JPH08339952A - マーク位置識別装置およびマーク位置識別方法 - Google Patents

マーク位置識別装置およびマーク位置識別方法

Info

Publication number
JPH08339952A
JPH08339952A JP7144536A JP14453695A JPH08339952A JP H08339952 A JPH08339952 A JP H08339952A JP 7144536 A JP7144536 A JP 7144536A JP 14453695 A JP14453695 A JP 14453695A JP H08339952 A JPH08339952 A JP H08339952A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mark
signal waveform
waveform
center position
identification device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7144536A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Fujino
毅 藤野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7144536A priority Critical patent/JPH08339952A/ja
Publication of JPH08339952A publication Critical patent/JPH08339952A/ja
Priority to US08/967,256 priority patent/US5877505A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検出されたマークの位置と実際のマークの位
置との間の誤差が小さいマーク位置識別装置を提供す
る。 【構成】 シリコン基板上に形成されたアライメントマ
ークを電子ビームにより走査し、その反射信号波形に基
づいてアライメントマークの中心位置を識別する装置に
おいて、電子ビームの太さであるビーム寸法と、検出さ
れたマークの位置と実際のマークの位置とのずれ量との
間には図示される関係が成立する。すなわちビーム寸法
が小さければ検出位置のずれ量は小さい。本発明では複
数の寸法を有する電子ビームにより複数回アライメント
マークの検出を行ない、その各々の検出により得られた
マーク検出位置から寸法が０の電子ビームにより走査が
行なわれたときのマーク検出位置が算出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマーク位置識別装置お
よびマーク位置識別方法に関し、特に半導体デバイス作
製における写真製版工程において、電子ビームなどのビ
ームを用いて、複数のパターンを重ね合わせて描画する
際に用いられるマーク位置識別装置およびマーク位置識
別方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス作製における写真製版工
程において、予め記憶装置に所望のパターンのデータを
記憶させておき、ステージ上に載置されたレジストの塗
布されたシリコン基板に対して記憶されたパターンの電
子ビーム露光を行なうパターン形成装置が従来より知ら
れている。半導体のデバイス作製における写真製版工程
においては、たとえば酸化膜を形成するためのパター
ン、トランジスタのゲート電極を形成するためのパター
ンなどのように、１０〜３０枚のパターンが重ね合わせ
られて写真製版が行なわれデバイスが作製される。パタ
ーンを重ね合わせるために、シリコン基板上に形成され
た溝であるアライメントマークの位置が識別される。ア
ライメントマークの位置により、前の工程で形成された
パターンの位置は識別される。近年のパターンが細密で
あるＬＳＩの開発においては０．１μｍ以下の高い精度
でパターンを重ね合わせる必要があるため、アライメン
トマークの検出には非常に高い精度が要求されている。
【０００３】アライメントマークの位置識別において
は、シリコン基板上に照射される電子ビームのシリコン
基板からの反射電子信号の情報がアライメントマークの
部分とそれ以外の部分とで異なることが利用される。す
なわち電子ビームによりシリコン基板上のアライメント
マーク周辺が走査され、走査に伴う反射信号波形に基づ
いてマークの位置は識別される。
【０００４】図１３は従来のアライメントマーク位置識
別のためのマーク位置識別装置の具体的構成を示す図で
ある。
【０００５】図を参照して、図示しない電子銃より出力
された電子ビーム１０３はレジスト１２５を有するシリ
コン基板１２６に照射される。電子ビーム１０３が照射
されたシリコン基板１２６から放射される反射電子信号
の情報は反射信号検出器１０６により検出される。また
電子ビーム１０３は対向する電極により構成されるビー
ム偏向器１０４により偏向され、その偏向の度合いによ
りシリコン基板１２６のアライメントマーク１１１の周
辺を走査することとなる。走査によりビームがシリコン
基板上のアライメントマークを含むライン上を移動した
距離を横軸に、シリコン基板より放射される反射電子信
号を縦軸にとったとき反射電子信号の強度は図１４に示
されるカーブを描く。このカーブは一般に反射信号波形
と呼ばれる。図１４に示されるようにアライメントマー
クを含むラインの走査が行なわれた際、その理想的な反
射信号波形１１３はアライメントマーク以外の部分でレ
ベルが高く、アライメントマークの部分ではレベルが低
いという左右対称の波形となり、この左右対称の反射信
号波形の中心位置を求めることにより、アライメントマ
ークの中心位置は識別される。アライメントマークの形
成されたシリコン基板の位置はシリコン基板を積載する
ステージに取付けられたレーザ干渉計の出力により識別
され、電子ビームのシリコン基板上を照射している位置
はビーム偏向器１０４に印加される電圧によって識別さ
れる。またアライメントマークの部分で反射信号波形の
レベルが低くなるのは、図１３に示されるようにアライ
メントマークは０．１〜１．０μｍ程度の深さで掘られ
た溝により形成されるため、その溝の部分でレジスト１
２５が厚くなり、電子が反射される基板までの距離が遠
く経路中のレジスト１２５において電子がエネルギーを
失ってしまうためである。
【０００６】図１４に示される反射信号波形からアライ
メントマークの中心位置を算出する方法として「しきい
値法」と、「自己相関法」とが挙げられる。両者につい
て以下に説明する。
【０００７】図１５は反射信号検出器により電気信号に
変換された反射信号波形を示し、図１６は図１５の反射
信号波形のしきい値法による信号処理を説明するための
図である。
【０００８】図１５を参照してアライメントマーク
（溝）の部分における反射信号１１４はアライメントマ
ークの存在しない領域における反射信号強度１２７（以
下「ベースライン」という）よりも小さいという傾向を
示す。そこでしきい値法では図１６に示されるようにア
ライメントマークの部分における反射信号の最小値とベ
ースラインとの間に、反射信号の最小値を０％、ベース
ラインを１００％としたときの３０〜７０％の高さしき
い値レベル１１５が設定され、しきい値レベル１１５と
反射信号波形１１３との交点１２８ａ，１２８ｂが算出
され、その交点１２８ａ，１２８ｂの２点間の中心位置
１１７がアライメントマークの中心位置と識別される。
【０００９】一方、自己相関法では図１５に示される反
射信号波形がディジタルサンプリングされ、装置に入力
される。ここにディジタルサンプリングされた波形をＤ
（Ｘ）とすると、式（１）に示される自己相関関数Ｚ
（Ｘ）に波形Ｄ（Ｘ）が代入される。式（１）により算
出されるＺ（Ｘ）で示される波形は自己相関信号と呼ば
れる。
【００１０】
【数１】
【００１１】なお式（１）において変数Ｗはアライメン
トマークの溝の幅よりも少し大きい幅として任意に設定
される変数である。図１５に示される反射信号波形の式
（１）による自己相関法での処理により、図１７に示さ
れる自己相関信号が算出される。自己相関信号は言わば
反射信号波形の重心を示す信号であり、そのピーク位置
１１９はアライメントマークの中心位置として識別され
ることとなる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のア
ライメントマーク位置識別装置においてはアライメント
マークの中心位置を正確に識別することができない場合
があるといった問題点があった。この原因は以下のよう
に解釈される。すなわち図１９（ａ）に示されるよう
に、実際の写真製版工程においてシリコン基板１２６と
レジスト１２５との間には白金やタングステンなどの原
子により構成される薄膜１２０が形成される場合があ
る。薄膜１２０を構成する白金やタングステンなどの原
子は原子番号が大きく、かつ密度が大きいため、電子の
反射係数が非常に大きい。そのため図１９（ａ）に示さ
れるように薄膜１２０の膜厚がアライメントマーク部分
において異なる場合には、その反射信号波形は図１９
（ｂ）に示されるように左右非対称の波形となる。すな
わち薄膜１２０の膜厚の厚い部分ではその反射信号は比
較的大きくなるのに対し、薄膜１２０の膜厚が薄い部分
においてはその反射信号は比較的小さくなるのである。
そのためしきい値レベル１１６を設定した、しきい値法
により反射信号波形１１３から算出されるアライメント
マークの中心位置１２１は図１９（ｂ）に示されるよう
に薄膜１２０の膜厚の薄い側へずれるという傾向があっ
た。同様に自己相関法によりそのピーク位置を求めた場
合においても、図１９（ｃ）に示されるようにそのピー
クの位置は薄膜１２０の膜厚の薄い側にずれてしまう。
【００１３】もちろん形成される薄膜１２０がアライメ
ントマーク部分において左右対称に均等に形成されてい
るのであれば、このようなマーク中心位置のずれは生じ
ないのであるが、現行の薄膜は図１８に示されるように
シリコン基板１２６と薄膜の材料であるターゲット２０
５との間に電圧を印加し、ターゲット２０５を形成する
物質をシリコン基板１２６に薄膜として形成させるスパ
ッタリング法により形成されるため、３次元的な形状を
示すアライメントマーク１１１での薄膜の膜厚はターゲ
ットとの位置関係によってむらが生じていた。たとえば
図１８に示される例であれば、アライメントマーク１１
１の図に対して左の部分ではターゲット２０５に直接晒
されるため形成される膜厚は厚くなるが、アライメント
マーク１１１の図面に対して右側においてはシリコン基
板１２６の影となってしまうため、形成される薄膜は薄
くなってしまうのである。
【００１４】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、シリコン基板上に形成された薄
膜の膜厚にむらがあってもアライメントマークの位置を
正確に求めることのできるマーク位置識別装置およびマ
ーク位置識別方法を提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のマーク
位置識別装置は、対象物に形成されたマークの位置を識
別するマーク位置識別装置であって、第１のビーム寸法
を有するビームによってマークを走査し、マークから反
射される反射信号波形を検出する第１の検出手段と、第
２のビーム寸法を有するビームによってマークを走査
し、マークから反射される反射信号波形を検出する第２
の検出手段と、第１の検出手段により得られた反射信号
波形および第２の検出手段により得られた反射信号波形
に基づいて、マークの位置を識別する識別手段とを備え
たものである。
【００１６】請求項２に記載のマーク位置識別装置は、
請求項１に記載のマーク位置識別装置であって、識別手
段は第１の検出手段により得られた反射信号波形よりマ
ークの中心位置を算出する第１の中心位置算出手段と、
第２の検出手段により得られた反射信号波形よりマーク
の中心位置を算出する第２の中心位置算出手段と、第１
および第２の中心位置算出手段により算出されたマーク
の中心位置に基づいてビーム寸法が０であるときのマー
クの中心位置を算出する第３の中心位置算出手段とを含
み、算出されたビーム寸法が０であるときのマークの中
心位置をマークの位置として識別するものである。
【００１７】請求項３に記載のマーク位置識別装置は、
請求項２に記載のマーク位置識別装置であって、第１お
よび第２の中心位置算出手段は得られた反射信号波形か
ら所定のしきい値を用いてマークの中心位置を算出する
ものである。
【００１８】請求項４に記載のマーク位置識別装置は、
請求項２に記載のマーク位置識別装置であって、第１お
よび第２の中心位置算出手段は得られた反射信号波形に
基づいて算出された自己相関信号を用いてマークの中心
位置を算出するものである。
【００１９】請求項５に記載のマーク位置識別装置は、
請求項１から４のいずれかに記載のマーク位置識別装置
であって、ビームは電子ビームであるものである。
【００２０】請求項６に記載のマーク位置識別装置は、
対象物に形成されたマークの位置を識別するマーク位置
識別装置であって、ビームによりマークを走査しマーク
から反射される反射信号波形を検出する検出手段と、マ
ークに到達するビームの波形を取得する取得手段と、検
出された反射信号波形と取得されたビーム波形とに基づ
いてマークの位置を識別する識別手段とを備えたもので
ある。
【００２１】請求項７に記載のマーク位置識別装置は、
請求項６に記載のマーク位置識別装置であって、識別手
段は取得されたビーム波形に基づいて検出された反射信
号波形をデコンボルージョンし、ビーム寸法が０である
ときの反射信号波形を算出するデコンボルージョン算出
手段と、算出されたビーム寸法が０であるときの反射信
号波形に基づいて、マークの中心位置を算出する中心位
置算出手段とを含み、中心位置算出手段により算出され
たマークの中心位置をマークの位置として識別するもの
である。
【００２２】請求項８に記載のマーク位置識別装置は、
請求項７に記載のマーク位置識別装置であって、中心位
置算出手段は算出されたビーム寸法が０であるときの反
射信号波形から所定のしきい値を用いてマークの中心位
置を算出するものである。
【００２３】請求項９に記載のマーク位置識別装置は請
求項７に記載のマーク位置識別装置であって、中心位置
算出手段は算出されたビーム寸法が０であるときの反射
信号波形に基づいて算出された、自己相関信号を用いて
マークの中心位置を算出するものである。
【００２４】請求項１０に記載のマーク位置識別装置
は、請求項６から９のいずれかに記載のマーク位置識別
装置であって、取得手段はマークに到達する点でのビー
ム波形を実測することによりマークに到達するビーム波
形を取得するものである。
【００２５】請求項１１に記載のマーク位置識別装置
は、請求項６から９のいずれかに記載のマーク位置識別
装置であって、取得手段はビームのビーム寸法およびビ
ームのぼけ量に基づいて所定の計算によりマークに到達
するビーム波形を取得するものである。
【００２６】請求項１２に記載のマーク位置識別方法
は、対象物に形成されたマークの位置を識別するマーク
位置識別方法であって、第１のビーム寸法を有するビー
ムによってマークを走査しマークから反射される反射信
号波形を検出する第１のステップと、第２のビーム寸法
を有するビームによってマークを走査しマークから反射
される反射信号波形を検出する第２のステップと、第１
のステップにより得られた反射信号波形および第２のス
テップにより得られた反射信号波形に基づいてマークの
位置を識別する第３のステップとを備えたものである。
【００２７】請求項１３に記載のマーク位置識別方法
は、対象物に形成されたマークの位置を識別するマーク
位置識別方法であって、ビームによりマークを走査しマ
ークから反射される反射信号波形を検出する第１のステ
ップと、マークに到達するビームの波形を取得する第２
のステップと、検出された反射信号波形と取得された波
形とに基づいてマークの位置を識別する第３のステップ
とを備えたものである。
【００２８】
【作用】請求項１に記載のマーク位置識別装置は、第１
のビーム寸法を有するビームによってマークを走査しマ
ークから反射される反射信号波形を検出し、第２のビー
ム寸法を有するビームによってマークを走査しマークか
ら反射される反射信号波形を検出し、第１のビーム寸法
を有するビームにより得られた反射信号波形および第２
のビーム寸法を有するビームによって得られた反射信号
波形に基づいてマークの位置を識別する。
【００２９】請求項２に記載のマーク位置識別装置は、
請求項１に記載のマーク位置識別装置の作用に加え、第
１のビーム寸法を有するビームによって得られた反射信
号波形よりマークの中心位置を算出し、第２のビーム寸
法を有するビームによって得られた反射信号波形よりマ
ークの中心位置を算出し、第１および第２のビーム寸法
を有するビームによって得られた反射信号波形の各々よ
り算出されたマークの中心位置に基づいて、ビーム寸法
が０であるときのマークの中心位置を算出し、算出され
たビーム寸法が０であるときのマークの中心位置をマー
クの位置として識別する。
【００３０】請求項３に記載のマーク位置識別装置は、
請求項２に記載のマーク位置識別装置の作用に加え、反
射信号波形から所定のしきい値を用いてマークの中心位
置を算出する。
【００３１】請求項４に記載のマーク位置識別装置は、
請求項２に記載のマーク位置識別装置の作用に加え、得
られた反射信号波形に基づいて算出された自己相関信号
を用いて、マークの中心位置を算出する。
【００３２】請求項５に記載のマーク位置識別装置は、
請求項１から４のいずれかに記載のマーク位置識別装置
の作用に加え、電子ビームによりマークの走査を行な
う。
【００３３】請求項６に記載のマーク位置識別装置は、
ビームによりマークを走査しマークから反射される反射
信号波形を検出し、ビームのマークに到達する位置の波
形を取得し、検出された反射信号波形と取得された波形
とに基づいてマークの位置を識別する。
【００３４】請求項７に記載のマーク位置識別装置は、
請求項６に記載のマーク位置識別装置の作用に加え、取
得された波形に基づいて検出された反射信号波形をデコ
ンボルージョンし、ビーム寸法が０であるときの反射信
号波形を算出し、算出されたビーム寸法が０であるとき
の反射信号波形に基づいてマークの中心位置を算出し、
算出されたマークの中心位置をマークの位置として識別
する。
【００３５】請求項８に記載のマーク位置識別装置は、
請求項７に記載のマーク位置識別装置の作用に加え、算
出されたビーム寸法が０であるときの反射信号波形から
所定のしきい値を用いてマークの中心位置を算出する。
【００３６】請求項９に記載のマーク位置識別装置は、
請求項７に記載のマーク位置識別装置の作用に加え、算
出されたビーム寸法が０であるときの反射信号波形に基
づいて算出された自己相関信号を用いてマークの中心位
置を算出する。
【００３７】請求項１０に記載のマーク位置識別装置
は、請求項６から９のいずれかに記載のマーク位置識別
装置の作用に加え、マークに到達する点でのビームを実
測することによりビームのマークに到達する位置の波形
を取得する。
【００３８】請求項１１に記載のマーク位置識別装置
は、請求項６から９のいずれかに記載のマーク位置識別
装置の作用に加え、ビームのビーム寸法およびビームの
ぼけ量に基づいてビームのマークに到達する位置の波形
を取得する。
【００３９】請求項１２に記載のマーク位置識別方法
は、第１のビーム寸法を有するビームによってマークを
走査しマークから反射される反射信号波形を検出し、第
２のビーム寸法を有するビームによってマークを走査し
マークから反射される反射信号波形を検出し、第１のビ
ーム寸法を有するビームによって得られた反射信号波形
および第２のビーム寸法を有するビームによって得られ
た反射信号波形に基づいてマークの位置を識別する。
【００４０】請求項１３に記載のマーク位置識別方法
は、ビームによりマークを走査しマークから反射される
反射信号波形を検出し、ビームのマークに到達する位置
の波形を取得し、検出された反射信号波形と取得された
波形とに基づいてマークの位置を識別する。
【００４１】
【実施例】
（第１の実施例）図１は本発明の第１の実施例における
マーク位置識別装置の装置構成を示すブロック図であ
る。
【００４２】図を参照して装置は真空室１０８を有す
る。真空室１０８の中には被描画試料（たとえばアライ
メントマークが形成されたシリコン基板など）１０５を
載置するためのステージ１０９と、被描画試料１０５に
対して電子ビームを照射するための電子銃１０７と、電
子銃１０７より出力された電子ビームを成形する第１成
形アパーチャ１３９と、第１成形アパーチャ１３９を介
した電子ビームを偏向させる成形偏向電極１０２と、成
形偏向電極１０２により偏向された電子ビームを成形す
る第２成形アパーチャ１４０と、第２成形アパーチャ１
４０から出力された電子ビーム１０３を偏向するための
ビーム偏向器１０４と、電子ビームの照射された被描画
試料１０５からの反射信号を検出する反射信号検出器１
０６とを含む。また真空室１０８の外部にはステージ１
０９を制御するためのステージ制御モータ１３６と、被
描画試料１０５の位置を測定するためのレーザ干渉計１
３５とが設けられている。
【００４３】さらに真空室１０８に含まれる各々の部分
を制御する装置として、装置全体の制御を行なう制御計
算機１０１と、制御計算機１０１から出力される描画パ
ターンサイズＳ（ｘ，ｙ）の情報を入力し成形偏向電極
１０２へ印加される電圧を制御することにより被描画試
料１０５に照射される成形ビーム（成形された電子ビー
ムをいう。以下同じ。）の寸法を決定する成形ビーム寸
法決定部１３１と、制御計算機１０１から出力される描
画パターン位置Ｐ（ｘ，ｙ）の情報を入力しビームの照
射位置を決定するビーム照射位置決定部１３３と、ビー
ム照射位置決定部１３３から出力される信号を入力し、
ビーム偏向器１０４に印加される電圧を制御することに
よりビームの照射される位置を制御するビーム偏向制御
部１３２と、ビーム照射位置決定部１３３から出力され
る信号を入力しステージ制御モータ１３６を制御するこ
とにより被描画試料１０５を移動させるステージ移動制
御部１３４と、反射信号検出器１０６から出力される信
号を入力しその波形を測定するマーク検出波形測定部１
３７と、マーク検出波形測定部１３７からの信号を入力
しマーク検出信号を制御計算機１０１へ出力するマーク
検出信号処理部１３８とが備えられている。
【００４４】図２は図１の第１成形アパーチャ１３９、
成形偏向電極１０２および第２成形アパーチャ１４０の
具体的構成を示す斜視図である。
【００４５】図を参照して成形偏向電極１０２ａ，１０
２ｂおよび１０２ｃ，１０２ｄの各々の組には所望の電
圧が印加される。電子銃より出力された電子ビームはま
ず第１成形アパーチャ１３９を介してその断面が正方形
となる電子ビームに成形される。第１成形アパーチャ１
３９より出力される断面が正方形の形状をした電子ビー
ムは成形偏向電極１０２ａ〜１０２ｄの各々に印加され
た電圧により偏向された後、第２成形アパーチャ１４０
に到達する。これにより第２成形アパーチャ１４０より
出力される電子ビームの断面形状は第１成形アパーチャ
１３９および第２成形アパーチャ１４０の重なり領域の
形状となる。より具体的に言えば図３に示されるように
第１成形アパーチャ１３９を通った電子ビームのうち、
第２成形アパーチャ１４０を通ることができた斜線部分
のみのビームが出力されることとなる。本実施例では斜
線部で示される断面を形成する正方形の一辺の長さ（寸
法）がＷである電子ビームがアパーチャ１４０からは出
力されることとなる。
【００４６】そして本実施例におけるマーク位置識別装
置においては、複数の異なる寸法をもつビームによりア
ライメントマークを走査し、その各々の寸法の電子ビー
ムにより得られた反射信号波形に基づいてマークの中心
位置を算出することを特徴としている。
【００４７】これはアライメントマークの位置を検出す
るために用いられるビームの寸法とその反射信号波形に
より求められたアライメントマークの中心位置と実際の
アライメントマークの中心位置との間のずれには以下に
述べる関係があることを発明者が発見したことに基づく
ものである。
【００４８】図４は薄膜の膜厚が不均一である場合の幅
２．０μｍの溝段差を有するアライメントマークからの
反射信号波形と、反射信号波形より得られた自己相関信
号とを計算機シミュレーションにより求めた図である。
そして図４において（ａ）はビームの寸法（図３に示さ
れるＷの値）が０．３μｍのとき、（ｂ）はビーム寸法
が０．５μｍのとき、（ｃ）はビーム寸法が１．０μｍ
のとき、（ｄ）はビーム寸法が１．５μｍのとき、
（ｅ）はビーム寸法が２．０μｍのときの各々のときに
おける反射信号波形と自己相関信号を示している。図に
対して左側の波形は反射信号波形を示し、図面に対して
右側のは自己相関信号による波形を示している。また図
面に対して左側の反射信号波形においてはしきい値法を
用いた場合におけるしきい値がともに示されている。波
形の各々の図面に対して右下には信号波形により得られ
たマークの中心位置と実際のマークの中心位置とのずれ
の量（以下「ずれの量」という。）を示す距離が表示さ
れている。
【００４９】図４を参照してビームの寸法とそのビーム
により算出されたずれの量との間には以下に述べる２つ
の関係が認められる。
【００５０】（１） しきい値法および自己相関法のい
ずれの方法においてもビーム寸法が小さいほどずれの量
は小さい。
【００５１】（２） 信号の強度はビーム寸法が小さい
ほど小さい。 上記（１）および（２）に述べられる理由により、精度
のよいアライメントマーク中心位置の検出を行なうため
には、ビーム寸法をできる限り小さくする必要がある
が、その一方ビーム寸法を小さくすると検出信号が小さ
くなり検出信号が雑音により擾乱されマークの検出精度
が低下してしまうという問題点があった。そのため従来
通常に行なわれるマーク検出においてはビーム寸法が
０．３μｍ以下の走査ビームを用いて再現性よくマーク
検出を行なうことは困難であり、０．３μｍを超えるビ
ーム寸法を有する電子ビームを使用することが必要とさ
れていた。このため従来は図４（ａ）に示されるように
マーク検出位置ずれとして０．０５〜０．１μｍ程度の
ずれが発生することを避けることができなかったのであ
る。
【００５２】今回、さらにビーム寸法と、そのずれの量
との間に、図５に示されるとおり、比例関係が発見され
た。そこで本実施例におけるマーク位置識別装置におい
ては、アライメントマークを走査する電子ビーム寸法を
０．３μｍ程度から２．０μｍ程度まで変化させ、各々
の寸法のビームでの走査により得られたマーク検出位置
をグラフ化し、その各々の点に基づき最小二乗法により
求められる直線の傾きおよび接片を算出し、算出された
傾きと接片によりビーム寸法が０μｍのときのマーク検
出位置のずれ量を外挿により求め、求められたマークの
位置をマーク中心位置として識別する。
【００５３】より具体的には電子銃１０７により出力さ
れる電子ビームは成形された後、ビーム偏向器１０４に
より偏向され、ステージ１０９上に載置された被描画試
料１０５のアライメントマークを走査する。成形ビーム
１０３の寸法は制御計算機１０１により出力される描画
パターンサイズＳ（ｘ，ｙ）に基づいて成形ビーム寸法
決定部１３１により出力される成形偏向電極１０２に印
加される電圧により制御される。またアライメントマー
ク付近の走査のために制御計算機１０１より出力される
描画パターン位置Ｐ（ｘ，ｙ）に基づき、ビーム照射位
置決定部１３３はビーム偏向制御部１３２を介してビー
ム偏向器１０４に印加される電圧を制御する。
【００５４】さらに具体的に図１に示される制御計算機
１０１において行なわれる本実施例におけるアライメン
トマーク位置識別のための処理について図６のフローチ
ャートを参照して説明する。
【００５５】図を参照してマーク検出が開始されると、
ステップＳ１０１において、制御計算機１０１によりマ
ーク走査用の可変成形ビームの寸法が設定される。この
とき設定される寸法としてたとえば図５に示されるよう
に成形ビームの寸法が０．３，０．５，１，１．５μｍ
のいずれかの寸法が設定される。
【００５６】ステップＳ１０２において設定された寸法
のビームによりアライメントマーク近傍の走査が行なわ
れる。
【００５７】ステップＳ１０３において、走査により得
られた反射信号波形に基づいてしきい値法あるいは自己
相関法によりマーク中心座標が決定される。
【００５８】ステップＳ１０４においてすべての寸法の
走査ビームでアライメントマーク近傍の走査を行なった
か否かが判別され、ＮＯであればステップＳ１０１から
の処理が繰返される。
【００５９】ステップＳ１０４においてＹＥＳであれば
ステップＳ１０５において、制御計算機１０１の内部に
おいて可変成形ビームの寸法とマーク検出位置との関係
がグラフ化され、最小二乗法により求められた直線によ
り電子ビーム寸法が０μｍのときのマーク中心位置がア
ライメントマークの中心位置として識別される。
【００６０】本実施例におけるマーク位置識別装置にお
いては、識別されたマークの中心位置と実際のマーク中
心位置との間の誤差を０．０２μｍ以下とすることがで
き、非常に高精度にアライメントマークの位置を識別す
ることが可能となる。
【００６１】（第２の実施例）本発明の第２の実施例に
おけるマーク位置識別装置の装置構成は、図１に示され
る第１の実施例と実質的に同一であるのでここでの説明
を繰返さない。本実施例におけるマーク位置識別装置に
おいては、制御計算機１０１により設定された電子ビー
ム寸法を有する電子ビームによって被描画試料１０５に
形成されたアライメントマークが走査される。反射信号
波形と、電子ビーム１０３が被描画試料１０５に到達し
た時点における波形とに基づいて電子ビーム寸法が０μ
ｍのビームにより走査を行なったときの反射信号波形１
１３が算出され、算出されたビーム寸法が０μｍのビー
ムにより走査を行なったときの反射信号波形からアライ
メントマークの中心位置が識別される。より具体的には
制御計算機１０１は成形ビーム１０３が被描画試料１０
５に到達するときにおけるビーム波形を取得する。ビー
ム波形の取得においては波形を実測する方法、波形をモ
デル関数として取得する方法、の２つの取得方法が考え
られる。各々の取得方法について以下に説明する。
【００６２】波形を実測する場合には、図１のステージ
１０９上に被描画試料１０５とともに図７に示される波
形検出装置が載置される。波形検出装置はナイフエッジ
２０１とファラデーカップ２０２とにより構成される。
すなわち波形検出装置においては、図８に示されるよう
に電子銃より出力される電子ビーム１０３に含まれる電
子のうちファラデーカップ２０２に到達した電子の量が
電流計２０３により測定される。ステージ１０９あるい
は電子ビーム１０３を移動させることにより、電子ビー
ム１０３の一部はナイフエッジ２０１により遮断され、
これによりファラデーカップ２０２に到達する電子の量
はナイフエッジ２０１と電子ビーム１０３との相対的な
位置関係により変化する。つまりナイフエッジ２０１と
電子ビーム１０３との相対的な位置関係ｘと、電流計２
０３により測定される電流とに基づいて図９に示される
ようなグラフを得ることができる。図９において電流Ｉ
の値に変化が生じている範囲ｄの部分はビーム１０３が
ナイフエッジ２０１により遮断されている部分を示す。
またビーム１０３がナイフエッジ２０１により遮断され
る部分においてその始端２０６ａとその終端２０６ｂと
が曲線になっているのは、電子ビーム１０３に含まれる
電子が電子銃より出力されてファラデーカップ２０２に
到達するまでの間に反発し合い、実際のビーム寸法より
も広がり、これがビームのぼけとなっているためであ
る。
【００６３】図９に示される距離ｘと電流Ｉとの関係式
において、電流Ｉを距離ｘで微分したグラフを図１０に
示す。図１０に示される波形ＶＳＢ（ｘ）が電子ビーム
のアライメントマークに到達する位置の波形となる。こ
の波形はビームのぼけ量が多ければ多いほどガウス分布
に近い曲線を描く。
【００６４】電子ビームのアライメントマークに到達す
る位置の波形をモデル関数として取得する方法として、
式（２）が用いられる。式（２）において、２αは、図
８に示されるビームの幅、δはビームのぼけ量である。
【００６５】
【数２】
【００６６】上記のいずれかの方法により取得された電
子ビームのアライメントマークに到達する位置の波形Ｖ
ＳＢ（ｘ）および図１１に示されるような実際にアライ
メントマークを電子ビームにより走査したときの反射信
号波形Ｄvsb （ｘ）および電子ビーム寸法が０μｍのビ
ームで走査を行なったときの反射信号波形Ｄ
impulse（Ｘ）の間には式（３）に示される関係が成立
する。一般に式（３）に示される積分はＤ
impulse （Ｘ）のＶＳＢ（Ｘ）によるコンボルージョン
と言われる。第２の実施例においては計測により求めら
れたＤvsb （Ｘ）のデコンボルージョン（コンボルージ
ョンの逆変換）を行なうことによりＤimpulse （Ｘ）が
算出される。これにより求められた関数Ｄ
impulse （Ｘ）は０μｍの電子ビーム寸法でアライメン
トマーク検出を行なったときのマーク反射信号波形に相
当する。すなわち算出された反射信号波形Ｄ
impulse （Ｘ）に前述したしきい値法または自己相関法
を用いることにより、ビーム寸法が０μｍのときにおけ
るマークの中心位置を識別することができ、高精度なマ
ーク位置識別を行なうことができる。
【００６７】
【数３】
【００６８】より具体的に本実施例における制御計算機
１０１が行なう処理を図１２に示す。
【００６９】すなわちマーク位置検出が開始されると、
ステップＳ２０１において、マーク走査用電子ビームの
寸法が設定される。このときの寸法は任意でよい。
【００７０】ステップＳ２０２においてマークを走査す
る電子ビームの波形ＶＳＢ（Ｘ）が取得される。この取
得においては前述したとおり実測による方法、またはモ
デル式による取得方法のいずれを用いてもよい。
【００７１】ステップＳ２０３において実際にマーク走
査用の電子ビームによりアライメントマークが走査さ
れ、その反射信号波形Ｄvsb （ｘ）が測定される。
【００７２】ステップＳ２０４においてマーク信号処理
計算（デコンボルージョン算出）が行なわれ電子ビーム
寸法０μｍのときの反射信号波形（インパルス応答）Ｄ
impu lse （ｘ）の算出が行なわれる。
【００７３】ステップＳ２０５において求められたＤ
impulse （ｘ）のマーク検出信号の処理（しきい値法あ
るいは自己相関法）によるマーク中心位置決定が行なわ
れる。
【００７４】なお第１の実施例において、複数のビーム
寸法を有するビームの各々によりアライメントマークの
走査を行なうこととしたが、最低２種類のビーム寸法を
有するビームによりアライメントマークの走査を行なう
ことができるのであれば、本発明の実施は可能である。
【００７５】また実施例においてアライメントマークの
走査に電子ビームを用いることとしたが、イオンビーム
やレーザなどのビームにも本発明は実施可能である。
【００７６】さらに、ビームの断面は、図３に示される
ように正方形としたが、断面が長方形や円形等のビーム
においても本発明は実施可能である。
【００７７】
【発明の効果】請求項１に記載のマーク位置識別装置に
おいては、複数のビーム寸法を有するビームによってマ
ークを走査し、その反射信号波形の各々よりマークの位
置を識別するため、マーク位置の識別の精度が向上す
る。
【００７８】請求項２に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項１に記載のマーク位置識別装置の効果に加
え、ビーム寸法が０であるときのマークの中心位置をマ
ークの位置として識別するため、マーク位置の識別精度
がさらに向上する。
【００７９】請求項３に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項２に記載のマーク位置識別装置の効果に加
え、しきい値を用いてマークの中心位置を算出するた
め、マーク位置の識別精度がさらに向上する。
【００８０】請求項４に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項２に記載のマーク位置識別装置の効果に加
え、自己相関信号を用いて、マークの中心位置を算出す
るためマーク位置の識別精度がさらに向上する。
【００８１】請求項５に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項１から４のいずれかに記載のマーク位置識別
装置の効果に加え、電子ビームによりマークの中心位置
を算出するため、より実用的なマーク位置の識別を行な
うことができる。
【００８２】請求項６に記載のマーク位置識別装置にお
いては、マークから反射される反射信号波形とマークに
照射されるビームの波形からマークの位置を識別するた
め、マークの位置の識別精度が向上する。
【００８３】請求項７に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項６に記載のマーク位置識別装置の効果に加
え、ビーム寸法が０であるときのマークの中心位置を算
出することができるため、マーク位置の識別精度がさら
に向上する。請求項８に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項７に記載のマーク位置識別装置の効果に加
え、しきい値を用いてマークの中心位置を算出するため
マーク位置の識別精度がさらに向上する。
【００８４】請求項９に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項７に記載のマーク位置識別装置の効果に加
え、自己相関信号を用いてマークの中心位置を算出する
ため、マーク位置の識別精度がさらに向上する。
【００８５】請求項１０に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項６から９のいずれかに記載のマーク位置識別
装置の効果に加え、実測によりマークに到達する点での
波形を取得するため、マーク位置の識別精度がさらに向
上する。
【００８６】請求項１１に記載のマーク位置識別装置で
は、請求項６から９のいずれかに記載のマーク位置識別
装置の効果に加え、ビーム寸法およびビームのぼけ量に
基づいて、ビームのマークに到達する位置の波形を取得
するため、マーク位置の識別精度がさらに向上する。
【００８７】請求項１２に記載のマーク位置識別方法で
は、複数のビーム寸法を有するビームによってマークを
走査し、その反射信号波形の各々よりマークの位置を識
別するため、マーク位置の識別の精度が向上する。
【００８８】請求項１３に記載のマーク位置識別方法で
は、マークから反射される反射信号波形とマークに照射
されるビームの波形からマークの位置を識別するため、
マークの位置の識別精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例におけるマーク位置識
別装置の装置構成を示すブロック図である。
【図２】 図１の第１成形アパーチャ１３９、成形偏向
電極１０２および第２成形アパーチャ１４０の具体的構
成を示す斜視図である。
【図３】 第１成形アパーチャ１３９および第２成形ア
パーチャ１４０により成形されるビームの寸法Ｗを説明
するための図である。
【図４】 ビーム寸法とアライメントマークの検出位置
のずれとの関係を示す図である。
【図５】 ビーム寸法とアライメントマークの検出位置
のずれ量を示す図である。
【図６】 本発明の第１の実施例におけるマーク位置識
別装置において行なわれる処理を示すフローチャートで
ある。
【図７】 本発明の第２の実施例におけるマーク位置識
別装置でのビームの波形を取得するための装置を示す斜
視図である。
【図８】 図７に示される装置によりビームの波形が取
得される状態を示す図である。
【図９】 図８に示される処理により得られるビームと
ナイフエッジとの位置関係ｘと電流計が検出する電流Ｉ
との関係を示す図である。
【図１０】 図９の関係により導かれるビーム１０３と
ナイフエッジ２０１との位置関係ｘと電流計の検出する
電流Ｉの微分値との関係を示す図である。
【図１１】 実測された反射信号波形の一例を示す図で
ある。
【図１２】 本発明の第２の実施例において制御計算機
が行なう処理を示すフローチャートである。
【図１３】 従来の技術によるアライメントマーク１１
１の位置識別装置を説明するための図である。
【図１４】 図１３に示される装置により得られる反射
信号波形を示す図である。
【図１５】 反射信号波形の一例を示す図である。
【図１６】 反射信号波形に基づき行なわれるしきい値
法を説明するための図である。
【図１７】 自己相関法を用いて反射信号波形から得ら
れる自己相関信号を示す図である。
【図１８】 シリコン基板に薄膜を形成する工程を示す
図である。
【図１９】 従来技術の問題点であるシリコン基板に形
成された薄膜と、薄膜の膜厚の不均一により生じる測定
誤差を説明するための図である。
【符号の説明】
１０１ 制御計算機、１０２ 成形偏向電極、１０３
成形ビーム、１０４ビーム偏向器、１０５ 被描画試
料、１０６ 反射信号検出器、１０７ 電子銃、１０８
真空室、１０９ ステージ、１１１ アライメントマ
ーク、１１２反射信号、１１３ 反射信号波形、１１５
しきい値レベル、１１７ マーク中心位置、１１８
自己相関信号、１３１ 成形ビーム寸法決定部、１３２
ビーム偏向制御部、１３３ ビーム照射位置決定部、
１３４ ステージ移動制御部、１３５ レーザ干渉計、
１３６ ステージ制御モータ、１３７ マーク検出波形
測定部、１３８ マーク検出信号処理部、１３９ 第１
成形アパーチャ、１４０第２成形アパーチャ、２０１
ナイフエッジ、２０２ ファラデーカップ、２０３ 電
流計。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対象物に形成されたマークの位置を識別
    するマーク位置識別装置であって、 第１のビーム寸法を有するビームによって前記マークを
    走査し、前記マークから反射される反射信号波形を検出
    する第１の検出手段と、 第２のビーム寸法を有するビームによって前記マークを
    走査し、前記マークから反射される反射信号波形を検出
    する第２の検出手段と、 前記第１の検出手段により得られた反射信号波形および
    前記第２の検出手段により得られた反射信号波形に基づ
    いて、前記マークの位置を識別する識別手段とを備え
    た、マーク位置識別装置。
  2. 【請求項２】 前記識別手段は、 前記第１の検出手段により得られた反射信号波形より、
    前記マークの中心位置を算出する第１の中心位置算出手
    段と、 前記第２の検出手段により得られた反射信号波形より、
    前記マークの中心位置を算出する第２の中心位置算出手
    段と、 前記第１および第２の中心位置算出手段により算出され
    たマークの中心位置に基づいて、ビーム寸法が０である
    ときのマークの中心位置を算出する第３の中心位置算出
    手段とを含み、 前記算出されたビーム寸法が０であるときのマークの中
    心位置を前記マークの位置として識別する、請求項１に
    記載のマーク位置識別装置。
  3. 【請求項３】 前記第１および第２の中心位置算出手段
    は、得られた反射信号波形から所定のしきい値を用いて
    前記マークの中心位置を算出する、請求項２に記載のマ
    ーク位置識別装置。
  4. 【請求項４】 前記第１および第２の中心位置算出手段
    は、得られた反射信号波形に基づいて算出された、自己
    相関信号を用いて、前記マークの中心位置を算出する、
    請求項２に記載のマーク位置識別装置。
  5. 【請求項５】 前記ビームは電子ビームである、請求項
    １から４のいずれかに記載のマーク位置識別装置。
  6. 【請求項６】 対象物に形成されたマークの位置を識別
    するマーク位置識別装置であって、 ビームにより前記マークを走査し、前記マークから反射
    される反射信号波形を検出する検出手段と、 前記ビームの前記マークに到達する位置の波形を取得す
    る取得手段と、 前記検出された反射信号波形と、前記取得された波形と
    に基づいて、前記マークの位置を識別する識別手段とを
    備えた、マーク位置識別装置。
  7. 【請求項７】 前記識別手段は、 前記取得された波形に基づいて、前記検出された反射信
    号波形をデコンボルージョンし、ビーム寸法が０である
    ときの反射信号波形を算出するデコンボルージョン算出
    手段と、 前記算出されたビーム寸法が０であるときの反射信号波
    形に基づいて、前記マークの中心位置を算出する中心位
    置算出手段とを含み、 前記中心位置算出手段により算出されたマークの中心位
    置を前記マークの位置として識別する、請求項６に記載
    のマーク位置識別装置。
  8. 【請求項８】 前記中心位置算出手段は、前記算出され
    たビーム寸法が０であるときの反射信号波形から所定の
    しきい値を用いて、前記マークの中心位置を算出する、
    請求項７に記載のマーク位置識別装置。
  9. 【請求項９】 前記中心位置算出手段は、前記算出され
    たビーム寸法が０であるときの反射信号波形に基づいて
    算出された、自己相関信号を用いて前記マークの中心位
    置を算出する、請求項７に記載のマーク位置識別装置。
  10. 【請求項１０】 前記取得手段は、前記マークに到達す
    る点でのビームを実測することにより、前記ビームの前
    記マークに到達する位置での波形を取得する、請求項６
    から９のいずれかに記載のマーク位置識別装置。
  11. 【請求項１１】 前記取得手段は、前記ビームのビーム
    寸法および前記ビームのぼけ量に基づいて、前記ビーム
    の前記マークに到達する位置での波形を計算し取得す
    る、請求項６から９のいずれかに記載のマーク位置識別
    装置。
  12. 【請求項１２】 対象物に形成されたマークの位置を識
    別するマーク位置識別方法であって、 第１のビーム寸法を有するビームによって前記マークを
    走査し、前記マークから反射される反射信号波形を検出
    する第１のステップと、 第２のビーム寸法を有するビームによって前記マークを
    走査し、前記マークから反射される反射信号波形を検出
    する第２のステップと、 前記第１のステップにより得られた反射信号波形および
    前記第２のステップにより得られた反射信号波形に基づ
    いて、前記マークの位置を識別する第３のステップとを
    備えた、マーク位置識別方法。
  13. 【請求項１３】 対象物に形成されたマークの位置を識
    別するマーク位置識別方法であって、 ビームにより前記マークを走査し前記マークから反射さ
    れる反射信号波形を検出する第１のステップと、 前記ビームの前記マークに到達する位置の波形を取得す
    る第２のステップと、 前記検出された反射信号波形と、前記取得された波形と
    に基づいて、前記マークの位置を識別する第３のステッ
    プとを備えた、マーク位置識別方法。
JP7144536A 1995-06-12 1995-06-12 マーク位置識別装置およびマーク位置識別方法 Withdrawn JPH08339952A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7144536A JPH08339952A (ja) 1995-06-12 1995-06-12 マーク位置識別装置およびマーク位置識別方法
US08/967,256 US5877505A (en) 1995-06-12 1997-11-06 Apparatus for determining mark position on wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7144536A JPH08339952A (ja) 1995-06-12 1995-06-12 マーク位置識別装置およびマーク位置識別方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08339952A true JPH08339952A (ja) 1996-12-24

Family

ID=15364598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7144536A Withdrawn JPH08339952A (ja) 1995-06-12 1995-06-12 マーク位置識別装置およびマーク位置識別方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5877505A (ja)
JP (1) JPH08339952A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010258339A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Nuflare Technology Inc ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101232776B (zh) * 1999-09-02 2011-04-20 揖斐电株式会社 印刷布线板
TWI282909B (en) * 1999-12-23 2007-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method for manufacturing a device
US6889162B1 (en) * 2000-03-07 2005-05-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wafer target design and method for determining centroid of wafer target
JP3844940B2 (ja) * 2000-03-27 2006-11-15 株式会社東芝 マーク位置検出装置およびマーク位置検出方法
JP4689058B2 (ja) * 2001-02-16 2011-05-25 キヤノン株式会社 リニアモータ、ステージ装置および露光装置ならびにデバイス製造方法
US6647340B1 (en) * 2002-03-13 2003-11-11 Garmin Ltd. Space based augmentation systems and methods using ionospheric bounding data to determine geographical correction source
KR101898047B1 (ko) * 2010-12-22 2018-09-12 엑실룸 에이비 X선 소스에서 전자빔을 정렬하고 집속하는 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853703A (ja) * 1981-09-25 1983-03-30 Toshiba Corp 位置検出装置
JP2897330B2 (ja) * 1990-04-06 1999-05-31 キヤノン株式会社 マーク検出装置及び露光装置
JP3156058B2 (ja) * 1992-09-03 2001-04-16 實 三輪 視野選択性フィルム及びその製造方法
JP3192500B2 (ja) * 1992-11-19 2001-07-30 株式会社日立製作所 電子線描画方法および電子線描画装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010258339A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Nuflare Technology Inc ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5877505A (en) 1999-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8766182B2 (en) Method for detecting information of an electric potential on a sample and charged particle beam apparatus
CN101606216A (zh) 具有测长功能的扫描型电子显微镜以及试样尺寸测长方法
US8604431B2 (en) Pattern-height measuring apparatus and pattern-height measuring method
JP2007218711A (ja) 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法
WO2013129148A1 (ja) パターン寸法測定装置、荷電粒子線装置、及びコンピュータプログラム
JP4231798B2 (ja) 荷電粒子線装置および倍率計測法
CN108700412A (zh) 图案测量装置和图案测量方法
CN100592028C (zh) 薄膜样品测量方法和设备及薄膜样品制备方法和设备
JP2006058210A (ja) 荷電粒子線顕微方法、荷電粒子線顕微装置、測長方法及び測長装置
JP4464857B2 (ja) 荷電粒子線装置
JP7431136B2 (ja) 荷電粒子線装置、及び制御方法
US20210027983A1 (en) Scanning electron microscopy system and pattern depth measurement method
JP5677236B2 (ja) 荷電粒子線装置
JPH06124883A (ja) 荷電ビーム補正方法及びマーク検出方法
KR102757025B1 (ko) 집속된 하전 입자 빔의 빔 수렴을 결정하는 방법, 및 하전 입자 빔 시스템
JPWO2003098149A1 (ja) 試料寸法測長方法及び走査電子顕微鏡
US5877505A (en) Apparatus for determining mark position on wafer
JP5461878B2 (ja) ドリフト測定方法、荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置
JP3960544B2 (ja) ビーム調整用試料、ビーム調整方法及びビーム調整装置
JP2006172919A (ja) 三次元形状解析機能を有する走査型電子顕微鏡
JPH06120126A (ja) 荷電ビーム描画装置
JP2005338102A (ja) 試料寸法測長方法及び走査電子顕微鏡
KR20150143907A (ko) 하전입자 현미경의 주사신호 제어 방법 및 이를 이용한 장치
JPH11224642A (ja) 電子ビーム露光装置および電子ビーム露光方法
JP2000340496A (ja) 荷電粒子ビームを用いた測定方法および装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020903