JPH0834846A - 芳香族ポリカーボネート共重合体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 芳香族ポリカーボネート樹脂本来の優れた透
明性、機械物性を保持し、複屈折、成形性の改善された
芳香族ポリカーボネート共重合体を提供する。 【構成】 二価フェノールとして、２,２−ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンおよび９,
９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンを（必
要に応じさらに１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを）特定割
合で使用することにより得られた芳香族ポリカーボネー
ト共重合体およびそれからの成形品。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、芳香族ポリカーボネー
ト共重合体に関する。さらに詳しくは複屈折および成形
性の改善された芳香族ポリカーボネート共重合体および
それからの成形品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させ
て得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機
械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニア
リングプラスチックとして多くの分野に広く使用されて
いる。特に透明性に優れることから光学材料としての用
途も多い。しかしながら、かかるポリカーボネート樹脂
はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従
って成形品の複屈折が大きい欠点があり、この改善が求
められている。またより溶融流動性に優れた転写性の良
い、成形サイクルの短い樹脂が求められている。

【０００３】一方、特開平６−１８７０１号公報、特開
平６−２５３９８号公報、特開平６−２５３９９号公
報、特開平６−２３４０１号公報および特開平６−４９
１９５号公報には、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレンより得られる芳香族ポリカーボネート
樹脂が開示されており、このポリマーが高屈折率で耐熱
性が良好なことは知られている。しかしながら、このホ
モポリマーは合成する際、溶剤に不溶のゲル状物が多量
に生成し、溶剤可溶成分の収率はたかだか６０〜７０％
であり、このものを溶融成形しようとしても、溶融粘度
が高すぎて成形できない。また種々の共重合体に関して
は一般的な記載がなされているに過ぎない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、光学
用材料に適したポリカーボネートの優れた透明性、機械
物性を保持しつつ斜め入射複屈折、成形性、反り等を向
上した芳香族ポリカーボネート共重合体を提供すること
にある。本発明者はこの目的を達成せんとして鋭意研究
を重ねた結果、特定の２種または３種の二価フェノール
を使用することにより得られた芳香族ポリカーボネート
共重合体が光学用材料として好適であることを見出し、
本発明に到達した。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば下記一般式［Ｉ］

【０００６】

【化６】

【０００７】で表される繰返し単位［Ｉ］および下記一
般式［ＩＩ−ａ］

【０００８】

【化７】

【０００９】で表される繰返し単位［ＩＩ−ａ］よりな
り、単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］との割合がモル比で
８０：２０〜３０：７０の範囲である芳香族ポリカーボ
ネート共重合体［Ａ］が提供される。

【００１０】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］の製造に用いる２種の二価フェノールは２,２−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン
および９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオ
レンであり、これらはその合成時に副生する不純物を極
力除去した９９.０％以上の高純度のものが好ましい。

【００１１】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］において全繰返し単位当り、繰返し単位［Ｉ］の
割合が８０〜３０モル％、繰返し単位［ＩＩ−ａ］の割
合が２０〜７０モル％であり、繰返し単位［Ｉ］の割合
が７０〜４０モル％、繰返し単位［ＩＩ−ａ］の割合が
３０〜６０モル％が好ましい。繰返し単位［Ｉ］の割合
が８０モル％より多く、繰返し単位［ＩＩ−ａ］の割合
が２０モル％より少なくなると得られた樹脂の光弾性定
数が大きくなりかつガラス転移点も低くなるので好まし
くない。また、繰返し単位［Ｉ］の割合が３０モル％よ
り少なく、繰返し単位［ＩＩ−ａ］の割合が７０モル％
より多くなると得られた樹脂の溶融流動性が悪く成形不
良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。

【００１２】また、本発明によれば下記一般式［Ｉ］

【００１３】

【化８】

【００１４】で表される繰返し単位［Ｉ］ 下記一般式［ＩＩ−ａ］

【００１５】

【化９】

【００１６】で表される繰返し単位［ＩＩ−ａ］および
下記一般式［ＩＩ−ｂ］

【００１７】

【化１０】

【００１８】で表される繰返し単位［ＩＩ−ｂ］よりな
り、単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−
ｂ］との合計量の割合がモル比で８０：２０〜３０：７
０の範囲であり、単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−
ｂ］の合計量に基いて単位［ＩＩ−ｂ］の割合が５０モ
ル％未満である芳香族ポリカーボネート共重合体［Ｂ］
が提供される。

【００１９】この芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ｂ］の製造には前記共重合体［Ａ］に使用される２種
の二価フェノールに加えて１,１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンが
使用される。これら３種の二価フェノールはそれぞれ前
記と同様その合成時に副生する不純物を極力除去した９
９.０％以上の高純度のものが好ましい。

【００２０】芳香族ポリカーボネート共重合体［Ｂ］に
おいて全繰返し単位当り、繰返し単位［Ｉ］の割合が８
０〜３０モル％でありかつ繰返し単位［ＩＩ−ａ］およ
び繰返し単位［ＩＩ−ｂ］の合計量の割合は２０〜７０
モル％である。繰返し単位［Ｉ］の割合が７０〜４０モ
ル％、繰返し単位［ＩＩ−ａ］および繰返し単位［ＩＩ
−ｂ］の合計量の割合が３０〜６０モル％が好ましい。

【００２１】また、繰返し単位［ＩＩ−ａ］および繰返
し単位［ＩＩ−ｂ］の合計量に基づいて、繰返し単位
［ＩＩ−ｂ］の割合は５０モル％未満であり、５〜４５
モル％の範囲が好ましい。繰返し単位［Ｉ］の割合が８
０モル％より多く、繰返し単位［ＩＩ−ａ］および繰返
し単位［ＩＩ−ｂ］の合計量の割合が２０モル％より少
なくなると得られた樹脂の光弾性定数が大きくなりかつ
ガラス転移点も低くなるので好ましくない。また、繰返
し単位［Ｉ］の割合が３０モル％より少なく、繰返し単
位［ＩＩ−ａ］および繰返し単位［ＩＩ−ｂ］の合計量
の割合が７０モル％より多くなると得られた樹脂の溶融
流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が
得られ難くなる。

【００２２】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］および［Ｂ］はいずれも通常の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を製造する際に用いる公知の方法、例えば二
価フェノールにホスゲンや炭酸ジエステル等のカーボネ
ート前駆物質を反応させる方法により製造される。

【００２３】カーボネート前駆物質として例えばホスゲ
ンを使用する反応では、通常酸結合剤の水溶液に上記二
価フェノールを溶解し、有機溶媒の存在下に反応させ
る。酸結合剤としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム等のアルカリ金属水酸化物が用いられ、有機溶
媒としては例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハ
ロゲン化炭化水素が用いられる。反応温度は通常０〜４
０℃であり、反応時間は数分〜５時間である。

【００２４】また、反応を促進させるために触媒を用い
てもよく、触媒としては例えばトリエチルアミン、テト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−
ブチルホスホニウムブロマイドのような三級アミン、四
級アンモニウム化合物、四級ホスホニウム化合物等があ
げられる。更に、必要に応じハイドロサルファイトのよ
うな酸化防止剤を加えることもできる。

【００２５】さらに末端停止剤としては例えばフェノー
ル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェ
ノール、イソオクチルフェノール等の単官能フェノール
類を用いる。また溶融流動性をさらに向上するためには
炭素原子数１０〜５０のアルキルフェノールを全末端停
止剤の少なくとも５モル％以上用いると良い。その際用
いられる炭素原子数１０〜５０のアルキルフェノールの
アルキル基の置換位置は通常水酸基のオルソ位またはパ
ラ位のものが用いられ、中でもオルソ位とパラ位の混合
物が好ましく用いられる。

【００２６】カーボネート前駆物質として炭酸ジエステ
ルを用いるエステル交換反応では、不活性ガス雰囲気下
所定割合の上記二価フェノールを炭酸ジエステルと加熱
しながら攪拌して生成するアルコールまたはフェノール
を留出させることで行われる。反応温度は生成するアル
コールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常
１２０〜３００℃の範囲である。反応後期には系を減圧
にして生成するアルコールまたはフェノールの留出を容
易にさせて反応を完結させる。炭酸ジエステルとしては
例えばジフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
等が挙げられる。これらのうち特にジフェニルカーボネ
ートが好ましい。

【００２７】重合速度を速めるために重合触媒を使用す
ることもでき、重合触媒としては水酸化ナトリウムや水
酸化カリウム等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属の
水酸化物類、ホウ素やアルミニウムの水酸化物のアルカ
リ金属塩、アルカリ土類金属塩、第４級アンモニウム塩
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のアルコキシド
類、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩類、
亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、ケイ素化合物類、ゲル
マニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、ア
ンチモン化合物類、マンガン化合物類、チタン化合物
類、ジルコニウム化合物類等の通常エステル化反応、エ
ステル交換反応に使用される触媒を使用することができ
る。触媒は１種だけを用いても２種以上を組合わせて用
いてもよい。これらの触媒の使用量は原料の二価フェノ
ールに対し０.０００１〜１重量％、好ましくは０.００
０５〜０.５重量％の範囲で選ばれる。

【００２８】かくして得られる芳香族ポリカーボネート
共重合体［Ａ］および［Ｂ］はいずれもポリマー０.７
ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定
した比粘度が０.２〜０.４の範囲のものが好ましく、
０.２５〜０.３５の範囲のものがさらに好ましい。比粘
度が０.２未満では成形品が脆くなり、一方、０.４より
高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的
に良好な成形品が得られ難くなる。

【００２９】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
［Ａ］および［Ｂ］はいずれも、例えば射出成形法、圧
縮成形法、押出成形法、溶融キャスティング法等任意の
方法で成形することができる。

【００３０】なお、本発明の芳香族ポリカーボネート共
重合体［Ａ］および［Ｂ］には、必要に応じてりん系の
熱安定剤、フェノール系の酸化防止剤等を加えることが
できる。りん系の安定剤としては例えばトリフェニルホ
スファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリ
ス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファ
イト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファ
イト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフ
ェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファ
ィト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノ
ブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニル
ホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、
ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェ
ニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２,２−
メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペ
ンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２,４−ジ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジ
ホスファイト、テトラキス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブ
チルフェニル）−４,４−ジフェニレンホスホナイト等
の亜りん酸のトリエステル、ジエステル、モノエステル
でありこれらは単独で使用してもまたは２種以上を併用
してもよい。添加量としては０.０００１〜０.０５重量
％が好ましい。

【００３１】フェノール系酸化防止剤としては例えばト
リエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブ
チル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,
５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス
（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−
（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,
６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビ
ス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−
ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエ
ステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス
｛１,１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニ
ルオキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサス
ピロ（５,５）ウンデカン等が挙げられる。好ましい添
加量の範囲は０.０００１〜０.０５％である。

【００３２】また必要に応じて多価アルコールの高級脂
肪酸エステルを加える事もできる。好ましい脂肪酸エス
テルとしては炭素原子数８〜２２の飽和脂肪族モノカル
ボン酸とグリコール類、グリセロール、ペンタエリスリ
トール等との全エステル、部分エステルで、好ましい添
加量は０.００１〜０.５重量％である。また光安定剤、
着色剤、帯電防止剤、滑剤等の添加剤を透明性を損なわ
ない範囲で加えることができる。また他のポリカーボネ
ート樹脂、あるいは熱可塑性樹脂をブレンドして用いる
こともできる。

【００３３】また本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂
に含まれる塩素（Ｃｌ）は１.０ｐｐｍ以下が好まし
い。また平均径０.５μｍ以上の異物は１００００個／
ｇ以下が好ましい。

【００３４】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合体
は、複屈折性および成形性に特に優れているので種々の
成形品として利用することができる。殊に光学ディス
ク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィ
ルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反
射鏡、ディスプレー等の光学部品の構造材料または機能
材料用途に適した光学用成形品として有利に使用するこ
とができる。これらのうち、光ディスク用基板として特
に有利に使用することができる。

【００３５】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明す
る。なお実施例中の部は重量部であり％は重量％であ
る。なお、評価は下記の方法によった。比粘度； ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレン
に溶解し２０℃の温度で測定した。ガラス転移点（Ｔｇ）； デュポン社製９１０型ＤＳＣに
より測定した。流動性（ＭＦＲ）； ＪＩＳ Ｋ−７２１０に準拠して、
東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２
８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマ
ー量（ｇ）で示した。全光線透過率； ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日本
電色シグマ８０を用いて測定した。光弾性定数； 理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−
１５０により測定した。斜め入射複屈折位相差； オーク製エリプソメータＡＤＲ
−２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、入射角３０度で
測定した。反り； ８０℃、８５％ＲＨの恒温恒湿機中に光ディスク
を１０００時間放置した後、小野測器製ＬＭ−１２００
光ディスク検査装置を用いて基板の反りを測定した。

【００３６】実施例１ 温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水
１１１６.４部、４８％カセイソーダ水溶液７３.３部を
入れ、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオ
レン２３.３部、２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン３９.８部及びハイドロサルフ
ァイト０.１３部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール２部と塩化メチレン６６１.３部を加えトリ
エチルアミン０.１２部を添加した後攪拌下１５〜２０
℃でホスゲン３０.８部を４０分を要して吹き込んだ。
ホスゲン吹き込み終了後、２８〜３３℃で約１時間攪拌
して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレ
ンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相
の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで塩
化メチレンを蒸発して無色のポリマー６５部を得た（収
率９５％）。このポリマーの比粘度は０.４２１、Ｔｇ
は１５６℃、ＭＦＲは２５ｇ／１０分であった。

【００３７】このポリマーを住友重機製ＤＩＳＫ５Ｍｌ
ｌｌを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク
基板に射出成形した。このものの全光線透過率は８９
％、光弾性定数は４４×１０^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入
射複屈折位相差は２５ｎｍ、反りは０.２ｍｍであっ
た。

【００３８】実施例２ 実施例１の９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレンを３８.９部、２,２−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパンを２８.４部、ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェノールの代わりに炭素原子数２０のア
ルキル置換フェノール（オルソ置換体７０％、パラ置換
体３０％の混合物）５部を塩化メチレン３０部に溶解し
て添加した以外は実施例１と同様にしてポリマー７５部
を得た（収率９６％）。このポリマーの比粘度は０.２
５４、Ｔｇは１５４℃、ＭＦＲは５０ｇ／１０分であっ
た。

【００３９】このポリマーを実施例１と同様にディスク
基板を成形し実施例１と同様に評価したところ全光線透
過率は８９％、光弾性定数は２６×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は２０ｎｍ、反りは０.３ｍ
ｍであった。

【００４０】実施例３ 実施例１の９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレンを１５.５部、２,２−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパンを３９.８部とし、さら
に１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５
−トリメチルシクロヘキサンを６.９部加えた以外は実
施例１と同様にしてポリマー６３.９部を得た（収率９
４％）。このポリマーの比粘度は０.３７２、Ｔｇは１
６４℃、ＭＦＲは３０ｇ／１０分であった。

【００４１】このポリマーを実施例１と同様にディス基
板を成形し実施例１と同様に評価したところ全光線透過
率は８９％、光弾性定数は４６×１０^-13ｃｍ²／ｄｙ
ｎ、斜め入射複屈折位相差は２６ｎｍ、反りは０.２ｍ
ｍであった。

【００４２】比較例１ 通常のビスフェノールＡからのポリカーボネート（帝人
化成製 パンライト ＡＤ−５５０３）を実施例１と同様
にディスク基板を成形し、実施例１と同様に評価したと
ころ全光線透過率は８９％、光弾性定数は８２×１０
^-13ｃｍ²／ｄｙｎ、斜め入射複屈折位相差は６８ｎｍ、
反りは０.３ｍｍであった。

【００４３】比較例２ 実施例１の９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレンを７.８部、２,２−ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパンを５１.２部とした以外
は、実施例１と同様にしてポリマー６２.２部を得た
（収率９６％）。このものの比粘度は０.４２６、ＭＦ
Ｒは３０ｇ／１０分であった。

【００４４】このポリマーを実施例１と同様にディスク
基板を成形し、実施例１と同様に評価したところ全光線
透過率は８９％、光弾性定数は５０×１０^-13ｃｍ²／ｄ
ｙｎ、斜め入射複屈折位相差は４５ｎｍと大きかった。

【００４５】比較例３ 実施例１の９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フ
ルオレンを６２.２部、２,２−ビス（３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル）プロパンを１１.４部とした以外
は実施例１と同様にしてポリマー７３.７部を得た（収
率９３％）。このものの比粘度は０.２５１、ＭＦＲは
０.３ｇ／１０分と低く、良好な成形品は得られなかっ
た。

【００４６】

【発明の効果】本発明の芳香族ポリカーボネート共重合
体は低複屈折で溶融流動性が良くかつ透明性にも優れる
ので、光学ディスク、光学レンズ、光カード等の各種光
学用成形品として好適に用いられる。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式［Ｉ］ 【化１】 で表される繰返し単位［Ｉ］および下記一般式［ＩＩ−
   ａ］ 【化２】 で表される繰返し単位［ＩＩ−ａ］よりなり、単位
   ［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］との割合がモル比で８０：２
   ０〜３０：７０の範囲である芳香族ポリカーボネート共
   重合体。
2. 【請求項２】 下記一般式［Ｉ］ 【化３】 で表される繰返し単位［Ｉ］ 下記一般式［ＩＩ−ａ］ 【化４】 で表される繰返し単位［ＩＩ−ａ］および下記一般式
   ［ＩＩ−ｂ］ 【化５】 で表される繰返し単位［ＩＩ−ｂ］よりなり、単位
   ［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−ｂ］との
   合計量の割合がモル比で８０：２０〜３０：７０の範囲
   であり、単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−ｂ］の合
   計量に基いて単位［ＩＩ−ｂ］の割合が５０モル％未満
   である芳香族ポリカーボネート共重合体。
3. 【請求項３】 単位［ＩＩ−ａ］および単位［ＩＩ−
   ｂ］の合計量に基いて単位［ＩＩ−ｂ］の割合が５〜４
   ５モル％の範囲である請求項２記載の芳香族ポリカーボ
   ネート共重合体。
4. 【請求項４】 単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］の割合が
   モル比で７０：３０〜４０：６０の範囲である請求項１
   記載の芳香族ポリカーボネート共重合体。
5. 【請求項５】 単位［Ｉ］と単位［ＩＩ−ａ］および単
   位［ＩＩ−ｂ］との合計量の割合がモル比で７０：３０
   〜４０：６０の範囲である請求項２記載の芳香族ポリカ
   ーボネート共重合体。
6. 【請求項６】 ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メ
   チレンに溶解した２０℃における溶液の比粘度が０.２
   〜０.４である請求項１または２記載の芳香族ポリカー
   ボネート共重合体。
7. 【請求項７】 りん系の熱安定剤０.０００１〜０.００
   ５重量％および／またはフェノール系酸化防止剤０.０
   ００１〜０.０５重量％を含有する請求項１または２記
   載の芳香族ポリカーボネート共重合体。
8. 【請求項８】 末端基として炭素数１０〜５０のアルキ
   ルフェニルオキシ基を全末端当り少なくとも５モル％以
   上有する請求項１または２記載の芳香族ポリカーボネー
   ト共重合体。
9. 【請求項９】 請求項１または２記載の芳香族ポリカー
   ボネート共重合体より形成された光学用材料。
10. 【請求項１０】 請求項１または２記載の芳香族ポリカ
    ーボネート共重合体より形成された光ディスク用基板。