JPH08335493A

JPH08335493A - 電磁誘導加熱装置の防爆装置

Info

Publication number: JPH08335493A
Application number: JP16480695A
Authority: JP
Inventors: Taizo Kawamura; 泰三川村; Yoshitaka Uchibori; 義隆内堀
Original assignee: Omron Corp; Seta Giken KK; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp; Seta Giken KK
Priority date: 1995-06-06
Filing date: 1995-06-06
Publication date: 1996-12-17

Abstract

(57)【要約】【目的】化学プラント等のパイプラインに組み込まれ
る電磁誘導加熱装置の防爆装置であって、大型化するこ
とを抑え、また使いやすい防爆装置を提供することを目
的とする。【構成】流体通路に設けられた導電性物質の発熱体１
２と、該発熱体１２の周囲に設けられたコイル１３と、
該コイル１３に対する高周波電流発生器５とを備えた電
磁誘導流体加熱装置に対して設けられる防爆装置であっ
て、前記コイル１３と前記高周波電流発生器５とを近接
配置して、これらを防爆ケース５１，５３内に収納し、
一緒にまとめたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、液体や気体等の流体に
浸された発熱体を電磁誘導加熱で加熱し、前記流体を直
接的な熱移動で加熱する電磁誘導加熱装置の防爆装置に
関し、特に化学プラントなどにおけるパイプラインに組
み込み可能なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、化学プラントにおける反応・分
離工程では、蒸留塔が必ず必要である。この蒸留塔は、
蒸留液を構成する液体がそれぞれ持つ沸騰点の温度差に
より、混合している液体を分離する装置である。この蒸
留塔には蒸留液を加熱する装置が付設されている。この
加熱装置としては例えばシーズヒータ方式の如き間接加
熱によるものが採用されている。このシーズヒータ方式
は、電源をシーズヒータに投入して熱媒油を加熱し、熱
交換器で熱媒油と蒸留液との熱交換を行わせる方式であ
る。

【０００３】間接加熱によるシーズヒータ方式は、まず
熱媒体をシーズヒータで加熱するために、立ち上がり時
間が長くかかり、加熱装置も大掛かりになる傾向があっ
た。そこで、特開平３−９８２８６号公報などに開示さ
れるように、流体が通過するコラム又はケースを絶縁体
で構成し、このコラム又はケース内に収納され流体が浸
かる発熱体を電磁誘導で加熱する直接加熱の電磁誘導加
熱装置をパイプラインに組み込むことが提案されてい
る。この直接加熱による電磁誘導加熱装置によると、流
体が浸かる発熱体の伝熱面積を大きくすることなどによ
り、発熱体から流体への伝熱効率を９０％前後まで向上
させることができるため、立ち上がり時間が短縮でき
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
３−９８２８６号公報などで提案される電磁誘導加熱装
置は小型で局部加熱が可能であるものの、電気加熱によ
るため、化学プラントに使用する場合には防爆仕様が求
められるが、コイルの部分と、電力素子を使ったインバ
ータ部のような高周波電流発生器とを普通に防爆ケース
に覆うと、折角の小型機器が防爆のために大型化した
り、また操作しにくくなったりするという問題点があっ
た。

【０００５】本発明は上述した問題点を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、化学プ
ラント等のパイプラインに組み込まれる電磁誘導加熱装
置の防爆装置であって、大型化することを抑え、また使
いやすい防爆装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明における電磁誘導加熱装置の防爆装置は、流体通路に
設けられた導電性物質の発熱体と、該発熱体の周囲に設
けられたコイルと、該コイルに対する高周波電流発生器
とを備えた電磁誘導流体加熱装置に対して設けられる防
爆装置であって、前記コイルと前記高周波電流発生器と
を近接配置して、これらを防爆ケース内に収納してなる
ものである。この防爆ケース内に、少なくとも前記コイ
ルを覆う磁気シールドを設けることが好ましい。

【０００７】他の電磁誘導加熱装置の防爆装置は、流体
通路に設けられた導電性物質の発熱体と、該発熱体の周
囲に設けられたコイルと、該コイルに対する高周波電流
発生器と、該高周波電流発生器の制御部と、前記発熱体
に対する温度制御部とを備えた電磁誘導流体加熱装置に
対して設けられる防爆装置であって、前記コイルと前記
高周波電流発生器とを近接配置して、これらを防爆ケー
ス内に収納した第１ユニットと、前記制御部と前記温度
制御部とを近接配置し、前記防爆ケースから離れて遠隔
操作可能な位置に設置した第２ユニットとからなるもの
である。この第１ユニットと前記第２ユニット間の信号
線に光ファイバーを用いたものが好ましい。

【０００８】

【作用】電気的火花を発する可能性のあるコイルとイン
バータ部等の高周波電流発生器とを一緒に防爆ケース内
に納めてまとめる。特にコイルからの磁束の影響から周
囲を遮断するために磁気シールドが有効である。

【０００９】防爆ケース内の電力部分と、電力部分に対
する制御のための制御部とを分けると、遠隔操作が可能
になる。特に、両者を接続する信号線としては電気を使
用しない光ファイバーが有効である。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は防爆装置５０の構造図である。

【００１１】図１において、防爆装置５０は、コイル１
３とインバータ部（高周波電流発生器）５とが近接配置
された第１ユニットＵ１を覆う防爆ケース５１と、防爆
ケース５１の中に配設され、特にコイル１３の部分を覆
う電磁波シールド板５２と、必要に応じて前記第１防爆
ケース５１を二重に囲う第２防爆ケース５３と、温度調
節部２と位相シフト制御部３とが近接配置された第２ユ
ニットＵ２を覆うケース５４と、第１ユニットＵ１と第
２ユニットＵ２とを接続する信号線としての光ファイバ
５５とからなっている。

【００１２】また、前記第１防爆ケース５１に対して窒
素封入のための配管５６が設けられ、配管５６の一方の
先端５６ａは電磁波シールド５２内に開口し、配管５６
の他方の先端５６ｂは第１防爆ケース５１内に開口して
いる。また、最初の封入時の空気と窒素の置換のため
に、図示されないバルブ付きの排出口も設けられてい
る。そして、この排出口を閉じた状態で、第１防爆ケー
ス５１内及び第２防爆ケース５３内を水圧で十ミリメー
トル程度のプラス圧にして窒素が外に漏れ出ても空気が
侵入しない構造になっている。すなわち、第１防爆ケー
ス５１及び第２防爆ケース５３は完全密閉に近い構造に
なっており、扉などの開口部にはシール材が設けられて
いる。特に、二重の防爆ケース５１，５３にすると、個
々のケースの密閉構造が一重の場合より簡単なものです
む。

【００１３】電気的火花が発生する可能性の大きい部位
は、インバータ部（高周波電流発生器）５とコイル１３
の部分である。コイル１３は高周波磁界を発生させるた
めのものであり、インバータ部５は高周波電流を発生さ
せるためのものであり、通常両者は離れた所に設置され
る。例えばコイル１３はパイプラインの適所に設置さ
れ、インバータ部５は地上のメンテナンスし易い所に設
置される。しかし、本発明ではインバータ部５をコイル
１３に対して近接配置して一体にし、これらを合わせて
一つの防爆ケース５１，５３内に収納する構造になって
いる。

【００１４】加熱容量が大きい場合にはコイル１３に大
電力が流れるため、コイル１３の周囲に強力な高周波磁
界が発生する。そのため、コイル１３の周囲に配設され
る導電性金属に渦電流が発生し、電気的火花が発生する
可能性がある。特に、コイル１３にインバータ部５を近
接配置すると、その危険性が大きくなる。そのため、コ
イル１３の部分を磁気シールド板５２で覆う構造にして
いる。磁気シールド板５２は導電性金属又は炭素繊維入
り強化プラスチックのような材質で形成されたものであ
る。コイル１３の高周波磁界は磁気シールド板５２で閉
じ込められ、磁気シールド板５２より外に漏れ出ない。
この磁気シールド板５２は磁束を封じ込めるためのもの
であるため、密閉構造にする必要がない。

【００１５】インバータ部５は電力素子のスイッチング
動作によって大電流のオンオフを行うためロスが熱とな
って発生する。また、コイル１３も銅損によって熱が発
生し、磁気シールド板５２も多少発熱することがある。
しかし、上述したように防爆ケース５１，５３内に、コ
イル１３やインバータ部５を閉じ込めているため、発生
した熱がケース内に籠もることになる。そのため、ケー
ス５１，５３内外に通じる冷却装置が設けられる。この
冷却装置の好ましい例として、加熱される流体を媒体と
して用い、インバータ部５への分岐配管５７やコイル１
３への分岐配管５８を設けるものがある。外部放出の熱
ロスが少なくなるという利点がある。

【００１６】上述したコイル３とインバータ部５は化学
プラントのサイトに設置されることになるが、温度制御
部２や位相シフト制御部３は例えばコントロール室に設
置することが可能である。その場合、温度制御部２や位
相シフト制御部３を収納するケース５４は普通の制御盤
でよい。この温度制御部２や位相シフト制御部３もサイ
トに置く場合には、防爆仕様のケースにすることもでき
る。このケース５４と防爆ケース５１，５３との間は、
制御のための信号線である光ファイバー５５で接続され
る。光ファイバ５５は電気を使用しないため、防爆仕様
にする必要がなく、線径も細くなって好ましい。

【００１７】つぎに、制御部２と位相シフト制御部３と
インバータ部５の具体的構成を図２及び図３により説明
する。図２において、１は電磁誘導加熱装置の本体、２
は２自由度ＰＩＤ温度制御部、３はＰＷＭコントロール
ＩＣ（３ａ）とドライバー３ｂとからなる位相シフト制
御部、５はセンサレス高力率高周波インバータ部であ
る。

【００１８】高周波インバータ部５は、交流電源２１に
対する整流部２２と、非平滑フィルタ２３と、高周波イ
ンバータ部２４とからなっている。高周波インバータ部
２４の出力電力と周波数は、位相シフト制御部３によっ
て制御され、商用の交流電源２１を効率的に高周波電流
に変換して電気エネルギーが有効利用される。

【００１９】温度制御部２は、ファジー＋オートチュー
ニング２自由度ＰＩＤ温度制御器で構成され、出力電圧
制御信号を位相シフト制御部３に出力する。ここで、出
力制御のための温度センサ１７がパイプ１１の出口に設
けられているため、インバータ部５やコイル１３の損失
を考慮した出力の制御が可能である。

【００２０】図示のように、インバータ部５と電磁誘導
加熱装置本体１とが、防爆ケース５１で覆われる。そし
て、温度制御部２と位相シフト制御部３が普通のケース
５４内に納められ、防爆が求められないエリアに設置さ
れる。そして、防爆ケース５１とケース５４との間が光
ファイバー５５で接続される。

【００２１】図３にはより詳細な高周波インバータ部２
４の回路が示されている。コイル１３が巻かれた非金属
パイプ１１と導電性金属の発熱体１２からなる加熱体系
は、漏れインダクタンスの大きいトランス回路モデルで
表すことができ、Ｌ１，Ｒ１からなる単純なＲ−Ｌ回路
で表示することができる。このＲ−Ｌ回路に補償コンデ
ンサＣ１を直列に接続すると、電気回路定数が殆ど変化
しない不時変回路系とすることができる。そのため、共
振コンデンサＣ１でＲ−Ｌ負荷系のＬ分を補償した同調
が取りやすく、作動周波数と共振コンデンサＣ１の最適
設計回路が行える。

【００２２】高周波インバータ部２４は、４個のスイッ
チング素子Ｑ１〜Ｑ４を用いたものであり、Ｑ１とＱ２
とを直列に接続したものと、Ｑ３とＱ４とを直列に接続
したものを並列に接続してなっている。このスイッチン
グ素子Ｑ１〜Ｑ４はスイッチＳ１〜Ｓ４とダイオードＤ
１〜Ｄ４とを並列に接続した回路で表され、ＳＩＴ（Ｓ
ｔａｔｉｃＩｎｄｕｃｔｉｏｎＴｒａｎｓｉｓｔｏ
ｒ）、Ｂ−ＳＩＴ、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉ
ｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦＥＴ）、ＩＧＢ
Ｔ、ＭＣＴ等の半導体パワーデバイスを用いて形成され
る。

【００２３】スイッチＳ１，Ｓ４が閉じると、ａ点から
負荷Ｌ１，Ｒ１を経てｂ点に至る回路に電流が流れ、ス
イッチＳ２，Ｓ３が閉じると、ｂ点から負荷Ｌ１，Ｒ１
を経てａ点に至る回路に電流が流れる。すなわち、負荷
Ｌ１，Ｒ１から見ると、正又は逆に電流が流れたことに
なる。各スイッチＳ１〜Ｓ４はそれぞれ５０％弱のデュ
ーディサイクルの電圧パルスで駆動する。スイッチＳ
１，Ｓ２の電圧駆動パルスを基準相パルスとし、スイッ
チＳ３，Ｓ４の電圧駆動パルスを制御相パルスとする。
基準相と制御相との電圧駆動パルスの位相差φを０〜１
８０°まで連続的に変化させることにより出力電圧をＰ
ＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈＭｏｄｕｌａｔｉｏ
ｎ）によって制御することができ、理論的には出力電力
を０から負荷回路定数とインバータ動作周波数で決まる
最大出力まで連続的に変化させることができる。

【００２４】このように、漏れインダクタンスの大きい
トランス回路モデルで表せる装置本体１や、スイッチン
グ素子Ｓ１〜Ｓ４によるインバータ部２４は防爆仕様を
満足させるためには、所定の防爆ケース５１内に納める
必要がある。

【００２５】図２に戻り、装置本体１は、流体通路を形
成する非金属パイプ１１内に、発熱体１２を収納し、パ
イプ１１の外周にワーキングコイル１３を巻き付けたも
のである。パイプ１１の下側から入る低温流体１４は発
熱体１２内の流体通路を通過することで混合流体１５と
なって均一加熱された後、パイプ１１の上側の出口から
高温流体１６となって流出する。この高温流体の温度は
温度センサ１７で検出され、温度センサ１７は温度制御
部２に接続されている。この部分が磁気シールド板５２
で覆われている。

【００２６】パイプラインに組み込み可能な装置本体１
の詳細構造は図４に示される。パイプ１１の両端には、
管５１，５２、短管５３，５４、フランジ５５，５６と
が順に接続されている。

【００２７】フランジ５５，５６及び短管５３，５４の
素材は、化学プラントで扱われる種々の流体に対して耐
蝕性を有することが必要であり、また後述するコイル１
３が形成する磁束の影響を受けにくいように、非磁性の
ＳＵＳ３１６の如きオーステナイト系ステンレスが用い
られる。このオーステナイト系ステンレスは一般には非
磁性であるとされるものの、完全な非磁性ではなく磁束
の影響を多少受ける。フランジ５５と短管５３は溶接等
で短管付きフランジに形成され、フランジ５６と短管５
４も溶接等で短管付きフランジに形成される。特に流体
１６の出口側に位置する短管５４には、同じＳＵＳ３１
６製のソケット５４ａが溶接等で固定され、温度センサ
１７を取り付けるためのフィティング１７ａがねじ込め
るようになっている。そして、押さえ金具１７ｂをフィ
ティング１７ａに対してねじ込むと、温度センサ１７の
先端が短管５４の中心付近に位置する状態で固定するこ
とができる。

【００２８】そして、パイプ１１の両端と短管５３，５
４とは直接接合するのではなく、管５１，５２を介して
接合している。管５１，５２の素材には、Ｆｅ−Ｎｉ−
Ｃｏ合金のように、高力耐熱合金が選定される。また、
一般にセラミックの熱膨張係数は小さく、オーステナイ
ト系ステンレスの熱膨張係数は大きい。したがって、パ
イプ１１にセラミックを使用し、短管５３，５４にオー
ステナイト系ステンレスを使用し、パイプ１１と短管５
３，５４とを直接接合すると大きな熱応力が発生する。
そのため、パイプ１１と短管５３，５４の間に介在させ
る管５１，５２の熱膨張係数は、セラミックとオーステ
ナイト系ステンレスの熱膨張係数の中間になるものを選
定する。また、短管５３，５４と管５１，５２との間の
接合及び管５１，５２とパイプ１１との間の接合は、銀
ろうやニッケルろうを用いた融着により行う。

【００２９】管５２はストレートであるが、管５１はコ
ルゲート状に波うっており、軸方向に伸縮可能になって
いる。装置本体１で流体を加熱すると、熱膨張によって
装置本体１のみならずパイプラインも軸方向に延びる。
そのため、パイプラインにフランジ接合で装置本体１を
組み込んだ場合、装置本体１の最も弱い部分に予想外の
熱応力を生じさせる恐れがあるため、装置本体１内に熱
膨張の逃げのためのコルゲート状の管５１を設けた。

【００３０】なお、コイル１３はリッツ線を撚り合わせ
たものであり、パイプ１１の外周に巻回されるか、又は
パイプ１１の肉厚内に巻回して埋設される。パイプ１１
はコイル１３を保持し、流体通路を区画し、その通路内
に発熱体１２を収納するものであるため、耐蝕性、耐熱
性、耐圧性があって非磁性体の材質で形成される。具体
的には、セラミック等の無機質材料、ＦＲＰ（繊維強化
プラスチック）、フッ素樹脂等の樹脂材料、ステンレス
等の非磁性金属等が用いられるが、セラミックが最も好
ましい。

【００３１】上述したフランジ５５，５６はオーステナ
イト系ステンレスであっても、磁束の影響を受けて発熱
するため、フランジ５５，５６の手前まで磁気シールド
板５２を設けることが望ましい。

【００３２】図５はパイプ１１内に組み込まれる発熱体
１２の構造を示してる。ジグザグの山型に折り曲げられ
た第１金属板２２と平たい第２金属板２１とを交互に積
層し、全体として円筒状の積層体１２に形成したもので
ある。この第１金属板２２や第２金属板２１の材質とし
ては、ＳＵＳ４４７Ｊ１の如きマルテンサイト系ステン
レスが用いられる。そして、第１金属板２２の山（又は
谷）は中心軸２４に対して角度αだけ傾くように配設さ
れ、第２金属板２１を挟んで隣り合う第１金属板２２の
山（又は谷）は交差するように配設されている。そし
て、隣り合う第１金属板２２における山（又は谷）の交
差点において、第１金属板２２と第２金属板２１がスポ
ット溶接で溶着され、電気的に導通可能になっている。

【００３３】結局、手前側の第２金属板２１と第１金属
板２２との間には、角度αだけ傾いた第１小流路２７が
形成され、次の第２金属板２１と第１金属板２２との間
には、角度−αだけ傾いた第２小流路２８が形成され、
この第１小流路２７と第２小流路２８は角度２×αで交
差している。また、第１金属板２２や第２金属板２１の
表面には、流体の乱流を生じさせるための第３小流路と
しての孔２６が設けられている。さらに、第１金属板２
２や第２金属板２１の表面は平滑ではなく、梨地加工又
はエンボス加工によって微小な凹凸が施されている。こ
の凹凸は山（又は谷）の高さに比較して無視できる程度
に小さい。

【００３４】積層体１２に高周波磁界を作用させると、
第１金属板２２と第２金属板２１の全体に渦電流が生
じ、積層体１２が発熱する。このときの温度分布は、第
１金属板２２と第２金属板２１の長手方向に延びた目玉
型となり、周辺部より中心部の方が発熱し、中央部を流
れようとする流体の加熱に有利になっている。

【００３５】また、積層体１２内には交差する第１小流
路２７と第２小流路２８が形成され、周辺と中央との拡
散が行われ、加えて第３小通路を形成する孔２６の存在
によって、第１小流路２７と第２小流路２８間の厚み方
向の拡散も行われる。したがって、これらの小流路２
７，２８，２９によって積層体１２の全体にわたる流体
のマクロ的な分散、放散、揮散が生じる。加えて、表面
の微小な凹凸によってミクロ的な拡散、放散、揮散も生
じる。その結果、積層体１２を通過する流体は略均一な
流れになって、第１金属板２２及び第２金属板２１と流
体との均一な接触機会が得られる。

【００３６】なお、図４のように、発熱体１２は、その
外周面とパイプ１１の内周面との間に環状隙間Ｒｓを形
成するような直径Ｄとされて、パイプ１１内にその軸心
と発熱体１２の軸心を一致させるように遊嵌して、パイ
プ１１内に挿入されて保持部材３０で保持されている。
そして、発熱体１２の直径Ｄは、装置本体１で流体１６
を加熱した際、パイプ１１がその径方向に熱膨張する量
と発熱体１２がその径方向に熱膨張する量との熱膨張差
以上の環状隙間Ｒｓを、発熱体１２とパイプ１１間に有
するように決定されている。また、保持部材３０は、流
入側Ａの短管５３に溶接等で溶着され径内方向に延びる
金属製バー３１と、この金属製バー３１の先端に発熱体
１２の軸心と一致するように固定され非磁性体の保持棒
３２とで構成されている。そして、この保持棒３２は、
非磁性、耐熱性及び耐蝕性に優れたセラミック等で製作
されて流入側Ａから流出側Ｂに向かって延びており、そ
の先端で発熱体１２をコイル１３に対する位置に位置決
めして保持している。３５はリング状ストッパであっ
て、非磁性、耐熱性及び耐蝕性の優れたセラミック等で
製作されており、流体１６の流出側Ｂからパイプ１１内
に嵌合され、発熱体１２との間に当該発熱体１２の軸方
向の熱膨張の量と同一、又は多少少ない隙間Ｖｓを有し
て固定されている。また、リング状ストッパ３５は、流
出側Ｂから環状隙間Ｒｓを径方向に横切って発熱体１２
上に位置しており、発熱体１２の熱膨張でこの発熱体１
２と係合して、環状隙間Ｒｓを流出側Ｂから閉塞する。

【００３７】そして、装置本体１の流入側Ａから流出側
Ｂに流体１６を流すと共に、コイル１３による電磁誘導
でパイプ１１、発熱体１２を介して流体１６を加熱する
と、パイプ１１及び発熱体１２とにその径方向の熱膨張
に差が生じるが、パイプ１１と発熱体１２間にはその熱
膨張差以上の環状隙間Ｒｓが形成されているので、この
環状隙間Ｒｓを狭めつつ熱膨張差を吸収して、発熱体１
２がパイプ１１に当接して押すことによる応力の作用を
防止され、また、発熱体１２はその軸方向にも熱膨張す
るが、この熱膨張はリング状ストッパ３５との間に形成
された隙間Ｖｓにより吸収される。

【００３８】このとき、パイプライン１０４から装置１
の流入側Ａに流入した流体１６は、発熱体１２内に流入
して加熱されて流入側Ｂに流れると共に、流体１６の一
部は、流入側Ａから直接的に、又は発熱体１２から環状
隙間Ｒｓに流入して環状隙間Ｒｓを通過して流入側Ｂに
流れようとするが、発熱体１２が軸方向の熱膨張により
リング状ストッパ３５に係合することで環状隙間Ｒｓの
流出側Ｂを閉塞して流体１６が直接に流出側Ｂに流れる
ことを阻止するので、環状隙間Ｒｓ内には流入側Ａから
の流体１６の流れにより流出側Ｂに押すような圧力が発
生し、環状隙間Ｒｓ内に流れ込んだ流体１６をこの圧力
により発熱体１２内に流れ込ませることができる。

【００３９】これにより、コイル１３による電磁誘導で
発熱体１２を加熱しても、発熱体１２の熱膨張に起因す
るパイプ１１の破損が防止できると共に、発熱体１２の
熱膨張を吸収するための環状隙間Ｒｓを形成したとして
も、発熱体１２が熱膨張してリング状ストッパ３５に係
合することにより環状隙間Ｒｓを流出側Ｂから閉塞し
て、この環状隙間Ｒｓに流れ出す流体１６を発熱体１２
内に流れ込ませることができるので、流体１６を発熱体
１２で均一に加熱することが可能となる。

【００４０】

【発明の効果】本発明における電磁誘導加熱装置の防爆
装置にあっては、電気的火花を発する可能性のあるコイ
ルとインバータ部等の高周波電流発生器とを一緒に防爆
ケース内に納めてまとめたため、別々に防爆ケースに納
める場合に比較して機器の小型化が実現できる。

【００４１】また、防爆ケースに納められた電力部分に
対する制御部を別にすることで、制御部を例えばコント
ロール室に設置し、安全に使用することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の防爆装置の構造図である。

【図２】高周波電流発生器の機器構成図である。

【図３】インバータ部の回路図である。

【図４】電磁誘導加熱装置本体の断面図である。

【図５】発熱体の構造図である。

【符号の説明】

２温度制御部３位相シフト制御部（インバータ部の制御部）５インバータ部１１パイプ（流体通路）１２発熱体１３コイル５０防爆装置５１第１防爆ケース５２磁気シールド板５３第２防爆ケース５４ケース５５光ファイバー５６窒素封入用配管Ｕ１第１ユニットＵ２第２ユニット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】流体通路に設けられた導電性物質の発熱
体と、該発熱体の周囲に設けられたコイルと、該コイル
に対する高周波電流発生器とを備えた電磁誘導流体加熱
装置に対して設けられる防爆装置であって、前記コイルと前記高周波電流発生器とを近接配置して、
これらを防爆ケース内に収納してなる電磁誘導加熱装置
の防爆装置。
【請求項２】前記防爆ケース内に、少なくとも前記コ
イルを覆う磁気シールドを設けた請求項１記載の電磁誘
導加熱装置の防爆装置。
【請求項３】流体通路に設けられた導電性物質の発熱
体と、該発熱体の周囲に設けられたコイルと、該コイル
に対する高周波電流発生器と、該高周波電流発生器の制
御部と、前記発熱体に対する温度制御部とを備えた電磁
誘導流体加熱装置に対して設けられる防爆装置であっ
て、前記コイルと前記高周波電流発生器とを近接配置して、
これらを防爆ケース内に収納した第１ユニットと、前記制御部と前記温度制御部とを近接配置し、前記防爆
ケースから離れて遠隔操作可能な位置に設置した第２ユ
ニットと、からなる電磁誘導加熱装置の防爆装置。
【請求項４】前記第１ユニットと前記第２ユニット間
の信号線に光ファイバーを用いた請求項３記載の電磁誘
導加熱装置の防爆装置。