JPH08340079A - Multi-chip module - Google Patents
Multi-chip moduleInfo
- Publication number
- JPH08340079A JPH08340079A JP17025795A JP17025795A JPH08340079A JP H08340079 A JPH08340079 A JP H08340079A JP 17025795 A JP17025795 A JP 17025795A JP 17025795 A JP17025795 A JP 17025795A JP H08340079 A JPH08340079 A JP H08340079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mcm
- line
- signal line
- terminal pattern
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/65—Shapes or dispositions of interconnections
- H10W70/654—Top-view layouts
- H10W70/655—Fan-out layouts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 直流からマイクロ波、ミリ波帯まで動作可能
なマルチチップモジュルを提供することを目的とするも
のである。
【構成】 ＭＣＭ−Ｄ基板において、マルチチップモジ
ュルの外部と接続する端子パタンを、誘電体基板上に直
接、形成したものである。
(57) [Abstract] [Purpose] It is an object of the present invention to provide a multi-chip module capable of operating from direct current to microwave and millimeter wave band. [Structure] In an MCM-D substrate, a terminal pattern for connecting to the outside of a multi-chip module is formed directly on a dielectric substrate.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、直流からマイクロ波、
ミリ波帯まで動作可能なマルチチップモジュールに関す
るものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a direct current to a microwave,
The present invention relates to a multi-chip module capable of operating up to the millimeter wave band.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は、従来のＭＣＭ−Ｄ２００の構成
を示す図であり、図５（２）はその平面図であり、図５
（１）は、図（２）のＶ−Ｖ’から見た縦断面図であ
る。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a diagram showing a configuration of a conventional MCM-D200, and FIG. 5 (2) is a plan view thereof.
(1) is a vertical cross-sectional view as seen from VV ′ in FIG.
【０００３】ＭＣＭ−Ｄ２００は、セラミックやシリコ
ン、金属板に、ポリイミド樹脂やＳｉＯ2 等の誘電体膜
と配線とを薄膜技術で形成した多層配線基板を用いたマ
ルチチップモジュールである。The MCM-D200 is a multi-chip module using a multilayer wiring board in which a dielectric film such as polyimide resin or SiO 2 and wiring are formed by a thin film technique on a ceramic, silicon or metal plate.
【０００４】また、ＭＣＭ−Ｄ２００は、アルミナ等か
らなる厚さ０．１mm〜数mmの誘電体基板１ａと、ポリイ
ミド等からなる厚さ０．５ミクロン〜２０ミクロンの誘
電体薄膜２と、ＩＣチップ３と、ボンディングワイヤ４
と、配線５と、ボンディングワイヤ用パッド６と、ＭＣ
Ｍ−Ｄ２００の外部と接続する端子パタン７ａ、８ａと
を有する。端子パタン７ａは、信号線９ａとグランド線
１０ａとを有するコプレーナ線路で構成され、端子パタ
ン８ａは、信号線１１ａとグランド線１２ａとを有する
マイクロストリップ線路で構成されている。The MCM-D200 is composed of a dielectric substrate 1a made of alumina or the like and having a thickness of 0.1 mm to several mm, a dielectric thin film 2 made of polyimide or the like and having a thickness of 0.5 μm to 20 μm, and an IC. Chip 3 and bonding wire 4
, Wiring 5, pad 6 for bonding wire, MC
It has terminal patterns 7a and 8a connected to the outside of MD200. The terminal pattern 7a is composed of a coplanar line having a signal line 9a and a ground line 10a, and the terminal pattern 8a is composed of a microstrip line having a signal line 11a and a ground line 12a.
【０００５】なお、ＭＣＭ−Ｄ２００におけるＩＣチッ
プ３は、説明を簡単にするために、１個で構成されてい
るものを示してあるが、複数個のＩＣチップを同一基板
に設置する場合も多い。Although the IC chip 3 in the MCM-D200 is shown to be composed of one IC chip in order to simplify the explanation, a plurality of IC chips are often installed on the same substrate. .
【０００６】また、ＭＣＭ−Ｄ２００において、ＭＣＭ
−Ｄ２００の外部と接続される端子パタン７ａ、８ａ
は、誘電体薄膜２上に形成されている。Further, in the MCM-D200, the MCM
-Terminal patterns 7a and 8a connected to the outside of the D200
Are formed on the dielectric thin film 2.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＭＣＭ
−Ｄ２００において、マイクロストリップ線路を端子パ
タン８ａに使用した場合、信号線１１ａとグランド線１
２ａとの間に存在する誘電体薄膜２の厚みが薄いので、
信号線１１ａとグランド線１２ａとの間における単位面
積当りの容量が大きくなる。このように、信号線１１ａ
とグランド線１２ａとの間の容量が大きい状況で、特性
インピーダンス５０Ωを得るためには、信号線１１ａの
幅を２０ミクロン以下に細くする必要がある。SUMMARY OF THE INVENTION As described above, the MCM
-In D200, when the microstrip line is used for the terminal pattern 8a, the signal line 11a and the ground line 1
Since the thickness of the dielectric thin film 2 existing between 2a and 2a is thin,
The capacitance per unit area between the signal line 11a and the ground line 12a increases. In this way, the signal line 11a
In order to obtain the characteristic impedance of 50Ω when the capacitance between the ground line 12a and the ground line 12a is large, it is necessary to narrow the width of the signal line 11a to 20 microns or less.
【０００８】一方、ワイヤボンディングの直径は通常２
０ミクロン程度であるので、信号線１１ａをワイヤボン
ディング等で接続する場合、１本のワイヤで接続する必
要があり、このために、その接続部のインダクタンスが
大きくなり、したがって、ＭＣＭ−Ｄ２００の高周波性
能が劣化するという問題があり、また、１本のワイヤで
接続するので、ワイヤボンディングと信号線１１ａとの
接続部における機械的信頼性が低いという問題がある。On the other hand, the diameter of wire bonding is usually 2
Since it is about 0 micron, when connecting the signal line 11a by wire bonding or the like, it is necessary to connect with one wire, which increases the inductance of the connecting portion, and therefore the high frequency of the MCM-D200. There is a problem that the performance is deteriorated, and since one wire is used for connection, there is a problem that mechanical reliability is low at the connection portion between the wire bonding and the signal line 11a.
【０００９】また、Ｖコネクタ等の高周波用同軸コネク
タの中心ビーズの直径は１００〜２００ミクロンであ
り、この直径は、上記２０ミクロンよりも遥かに大きな
値であるので、ＭＣＭ−Ｄ２００にＶコネクタを直接、
接続することができないという問題がある。Further, the diameter of the center bead of a high-frequency coaxial connector such as a V connector is 100 to 200 microns, and this diameter is much larger than the above-mentioned 20 microns, so that the V connector should be attached to the MCM-D200. Directly
There is a problem that you cannot connect.
【００１０】すなわち、信号線１１ａをマイクロストリ
ップ線路で構成した場合、上記のように高周波性能が劣
化する等の理由で、マイクロストリップ線路で信号線を
構成したマルチチップモジュールは、高周波帯において
使用するには問題がある。That is, when the signal line 11a is formed by a microstrip line, the multichip module in which the signal line is formed by the microstrip line is used in a high frequency band because the high frequency performance is deteriorated as described above. Has a problem.
【００１１】一方、従来のＭＣＭ−Ｄ２００において、
信号線９ａとグランド線１０ａとによってコプレーナ線
路を構成しているが、この場合、信号線９ａとグランド
線１０ａとの間隔を調整することによって、信号線９ａ
とグランド線１０ａとによって構成される容量の値を制
御することができる。しかし、信号線９ａとグランド線
１０ａとの間隔を、配線のピッチ（通常１００ミクロ
ン）以下にはできないことと、誘電体薄膜が通常、ポリ
イミド等の低誘電率（比誘電率約３）の材料で構成され
ていることとによって、コプレーナ線路における単位面
積当りの容量が小さくならざるを得ないので、上記コプ
レーナ線路において特性インピーダンスとして５０Ωを
得るためには、信号線９ａの幅を、マイクロストリップ
線路の場合とは逆に、４００ミクロン以上に太くする必
要がある。On the other hand, in the conventional MCM-D200,
The signal line 9a and the ground line 10a form a coplanar line. In this case, the signal line 9a is adjusted by adjusting the distance between the signal line 9a and the ground line 10a.
It is possible to control the value of the capacitance formed by the ground line 10a and the ground line 10a. However, the distance between the signal line 9a and the ground line 10a cannot be set to a wiring pitch (usually 100 microns) or less, and the dielectric thin film is usually a material having a low dielectric constant (relative permittivity of about 3) such as polyimide. Since the capacitance per unit area in the coplanar line is unavoidable due to the above-mentioned structure, the width of the signal line 9a is set to the microstrip line in order to obtain a characteristic impedance of 50Ω in the coplanar line. Contrary to the above case, it is necessary to make the thickness thicker than 400 microns.
【００１２】ところが、高周波のＩＣチップ３は通常、
１mm角から２mm角であるために、この信号線９ａの幅で
ある４００ミクロン以上の長さは、ＩＣチップ３の幅に
比べて無視することができず、したがって、コプレーナ
線路を用いた場合、基板の利用効率が非常に悪くなると
いう問題がある。したがって、コプレーナ線路は高周波
用同軸線路との電気的接続性が良好であるにもかかわら
ず、従来のＭＣＭ−Ｄ２００においては、コプレーナ線
路があまり使用されていない。However, the high frequency IC chip 3 is usually
Since the width is 1 mm square to 2 mm square, the length of the signal line 9a, which is 400 μm or more, cannot be ignored in comparison with the width of the IC chip 3. Therefore, when the coplanar line is used, There is a problem that the utilization efficiency of the substrate becomes very poor. Therefore, although the coplanar line has good electrical connectivity with the high-frequency coaxial line, the coplanar line is not often used in the conventional MCM-D200.
【００１３】すなわち、信号線９ａをコプレーナ線路で
構成したマルチチップモジュールを高周波帯で使用する
と、上記のように、基板の利用効率が非常に悪いので、
コプレーナ線路で信号線を構成したマルチチップモジュ
ールは、高周波帯において使用するには問題がある。That is, when the multichip module in which the signal line 9a is a coplanar line is used in the high frequency band, the utilization efficiency of the substrate is very poor as described above.
The multi-chip module in which the signal line is composed of the coplanar line has a problem when used in a high frequency band.
【００１４】したがって、上記従来例においては、信号
線をマイクロストリップ線路で構成したマルチチップモ
ジュールも、信号線をコプレーナ線路で構成したマルチ
チップモジュールも、高周波帯で使用することができな
いという問題がある。Therefore, in the above-mentioned conventional example, there is a problem that neither the multi-chip module in which the signal line is constituted by the microstrip line nor the multi-chip module in which the signal line is constituted by the coplanar line can be used in the high frequency band. .
【００１５】本発明は、直流からマイクロ波、ミリ波帯
まで動作可能なマルチチップモジュルを提供することを
目的とするものである。It is an object of the present invention to provide a multi-chip module capable of operating from direct current to microwave and millimeter wave band.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は、ＭＣＭ−Ｄ基
板において、マルチチップモジュルの外部と接続する端
子パタンを、誘電体基板上に直接、形成したものであ
る。According to the present invention, in an MCM-D substrate, a terminal pattern for connecting to the outside of a multi-chip module is formed directly on a dielectric substrate.
【００１７】[0017]
【作用】本発明は、ＭＣＭ−Ｄ基板において、マルチチ
ップモジュルの外部と接続する端子パタンを、誘電体基
板上に直接、形成したので、端子パタンとしてマイクロ
ストリップ線路を使用した場合でも、コプレーナ線路を
使用した場合でも、端子パタンの信号線の幅を１００ミ
クロン〜２００ミクロンにすることができ、マルチチッ
プモジュールの外部との接続部における高周波性能が優
れ、したがって、そのマルチチップモジュルを、直流か
らマイクロ波、ミリ波帯まで動作可能である。According to the present invention, in the MCM-D board, the terminal pattern for connecting to the outside of the multi-chip module is formed directly on the dielectric board. Therefore, even when the microstrip line is used as the terminal pattern, the coplanar line is used. Even when using, the width of the signal line of the terminal pattern can be set to 100 μm to 200 μm, and the high frequency performance in the connection part with the outside of the multichip module is excellent. It can operate in the microwave and millimeter wave bands.
【００１８】[0018]
【実施例】図１は、本発明の一実施例であるＭＣＭ−Ｄ
１００の構成を示す図であり、図１（２）はその平面
図、図１（１）は、図１（２）のＩ−Ｉ’から見た縦断
面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is an MCM-D which is an embodiment of the present invention.
It is a figure which shows the structure of 100, FIG.1 (2) is the top view, FIG.1 (1) is a longitudinal cross-sectional view seen from II 'of FIG.1 (2).
【００１９】ＭＣＭ−Ｄ１００は、セラミックやシリコ
ン、金属板に、ポリイミド樹脂やＳｉＯ2 等の誘電体膜
と配線とを薄膜技術で形成した多層配線基板を用いたマ
ルチチップモジュールである。つまり、ＭＣＭ−Ｄ１０
０は、アルミナ等からなる誘電体基板１と、ポリイミド
等からなる誘電体薄膜２と、ＩＣチップ３と、ボンディ
ングワイヤ４と、配線５と、ボンディングワイヤ用パッ
ド６と、外部と接続する端子パタン７、８とを有する。The MCM-D100 is a multichip module using a multilayer wiring board in which a dielectric film such as polyimide resin or SiO 2 and wiring are formed on a ceramic, silicon or metal plate by a thin film technique. That is, MCM-D10
Reference numeral 0 denotes a dielectric substrate 1 made of alumina or the like, a dielectric thin film 2 made of polyimide or the like, an IC chip 3, a bonding wire 4, a wiring 5, a bonding wire pad 6, and a terminal pattern for connecting to the outside. 7 and 8.
【００２０】また、端子パタン７は、信号線９とグラン
ド線１０とを有するコプレーナ線路で構成され、端子パ
タン８は、信号線１１とグランド線１２とを有するマイ
クロストリップ線路で構成されている。The terminal pattern 7 is a coplanar line having a signal line 9 and a ground line 10, and the terminal pattern 8 is a microstrip line having a signal line 11 and a ground line 12.
【００２１】さらに、ＭＣＭ−Ｄ１００において、端子
パタン７、８は、誘電体基板１の表面上に直接、形成さ
れている。Further, in the MCM-D100, the terminal patterns 7 and 8 are directly formed on the surface of the dielectric substrate 1.
【００２２】なお、マイクロストリップ線路で構成され
ている端子パタン８のグランド線１２は、誘電体基板１
の裏面に配置され、図示しないスルーホールによって、
グランド線１２とグランド線１３とが接続されている。The ground line 12 of the terminal pattern 8 composed of the microstrip line is the dielectric substrate 1
It is placed on the back side of the
The ground line 12 and the ground line 13 are connected.
【００２３】次に、上記実施例の動作について説明す
る。Next, the operation of the above embodiment will be described.
【００２４】まず、上記実施例において、誘電体基板１
として、通常、アルミナ等の比誘電率１０程度のものが
使用され、しかもその厚みが０．１mm〜１mm程度のもの
を使用可能である。また、端子パタン８としてマイクロ
ストリップ線路を使用しているので、誘電体基板１の厚
みを、０．１mm〜０．２mm程度とすることができ、これ
によって、端子パタン８における信号線１１の幅を１０
０ミクロン〜２００ミクロンに設定することが可能であ
る。First, in the above embodiment, the dielectric substrate 1
Usually, a material having a relative dielectric constant of about 10 such as alumina is used, and a material having a thickness of about 0.1 mm to 1 mm can be used. Further, since the microstrip line is used as the terminal pattern 8, the thickness of the dielectric substrate 1 can be set to about 0.1 mm to 0.2 mm, which allows the width of the signal line 11 in the terminal pattern 8 to be increased. 10
It is possible to set 0 to 200 microns.
【００２５】このように、ＭＣＭ−Ｄ１００において、
マイクロストリップ線路を構成する信号線１１の幅を１
００ミクロン〜２００ミクロンに設定することができる
ので、ワイヤボンディング等で信号線１１を接続する場
合、２０ミクロン程度の幅を有するワイヤボンディング
等を１つの信号線１１に多数、接続可能であり、したが
って、信号線１１とワイヤボンディング等との接続部に
おけるインダクタンスを低減でき、高周波性能を改善す
ることができ、しかも、多数のワイヤボンディング等を
接続できるので、接続部の機械的信頼性が向上する。ま
た、ＭＣＭ−Ｄ１００に、Ｖコネクタ等の高周波用同軸
コネクタを直接、接続することができ、高周波性能が優
れたマルチチップモジュールを実現することができる。As described above, in the MCM-D100,
Set the width of the signal line 11 forming the microstrip line to 1
Since it can be set to 00 microns to 200 microns, when connecting the signal lines 11 by wire bonding or the like, it is possible to connect a large number of wire bonds or the like having a width of about 20 microns to one signal line 11. The inductance at the connection between the signal line 11 and the wire bonding or the like can be reduced, high-frequency performance can be improved, and a large number of wire bondings or the like can be connected, so that the mechanical reliability of the connection is improved. Further, a high frequency coaxial connector such as a V connector can be directly connected to the MCM-D100, and a multichip module having excellent high frequency performance can be realized.
【００２６】また、端子パタン７としてコプレーナ線路
を使用しているので、信号線９とグランド線１０との間
隔を、１００ミクロン〜２００ミクロンとした配線ピッ
チの許容範囲内で、端子パタン７の信号線９の幅を１０
０ミクロン〜２００ミクロンにすることが可能である。Further, since the coplanar line is used as the terminal pattern 7, the signal of the terminal pattern 7 is within the allowable wiring pitch range in which the distance between the signal line 9 and the ground line 10 is 100 to 200 microns. Width of line 9 is 10
It can be from 0 to 200 microns.
【００２７】このように、コプレーナ線路を構成する端
子パタン７の信号線９の幅を１００ミクロン〜２００ミ
クロンにすることができるので、２０ミクロン程度の直
径を有するワイヤボンディングを、信号線９に複数本接
続することができ、このために、その接続部のインダク
タンスが小さく、したがって、ＭＣＭ−Ｄ１００の高周
波性能が向上する。また、複数本のワイヤボンディング
で接続できるので、ワイヤボンディングと信号線１１と
の接続部における機械的信頼性が高くなる。さらに、Ｖ
コネクタ等の高周波用同軸コネクタの中心ビーズの直径
（１００〜２００ミクロン）以上の幅に、信号線９の幅
を設定できるので、ＭＣＭ−Ｄ１００にＶコネクタを直
接、接続することができる。As described above, the width of the signal line 9 of the terminal pattern 7 constituting the coplanar line can be set to 100 μm to 200 μm, so that a plurality of wire bondings having a diameter of about 20 μm are formed on the signal line 9. The main connection can be made, and therefore, the inductance of the connection portion is small, and therefore, the high frequency performance of the MCM-D100 is improved. Moreover, since the connection can be made by a plurality of wire bonds, the mechanical reliability of the connection portion between the wire bonding and the signal line 11 becomes high. Furthermore, V
Since the width of the signal line 9 can be set to a width equal to or larger than the diameter (100 to 200 μm) of the center bead of a high-frequency coaxial connector such as a connector, the V connector can be directly connected to the MCM-D100.
【００２８】なお、ＭＣＭ−Ｄ１００におけるＩＣチッ
プ３は、説明を簡単にするために、１個で構成されてい
るものを示してあるが、複数個のＩＣチップが同一基板
に設置されるようにしてもよい。Although the IC chip 3 in the MCM-D100 is shown to be composed of one IC chip for the sake of simplicity of explanation, a plurality of IC chips should be installed on the same substrate. May be.
【００２９】図２は、ＭＣＭ−Ｄ１００同志をボンディ
ングワイヤで接続した実施例を示す図であり、図２
（２）はその平面図、図２（１）は、図１（２）のＩＩ
−ＩＩ’から見た縦断面図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment in which the MCM-D100s are connected by bonding wires.
(2) is a plan view thereof, and FIG. 2 (1) is II of FIG. 1 (2).
It is a longitudinal cross-sectional view seen from -II '.
【００３０】図３は、ＭＣＭ−Ｄ１００と、アルミナ基
板等の上にパタンを有する基板とをボンディングワイヤ
で接続した実施例を示す図であり、図３（２）はその平
面図、図３（１）は、図３（２）のＩＩＩ−ＩＩＩ’か
ら見た縦断面図であり、図３（４）は、別の例における
平面図、図（３）は、図３（４）のＩＩＩａ−ＩＩＩ
ａ’から見た縦断面図である。FIG. 3 is a diagram showing an embodiment in which the MCM-D100 and a substrate having a pattern on an alumina substrate or the like are connected by bonding wires, and FIG. 3 (2) is a plan view thereof and FIG. 1) is a vertical cross-sectional view seen from III-III ′ of FIG. 3 (2), FIG. 3 (4) is a plan view of another example, and FIG. 3 (3) is IIIa of FIG. 3 (4). -III
It is a longitudinal cross-sectional view seen from a '.
【００３１】図２、図３に示すボンディングワイヤを用
いた接続例では、多数のワイヤで接続可能であるため
に、接続部のインダクタンスを低減でき、高周波性能が
改善するとともに、接続部の機械的信頼性が向上する。In the connection examples using the bonding wires shown in FIGS. 2 and 3, since a large number of wires can be connected, the inductance of the connection portion can be reduced, the high frequency performance can be improved, and the mechanical properties of the connection portion can be improved. Improves reliability.
【００３２】図４は、ＭＣＭ−Ｄ１００と、Ｖコネクタ
等の高周波用コネクタとを接続した実施例を示す図であ
り、図４（２）はその平面図、図４（１）は、図４
（２）のＩＶ−ＩＶ’から見た縦断面図である。FIG. 4 is a diagram showing an embodiment in which the MCM-D100 and a high-frequency connector such as a V connector are connected. FIG. 4 (2) is its plan view and FIG. 4 (1) is FIG.
It is a longitudinal cross-sectional view seen from IV-IV 'of (2).
【００３３】図４に示す高周波用コネクタとの接続例で
は、コネクタの中心ビーズの直径（１００ミクロン〜２
００ミクロン）と信号線の幅とを一致させることができ
るので、ＭＣＭ−Ｄ１００とコネクタとを直接、接続す
ることができる。In the connection example with the high frequency connector shown in FIG. 4, the diameter of the central bead of the connector (100 μm to 2 μm) is used.
(00 micron) and the width of the signal line can be matched, so that the MCM-D100 and the connector can be directly connected.
【００３４】なお、上記説明では、ＩＣチップ３とＭＣ
Ｍ−Ｄとを接続する場合、ボンディングワイヤを用いて
いるが、バンプ、タブ等の他の接続方法を用いることに
よって、ＩＣチップ３とＭＣＭ−Ｄ１００とを接続する
ようにしてもよく、このようにしても、上記と同様の効
果を得ることができる。In the above description, the IC chip 3 and MC
Although a bonding wire is used to connect the M-D, the IC chip 3 and the MCM-D100 may be connected by using another connecting method such as a bump or a tab. However, the same effect as above can be obtained.
【００３５】[0035]
【発明の効果】本発明によれば、外部との接続用の端子
パタンの信号線の幅を、１００ミクロン〜２００ミクロ
ンにできるので、マルチチップモジュールの外部との接
続部の高周波性能が優れ、このために、マルチチップモ
ジュールが、直流からマイクロ波、ミリ波帯まで動作可
能であるという効果を奏する。According to the present invention, since the width of the signal line of the terminal pattern for connecting to the outside can be set to 100 μm to 200 μm, the high frequency performance of the connecting portion with the outside of the multichip module is excellent, Therefore, the multi-chip module has an effect that it can operate from DC to microwave and millimeter wave bands.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の一実施例であるＭＣＭ−Ｄ１００の構
成を示す図であり、図１（２）はその平面図、図１
（１）は、図１（２）のＩ−Ｉ’から見た縦断面を示す
図である。1 is a diagram showing a configuration of an MCM-D100 which is an embodiment of the present invention, FIG. 1 (2) is a plan view thereof, FIG.
(1) is a view showing a vertical cross section viewed from II ′ in FIG. 1 (2).
【図２】複数のＭＣＭ−Ｄ１００同志をボンディングワ
イヤで接続した実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment in which a plurality of MCM-D100s are connected by a bonding wire.
【図３】ＭＣＭ−Ｄ１００と、アルミナ基板等の上にパ
タンを有する基板とをボンディングワイヤで接続した実
施例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example in which an MCM-D100 and a substrate having a pattern on an alumina substrate or the like are connected by a bonding wire.
【図４】ＭＣＭ−Ｄ１００と、Ｖコネクタ等の高周波用
コネクタとを接続した実施例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an embodiment in which an MCM-D100 and a high frequency connector such as a V connector are connected.
【図５】従来のＭＣＭ−Ｄ２００の構成を示す図であ
り、図５（２）はその平面図であり、図５（１）は、図
（２）のＶ−Ｖ’から見た縦断面図である。5 is a diagram showing a configuration of a conventional MCM-D200, FIG. 5 (2) is a plan view thereof, and FIG. 5 (1) is a vertical cross section viewed from VV ′ in FIG. It is a figure.
１００…ＭＣＭ−Ｄ、 １…誘電体基板、 ２…誘電体薄膜、 ３…ＩＣチップ、 ４…ボンディングワイヤ、 ５…配線、 ６…ボンディングワイヤ用パッド、 ７、８…外部と接続する端子パタン、 ９、１１…信号線、 １０、１２、１３…グランド線。 100 ... MCM-D, 1 ... Dielectric substrate, 2 ... Dielectric thin film, 3 ... IC chip, 4 ... Bonding wire, 5 ... Wiring, 6 ... Bonding wire pad, 7, 8 ... Terminal pattern to be connected to the outside, 9, 11 ... Signal lines, 10, 12, 13 ... Ground lines.
Claims (1)
板上に高密度配線を形成したＭＣＭ−Ｄ基板において、 外部と接続する端子パタンが、上記誘電体基板の表面に
直接形成されていることを特徴とするマルチチップモジ
ュール。1. In an MCM-D substrate in which high density wiring is formed on a dielectric substrate using a dielectric thin film and a wiring layer, a terminal pattern for connecting to the outside is directly formed on the surface of the dielectric substrate. It is a multi-chip module characterized by.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17025795A JPH08340079A (en) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | Multi-chip module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17025795A JPH08340079A (en) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | Multi-chip module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340079A true JPH08340079A (en) | 1996-12-24 |
Family
ID=15901593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17025795A Pending JPH08340079A (en) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | Multi-chip module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340079A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212682A (en) * | 2009-02-26 | 2010-09-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | Minimization of electromagnetic interference in coil transducer |
| US9105391B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-08-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | High voltage hold-off coil transducer |
-
1995
- 1995-06-13 JP JP17025795A patent/JPH08340079A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9105391B2 (en) | 2006-08-28 | 2015-08-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | High voltage hold-off coil transducer |
| JP2010212682A (en) * | 2009-02-26 | 2010-09-24 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | Minimization of electromagnetic interference in coil transducer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0195520B1 (en) | Coplanar microstrap waveguide | |
| US4751482A (en) | Semiconductor integrated circuit device having a multi-layered wiring board for ultra high speed connection | |
| US7854368B2 (en) | Method and structure for controlled impedance wire bonds using co-dispensing of dielectric spacers | |
| US5977631A (en) | Semiconductor device including a semiconductor package with electromagnetic coupling slots | |
| CN110556365B (en) | Matching circuits for integrated circuit chips | |
| US7683480B2 (en) | Methods and apparatus for a reduced inductance wirebond array | |
| US6608259B1 (en) | Ground plane for a semiconductor chip | |
| JP2003519925A (en) | Interconnect device and method | |
| JPH0629428A (en) | Semiconductor device | |
| JPS61274333A (en) | Semiconductor device | |
| JP2001036309A (en) | Multi-chip module connection structure | |
| US6624454B1 (en) | Semiconductor device having a flip-chip construction | |
| JP2001203300A (en) | Wiring substrate, semiconductor device, and method of manufacturing wiring substrate | |
| US7408119B2 (en) | Electrical interconnection for high-frequency devices | |
| JPH08340079A (en) | Multi-chip module | |
| JP3081786B2 (en) | High frequency semiconductor device | |
| JPH0936617A (en) | High frequency module | |
| JP2002299501A (en) | Monolithic millimeter wave integrated circuit and method of manufacturing the same | |
| JP3435028B2 (en) | High frequency semiconductor device | |
| JP2518145B2 (en) | Multilayer lead frame with heat sink | |
| CN108470729A (en) | Mixed printing circuit board | |
| JPH08264592A (en) | Structure for filter and / or resonator | |
| JPH09298218A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH10135637A (en) | Ceramic multilayer wiring board | |
| JP2966613B2 (en) | High frequency semiconductor package |