JPH0834957A - 酸化物被膜形成用塗布液、酸化物被膜の製造法および半導体装置 - Google Patents
酸化物被膜形成用塗布液、酸化物被膜の製造法および半導体装置Info
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- JPH0834957A JPH0834957A JP32182394A JP32182394A JPH0834957A JP H0834957 A JPH0834957 A JP H0834957A JP 32182394 A JP32182394 A JP 32182394A JP 32182394 A JP32182394 A JP 32182394A JP H0834957 A JPH0834957 A JP H0834957A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定で、成膜性の良好な酸化物被膜を生成す
る酸化物被膜形成用塗布液を提供する。 【構成】 （Ａ）一般式 【化１】 （Ｒは水素または炭素数が１〜４のアルキル基を意味
し、ｎは５〜１０００の整数である）で表わされるポリ
シラザン樹脂ならびに（Ｂ）一般式 【化２】 （Ｒ′は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）およ
び／または一般式 【化３】 （Ｒ″は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）で表
わされるフッ素アルコキシシラン化合物を含有してなる
酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を用いた酸化物被
膜の製造法、この酸化物被膜を用いた半導体装置。
る酸化物被膜形成用塗布液を提供する。 【構成】 （Ａ）一般式 【化１】 （Ｒは水素または炭素数が１〜４のアルキル基を意味
し、ｎは５〜１０００の整数である）で表わされるポリ
シラザン樹脂ならびに（Ｂ）一般式 【化２】 （Ｒ′は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）およ
び／または一般式 【化３】 （Ｒ″は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）で表
わされるフッ素アルコキシシラン化合物を含有してなる
酸化物被膜形成用塗布液、この塗布液を用いた酸化物被
膜の製造法、この酸化物被膜を用いた半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物被膜形成用塗布
液及び酸化物被膜の製造法に関し、更に詳しくは熱的に
安定で成膜性の良好な酸化物被膜の製造法、この酸化物
被膜形成用塗布液および半導体装置に関する。
液及び酸化物被膜の製造法に関し、更に詳しくは熱的に
安定で成膜性の良好な酸化物被膜の製造法、この酸化物
被膜形成用塗布液および半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の層
間絶縁の方法として、シラノール化合物の加水分解、縮
合物を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく用いら
れている。テトラエトキシシラン等の４官能シランを用
いる方法が最も多く知られているが、４官能シランのみ
を用いる方法では、焼成してシリカ系被膜を形成する際
に発生する収縮応力が大きいために、膜厚が厚くなると
クラックが発生するという問題がある。更に、シリカ系
被膜の密度が低いためドライエッチングでシリカ系被膜
を加工する際、シリカ系被膜のエッチング速度がＣＶＤ
等で形成される酸化膜と比較して著しく速く、その後の
半導体製造工程で配線の断線が生じるといった問題があ
る。一方、ヒドロポリシラザン樹脂を用いた酸化物被膜
の形成法（特開平４−３４１７０５号公報、特開平５−
１０５４８６号公報）も提案されているが、酸化物被膜
を得るためには１０００℃以上の熱処理あるいは特殊な
雰囲気調整が必要とされる。
間絶縁の方法として、シラノール化合物の加水分解、縮
合物を焼成し、酸化物被膜を形成する方法がよく用いら
れている。テトラエトキシシラン等の４官能シランを用
いる方法が最も多く知られているが、４官能シランのみ
を用いる方法では、焼成してシリカ系被膜を形成する際
に発生する収縮応力が大きいために、膜厚が厚くなると
クラックが発生するという問題がある。更に、シリカ系
被膜の密度が低いためドライエッチングでシリカ系被膜
を加工する際、シリカ系被膜のエッチング速度がＣＶＤ
等で形成される酸化膜と比較して著しく速く、その後の
半導体製造工程で配線の断線が生じるといった問題があ
る。一方、ヒドロポリシラザン樹脂を用いた酸化物被膜
の形成法（特開平４−３４１７０５号公報、特開平５−
１０５４８６号公報）も提案されているが、酸化物被膜
を得るためには１０００℃以上の熱処理あるいは特殊な
雰囲気調整が必要とされる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の従来技術の欠点を除去し、熱的に安定で成膜性の良好
な酸化物被膜の製造法、この酸化物被膜を用いた半導体
装置およびこの酸化物被膜形成用塗布液を提供するもの
である。
の従来技術の欠点を除去し、熱的に安定で成膜性の良好
な酸化物被膜の製造法、この酸化物被膜を用いた半導体
装置およびこの酸化物被膜形成用塗布液を提供するもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の目
的を達成するため種々研究した結果、シリコン、アルミ
等の基体上でクラックが発生せず、さらに、半導体素子
の配線形成工程における配線の断線を防止するためにド
ライエッチング速度がＣＶＤ酸化膜等と同等になるよう
な酸化物被膜を形成するためには、（１）焼成時の硬化
収縮を小さくする、（２）膜の密度を高くするという条
件を満たす塗布液を用いることが必要であることを見出
し、本発明に到達した。
的を達成するため種々研究した結果、シリコン、アルミ
等の基体上でクラックが発生せず、さらに、半導体素子
の配線形成工程における配線の断線を防止するためにド
ライエッチング速度がＣＶＤ酸化膜等と同等になるよう
な酸化物被膜を形成するためには、（１）焼成時の硬化
収縮を小さくする、（２）膜の密度を高くするという条
件を満たす塗布液を用いることが必要であることを見出
し、本発明に到達した。
【０００５】本発明は、（Ａ）一般式
【化４】 （Ｒは水素または炭素数が１〜４のアルキル基を意味
し、ｎは５〜１０００の整数である）で表わされるポリ
シラザン樹脂ならびに（Ｂ）一般式
し、ｎは５〜１０００の整数である）で表わされるポリ
シラザン樹脂ならびに（Ｂ）一般式
【化５】 （Ｒ′は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）で表
わされるフッ素アルコキシシラン化合物および／または
一般式
わされるフッ素アルコキシシラン化合物および／または
一般式
【化６】 （Ｒ″は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）で表
わされるフッ素アルコキシシラン化合物を含有してなる
酸化物被膜形成用塗布液、これを用いた酸化物被膜の製
造法およびこの酸化物被膜を表面保護膜または層間絶縁
膜とした半導体装置に関する。
わされるフッ素アルコキシシラン化合物を含有してなる
酸化物被膜形成用塗布液、これを用いた酸化物被膜の製
造法およびこの酸化物被膜を表面保護膜または層間絶縁
膜とした半導体装置に関する。
【０００６】本発明に用いられる前記の一般式で表わさ
れるポリシラザン樹脂は、既に公知の化合物であり、特
開平１−１３８１０７号公報、特開平１−２０３４３０
号公報等に記載されるように、例えばピリジン溶液中で
ハロゲン化シランとアンモニアを反応させて製造され
る。
れるポリシラザン樹脂は、既に公知の化合物であり、特
開平１−１３８１０７号公報、特開平１−２０３４３０
号公報等に記載されるように、例えばピリジン溶液中で
ハロゲン化シランとアンモニアを反応させて製造され
る。
【０００７】本発明に用いられるフッ素アルコキシシラ
ン化合物は、前記の一般式で表わされ、具体的には、
ン化合物は、前記の一般式で表わされ、具体的には、
【化７】 等が挙げられる。
【０００８】通常、ポリシラザン樹脂１００重量部に対
して、フッ素アルコキシシラン化合物は０．１〜５重量
部の範囲で用いられる。
して、フッ素アルコキシシラン化合物は０．１〜５重量
部の範囲で用いられる。
【０００９】酸化物被膜形成用塗布液は、通常、溶媒を
含むが、溶媒としては、キシレン、トルエン、カルビー
トル、アセテート系などの溶媒が挙げられ、これらは１
種でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
含むが、溶媒としては、キシレン、トルエン、カルビー
トル、アセテート系などの溶媒が挙げられ、これらは１
種でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【００１０】溶媒の使用量は、通常ヒドロポリシラザン
樹脂およびフッ素アルコキシシラン化合物の量が５〜５
０重量％となる量とされる。
樹脂およびフッ素アルコキシシラン化合物の量が５〜５
０重量％となる量とされる。
【００１１】本発明になる酸化物被膜形成用塗布液を用
いて酸化物被膜を形成するには、該塗布液をガラス、セ
ラミックス、シリコンウエハー、回路の形成されたシリ
コンウエハー等の基体上に、浸漬報、回転塗布法等の方
法で塗布後、通常５０〜２００℃、好ましくは１００〜
１５０℃で乾燥し、ついで通常３００〜５００℃、好ま
しくは３５０〜４５０℃で焼成する。本発明になる酸化
物被膜形成用塗布液を用いて形成したシリカ系被膜は、
耐クラック性に優れ、しかもエッチング性も良好であ
る。本発明になる塗布液を半導体装置の表面または層間
の配線上に上記のように塗布、乾燥ついで焼成して本発
明の酸化物被膜を表面保護膜または層間絶縁膜とした半
導体装置とされる。
いて酸化物被膜を形成するには、該塗布液をガラス、セ
ラミックス、シリコンウエハー、回路の形成されたシリ
コンウエハー等の基体上に、浸漬報、回転塗布法等の方
法で塗布後、通常５０〜２００℃、好ましくは１００〜
１５０℃で乾燥し、ついで通常３００〜５００℃、好ま
しくは３５０〜４５０℃で焼成する。本発明になる酸化
物被膜形成用塗布液を用いて形成したシリカ系被膜は、
耐クラック性に優れ、しかもエッチング性も良好であ
る。本発明になる塗布液を半導体装置の表面または層間
の配線上に上記のように塗布、乾燥ついで焼成して本発
明の酸化物被膜を表面保護膜または層間絶縁膜とした半
導体装置とされる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。 実施例１ ヒドロポリシラザン樹脂（Ｒ：水素、ｎ＝３０）の２０
重量％ｍ−キシレン溶液（東燃(株)製）１００ｇとフッ
素トリエトキシシラン：ＦＳｉ(ＯＣ2Ｈ5)3１ｇを混合
し、乾燥窒素雰囲気下で１時間撹拌し塗布液を調整し
た。この塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリ
コンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御されたホ
ットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉で４００
℃で大気中１時間焼成したところ、無色透明でクラック
のない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ
０．４μｍであった。さらに、得られた酸化物被膜をバ
レル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０
１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合
ガスでエッチングしたところエッチング速度は１０００
Å/minであり、同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜と同
等であった。また前記の塗布液を、厚さ１．０μｍ、ラ
イン＆スペース幅０．５〜５．１μｍのアルミ配線が形
成されたシリコンウエハー上に前記と同様な条件で成膜
したところ、無色透明でクラックのない酸化物被膜が得
られた。
重量％ｍ−キシレン溶液（東燃(株)製）１００ｇとフッ
素トリエトキシシラン：ＦＳｉ(ＯＣ2Ｈ5)3１ｇを混合
し、乾燥窒素雰囲気下で１時間撹拌し塗布液を調整し
た。この塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリ
コンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御されたホ
ットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉で４００
℃で大気中１時間焼成したところ、無色透明でクラック
のない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ
０．４μｍであった。さらに、得られた酸化物被膜をバ
レル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０
１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合
ガスでエッチングしたところエッチング速度は１０００
Å/minであり、同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜と同
等であった。また前記の塗布液を、厚さ１．０μｍ、ラ
イン＆スペース幅０．５〜５．１μｍのアルミ配線が形
成されたシリコンウエハー上に前記と同様な条件で成膜
したところ、無色透明でクラックのない酸化物被膜が得
られた。
【００１３】比較例１ 実施例１で用いたヒドロポリシラザン樹脂の２０重量％
ｍ−キシレン溶液をスピナーを用いて２０００rpmでシ
リコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御された
ホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉中で４
００℃で大気中１時間焼成したところ、無色透明でクラ
ックのない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したと
ころ０．４μｍであった。さらに、得られた酸化物被膜
をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−
５０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の
混合ガスでエッチングしたところエッチング速度は２０
００Å/minであり、同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜
の２倍の速さであった。
ｍ−キシレン溶液をスピナーを用いて２０００rpmでシ
リコンウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御された
ホットプレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉中で４
００℃で大気中１時間焼成したところ、無色透明でクラ
ックのない被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したと
ころ０．４μｍであった。さらに、得られた酸化物被膜
をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−
５０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の
混合ガスでエッチングしたところエッチング速度は２０
００Å/minであり、同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜
の２倍の速さであった。
【００１４】実施例２
【化８】 で表わされるメチル基含有有機ポリシラザン（ｎ＝５
０）の２０重量％ｍ−キシレン溶液１００ｇとフッ素ト
リエトキシシラン：ＦＳｉ(ＯＣ2Ｈ5)3１ｇを混合し、
乾燥窒素雰囲気下で１時間撹拌し塗布液を調整した。こ
の塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウ
エハー上に塗布した後、１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、ついで電気炉で４００℃で大
気中１時間焼成したところ、無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．４
μｍであった。さらに、得られた酸化物被膜をバレル型
酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１Ａ
型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガス
でエッチングしたところエッチング速度は１０００Å/m
inであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜と同等であ
った。また前記塗布溶液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆
スペース幅０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成され
たシリコンウエハー上に前記と同様な条件で成膜したと
ころ、無色透明でクラックのない酸化物被膜が得られ
た。
０）の２０重量％ｍ−キシレン溶液１００ｇとフッ素ト
リエトキシシラン：ＦＳｉ(ＯＣ2Ｈ5)3１ｇを混合し、
乾燥窒素雰囲気下で１時間撹拌し塗布液を調整した。こ
の塗布液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコンウ
エハー上に塗布した後、１５０℃に制御されたホットプ
レート上で１分間乾燥し、ついで電気炉で４００℃で大
気中１時間焼成したところ、無色透明でクラックのない
被膜が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．４
μｍであった。さらに、得られた酸化物被膜をバレル型
酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１Ａ
型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガス
でエッチングしたところエッチング速度は１０００Å/m
inであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜と同等であ
った。また前記塗布溶液を、厚さ１．０μｍ、ライン＆
スペース幅０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成され
たシリコンウエハー上に前記と同様な条件で成膜したと
ころ、無色透明でクラックのない酸化物被膜が得られ
た。
【００１５】比較例２ 実施例１と同様なメチル基含有有機ポリシラザン（ｎ＝
５０）の２０重量％ｍ−キシレン溶液をスピナーを用い
て２０００rpmでシリコンウエハー上に塗布した後、１
５０℃に制御されたホットプレート上で１分間乾燥し、
ついで電気炉中４００℃、５００℃、６００℃、８００
℃、１０００℃で大気中１時間焼成したところ、無色透
明でクラックのない被膜が得られた。さらに、本酸化物
被膜をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製Ｐ
Ｒ−５０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／
Ｏ2の混合ガスでエッチングしたところ４００℃から６
００℃で硬化した試料のエッチング速度は２０００Å/m
inであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の２倍の速
さであった。また、８００℃のエッチング速度は１５０
０Å/minであり、同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜よ
り早い結果が得られた。表１に検討結果を示す。
５０）の２０重量％ｍ−キシレン溶液をスピナーを用い
て２０００rpmでシリコンウエハー上に塗布した後、１
５０℃に制御されたホットプレート上で１分間乾燥し、
ついで電気炉中４００℃、５００℃、６００℃、８００
℃、１０００℃で大気中１時間焼成したところ、無色透
明でクラックのない被膜が得られた。さらに、本酸化物
被膜をバレル型酸素プラズマ灰化装置（ヤマト科学製Ｐ
Ｒ−５０１Ａ型）を用いて２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／
Ｏ2の混合ガスでエッチングしたところ４００℃から６
００℃で硬化した試料のエッチング速度は２０００Å/m
inであり同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の２倍の速
さであった。また、８００℃のエッチング速度は１５０
０Å/minであり、同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜よ
り早い結果が得られた。表１に検討結果を示す。
【００１６】比較例３ Ｓｉ(ＯＣＨ3)4 １５２．０ｇをプロピレングリコール
モノプロピルエーテル６００ｇに溶解し、この溶液にマ
レイン酸２．０ｇを溶解させた水１００．０ｇを添加
し、加水分解、縮合を行い反応物溶液を作成した。この
反応物溶液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコン
ウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御されたホット
プレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で
１時間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜
が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．２５μ
ｍであった。さらに、得られた被膜をバレル型酸素プラ
ズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１Ａ型）を用い
て２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガスでエッチン
グしたところエッチング速度は２０００Å/minであり、
同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の２倍であった。ま
た前記の反応物溶液を厚さ１．０μｍ、ライン＆スペー
ス幅、０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成されたシ
リコンウエハー上に、前記と同様な条件で成膜したとこ
ろ、膜には多数のクラックが存在していた。
モノプロピルエーテル６００ｇに溶解し、この溶液にマ
レイン酸２．０ｇを溶解させた水１００．０ｇを添加
し、加水分解、縮合を行い反応物溶液を作成した。この
反応物溶液をスピナーを用いて２０００rpmでシリコン
ウエハー上に塗布した後、１５０℃に制御されたホット
プレート上で１分間乾燥し、ついで電気炉中４００℃で
１時間焼成したところ、無色透明でクラックのない被膜
が得られた。該被膜の膜厚を測定したところ０．２５μ
ｍであった。さらに、得られた被膜をバレル型酸素プラ
ズマ灰化装置（ヤマト科学製ＰＲ−５０１Ａ型）を用い
て２００Ｗで３０秒間ＣＦ4／Ｏ2の混合ガスでエッチン
グしたところエッチング速度は２０００Å/minであり、
同時にエッチングしたＣＶＤ酸化膜の２倍であった。ま
た前記の反応物溶液を厚さ１．０μｍ、ライン＆スペー
ス幅、０．５〜５．０μｍのアルミ配線が形成されたシ
リコンウエハー上に、前記と同様な条件で成膜したとこ
ろ、膜には多数のクラックが存在していた。
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明の酸化物被膜形成用塗布液は３ヵ
月以上の長期保管でも溶液の粘度及び樹脂の分子量変化
が小さく、通常の大気雰囲気においても５００℃以下の
熱処理温度で酸化物被膜の形成が可能であり、該塗布液
を用いて形成される酸化物被膜は緻密でかつ２．０μｍ
程度の厚さでもクラックの発生が無く、更なエッチング
速度もＣＶＤ酸化膜と同等であり、電子部品、特に半導
体素子の多層配線における配線段差の平坦化に有効であ
る。
月以上の長期保管でも溶液の粘度及び樹脂の分子量変化
が小さく、通常の大気雰囲気においても５００℃以下の
熱処理温度で酸化物被膜の形成が可能であり、該塗布液
を用いて形成される酸化物被膜は緻密でかつ２．０μｍ
程度の厚さでもクラックの発生が無く、更なエッチング
速度もＣＶＤ酸化膜と同等であり、電子部品、特に半導
体素子の多層配線における配線段差の平坦化に有効であ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式 【化１】 （Ｒは水素または炭素数が１〜４のアルキル基を意味
し、ｎは５〜１０００の整数である）で表わされるポリ
シラザン樹脂ならびに（Ｂ）一般式 【化２】 （Ｒ′は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）で表
わされるフッ素アルコキシシラン化合物および／または
一般式 【化３】 （Ｒ″は、炭素数１〜４のアルキル基を意味する）で表
わされるフッ素アルコキシシラン化合物を含有してなる
酸化物被膜形成用塗布液。 - 【請求項２】 請求項１記載の塗布液を基体表面上に塗
布後、５０〜２００℃で乾燥し、ついで３００〜５００
℃で焼成する酸化物被膜の製造法。 - 【請求項３】 請求項２記載の酸化物被膜を表面保護膜
または層間絶縁膜とした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32182394A JPH0834957A (ja) | 1994-05-18 | 1994-12-26 | 酸化物被膜形成用塗布液、酸化物被膜の製造法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-103164 | 1994-05-18 | ||
| JP10316494 | 1994-05-18 | ||
| JP32182394A JPH0834957A (ja) | 1994-05-18 | 1994-12-26 | 酸化物被膜形成用塗布液、酸化物被膜の製造法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0834957A true JPH0834957A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=26443817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32182394A Pending JPH0834957A (ja) | 1994-05-18 | 1994-12-26 | 酸化物被膜形成用塗布液、酸化物被膜の製造法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834957A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09157528A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-17 | Tonen Corp | ポリシラザン組成物、ポリシラザン溶液の調製方法、該組成物を用いたコーティング用組成物及び該コーティング用組成物を用いて得られるセラミックス被膜付プラスチック |
| JP2006219538A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Art Breed Kk | コーティング液およびコーティング方法 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP32182394A patent/JPH0834957A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09157528A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-17 | Tonen Corp | ポリシラザン組成物、ポリシラザン溶液の調製方法、該組成物を用いたコーティング用組成物及び該コーティング用組成物を用いて得られるセラミックス被膜付プラスチック |
| JP2006219538A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Art Breed Kk | コーティング液およびコーティング方法 |
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