレイ素子100に組込んだ光源101からの光線を用
いる事ができる。又、この際の光源としてはハロゲンラ
ンプ、蛍光灯などが利用できる。この様にして形成され
た静電潜像は、現像部106で帯電時の極性と反対極性又
は反転現像による時には同一極性のトナーとキヤリアか
らなる現像剤の存在下に現象バイアスを印加しながら磁
気ブラシ現像法などによって現像した後、転写部107で
像保持部材108（例えば、紙など）に転写し、次いで定
着部109で熱や圧力などによって定着され、完全に固定
化されたプリント物が得られる。
転写部107を経た感光ドラムは、クリーニング手段113
によってその表面上に残留するトナーが除去される。
によってその表面上に残留するトナーが除去される。
シヤツタアレイ100から発生した光信号を受ける感光
体は、前述の如き電子写真方式のものに限らず、例えば
銀塩写真方式の感光体（例えば、モノクロペーパー、カ
ラーペーパー、米国スリーエム社「ドライシルバー」な
ど）であってもよい。
体は、前述の如き電子写真方式のものに限らず、例えば
銀塩写真方式の感光体（例えば、モノクロペーパー、カ
ラーペーパー、米国スリーエム社「ドライシルバー」な
ど）であってもよい。
本発明によれば、強誘電性液晶素子を電子写真プリン
ターに適用した際に、感光体ドラムの潜像形成特性を改
善することができ、特に階調プリント画像を作成する上
で有効である。
ターに適用した際に、感光体ドラムの潜像形成特性を改
善することができ、特に階調プリント画像を作成する上
で有効である。
第１図（ａ）及び（ｂ）は、双安定下の強誘電性液晶に
パルスを印加した時の光学応答特性を表わす説明図であ
る。第２図及び第３図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に表わす斜視図である。第４図は、本発明
で用いたマトリツクス電極構造の平面図である。第５
図、第６図及び第７図は、本発明の駆動法で用いた駆動
波形例を表わす説明図である。第８図は、本発明で用い
た強誘電性液晶素子の好ましい態様を表わす断面図であ
る。第９図は、感光体ドラムの表面電位と露光光量の関
係を示す説明図である。第10図は、強誘電性液晶素子を
用いた電子写真プリンターのプロセス図である。
パルスを印加した時の光学応答特性を表わす説明図であ
る。第２図及び第３図は、本発明で用いた強誘電性液晶
素子を模式的に表わす斜視図である。第４図は、本発明
で用いたマトリツクス電極構造の平面図である。第５
図、第６図及び第７図は、本発明の駆動法で用いた駆動
波形例を表わす説明図である。第８図は、本発明で用い
た強誘電性液晶素子の好ましい態様を表わす断面図であ
る。第９図は、感光体ドラムの表面電位と露光光量の関
係を示す説明図である。第10図は、強誘電性液晶素子を
用いた電子写真プリンターのプロセス図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｈ０４Ｎ 1/036 Ｂ 1/23 １０３ Ｚ (72)発明者 豊野 勉 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 神辺 純一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−28717（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】光源と、感光体と、該光源と該感光体との
間の光路に配された液晶シャッタアレイと、を備えた電
子写真方式の画像形成装置において、 該液晶シャッタアレイは、走査線群とデータ線群との交
差部にカイラルスメクティック液晶が配されて形成され
た複数のシャッタ部と、 選択された走査線上のシャッタ部を明状態又は暗状態に
するとともに非選択の走査線上のシャッタ部に交番波形
電圧がかかるように、走査線に走査信号を印加するとと
もにデータ線にデータ信号を印加する為の手段と、を有
し、 該交番波形電圧の時間平均値における極性が選択された
走査線上のシャッタ部を明状態とする電圧の極性と同一
極性であることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】該データ信号に、該交番波形電圧の時間平
均値における極性を選択された走査線上のシャッタ部を
明状態とする電圧の極性と同一極性とする為のバイアス
電圧を重畳することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の画像形成装置。 - 【請求項３】非選択の走査線に、該交番波形電圧の時間
平均値における極性を選択された走査線上のシャッタ部
を明状態とする電圧の極性と同一極性とする為のバイア
ス電圧を与えることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10417886A JPH0833534B2 (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10417886A JPH0833534B2 (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 画像形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260125A JPS62260125A (ja) | 1987-11-12 |
| JPH0833534B2 true JPH0833534B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=14373760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10417886A Expired - Fee Related JPH0833534B2 (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833534B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5933128A (en) * | 1995-05-17 | 1999-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal apparatus and driving method therefor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792562B2 (ja) * | 1985-07-30 | 1995-10-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の駆動方法 |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP10417886A patent/JPH0833534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62260125A (ja) | 1987-11-12 |
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