JPH08340304A - 光伝送装置 - Google Patents
光伝送装置Info
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- JPH08340304A JPH08340304A JP7144538A JP14453895A JPH08340304A JP H08340304 A JPH08340304 A JP H08340304A JP 7144538 A JP7144538 A JP 7144538A JP 14453895 A JP14453895 A JP 14453895A JP H08340304 A JPH08340304 A JP H08340304A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光伝送装置に関し、双方向伝送システムにお
いて、一方の光伝送装置の光送信部の光出力レベルを伝
送路損失量に合わせて制御させ、さらにパルス幅の変動
の補償を行うことで、対向装置の光受信部の構成を容易
にすることを目的とする。 【構成】 双方向のディジタル光信号伝送システムに使
用され、光信号を電気信号に変換して出力する光受信部
と、電気信号を光信号に変換して出力する半導体レーザ
とを有する光伝送装置において、該光受信部の出力の平
均値を検出する平均値検出手段と、該平均値検出手段の
検出出力を用いて該半導体レーザの光出力信号強度を制
御する光強度制御手段と、該平均値検出手段の検出出力
を用いて該半導体レーザの光出力信号のパルス幅の変動
を制御するパルス幅制御手段とで構成する。
いて、一方の光伝送装置の光送信部の光出力レベルを伝
送路損失量に合わせて制御させ、さらにパルス幅の変動
の補償を行うことで、対向装置の光受信部の構成を容易
にすることを目的とする。 【構成】 双方向のディジタル光信号伝送システムに使
用され、光信号を電気信号に変換して出力する光受信部
と、電気信号を光信号に変換して出力する半導体レーザ
とを有する光伝送装置において、該光受信部の出力の平
均値を検出する平均値検出手段と、該平均値検出手段の
検出出力を用いて該半導体レーザの光出力信号強度を制
御する光強度制御手段と、該平均値検出手段の検出出力
を用いて該半導体レーザの光出力信号のパルス幅の変動
を制御するパルス幅制御手段とで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光双方向伝送に使用され
る光伝送装置に係り、特にポイント・ポイント、あるい
はポイント・マルチポイント伝送システムにおける光伝
送装置に関するものである。
る光伝送装置に係り、特にポイント・ポイント、あるい
はポイント・マルチポイント伝送システムにおける光伝
送装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に双方向伝送形態の一例を示すが、
従来の双方向伝送用の光伝送装置においては、光受信部
で受信する光レベルから伝送路における損失量を検出し
て、送信光出力を調整していた。
従来の双方向伝送用の光伝送装置においては、光受信部
で受信する光レベルから伝送路における損失量を検出し
て、送信光出力を調整していた。
【０００３】図６は、第１の従来例の光送受信レベル調
整回路のブロック図であり、文献（特開平2-271727）で
開示されたものである。図において、入力端子Ａから入
力した光信号は、減衰量可変光減衰素子（光ＡＴＴ）１
を介して受光素子（ＰＤ）２により電気信号に変換さ
れ、前置増幅器（ＰＲＥ）３、等化増幅器（ＥＱＬ）４
により所定レベルにまで増幅された後、識別再生器（Ｄ
ＥＣ）５により出力電気信号が再生され、出力端子Ｂよ
り出力される。
整回路のブロック図であり、文献（特開平2-271727）で
開示されたものである。図において、入力端子Ａから入
力した光信号は、減衰量可変光減衰素子（光ＡＴＴ）１
を介して受光素子（ＰＤ）２により電気信号に変換さ
れ、前置増幅器（ＰＲＥ）３、等化増幅器（ＥＱＬ）４
により所定レベルにまで増幅された後、識別再生器（Ｄ
ＥＣ）５により出力電気信号が再生され、出力端子Ｂよ
り出力される。
【０００４】一方、等化増幅器４により増幅された電気
信号は、ＡＧＣ回路６でピーク値検出され、入力光信号
レベルの大小に対応した制御信号を制御回路（ＣＯＮ
Ｔ）７に送る。制御回路７では、入力光信号レベルが大
きい時には光減衰素子１の光減衰量を大きくするよう
に、光減衰素子１を制御する。
信号は、ＡＧＣ回路６でピーク値検出され、入力光信号
レベルの大小に対応した制御信号を制御回路（ＣＯＮ
Ｔ）７に送る。制御回路７では、入力光信号レベルが大
きい時には光減衰素子１の光減衰量を大きくするよう
に、光減衰素子１を制御する。
【０００５】一方、入力端子Ｃから入力した電気信号
は、駆動回路（ＤＲＶ）８を介して半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）９に加えられ、光信号に変換された後、光減衰素子
（光ＡＴＴ）１０を介して出力端子Ｄに送出される。こ
こで、制御回路７の出力の制御信号により、光減衰素子
１０の光減衰量を調整することで、半導体レーザ９から
出力端子Ｄを介して伝送路に送出される光パワーを伝送
路で生じる損失量に応じて調整し、対向装置の光受信部
に要求されるダイナミックレンジを減少させるようにす
る。
は、駆動回路（ＤＲＶ）８を介して半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）９に加えられ、光信号に変換された後、光減衰素子
（光ＡＴＴ）１０を介して出力端子Ｄに送出される。こ
こで、制御回路７の出力の制御信号により、光減衰素子
１０の光減衰量を調整することで、半導体レーザ９から
出力端子Ｄを介して伝送路に送出される光パワーを伝送
路で生じる損失量に応じて調整し、対向装置の光受信部
に要求されるダイナミックレンジを減少させるようにす
る。
【０００６】図７は、第２の従来例の光伝送装置の構成
を示すブロック図であり、文献（特開平4-269023) で開
示されたものである。図において、光伝送装置２３で
は、光伝送路１６から入力した光信号は受光素子１８で
電気信号に変換された後、ＡＧＣアンプ１９でレベル検
出部２０からの制御信号により利得を調整しながら増幅
して出力する。
を示すブロック図であり、文献（特開平4-269023) で開
示されたものである。図において、光伝送装置２３で
は、光伝送路１６から入力した光信号は受光素子１８で
電気信号に変換された後、ＡＧＣアンプ１９でレベル検
出部２０からの制御信号により利得を調整しながら増幅
して出力する。
【０００７】レベル検出部２０では、上記ＡＧＣアンプ
１９の一部を分岐して入力光信号レベルを検出し、上記
制御信号をＡＧＣアンプ１９に加えるとともに、ＡＧＣ
付駆動回路２１に加える。レベル検出部２０で検出した
受信レベルに応じて光源２２を駆動することにより送信
光パワーレベルを調整し、対向する光伝送装置１５の光
受信部に要求されるダイナミックレンジを減少させるよ
うにする。
１９の一部を分岐して入力光信号レベルを検出し、上記
制御信号をＡＧＣアンプ１９に加えるとともに、ＡＧＣ
付駆動回路２１に加える。レベル検出部２０で検出した
受信レベルに応じて光源２２を駆動することにより送信
光パワーレベルを調整し、対向する光伝送装置１５の光
受信部に要求されるダイナミックレンジを減少させるよ
うにする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
図６の方法では、機械的動作あるいは液晶による減衰量
可変光減衰素子を用いているために、高速動作が困難で
あり、また光減衰素子の実装のためのコストが増大し、
光減衰量を最小に設定した場合でも幾分かの余分な損失
を生じてしまうという欠点がある。
図６の方法では、機械的動作あるいは液晶による減衰量
可変光減衰素子を用いているために、高速動作が困難で
あり、また光減衰素子の実装のためのコストが増大し、
光減衰量を最小に設定した場合でも幾分かの余分な損失
を生じてしまうという欠点がある。
【０００９】また図７の方法では、ＡＧＣ付き駆動回路
を用いて光出力レベルの調整を行っているが、以下に述
べるように、例えばレーザダイオードの駆動電流を制御
して光出力を変化させた場合、レーザダイオードの駆動
電流を小さくすると発振遅延時間が大きくなるため、光
出力信号の“１”に対応するパルスのパルス幅がせまく
なる恐れがある。
を用いて光出力レベルの調整を行っているが、以下に述
べるように、例えばレーザダイオードの駆動電流を制御
して光出力を変化させた場合、レーザダイオードの駆動
電流を小さくすると発振遅延時間が大きくなるため、光
出力信号の“１”に対応するパルスのパルス幅がせまく
なる恐れがある。
【００１０】一般に、半導体レーザの発振遅延時間ｔd
は、駆動電流Ｉｐ、バイアス電流Ｉｂ、しきい値電流Ｉ
thを用いて、次のように表させる。（文献「光ファイバ
通信工学」の１１４頁、ジャード・カイザー著、山下
栄吉訳、産業図書（発行）、１９８７年参照） ここでτはレーザに固有の定数である。
は、駆動電流Ｉｐ、バイアス電流Ｉｂ、しきい値電流Ｉ
thを用いて、次のように表させる。（文献「光ファイバ
通信工学」の１１４頁、ジャード・カイザー著、山下
栄吉訳、産業図書（発行）、１９８７年参照） ここでτはレーザに固有の定数である。
【００１１】(1) 式から、駆動電流Ｉｐを変化させて光
出力を調整するとき、Ｉｐ＞＞（Ｉth−Ｉｂ）の場合は
ｔd ≒０であるが、Ｉｐが小さくなった場合には光出力
も小さくなって発振遅延時間が増大し、光出力信号のパ
ルス幅がせまくなることが分かる（図５を参照）。特
に、しきい値Ｉthの大きいレーザダイオードを使う場合
や、無バイアス変調（Ｉｂ＝０）を行う場合にその影響
が顕著に現れる。
出力を調整するとき、Ｉｐ＞＞（Ｉth−Ｉｂ）の場合は
ｔd ≒０であるが、Ｉｐが小さくなった場合には光出力
も小さくなって発振遅延時間が増大し、光出力信号のパ
ルス幅がせまくなることが分かる（図５を参照）。特
に、しきい値Ｉthの大きいレーザダイオードを使う場合
や、無バイアス変調（Ｉｂ＝０）を行う場合にその影響
が顕著に現れる。
【００１２】図５に示すように、発振遅延時間ｔd が大
きいと、“１”に対して本来存在すべき100 ％のパルス
幅（Ｔ）に対する劣化の割合（ｔd ／Ｔ）が大きくなる
ため、高速変調を行うときには受信が困難になる。対向
装置の受信部にとっては、受信波形のパルス幅の劣化は
最小受信レベルを劣化させる恐れがあるため、何らかの
補償が必要である。
きいと、“１”に対して本来存在すべき100 ％のパルス
幅（Ｔ）に対する劣化の割合（ｔd ／Ｔ）が大きくなる
ため、高速変調を行うときには受信が困難になる。対向
装置の受信部にとっては、受信波形のパルス幅の劣化は
最小受信レベルを劣化させる恐れがあるため、何らかの
補償が必要である。
【００１３】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、双方向伝送システムにおいて、一方の光伝
送装置の光送信部の光出力レベルを伝送路損失量に合わ
せて制御させ、さらに光出力レベルの変化によるパルス
幅の変化の補償を行うことで、対向装置の光受信部の構
成を容易にすることを目的とする。
れたもので、双方向伝送システムにおいて、一方の光伝
送装置の光送信部の光出力レベルを伝送路損失量に合わ
せて制御させ、さらに光出力レベルの変化によるパルス
幅の変化の補償を行うことで、対向装置の光受信部の構
成を容易にすることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記問題点は以下の光伝
送装置の構成によって解決される。 （請求項１） 双方向のディジタル光信号伝送システム
に使用され、光信号を電気信号に変換して出力する光受
信部と、電気信号を光信号に変換して出力する半導体レ
ーザとを有する光伝送装置において、該光受信部の出力
の平均値を検出する平均値検出手段と、該平均値検出手
段の検出出力を用いて該半導体レーザの光出力信号強度
を制御する光強度制御手段と、該平均値検出手段の検出
出力を用いて該半導体レーザの光出力信号のパルス幅の
変動を制御するパルス幅制御手段とを設ける。
送装置の構成によって解決される。 （請求項１） 双方向のディジタル光信号伝送システム
に使用され、光信号を電気信号に変換して出力する光受
信部と、電気信号を光信号に変換して出力する半導体レ
ーザとを有する光伝送装置において、該光受信部の出力
の平均値を検出する平均値検出手段と、該平均値検出手
段の検出出力を用いて該半導体レーザの光出力信号強度
を制御する光強度制御手段と、該平均値検出手段の検出
出力を用いて該半導体レーザの光出力信号のパルス幅の
変動を制御するパルス幅制御手段とを設ける。
【００１５】（請求項２） 請求項１に記載の光強度制
御手段は、第１の基準電圧値を与える第１の基準電圧源
と、前記平均値検出手段の検出出力と該第１の基準電圧
値とを比較し該比較結果に応じて前記半導体レーザの駆
動信号値を制御する第１の比較手段とを有し、請求項１
に記載のパルス幅制御手段は、第２の基準電圧値を与え
る第２の基準電圧源と、前記平均値検出手段の検出出力
と該第２の基準電圧値とを比較し該比較結果に応じて前
記半導体レーザの駆動信号のパルス幅を制御する第２の
比較手段とを有する構成とする。
御手段は、第１の基準電圧値を与える第１の基準電圧源
と、前記平均値検出手段の検出出力と該第１の基準電圧
値とを比較し該比較結果に応じて前記半導体レーザの駆
動信号値を制御する第１の比較手段とを有し、請求項１
に記載のパルス幅制御手段は、第２の基準電圧値を与え
る第２の基準電圧源と、前記平均値検出手段の検出出力
と該第２の基準電圧値とを比較し該比較結果に応じて前
記半導体レーザの駆動信号のパルス幅を制御する第２の
比較手段とを有する構成とする。
【００１６】（請求項３） 請求項２に記載の第１およ
び第２の基準電圧源はそれぞれ、温度変化に対して前記
半導体レーザの光出力信号の強度およびパルス幅を所定
値に保つように前記第１および第２の基準電圧値が変化
する特性を持たせた構成とする。
び第２の基準電圧源はそれぞれ、温度変化に対して前記
半導体レーザの光出力信号の強度およびパルス幅を所定
値に保つように前記第１および第２の基準電圧値が変化
する特性を持たせた構成とする。
【００１７】（請求項４） 請求項２に記載の第１およ
び第２の基準電圧源には、温度検出手段と、温度変化に
対して前記半導体レーザの光出力信号の強度およびパル
ス幅を所定値に保つための各温度と電圧および電圧
の関係を記憶させた記憶手段とを設け、該温度検出手段
が示す温度に応じて該記憶手段から該当する該電圧お
よび電圧を読み出し、該電圧および電圧を用いて
前記第１および第２の基準電圧値を制御することによ
り、前記半導体レーザの光出力信号の強度及びパルス幅
を制御するように構成する。
び第２の基準電圧源には、温度検出手段と、温度変化に
対して前記半導体レーザの光出力信号の強度およびパル
ス幅を所定値に保つための各温度と電圧および電圧
の関係を記憶させた記憶手段とを設け、該温度検出手段
が示す温度に応じて該記憶手段から該当する該電圧お
よび電圧を読み出し、該電圧および電圧を用いて
前記第１および第２の基準電圧値を制御することによ
り、前記半導体レーザの光出力信号の強度及びパルス幅
を制御するように構成する。
【００１８】（請求項５） 双方向のディジタル光信号
伝送システムに使用され、光信号を電気信号に変換して
出力する光受信部と、電気信号を光信号に変換して出力
する半導体レーザとを有する光伝送装置において、該光
受信部で受信する光信号強度に応じて該半導体レーザの
光出力信号強度を制御する光強度制御手段と、該半導体
レーザの駆動電流を監視し、該駆動電流値の変動による
前記半導体レーザの光出力信号のパルス幅の変動量を算
出して、該光出力信号のパルス幅の変動を制御するパル
ス幅制御手段とを設ける。
伝送システムに使用され、光信号を電気信号に変換して
出力する光受信部と、電気信号を光信号に変換して出力
する半導体レーザとを有する光伝送装置において、該光
受信部で受信する光信号強度に応じて該半導体レーザの
光出力信号強度を制御する光強度制御手段と、該半導体
レーザの駆動電流を監視し、該駆動電流値の変動による
前記半導体レーザの光出力信号のパルス幅の変動量を算
出して、該光出力信号のパルス幅の変動を制御するパル
ス幅制御手段とを設ける。
【００１９】
（請求項１） 光強度制御手段で、平均値検出手段の検
出出力（これは光受信部で受信する光信号強度の平均レ
ベルに対応する）を用いて半導体レーザの光出力信号強
度を制御することにより、光出力レベルを伝送路損失量
に合わせて制御することができる。
出出力（これは光受信部で受信する光信号強度の平均レ
ベルに対応する）を用いて半導体レーザの光出力信号強
度を制御することにより、光出力レベルを伝送路損失量
に合わせて制御することができる。
【００２０】さらに、半導体レーザの光出力信号強度の
変化によりパルス幅が変化するのを該平均値検出手段の
検出出力を用いてパルス幅制御手段で制御することによ
り、光出力信号の強度が変化したときでもパルス幅が変
化することなく伝送路に送出でき、対向装置の光受信部
の構成を容易にすることができる。
変化によりパルス幅が変化するのを該平均値検出手段の
検出出力を用いてパルス幅制御手段で制御することによ
り、光出力信号の強度が変化したときでもパルス幅が変
化することなく伝送路に送出でき、対向装置の光受信部
の構成を容易にすることができる。
【００２１】（請求項２） 前記平均値検出手段の検出
出力と第１の基準電圧値とを第１の比較手段で比較す
る。例えば、光受信部での受信レベルの平均値が基準電
圧値より大きいときには、伝送路における損失量が小さ
いと判定して、半導体レーザの光出力強度がその差分に
応じて小さくなるように半導体レーザの駆動電流値を制
御する。
出力と第１の基準電圧値とを第１の比較手段で比較す
る。例えば、光受信部での受信レベルの平均値が基準電
圧値より大きいときには、伝送路における損失量が小さ
いと判定して、半導体レーザの光出力強度がその差分に
応じて小さくなるように半導体レーザの駆動電流値を制
御する。
【００２２】この場合、半導体レーザの光出力強度が小
さくなると半導体レーザの発振遅延時間が大きくなるた
めパルス幅がせまくなるが、パルス幅制御手段で平均値
検出手段の検出出力と第２の基準電圧値とを比較してそ
の差分に応じて出力パルス幅を制御することにより、光
出力信号のパルス幅の変動量を抑えることができる。
さくなると半導体レーザの発振遅延時間が大きくなるた
めパルス幅がせまくなるが、パルス幅制御手段で平均値
検出手段の検出出力と第２の基準電圧値とを比較してそ
の差分に応じて出力パルス幅を制御することにより、光
出力信号のパルス幅の変動量を抑えることができる。
【００２３】（請求項３） 半導体レーザのパラメータ
（例えばしきい値電流値、光出力パワー等）は温度によ
って変化する特性を有するため、前述した(1) 式より発
振遅延時間ｔd も温度によって変化し、結果として光出
力のパルス幅も温度によって変化する。
（例えばしきい値電流値、光出力パワー等）は温度によ
って変化する特性を有するため、前述した(1) 式より発
振遅延時間ｔd も温度によって変化し、結果として光出
力のパルス幅も温度によって変化する。
【００２４】そこで、周囲温度の変化に対して半導体レ
ーザの光出力およびパルス幅を所定値に保つように温度
に応じて第１および第２の基準電圧値が変化する特性を
持たせた構成とすることにより、温度変動による半導体
レーザの光出力の強度およびパルス幅の変動を抑えるこ
とができる。
ーザの光出力およびパルス幅を所定値に保つように温度
に応じて第１および第２の基準電圧値が変化する特性を
持たせた構成とすることにより、温度変動による半導体
レーザの光出力の強度およびパルス幅の変動を抑えるこ
とができる。
【００２５】（請求項４） あらかじめ半導体レーザの
各温度における駆動電流と光出力強度および発振遅延時
間の関係を測定しておく。また、半導体レーザの光出力
が温度変動によっても一定値に保たれるように駆動電流
を増加／減少しなければならないが、それに対応する駆
動回路における温度と電圧（第１の基準電圧に対応）
との関係、およびパルス幅制御手段における所定のパル
ス幅補償量を与える電圧（第２の基準電圧値に対応）
を測定しておく。そしてこれら各値（各温度と、電圧
および電圧）を記憶手段に予め記憶させておく。
各温度における駆動電流と光出力強度および発振遅延時
間の関係を測定しておく。また、半導体レーザの光出力
が温度変動によっても一定値に保たれるように駆動電流
を増加／減少しなければならないが、それに対応する駆
動回路における温度と電圧（第１の基準電圧に対応）
との関係、およびパルス幅制御手段における所定のパル
ス幅補償量を与える電圧（第２の基準電圧値に対応）
を測定しておく。そしてこれら各値（各温度と、電圧
および電圧）を記憶手段に予め記憶させておく。
【００２６】温度変動時には、温度検出手段の示す値に
応じて記憶手段から該当する電圧およびを読み出し
てこれを各基準電圧値として用いることで、温度変化時
にも、光出力の強度およびパルス幅をより正確に制御す
ることが可能となる。
応じて記憶手段から該当する電圧およびを読み出し
てこれを各基準電圧値として用いることで、温度変化時
にも、光出力の強度およびパルス幅をより正確に制御す
ることが可能となる。
【００２７】（請求項５） 受信した光信号強度に応じ
て、光強度制御手段で駆動回路を制御して半導体レーザ
の駆動電流を増加／減少させることにより、半導体レー
ザの光出力信号強度を変化させる。
て、光強度制御手段で駆動回路を制御して半導体レーザ
の駆動電流を増加／減少させることにより、半導体レー
ザの光出力信号強度を変化させる。
【００２８】パルス幅制御手段で、この半導体レーザの
駆動電流を監視し、該駆動電流値の変動による光出力の
パルス幅の変動量を所定の関係式を用いて算出する。そ
して、該算出結果を使用して光出力のパルス幅の変動を
制御して所定値に保つ。
駆動電流を監視し、該駆動電流値の変動による光出力の
パルス幅の変動量を所定の関係式を用いて算出する。そ
して、該算出結果を使用して光出力のパルス幅の変動を
制御して所定値に保つ。
【００２９】
【実施例】図２は本発明の第１の実施例の光伝送装置の
構成図である。図において、光伝送路（光ファイバ）２
４から受信した光信号はフォトダイオード２５で電気信
号に変換され、プリアンプ２６で増幅した後、ＡＧＣア
ンプ２７に入力するとともに、一部を分岐して平均値検
出回路２８に入力する。平均値検出回路２８で受信光信
号の平均電圧値を求め、送信光レベル調整のための電圧
比較器（オペアンプ）２９およびパルス幅制御のための
電圧比較器（オペアンプ）３１に加える。
構成図である。図において、光伝送路（光ファイバ）２
４から受信した光信号はフォトダイオード２５で電気信
号に変換され、プリアンプ２６で増幅した後、ＡＧＣア
ンプ２７に入力するとともに、一部を分岐して平均値検
出回路２８に入力する。平均値検出回路２８で受信光信
号の平均電圧値を求め、送信光レベル調整のための電圧
比較器（オペアンプ）２９およびパルス幅制御のための
電圧比較器（オペアンプ）３１に加える。
【００３０】電圧比較器２９では、平均値検出回路２８
からの平均電圧値を基準電圧源３０からの基準電圧値と
を比較し、両者の差として得られる制御信号をレーザ駆
動回路３４に加え、半導体レーザ３５の駆動電流を制御
する。例えば、受信光信号レベルが基準電圧より大きい
ときには光伝送路の損失量が小さいと判定して、その差
に応じた分だけ送信光レベルを小さくするように制御す
る。
からの平均電圧値を基準電圧源３０からの基準電圧値と
を比較し、両者の差として得られる制御信号をレーザ駆
動回路３４に加え、半導体レーザ３５の駆動電流を制御
する。例えば、受信光信号レベルが基準電圧より大きい
ときには光伝送路の損失量が小さいと判定して、その差
に応じた分だけ送信光レベルを小さくするように制御す
る。
【００３１】同時に、もう一つの電圧比較器３１では、
平均値検出回路２８からの平均電圧値と基準電圧源３２
からの基準電圧値とを比較し、両者の差として得られる
制御信号をパルス幅補償回路３３に加え、送信光信号の
パルス幅を制御する。
平均値検出回路２８からの平均電圧値と基準電圧源３２
からの基準電圧値とを比較し、両者の差として得られる
制御信号をパルス幅補償回路３３に加え、送信光信号の
パルス幅を制御する。
【００３２】例えば、一方の光伝送路２４からの受信光
レベルが基準電圧値より大きいときには、該光伝送路２
４と対をなす光伝送路３６へ送出する光信号レベルを小
さくするため、該送出光信号のパルス幅を広くするよう
に、パルス幅補償回路３３で制御する。電圧値に応じて
電気信号波形のパルス幅を変える方法としては、Ａ−Ｄ
変換回路と市販のデューティサイクルコントローラを用
いて容易に実現できる。
レベルが基準電圧値より大きいときには、該光伝送路２
４と対をなす光伝送路３６へ送出する光信号レベルを小
さくするため、該送出光信号のパルス幅を広くするよう
に、パルス幅補償回路３３で制御する。電圧値に応じて
電気信号波形のパルス幅を変える方法としては、Ａ−Ｄ
変換回路と市販のデューティサイクルコントローラを用
いて容易に実現できる。
【００３３】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。半導体レーザ３５の各パラメータ（しきい値電流
値、光出力パワー等）は温度により変動する特性を有す
るため、前述した(1) 式から発振遅延時間が温度によっ
て変化し、結果として光出力のパルス幅も温度により変
動する。
する。半導体レーザ３５の各パラメータ（しきい値電流
値、光出力パワー等）は温度により変動する特性を有す
るため、前述した(1) 式から発振遅延時間が温度によっ
て変化し、結果として光出力のパルス幅も温度により変
動する。
【００３４】そこで、サーミスタのような温度によって
抵抗値の変化する素子を用いて、抵抗分圧によって基準
電圧源を構成することにより、温度変動による送信光レ
ベルの変動および出力パルス幅の変動を減少させること
ができる。
抵抗値の変化する素子を用いて、抵抗分圧によって基準
電圧源を構成することにより、温度変動による送信光レ
ベルの変動および出力パルス幅の変動を減少させること
ができる。
【００３５】次に、本発明の第３の実施例について説明
する。本実施例では、あらかじめ各温度における半導体
レーザ３５の駆動電流−光出力パワー、及び駆動電流−
発振遅延時間の関係を測定しておく。この場合、バイア
ス電流≒０とする。
する。本実施例では、あらかじめ各温度における半導体
レーザ３５の駆動電流−光出力パワー、及び駆動電流−
発振遅延時間の関係を測定しておく。この場合、バイア
ス電流≒０とする。
【００３６】また、レーザ駆動ＩＣ（図示しない）のレ
ーザ駆動電流調整素子への印加電圧（電圧とする）−
レーザ駆動電流特性、及びパルス幅補償回路における所
定のパルス幅補償量を与える電圧値（電圧とする）を
測定しておく。そして、図３に示すように、各温度にお
ける電圧および電圧の値をメモリ（図示しない）に
記憶させておく。
ーザ駆動電流調整素子への印加電圧（電圧とする）−
レーザ駆動電流特性、及びパルス幅補償回路における所
定のパルス幅補償量を与える電圧値（電圧とする）を
測定しておく。そして、図３に示すように、各温度にお
ける電圧および電圧の値をメモリ（図示しない）に
記憶させておく。
【００３７】温度変動時には、温度検出手段（図示しな
い）の示す値に応じて該メモリ（図示しない）から対応
する電圧および電圧の値を読み出し、この値にした
がって基準電圧源３０および基準電圧源３２の基準電圧
値を変化させることで、温度の変動時にも、光出力およ
びパルス幅制御をより正確に行うことが可能となる。
い）の示す値に応じて該メモリ（図示しない）から対応
する電圧および電圧の値を読み出し、この値にした
がって基準電圧源３０および基準電圧源３２の基準電圧
値を変化させることで、温度の変動時にも、光出力およ
びパルス幅制御をより正確に行うことが可能となる。
【００３８】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。半導体レーザ３５の駆動電流値をモニタして、そ
の値に応じて光出力のパルス幅の変動量を制御すること
もできる。
する。半導体レーザ３５の駆動電流値をモニタして、そ
の値に応じて光出力のパルス幅の変動量を制御すること
もできる。
【００３９】本実施例では、予め半導体レーザ３５のバ
イアス電流（Ｉb ）及びしきい値電流（Ｉth）の値をプ
ロセッサ（図示しない）に入力しておき、半導体レーザ
３５の駆動電流をモニタしながら、同プロセッサ（図示
しない）により(1) 式にしたがってｔｄを算出してパル
ス幅の補償量を制御する。この結果、更に効果的にパル
ス幅の変動を抑えることが可能となる。
イアス電流（Ｉb ）及びしきい値電流（Ｉth）の値をプ
ロセッサ（図示しない）に入力しておき、半導体レーザ
３５の駆動電流をモニタしながら、同プロセッサ（図示
しない）により(1) 式にしたがってｔｄを算出してパル
ス幅の補償量を制御する。この結果、更に効果的にパル
ス幅の変動を抑えることが可能となる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、双
方向光伝送システムにおいて、本発明による光伝送装置
を光伝送路を介して対向する装置のいずれか一方に設置
することにより、もう一方の光伝送装置の光受信部にお
ける受信信号のパルス波形の劣化を抑えつつ、該光受信
部に要求されるダイナミックレンジを縮小させることが
できる。したがって、一方の光伝送装置の光受信部の構
成を簡略化することが可能となるという効果がある。
方向光伝送システムにおいて、本発明による光伝送装置
を光伝送路を介して対向する装置のいずれか一方に設置
することにより、もう一方の光伝送装置の光受信部にお
ける受信信号のパルス波形の劣化を抑えつつ、該光受信
部に要求されるダイナミックレンジを縮小させることが
できる。したがって、一方の光伝送装置の光受信部の構
成を簡略化することが可能となるという効果がある。
【図１】は本発明の原理図、
【図２】は本発明の第１の実施例の光伝送装置の構成
図、
図、
【図３】は本発明の第３の実施例における温度と電圧
、電圧の関係を示す図、
、電圧の関係を示す図、
【図４】は一例の双方向伝送システムを示す図、
【図５】は一例の駆動電流によるパルス幅変動の様子を
示す図、
示す図、
【図６】は第１の従来例の光送受信レベル調整回路のブ
ロック図、
ロック図、
【図７】は第２の従来例の光伝送装置のブロック構成図
である。
である。
１は光減衰素子（光ＡＴＴ）、 ２は受光素子（ＰＤ）、 ３は前置増幅器（ＰＲＥ）、 ４は等化増幅器（ＥＱＬ）、 ５は識別回路（ＤＥＣ）、 ６はＡＧＣ回路、 ７は制御回路（ＣＯＮＴ）、 ８は駆動回路（ＤＲＶ）、 ９は半導体レーザ（ＬＤ）、 １０は光減衰素子（光ＡＴＴ）、 １１は駆動回路、 １２は光源、 １３は受光素子、 １４はアンプ、 １５は光伝送装置、 １６、１７は光伝送路、 １８は受光素子、 １９はＡＧＣアンプ、 ２０はレベル検出部、 ２１はＡＧＣ付駆動回路、 ２２は光源、 ２３は光伝送装置、 ２４は光伝送路、 ２５はフォトダイオード、 ２６はプリアンプ、 ２７はＡＧＣアンプ、 ２８は平均値検出回路、 ２９は電圧比較器、 ３０は基準電圧源、 ３１は電圧比較器、 ３２は基準電圧源、 ３３はパルス幅補償回路、 ３４はレーザ駆動回路、 ３５は半導体レーザ、 ３６は光伝送路 を示す。
Claims (5)
- 【請求項１】 双方向のディジタル光信号伝送システム
に使用され、光信号を電気信号に変換して出力する光受
信部と、電気信号を光信号に変換して出力する半導体レ
ーザとを有する光伝送装置において、 該光受信部の出力の平均値を検出する平均値検出手段
と、 該平均値検出手段の検出出力を用いて該半導体レーザの
光出力信号強度を制御する光強度制御手段と、 該平均値検出手段の検出出力を用いて該半導体レーザの
光出力信号のパルス幅の変動を制御するパルス幅制御手
段とを設けたことを特徴とする光伝送装置。 - 【請求項２】 前記光強度制御手段は、第１の基準電圧
値を与える第１の基準電圧源と、前記平均値検出手段の
検出出力と該第１の基準電圧値とを比較し該比較結果に
応じて前記半導体レーザの駆動信号値を制御する第１の
比較手段とを有し、 前記パルス幅制御手段は、第２の基準電圧値を与える第
２の基準電圧源と、前記平均値検出手段の検出出力と該
第２の基準電圧値とを比較し該比較結果に応じて前記半
導体レーザの駆動信号のパルス幅を制御する第２の比較
手段とを有する構成としたことを特徴とする請求項１に
記載の光伝送装置。 - 【請求項３】 前記第１および第２の基準電圧源はそれ
ぞれ、温度変化に対して前記半導体レーザの光出力信号
の強度およびパルス幅を所定値に保つように前記第１お
よび第２の基準電圧値が変化する特性を持たせたことを
特徴とする請求項２に記載の光伝送装置。 - 【請求項４】 前記第１および第２の基準電圧源には、
温度検出手段と、温度変化に対して前記半導体レーザの
光出力信号の強度およびパルス幅を所定値に保つための
各温度と電圧および電圧の関係を記憶させた記憶手
段とを設け、 該温度検出手段が示す温度に応じて該記憶手段から該当
する該電圧および電圧を読み出し、該電圧および
電圧を用いて前記第１および第２の基準電圧値を制御
することにより、前記半導体レーザの光出力信号の強度
及びパルス幅を制御することを特徴とする請求項２に記
載の光伝送装置。 - 【請求項５】 双方向のディジタル光信号伝送システム
に使用され、光信号を電気信号に変換して出力する光受
信部と、電気信号を光信号に変換して出力する半導体レ
ーザとを有する光伝送装置において、 該光受信部で受信する光信号強度に応じて該半導体レー
ザの光出力信号強度を制御する光強度制御手段と、 該半導体レーザの駆動電流を監視し、該駆動電流値の変
動による前記半導体レーザの光出力信号のパルス幅の変
動量を算出して、該光出力信号のパルス幅の変動を制御
するパルス幅制御手段とを設けたことを特徴とする光伝
送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7144538A JPH08340304A (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 光伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7144538A JPH08340304A (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 光伝送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340304A true JPH08340304A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15364644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7144538A Withdrawn JPH08340304A (ja) | 1995-06-12 | 1995-06-12 | 光伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340304A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000059317A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
| US7103283B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-09-05 | Fujitsu Limited | Transmission characteristic compensation control system |
| JP2006324801A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュール |
| CN116381387A (zh) * | 2023-04-04 | 2023-07-04 | 西北核技术研究所 | 一种基于光学供能的电参数测量系统及测量方法 |
-
1995
- 1995-06-12 JP JP7144538A patent/JPH08340304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000059317A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光送信器 |
| US7103283B2 (en) | 2001-10-30 | 2006-09-05 | Fujitsu Limited | Transmission characteristic compensation control system |
| JP2006324801A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュール |
| CN116381387A (zh) * | 2023-04-04 | 2023-07-04 | 西北核技术研究所 | 一种基于光学供能的电参数测量系统及测量方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |