JPH0833556B2 - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
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- JPH0833556B2 JPH0833556B2 JP677089A JP677089A JPH0833556B2 JP H0833556 B2 JPH0833556 B2 JP H0833556B2 JP 677089 A JP677089 A JP 677089A JP 677089 A JP677089 A JP 677089A JP H0833556 B2 JPH0833556 B2 JP H0833556B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、液晶表示装置等に用いられるアクティブマ
トリクス基板に関する。
トリクス基板に関する。
（従来の技術） アクティブマトリクス基板上に液晶層、透明電極等を
順次積層してなるアクティブマトリクス駆動方式の液晶
表示装置は、液晶の応答速度が速く、基板面積に制約が
なく、反射型又は透過型のいずれにも使用することがで
きるなどの利点を持つため、近年盛んに用いられてい
る。該液晶表示装置に使用されるアクティブマトリクス
基板は、周知のように、絶縁基板と、その上にマトリク
ス状に配列された絵素電極と、行ライン及び列ライン
と、その各交差部に於いて各絵素電極に接続された薄膜
トランジスタ（TFT）等の非線形素子とを備えている。
順次積層してなるアクティブマトリクス駆動方式の液晶
表示装置は、液晶の応答速度が速く、基板面積に制約が
なく、反射型又は透過型のいずれにも使用することがで
きるなどの利点を持つため、近年盛んに用いられてい
る。該液晶表示装置に使用されるアクティブマトリクス
基板は、周知のように、絶縁基板と、その上にマトリク
ス状に配列された絵素電極と、行ライン及び列ライン
と、その各交差部に於いて各絵素電極に接続された薄膜
トランジスタ（TFT）等の非線形素子とを備えている。
このようなアクティブマトリクス基板は、液晶表示装
置等に種々の利点をもたらすものであるが、その反面、
製造工程が複雑であり、しかも大面積に形成されるもの
であるため、歩留りが低いという欠点を有している。従
って、歩留り向上のためには、製造された基板を検査し
て、その欠陥箇所を修正することが重要とされている。
置等に種々の利点をもたらすものであるが、その反面、
製造工程が複雑であり、しかも大面積に形成されるもの
であるため、歩留りが低いという欠点を有している。従
って、歩留り向上のためには、製造された基板を検査し
て、その欠陥箇所を修正することが重要とされている。
アクティブマトリクス基板の検査方法としては、従来
は、触針法又は全面点灯検査法が採用されていた。触針
法は、プローバを絵素電極等に直接接触させて欠陥部分
を検出する方法であり、絶縁基板上に絵素電極、非線形
素子等を形成し終えた段階で実施される。また、全面点
灯検査法は、完成された基板を液晶等で封止した後に実
施される。これらは、いずれも順列方式の検査方法であ
るため、数万個以上の非線形素子が大面積に形成されて
いるアクティブマトリクス基板に対しては、膨大な検査
時間を要し、実際には歩留りを向上させるのが困難であ
る。
は、触針法又は全面点灯検査法が採用されていた。触針
法は、プローバを絵素電極等に直接接触させて欠陥部分
を検出する方法であり、絶縁基板上に絵素電極、非線形
素子等を形成し終えた段階で実施される。また、全面点
灯検査法は、完成された基板を液晶等で封止した後に実
施される。これらは、いずれも順列方式の検査方法であ
るため、数万個以上の非線形素子が大面積に形成されて
いるアクティブマトリクス基板に対しては、膨大な検査
時間を要し、実際には歩留りを向上させるのが困難であ
る。
このような状況を背景として開発された検査方法が電
着法である。この電着法に於いては、通常、カルボキシ
ルアニオン（Ｒ・COO-）等のイオン化した高分子樹脂を
含む水溶液からなる電着液が使用される。該電着液に、
アクティブマトリクス基板が対向電極とともに浸漬さ
れ、アクティブマトリクス基板には直流電源の正極が接
続され、30V程度の低電圧が印加される。また、対向電
極には該直流電源の負極が接続される。これにより、ア
クティブマトリクス基板の正電圧が印加されている部分
に高分子樹脂が引き寄せられる。電着液には高分子樹脂
とともに顔料が分散しているので、アクティブマトリク
ス基板の正電圧が印加されている部分にのみ、着色した
高分子樹脂膜が形成され、その着色状態からアクティブ
マトリクス基板の欠陥の有無を判定することができる。
着法である。この電着法に於いては、通常、カルボキシ
ルアニオン（Ｒ・COO-）等のイオン化した高分子樹脂を
含む水溶液からなる電着液が使用される。該電着液に、
アクティブマトリクス基板が対向電極とともに浸漬さ
れ、アクティブマトリクス基板には直流電源の正極が接
続され、30V程度の低電圧が印加される。また、対向電
極には該直流電源の負極が接続される。これにより、ア
クティブマトリクス基板の正電圧が印加されている部分
に高分子樹脂が引き寄せられる。電着液には高分子樹脂
とともに顔料が分散しているので、アクティブマトリク
ス基板の正電圧が印加されている部分にのみ、着色した
高分子樹脂膜が形成され、その着色状態からアクティブ
マトリクス基板の欠陥の有無を判定することができる。
（発明が解決しようとする課題） ところで、アクティブマトリクス基板は、通常、ショ
ートリングと呼ばれる短絡ラインを備えている。これ
は、アクティブマトリクス基板自体の製造工程及び製造
されたアクティブマトリクス基板を液晶表示装置等に加
工する工程で、アクティブマトリクス基板中の非線形素
子が静電気によって破壊するのを防止するためのもので
ある。該ショートリングによって全ての行ライン及び列
ライン間が導通し、行ライン及び列ラインの各交差部に
接続された非線形素子に電位差が生じるのが防止され
る。
ートリングと呼ばれる短絡ラインを備えている。これ
は、アクティブマトリクス基板自体の製造工程及び製造
されたアクティブマトリクス基板を液晶表示装置等に加
工する工程で、アクティブマトリクス基板中の非線形素
子が静電気によって破壊するのを防止するためのもので
ある。該ショートリングによって全ての行ライン及び列
ライン間が導通し、行ライン及び列ラインの各交差部に
接続された非線形素子に電位差が生じるのが防止され
る。
このようなアクティブマトリクス基板を電着法により
検査する場合には、行ライン及び列ラインの両方に同一
の正電圧が同時に印加されることになる。そのため、TF
TがＮチャネルの場合は、TFTはON状態になるので、断線
しているTFTに接続されている絵素電極は着色されずに
残って検出されるが、リークを生じているTFTに接続さ
れている絵素電極も正常なTFTに接続されている絵素電
極と共に着色される。従って、リーク欠陥が生じている
TFTの検出が不可能になる。TFTがＰチャネルの場合は、
逆の理由からリーク欠陥は検出できても、断線欠陥は検
出できないことになる。
検査する場合には、行ライン及び列ラインの両方に同一
の正電圧が同時に印加されることになる。そのため、TF
TがＮチャネルの場合は、TFTはON状態になるので、断線
しているTFTに接続されている絵素電極は着色されずに
残って検出されるが、リークを生じているTFTに接続さ
れている絵素電極も正常なTFTに接続されている絵素電
極と共に着色される。従って、リーク欠陥が生じている
TFTの検出が不可能になる。TFTがＰチャネルの場合は、
逆の理由からリーク欠陥は検出できても、断線欠陥は検
出できないことになる。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、製造プロセス中の静電気による非線形素子の
破壊を防止でき、しかも非線形素子のリーク欠陥や断線
欠陥の検出が可能なアクティブマトリクス基板を得るこ
とが本発明の目的である。
たもので、製造プロセス中の静電気による非線形素子の
破壊を防止でき、しかも非線形素子のリーク欠陥や断線
欠陥の検出が可能なアクティブマトリクス基板を得るこ
とが本発明の目的である。
（課題を解決するための手段） 本願発明は、絶縁性基板上にマトリクス状に配列され
た複数の絵素電極と、該絵素電極の各行に対応して設け
られた複数の行ラインと、該絵素電極の各列に設けられ
た複数の列ラインと、前記行ラインと前記列ラインとの
交点に設けられた非線形素子とを有するアクティブマト
リクス基板において、前記各行ライン間を相互に接続す
る第１の低抵抗材料部と高抵抗材料部と、前記各列ライ
ン間を相互に接続する前記第１の低抵抗材料部と高抵抗
材料部と同じ材料からなる第２の低抵抗材料部と高抵抗
材料部と、前記行ラインと前記列ラインの間を相互に接
続する前記第１及び第２の高抵抗材料部と同じ材料から
なる高抵抗材料部とが前記絶縁性基板に周設されたこと
を特徴とする。
た複数の絵素電極と、該絵素電極の各行に対応して設け
られた複数の行ラインと、該絵素電極の各列に設けられ
た複数の列ラインと、前記行ラインと前記列ラインとの
交点に設けられた非線形素子とを有するアクティブマト
リクス基板において、前記各行ライン間を相互に接続す
る第１の低抵抗材料部と高抵抗材料部と、前記各列ライ
ン間を相互に接続する前記第１の低抵抗材料部と高抵抗
材料部と同じ材料からなる第２の低抵抗材料部と高抵抗
材料部と、前記行ラインと前記列ラインの間を相互に接
続する前記第１及び第２の高抵抗材料部と同じ材料から
なる高抵抗材料部とが前記絶縁性基板に周設されたこと
を特徴とする。
（作用） この発明においては、行ライン相互間及び列ライン相
互間をそれぞれ低抵抗部により接続し、行ラインと列ラ
インとの間を、低電圧に対しては非導通状態となるよう
高抵抗のショートリングにより接続しているから、静電
気による高電圧に対しては、高抵抗のショートリングに
より行ライン及び列ラインの全ライン相互間が導通状態
となり、これにより全ライン間の電位差が解消される。
互間をそれぞれ低抵抗部により接続し、行ラインと列ラ
インとの間を、低電圧に対しては非導通状態となるよう
高抵抗のショートリングにより接続しているから、静電
気による高電圧に対しては、高抵抗のショートリングに
より行ライン及び列ラインの全ライン相互間が導通状態
となり、これにより全ライン間の電位差が解消される。
一方、検査用の低電圧に対しては、行ラインと列ライ
ンとの間は高抵抗のショートリングにより非導通状態と
なると同時に、行ライン相互間及び列ライン相互間はそ
れぞれ第１及び第２の低抵抗部により導通状態となり、
これにより低抵抗部を介して行ライン及び列ラインのい
ずれか一方あるいは両方に電着検査用の低電圧を印加で
きる。
ンとの間は高抵抗のショートリングにより非導通状態と
なると同時に、行ライン相互間及び列ライン相互間はそ
れぞれ第１及び第２の低抵抗部により導通状態となり、
これにより低抵抗部を介して行ライン及び列ラインのい
ずれか一方あるいは両方に電着検査用の低電圧を印加で
きる。
この結果、製造プロセス中の静電気による非線形素子
の破壊を防止でき、しかも非線形素子のリーク欠陥や断
線欠陥の検出が可能となる。
の破壊を防止でき、しかも非線形素子のリーク欠陥や断
線欠陥の検出が可能となる。
また、行ライン及び列ラインの全ライン間を相互に接
続する高抵抗部が、高抵抗材料からなるショートリング
により構成されているため、その構造及び製造プロセス
が簡単であり、また、高抵抗部の信頼性も高い。
続する高抵抗部が、高抵抗材料からなるショートリング
により構成されているため、その構造及び製造プロセス
が簡単であり、また、高抵抗部の信頼性も高い。
さらに、行ライン相互間及び列ライン相互間は、低抵
抗部だけでなくショートリングによっても接続されてい
るため、低抵抗部やショートリングの一方に断線不良が
あっても、行ライン相互間及び列ライン相互間は他方の
抵抗部により接続されており、非線形素子の静電気によ
る破壊の防止がより確実になされる。
抗部だけでなくショートリングによっても接続されてい
るため、低抵抗部やショートリングの一方に断線不良が
あっても、行ライン相互間及び列ライン相互間は他方の
抵抗部により接続されており、非線形素子の静電気によ
る破壊の防止がより確実になされる。
（実施例） 以下に本発明を実施例について説明する。
第１図は本発明アクティブマトリクス基板の一実施例
の平面図である。
の平面図である。
このアクティブマトリクス基板10は、矩形状の透明な
絶縁基板11を備えている。絶縁基板11上には、多数本の
行ライン（ゲートバスライン）12が平行に設けられてい
ると共に、該行ライン12に対して直交状態で多数本の列
ライン（ソースバスライン）13が平行に設けられてい
る。行ライン12および列ライン13は比抵抗が１×10-4Ω
・cm程度の導電性材料で形成されており、それらの各交
差部近傍には、非線形素子としてＮチャネルTFT14が形
成されている。TFT14のゲートは行ライン12に接続され
る、そのソースは列ライン13に接続されている。また、
TFT14のドレインは、行ライン12と列ライン13とで囲ま
れたブロックに形成された透明な絵素電極15に接続され
ている。
絶縁基板11を備えている。絶縁基板11上には、多数本の
行ライン（ゲートバスライン）12が平行に設けられてい
ると共に、該行ライン12に対して直交状態で多数本の列
ライン（ソースバスライン）13が平行に設けられてい
る。行ライン12および列ライン13は比抵抗が１×10-4Ω
・cm程度の導電性材料で形成されており、それらの各交
差部近傍には、非線形素子としてＮチャネルTFT14が形
成されている。TFT14のゲートは行ライン12に接続され
る、そのソースは列ライン13に接続されている。また、
TFT14のドレインは、行ライン12と列ライン13とで囲ま
れたブロックに形成された透明な絵素電極15に接続され
ている。
絶縁基板11上の外縁部には、外縁に沿って矩形状のシ
ョートリング16が形成されている。該ショートリング16
は比抵抗が行ライン12及び列ライン13よりも高いアモル
ファスシリコン等の高抵抗材料からなり、絶縁基板11の
四辺に対応した４本の直線部16a〜16dによって構成され
ている。平行な２本の直線部16a及び16cの一方には、奇
数行の行ライン12が接続され、他方には偶数行の行ライ
ン12が接続されている。また、他の平行な２本の直線部
16b及び16dの一方には、奇数列の列ライン13が接続さ
れ、他方には偶数列の列ライン13が接続されている。
ョートリング16が形成されている。該ショートリング16
は比抵抗が行ライン12及び列ライン13よりも高いアモル
ファスシリコン等の高抵抗材料からなり、絶縁基板11の
四辺に対応した４本の直線部16a〜16dによって構成され
ている。平行な２本の直線部16a及び16cの一方には、奇
数行の行ライン12が接続され、他方には偶数行の行ライ
ン12が接続されている。また、他の平行な２本の直線部
16b及び16dの一方には、奇数列の列ライン13が接続さ
れ、他方には偶数列の列ライン13が接続されている。
ショートリング16の更に外縁側には、４本の直線状の
低抵抗部17a〜17dがショートリング16の４本の直線部16
a〜16dにそれぞれ平行に設けられている。該低抵抗部17
a〜17dは、行ライン12及び列ライン13との同一の比抵抗
が１×10-4Ω・cm程度の導電性材料からなり、相互に絶
縁されている。ショートリング16の直線部16aに平行す
る低抵抗部17aには、該直線部16aに接続される奇数行の
行ライン12が直結され、同様に、低抵抗部17aに平行な
低抵抗部17cには、偶数行の行ライン12が直結されてい
る。また、他の２本の低抵抗部17c及び17dの一方には、
奇数列の列ライン13が、他方には、偶数列の列ライン13
がそれぞれ直結されている。
低抵抗部17a〜17dがショートリング16の４本の直線部16
a〜16dにそれぞれ平行に設けられている。該低抵抗部17
a〜17dは、行ライン12及び列ライン13との同一の比抵抗
が１×10-4Ω・cm程度の導電性材料からなり、相互に絶
縁されている。ショートリング16の直線部16aに平行す
る低抵抗部17aには、該直線部16aに接続される奇数行の
行ライン12が直結され、同様に、低抵抗部17aに平行な
低抵抗部17cには、偶数行の行ライン12が直結されてい
る。また、他の２本の低抵抗部17c及び17dの一方には、
奇数列の列ライン13が、他方には、偶数列の列ライン13
がそれぞれ直結されている。
このアクティブマトリクス基板10では、奇数行の行ラ
イン12が低抵抗部17aにて相互に低抵抗で接続されてい
る。同様に、偶数行のライン12が低抵抗部17cにて相互
に低抵抗で接続されている。また、奇数列の列ライン13
は低抵抗部16b、偶数列の列ライン13は低抵抗部17dにて
それぞれ相互に低抵抗で接続されている。その一方で、
行ライン12及び列ライン13の間は、ショートリング16の
直線部16a〜16dにより高抵抗で接続されることになる。
従って、ショートリング16は、低抵抗部17a及び17cで相
互に接続された行ライン12と、低抵抗部17b及び17dで相
互に接続された列ライン13との間を高抵抗で接続する高
抵抗部になる。
イン12が低抵抗部17aにて相互に低抵抗で接続されてい
る。同様に、偶数行のライン12が低抵抗部17cにて相互
に低抵抗で接続されている。また、奇数列の列ライン13
は低抵抗部16b、偶数列の列ライン13は低抵抗部17dにて
それぞれ相互に低抵抗で接続されている。その一方で、
行ライン12及び列ライン13の間は、ショートリング16の
直線部16a〜16dにより高抵抗で接続されることになる。
従って、ショートリング16は、低抵抗部17a及び17cで相
互に接続された行ライン12と、低抵抗部17b及び17dで相
互に接続された列ライン13との間を高抵抗で接続する高
抵抗部になる。
行ライン12及び列ライン13がこのように接続される結
果、アクティブマトリクス基板10に静電気による高電圧
が付加された場合には、低抵抗部17a〜17dを介して奇数
行の行ライン12、偶数行の行ライン12、奇数列の列ライ
ン13、偶数列の列ライン13のそれぞれのライン間の電位
差が解消される。また、これらの間も高抵抗部であるシ
ョートリング16によっても電位差の解消が図られる。従
って、静電気による非線形素子14の破壊が防止される。
果、アクティブマトリクス基板10に静電気による高電圧
が付加された場合には、低抵抗部17a〜17dを介して奇数
行の行ライン12、偶数行の行ライン12、奇数列の列ライ
ン13、偶数列の列ライン13のそれぞれのライン間の電位
差が解消される。また、これらの間も高抵抗部であるシ
ョートリング16によっても電位差の解消が図られる。従
って、静電気による非線形素子14の破壊が防止される。
このような本発明のアクティブマトリクス基板は、次
のようにして電着法による検査が行われる。第２図に、
電着法による検査原理を模式的に示す。電着法では、電
着槽20が使用される。電着槽20内は、高分子樹脂として
のカルボキシルアニオン（Ｒ・COO-）が解離した水溶液
からなる電着液21で満たされている。電着液21には、カ
ルボキシルアニオンと共に顔料が分散されている。
のようにして電着法による検査が行われる。第２図に、
電着法による検査原理を模式的に示す。電着法では、電
着槽20が使用される。電着槽20内は、高分子樹脂として
のカルボキシルアニオン（Ｒ・COO-）が解離した水溶液
からなる電着液21で満たされている。電着液21には、カ
ルボキシルアニオンと共に顔料が分散されている。
アクティブマトリクス基板10を、対向電極30と共に電
着槽20内の電着液21中に浸漬する。そして、アクティブ
マトリクス基板10は直流電源40の正極側に接続され、対
向電極30は負極側に接続される。低抵抗部17a及び17cを
介して行ライン12に20V程度の正電圧を印加し、低抵抗
部17b及び17dを介して列ライン13に30V程度の正電圧を
印加する。
着槽20内の電着液21中に浸漬する。そして、アクティブ
マトリクス基板10は直流電源40の正極側に接続され、対
向電極30は負極側に接続される。低抵抗部17a及び17cを
介して行ライン12に20V程度の正電圧を印加し、低抵抗
部17b及び17dを介して列ライン13に30V程度の正電圧を
印加する。
ここで、正電圧が印加された絵素電極15上では、次式
に示す反応が起こる。
に示す反応が起こる。
2H2O→4H+＋O2↑＋4e- （１） Ｒ・COO−＋H+→Ｒ・COOH（析出） （２） 即ち、電着液21中で解離している高分子樹脂としての
カルボキシルアニオン（Ｒ・COO-）が正電圧の印加され
た絵素電極15に引き寄せられ、水の電気分解によって生
じた水素イオンと反応する。その結果、この高分子樹脂
は不溶化して絵素電極15上に析出する。また、イオン化
された高分子樹脂が絵素電極15に引き寄せられる時に
は、電着液21中の顔料も共に引き寄せられる。従って、
列ライン13上には着色した高分子樹脂膜が形成される。
カルボキシルアニオン（Ｒ・COO-）が正電圧の印加され
た絵素電極15に引き寄せられ、水の電気分解によって生
じた水素イオンと反応する。その結果、この高分子樹脂
は不溶化して絵素電極15上に析出する。また、イオン化
された高分子樹脂が絵素電極15に引き寄せられる時に
は、電着液21中の顔料も共に引き寄せられる。従って、
列ライン13上には着色した高分子樹脂膜が形成される。
行ライン12及び列ライン13に接続されているTFT14
は、前述したように、Ｎチャネルであるから、TFT14が
正常であれば、上述の正電圧印加ではON状態にならな
い。従って、該TFT14に接続されている絵素電極15には
正電圧は印加されず、該絵素電極15は着色されない。し
かし、リークを生じているTFT14に接続されている絵素
電極15には正電圧が印加され、該絵素電極15上には着色
した高分子樹脂の析出が生じる。従って、絵素電極15の
着色状態を識別することにより、TFT14のリーク欠陥が
検出される。
は、前述したように、Ｎチャネルであるから、TFT14が
正常であれば、上述の正電圧印加ではON状態にならな
い。従って、該TFT14に接続されている絵素電極15には
正電圧は印加されず、該絵素電極15は着色されない。し
かし、リークを生じているTFT14に接続されている絵素
電極15には正電圧が印加され、該絵素電極15上には着色
した高分子樹脂の析出が生じる。従って、絵素電極15の
着色状態を識別することにより、TFT14のリーク欠陥が
検出される。
TFT14のリーク欠陥についての検査が終了すると、行
ライン12及び列ライン13の両方に30V程度の正電圧を印
加する。TFT14に断線欠陥がなければ、この正電圧印加
によりTFT14がON状態になる。これにより、TFT14と接続
されている絵素電極15に正電圧が印加され、着色が生じ
る。TFT14に断線があれば、そのTFT14はOFF状態に保持
されるので、該TFT14に接続されている絵素電極15には
正電圧は印加されず、着色が生じない。従って、この時
の絵素電極15の着色状態を識別すれば、TFT14の断線欠
陥が検出される。
ライン12及び列ライン13の両方に30V程度の正電圧を印
加する。TFT14に断線欠陥がなければ、この正電圧印加
によりTFT14がON状態になる。これにより、TFT14と接続
されている絵素電極15に正電圧が印加され、着色が生じ
る。TFT14に断線があれば、そのTFT14はOFF状態に保持
されるので、該TFT14に接続されている絵素電極15には
正電圧は印加されず、着色が生じない。従って、この時
の絵素電極15の着色状態を識別すれば、TFT14の断線欠
陥が検出される。
尚、１回の電着に要する電圧印加時間は、10秒程度で
ある。電着液21中に分散される顔料の色彩としては、青
又はバイオレットを用いるのが好適である。
ある。電着液21中に分散される顔料の色彩としては、青
又はバイオレットを用いるのが好適である。
このような手順で検査を行なうことにより、TFT14の
リーク欠陥及び断線欠陥の両方の検査が行われる。しか
も着色が段階的に進行して行くので、検査の工程間で、
アクティブマトリクス基板10上に析出した高分子樹脂を
除去する必要がない。
リーク欠陥及び断線欠陥の両方の検査が行われる。しか
も着色が段階的に進行して行くので、検査の工程間で、
アクティブマトリクス基板10上に析出した高分子樹脂を
除去する必要がない。
全ての検査が終了すると、アクティブマトリクス基板
10上に析出した高分子樹脂をブチルセロソルブ等で剥離
し、その後にアクティブマトリクス基板10をイソプロピ
ルアルコール及び純水で洗浄する。
10上に析出した高分子樹脂をブチルセロソルブ等で剥離
し、その後にアクティブマトリクス基板10をイソプロピ
ルアルコール及び純水で洗浄する。
アクティブマトリクス基板10に、絵素電極15と共に付
加容量を形成するための付加容量用のバスラインが設け
られている場合には、該バスラインをショートリングに
よって行ライン及び列ラインと接続すると共に、別の低
抵抗部を設けて該低抵抗部によって該バスラインを相互
に接続することが行われる。
加容量を形成するための付加容量用のバスラインが設け
られている場合には、該バスラインをショートリングに
よって行ライン及び列ラインと接続すると共に、別の低
抵抗部を設けて該低抵抗部によって該バスラインを相互
に接続することが行われる。
このように本実施例では、静電気による高電圧に対し
ては、高抵抗のショートリング16により行ライン12及び
列ライン13の全ライン相互間が導通状態となり、一方、
検査用の低電圧に対しては、行ライン12と列ライン13と
の間は高抵抗のショートリング16により非導通状態とな
ると同時に、行ライン12相互間及び列ライン13相互間は
それぞれ第１の低抵抗部17a,17c及び第２の低抵抗部17
b,17dにより導通状態となる。これにより静電気による
非線形素子の破壊を防止でき、しかも非線形素子のリー
ク欠陥や断線欠陥の検出が可能となる。
ては、高抵抗のショートリング16により行ライン12及び
列ライン13の全ライン相互間が導通状態となり、一方、
検査用の低電圧に対しては、行ライン12と列ライン13と
の間は高抵抗のショートリング16により非導通状態とな
ると同時に、行ライン12相互間及び列ライン13相互間は
それぞれ第１の低抵抗部17a,17c及び第２の低抵抗部17
b,17dにより導通状態となる。これにより静電気による
非線形素子の破壊を防止でき、しかも非線形素子のリー
ク欠陥や断線欠陥の検出が可能となる。
また、行ライン12及び列ライン13の全ライン間を相互
に接続する高抵抗部は、高抵抗材料からなるショートリ
ング16により構成しているため、その構造及び製造プロ
セスが簡単であり、また、高抵抗部の信頼性も高いとい
う効果がある。
に接続する高抵抗部は、高抵抗材料からなるショートリ
ング16により構成しているため、その構造及び製造プロ
セスが簡単であり、また、高抵抗部の信頼性も高いとい
う効果がある。
さらに、行ライン12相互間及び列ライン13相互間は、
低抵抗部17a,17b,17c,17dだけでなくショートリング16
によっても接続されているため、該低抵抗部やショート
リングの一方に断線不良があっても、行ライン12間及び
列ライン13間は他方の抵抗部により接続されており、非
線形素子であるTFT14の静電気による破壊の防止がより
確実になされるという効果もある。
低抵抗部17a,17b,17c,17dだけでなくショートリング16
によっても接続されているため、該低抵抗部やショート
リングの一方に断線不良があっても、行ライン12間及び
列ライン13間は他方の抵抗部により接続されており、非
線形素子であるTFT14の静電気による破壊の防止がより
確実になされるという効果もある。
なお、上記実施例で、電着液に用いている高分子樹脂
は、上述のものに限定されず、天然乾性油とマレイン酸
の付加物、カルボキシル基を導入したアルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂とマレイン酸の付加物、カルボキシル基を導
入したポリブタジエン樹脂、アクリル酸又はメタアクリ
ル酸とそのエステルとの共重合体等を用いることがで
き、市販の電着液（シントーケミトロン（株）製等）を
使用することも可能である。
は、上述のものに限定されず、天然乾性油とマレイン酸
の付加物、カルボキシル基を導入したアルキド樹脂、エ
ポキシ樹脂とマレイン酸の付加物、カルボキシル基を導
入したポリブタジエン樹脂、アクリル酸又はメタアクリ
ル酸とそのエステルとの共重合体等を用いることがで
き、市販の電着液（シントーケミトロン（株）製等）を
使用することも可能である。
また、上記実施例では、ＮチャネルのTFTを用いたア
クティブマトリクス基板について述べたが、同様にして
ＰチャネルのTFTを用いたアクティブマトリクス基板を
構成することができる。更に、非線形素子についても、
実施例で示したTFTに限定するものではない。
クティブマトリクス基板について述べたが、同様にして
ＰチャネルのTFTを用いたアクティブマトリクス基板を
構成することができる。更に、非線形素子についても、
実施例で示したTFTに限定するものではない。
本発明のアクティブマトリクス基板は、上述の電着法
以外にも、例えば陽極酸化法、メッキ法等によっても同
様な検査が可能である。
以外にも、例えば陽極酸化法、メッキ法等によっても同
様な検査が可能である。
（発明の効果） 以上のようにこの発明に係るアクティブマトリクス基
板によれば、行ライン相互間及び列ライン相互間をそれ
ぞれ低抵抗部により接続し、行ラインと列ラインとの間
を、低電圧に対しては非導通状態となるよう高抵抗のシ
ョートリングにより接続しているので、静電気による高
電圧に対しては、高抵抗のショートリングにより行ライ
ン及び列ラインの全ライン相互間が導通状態となり、一
方、検査用の低電圧に対しては、行ラインと列ラインと
の間は高抵抗のショートリングにより非導通状態となる
と同時に、行ライン相互間及び列ライン相互間はそれぞ
れ第１及び第２の低抵抗部により導通状態となり、これ
により静電気による非線形素子の破壊を防止でき、しか
も非線形素子のリーク欠陥や断線欠陥の検出が可能であ
るという効果がある。
板によれば、行ライン相互間及び列ライン相互間をそれ
ぞれ低抵抗部により接続し、行ラインと列ラインとの間
を、低電圧に対しては非導通状態となるよう高抵抗のシ
ョートリングにより接続しているので、静電気による高
電圧に対しては、高抵抗のショートリングにより行ライ
ン及び列ラインの全ライン相互間が導通状態となり、一
方、検査用の低電圧に対しては、行ラインと列ラインと
の間は高抵抗のショートリングにより非導通状態となる
と同時に、行ライン相互間及び列ライン相互間はそれぞ
れ第１及び第２の低抵抗部により導通状態となり、これ
により静電気による非線形素子の破壊を防止でき、しか
も非線形素子のリーク欠陥や断線欠陥の検出が可能であ
るという効果がある。
また、行ライン及び列ラインの全ライン間を相互に接
続する高抵抗部は、高抵抗材料からなるショートリング
により構成しているため、その構造及び製造プロセスが
簡単であり、また高抵抗部の信頼性も高いという効果も
ある。
続する高抵抗部は、高抵抗材料からなるショートリング
により構成しているため、その構造及び製造プロセスが
簡単であり、また高抵抗部の信頼性も高いという効果も
ある。
さらに、行ライン相互間及び列ライン相互間は、低抵
抗部だけでなくショートリングによっても接続されてい
るため、低抵抗部やショートリングの一方に断線不良が
あっても、行ライン相互間及び列ライン相互間は他方の
抵抗部により接続されており、非線形素子の静電気によ
る破壊の防止がより確実になされるという効果もある。
抗部だけでなくショートリングによっても接続されてい
るため、低抵抗部やショートリングの一方に断線不良が
あっても、行ライン相互間及び列ライン相互間は他方の
抵抗部により接続されており、非線形素子の静電気によ
る破壊の防止がより確実になされるという効果もある。
この結果として、欠陥の正確な把握、欠陥の確実な修
正が可能であり、しかも製造歩留まりの向上及びコスト
低減に大きく貢献し得るアクティブマトリクス基板を得
ることができる。
正が可能であり、しかも製造歩留まりの向上及びコスト
低減に大きく貢献し得るアクティブマトリクス基板を得
ることができる。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図はその実施
例の検査に用いられる電着法の原理を示す模式図であ
る。 10……アクティブマトリクス基板、11……絶縁基板、12
……行ライン（ゲートバスライン）、13……列ライン
（ソースバスライン）、14……TFT、15……絵素電極、1
6……ショートリング（高抵抗部）、17a〜17d……低抵
抗部、20……電着槽、21……電着液、30……対向電極、
40……直流電源。
例の検査に用いられる電着法の原理を示す模式図であ
る。 10……アクティブマトリクス基板、11……絶縁基板、12
……行ライン（ゲートバスライン）、13……列ライン
（ソースバスライン）、14……TFT、15……絵素電極、1
6……ショートリング（高抵抗部）、17a〜17d……低抵
抗部、20……電着槽、21……電着液、30……対向電極、
40……直流電源。
フロントページの続き (72)発明者 片山 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 音琴 秀則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 森本 弘 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−283390（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−3827（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板上にマトリクス状に配列された
複数の絵素電極と、該絵素電極の各行に対応して設けら
れた複数の行ラインと、該絵素電極の各列に設けられた
複数の列ラインと、前記行ラインと前記列ラインとの交
点に設けられた非線形素子とを有するアクティブマトリ
クス基板において、 前記各行ライン間を相互に接続する第１の低抵抗材料部
と高抵抗材料部と、前記各列ライン間を相互に接続する
前記第１の低抵抗材料部と高抵抗材料部と同じ材料から
なる第２の低抵抗材料部と高抵抗材料部と、前記行ライ
ンと前記列ラインの間を相互に接続する前記第１及び第
２の高抵抗材料部と同じ材料からなる高抵抗材料部とが
前記絶縁性基板に周設されたことを特徴とするアクティ
ブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP677089A JPH0833556B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | アクティブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP677089A JPH0833556B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | アクティブマトリクス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186326A JPH02186326A (ja) | 1990-07-20 |
| JPH0833556B2 true JPH0833556B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=11647410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP677089A Expired - Lifetime JPH0833556B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | アクティブマトリクス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833556B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0822024A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス基板およびその製法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0754383B2 (ja) * | 1986-05-30 | 1995-06-07 | 富士通株式会社 | 表示装置の形成方法 |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP677089A patent/JPH0833556B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02186326A (ja) | 1990-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080329 Year of fee payment: 12 |
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